雷射刻蝕加工用導電性糊劑、導電性薄膜以及導電性層積體的製作方法

2023-10-04 15:00:49 4

雷射刻蝕加工用導電性糊劑、導電性薄膜以及導電性層積體的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種適用於雷射刻蝕加工的雷射刻蝕加工用導電性糊劑，其可以低成本且低環境負荷地製造在以往的絲網印刷法中被認為是難以應對的L/S為50/50μm以下的高密度電極電路配線的雷射刻蝕加工。該雷射刻蝕加工用導電性糊劑含有由熱塑性樹脂所構成的粘合劑樹脂(A)、金屬粉(B)以及有機溶劑(C)，並使用該導電性糊劑以形成導電性薄膜、導電性層積體、電路以及觸摸面板。
【專利說明】雷射刻蝕加工用導電性糊劑、導電性薄膜從及導電性層積 體

【技術領域】
[0001] 本發明設及能夠製造平面方向的配置密度高的導電性圖案的導電性圖案的製造 方法，W及可適用於該製造方法的導電性糊劑。典型地說，本發明的導電性圖案可用於透明 觸摸面板的電極迴路配線。

【背景技術】
[0002] 近年，搭載著W行動電話、筆記本電腦、電子書等為代表的透明觸摸面板的電子器 械的高性能化與小型化正在急劇地發展。為了達到該些電子器械的高性能化與小型化，除 了要求所搭載的電子元件的小型化、高性能化、集成度的提高外，還要求該些將電子元件相 互連接的電極迴路配線的高密度化。作為透明觸摸面板的方式，除了電極迴路配線的數量 少的電阻膜方式外，近年來電極迴路配線的數量劇增的靜電容量方式的普及也在急速地推 進，就此觀點而言，強烈地要求電極迴路配線的高密度化。此外，為了將顯示畫面變得更大， W及由於商品設計上的要求，有想要將用來配置電極迴路配線的邊框部變得更窄的要求， 就此觀點而言，也要求電極迴路配線的高密度化。為了滿足W上要求，正在尋求可W實施超 過W往的電極迴路配線的高密度配置的技術。
[0003] 電阻膜方式的透明觸摸面板的邊框部分的電極迴路配線的配置密度如下；平面方 向的線與間距的寬度分別為200 ym( W下，簡稱為L/S = 200/200 ym) W上左右，W往，通 過導電性糊劑的絲網印刷而形成該樣的配置密度。如果是靜電容量方式的觸摸面板，則L/ S的要求為100/100 ym左右W下，進一步地也存在要求L/S為50/50 ym W下的情況，如果 採用絲網印刷的電極迴路配線形成技術則難W應對上述要求。
[0004] 作為代替絲網印刷的電極迴路配線形成技術的候補的一例，可W列舉為光刻法。 如果使用光刻法，則形成L/S為50/50 y m W下的細線也是非常可能的。但是，光刻法中也 存在技術問題。光刻法的最典型的事例是使用感光性光阻的手法，一般而言，在形成銅巧層 後的表面基板的銅巧部位上塗布感光性光阻，通過光掩模或雷射的直接描畫等的方法將所 希望的圖案曝光，W進行感光性光阻的顯影，之後通過使用化學品將所希望的圖案W外的 銅巧部位溶解並去除，W形成銅巧的細線圖案。因此，因為廢液處理而環境負荷大，並且工 序煩雜，從生產效率的觀點、成本的觀點還存在諸多課題。 現有技術文獻 專利文獻
[0005] 專利文獻1 ;日本專利特開2010-237573號公報 專利文獻2 ;日本專利特開2011-181338號公報


【發明內容】
發明要解決的問題
[0006] 本發明的目的在於提供，可低成本且低環境負荷地製造通過絲網印刷法難W應對 的L/S為50/50 ym W下的高密度電極迴路配線。此外，還在於提供可適用於該樣的製造方 法的導電性糊劑。 解決問題的手段
[0007] 本發明人針對在平面方向上高密度地配置電極迴路配線的製造方法進行了深入 研究，結果發現；在絕緣性基材上形成由粘合劑樹脂與導電粉體所構成的層，通過利用雷射 照射將它的一部分從絕緣性基材上去除，從而可W製造通過絲網印刷法難W實現的L/S為 50/50 ym W下的高密度電極迴路配線。此外，還發現了適合於形成與該種製造方法相適的 形成由粘合劑樹脂與導電粉體所構成的層的導電性糊劑。目P，本申請發明由W下的構件組 成的技術方案。 (1) 一種雷射刻蝕加工用導電性糊劑，其含有由熱塑性樹脂所構成的粘合劑樹脂（A)、 金屬粉炬）W及有機溶劑（C)。 (2) 根據（1)所述的雷射刻蝕加工用導電性糊劑，其特徵在於，所述粘合劑樹脂（A)是 數均分子量為5, 000?60, 000且玻璃化轉變溫度為60?100°C的熱塑性樹脂。 做根據（1)或似所述的雷射刻蝕加工用導電性糊劑，其特徵在於，所述粘合劑樹脂 (A)是選自由聚醋樹脂、聚氨醋樹脂、環氧樹脂、氯己締樹脂、纖維素衍生物樹脂組成的組中 的1種或2種W上的混合物。 (4)根據（1)或似所述的雷射刻蝕加工用導電性糊劑，其特徵在於，所述粘合劑樹脂 (A)是選自由酸值50?300當量/l〇6g的聚醋樹脂W及酸值50?300當量/l〇6g的聚氨 醋樹脂組成的組中的1種或2種W上的混合物。 妨根據（1)?（4)中任一項所述的導電性雷射刻蝕加工用導電性糊劑，其特徵在於， 進一步地含有雷射吸收劑值）。 做一種導電性薄膜，其是由（1)?妨中任一項所述的雷射刻蝕加工用導電性糊劑所 形成。 (7) -種導電性層積體，其是層積（6)所述的導電性薄膜與基材而成。 (8) 根據（7)所述的導電性層積體，其特徵在於，所述基材具有透明導電性層。 (9) 一種電路，其是使用（6)所述的導電性薄膜、或者（7)或（8)所述的導電性層積體 而成。 (10) -種電路，其具有配線部位，所述配線部位是通過在（6)所述的導電性薄膜的一 部分上照射選自二氧化碳雷射、YAG雷射、光纖雷射W及半導體雷射的雷射，從而去除所述 導電性薄膜的一部分而形成的。 (11) 根據（9)所述的電路，其特徵在於，所述導電性薄膜形成於透明導電性層上。 (12) -種觸摸面板，其包含巧）?（11)中任一項所述的電路作為構成構件。 發明效果
