澱積薄膜形成設備和用於其中的電極的製作方法

2023-09-15 07:04:20 2

專利名稱：：澱積薄膜形成設備和用於其中的電極的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一澱積薄膜形成設備，其中由等離子體CVD在圓柱狀導電基片上形成澱積薄膜，尤其是功能性澱積薄膜，特別是能夠用於半導體器件、電子照相的光接收部件、輸入圖象的線傳感器、圖象拾取器件、光電伏特器件、或類似器件的非晶體半導體薄膜，還涉及用於該設備的電極。人們已知非單晶材料，尤其是諸如非晶矽(即由氫或/和滷素補償的非晶矽)、非晶矽氮化物、非晶矽碳化物和非晶矽氧化物這樣的非晶體材料可用於包括薄膜電晶體、電子照相的光接收部件、輸入圖象的線傳感器、圖象拾取器件、光電伏特器件、或各種類型的電子似器件。實際中已經採用了某些由利用上述材料構成的澱積薄膜準備的半導體器件。但是，在這些器件中，在器件製造、澱積薄膜特性、製造成本、或類似方面還有需要改進的地方。例如，在製造光接收部件(感光部件)時，由於用於感光部件的基片表面的面積較大，因此要求形成的澱積薄膜在厚度和電氣特性上均勻一致，基片上薄膜缺陷數量要少。此外，還要求澱積薄膜形成設備能保證足夠的生產率以滿足近年來更高特性的要求。用來形成此種澱積薄膜的設備的一個舉例如圖1A和1B所示。圖1A是解釋澱積薄膜形成設備的橫截面圖。圖1B是解釋澱積薄膜形成設備的縱截面圖。在圖1A和圖1B中，參考數字700表示反應容器。反應容器700與能夠通過排放管705排放容器內的氣體等的排放設備(未示出)相連。用於薄膜形成的諸如矽甲烷氣、甲烷氣、硼乙烷氣、磷化氫氣或類似氣體的源氣體從與由容器筒、壓力調節器、物質流控制器、閥門等部件構成的源氣體供應系統(未示出)相連的源氣體供應管703供應到由基片701包圍的空間(內室)702內。(在圖1中，在同一圓周上等距離布置有八個圓柱基片701)。通過調節排氣量以總體上設定空間702內的氣體壓力為1×10-2至1,000Pa的理想壓力。微波功率源(未示出)通過隔離器件(未示出)、波導器707和微波供應窗口706向空間702提供微波功率(例如2.45GHz)以在空間702內產生輝光放電，從而在每一基片701上形成澱積薄膜。基片701通過支撐物(未示出)由旋轉軸708支撐。旋轉軸通過齒輪710與馬達709相連。基片由馬達旋轉以在基片701上形成均勻的澱積薄膜。基片701由加熱器加熱到形成澱積薄膜所需的溫度(例如100℃至400℃)。作為一種解決上述問題的澱積薄膜形成設備，美國專利第5,129,359號公開了一種由等離子體CVD方法利用微波的澱積薄膜形成設備。它們公開了一種具有如下布置的澱積薄膜形成設備。基片、微波供應裝置和源氣體供應裝置被布置在反應容器內，並提供一經過源氣體供應裝置和基片的電場，因而改善薄膜厚度和電氣特性的均勻性。本發明人發現了一種通過提供一經過上述澱積薄膜形成設備的源氣體供應裝置和基片的高頻功率來改善澱積薄膜特性的可能性，並對其進行了研究。在此情況下，雖然電氣特性改善了，但結構缺陷在數量上並未減少。結果，要進一步改善澱積薄膜的整體性能，還存在有需改善的地方。尤其是在近來的電子照相設備中，不僅要精確複製字符圖象，還必須精確複製照片圖象，因而要求在圖象特性方面進行進一步改進，例如改進中等密度圖象的可再生性。為了這一目的，要根據原始圖象形成精確的潛在圖象，該潛在圖象被利用小微粒顯影劑顯像以改善電子照相設備的解象度和可再生性能。結果，對於用作例如用於電子照相的光接收部件的澱積薄膜，要求實現高濃黑部分電勢的穩定形成、對在實際上與圖象曝光反應敏感的電氣特性上的進一步改善、對應與電子照相設備解析度的改進圖象缺陷數的減少，即導致圖象缺陷的被稱為球狀突出的結構缺陷的減少。在上述澱積薄膜形成設備中，為滿足進一步改進澱積薄膜的整體性能的要求，需對澱積薄膜的形成在某些地方進行改進。本發明的目的是解決上述問題，並提供能夠減少澱積薄膜的結構缺陷數量的一種澱積薄膜形成設備，以及用於該設備的電極。本發明的另一目的是提供適合用來形成用於具有傑出圖象特性的電子照相的光接收部件的一種澱積薄膜形成設備，以及用於該設備的電極。本發明的另一目的是提供能夠形成具有均勻和傑出特性和質量的澱積薄膜的一種澱積薄膜形成設備，以及用於該設備的電極。本發明的另一目的是提供能夠穩定形成基本上具有均勻薄膜厚度的澱積薄膜並因而降低生產成本以實現低成本薄膜形成的一種澱積薄膜形成設備，以及用於該設備的電極。本發明的另一目的是提供一種由用來提供源氣體到反應容器內並能降低其中布置有基片處的壓力的反應容器裝置、用於向反應容器提供高頻功率的高頻電源裝置、向反應容器提供高頻功率的高頻電源裝置，被高頻功率分解以在基片上形成澱積薄膜的源氣體組成的澱積薄膜形成設備，其中高頻電源裝置的供應部分由多種材料形成的部件構成，以及用於該設備的電極。本發明的另一目的是提供一種用於真空設備內能夠通過提供高頻功率分解源氣體以形成澱積薄膜的電極，其中包括導電材料和至少覆蓋部分導電材料表面的絕緣材料。圖1A是解釋澱積薄膜形成設備的一個舉例的構成的橫截面圖。圖1B是解釋圖1A所示的設備的縱截面圖。圖2A，4A，7A，10A和19A是解釋本發明的澱積薄膜形成設備的最佳舉例的構成的橫截面圖。圖2B，4B，7B和10B是分別解釋圖2A，4A，7A和10A所示設備的縱截面圖。圖3A，5A，8A，9A，11A，12A，15A，17A和18A是解釋本發明的用來供應高頻率的電極的最佳舉例的構成的橫截面圖。圖3B，5B，8B，9B，11B，12B，13，14，15B，16，17B，18B和19B是分別解釋本發明的電極的舉例的縱截面圖。圖6A至6E是解釋可由本發明的設備形成的光接收部件的最佳舉例的截面圖。本發明的依據是對用來向澱積薄膜形成設備的反應容器提供高頻功率的電極(即高頻功率提供裝置)的特定結構的發現，以及利用包括該特定電極結構的澱積薄膜形成設備實現上述目的的可能性。用來提供高頻功率的電極，即高頻功率提供裝置(高頻供應部分)，包括導電部件和覆蓋導電部件表面的絕緣部件。高頻電源部分理想地包括用作基本部件的導電部件，其表面由對澱積薄膜有高附著力的材料覆蓋，具體說是陶瓷材料。作為陶瓷材料，理想地採用Al2O3，BN，AlN，ZrSiO4，TiO2，Cr2O3和MgO中的一種或多種。這些材料可通過等離子體噴射附著在導電基本部件的表面。導電材料可被由這些陶瓷材料形成的外殼狀蓋子覆蓋。作為高頻電源部分的導電部件，理想地採用不鏽鋼、鋁、鈦、鎳和鎳合金(即鎳、鉻和鐵的合金)中的一種或多種。一個環狀導體如上所述地配置在導電部件的周圍。該環狀導體最好為環形或螺旋形。該環狀導體可有多個或接地。高頻功率的頻率理想地定為20MHz至450MHz，更理想地為31MHz至450MHz，最理想地為50MHz至450MHz。可以和高頻功率一起供應微波功率。此外，高頻電源部分還可用作源氣體供應裝置。理想地布置一加熱或冷卻高頻電源部分的機構。可在一個反應容器內提供多個用作高頻電源部分的電極。在上述布置中，高頻電源部分具有導電部件作為基本部件，且其表面由諸如陶瓷材料這樣的絕緣材料組成。由於這一原因，可以有利地形成具有小數量結構缺陷，用作用於電子照相的光接收部件的澱積薄膜。此外，可圍繞導電部件提供環狀導體並用上述絕緣材料覆蓋。這樣就可能改善放電的均勻性，從而改善澱積薄膜的特性和薄膜厚度的均勻性。下面介紹完成本發明的過程和本發明的效果。如美國專利第5,129,359號公開的澱積薄膜形成設備採用向在圓柱狀導電基片的圓形布置內形成的放電空間供應微波，並施加經過放電空間內的源氣體供應裝置和基片的DC電場這樣的構造。本發明人研究了上述在放電空間內布置高頻電源裝置，且經過高頻電源部分和基片施加高頻功率以產生分解源氣體的放電，從而在每一基片上形成澱積薄膜。結果，雖然按上述方法可能得到具有傑出電氣特性的澱積薄膜，但澱積薄膜中稱為球狀突出的結構缺陷數量卻不易降到令人滿意的低水平。當本發明人調查澱積薄膜中稱為球狀突出的結構缺陷的形成原因時，證實了球狀突出利用基片表面的附著物作為核開始增長。通常，在薄膜形成前要對基片進行嚴格清潔並被從諸如清潔室這樣的進行灰塵管理的環境傳送到澱積薄膜形成設備中，因能儘可能避免灰塵附著在基片上。在這種方法中，雖然基片在清潔傳送到澱積薄膜形成設備時是保持清潔的，但存在一個使灰塵附著在澱積薄膜形成設備上的原因。更具體地說，源氣體被供應到放電空間，高頻功率被從高頻電源部分供應到放電空間以使源氣體在放電空間分解，因而在每一基片上形成澱積薄膜。在此情況下，澱積薄膜也在例如高頻電源部分的表面上形成。澱積薄膜在澱積薄膜形成期間接收其應力或由放電空間內的離子勢能產生的能量以存儲應力應變。本發明人發現當存儲的應力應變達到或超過預定水平時，澱積薄膜從高頻電源部分表面脫落為澱積薄膜碎片，而這些澱積薄膜碎片在放電空間內擴散，其中某些澱積薄膜碎片附著在基片上而汙損基片上的澱積薄膜。此外，作為研究澱積薄膜的均勻性沒有一定達到令人滿意的水平的原因的結果，本發明人發現這種特性的非均勻性源於高頻電源的非均勻性。雖然這种放電的非均勻性在現有技術中也存在，但這卻成為取決於澱積薄膜特性大幅度改進的很大因素。據認為這种放電非均勻性源於高頻電源部分表面上高頻功率分布的不均勻性。似乎其原因是由於當使用高頻功率時在高頻電源部分和基片間不可忽略的電容效應，以及放電空間內依由於放電空間內一系列電感電容的諧振迴路的形成構成的諧振條件的放電強度分布的產生。基於上述觀點，本發明人研究了一種提高高頻電源部分上的澱積薄膜對高頻電源部分表面的附著力、澱積薄膜不易接收放電空間離子勢能產生的能量的影響、且高頻電源部分上的澱積薄膜難於脫落，因而可減少圖象缺陷數量的設備構造。結果完成了本發明。更具體地說，布置在放電空間的高頻電源部分包括作為基本部件的導電部件，和形成在導電部件表面的諸如陶瓷材料的絕緣材料，因而從高頻電源部分脫落的薄膜數就可減少。因此，澱積薄膜的結構缺陷數量就可減少。作為研究能夠產生均勻特性的設備的結果，通過研究一種為了能夠從高頻電源部分產生均勻的放電分布的高頻電源部分的構造而實現了本發明。根據本發明的形成設備，由於高頻電源部分的基本部件的表面由陶瓷材料覆蓋，在表面和澱積薄膜間的附著力得到提高，因為陶瓷的表面能量大於金屬，因而從高頻電源部分脫落的薄膜數量降低。此外，由於陶瓷是絕緣材料，陶瓷不易接收由放電空間的離子勢能產生的能量，存儲在澱積薄膜內的應變也可減少，從而減少了澱積薄膜從陶瓷上的脫落。由於陶瓷具有高硬度，灰塵不易附著在陶瓷表面上。這種高硬度是減少灰塵的一個因素。