阻氣膜層疊體、粘合膜和電子構件的製作方法
2023-10-04 03:11:54 2
阻氣膜層疊體、粘合膜和電子構件的製作方法
【專利摘要】本發明為阻氣膜層疊體及具有前述阻氣膜層疊體的電子構件、以及具有權利要求11的所述式（I）所示的剪切載荷的減少率α為70%以下的粘合劑層的粘合膜，其中，所述阻氣膜層疊體為至少包含2張阻氣膜的阻氣膜層疊體，相鄰的2張阻氣膜隔著粘合劑層層疊，前述粘合劑層的權利要求1所述式（I）所示的剪切載荷的減少率α為70%以下。根據本發明，提供具有高水蒸氣阻隔性、即使在高溫及高溼度下長時間放置的情況下，也難以產生氣泡等外觀不良阻氣膜層疊體及具備前述阻氣層疊體的電子構件、以及在製造前述阻氣膜層疊體時有用的粘合膜。
【專利說明】阻氣膜層疊體、粘合膜和電子構件
【技術領域】
[0001] 本發明涉及具有優異的阻氣性、至少2張阻氣膜隔著粘合劑層層疊而成的阻氣膜 層疊體、製造該阻氣膜層疊體時有用的粘合膜、及具備該阻氣膜層疊體的電子構件。
【背景技術】
[0002] 從以往作為太陽能電池、液晶顯示器、電致發光（EL)顯示器等的電子構件用的基 板，為了實現薄型化、輕量化、撓性化、耐衝擊性等，研究了使用透明塑料膜代替玻璃板。
[0003] 然而，塑料膜與玻璃板相比，存在容易透過水蒸氣、氧等、容易引起電子構件內部 的元件劣化的問題。
[0004] 為了解決該問題，專利文獻1公開了在透明塑料膜上層疊包含金屬氧化物的透明 阻氣層而成的撓性顯示器基板。
[0005] 專利文獻2中公開了在塑料膜、和該塑料膜的至少一面上層疊以聚有機倍半矽氧 烷為主成分的樹脂層而成的阻氣性層疊體。
[0006] 另外，專利文獻3公開了在第1透明塑料膜基材上形成透明阻氣層、在前述透明阻 氣層上隔著透明粘合劑層配置有第2透明塑料膜基材的透明膜。
[0007] 現有技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :日本特開2000-338901號公報 專利文獻2 :日本特開2006-123307號公報 專利文獻3 :日本特開2006-327098號公報。
【發明內容】
[0008] 發明要解決的問題 如上所述，到目前為止提出了幾種阻氣膜。
[0009] 本申請 申請人:在之前提出了具有由含有氧原子、碳原子及矽原子的材料形成的阻 氣層的成形體（阻氣膜）（W02010/021326號公報、W02010/107018號公報等)。在這些文獻 中記載的阻氣膜具有優異的阻氣性。
[0010] 本發明人為了更加提高阻氣性，進一步進行了研究，提出了將至少2張阻氣性膜 隔著粘合劑層層疊而成的層疊體。
[0011] 然而，上述那樣隔著粘合劑層貼合阻氣膜彼此而成的層疊體在高溫及高溼度下長 時間放置的情況下，有時會因氣泡等原因而產生外觀不良。
[0012] 本發明是鑑於這樣的情況而進行的，其目的在於，提供具有高阻氣性、且即使在高 溫和高溼度下長時間放置、也難以產生氣泡等外觀不良的阻氣膜層疊體、製造該阻氣膜層 疊體時有用的粘合膜、及具備該阻氣膜層疊體的電子構件。
[0013] 解決問題的技術手段 本發明人為了解決上述課題進行了深入研究。
[0014] 結果獲得了如下見解： (i) 即使是W02010/021326號公報、W02010/107018號公報等中記載的具有優異的阻氣 性的阻氣膜，在高溫和高溼度下長時間放置的情況下，有時微量的水分也會通過阻氣膜、浸 入阻氣膜層疊體內部； (ii) 浸入這樣的阻氣膜層疊體內部的水分由於存在阻氣膜反而難以逃出到外部； (iii) 另外，高溫條件下粘合劑層的硬度大幅降低的阻氣膜層疊體，即後述的具有α 超過70%的粘合劑層的阻氣膜層疊體在高溫和高溼度下長時間放置的情況下，從外部浸入 的微量的水分容易滯留在粘合劑層，結果容易產生氣泡。
[0015] 然後從這些見解發現，後述的具有α為70%以下的粘合劑層的阻氣膜層疊體的阻 氣性優異，且即使在高溫和高溼度下長時間放置的情況下，也難以產生氣泡等外觀不良，從 而完成了本發明。
[0016] 因而根據本發明，提供下述（1)?（10)的阻氣膜層疊體、（11)的粘合膜及（12)的 電子構件。
[0017] (1)阻氣膜層疊體，其為至少包含2張阻氣膜的阻氣膜層疊體，其特徵在於，相鄰 的2張阻氣膜隔著粘合劑層層疊，前述粘合劑層的下述式（I)所示的剪切載荷的減少率α (%)為70%以下。