[000引本發明的導電性糊劑是含有由熱塑性樹脂構成的粘合劑樹脂（A)、金屬粉炬）W 及有機溶劑（C)的導電性糊劑，通過採用該種構成，可形成雷射刻蝕加工適宜性優異，且即 使在雷射刻蝕加工後對基材的初始W及溼熱環境負荷後的密合性優異的導電性薄膜。另 夕F，此處雷射刻蝕加工適宜性優異是指，利用雷射刻蝕加工使導電性薄膜的至少一部分從 基材剝離，並使之形成L/S = 30/30 ym左右的細線時，滿足；1)確保細線兩端間的導通；2) 確保相鄰細線間的絕緣；3)細線形狀良好；該樣3個條件。此外，相比於不含有雷射吸收劑 值）的導電性糊劑，本發明的實施方式的含有雷射吸收劑值）的導電性糊劑對於雷射照射 的靈敏度變高，所W能夠發揮提高雷射掃描速度、降低雷射輸出等更優異的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] [圖1]是表示在本發明的實施例、比較例中使用的雷射刻蝕加工適宜性評價試驗 片上照射雷射的圖案的示意圖。在白色部位上照射雷射，W去除基材上所形成的導電性薄 膜。網點部位上不照射雷射。圖中的尺寸表示的單位為mm。 符號的說明 la、2a、3a、4a ；端子 la、2a、3a、4a 化、2b、3b、4b ;細線化、2b、3b、4b lc、2c、3c、4c ;端子 lc、2c、3c、4c 5 ;雷射刻蝕加工適應性評價試驗片上所形成的圖案

【具體實施方式】
[0010] 《構成本發明的導電性糊劑的成分》 本發明中的雷射刻蝕加工用導電性糊劑是含有由熱塑性樹脂所構成的粘合劑樹脂 (A)、金屬粉炬）W及有機溶劑（C)作為必要成分。
[0011] 粘合劑樹脂（A)的種類是熱塑性樹脂即可，並無特別的限定，可W列舉為：聚醋樹脂、 環氧樹脂、苯氧基樹脂、聚酷胺樹脂、聚酷胺酷亞胺樹脂、聚碳酸醋樹脂、聚氨醋樹脂、酪醒 樹脂、丙締酸樹脂、聚苯己締、苯己締-丙締酸樹脂、苯己締-了二締共聚物、酪醒樹脂、聚己 締系樹脂、聚碳酸醋系樹脂、酪醒樹脂、醇酸樹脂、苯己締-丙締酸樹脂、苯己締-了二締共 聚樹脂、聚諷樹脂、聚離諷樹脂、氯己締-醋酸己締共聚樹脂、己締-醋酸己締共聚、聚苯己 締、娃樹脂、氣系樹脂等，該些樹脂可單獨地或作為2種W上的混合物使用。優選地，選自由 聚醋樹脂、聚氨醋樹脂、環氧樹脂、氯己締樹脂、纖維素衍生物樹脂組成的組中1種或2種W 上的混合物。此外，該些樹脂當中，優選含有聚醋樹脂和/或聚醋成分作為共聚成分的聚氨 醋樹脂（W下，有時稱為聚醋聚氨醋樹脂）作為粘合劑樹脂（A)。
[0012] 使用聚醋樹脂作為本發明中的粘合劑樹脂（A)的優點之一在於分子設計的自由 度高。選定構成聚醋樹脂的二元駿酸和二元醇成分，可自由地使共聚成分變化，此外，也容 易在分子鏈中或分子末端連接官能團。因此，可W適宜地調整所得的聚醋樹脂的玻璃化轉 變溫度、與在基材和導電性糊劑中混合的其它成分的親和性等樹脂特性。
[0013] 作為可W用於本發明的粘合劑樹脂（A)中使用的聚醋樹脂的共聚成分的二元駿 酸的例子，可W列舉出：對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2, 6-蒙二駿酸等芳香族二 元駿酸；班巧酸、戊二酸、己二酸、癸二酸、十二燒二駿酸、壬二酸等脂肪族二元駿酸；二聚 酸等碳原子數12?28的二元酸、1，4-環己燒二駿酸、1，3-環己燒二駿酸、1，2-環己燒二駿 酸、4-甲基六氨鄰苯二甲酸酢、3-甲基六氨鄰苯二甲酸酢、2-甲基六氨鄰苯二甲酸酢、二駿 基氨化雙酪A、二駿基氨化雙酪S、二聚酸、氨化二聚酸、氨化蒙二駿酸、=環癸燒二駿酸等 脂環族二元駿酸；哲基苯甲酸、乳酸等哲基駿酸。此外，在不損害發明的效果的範圍內，也可 並用偏苯=酸酢、苯均四酸酢等=元W上的駿酸，富馬酸等不飽和二元駿酸和/或5-橫基 間苯二甲酸鋼等含橫酸金屬鹽基團的二元駿酸作為共聚成分。
[0014] 作為可W用於本發明的粘合劑樹脂（A)中使用的聚醋樹脂的共聚成分的多元醇 的例子，可W列舉出：己二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-了二醇、1,5-戊二醇、新戊二醇、 1，6-己二醇、3-甲基-1，5-戊二醇、2-甲基-1，5-戊二醇、2-甲基-1，3-丙二醇、2, 2-二 己基-1，3-丙二醇、2- 了基-2-己基-1，3-丙二醇、1，9-壬二醇、1，10-癸二醇等脂肪族二 元醇、1,4-環己燒二甲醇、1,3-環己燒二甲醇、1,2-環己燒二甲醇、二聚物二醇等脂環族二 元醇。此外，在不損害發明的效果的範圍內，也可W並用S哲甲基己燒、S哲甲基丙燒、丙S 醇、季戊四醇、聚丙=醇等=元W上的多元醇作為共聚成分。
[0015] 可作為本發明中的粘合劑樹脂（A)使用的聚醋樹脂，就強度或耐熱性、耐溼性、W 及耐熱衝擊性等耐久性等的觀點而言，構成所述聚醋樹脂的全部酸成分之中，芳香族二元 駿酸的共聚比率優選60摩爾％ ^上，更優選為80摩爾％ ^上，進一步地優選為90摩爾％ W上，特別地優選為98摩爾％ ^上。全部酸成分皆由芳香族二元駿酸構成是優選的實施方 式。如果芳香族二元駿酸成分的共聚比率過低，則所得的聚醋樹脂的玻璃化轉變溫度將變 成低於60°C，且所得的導電性薄膜的耐溼熱性、耐久性傾向於降低。
[0016] 可作為本發明中粘合劑樹脂（A)使用的聚醋樹脂，就強度或耐熱性、耐溼性、W及 耐熱衝擊性等耐久性等的觀點而言，構成所述聚醋樹脂的全部多元醇之中，主鏈的碳原子 數為4 W下的二元醇優選為60摩爾％ ^上，更優選為80摩爾％ ^上，進一步地優選為95 摩爾％^上。全部多元醇成分之中，如果主鏈的碳原子數為4 W下的二元醇的共聚比率過 低，則所得的聚氨醋樹脂的玻璃化轉變溫度將變為低於60°C，且所得的導電性薄膜的耐溼 熱性、耐久性傾向於降低。
[0017] 使用聚氨醋樹脂作為本發明中的粘合劑樹脂（A)也是優選的實施方式。與聚醋樹 脂的情況相同，至於聚氨醋樹脂，也可通過選定適當的成分作為構成聚氨醋樹脂的共聚成 分，並在分子鏈中或分子末端連接官能團，從而可W適當地調整玻璃化轉變溫度、與基材和 導電性糊劑中混合的其它成分的親和性等樹脂特性。
