基材包覆結構的製作方法
2023-10-11 05:19:09 1
專利名稱：基材包覆結構的製作方法
技術領域：
本實用新型有關於ー種包覆結構，尤其是指ー種用於包覆光電元件的基材包覆結構。
背景技術：
在半導體或發光二極體的後段製程中，晶片在製造完成之後會被粘貼到膜狀結構上，再切割成多個晶粒，這些晶粒維持著貼附在膜狀結構上的形式，接下來會被送入檢測設備之中。檢測設備將這些晶粒進行檢驗測試，並且依其等級做分類，之後這些晶粒仍貼附於膜狀結構上，以避免晶粒因滾動而遷移或受損，並且會在膜狀結構上貼附保護膜，以保護這些晶粒。然而，由於現有技術的保護膜會塗布化學物質，以便讓保護膜與膜狀結構進行剝 離。然而，保護膜塗布化學物質，會在覆蓋於這些晶粒上時，殘留化學物質在這些晶粒上，而造成之後進行的後段製程的良品率下降。因此，克服化學物質殘留的問題，將成為提升該製程良品率的重要原因。
實用新型內容本實用新型的目的在於提供一種基材包覆結構，以改善化學物質殘留的問題，因此改變保護膜的材料。由於保護膜上不另外塗布化學物質，可減少化學物質殘留的問題，可有效提升後段製程的良品率。本實用新型提供一種基材包覆結構，其包括一基材、一光電元件粘著層及至少ー絕緣層。基材粘附於光電元件粘著層上，絕緣層接合於光電元件粘著層上，且絕緣層覆蓋基材。另外，絕緣層的面積大於光電元件粘著層的面積。在一實施例中，該基材為發光_■極管晶粒、監寶石晶片、半導體晶片、單晶娃晶片、多晶矽晶片、太陽能電池面板及晶片的其中ー種。在一實施例中，該光電兀件粘著層為膠膜本體、藍膜本體及UV膜本體的其中一種。在一實施例中，該絕緣層為聚こ烯本體、聚丙烯本體、聚氯こ烯本體、こ烯-醋酸こ烯脂共聚物本體、聚對苯ニ甲酸酯本體、聚こ烯醇本體、聚こ烯縮丁醛本體及甲基戊烯聚合物本體的其中ー種。在一實施例中，還包括在該絕緣層上塗布離型劑本體，該離型劑本體為矽硐離型劑本體及非矽硐離型劑本體的其中ー種。在一實施例中，還包括在該絕緣層上塗布離型劑本體，該離型劑本體為無溶劑形式，該離型劑本體為加熱硬化的離型劑本體及放射線硬化的離型劑本體的其中ー種。 在一實施例中，該絕緣層的表面形成凹陷區。本實用新型提供一種基材包覆結構，其包括一基材、一光電元件粘著層、一離型層及ー抗靜電層。基材粘附於光電元件粘著層上，離型層接合於光電元件粘著層上。抗靜電層通過離型層與光電元件粘著層接合，抗靜電層的面積大於光電元件粘著層的面積。在一實施例中，該光電兀件粘著層為膠膜本體、藍膜本體及UV膜本體的其中一種，該抗靜電層為離型紙本體。在一實施例中，該離型層以及該抗靜電層的表面為凹凸的形狀。綜上所述，本實用新型的基材包覆結構具有好的抗靜電及保護的功效，以及便於將絕緣層從光電元件粘著層上進行剝離。並且，不會在發光二極體晶粒上產生殘留物，因此後段的封裝打線(Wire-bonding)的製程良品率可以提升。為更進一歩了解本實用新型的特徵及技術內容，請參閱以下有關本實用新型的詳細說明與附圖，然而附圖僅用以提供參考與說明，並非用來對本實用新型加以限制。
·圖I為本實用新型的基材包覆結構第一實施例的片狀基材的立體示意圖。圖2為本實用新型的基材包覆結構第一實施例的塊狀基材的立體示意圖。圖3為本實用新型的基材包覆結構第一實施例的兩層絕緣層立體示意圖。圖4為本實用新型的基材包覆結構第一實施例的剖面示意圖。圖5為本實用新型的基材包覆結構第二實施例的立體示意圖。圖6為本實用新型的基材包覆結構第二實施例的剖面示意圖。其中，附圖標記說明如下基材包覆結構 I基材10光電元件粘著層20絕緣層30、31凹陷區32抗靜電層40離型層50
具體實施方式