[0018] [數學式1] IX - V) a - -- X 1 Ο Ο ? I ) X 〔式中，X表示使用具有聚對苯二甲酸乙二醇酯膜/粘合劑層/無鹼玻璃的3層結構的、 貼合面積為225mm2 (15mmX 15mm)的試驗片，在23°C 50%RH、剪切速度0· 1mm/分鐘的條件 下進行剪切試驗的情況下，剪切方向的移位為〇. 1mm時的剪切載荷（N) ;Y表示使用同樣的 試驗片，在80°C、剪切速度0. 1mm/分鐘的條件下進行剪切試驗的情況下，剪切方向的移位 為0· 1mm時的剪切載荷（N)〕。
[0019] (2)根據（1)所述阻氣膜層疊體，其中，前述阻氣膜具有基材膜和設置於該基材膜 上的至少1層阻氣層。
[0020] (3)根據（2)所述阻氣膜層疊體，其中，相鄰的2張阻氣膜以該阻氣膜的阻氣層彼 此相對的方式進行層疊。
[0021] (4)根據（2)或（3)所述阻氣膜層疊體，其中，前述阻氣層是對包含高分子矽化合 物的層注入離子而形成的層。
[0022] ( 5 )根據（1)或（2 )所述阻氣膜層疊體，其中，前述粘合劑層是包含丙烯酸系粘合 劑或聚氨酯系粘合劑的層。
[0023] (6)根據（5)所述的阻氣膜層疊體，其中，前述丙烯酸系粘合劑以具有來源於具有 羧基的丙烯酸系單體的重複單元、和來源於不具有官能團的丙烯酸系單體的重複單元兩者 的丙烯酸系共聚物為主成分。
[0024] (7)根據（6)所述阻氣膜層疊體，其中，前述丙烯酸系共聚物的重均分子量為100， 000 ?1，000,000。
[0025] (8 )根據（5 )所述的阻氣膜層疊體，其中，前述丙烯酸系粘合劑包含交聯劑。
[0026] (9)根據（1)所述的阻氣膜層疊體，其中，前述粘合劑層的厚度為0.5?100 μ m。
[0027] (10)根據（1)所述的阻氣膜層疊體，其中，前述阻氣膜的水蒸氣透過率在40°C、相 對溼度90%的氣氛下為0· 00001?1. 0g/m2/day。
[0028] (11)粘合膜，其為用於製造至少包含2張阻氣膜、相鄰的2張阻氣膜隔著粘合劑層 層疊而成的阻氣膜層疊體的粘合膜，其特徵在於，至少阻氣膜與粘合劑層相鄰層疊而成， 前述粘合劑層的前述式（I)所示的剪切載荷的減少率α (%)為70%以下。
[0029] (12)電子構件，其具備前述（1)?（5)中任一項所述的阻氣膜層疊體。
[0030] 發明效果 本發明的阻氣膜層疊體是具有高阻氣性、且即使在高溫和高溼度下長時間放置的情況 下也難以產生氣泡等外觀不良的層疊體。
[0031] 本發明的粘合膜優選用於製造前述阻氣膜層疊體時。
[0032] 本發明的阻氣膜層疊體適合於太陽能電池、液晶顯示器、電致發光（EL)顯示器等 的電子構件用。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0033][圖1]是本發明的阻氣膜層疊體的一例的層構成截面圖。
[0034] [圖2]是本發明的阻氣膜層疊體的一例的層構成截面圖。
[0035] [圖3]是製造本發明的阻氣膜層疊體的工序截面圖。
[0036] [圖4]是實施例中進行粘合劑層的剪切試驗時使用的試驗片的模式圖。
【具體實施方式】
[0037] 以下將本發明分成1)阻氣膜層疊體、2)粘合膜、及3)電子構件幾項進行詳細說 明。
[0038] 1)阻氣膜層疊體 本發明的阻氣膜層疊體為至少包含2張阻氣膜的阻氣膜層疊體，其特徵在於，相鄰2張 阻氣膜隔著粘合劑層層疊，前述粘合劑層是前述式（I)所示的剪切載荷的減少率α (%)為 70%以下的層。
[0039] (阻氣膜） 本發明中使用的阻氣膜是具有抑制氧、水蒸氣透過的特性（以下稱為"阻氣性"）的膜。
[0040] 所使用的阻氣膜的水蒸氣透過率在40°C、相對溼度90%的氣氛下優選為1. Og/m2/ day以下，更優選為0· 00001?1. 0g/m2/day，更優選為0· 00001?0· 5g/m2/day，進一步優 選為 0· 00001 ?0· lg/m2/day。
[0041] 通過使用水蒸氣透過率為1. 〇g/m2/day以下的阻氣膜，可以獲得阻氣性優異的阻 氣膜層疊體。對於水蒸氣透過率的下限值，從獲得難以產生外觀不良的阻氣膜層疊體的觀 點出發沒有特別限定，越小越優選。但是，從通過使用α為70%以下的粘合劑層得到的效 果大的觀點出發，優選使用在上述條件下水蒸氣透過率為〇. 〇〇〇〇lg/m2/day以上的阻氣膜。 [0042] 需要說明的是，水蒸氣透過率可以使用公知的氣體透過率測定裝置進行測定。
[0043] 用於本發明的阻氣膜具有上述那樣的阻氣性即可，其材質等沒有特別限定。
[0044] 作為用於本發明的阻氣膜，從阻氣性優異的觀點出發，優選具有由合成樹脂膜形 成的基材（以下有時簡稱為"基材膜"、"基材"。）和設置於該基材上的至少1層的阻氣層。