本發明人研究了具有由陶瓷材料組成的表面的高頻電源部分，澱積薄膜的電氣特性，尤其是澱積薄膜內載體(carriers)的運動得到了改善。還發現當澱積薄膜被用作電子照相的光接收部件時中等圖象密度的可再生性得到了改善。雖然其原因還不清楚，但據估計由於電極表面用陶瓷材料覆蓋改變了放電空間內的等離子體勢能，因而獲得了質量更好的澱積薄膜。此外，在本發明中，通過在絕緣覆蓋層的至少一個區域提供導電的環狀導體，可以產生更均勻的放電分布，因而可形成具有更均勻的特性的澱積薄膜。據認為，通過在絕緣覆蓋層提供導電的環狀導體，可改變高頻電極的電感和高頻電極和基片間的電容，以便能獲得理想的放電分布，因而使得放電分布更加均勻。本發明人還發現當高頻電極表面被絕緣覆蓋層覆蓋並在覆蓋層提供導電的環狀導體時，澱積薄膜的電氣特性，尤其是澱積薄膜中載體的運動得到了改善，而且在用作用於電子照相的光接收部件時中等圖象密度的可再生性得到了改善。雖然其原因還不清楚，但據估計由於電極表面用陶瓷材料覆蓋並在覆蓋層提供導電的環狀導體，由於等離子體覆蓋物的均勻性，改變了放電空間內的等離子體勢能，因而獲得了質量更好的澱積薄膜。對加於放電空間的高頻功率的頻率沒有限制。但是，根據本發明人的實驗，當頻率低於20MHz時，放電就變得不穩定，依賴於條件，澱積薄膜的形成條件就可能受到限制。另一方面，若頻率超過450MHz，高頻功率傳送特性就會下降，在某些情況下難以產生自身的輝光放電。因此，在本發明中，所用的理想頻率處於20MHz至450MHz的範圍內，更理想地是處於31MHz至450MHz範圍內，更理想地是處於50MHz至450MHz的範圍內。雖然對高頻功率的波形沒有限制，但正弦波、方波、或類似波形是理想的。雖然高頻功率的幅值是根據目標澱積薄膜的特性等恰當確定的，理想地是向每一基片施加10至5,000W的高頻功率。尤其是，高頻功率更理想地設定為20至2,000W。作為本發明中使用的高頻電源部分的導電部件的材料，任何導電材料均可使用。作為該材料，例如，可使用諸如Al，Fe，Ni，Cr，Ti，Mo，Au，In，Nb，Te，V，Pt，或Pb這些金屬或這些金屬的合金例如不鏽鋼或因康鎳合金。此外，玻璃、陶瓷等的表面經過處理而具有導電性後也可採用。雖然在本發明中對高頻電源部分的絕緣材料沒有限制，但陶瓷材料是理想的。例如Al2O3，BN，AlN，ZrSiO4，TiO2，Cr2O3，MgO或它們的混合物均可用。在它們中間，利用諸如Al2O3或TiO2這些具有高抗酸性的材料是理想的，因為該材料對在澱積薄膜製造步驟中用到的包含例如滷素原子的複合氣體具有高抗腐蝕性。雖然對利用陶瓷材料覆蓋高頻電源部分的導電基本部件的表面的裝置沒有限制，但可理想地採用諸如CVD、電鍍、或噴射方法等的表面塗層方法。尤其是，由於其成本或由於噴射裝置不宜受被塗層的目標的尺寸的限制，因而可理想地採用噴射裝置。尤其是，由於低多孔性或理想的附著力，可理想地採用等離子體噴射方法。例如，由陶瓷材料組成的圓柱部件可被形成並布置為附著在高頻電源部分的導電基本部件的表面。當高頻電源部分的導電基本部件的表面被用陶瓷材料覆蓋時，需對表面進行清潔處理，利用上述裝置將陶瓷材料形成在導電基本部件的表面。為了改善附著力，可在陶瓷材料和導電基本部件表面之間理想地形成一由例如Al和Ti的混合物組成的底層。雖然理想地陶瓷材料覆蓋高頻電源部分的整個表面，但可在高頻電源部分表面某部分形成用來與高頻電源部分相連的未覆蓋部分。構成高頻電源部分表面的陶瓷材料的厚度不限於特定值。但為了改善耐久性和均勻性，考慮到製造成本厚度可理想地定位1μm至10mm，更理想地為10μm至5mm。雖然高頻電源部分的形狀不限於某一特定形狀，本發明中最優地採用圓柱狀高頻電源部分。當高頻電源部分的尺寸特別小時，不易獲得本發明的效果；而當尺寸特別大時，附著在高頻電源部分上的澱積量就會增加，而在基片上的澱積率就會下降。此外，根據條件放電可能受到幹擾。本發明的高頻電源部分的截面積理想地為大約是放電空間截面積的1/100到1/10。高頻電源部分的長度理想地為大約比基片的長度長大約1％到10％。本發明中高頻電源部分的長度小於基片的長度也是有效的。在本發明的環狀導體的情況，作為環狀導體的材料，可利用任何導電材料。例如可使用諸如Al，Fe，Ni，Cr，Ti，Mo，Au，In，Nb，Te，V，Pt，和Pb這些金屬，和這些金屬的合金，如不鏽鋼或因康鎳合金。雖然對環狀導體的形狀沒有限制，為了在覆蓋層內提供，圓環狀或螺旋狀是理想的。此外，當在放電空間內布置多個高頻電源部分時，可對放電空間內的放電分布進行進一步優化。在布置了加熱或冷卻高頻電源部分的裝置後，高頻電源部分和澱積薄膜間的附著力會得到改善，可防止澱積薄膜脫落。可根據澱積薄膜材料和高頻電源部分表面材料的結合適當確定對高頻電源部分進行加熱或者冷卻。作為本發明源氣體供應部分的材料，可採用任何導電材料。作為該材料，可使用諸如Al，Fe，Ni，Cr，Ti，Mo，Au，In，Nb，Te，V，Pt，或Pb這些金屬或這些金屬的合金，如不鏽鋼或因康鎳合金。玻璃、陶瓷等絕緣材料的表面經過處理而具有導電性後也可用作此材料。作為陶瓷材料，例如Al2O3，BN，AlN，ZrSiO4，TiO2，Cr2O3，MgO等或它們的組合材料也可用。鑑於為防止附著在表面上的澱積薄膜脫落，至少在源氣體供應部分的表面可採用對澱積薄膜有較好附著力的陶瓷材料。源氣體供應部分的形狀不限於特定形狀。但是，理想地採用圓柱狀源氣體供應部分。圓柱狀源氣體供應部分的截面直徑理想地可定為3mm或更大。特別地，該直徑的最優的範圍是5mm至20mm。對在源氣體供應部分形成的氣體釋放孔的方向沒有限制，只要能夠在放電空間形成所供應氣體的均勻分布即可。理想地氣體從每一釋放孔釋放。氣體釋放孔的理想方向是可使源氣體在整個放電空間擴散。在其他方面，源氣體供應部分本身可由多孔性材料組成以在所有方向均勻釋放氣體。通過在放電空間提供多個源氣體供應部分，也可使得源氣體在放電空間的分布更加均勻。在本發明中，可在放電空間布置用來提供微波功率的裝置。當供應微波功率時，可在不降低澱積薄膜的特性情況下提高澱積率。由於這一原因，可獲得具有高生產率的澱積薄膜形成設備。作為供應微波功率的裝置，通常採用可從基片兩端方向供應微波的裝置。作為微波供應窗口的材料，理想地可採用微波能量損失低的材料。此外，由於放電空間必須保持真空狀態，可採用礬土陶瓷、氮化鋁、氮化硼、氧化矽、碳化矽、氮化矽、特氟隆、聚苯乙烯等材料。供應至放電空間的微波功率的頻率理想地為500MHz或更高，更理想地為2.45GHz。雖然微波功率的幅值是根據目標澱積薄膜的特性等恰當確定的，理想地是向每一基片施加10至5,000W的微波功率。尤其是，微波功率更理想地設定為20至2,000W。下面參照附圖對根據本發明的澱積薄膜形成設備和高頻電源部分的理想舉例進行更詳細解釋。圖2A，2B，3A和3B是解釋根據本發明的澱積薄膜形成設備和高頻電源部分的一個舉例的截面圖。圖2A是表示本發明的設備的橫截面圖。圖2B是表示圖2A所示的設備的縱截面圖。圖3A是表示圖2A的設備的高頻電源部分的橫截面圖。圖3B是表示圖3A所示的高頻電源部分的縱截面圖。在圖2A和2B中，參考數字100表示反應容器。反應容器100通過排放管105與排放設備(未示出)相連。反應容器100的形狀沒有限制，只要必須具有密閉的真空結構即可。通常採用圓柱形或立方形。雖然對反應容器100的材料沒有限制，但從機械強度、防止高頻功率洩漏等觀點出發，理想地可採用諸如Al或不鏽鋼這樣的金屬材料。源氣體從與由容器筒、壓力調節器、物質流控制器、閥門等部件構成的源氣體供應系統(未示出)相連的源氣體供應管103供應到由基片101包圍和形成的內室102內。圖3A和圖3B所示的高頻電源部分(高頻電極)102通過用如陶瓷材料的絕緣材料113覆蓋導電材料112的表面而形成。高頻電源部分通過匹配盒106與高頻電源107相連。當經過高頻電極102和基片101施加高頻功率時，內室111內發生輝光放電。基片101通過支撐物(未示出)由旋轉軸108支撐。旋轉軸108通過齒輪110與馬達109相連。當基片由馬達旋轉時，在基片101上形成均勻的澱積薄膜。基片101可由加熱器104加熱至形成澱積薄膜所需的溫度。下面介紹利用圖2A和圖2B的設備形成澱積薄膜的程序。利用該設備的澱積薄膜形成按如下方式進行。已被預先去汙和清潔的基片101被布置在反應容器100內，反應容器100被排氣設備(如真空泵)(未示出)抽真空。基片101在被旋轉的同時其溫度由加熱器控制在理想的20℃至500℃，更理想地在50℃至400℃。當基片101達到理想溫度時，源氣體從源氣體供應系統(未示出)通過源氣體供應管103供應至內室111。此時必須注意壓力的劇烈變化，如氣體的噴出。在源氣體被調整到預定流速後，在觀察真空表(未示出)的同時調節排氣閥(未示出)以得到理想的內部壓力。當內部壓力穩定後，高頻電源107被調節至理想的功率以通過匹配盒106向高頻電極102施加高頻功率，從而產生輝光放電。供應到反應容器100的源氣體被放電能量分解，從而在每一基片101上形成預定的澱積薄膜。在澱積薄膜形成至理想的厚度以後，高頻電源停止，進入反應容器的源氣體流也停止，從而結束了澱積薄膜的形成。為了獲得目標澱積薄膜的特性，當在基片上形成由多層構成的澱積薄膜時，可通過重複上述操作而獲得具有理想的層構造的澱積薄膜。圖4A和4B解釋了根據本發明的向內室211施加高頻功率和微波功率的澱積薄膜形成設備的一最佳舉例。如圖4A和4B所示，微波供應窗口212、波導器213、微波電源(未示出)、隔離器件(未示出)彼此相連，因而微波也可垂直供應至內室211。舉例而言，利用供應高頻功率和以及微波功率的設備的澱積薄膜的形成可按如下方式進行。已被預先去汙和清潔的基片201被布置在反應容器200內，反應容器200被排氣設備(如真空泵)(未示出)抽真空。基片201在被旋轉的同時其溫度由加熱器204控制在理想的20℃至500℃。當基片201達到理想溫度時，源氣體從源氣體供應系統(未示出)通過源氣體供應管203供應至內室211。此時必須注意壓力的劇烈變化，如氣體的噴出。在源氣體被調整到預定流速後，在觀察真空表(未示出)的同時調節排氣閥(未示出)以得到理想的內部壓力。當內部壓力穩定後，高頻電源207被調節至理想的功率以通過匹配盒206向高頻電極202施加高頻功率。此外，微波電源(未示出)被調節至理想功率，微波通過隔離器件(未示出)和波導器213從微波供應窗口212被供應至放電空間211，從而產生輝光放電。供應到反應容器200的源氣體被放電能量分解，從而在每一基片201上形成預定的澱積薄膜。