[0018] 至於聚氨醋樹脂的共聚成分雖然也並無特別地限定，但就設計的自由度或耐溼熱 性、耐久性的維持的觀點而言，優選為將聚醋多元醇用作共聚成分的聚醋聚氨醋樹脂。作為 所述聚醋多元醇的合適的例子，上述可W用作本發明的粘合劑樹脂（A)的聚醋樹脂之中， 可W列舉多元醇。
[0019] 可作為本發明中的粘合劑樹脂（A)使用的聚氨醋樹脂，例如，可通過多元醇與聚 異氯酸醋的反應而獲得。作為可作為上述聚氨醋樹脂的共聚成分使用的聚異氯酸醋，可W 例舉為；2, 4-甲苯二異氯酸醋、2, 6-甲苯二異氯酸醋、對苯二異氯酸醋、4, 4' -二苯基甲燒 二異氯酸醋、間苯二異氯酸醋、3, 3' -二甲氧基-4, 4' -聯苯二異氯酸醋、2, 6-蒙二異氯酸 醋、3, 3' -二甲基-4, 4' -聯苯二異氯酸醋、4, 4' -二苯基二異氯酸醋、4, 4' -二異氯酸醋二 苯基離、1,5-蒙二異氯酸醋、間二甲苯二異氯酸醋、異佛爾酬二異氯酸醋、四亞甲基二異氯 酸醋、六亞甲基二異氯酸醋、甲苯二異氯酸醋等，也可W是芳香族二異氯酸醋、脂肪族二異 氯酸醋W及脂環族二異氯酸醋中的任一種。此外，在不損害本發明的效果的範圍內，可W並 用=價W上的異氯酸醋化合物作為共聚成分。
[0020] 在作為本發明中的粘合劑樹脂（A)使用的聚氨醋樹脂中，視需要可共聚具有能與 異氯酸醋反應的官能團的化合物。作為能與異氯酸醋反應的官能團，優選哲基和胺基，既 可具有其中的任一種，也可具有兩種。作為其具體例子，可w列舉為；二哲甲基了酸、二哲 甲基丙酸、1,2-丙二醇、1,2-了二醇、1,3-了二醇、2, 3-了二醇、2, 2-二甲基-1,3-丙二 醇、3-甲基-1,5-戊二醇、2, 2,4-S甲基-1,3-戊二醇、2-己基-1,3-己二醇、2, 2-二甲 基-3-哲基丙基-2'，2'-二甲基-3'-哲基丙酸醋、2-正了基-2-己基-1，3-丙二醇、3-己 基-1, 5-戊二醇、3-丙基-1, 5-戊二醇、2, 2-二己基-1, 3-丙二醇、3-辛基-1, 5-戊二醇、 3-苯基-1,5-戊二醇、2, 5-二甲基-3-鋼橫基-2, 5-己二醇、二聚二醇（例如，化ichema International (工二個7 ? ^シク一ナシ^ナjレ）公司制PRIP00L-2033)等每1分子中 具有2個哲基的化合物；=哲甲基己燒、=哲甲基丙燒、丙=醇、季戊四醇、聚丙=醇等每1 分子中具有3個W上的哲基的醇；單己醇胺、二己醇胺、=己醇胺等每1分子中具有1個W 上的哲基與胺基的氨基醇；己二胺、1, 6-己二胺、1, 8-辛二胺、1, 9-壬二胺、1, 10-癸二胺、 1，11-^^一燒二胺、1，12-十二燒二胺等脂肪族二胺或間二甲苯二胺；4, 4' -二氨基二苯基 甲燒、3, 4' -二氨基二苯基離、4, 4' -二氨基二苯基離等芳香族二胺等每1分子中具有2個 胺基的化合物。上述數均分子量小於1，000的每1分子中具有2個W上能與異氯酸醋反應 的官能團的化合物，既可W單獨使用，即便多個並用也沒有任何問題。
[0021] 本發明中的粘合劑樹脂（A)的數均分子量並無特別的限定，但優選數均分子量為 5, 000?60, 000。如果數均分子量過低，則所形成的導電性薄膜的耐久性、耐溼熱性方面並 不理想。另一方面，如果數均分子量過高，則雖然樹脂的凝聚力（凝集力）增大、作為導電 性薄膜的耐久性等提高，但是雷射刻蝕加工適宜性顯著惡化。
[0022] 本發明中的粘合劑樹脂（A)的玻璃化轉變溫度優選為60°CW上，更優選為65°C W上。如果玻璃化轉變溫度低，則雖然存在雷射刻蝕加工適宜性提高的情況，但存在作為 導電性薄膜的溼熱環境可靠性下降的擔屯、，此外，引發表面硬度降低，且因粘著性ッ夕 性）而在製造工序和/或使用時產生含糊劑成分向接觸對象側轉移，而有導電性薄膜可靠 性降低的擔屯、。另一方面，如果考慮印刷性、密合性、溶解性、糊劑粘度、W及雷射刻蝕加工 適宜性等，則本發明所用的粘合劑樹脂（A)的玻璃化轉變溫度優選為15(TCW下，更優選為 120°CW下，進一步地優選為l〇〇°CW下。
[0023] 本發明中的粘合劑樹脂（A)的酸值雖並無特別的限定，但通過具有特定範圍的酸 值，而存在可使對基材的密合性顯著提高的情況。在導電性薄膜的雷射刻蝕加工時，雖然有 時存在雷射照射部位周邊的溫度上升而導電性薄膜與基材的密合性下降的情況，但作為粘 合劑樹脂（A)，通過使用具有特定範圍的酸值的粘合劑樹脂，從而有時也存在可抑制密合性 下降的情況。粘合劑樹脂（A)的酸值優選為50?350eq/ton，更優選為100?250eq/ton。 如果酸值過低，則存在所形成的導電性薄膜與基材間的密合性變低的傾向。另一方面，如果 酸值過高，則不僅所形成的導電性薄膜的吸水性變高，而且因通過駿基而產生的催化作用 而存在促進粘合劑樹脂的水解的可能性，而有導致導電性薄膜的可靠性降低的傾向。
[0024] 作為本發明所用的金屬粉炬)，可W列舉為：銀粉、金粉、銷粉、鈕粉等貴金屬粉；銅粉、 鑲粉、侶粉、黃銅粉等賤金屬粉；用銀等貴金屬鍛層或合金化後的賤金屬粉等。該些金屬粉 可W單獨使用，此外也可並用。其中，如果考慮導電性、穩定性、成本等，則優選為銀粉單獨 或W銀粉為主體。
[0025] 本發明所用的金屬粉炬）的形狀雖並無特別的限定。作為W往所公知的金屬粉 的形狀的例子，有薄片狀（鱗片狀）、球狀、樹枝狀（樹枝晶狀）、日本專利特開平9-306240 號公報所記載的球狀的1次粒子凝集成=維形狀後的形狀（凝集狀）等，其中，優選使用球 狀、凝集狀W及薄片狀的金屬粉。
