薄膜電晶體陣列基板及其製造方法
2023-10-04 11:53:59 4
專利名稱：薄膜電晶體陣列基板及其製造方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示器領域，尤其涉及一種薄膜電晶體陣列基板及其製造方法。
背景技術：
在現有的液晶顯示器中，特別是薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)液晶顯示器(Liquid Crystal Display，IXD)中，為了增加開口率，一般會將銦錫金屬氧化物 (Indium Tin Oxides, IT0)部分的面積增大，但這樣會造成雜散電容效應，即像素(Pixel) 電極和數據線之間存在的雜散電容會使得液晶面板顯示不良。為了降低雜散電容效應，一般會在薄膜電晶體陣列基板的版面中增加輔助電容線。該輔助電容線(或稱為aiield Metal)處於比較靠近數據線的位置。而在薄膜電晶體陣列基板的製作過程中，經常會產生很多導電顆粒(particle)，這些導電顆粒一部分會被清洗機清除，另一部分可能會殘留在該薄膜電晶體陣列基板上。殘留的導電顆粒會在液晶顯示器點亮時產生亮點、亮線、暗線、碎亮點、弱亮線、弱暗線等缺陷。為了消除這些缺陷，通常要對液晶顯示面板進行修補，以便將導電顆粒清除。如圖1所示，為現有的薄膜電晶體陣列基板的局部示意圖。圖中數據線3與掃描線 1絕緣交叉，其交叉處附近設置有薄膜電晶體4，該薄膜電晶體4包括源極4S、間極4G和漏極4D。兩條掃描線1和兩條數據3所圍區域有一像素電極5。在兩條掃描線1之間有一電容線2。在數據線3附近設置有輔助電容線6。輔助電容線6包括切割部6b和主體部6a。 若在輔助電容線6與數據線1之間殘留了導電顆粒，該導電顆粒可能會造成輔助電容線6 與數據線3之間短路，從而造成像素亮點的出現。為了消除該些導電顆粒對液晶顯示面板的影響，可以將輔助電容線6的切割部6b切斷，以使該輔助電容線6與電容線2隔離。但是，現有的這種設計使得輔助電容線的製作工藝複雜化。
發明內容
本發明實施例所要解決的技術問題在於，提供一種液晶顯示面板及其製造方法。 可以在不增加輔助電容線的製作難度的情況下，方便的將輔助電容與電容線之間的連接切割開。為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種薄膜電晶體陣列基板，包括多條相互平行的掃描線、多條與該掃描線垂直絕緣相交的數據線、任意兩條相鄰的掃描線與任意兩條相鄰的數據線界定的像素單元以及任意兩條相鄰的掃描線之間的電容線，其中，
在電容線上具有沿所述電容線的延伸方向的長形通孔，所述長形通孔位於所述電容線與數據線的交叉處，在對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊具有對稱分布的沿所述數據線的延伸方向延伸出的輔助電容線。在對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊分別具有兩條輔助電容線， 且位於同側邊上的兩條輔助電容線沿所述數據線的延伸方向對稱分布。所述長形通孔沿所述數據線對稱，且所述長形通孔的長度大於位於同側邊上的沿所述數據線對稱分布的兩條輔助電容線之間的距離。所述長形通孔為長度方向沿所述電容線延伸方向的矩形通孔。所述長形通孔位於所述數據線一側的面積s為1 < s < 16，單位為平方微米。相應的，本發明實施例還提供了一種製造薄膜電晶體陣列基板的方法，包括
形成一薄膜電晶體陣列基板，其中，所述薄膜電晶體陣列基板包括多條相互平行的掃描線、多條與該掃描線垂直絕緣相交的數據線、任意兩條相鄰的掃描線與任意兩條相鄰的數據線界定的像素單元以及任意兩條相鄰的掃描線之間的電容線；
在電容線上形成沿所述電容線的延伸方向的長形通孔，其中，所述長形通孔位於所述電容線與數據線的交叉處，對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊具有對稱分布的沿所述數據線的延伸方向延伸出的輔助電容線，以便在所述長形通孔的兩側孔壁和對應該兩側孔壁處的電容線的兩側邊之間形成連接所述電容線與所述輔助電容線的切割部；
檢測所述輔助電容線與所述數據線之間是否產生短路；