在澱積薄膜形成至理想的厚度以後，高頻電源和微波電源停止，進入反應容器的源氣體流也停止，從而結束了澱積薄膜的形成。為了獲得目標澱積薄膜的特性，當在基片上形成由多層構成的澱積薄膜時，可通過重複上述操作而獲得具有理想的層構造的澱積薄膜。圖5A和圖5B是表示也用作圖4A和圖4B中的源氣體供應部分的高頻電極。在圖5A和5B中，參考數字214表示氣體構成供應路徑；215表示絕緣材料；216表示構成氣體供應路徑的導電材料如不鏽鋼；194表示氣體釋放孔。更具體地，導電材料部件216有一中空部分，而該中空部分與氣體釋放孔194相同。此孔194也按上述同樣方法在絕緣材料215中形成。由於這一原因，通過該中空部分供應的源氣體可從該孔194供應至容器。作為本發明中使用的源氣體，在要形成非晶矽(a-Si)時，被置為氣態或可被氣化的諸如SiH4或Si2H6這樣的氫化矽(矽甲烷)可被有效地用作Si原子供應氣體。除氫化矽外，也可採用含有氟原子的矽化物或用氟原子代換的所謂矽甲烷衍生物。更具體說，可被置為氣態或可被氣化的材料，如SiF4或Si2F6這樣的氟化矽或氟代換的氫化矽如SiH3F，SiH2F2，或SiHF3可被有效地用作本發明中的Si原子供應氣體。即使這樣用來供應Si原子的源氣體被諸如H2，He，Ar，或Ne氣體所稀釋，本發明也不受影響。此外，舉例而言，作為用來產生含有滷素原子的非晶矽薄膜的有效的滷素供應氣體，可理想地採用可被置為氣態或可被氣化的滷素化合物，如滷素氣體、滷化物、含有滷素的中間滷素化合物(interhalogencompound)、用滷素代換的矽甲烷衍生物。作為有效的滷素供應氣體，可利用上述被置為氣態或可被氣化的由矽原子和滷素原子組成並含有滷素原子的氫化矽化合物。作為可理想地採用的滷素化合物，可利用如氟氣(F2)，BrF，ClF，ClF3，BrF3，BrF5，IF3，或IF7這樣的中間滷素化合物。在本發明中，作為有效的滷素供應氣體，可採用可被置為氣態或可被氣化的含有滷素原子的滷素化合物。除這些化合物外，可被置為氣態或可被氣化的滷化物，如象HF，HCl，HBr，或HI這樣的氫滷化物或象SiH3F，SiH2F2，SiHF3，SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，或SiHBr3這樣的滷素代換的氫化矽也可用作有效的源氣體。由於這種含有氫原子的滷素化合物同時提供滷素原子和氫原子，這種滷素化合物被理想地用作滷素原子供應氣體。此外，作為用來產生含有氫原子的非晶矽薄膜的有效的氫供應氣體，除上述化合物外，也可採用H2，D2，或象SiH4，SI2H6，Si3H8，Si4H10，這樣的氫化矽。除上述氣體外，如有必要，可利用屬於周期表中第III組的元素(稱為「第III組元素「)或屬於周期表中第V組的元素(稱為「第V組元素」)作為控制導電率的元素，即摻雜劑。作為第HI組元素，更具體說，可採用硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、或鉈(Ta)。尤其是可理想地採用B、Al、或Ga。作為第V組元素，更具體說，可採用磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、或鉍(Bi)。尤其是理想地可採用P或As。例如，作為硼供應氣體，可採用氫化硼如B2H6或B4H10或滷化硼如BF3或BCl3。作為其他第III組元素供應氣體，可採用AlCl3，AlCl3，GaCl3，Ga(CH3)3，InCl3，TlCl3等。作為磷供應氣體，可採用氫化磷如PH3或P2H4或滷化磷如PH4I，PF3，PCl3PBr3，PI3。作為其他第V組元素供應氣體，可採用AsH3，AsF3，AsCl3，AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，SbF5，SbCl3，BiCl3，BiBr3，SbCl5，BiH3等。如有必要，可採用由氫和/或He稀釋這樣的元素供應氣體得到的氣體以控制導電率。除上述氣體外，可利用屬於周期表中第III組的原子或屬於周期表中第V組的原子作為摻雜劑。例如當採用硼原子時，可採用氫化硼如B2H6或B4H10，或滷化硼如BF3或BCl3等。而當採用磷原子時，可採用氫化磷如PH3或P2H4，或滷化磷如PH4I，PF3，PCl3PBr3，或PI3。當要形成非晶碳化矽(a-SiC)作為含有矽原子的非單晶質材料時，除了上述源氣體外，還採用用由C和H原子構成的氣體，例如碳的數量為1至5的飽和烴、碳的數量為2至4的乙烯系列烴、碳的數量為2至3的乙炔系列烴等。更具體說，甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)等可用作飽和烴；乙烯(C2H4)、丙烯(C3H6)等可用作乙烯系列烴；乙炔(C2H2)、丙炔(C3H4)等可用作乙炔系列烴。例如，當要形成非晶氧化矽(a-SiO)時，除了上述源氣體外，還採用氧原子供應氣體，如氧氣(O2)、臭氧(O3)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO2)、一氧化二氮(N2O)、三氧化二氮(N2O3)、四氧化二氮(N2O4)、五氧化二氮(N2O5)、三氧化氮(NO3)或由矽原子(Si)、氧原子(O)和氫原子(H)構成的更低的矽氧烷如二矽氧烷(H3SiOSiH3)或三矽氧烷(H3SiOSiH2OSiH3)。例如，當要利用非晶氮化矽(a-SiN)時，除了源氣體外，還採用可被置為氣態或可被氣化的氮化合物、氮化物和疊氮化物，如氮(N2)、氨(NH3)、聯氨(H2NNH2)、疊氮化氫(HN3)、疊氮化銨(NH4N3)等。也可利用滷氮化合物如三氟化氮(F3N)、四氟化氮(F4N2)等，因為這些化合物不僅供應氮原子還供應滷素原子。上面提到的可用來形成a-SiO的NO，NO2，N2O，N2O3，N2O4，N2O5，或NO3也可用作氮原子供應氣體。如上所述，含有矽的非單晶材料，尤其是含有矽的非晶狀材料(基於非晶矽的材料)可含有從由碳原子、氮原子、和氧原子組中選出的至少兩種原子。圖6A至6E表示用本發明製造用於電子照相的光接收部件時得到的理想層構造。圖6A至圖6E是分別解釋該層構造的圖。在圖6A所示用於電子照相的光接收部件300中，在基片301上形成具有光電導性並由含有氫和/或滷素的a-Si(以下稱為「a-Si(H，X)」)組成的光電導層302。圖6B所示的用於電子照相的光接收部件300由在基片301上形成的具有光電導性並由a-Si(H，X)組成的光電導層302構成，並且在光導電層302上形成基於非晶矽的表面層303。在圖6C所示用於電子照相的光接收部件300中，基於非晶矽的電荷注入阻擋層304、具有光電導性並由a-Si(H，X)組成的光電導層302以及在光導電層302上形成的基於非晶矽的表面層303按此順序依次形成。在圖6D所示的用於電子照相的光接收部件300中，在基片301上形成有光導電層302，光導電層302具有由a-Si(H，X)組成的電荷產生層305以及電荷轉移層306，基於非晶矽的表面層303在光導電層302上形成。在圖6E所示的用於電子照相的光接收部件300中具有如下布置其中基於非晶矽的電荷注入阻擋層304，具有光導電性並由a-Si(H，X)組成的光導電層302，基於非晶矽的上部阻擋層307及基於非晶矽的表面層303依次按此順序在基片301上形成。基片作為用於電子照相的光接收部件的基片，導電基片和絕緣基片均可用。作為導電基片，可採用諸如Al，Cr，Mo，Au，In，Nb，Te，V，Ti，Pt，Pd，或Fe這些金屬或它們的合金如不鏽鋼。此外，也可採用合成樹脂薄膜或薄板基片如聚脂、聚苯乙烯、聚碳酸脂、醋酸纖維、聚丙烯、聚氯乙烯、聚乙烯、或聚醯胺或電絕緣基片如玻璃或陶瓷(至少在光接收層一側要對其表面進行導電處理)。此外，理想地對要形成光接收層的表面對側的表面也要進行導電處理。基片301理想地具有圓柱形狀，其厚度要恰當確定以形成用於電子照相的光接收部件300。當用於電子照相的光接收部件300要求有柔性時，如果基片301能夠執行其功能，基片301的厚度可被儘可能地減少。但是，從製造和搬運方面的機械強度等考慮基片301的厚度一般為10μm或以上。基片301表面可被製成平滑或凹凸不平的。例如，當用於電子照相的光接收部件執行利用相干光如雷射進行圖象記錄時，為了消除由出現在可見圖象上的幹擾圖案(interferencepattern)造成的圖象失敗，可採用按JP-A-60-168156，JP-A-60-178457，或JP-A-60-225854中介紹的已知方法製造的凹凸不平表面作為基片表面。光導電層光導電層302在基片301上形成，且薄膜形成參數的數值條件要恰當設定以得到理想特性。為了形成光導電層302，如上所述，基本上，矽供應氣體、氫供應氣體、或/和滷素供應氣體被以理想的氣態供應至澱積室，從而在事先布置在預定位置的基片301上形成一a-Si(H，X)層。光導電層302的a-Si薄膜含有氫原子或/和滷素原子。由於這一原因，Si原子的懸空鍵(danglingbond)被補償以改善層質量，尤其是改善光導電性和電荷保持特性。包含在a-Si薄膜中的氫原子或滷素原子的含量或氫原子和滷素原子的總含量理想地為1至40原子百分比，更理想地為5至35原子百分比。為了控制包含在光導電層302內的氫原子或/和滷素原子的含量，例如，可能要對基片301的溫度，供應至澱積室用來產生含有氫原子或/和滷素原子的光導電層302的源材料的數量，放電功率等進行控制。光導電層302理想地含有用來控制其導電率為所需值的元素。光導電層302可能這樣含有用來控制其導電率的元素該元素均勻地全面地分布在光導電層302上，或者該元素沿層厚度的方向均勻地部分地分布。作為控制導電率的元素，可採用上述第III組元素或第V組元素。包含在光導電層302內的用來控制其導電率的該元素的含量，理想地為1×10-2原子ppm至1×102原子ppm，更理想地為5×10-2原子ppm至50原子ppm，最優為0.1原子ppm至10原子ppm。為了在層形成時有結構地提供用來控制其導電率的元素，如第III組元素或第V組元素，可與用來形成光導電層302的其他氣體一起將上述第III組元素供應氣體或第V組元素供應氣體供應至澱積室。此外，光導電層含有從碳原子、氧原子、和氮原子的組中選出的至少一種元素是有效的。