請參考圖I及圖2所示，本實用新型提供一種基材包覆結構1，其包括一基材10、一光電元件粘著層20及至少ー絕緣層30。首先，光電元件粘著層20具有粘性，可將基材10粘附於光電元件粘著層20上。如圖I所示，基材10可為片狀的形式，因此基材10可為藍寶石晶片、半導體晶片、單晶矽晶片、多晶矽晶片或太陽能電池面板。如圖2所示，基材10可為塊狀的形式，因此基材10可為發光二極體晶粒或晶片，然而基材10的元件不以上述為限。另外，光電元件粘著層20可為膠膜本體、藍膜(Blue tape)本體或UV膜本體，然而光電元件粘著層20的材質不以上述為限。在本實施例中是將發光二極體晶粒置於膠膜本體或藍膜本體上，通過膠膜本體或藍膜本體本身的粘性，將發光二極體晶粒粘附於膠膜本體或藍膜本體上。之後，再將絕緣層30覆蓋於光電元件粘著層20上，也即絕緣層30是接合於光電元件粘著層20上。並且，絕緣層30充分地覆蓋於基材10上，以達到保護基材10以及抗靜電的效果。其中，絕緣層30的面積大於光電元件粘著層20的面積，以方便將絕緣層30從光電元件粘著層20上進行剝離。如圖3所示，絕緣層30，31也可設計為兩層結構，也即於絕緣層30上可再増加絕緣層31而形成兩層結構，達到更好的抗靜電及保護的功效。然而絕緣層30也可設計為多層結構，並不限定絕緣層30的層數。其中，絕緣層30的材質可為聚乙烯(Polyethylene)、聚丙烯(Polypropylene)、聚氯こ烯(PolyVinyl Chloride) >こ烯-醋酸こ烯脂共聚物(Ethylene Vinyl Acetate)、聚對苯ニ甲酸酯(PolyethyleneTerephthalate)、聚こ烯醇(Polyvinyl alcohol)、聚こ烯醇縮丁醒(Polyvinyl butyral)或甲基戊烯聚合物(TPX)，然而絕緣層30的材質不以上述為限。除此之外，可在絕緣層30上選擇性地塗布離型劑本體，離型劑本體可為矽硐(silicone)離型劑本體或非矽硐離型劑本體。或是離型劑本體為ー種無溶劑形式，其可為加熱硬化的離型劑本體或放射線硬化的離型劑本體，加熱硬化的離型劑本體可經由加熱而產生硬化的效果，放射線硬化的離型劑本體可經由紫外光照射而產生硬化的效果。另外，將放射線硬化的離型劑本體塗布於絕緣層30上，可方便用於觀察晶粒。並且使用放射性硬 化的方式，不會有離型劑遷移(migration)且殘留於晶粒上的問題，因此後段的封裝打線(Wire-bonding)的製程良品率可以提升。請參考圖4所示，絕緣層30的表面亦可形成凹陷區32，凹陷區32將於該絕緣層30的表面形成紋路，其目的在於減少與光電元件粘著層20接觸的面積，以便於將絕緣層30從光電元件粘著層20上進行剝離。且粘合時所產生的氣泡，氣體可從凹陷區32中排出，以維持絕緣層30的平整性。請參考圖5所示，本實用新型另提供一種基材包覆結構1，其包括一基材10、一光電兀件粘著層20、一離型層50及ー抗靜電層40。首先，光電元件粘著層20具有粘性，可將基材10粘附於光電元件粘著層20上。然而基材10可為片狀或塊狀的形式，因此基材10可為發光二極體晶粒、藍寶石晶片、半導體晶片、單晶矽晶片、多晶矽晶片、太陽能電池面板或晶片，然而基材10的元件不以上述為限。另外，光電元件粘著層20可為膠膜本體、藍膜本體或UV膜本體，然而光電元件粘著層20的材質不以上述為限。在本實施例中是將發光二極體晶粒置於膠膜或藍膜上，通過膠膜或藍膜本身的粘性，將發光二極體晶粒粘附於膠膜或藍膜上。此後，再將離型層50及抗靜電層40覆蓋於光電元件粘著層20上，也即離型層50接合於光電元件粘著層20上，因此抗靜電層40通過離型層50與光電元件粘著層20進行接合，並且抗靜電層40的面積大於光電元件粘著層20的面積，方便將抗靜電層40從光電元件粘著層20上進行剝離。