[0026] 本發明所用的金屬粉做的中屯、徑值50)優選為4 ymW下。通過使用中屯、徑為 下的金屬粉炬)，從而雷射刻蝕加工部位的細線形狀傾向變得良好。在使用中屯、徑 大於4 ym的金屬粉的情況下，雷射刻蝕加工後的細線形狀變差，結果引起細線彼此之間接 觸，有導致短路的可能性。進一步地，使用雷射刻蝕加工，有曾經剝離?去除後的導電性薄膜 再次附著於加工部位的可能性。金屬粉炬）的中屯、徑的下限雖並無特別的限定，但從成本 的觀點、W及粒徑如變細則容易凝集，結果導致分散變得困難，所W中屯、徑優選為80nmW 上。如果中屯、徑變為小於80nm，則除了金屬粉的凝聚力增力日、雷射刻蝕加工適宜性惡化外， 從成本的觀點而言也不理想。
[0027] 另外，中屯、徑值50)是指，在通過任意測定方法而獲得的累積分布曲線（體積） 中，其累積值變為50%的粒徑（ym)。本發明中，通過使用雷射衍射散射式粒徑分布測定裝 置（日機裝株式會社制、MICROTRAC HRA)並W全反射模式測定累積分布曲線。
[002引金屬粉炬）的含量，其就所形成的導電性薄膜的導電性良好的觀點而言，W熱塑 性樹脂（A) 100質量份為基準，優選為400質量份W上，更優選為560質量份W上。此外，炬） 成分的含量，其就與基材間的密合性上良好的觀點而言，W熱塑性樹脂（A) 100質量份為基 準，優選為1，900質量份W下，更優選為1，230質量份W下。
[0029] 可用於本發明的有機溶劑（C)雖並無特別的限定，但就將有機溶劑的揮發速度保持 在適當的範圍的觀點而言，優選沸點為l〇〇°CW上、小於300°c，更優選沸點為150°CW上、 小於28(TC。典型地，本發明的導電性糊劑是使用=漉研磨機等將熱塑性樹脂（A)、金屬粉 炬)、有機溶劑（C) W及視需要的其它的成分分散而製作，此時如果有機溶劑的沸點過低， 則分散中溶劑揮發，而有構成導電性糊劑的成分比發生變化的憂慮。另一方面，如果有機溶 劑的沸點過高，則根據乾燥條件而有溶劑在塗膜中大量殘留的可能性，從而有引起塗膜的 可靠性降低的憂慮。
[0030] 此外，作為可用於本發明的有機溶劑（C)，優選熱塑性樹脂（A)可溶且可使金屬粉 炬）良好地分散的有機溶劑。具體例子，可W列舉為；二己二醇單己基離醋酸醋巧DGAC)、 己二醇單了基離醋酸醋炬MGAC)、二己二醇單了基離醋酸醋炬DGAC)、環己酬、甲苯、異佛爾 酬、丫- 了內醋、苯甲醇、Exxon化學公司制的Solvesso 100,150, 200、丙二醇單甲基離醋酸 醋、己二酸、班巧酸W及戊二酸的二甲醋的混合物（例如，D證ont股份公司制DB巧、松油醇 等，其中，就熱塑性樹脂（A)的配比成分的溶解性優異、連續印刷時的溶劑揮發性適度，且 對使用絲網印刷法等印刷的適宜性良好的觀點而言，優選邸GAC、BMGAC、抓GAC W及它們的 混合溶劑。
[0031] 作為有機溶劑（C)的含量，W糊劑全部重量100重量份為基準，優選為5重量份W 上、40重量份W下，進一步地優選為10重量份W上、35重量份W下。如果有機溶劑（C)的含 量過高，則糊劑粘度將變得過低，細線印刷時傾向變得容易發生滴落。另一方面，如果有機 溶劑（C)的含量過低，則除了作為糊劑的粘度變得極高，使之形成導電性薄膜時例如絲網 印刷性顯著下降之外，還有所形成的導電性薄膜的膜厚變厚，雷射刻蝕加工性降低的情況。
[0032] 本發明的導電糊劑中，也可混合雷射吸收劑值）。此處，雷射吸收劑值）是指，對雷射的 波長具有強吸收的添加劑，雷射吸收劑值）本身即可W是導電性也可W是非導電性。例如， 在使用基本波的波長為l〇64nm的YAG雷射作為光源的情況下，可W將使用在波長l〇64nm 處具有強吸收的染料和/或顏料作為雷射吸收劑值）。通過混合雷射吸收劑值)，從而本發 明的導電性薄膜高效地吸收雷射，並促進通過發熱而引起的粘合劑樹脂（A)的揮發或熱分 解，其結果提高雷射刻蝕加工適宜性。
[0033] 可用於本發明的雷射吸收劑值）當中，作為具有導電性的雷射吸收劑的例子，可 W列舉為：炭黑、石墨粉等碳系填料。碳系填料的混合也有提高本發明的導電性薄膜導電 性的效果，可W期待W下的效果；例如，因炭黑在lOeOnm附近具有吸收波長，所W如果照射 YAG雷射、光纖雷射等1064nm的波長的雷射，則因導電性薄膜高效地吸收雷射而對雷射照 射的靈敏度高，即使是在提高雷射照射的掃描速度的情況和/或雷射源為低功率（低出力） 的情況下，也可W獲得良好的雷射刻蝕加工適宜性。作為所述碳系填料的含量，W金屬粉 炬）100重量份為基準，優選為0. 1?5重量份，更優選為0. 3?2重量份。碳系填料的混合 比率過低的情況下，提高導電性的效果W及提高對雷射照射的靈敏度的效果小。另一方面， 碳系填料的混合比率過高的情況下，導電性薄膜的導電性傾向於降低，進一步地，也有樹脂 向碳的空隙部位吸附，有時也產生與基材的密合性降低的問題。
[0034] 可用於本發明的雷射吸收劑值）當中，作為非導電性的雷射吸收劑的例子，可W 列舉為；W往公知的染料、顏料W及紅外線吸收劑。更具體地說，可W列舉為：偶氮染料、 金屬絡鹽偶氮染料、化挫咐酬偶氮染料、蒙釀染料、慈釀染料、獻菁染料、碳鐵染料、釀亞胺 染料、次甲基染料、花青染料、方酸菁色素、化喃鐵鹽、金屬硫醇鹽絡合物等染料；作為顏料， 黑色顏料、黃色顏料、橘色顏料、褐色顏料、紅色顏料、紫色顏料、藍色顏料、綠色顏料、巧光 顏料、金屬粉顏料、W及聚合物結合色素。具體地說，可W使用；不溶性偶氮顏料、偶氮色 澱顏料、縮合偶氮顏料、馨合物偶氮顏料、獻菁系顏料、慈釀系顏料、巧W及紫環酬系顏料、 硫說系顏料、嗟町晚酬系顏料、二惡嗦系顏料、異嘲噪咐系顏料、嗟化酬系顏料、染色澱顏 料（染付Wk-豐顔料）、日丫嗦顏料、亞硝基顏料、硝基顏料、天然顏料、巧光顏料、無機顏 料。作為紅外線吸收劑的例子，可W列舉為：二亞錠鹽型的紅外線吸收劑的NIR-IM1、錠鹽 型的NIR-AM1 (均是化gase化emtex公司制）。優選地，含有該些非導電性的雷射吸收劑 值)0.01?5重量份，優選0.1?2重量份。非導電性的雷射吸收劑值）的混合比率過低的 情況下，提高對雷射照射的靈敏度的效果小。非導電性的雷射吸收劑值）的混合比率過高 的情況下，有導電性薄膜的導電性降低的擔憂，此外雷射吸收劑的色調變得顯著，有時存在 對用途而言不理想的情況。