這從碳原子、氧原子、和氮原子的組中選出的至少一種元素的含量理想地為1×10-5原子ppm至30原子ppm，更理想地為1×10-4原子ppm至20原子ppm，最優地為1×10-3原子ppm至10原子ppm。從碳原子、氧原子、和氮原子的組中選出的至少一種元素可被均勻地全面地分布在光導電層302上，或者光導電層302可部分地具有均勻分布以使含量沿光導電層302層厚度的方向改變。為了在層形成時有結構地提供從碳原子、氧原子、和氮原子的組中選出的至少一種元素，可與用來形成光導電層302的其他氣體一起將上述碳、氧、或氮原子供應氣體供應至澱積室。光導電層302的厚度可按能獲得理想的電子照相特性和經濟效益來恰當和理想地確定。厚度理想地為5μm至80μm，更理想地為10μm至60μm，最優地為15μm至45μm。為了形成具有能夠實現上述目的的特性的光導電層302，必須恰當和理想地設定基片301的溫度和澱積室內的氣體壓力。基片301的溫度(Ts)處於基於層設計的最優範圍內。總體上說，溫度理想地處於50℃至400℃的範圍內，更理想地處於150℃至350℃的範圍內，最優地處於200℃至300℃的範圍內。象基片溫度一樣，澱積室內氣體壓力也處於基於層設計的最優範圍內。總體上說，壓力理想地處於0.01Pa至1,000Pa的範圍內，更理想地處於0.05Pa至500Pa的範圍內，最優地處於0.1Pa至100Pa的範圍內。儘管上述範圍被用作形成光導電層302的基片溫度和氣體壓力的理想的數值範圍，但矽原子供應氣體與其他原子供應氣體的混合比、放電功率等也必須進行恰當設定。總體上說，這些條件不能獨立地確定。由於這一原因，其最優值是根據用來形成具有理想特性的用於電子照相的光接收部件的相互和有機聯繫來確定的。表面層如上所述，基於非晶矽的表面層303理想地形成在形成於基片301上的光導電層302上。形成表面層303主要是改善耐溼性、連續重複使用性、耐電壓性、使用環境特性和耐久性。雖然表面層303可由任意基於非晶矽的材料組成，但是，例如可理想地採用含有氫(H)原子和/或滷素(X)原子及含有碳(C)原子的非晶矽(以後稱為「a-SiC(H，X)」)；含有氫(H)原子和/或滷素(X)原子及含有氧(O)原子的非晶矽(以後稱為「a-SiO(H，X)」)；含有氫(H)原子和/或滷素(X)原子及含有氮(N)原子的非晶矽(以後稱為「a-SiN(H，X)」)；以及含有氫(H)原子和/或滷素(X)原子及含有碳(C)、氧(O)、氮(N)原子中至少一種的非晶矽(以後稱為「a-Si(C，O，N)(H，X)」)。表面層303用真空澱積薄膜形成方法形成，且薄膜形成參數的數值條件要恰當設定以得到理想特性。例如，為了形成由上述a-SiC(H，X)組成的表面層303，如上所述，基本上，矽原子供應氣體、碳原子供應氣體、氫原子供應氣體、或/和滷素原子供應氣體被以理想的氣態供應至壓力可降低的澱積室，並在澱積室內產生輝光放電。按這種方法，在事先布置在預定位置的其上還形成有光導電層302的基片301上理想地形成一a-SiC(H，X)層。當表面層303含有a-Si(C，O，N)(H，X)作為主要成分時，碳原子、氧原子、或氮原子的總含量理想地處於1至90原子百分比的範圍內，更理想地處於5至70原子百分比的範圍內，最優地為10至50原子百分比的範圍內。表面層303必要地含有氫原子或/和滷素原子。這對於補償矽原子、碳原子、和氧原子，或氮原子的懸空鍵，並改善層質量，尤其是改善光導電性和電荷持有特性是重要的。氫原子或/和滷素原子的含量通常為1至70原子百分比，理想地為10至60原子百分比，最優地為20至50原子百分比。為了控制包含在表面層303內的氫原子或/和滷素原子的含量，例如，可能要對基片301的溫度，供應至澱積室用來產生含有氫原子或/和滷素原子的表面層303的源材料的量，放電功率等進行控制。碳原子、氧原子、或氮原子被均勻地全面地包含在表面層303中，或者表面層303可部分地具有均勻分布以使含量沿表面層303層厚度的方向改變。此外，表面層303可進一步含有用來控制其導電率為所需值的元素。表面層303可能這樣含有用來控制其導電率的元素該元素均勻地全面地分布在表面層303上，或者該元素沿層厚度的方向均勻地部分地分布。作為控制導電率的元素，可採用上述第III組元素或第V組元素。包含在表面層303內的用來控制其導電率的該元素的含量，理想地為1×10-3原子ppm至1×103原子ppm，更理想地為5×10-3原子ppm至5×102原子ppm，最優為1×10-2原子ppm至1×102原子ppm。為了在層形成時有結構地提供用來控制其導電率的元素，如第III組元素或第V組元素，可與用來形成表面層303的其他氣體一起將上述第HI組元素供應氣體或第V組元素供應氣體供應至澱積室。表面層303的厚度通常為0.01μm至3μm，理想地為0.05μm至2μm，最優地為0.1μm至1μm。當厚度小於0.01μm時，由於用於電子照相的光接收部件在使用時的磨損等原因會使表面層303喪失；而當厚度超過3μm時，可能會出現如殘餘電壓上升的電子照相特性的下降。表面層303被小心地形成以獲得所需的理想的特性。就是說，根據形成的條件，由Si，C，和N或O，H和/或X組成的材料是從晶態到非晶態而不同的，其電氣特性也是從導電特性到半導體特性到絕緣特性而不同的，也是從光導電特性到非光導電特性而不同的。由於這一原因，根據本發明，為了獲得具有符合目的的理想特性的化合物，對形成條件要按要求進行嚴格選擇。例如，當形成表面層303主要為改善耐壓性時，表面層303就被形成為具有在其使用環境中顯而易見的電氣絕緣性能的非單晶材料。當形成表面層303主要為改善連續重複使用特性或使用環境特性時，電氣絕緣特性的程度就在某種程度上緩和，表面303就被形成為對於照射光在某種程度上敏感的非單晶材料。為了使表面層303具有能夠實現其目的的特性，必須恰當和理想地設定基片301的溫度和澱積室內的氣體壓力。基片301的溫度(Ts)處於基於層設計的最優範圍內。總體上說，溫度理想地處於50℃至400℃的範圍內，更理想地處於150℃至350℃的範圍內，最優地處於250℃至300℃的範圍內。象基片溫度一樣，澱積室內氣體壓力也處於基於層設計的最優範圍內。總體上說，壓力理想地處於0.01Pa至1,000Pa的範圍內，更理想地處於0.05Pa至500Pa的範圍內，最優地處於0.1Pa至100Pa的範圍內。上述範圍被用作形成表面層303的基片溫度和氣體壓力的理想的數字範圍。總體上說，這些條件不能獨立地確定。由於這一原因，其最優值是根據用來形成具有理想特性的用於電子照相的光接收部件的相互和有機聯繫來確定的。此外，可在表面層303與光導電層302間形成一個碳原子、氧原子、和氮原子的含量向光導電層的方向連續減少的區域。用這種方法，可改善表面層和光導電層302間的附著力，並可減少由於相接處光線反射造成的幹擾的影響。同時，可防止載體陷落在相接處，因而可實現用於電子照相的光接收部件的特性的改善。電荷注入阻擋層和上部阻擋層如有必要，可在導電基片和光導電層302間形成電荷注入阻擋層304以防止從基片側的電荷注入。更具體說，當對用於電子照相的光接收部件的表面進行預定極性的充電處理時，電荷注入阻擋層304起防止電荷從基片側注入至光導電層302側的作用。當對表面進行相反極性的充電處理時，電荷注入阻擋層304則不起上述作用。就是說，電荷注入阻擋層304具有所謂的極性依賴性。為了給電荷注入阻擋層304這樣的功能，電荷注入阻擋層304要含有用來控制導電率的元素，其含量相對要大於光導電層302中的含量。如有必要，還可在光導電層302和表面層303間形成上部阻擋層307以防止從表面層側的電荷注入。更具體說，當對用於電子照相的光接收部件的表面進行預定極性的充電處理時，上部阻擋層307起防止防止電荷從表面層303側注入至光導電層302側的作用。當對表面進行相反極性的充電處理時，上部阻擋層307則不起上述作用。就是說，上部阻擋層307具有所謂的極性依賴性。為了給上部阻擋層307這樣的功能，上部阻擋層307要含有用來控制導電率的元素，其含量相對要大於光導電層302中的含量。包含在每層中用來控制導電率的元素可以是均勻完整地分布在相應的層上，或者雖然該元素在厚度方向是均勻地包含在層中的，但該元素也可部分地非均勻地包含在層中。當分布集中不均勻時，層中含有的該元素的理想的高集中部分應位於基片側。但是，在任何情況下，為使得在內平面方向上的特性均勻，必須使元素在平行於基片表面的內平面方向上均勻完整地包含在層中。作為包含在電荷注入阻擋層304和/或上部阻擋層307內的這種元素，可採用上述第III組元素或第V組元素。雖然包含在電荷注入阻擋層304和/或上部阻擋層307內的用來控制導電率的這種元素的含量是被按要求恰當地確定的，但其含量理想地為10原子ppm至1×104原子ppm，更理想地為50原子ppm至5×103原子ppm，最優為1×102原子ppm至3×103原子ppm。當碳原子、氮原子、和氧原子中至少一種被包含在電荷注入阻擋層304和/或上部阻擋層307內時，電荷注入阻擋層304和/或上部阻擋層307與另一形成為和電荷注入阻擋層304和/或上部阻擋層307直接接觸的層或基片之間的附著力可進一步得到改善。包含在每層中的碳原子、氮原子、和氧原子可以是均勻完整地分布在相應的層上，或者雖然原子在厚度方向是均勻地包含在層中的，但該原子也可部分地非均勻地包含在層中。但是，在任何情況下，為使得在內平面方向上的特性均勻，必須使在平行於基片表面的內平面方向上均勻完整地包含在層中。包含在電荷注入阻擋層304和上部阻擋層307整個區域內的碳原子、氧原子、和氮原子的總含量要被恰當的確定以得到所要求的薄膜特性。一種原子的含量(當利用這類原子中的一種時)或原子的總含量(當利用這類原子中的兩種或多種時)理想地為1×10-3原子ppm至50原子ppm，更理想地為5×10-3原子ppn至30原子ppm，最優地為1×10-2原子ppm至10原子ppm。包含在電荷注入阻擋層304和上部阻擋層307內的氫原子或/和滷素原子對相應層內存在的懸空鍵進行補償以改善相應層的質量。氫原子的含量，滷素原子的含量，或氫原子和滷素原子的含量理想地為1至50原子百分比，更理想地為5至40原子百分比，最優地為10至30原子百分比。為了獲得要求的電子照相特性和經濟效益等，電荷注入阻擋層304的厚度理想地為0.1μm至10μm，更理想地為0.3μm至5μm，最優地為0.5μm至3μm。為了獲得要求的電阻攝影特性和經濟效益等，上部阻擋層307的厚度理想地為0.01μm至3μm，更理想地為0.05μm至2μm，最優地為0.1μm至1μm。