當檢測到產生短路時，剪切所述切割部，使短路的輔助電容線與電容線之間斷路。其中，對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊分別具有兩條輔助電容線，且位於同側邊上的輔助電容線沿所述數據線的延伸方向對稱分布。所述長形通孔沿所述數據線對稱，且所述長形通孔的長度大於位於同側邊上的沿所述數據線對稱分布的兩條輔助電容線之間的距離。所述長形通孔為長度方向沿所述電容線延伸方向的矩形通孔。所述剪切所述切割部包括用雷射切割所述切割部。在本發明實施例中，輔助電容線不需要進行特別設計，而是在與其相連的電容線中增加一長形通孔，實現對應長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊上的輔助電容線的方便的切割，不需要增加輔助電容線設計的複雜度。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現有的薄膜電晶體陣列基板的局部示意圖2是本發明薄膜電晶體陣列基板的第一優選實施例的局部平面示意圖； 圖3是本發明薄膜電晶體陣列基板的第二優選實施例的局部平面示意圖； 圖4是對本發明薄膜電晶體陣列基板的第一優選實施例中所述長形通孔位於數據線一側的面積的標示示意圖5是本發明薄膜電晶體陣列基板製造方法的優選實施例的流程示意圖。
具體實施例方式下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於
4本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。 本發明實施例中通過在電容線的相應位置設置一長形通孔，該長形通孔設計在輔助電容線與電容線的連接處附近，使得該連接處形成一「T」或倒「T」的結構，這樣通過切割該「T」字部位的橫線位置，可以將輔助電容線切割開來。如圖2所示，本發明薄膜電晶體陣列基板的第一優選實施例的局部平面示意圖， 該薄膜電晶體陣列基板包括多條相互平行的掃描線1、多條與該掃描線1垂直絕緣相交的數據線3及任意兩條相鄰的掃描線1與任意兩條相鄰的數據線3界定的像素單元(未標示)。 該像素單元包括薄膜電晶體4、像素電極5 (圖中虛線圍繞的區域)。進一步地，該薄膜電晶體陣列基板還包括任意兩條相鄰的掃描線1之間的電容線2。其中，在電容線2上具有沿所述電容線2的延伸方向的長形通孔20，所述長形通孔20位於所述電容線2與數據線3的交叉處，在對應所述長形通孔20的兩側孔壁處的電容線2的兩側邊具有對稱分布的沿所述數據線3的延伸方向延伸出的輔助電容線6，以便在所述長形通孔20的兩側孔壁和對應該兩側孔壁處的電容線2的兩側邊之間形成連接所述電容線2與所述輔助電容線6的切割部22、24，通過剪切該切割部22J4可以實現電容線2 與輔助電容線6之間的斷路。在如圖2的實施例中，在對應所述長形通孔20的兩側孔壁處的電容線2的兩側邊分別具有兩條輔助電容線6，且位於同側邊上的兩條輔助電容線6沿所述數據線3的延伸方向對稱分布。所述長形通孔20為長度方向沿所述電容線延伸方向的矩形通孔。相應的，所述長形通孔20與所述像素電極5沒有重疊。當然，所述長形通孔20也可沿所述數據線3對稱，且所述長形通孔20的長度大於位於同側邊上的沿所述數據線3對稱分布的兩個輔助電容線6之間的距離。在其它的變更實施例中，該長形通孔20的形狀也不一定為矩形，也可以是其他的形狀，如圖3所示，該長形通孔20的形狀可為橢圓形，橢圓形的長軸方向與電容線2的延伸方向相同，橢圓形的長軸端202到數據線3的距離大於同側的輔助電容線6到數據線3的距離。當然，長形通孔20也可以是為梯形或其他多邊形，只要滿足輔助電容線是設置在對應長形通孔20的孔壁處的電容線2的兩側邊上，則即可形成前述的「T」形或倒「T」形結構。 如圖3所示，畫叉處的切割部22、M可以實現將輔助電容線6與電容線2切割開。同時，所述長形通孔20位於所述數據線3 —側的面積s可為1 < s < 16，單位為平方微米，如圖4中陰影部分的面積。相應的，如圖5所示，為本發明實施例中製造液晶顯示面板的方法，該方法包括以下步驟
501、形成一薄膜電晶體陣列基板，其中，所述薄膜電晶體陣列基板包括多條相互平行的掃描線、多條與該掃描線垂直絕緣相交的數據線、任意兩條相鄰的掃描線與任意兩條相鄰的數據線界定的像素單元以及任意兩條相鄰的掃描線之間的電容線。502、在電容線上形成沿所述電容線的延伸方向的長形通孔，其中，所述長形通孔位於所述電容線與數據線的交叉處，在對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊具有對稱分布的沿所述數據線的延伸方向延伸的輔助電容線，以便在所述長形通孔的兩側孔壁和對應該兩側孔壁處的電容線的兩側邊之間形成連接所述電容線與所述輔助電容線的切割部。其中，如前述各實施例中的描述，關於該長形通孔的設置可具有如下部分或全部特徵的組合在對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊上分別具有兩條輔助電容線，且位於同側邊上的兩條輔助電容線沿所述數據線的延伸方向對稱分布；所述長形通孔為長度方向沿所述電容線延伸方向的矩形通孔；所述長形通孔沿所述數據線對稱，且所述長形通孔的長度大於位於同側邊上的沿所述數據線對稱分布的兩條輔助電容線之間的距離；所述長形通孔位於所述數據線一側的面積s可為1 < s < 16，單位為平方微米。503、檢測所述輔助電容線與所述數據線之間是否產生短路。