其中，抗靜電層40為離型紙本體。請參考圖6所示，離型層50以及抗靜電層40的表面可為凹凸的形狀，其目的在於減少與光電元件粘著層20接觸的面積，以便於將抗靜電層40及離型層50從光電元件粘著層20上進行剝離。且粘合時所產生的氣泡，氣體可從凹凸的形狀中排出，以維持抗靜電層40的平整性。綜上所述，本實用新型的基材包覆結構具有好的抗靜電及保護的功效，以及方便將絕緣層從光電元件粘著層上進行剝離。並且，不會產生殘留物於發光二極體晶粒上，因此後段的封裝打線(Wire-bonding)的製程良品率可以提升。但是以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，非意欲局限本實用新型的專利保護 範圍，故舉凡運用本實用新型說明書及附圖內容所做的等效變化，同理皆包含於本實用新型的權利要求的保護範圍內，合予陳明。
權利要求1.一種基材包覆結構，其特徵在於，包括一基材；一光電元件粘著層，該基材粘附於該光電元件粘著層上；以及至少一絕緣層，其接合於該光電元件粘著層，且該絕緣層覆蓋該基材，該絕緣層的面積大於該光電元件粘著層的面積。
2.如權利要求I所述的基材包覆結構，其特徵在於，該基材為發光二極體晶粒、藍寶石晶片、半導體晶片、單晶矽晶片、多晶矽晶片、太陽能電池面板及晶片的其中一種。
3.如權利要求I所述的基材包覆結構，其特徵在於，該光電元件粘著層為膠膜本體、藍膜本體及UV膜本體的其中一種。
4.如權利要求I所述的基材包覆結構，其特徵在於，該絕緣層為聚乙烯本體、聚丙烯本 體、聚氯乙烯本體、乙烯-醋酸乙烯脂共聚物本體、聚對苯二甲酸酯本體、聚乙烯醇本體、聚乙烯醇縮丁醛本體及甲基戊烯聚合物本體的其中一種。
5.如權利要求I所述的基材包覆結構，其特徵在於，還包括在該絕緣層上塗布離型劑本體，該離型劑本體為矽硐離型劑本體及非矽硐離型劑本體的其中一種。
6.如權利要求I所述的基材包覆結構，其特徵在於，還包括在該絕緣層上塗布離型劑本體，該離型劑本體為無溶劑形式，該離型劑本體為加熱硬化的離型劑本體及放射線硬化的離型劑本體的其中一種。
7.如權利要求I所述的基材包覆結構，其特徵在於，該絕緣層的表面形成凹陷區。
8.一種基材包覆結構，其特徵在於，包括一基材；一光電元件粘著層，該基材粘附於該光電元件粘著層上；一離型層，其接合於該光電元件粘著層；以及一抗靜電層，其通過該離型層與該光電兀件粘著層接合，該抗靜電層的面積大於該光電元件粘著層的面積。
9.如權利要求8所述的基材包覆結構，其特徵在於，該光電元件粘著層為膠膜本體、藍膜本體及UV膜本體的其中一種，該抗靜電層為離型紙本體。
10.如權利要求8所述的基材包覆結構，其特徵在於，該離型層以及該抗靜電層的表面為凹凸的形狀。
專利摘要本實用新型提供一種基材包覆結構，其包括一基材、一光電元件粘著層及至少一絕緣層。基材粘附於光電元件粘著層上，絕緣層接合於光電元件粘著層上，且絕緣層覆蓋基材。另外，絕緣層的面積是大於光電元件粘著層的面積。本實用新型的基材包覆結構具有好的抗靜電及保護的功效，以及便於將絕緣層從光電元件粘著層上進行剝離。並且，不會在發光二極體晶粒上產生殘留物，因此可以提升後段的封裝打線(Wire-bonding)的製程良品率。
文檔編號H01L21/683GK202633263SQ201220262740
公開日2012年12月26日 申請日期2012年6月5日 優先權日2012年6月5日
發明者汪秉龍, 張正光, 劉華湘, 蕭漢璁, 陳裕旺 申請人:久元電子股份有限公司