為了形成電荷注入阻擋層304和/或上部阻擋層307，可利用與形成光導電層302同樣的真空澱積方法。如在光導電層302中一樣，矽原子供應氣體與其他原子供應氣體的混合比、澱積室內的氣體壓力、放電功率和基片301的溫度等也必須進行恰當設定。澱積室內氣體壓力處於恰當選定的最優的範圍內。總體上說，壓力理想地處於0.01Pa至1,000Pa的範圍內，更理想地處於0.05Pa至500Pa的範圍內，最優地處於0.1Pa至100Pa的範圍內。總體上說，用來形成電荷注入阻擋層304和/或上部阻擋層307的被稀釋氣體的混合比、氣體壓力、放電功率和基片溫度等層形成因素不能獨立地確定。由於這一原因，這些層形成因素的最優值是根據用來形成具有所需特性的電荷注入阻擋層304和/或上部阻擋層307的相互和有機聯繫來確定的。此外，為進一步改善基片301和光導電層302或電荷注入阻擋層304之間的附著力，可形成一由含有如Si3N4，SiO2，SiO或以矽原子為基本成分並含有氫原子和/或滷素原子及碳原子、氧原子、或氮原子的非晶矽材料等組成的附著層。此外，還可形成一用於防止由從基片發射的光線導致幹擾圖案的產生的光吸收層。可以在基片側或表面側提高用來控制光導電層中導電率的元素的密集程度以使電荷注入阻擋層或上部阻擋層具有上述功能。下面將參照舉例更詳細地介紹本發明。例1在圖2A和2B所示的澱積薄膜形成設備中，通過利用由在不生鏽的基部件112的表面上用等離子體噴射厚度為100μm的含有Al2O3作為主要成分的陶瓷113而得到的高頻電源部分102和利用振蕩頻率為105MHz的高頻電源107，在表1所示的薄膜形成條件下在鋁圓柱基片101上形成10次非晶Si薄膜，從而形成了具有圖6C所示的層構造的用於電子照相的光接收部件。比較例1在此例中，薄膜的形成按例1的同樣方式進行10次，只是採用的由不鏽鋼形成的高頻電極102沒有在基部件表面上用等離子體噴射含有Al2O3作為基本成分的陶瓷113，從而形成了用於電子照相的光接收部件。表1球狀突出密度用光學顯微鏡觀察每一用於電子照相的光接收部件的表面。對每10cm2上每個直徑為15μm或更大的球狀突出的數量進行了研究。白點數將每一用於電子照相的光接收部件放在電子照相設備(通過為了實驗對佳能公司製造的NP6060進行修改而得到的)中。將一張由佳能公司製造的全黑圖(部件號FY9-9073)放在原件臺上進行複製。對得到的複製圖象同樣區域內每個直徑為0.2mm或更大的白點的數量進行了研究圖象密度可再生性將每一用於電子照相的光接收部件放在電子照相設備(通過為了實驗對佳能公司製造的NP6060進行修改而得到的)中，將一張由佳能公司製造的測試樣NA-7(部件號FY9-9060)放在原件臺(originaltable)上進行複製。在得到的複製圖象上，利用圖象顯像密度計(RD914，由MACBETH製造)對直徑為0.05至0.2mm的點狀部分的圖象密度進行了測量以研究圖象密度的可再生性。進行上述評價以計算在例1和比較例1中形成的每一用於電子照相的光接收部件的特性的平均值。結果，例1的用於電子照相的光接收部件的球狀突出密度、白點數、及圖象密度可再生性分別是比較例1的用於電子照相的光接收部件的0.76倍、0.66倍、和1.21倍。因此，發現根據本發明能夠形成具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例2在圖2A和2B所示的澱積薄膜形成設備中，薄膜的形成按例1的同樣方式進行10次，只是高頻電源107的振蕩頻率為20MHz，50MHz，200MHz，300MHz，和450MHz，且薄膜形成條件如表2所示，從而形成了用於電子照相的光接收部件。表2比較例2-1在圖1A和1B所示的澱積薄膜形成設備中，薄膜的形成按比較例1的同樣方式進行10次，只是高頻電源107的振蕩頻率為20MHz，50MHz，200MHz，300MHz，和450MHz，且薄膜形成條件如表2所示，從而形成了用於電子照相的光接收部件。比較例2-2在圖1A和1B所示的澱積薄膜形成設備中，薄膜的形成按例2的同樣方式進行10次，只是高頻電源107的振蕩頻率為13.56MHz，從而形成了用於電子照相的光接收部件。比較例2-3在圖1A和1B所示的澱積薄膜形成設備中，薄膜的形成按比較例2-1的同樣方式進行10次，只是高頻電源107的振蕩頻率為13.56MHz，從而形成了用於電子照相的光接收部件。對在例2和比較例2-1中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。結果，在同樣振蕩頻率下得到的參照比較例2-1的相對值如表3所示。從表3可明顯看出，在任何振蕩頻率下，本發明的例2的用於電子照相的光接收部件都具有低球狀突出密度、小數量的白點、以及出色的圖象密度可再生性。表3注表3表示當比較例2-1中得到的結果被作為1.0時同樣頻率下例2中得到的結果的相對值。比較例2-2和2-3的用於電子照相的光接收部件在任何特性方面都和比較例2-1的沒有區別。從上述結果中可明顯看出，發現根據本發明能夠形成具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例3用於電子照相的光接收部件在與例1中相同的方式下形成，只是採用了利用由在不生鏽的基部件表面上噴射厚度為200μm的含有比例為3∶2的Al2O3和TiO2作為主要成分的陶瓷材料的高頻電源部分102。對在例3中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。從表5可明顯看出，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例4在圖7A和7B所示的澱積薄膜形成設備中，用於電子照相的光接收部件在與例1中相同的方式下形成，只是其中在不生鏽的基部件112上表面用等離子體噴射厚度為50μm的含有Al2O3作為主要成分的陶瓷113的高頻電源部分102還用作源氣體供應部分(見圖8A和8B)。在圖8A和8B中，參考數字193表示氣體引入路徑；194表示氣體釋放孔。對在例4中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例5在圖2A和2B所示的澱積薄膜形成設備中，用於電子照相的光接收部件在與例1中相同的方式下形成，只是採用的其中在不生鏽的基部件412的表面上用等離子體噴射厚度為100μm的含有TiO2作為主要成分的陶瓷413的高頻電源部分402(見圖9A和9B)具有結合在其中的覆蓋物加熱器414，且高頻電源部分被加熱到250℃。對在例5中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例6在圖2A和2B所示的澱積薄膜形成設備中，用於電子照相的光接收部件在與例1中相同的方式下形成，只是所採用的其中在不生鏽的基部件412的表面上用等離子體噴射厚度為50μm的含有Al2O3作為主要成分的陶瓷413的高頻電源部分402具有結合在其中的水冷卻管414以取代圖9A和9B中的覆蓋物加熱器414，溫度為20℃的冷卻水在高頻電源部分的冷卻水管中流動，且高頻電源107的振蕩頻率為200MHz。對在例6中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例7用於電子照相的光接收部件在與例1中相同的方式下形成，只是採用其中在Ti基部件112的表面上用等離子體噴射厚度為100μm的含有Al2O3作為主要成分的陶瓷113的高頻電源部分102，且高頻電源107的振蕩頻率為200MHz。對在例7中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例8用於電子照相的光接收部件在與例1中相同的方式下形成，只是採用其中在Ti基部件112的表面上用弧光噴射厚度為30μm的含有TiO2作為主要成分的陶瓷113的高頻電源部分102。對在例8中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例9用於電子照相的光接收部件在與例2中相同的方式下形成，只是採用其中在不生鏽的基部件112的表面上用等離子體噴射厚度為100μm的含有Cr2O3作為主要成分的陶瓷113的高頻電源部分102，且高頻電源107的振蕩頻率為50MHz。對在例9中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例10用於電子照相的光接收部件在與例1中相同的方式下形成，只是採用其中在不生鏽的基部件112的表面上用等離子體噴射厚度為50μm的含有MgO作為主要成分的陶瓷113的高頻電源部分102。對在例10中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例11用於電子照相的光接收部件在與例2中相同的方式下形成，只是採用其中在不生鏽的基部件112的表面上覆蓋有厚度為2mm的含有Al2O3作為主要成分的陶瓷圓柱113的高頻電源部分102，且高頻電源107的振蕩頻率為105MHz。對在例11中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例12在圖4A和4B所示的澱積薄膜形成設備中，通過利用振蕩頻率為105MHz的高頻電源207，和利用由在不生鏽的基部件214的表面上用等離子體噴射厚度為50μm的含有Al2O3作為主要成分的陶瓷材料215而得到的高頻電源部分202，在表4所示的薄膜形成條件下在鋁圓柱基片201上形成10次非晶Si薄膜，從而形成了具有圖6C所示的層構造的用於電子照相的光接收部件。比較例3在此比較例中，薄膜的形成按例12的同樣方式進行10次，只是採用的不生鏽的高頻電極102沒有在基部件表面上用等離子體噴射含有Al2O3作為基本成分的陶瓷材料215，從而形成了用於電子照相的光接收部件。對在例12和比較例3中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。結果，例12的用於電子照相的光接收部件的球狀突出密度和白點數量分別是比較例3的用於電子照相的光接收部件的0.79倍和0.6倍，且圖象密度可再生性大大優於比較例3的用於電子照相的光接收部件。因此，發現根據本發明能夠形成具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。