[0035] 本發明的導電性糊劑中，可W添加下述的無機物。作為無機物，可W使用；碳化娃、 碳化棚、碳化鐵、碳化錯、碳化給、碳化飢、碳化粗、碳化魄、碳化鶴、碳化銘、碳化鋼、碳化巧、 金剛石碳內酷胺等各種碳化物；氮化棚、氮化鐵、氮化錯等各種氮化物、棚化錯等各種棚化 物；氧化鐵（二氧化鐵）、氧化巧、氧化儀、氧化鋒、氧化銅、氧化侶、氧化娃、膠態氧化娃等 各種氧化物；鐵酸巧、鐵酸儀、鐵酸鎖等各種鐵氧化合物；二硫化鋼等硫化物；氣化儀、氣化 碳等各種氣化物；硬脂酸侶、硬脂酸巧、硬脂酸鋒、硬脂酸儀等各種金屬皂；W及滑石、膨潤 ±、滑石（《夕）、碳酸巧、膨潤±、高嶺±、玻璃纖維、雲母等。通過添加該些無機物，有時 能夠使印刷性或耐熱性提高、進一步地使機械特性或長期耐久性提高。其中，在本發明的導 電性糊劑中，就賦予耐久性、印刷適宜性、特別是絲網印刷適宜性的觀點而言，優選氧化娃。
[0036] 此外，本發明的導電性糊劑中，可炒混合；觸變性賦予劑、消泡劑、阻燃劑、增粘劑、 水解防止劑、流平劑、增塑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、阻燃劑、顏料、染料。進一步地，作為 樹脂分解抑制劑，可W適當地混合碳二酷亞胺、環氧化物等。它們既可W單獨使用也可W並 用。
[0037] 本發明的導電性糊劑中，也可W在不損害本發明效果的程度上混合能與粘合劑樹脂 (A)反應的固化劑。通過混合固化劑，雖然有固化溫度變高，生產工序的負荷增加的可能性， 但是，由於塗膜乾燥時或雷射刻蝕時所產生的熱而產生的交聯，可W期待塗膜的耐溼熱性 提局。
[003引能與本發明的粘合劑樹脂（A)反應的固化劑，其種類雖並無限定，就密合性、耐彎 曲性、固化性等而言，特別地優選異氯酸醋化合物。進一步地，如果使用異氯酸醋基封端的 化合物作為該些異氯酸醋化合物，則儲存穩定性提高，故而優選。作為異氯酸醋化合物W外 的固化劑，可W列舉為：甲基化=聚氯胺、了基化=聚氯胺、苯並脈胺、脈樹脂等氨基樹脂、 酸酢、咪挫類、環氧樹脂、酪醒樹脂等公知的化合物。該些固化劑中，也可W並用視其種類而 選擇的公知的催化劑或促進劑。作為固化劑的混合量，在不損害本發明的效果的程度下混 合，雖並無特別的限定，但W粘合劑樹脂（A) 100質量份為基準，優選為0. 5?50質量份，更 優選為1?30質量份，進一步地優選為2?20質量份。
[0039] 作為可在本發明的導電性糊劑中混合的異氯酸醋化合物的例子，有芳香族或脂肪 族的二異氯酸醋、3價W上的聚異氯酸醋等，也可W是低分子化合物、高分子化合物的任一 種。例如，可W列舉為；四亞甲基二異氯酸醋、六亞甲基二異氯酸醋等脂肪族二異氯酸醋； 甲苯二異氯酸醋、二苯基甲燒二異氯酸醋、二甲苯二異氯酸醋等芳香族二異氯酸醋；氨化二 苯基甲燒二異氯酸醋、氨化二甲苯二異氯酸醋、二聚酸二異氯酸醋、異佛爾酬二異氯酸醋等 脂環族二異氯酸醋；或該些異氯酸醋化合物的=聚物、W及該些異氯酸醋化合物的過剩量 與例如己二醇、丙二醇、S哲甲基丙燒、丙S醇、山梨糖醇、己二胺、單己醇胺、二己醇胺、S 己醇胺等低分子活性氨化合物或各種聚醋多元醇類、聚離多元醇類、聚酷胺類高分子活性 氨化合物等反應而獲得的含有末端異氯酸醋基的化合物。此外，作為異氯酸醋基的封端劑， 可W列舉為：例如，苯酪、苯硫酪、甲基苯硫酪、己基苯硫酪、甲酪、二甲苯酪、間苯二酪、硝 基苯酪、氯苯酪等苯酪類；丙酬朽、甲己酬朽、環己酬朽等朽類；甲醇、己醇、丙醇、了醇等醇 類；氯己醇、1，3-二氯-2-丙醇等面素取代醇類；叔了醇、叔戊醇等叔醇類；e -己內酷胺、 5-戊內酷胺、丫-了內酷胺、0-丙內酷胺等內酷胺類，此外，也可列舉為：芳香族胺類、酷 亞胺類、己酷丙酬、己酷己酸醋、丙二酸己醋等活性亞甲基化合物；硫醇類、亞胺類、咪挫類、 脈類、二芳基化合物類、亞硫酸氨鋼等。其中，從固化性來看，特別地優選為朽類、咪挫類、胺 類。
[0040] 《本發明的導電性糊劑所要求的物性》
[0041] 本發明的導電性糊劑，其F值優選為60?95%，更優選為75?95%。F值是指， W糊劑中所含有的全部固體成分100質量份為基準，表示填料質量份的數值，W F值=(填 料質量份/固體成分質量份）X 100表示。此處所謂的填料質量份是指導電性粉末的質量 份；固體成分質量份是指溶劑w外的成分的質量份，包括所有導電性粉末、粘合劑樹脂、其 它的固化劑或添加劑。如果F值過低，則無法獲得展現良好導電性的導電性薄膜，如果F值 過高，則導電性薄膜與基材間的密合性和/或導電性薄膜的表面硬度傾向於降低，也無法 避免印刷性的降低。此外，此處的導電性粉末是指，由金屬粉炬）W及非金屬所構成的導電 性粉末的雙方。
[0042] 《本發明的導電性糊劑的製造方法》 本發明的導電性糊劑，如上所述，可W使用=漉研磨機等將熱塑性樹脂（A)、金屬粉 炬)、有機溶劑（C) W及視需要的其它成分進行分散而製作。此處，展示更具體的製作步驟。 首先，將熱塑性樹脂（A)溶解於有機溶劑（C)中。然後，添加金屬粉炬)，及視需要添加添加 劑，並使用雙行星式攬拌器（父y -）或溶解器、行星式的攬拌器等實施預分 散。隨後，使用=漉研磨機進行分散，從而獲得導電性糊劑。如此獲得的導電性糊劑可視需 要進行過濾。即使使用其它的分散器，例如；珠磨、捏合機、擠出機等來進行分散也沒有任何 問題。
[0043] 《本發明的導電性薄膜、導電性層積體W及它們的製造方法》 將本發明的導電性糊劑塗布或印刷於基材上W形成塗膜，然後通過使塗膜中含有的有 機溶劑（C)揮發而使塗膜乾燥，從而可W形成本發明的導電性薄膜。將導電性糊劑塗布或 印刷在基材上的方法雖並無特別地限定，但優選使用絲網印刷法來印刷，因為絲網印刷法 工序簡便，而且在使用導電性糊劑形成電路的業界中絲網印刷法是普及的技術。此外，將導 電性糊劑塗布或印刷於比最終作為電路所必須的導電性薄膜部位寬些許的部位上，就更有 效地降低雷射刻蝕工序的負荷W及形成本發明的電路的觀點而言優選。