504、當檢測到產生短路時，剪切所述切割部，使短路的輔助電容線與電容線之間斷路。如，可採用雷射切割切割部。在本發明實施例中，輔助電容線不需要進行特別設計，而是在與其相連的電容線中增加一長形通孔，實現對應長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊上的輔助電容線的切割，不需要增加輔助電容線設計的複雜度。以上所揭露的僅為本發明一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利範圍，因此依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬本發明所涵蓋的範圍。
權利要求
1.一種薄膜電晶體陣列基板，包括多條相互平行的掃描線、多條與該掃描線垂直絕緣相交的數據線、任意兩條相鄰的掃描線與任意兩條相鄰的數據線界定的像素單元以及任意兩條相鄰的掃描線之間的電容線，其特徵在於，在電容線上具有沿所述電容線的延伸方向的長形通孔，所述長形通孔位於所述電容線與數據線的交叉處，在對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊具有對稱分布的沿所述數據線的延伸方向延伸出的輔助電容線。
2.如權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵在於，在對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊分別具有兩條輔助電容線，且位於同側邊上的兩條輔助電容線沿所述數據線的延伸方向對稱分布。
3.如權利要求2所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵在於，所述長形通孔沿所述數據線對稱，且所述長形通孔的長度大於位於同側邊上的沿所述數據線對稱分布的兩條輔助電容線之間的距離。
4.如權利要求1至3中任一項所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵在於，所述長形通孔為長度方向沿所述電容線延伸方向的矩形通孔。
5.如權利要求4項所述的薄膜電晶體陣列基板，其特徵在於，所述長形通孔位於所述數據線一側的面積s為1彡16，單位為平方微米。
6.一種製造薄膜電晶體陣列基板的方法，其特徵在於，所述方法包括形成一薄膜電晶體陣列基板，其中，所述薄膜電晶體陣列基板包括多條相互平行的掃描線、多條與該掃描線垂直絕緣相交的數據線、任意兩條相鄰的掃描線與任意兩條相鄰的數據線界定的像素單元以及任意兩條相鄰的掃描線之間的電容線；其特徵在於，所述方法還包括在電容線上形成沿所述電容線的延伸方向的長形通孔，其中，所述長形通孔位於所述電容線與數據線的交叉處，對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊具有對稱分布的沿所述數據線的延伸方向延伸出的輔助電容線，以便在所述長形通孔的兩側孔壁和對應該兩側孔壁處的電容線的兩側邊之間形成連接所述電容線與所述輔助電容線的切割部；檢測所述輔助電容線與所述數據線之間是否產生短路；當檢測到產生短路時，剪切所述切割部，使短路的輔助電容線與電容線之間斷路。
7.如權利要求6所述的方法，其特徵在於，對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊分別具有兩條輔助電容線，且位於同側邊上的兩條輔助電容線沿所述數據線的延伸方向對稱分布。
8.如權利要求7所述的方法，其特徵在於，所述長形通孔沿所述數據線對稱，且所述長形通孔的長度大於位於同側邊上的沿所述數據線對稱分布的兩條輔助電容線之間的距離。
9.如權利要求6至8任一項所述的方法，其特徵在於，所述長形通孔為長度方向沿所述電容線延伸方向的矩形通孔。
10.如權利要求6所述的方法，其特徵在於，所述剪切所述切割部包括用雷射切割所述切割部。
全文摘要
本發明實施例公開了一種薄膜電晶體陣列基板及其製造方法，該薄膜電晶體陣列基板，包括多條相互平行的掃描線、多條與該掃描線垂直絕緣相交的數據線、任意兩條相鄰的掃描線與任意兩條相鄰的數據線界定的像素單元以及任意兩條相鄰的掃描線之間的電容線，其中，在電容線上具有沿所述電容線的延伸方向的長形通孔，所述長形通孔位於所述電容線與數據線的交叉處，在對應所述長形通孔的兩側孔壁處的電容線的兩側邊具有對稱分布的沿所述數據線的延伸方向延伸出的輔助電容線。採用本發明，可以在不增加輔助電容線製作難度的情況下，方便的將輔助電容與電容線之間的連接切割開。
文檔編號H01L21/77GK102385207SQ201110339469
公開日2012年3月21日 申請日期2011年11月1日 優先權日2011年11月1日
發明者張驄瀧 申請人:深圳市華星光電技術有限公司