表4例13在圖10A和10B所示的澱積薄膜形成設備中，用於電子照相的光接收部件在與例1中相同的方式下形成，只是高頻電源107的振蕩頻率為105MHz，且採用四個其中在不生鏽的基部件112的表面上用等離子體噴射厚度為50μm的含有Al2O3的陶瓷材料113的高頻電源部分402。對在例13中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例14用於電子照相的光接收部件在與例1中相同的方式下形成，只是採用其中在Al基部件112的表面上用等離子噴射厚度為30μm的含有Al2O3作為主要成分的陶瓷材料113的高頻電源部分102，且高頻電源107的振蕩頻率為200MHz。對在例14中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例15用於電子照相的光接收部件在與例1中相同的方式下形成，只是採用其中在Ti基部件112的表面上覆蓋有厚度為5mm的含有Al2O3作為主要成分的陶瓷材料113的高頻電源部分102。對在例15中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。例16用於電子照相的光接收部件在與例1中相同的方式下形成，只是採用其中在Al基部件112的表面上覆蓋有厚度為1mm的含有Al2O3作為主要成分的陶瓷圓柱113的高頻電源部分102，且採用的高頻電源107的振蕩頻率為150MHz。對在例16中形成的用於電子照相的光接收部件用例1中同樣的程序按照球狀突出密度、白點數量、和圖象密度可再生性進行了評價。所得到的結果如表5所示。正如從表5可明顯看出的，發現根據本發明可得到具有小數量的結構缺陷和理想的薄膜特性的澱積薄膜。表5注表5表示當把比較例1中得到的值作為1.0時例3至例16中值的相對值。例17在圖2A和2B所示的澱積薄膜形成設備中，採用振蕩頻率為105Mz的高頻電源，並採用其中不生鏽的中央導體121的表面被一圓柱覆蓋層122覆蓋的高頻電極102(圖12A和2B)，而該圓柱覆蓋層由含有Al2O3作為主要成分，厚度為3mm的陶瓷組成並包括一長度為20mm由不鏽鋼組成的圓環形環狀導體123，根據表6所示的光導電層的形成條件，在沿軸向布置在鋁圓柱狀基片101上的15個位置上每處布置的鋇矽硼玻璃(bariumboron-silicatedglass)(可從Coning得到7509)上澱積一層厚度約為1μm的a-Si薄膜，從而製造出導電率分布測量樣例。此外，一層厚度約為1μm的a-Si薄膜在與導電率分布測量樣例相同的薄膜形成條件下在沿軸向布置在鋁圓柱狀基片101上的15個位置上每處布置的單晶矽基片上被澱積形成，從而製造出紅外線吸收分布測量樣例。一層a-Si薄膜在表6所示的的薄膜形成條件下在鋁圓柱狀基片101上形成，從而製造出具有圖6C所示的層結構的用於電子照相的光接收部件。例18在例18中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被與按例17中同樣的方式製造，只是採用的導電層122不包括環狀導體123。在例17和例18中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布樣例和用於電子照相的光接收部件被按如下方法進行評價。(1)導電率分布評價在每一導電率分布測量樣例的a-Si層的表面澱積鉻(Cr)以形成梳狀comb-like電極。導電率分布測量樣例被置於黑暗位置，利用pA表(可從YokokawaHewlettPackard得到4140B)在電極上施加電壓，並測量梳狀電極間流過的暗電流。將一5mA的He-Ne雷射束照射至梳狀電極部分，並並測量梳狀電極間流過的亮電流。根據暗電流與亮電流的比計算導電率。對每一樣例的導電率的平均值進行計算，並使最大值與最小值間的差值被平均值除，從而計算出導電率分布。導電率的平均值大表示光導電性好，薄膜質量出色，而分布值小表示出色的均勻性。(2)紅外線吸收分布評價將每一紅外線吸收分布測量樣例置於紅外線分光光度計(可從PERKINELMER得到1720-X)內，對2,000cm-1附近出現的Si-Hn(n＝1至3)紅外線吸收光譜進行測量。將測量到的紅外線吸收光譜進行波形分解，分解為2,000cm-1附近的Si-H基的紅外線吸收光譜和2,100cm-1附近的Si-H2基的和Si-H3基的紅外線吸收光譜。對紅外線吸收截面積比(2,000cm-1附近的吸收截面積/2,100cm-1附近的吸收截面積)進行計算。對每一樣例的紅外線吸收截面積比的平均值進行計算，並使最大值與最小值間的差值被平均值除，從而計算出紅外線吸收分布。紅外線吸收截面積比的平均值大表示a-Si薄膜中由Si-H2基和Si-H3基造成的結構缺陷小，就可得到出色的薄膜質量。分布值小表示出色的均勻性。(3)圖象密度分布評價將每一用於電子照相的光接收部件放在電子照相設備(通過為了實驗對佳能公司製造的NP6060進行修改而得到的)中，將可從佳能公司得到的全半色調樣張(full-halftonesheet)(部件號FY9-9042)放在原件臺上，對相應的用於電子照相的光接收部件進行複製。在結果的複製圖象上，對在複製圖象軸方向上15個位置處的圖象密度利用圖象顯像密度計(RD914，可從MACBETH得到)進行了測量。對各個測量位置的圖象密度的平均值進行測量，並使最大值與最小值間的差值被平均值除，從而計算出圖象密度分布。圖象密度分布值小表示圖象密度非均勻性小，可得到傑出均勻性的圖象質量。(4)記憶分布評價將每一用於電子照相的光接收部件放在電子照相設備(通過為了實驗對佳能公司製造的NP6060進行修改而得到的)中。在可從佳能公司得到的全半色調樣張(部件號FY9-9042)的起始部位依次附上長度均為5cm的可從佳能公司得到的黑色樣張(部件號FY9-9073)和佳能純白複印紙(PBPAPER)。而形成記憶評價樣張，並將它方在原件臺上。安裝一表面電位計(可從TREK得到MODEL344)以代替顯影單元。對用於電子照相的光接收部件在其軸向15個位置處的表面電勢進行測量。在對應於半色調樣張位置處的表面電勢的測量位置，對對應於上次複印過程中曝光的黑色樣張和白色複印紙位置的位置處的表面電勢之間的差值進行計算。該值被用作記憶電勢。對各個測量位置處的記憶電勢的平均值進行計算，並使最大值與最小值間的差值被平均值除，從而計算出記憶分布。記憶電勢平均值小表示圖象密度均勻性出色，圖象質量得到改善。分布值小表示均勻性出色。上述評價表示在表7中。表7表示當例18中得到的評價結果被作為1時例17中得到的評價結果相對值。正如從表7中可明顯看出的，例17中的樣例和用於電子照相的光接收部件的導電率、紅外線吸收、圖象密度、和記憶電勢的分布值均小於例18中的樣例和用於電子照相的光接收部件。例17中的特性分布比例18中的均勻，例17中的導電率和紅外線吸收的平均值大於例18中的，因而例17中的澱積薄膜的薄膜質量得到改善。例17中的記憶電勢的平均值小於例18中的，因而例17中的用於電子照相的光接收部件的圖象特性得到改善。根據上述結果，當採用環狀導體時，可形成特性更均勻、圖象質量更好的澱積薄膜。因此，發現可形成具有更傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。表7<表6注表7中的所有值均為當把例18中得到的值作為1時例17中得到的值的相對值。例19在例18中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被與按例17中同樣的方式製造，只是採用厚度如表8所示且由表8中所示的材料組成的導電層122來代替由陶瓷組成的圓柱狀覆蓋層122。在例19中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。所得到的結果如表8所示。正如從表8中可明顯看出的，根據本發明，可以形成具有均勻特性和良好薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。表8注表8中的所有值均為當把例18中得到的值作為1時例19中得到的值的相對值。例20在例20中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是採用其中不生鏽的中央導體421的表面被等離子體噴射厚度為50μm含有Al2O3作為主要成分的陶瓷材料而形成一圓柱覆蓋層422，而在覆蓋層422上布置有一長度為15mm由不鏽鋼組成的圓環形環狀導體423，以及在環狀導體423上進一步等離子體噴射一層厚度為100μm含有Al2O3作為主要成分的陶瓷材料而形成覆蓋層422的高頻電極402(如圖13所示)，以取代例17中採用的高頻電極102。在例20中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。結果，可以得到具有與例17相同的特性的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件。根據本發明，可以形成具有均勻特性和良好薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。例21在例21中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例20中同樣的方式製造，只是厚度如表9所示的含有表9所示的材料作為主要成分的陶瓷材料被等離子體噴射在不生鏽的中央導體421的表面上而形成覆蓋層422，圓環形環狀導體423被按與例20相同的方式布置在覆蓋層422上，以及在環狀導體423上進一步等離子體噴射一層厚度為100μm含有與例20中相同的材料的陶瓷材料而形成覆蓋層422。在例21中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例20中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。所得到的結果如表9所示。正如從表9中可明顯看出的，根據本發明，可以形成具有均勻特性和良好薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。表9注表9中的所有值均為當把例18中得到的值作為1時例21中得到的值的相對值。例22在例21中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是採用由表10所示的材料組成的環狀導體123。