[0044] 作為塗布本發明的導電性糊劑的基材，優選使用尺寸穩定性優異的材料。例如，可 W列舉為：由聚對苯二甲酸己二醋、聚蒙二甲酸己二醋、對苯二甲酸了二醋或聚碳酸醋等可 提性優異的材料所構成的薄膜。此外，玻璃等無機材料也可W作為基材使用。基材的厚度 雖無特別地限定，但優選為50?350 ym，從形成圖案材料的機械特性、形狀穩定性或操作 性等觀點而言，更優選為100?250 y m。
[0045] 此外，通過對塗布本發明的導電性糊劑的基材的表面進行物理處理和/或化學處 理，可W提高導電性薄膜與基材的密合性。作為物理處理的方法的例子，可W列舉為：噴砂 法、噴射含有微粒子的液體的溼式噴射法、電暈放電處理法、等離子體處理法、紫外線或真 空紫外線照射處理法等。此外，作為化學處理方法的例子，可W列舉為；強酸處理法、強鹼處 理法、氧化劑處理法、偶聯劑處理法等。
[0046] 此外，所述基材也可W是具有透明導電性層的基材。可W將本發明的導電性薄膜 層積於透明導電性層上。所述透明導電性層的材料並無特別地限定，例如，可W列舉為；W 氧化銅?錫為主成分形成的ITO膜。此外，透明導電性層不僅可形成於基材整面之上，還可 使用通過刻蝕等W去除透明導電性層的一部分。
[0047] 揮發有機溶劑（C)的工序優選在常溫下和/或加熱下進行。加熱的情況下，因幹 燥後的導電性薄膜的導電性或密合性、表面硬度變為良好，所W加熱溫度優選為80°C W上， 更優選為l〇〇°C W上，進一步地優選為ll〇°C W上。此外，就底材的透明導電性層的耐熱性、 W及生產工序中的節能的觀點而言，加熱溫度優選為150°C W下，更優選為135°C W下，進 一步地優選為130°CW下。在本發明的導電性糊劑中混合有固化劑的情況下，如果在加熱下 進行使有機溶劑（c)揮發的工序，則將進行固化反應。
[0048] 本發明的導電性薄膜的厚度根據使用的用途而設定成適當的厚度即可。但是就幹 燥後的導電性薄膜的導電性良好的觀點，與雷射刻蝕加工適宜性良好的觀點而言，導電性 薄膜的膜厚優選為3 y m W上、30 y m W下，更優選為5 y m W上、20 y m W下。如果導電性薄 膜的膜厚過薄，則有不能獲得作為電路所希望的導電性的可能性。如果膜厚過厚，則雷射刻 蝕加工所需的照射量將變得過大，有時存在對基材造成損害的情況。此外，如果膜厚的偏差 大，則會在導電性薄膜被刻蝕容易度上產生偏差，傾向於容易產生因刻蝕不足而造成線路 間的短路或因刻蝕過度而造成的斷線。因此，膜厚的偏差小的話為好。
[0049] 《本發明的電路W及其製造方法》
[0化0] 在被雷射照射吸收的部位，雷射的能量被轉化為熱，由於溫度上升而產生熱分解 和/或揮發，從而剝離?去除照射部位。為了高效地從基材去除本發明的導電性薄膜中被 雷射照射的部位，優選地，本發明的導電性薄膜對照射雷射的波長具有強吸收。因此，作為 雷射種類，優選在構成本發明的導電性薄膜的任一種成分具有強吸收的波長範圍內具有能 量的雷射種類。
[0化1] 作為一般的雷射種類，可W列舉為：準分子雷射（基本波的波長為193?308nm)、 YAG雷射（基本波的波長為1064nm)、光纖雷射（基本波的波長為lOeOnm)、C〇2雷射（基本 波的波長為lOeOOnm)、半導體雷射等，基本上無論使用何種方式、何種波長的雷射都沒有任 何問題。通過選擇可照射與導電性薄膜的任一構成成分的吸收波長範圍一致且基材強不 具有強吸收的波長的雷射種類，從而可有效地進行雷射照射部位的導電性薄膜的去除，且 避免基材的損害。就此類觀點而言，作為照射的雷射種類，其基本波的波長優選在532? 10700nm的範圍內。例如，在使用聚醋薄膜、聚醋薄膜上形成IT0層的透明導電性層積體、 或、聚醋薄膜上形成IT0層並通過刻蝕W去除其一部分後的層積體作為基材的情況下，使 用YAG雷射或光纖雷射，就因基材對基本波的波長不具有吸收而難W對基材造成損害的觀 點而言特別地優選。
[0化2] 雷射功率（k 一子一出力）、Q調製頻率並無特別的限定，調節至：可去除雷射照射 部位的導電性薄膜、且底材的基材沒有損傷。一般而言，優選地，雷射功率在0. 5?100W、Q 調製頻率10?400曲Z的範圍內進行適當地調節。如果雷射功率過低，則導電性薄膜的去 除傾向於變得不充分，但通過降低雷射的掃描速度或增加掃描次數可某種程度地迴避該樣 的傾向。如果雷射功率過高，則因從照射部分的熱擴散而導致導電性薄膜被剝離的部位變 得比雷射光束徑大很多，有線寬變得過細或斷線的可能性。
[0化3] 雷射的掃描速度，就因工時夕h《^厶）減少而生產效率提高的觀點而言 越高越好，具體地說，優選為lOOOmm/s W上，更優選為1500mm/s W上，進一步地優選為 2000mm/s W上。如果掃描速度過慢，則不僅生產效率會降低，而且導電性薄膜W及基材會有 因熱經歷而遭受損害的擔憂。加工速度的上限雖並無特別地限定，但如果掃描速度過高，貝U 雷射照射部位的導電性薄膜的去除變得不完全而有電路短路的可能性。此外，如果掃描速 度過快，則在形成的圖案的轉角部位與直線部位相比較而言，無法避免掃描速度減速，所W 轉角部位的熱經歷與直線部位相比變高，有轉角部位的雷射刻蝕加工部位周邊的導電性薄 膜的物性顯著降低的擔憂。
[0化4] 雷射掃描可W移動雷射的發射體、移動被照射雷射的被照射體、或兩者組合的任 一種皆可，例如，可通過使用XY平臺W實現。此外，也可通過使用檢流計鏡（方;S號 一）等W變更雷射的照射方向而進行雷射掃描。
[0055] 雷射照射之際，通過使用聚光透鏡（消色差透鏡等），可提高每單位面積的能量密 度。該方法的好處可W列舉為：相較於使用掩膜的情況，因可W將每單位面積的能量密度變 大，所W即使是小功率的雷射振蕩器也能夠W高掃描速度進行雷射刻蝕加工。將聚光後的 雷射嚮導電性薄膜照射的情況下，有調整焦距的必要。焦距的調整特別有根據基材上所塗 布的塗布膜厚而進行調整的必要，但優選調整至；不會對基材帶來損傷，且可W剝離?去除 指定的導電性薄膜圖案。