在例22中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。所得到的結果如表10所示。正如從表10中可明顯看出的，根據本發明，可以形成具有均勻特性和良好薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。表10注表10中的所有值均為當把例18中得到的值作為1時例22中得到的值的相對值。例23在例23中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是採用其中由不鏽鋼組成的兩個圓環形環狀導體433被包括在圍繞不生鏽的中央導體431而形成的覆蓋層432中的高頻電極402(如圖14所示)，以取代例17中採用的高頻電極102。在例23中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。結果，可以得到具有與例17相同的特性的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件。根據本發明，可以形成具有均勻特性和良好薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。例24在例24中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是採用其中由不鏽鋼組成的一個螺旋形環狀導體443被包括在圍繞不生鏽的中央導體441而形成的覆蓋層442中的高頻電極102(如圖15A和15B所示)，以取代例17中採用的高頻電極102。在例24中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。結果，可以得到具有與例17相同的特性的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件。根據本發明，可以形成具有均勻特性和良好薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。例25在例25中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是採用其中由不鏽鋼組成的一接地的螺旋形環狀導體453被包括在圍繞不生鏽的中央導體451而形成的覆蓋層452中的高頻電極102(如圖16所示)，以取代例17中採用的高頻電極102，並且薄膜形成在表11所示的薄膜形成條件下進行。例26在例26中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例25中同樣的方式製造，只是採用其中不包括環狀導體453的覆蓋層452。在例25和例26中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。所得到的結果如表12所示。表12表示當把例26中得到的評價結果作為1時例25中得到的評價結果的相對值。正如從表12可明顯看出的，根據任何評價，例25中得到的樣例和用於電子照相的光接收部件都比例26中得到的樣例和用於電子照相的光接收部件出色。在例25中，可以形成具有更均勻特性和更好的薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。表11表12注表12中的所有值均為當把例26中得到的值作為1時例25中得到的值的相對值。例27在例27中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是中央導體由表13所示的材料組成。在例27中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。所得到的結果如表13所示。正如從表13可明顯看出的，根據本發明，可以形成具有均勻特性和良好薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。表13注表13中的所有值均為當把例18中得到的值作為1時例27中得到的值的相對值。例28在例28中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是採用其中結合有覆蓋物加熱器464的不生鏽的中央導體461的高頻電極102(如圖17A和17B所示)，以取代例17中採用的高頻電極102，且高頻電極102被加熱到200℃。在例28中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。結果，可以得到具有與例17相同的特性的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件。根據本發明，可以形成具有均勻特性和良好薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。例29在例29中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是採用其中用結合有水冷卻管464的不生鏽的中央導體461來代替結合有覆蓋物加熱器464的中央導體461的高頻電極102(如圖17A和17B所示)，以取代例17中採用的高頻電極102，且高頻電極102被加熱到40℃。在例29中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。結果，可以得到具有與例17相同的特性的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件。根據本發明，可以形成具有均勻特性和良好薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。例30在例30中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是採用也作為源氣體供應部分的高頻電極102(如圖18A和18B所示)以取代例17中採用的高頻電極和源氣體供應部分，薄膜形成在表14所示的薄膜形成條件下進行。如圖18A和18B所示，高頻電極102具有環狀導體473。氣體供應路徑193與數量很大的氣體釋放孔相通。參考數字47表示由不鏽鋼等組成的導電電極。例31在例31中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例30中同樣的方式製造，只是採用其中不包括環狀導體473的覆蓋層472。在例30和例31中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。所得到的結果如表15所示。表15表示當把例31中得到的評價結果作為1時例30中得到的評價結果的相對值。正如從表5可明顯看出的，根據任何評價，例30中得到的樣例和用於電子照相的光接收部件都比例31中得到的樣例和用於電子照相的光接收部件出色。當在覆蓋層上形成環狀導體時，可以形成具有更均勻特性和更好的薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。表14表15注表15中的所有值均為當把例31中得到的值作為1時例30中得到的值的相對值。例32在例32中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是採用具有用多個高頻電極102(如圖19A和19B所示)以取代例17中採用的高頻電極102的澱積薄膜形成設備。在例32中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。結果，可以得到具有與例17相同的特性的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件。根據本發明，可以形成具有均勻特性和良好薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。例33在例33中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是高頻電源107的振蕩頻率被改變為表16所示的振蕩頻率。例34在例34中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是高頻電源107的振蕩頻率被改變為13.56MHz。例35在例35中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是高頻電源107的振蕩頻率被改變為500MHz。在例33至例35中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。所得到的結果如表16所示。表16表示當把例34中得到的評價結果作為1時例33和例35中得到的評價結果的相對值。正如從表16可明顯看出的，根據任何評價，例33中得到的樣例和用於電子照相的光接收部件都比例34和例35中得到的樣例和用於電子照相的光接收部件出色。在例33中，可以形成具有更均勻特性和更好的薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。表16注表16中的所有值均為當把例34中得到的值作為1時例33和34中得到的值的相對值。例36在例36中具有圖6D所示的層構造的一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例17中同樣的方式製造，只是採用圖4A所示的澱積薄膜形成設備，採用與例17相同的高頻電極102，薄膜形成是在表17所示的薄膜形成條件下進行的。例37在例37中一導電率分布測量樣例、一紅外線吸收分布測量樣例和一用於電子照相的光接收部件被按與例36中同樣的方式製造，只是採用與例18中相同的高頻電極102。在例36和37中製造的導電率分布測量樣例、紅外線吸收分布測量樣例和用於電子照相的光接收部件被按與例17中相同的程序根據導電分布、紅外線吸收分布、圖象密度分布、和記憶分布進行評價。所得到的結果如表18所示。表18表示當把例37中得到的評價結果作為1時例36中得到的評價結果的相對值。正如從表18可明顯看出的，根據任何評價，例36中得到的樣例和用於電子照相的光接收部件都比例37中得到的樣例和用於電子照相的光接收部件出色。