[0化6] 同一圖案反覆進行多次的雷射掃描是優選的實施方式之一。即使是第一次掃描中 存在去除不完全的導電性薄膜部位的情況下，或是構成已去除的導電性薄膜的成分再次附 著於基材上的情況下，通過多次的掃描仍然能夠完全去除雷射照射部位的導電性薄膜。掃 描次數的上限雖並無特別地限定，但因加工部位周邊經受多次熱經歷，而有受損、變色、塗 膜物性下降的可能性，所W有必要注意。此外，就生產效率的觀點而言，當然是掃描次數越 少越好。
[0057] 同一圖案不反覆進行多次雷射掃描也是優選的實施方式之一。只要不會對所得的 導電性薄膜、導電性層積體W及電路的特性帶來不良影響，當然是掃描次數越少生產效率 越優異。
[0化引《本發明的觸摸面板》 可W使用本發明的導電性薄膜、導電性層積體和/或電路作為觸摸面板的構成構件。 所述觸摸面板既可W是電阻膜方式也可W是靜電容量方式。本糊劑對任一觸摸面板都可W 適用，但因更適合於細線形成，所W特別適用於靜電容量方式的觸摸面板的電極配線。此 夕F，作為構成所述觸摸面板的基材，優選使用具有ITO膜等的透明導電性層的基材、或通過 刻蝕去除一部分導電層的基材。 實施例
[0化9] 為進一步地詳細說明本發明列舉了 W下實施例、比較例，但本發明並不被實施例 限定。此外，實施例、比較例所記載的各測定值通過W下方法進行測定。
[0060] 1.數均分子量 將試樣樹脂溶解於四氨快喃使樹脂濃度變為0. 5重量％左右，並使用孔徑0. 5 y m的聚 四氣己締制薄膜過濾器過濾，從而製成GPC測定試樣。將四氨快喃作為流動相，使用島津制 作所制的凝膠滲透色譜儀（GPC) Prominence(商品名稱），將差示折射率檢測計（RI計）作 為檢測器，W柱溫度30°C、流量ImL/分進行樹脂試樣的GPC測定。此外，數均分子量W標準 聚苯己締作為換算值，省略相當於分子量小於1000的部分而計算出。GPC柱使用昭和電工 株式會社制的shodex KF-802、80化、80化。
[0061] 2.玻璃化轉變溫度（Tg) 將試樣樹脂5mg裝入侶制樣品盤並密封，使用精工儀器設備株式會社（3-鬥シ 乂ッ^シッ（株））制的差示掃描量熱儀值SODSC-220, W升溫速度20°C /分進行測定 直至溫度升至200°C，通過玻璃化轉變溫度W下的基線的延長線與表示轉變部中最大傾斜 的接線處的交點溫度求取玻璃化轉變溫度。
[0062] 3.酸值 精確稱量試樣樹脂0. 2g並溶解於20mL的氯仿中。然後，使用指示劑中的酪獻溶液，w 0. 01N的氨氧化鍾（己醇溶液）進行滴定。將酸值的單位設定為eq/ton，即每1噸試樣的 當量。
[006引 4.樹脂組成 將試樣樹脂溶解於気代氯仿中，使用VARIAN制400MHZ-NMR裝置，通過iH-NMR分析求 得樹脂組成。
[0064] 5.糊劑粘度 粘度測定是在樣品溫度25°C下，使用BH型粘度計（東機產業社制），在20巧m下實施 測定。
[00化]6.導電性糊劑的儲存穩定性 將導電性糊劑裝入塑料容器中，密封后在40°C下儲存1個月。儲存後進行粘度測定W 及通過上述5.導電性層積體試驗片製作的試片的評價。 0;沒有顯著的粘度變化，並維持初始的比電阻、鉛筆硬度W及密合性。 X :認定為顯著的粘度上升（初始粘度的2倍W上）或顯著的粘度下降（初始粘度的 1/2 W下），和/或，比電阻、鉛筆硬度和/或密合性下降中的任一種。
[0066] 7.導電性層積體試驗片的製作 分別於厚度100 ym的已進行退火處理的陽T薄膜（東麗社制Lumirror巧W及口0 膜（尾池工業株式會社制、皿300)上，使用200網目的聚醋網版並通過絲網印刷法W印刷 導電性糊劑，從而形成寬25mm、長450mm的全面塗抹的圖案，然後在熱風循環式乾燥爐中於 12(TC下加熱30分鐘，將其作為導電性層積體試驗片。此外，調整印刷時的塗布厚度至乾燥 膜厚為6?10 ym。
[0067] 8.密合性 使用所述導電性層積體試驗片並根據JIS K-5400-5-6 ;1990,使用Cellotape(註冊商 標）（NicMban股份公司制），通過剝離試驗進行評價。但是，格子圖案的各方向的切割數設 為11個、切割間隔設為1mm。100/100表示無剝離且密合性良好，0/100表示完全剝離。
[0068] 9.比電阻 測定所述導電性層積體試驗片的片電阻與膜厚，並計算出比電阻。膜厚是使用Gauge Stand ST-022 (小野測器社制），W PET薄膜的厚度為零點測定5點固化塗膜的厚度，並使 用其平均值。片電阻是使用MILLI0HMMETER4338B(HEWLETT PACKA畑公司制）針對4片試 驗片進行測定，並使用其平均值。此外，使用本毫歐姆表可W檢測的範圍為1X1(T2W下 (Q - cm),而1X10-2(0 - cm) W上的比電阻在測定範圍外。
[0069] 10.鉛筆硬度 將導電性層積體試驗片置於厚度2mm的SUS304板上，根據JIS K 5600-5-4; 1999測定 鉛筆硬度。
[0070] 11.耐溼熱性試驗： 將導電性層積體試驗片於80°c加熱300小時，然後於85°C、85% RH(相對溼度）加熱 300小時，之後在常溫下放置24小時後，再進行各種評價。
[0071] 12.雷射刻蝕加工適宜性的評價 通過絲網印刷法，在聚醋基材（東麗社制Lumirror S(厚度100 ym))上，將導電性糊 劑印刷塗布成2.5 X 10cm的長方形。使用T400不誘鋼網（乳劑厚10 ym、線徑23 ym(東 京Process Service社制））作為網版，W刮刀速度150mm/s進行印刷。印刷塗布後，在熱 風循環式乾燥爐中W 120°C進行30分鐘的乾燥而獲得導電性薄膜。此外，將糊劑稀釋調整 至膜厚變為5?12 ym。然後，在W上述方法製作而成的導電性薄膜上進行雷射刻蝕加工， 製作如圖1所示的具有4條長50mm的直線部分的圖案，將其作為雷射刻蝕加工適宜性評價 試驗片。上述直線部分的線間的雷射刻蝕加工通過將光束徑30 ym的雷射W 60 ym間距各 掃描2次W進行。雷射源使用光纖雷射，並設定為；Q調製頻率200曲Z、功率10W、掃描速度 2700mm/s〇