在例36中，可以形成具有更均勻特性和更好的薄膜質量的澱積薄膜。因此，發現可以形成具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件。表17p>注表18中的所有值均為當把例37中得到的值作為1時例36中得到的值的相對值。如上面所介紹的，根據本發明，可以提供能夠在數量上減少澱積薄膜的結構缺陷的澱積薄膜形成設備和用於該澱積薄膜形成設備中的電極。本發明可以提供理想地用來製造具有出色圖象特性的用於電子照相的光接收部件的澱積薄膜形成設備和用於該澱積薄膜形成設備中的電極。本發明可以提供能夠形成特性均勻性、薄膜特性、或質量出色的澱積薄膜的澱積薄膜形成設備，以及用於該澱積薄膜形成設備的電極。此外，本發明可提供其中澱積薄膜沒有或基本沒有厚度分布問題，薄膜形成可穩定地進行，結果，生產成本可以降低，能夠進行具有高價格性能比的薄膜形成的澱積薄膜形成設備，以及用於該澱積薄膜形成設備的電極。本發明不不限於上述介紹、附圖、和舉例。當然可進行各種修正和組合而不背離本發明的精神和範圍。權利要求1.一種包括用來將一種源氣體供應至能夠降低壓力且其中布置有基片的反應容器中的裝置、和用來向其中布置有所述基片的所述反應容器中供應高頻功率的高頻電源裝置的澱積薄膜形成設備，源氣體被高頻功率分解以便能在基片上形成澱積薄膜，其中所述高頻電源裝置的供應部分含有多個部件。2.根據權利要求1的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分包括用作基本部件的導電部件和對澱積薄膜有高附著力並覆蓋導電部件表面的材料。3.根據權利要求1的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分包括用作基本部件的導電部件和覆蓋導電部件表面的陶瓷材料。4.根據權利要求1的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分包括用作基本部件的導電部件和覆蓋導電部件表面的絕緣材料。5.根據權利要求1的澱積薄膜形成設備，其中高頻功率的頻率為20MHz至450MHz。6.根據權利要求2的澱積薄膜形成設備，其中高頻功率的頻率為20MHz至450MHz。7.根據權利要求3的澱積薄膜形成設備，其中高頻功率的頻率為20MHz至450MHz。8.根據權利要求4的澱積薄膜形成設備，其中高頻功率的頻率為20MHz至450MHz。9.根據權利要求1的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分也用作源氣體供應部分。10.根據權利要求2的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分也用作源氣體供應部分。11.根據權利要求3的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分也用作源氣體供應部分。12.根據權利要求4的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分也用作源氣體供應部分。13.根據權利要求5的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分也用作源氣體供應部分。14.根據權利要求3的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分的陶瓷材料是從由Al2O3，BN，AlN，ZrSiO4，TiO2，Cr2O3和MgO組成的組中選出的至少一種。15.根據權利要求3的澱積薄膜形成設備，其中陶瓷材料是利用等離子體噴射而附著在導電部件上的。16.根據權利要求1的澱積薄膜形成設備，其中布置有用來加熱或冷卻所述高頻高頻電源部分的機構。17.根據權利要求1的澱積薄膜形成設備，進一步包括用來向所述反應容器提供微波功率的裝置。18.根據權利要求2的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分的導電部件包括從由如Al，Fe，Ni，Cr，Ti，Mo，Au，In，Nb，Te，V，Pt，和Pb這些金屬和含有這些金屬的合金中選出的一種。19.根據權利要求3的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分的導電部件包括從由如Al，Fe，Ni，Cr，Ti，Mo，Au，In，Nb，Te，V，Pt，和Pb這些金屬和含有這些金屬的合金中選出的一種。20.根據權利要求4的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分的導電部件包括從由如Al，Fe，Ni，Cr，Ti，Mo，Au，In，Nb，Te，V，Pt，和Pb這些金屬和含有這些金屬的合金中選出的一種。21.根據權利要求2的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分的導電部件包括從由不鏽鋼和因康鎳合金組成的組中選出的至少一種。22.根據權利要求3的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分的導電部件包括從由不鏽鋼和因康鎳合金組成的組中選出的至少一種。23.根據權利要求4的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源部分的導電部件包括從由不鏽鋼和因康鎳合金組成的組中選出的至少一種。24.根據權利要求1的澱積薄膜形成設備，其中所述基片可提供多個。25.根據權利要求24的澱積薄膜形成設備，其中所述多個基片可布置在一個同心圓上。26.根據權利要求1的澱積薄膜形成設備，其中布置有用來旋轉所述基片的機構。27.根據權利要求17的澱積薄膜形成設備，其中微波功率被供應至通過布置所述基片而形成的空間內。28.根據權利要求2的澱積薄膜形成設備，其中所述導電部件具有中空部分和與中空部分相通的孔。29.根據權利要求3的澱積薄膜形成設備，其中所述導電部件具有中空部分和與中空部分相通的孔。30.根據權利要求4的澱積薄膜形成設備，其中所述導電部件具有中空部分和與中空部分相通的孔。31.根據權利要求1的澱積薄膜形成設備，其中提供多個所述高頻電源部分。32.根據權利要求1的澱積薄膜形成設備，其中所述高頻電源裝置包括導電中央導體、覆蓋所述中央導體的絕緣部件、以及布置在所述絕緣部件上並包圍所述中央導體的環狀導體。33.根據權利要求32的澱積薄膜形成設備，其中所述絕緣部件是對澱積薄膜具有附著力的材料。34.根據權利要求32的澱積薄膜形成設備，其中所述絕緣部件是陶瓷材料。35.根據權利要求34的澱積薄膜形成設備，其中陶瓷材料是從由Al2O3，BN，AlN，ZrSiO4，TiO2，Cr2O3和MgO組成的組中選出的至少一種。36.根據權利要求34的澱積薄膜形成設備，其中陶瓷材料通過等離子體噴射形成。37.根據權利要求32的澱積薄膜形成設備，其中所述中央導體包括從由如Al，Fe，Ni，Cr，Ti，Mo，Au，In，Nb，Te，V，Pt，和Pb這些金屬和含有這些金屬的合金中選出的一種。38.根據權利要求32的澱積薄膜形成設備，其中所述中央導體包括從由不鏽鋼和因康鎳合金組成的組中選出的一種。39.根據權利要求32的澱積薄膜形成設備，其中所述環狀導體具有圓環形形狀。40.根據權利要求32的澱積薄膜形成設備，其中所述環狀導體具有螺旋形狀。41.根據權利要求32的澱積薄膜形成設備，其中所述環狀導體被提供多個。42.根據權利要求32的澱積薄膜形成設備，其中所述環狀導體被接地。43.根據權利要求32的澱積薄膜形成設備，其中所述環狀導體包括從由如Al，Fe，Ni，Cr，Ti，Mo，Au，In，Nb，Te，V，Pt，和Pb這些金屬和含有這些金屬的合金中選出的一種。44.根據權利要求32的澱積薄膜形成設備，其中所述環狀導體包括從由不鏽鋼和因康鎳合金組成的組中選出的一種。45.根據權利要求32的澱積薄膜形成設備，其中所述環狀導體有中空部分和與中空部分相通的孔。46.一種用於在其中通過供應高頻功率使源氣體分解以便能形成澱積薄膜的真空裝置的電極，包括導電材料和覆蓋至少部分導電材料表面的絕緣材料。47.根據權利要求46的電極，其中一環狀導體被布置為包圍導電材料並與導電材料絕緣。48.根據權利要求46的電極，其中導電材料具有中空部分。49.根據權利要求47的電極，其中導電材料具有中空部分。50.根據權利要求48的電極，其中導電材料進一步有一用來使中空部分與外部部分相通的孔。51.根據權利要求49的電極，其中導電材料進一步有一用來使中空部分與外部部分相通的孔。52.根據權利要求47的電極，其中所述環狀導體具有圓環形形狀。53.根據權利要求47的電極，其中所述環狀導體具有螺旋形狀。54.根據權利要求47的電極，其中所述環狀導體被提供多個。55.根據權利要求47的電極，其中所述環狀導體可被接地。56.根據權利要求47的電極，其中絕緣材料是陶瓷材料。57.根據權利要求56的電極，其中陶瓷材料是從由Al2O3，BN，AlN，ZrSiO4，TiO2，Cr2O3和MgO組成的組中選出的至少一種。58.根據權利要求56的電極，其中陶瓷材料通過等離子體噴射形成。59.根據權利要求46的電極，其中所述中央導體包括從由如Al，Fe，Ni，Cr，Ti，Mo，Au，In，Nb，Te，V，Pt，和Pb這些金屬和含有這些金屬的合金中選出的一種。60.根據權利要求46的電極，其中所述中央導體包括從由不鏽鋼和因康鎳合金組成的組中選出的一種。61.根據權利要求46的電極，其中環狀中央導體包括從由如Al，Fe，Ni，Cr，Ti，Mo，Au，In，Nb，Te，V，Pt，和Pb這些金屬和含有這些金屬的合金中選出的一種。62.根據權利要求46的電極，其中所述環狀導體包括從由不鏽鋼和因康鎳合金組成的組中選出的一種。全文摘要發明的能夠形成具有小數量結構缺陷的澱積薄膜和具有傑出圖象特性的用於電子照相的光接收部件的澱積薄膜形成設備，包括用來供應源氣體至能夠降低壓力且其中布置有基片的反應容器內的裝置，和用來供應高頻功率至其中布置有基片的反應容器的高頻電源裝置，源氣體被高頻功率分解以便能在基片上形成澱積薄膜，其中所述高頻電源裝置的供應部分由多個部件構成。文檔編號C23C16/50GK1131204SQ9511979公開日1996年9月18日申請日期1995年12月26日優先權日1994年12月26日發明者青池達行申請人:佳能株式會社