[007引評價項目、測定條件如下所述。
[0073] (雷射刻蝕加工寬度評價） 在所述雷射刻蝕加工適宜性評價試驗片中，測定已去除導電性薄膜的部位的線寬。測 定使用雷射顯微鏡化eyence VHX-1000)進行，W下述評價判斷基準進行判定。 0;已去除導電性薄膜的部位的線寬為28?32 ym A ;已去除導電性薄膜的部位的線寬為24?27 ym或33?36 ym X ;已去除導電性薄膜的部位的線寬為23 ym W下、或37 ym W上
[0074] (雷射刻蝕加工適宜性評價（1)細線兩端間導通性） 在所述雷射刻蝕加工適宜性評價試驗片中，通過是否確保細線化、2b、3b、4b的兩端間 的導通進行評價。具體地說，分別在端子la-端子Ic間、端子2a-端子2c間、端子3a-端 子3c間、端子4a-端子4c間接上測試器並確認導通，W下述評價基準進行判定。 0 ;4條細線全部在細線的兩端間有導通 A ;4條細線當中，1?3條細線的兩端間無導通 X ;4條細線均在細線的兩端間無導通 (雷射刻蝕加工適宜性評價（2)相鄰細線間絕緣性） 在所述雷射刻蝕加工適宜性評價試驗片中，通過是否確保相鄰細線間的絕緣W進行評 價。具體地說，分別針對端子la-端子2a間、端子2a-端子3a間、端子3a-端子4a間接上 測試器W確認有無導通，並W下列評價基準進行判定。 〇;所有相鄰細線間均為絕緣 A ;-部分的相鄰細線間為絕緣 X ;所有相鄰細線間都未絕緣
[0075] (已去除導電性薄膜的部位的殘渣的評價） 在所述雷射刻蝕加工適宜性評價試驗片中，使用雷射顯微鏡觀察已去除導電性薄膜的 部位，並W下列評價基準判定有無殘渣的附著。 〇;在已去除導電性薄膜的部位無殘渣。 A ;在已去除導電性薄膜的部位有些許殘渣。 X ;在已去除導電性薄膜的部位能觀察到許多殘渣。
[0076] (雷射刻蝕後的導電性薄膜與基材的密合性的評價） 通過使用Cellotape (註冊商標）（Nichiban (股份）公司制）的膠帶剝離試驗，對所述 雷射刻蝕加工適宜性評價試驗片中去除導電性薄膜的部位上夾雜的導電性薄膜殘留部位 與基材的密合性進行評價。該評價是在試驗片作成的24小時後立即（初始）、其後進一步 地在85°C、85% RH(相對溼度）的溼熱環境下靜置120小時、化及在常溫下靜置24小時後 (耐溼熱試驗後）進行。 0 ;未剝罔。A ;-部分剝罔。X ;全部剝罔。
[0077] 樹脂的製造例 聚醋樹脂P-1的製造例 在具備攬拌器、冷凝器、W及溫度計的反應容器中放入對苯二甲酸700份、間苯二甲酸 700份、偏苯S酸酢16. 9份、己二醇983份、W及2-甲基-1，3-丙二醇154份，並在氮氣氛 圍2大氣壓加壓下、耗費3小時從160°C升溫至230°C，W進行醋化反應。釋放壓力後，放 入鐵酸四了醋0. 92份，然後慢慢將反應系統內減壓，耗費20分鐘減壓至5mmHg，進一步地 在0. 3mmHg W下的真空下，於260°C下進行40分鐘的縮聚反應。然後，在氮氣流下，冷卻至 220°C，並投放偏苯=酸酢50. 6份，進行30分鐘的反應W獲得聚醋樹脂。所得的共聚聚醋 樹脂P-1的組成W及物性如表1所示。
[007引聚醋樹脂P-2?P-11的製造例 在聚醋樹脂P-1的製造例中，變更單體的種類與混合比率，製造聚醋樹脂P-2?P-11。 所得的共聚聚醋樹脂的組成W及樹脂物性如表1?2所示。

【權利要求】
1. 一種雷射刻蝕加工用導電性糊劑，其含有由熱塑性樹脂所構成的粘合劑樹脂（A)、 金屬粉（B)以及有機溶劑（C)。
2. 根據權利要求1所述的雷射刻蝕加工用導電性糊劑，其特徵在於，所述粘合劑樹脂 (A)是數均分子量為5, 000?60, 000且玻璃化轉變溫度為60?100°C的熱塑性樹脂。
3. 根據權利要求1或2所述的雷射刻蝕加工用導電性糊劑，其特徵在於，所述粘合劑樹 脂（A)是選自由聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂、氯乙烯樹脂、纖維素衍生物樹脂組成的 組中的1種或2種以上的混合物。
4. 根據權利要求1或2所述的雷射刻蝕加工用導電性糊劑，其特徵在於，所述粘合劑樹 脂（A)是選自由酸值50?300當量/106g的聚酯樹脂以及酸值50?300當量/106g的聚 氨酯樹脂組成的組中的1種或2種以上的混合物。
5. 根據權利要求1?4中任一項所述的導電性雷射刻蝕加工用導電性糊劑，其特徵在 於，進一步地含有雷射吸收劑（D)。
6. -種導電性薄膜，其是由權利要求1?5中任一項所述的雷射刻蝕加工用導電性糊 劑所形成。
7. -種導電性層積體，其是層積了權利要求6所述的導電性薄膜與基材而得。
8. 根據權利要求7所述的導電性層積體，其特徵在於，所述基材具有透明導電性層。
9. 一種電路，其是使用權利要求6所述的導電性薄膜、或者權利要求7或8所述的導電 性層積體而成。
10. -種電路，其具有配線部位，所述配線部位是通過在權利要求6所述的導電性薄膜 的一部分上照射選自二氧化碳雷射、YAG雷射、光纖雷射以及半導體雷射的雷射，從而去除 所述導電性薄膜的一部分而形成的。
11. 根據權利要求9所述的電路，其特徵在於，所述導電性薄膜形成於透明導電性層 上。
12. -種觸摸面板，其包含權利要求9?11中任一項所述的電路作為構成構件。
【文檔編號】H05K3/08GK104488040SQ201380038679
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2013年7月8日 優先權日:2012年7月20日
【發明者】濱崎亮, 大前慎太郎 申請人:東洋紡株式會社