[0045] (基材） 作為由合成樹脂膜形成的基材的材料，可以列舉出聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴系樹脂；聚 苯乙烯等苯乙烯系樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂；聚醯胺(尼龍6、尼龍66等)、 聚間苯二甲醯間苯二胺、聚對苯二甲醯對苯二胺等醯胺系樹脂；聚對苯二甲酸乙二醇酯、 聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等聚酯系樹脂；降冰片烯系聚合物、 單環的環狀烯烴系聚合物、環狀共役二烯系聚合物、乙烯基脂環式烴聚合物、及它們的氫化 物等環烯烴系聚合物；聚醯亞胺；聚醯胺醯亞胺；聚苯醚；聚醚酮；聚醚醚酮；聚碳酸酯；聚 碸；聚醚碸；聚苯硫醚；及它們的高分子的二種以上的組合；等。
[0046] 另外，由合成樹脂膜形成的基材可以是能量射線固化性化合物的固化物。作為能 量射線固化性化合物，可以列舉出1，4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1，6_己二醇二（甲基） 丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇己二酸酯二 (甲基)丙烯酸酯、二環戊基二（甲基)丙烯酸酯、異氰脲酸酯二（甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙 烷三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、三(丙 烯醯氧基乙基）異氰脲酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯等的多官能丙烯酸酯系的能量 射線聚合性單體；聚酯（甲基）丙烯酸酯、環氧基（甲基）丙烯酸酯、氨基甲酸酯（甲基）丙烯 酸酯、多元醇（甲基)丙烯酸酯、矽氧烷（甲基)丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯低聚物；等。這裡 (甲基）丙烯酸酯是指丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的意思。
[0047] 這些之中，從透明性優異、具有通用性的觀點出發，優選為聚酯系樹脂、聚碸、聚醚 碸、聚苯硫醚、醯胺系樹脂、及環烯烴系聚合物，更優選為聚酯系樹脂、聚碸、聚醚碸、聚苯硫 醚、及環烯烴系聚合物。
[0048] 使用的基材的厚度通常為100nm?1000 μ m，優選為5?200 μ m的範圍。
[0049] (阻氣層） 用於本發明的阻氣膜的阻氣層是具有阻氣性的層。
[0050] 阻氣層可以在由合成樹脂膜形成的基材的單面形成，也可以在基材的兩面形成。 另外，阻氣層可以是單層，也可以多層層疊。
[0051] 作為阻氣層的材料，只要是阻止氧及水蒸氣的透過的材料就沒有特別限制，優選 能夠形成除了優異的阻氣性以外、透明性也優異的阻氣層的材料。
[0052] 作為阻氣層的材料，可以列舉出例如鋁、鎂、鋅、錫等金屬； 氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等無機氧化物； 氮化矽等無機氮化物； 無機碳化物；無機硫化物；作為它們的複合體的無機氧化氮化物；無機氧化碳化物；無 機氮化碳化物；無機氧化氮化碳化物；高分子化合物；等。
[0053] 作為形成阻氣層的方法，沒有特別限定，可以列舉出例如將上述材料通過蒸鍍法、 濺射法、離子鍍法、熱CVD法、等離子體CVD法等在基材上形成的方法；將上述材料溶解或分 散於有機溶劑中而成的溶液通過公知的塗布方法塗布於基材上，將所得的塗膜適度乾燥而 形成的方法；對由高分子化合物構成的高分子層實施等離子體處理從而形成的方法等。
[0054] 阻氣層的厚度沒有特別限制，通常為20nm?50 μ m、優選為30nm?1 μ m、更優選 為 40nm ?500nm。
[0055] 本發明中，作為阻氣層，從能夠容易地形成目標阻氣層的觀點出發，優選通過對由 高分子化合物構成的高分子層實施等離子體處理從而形成的阻氣層。
[0056] 作為等離子體處理的方法，沒有特別限定，可以使用公知的方法。其中，從能夠簡 便且有效地形成阻氣性優異的阻氣層的觀點出發，優選為對高分子層表面注入離子的方 法。
[0057] 需要說明的是，這種情況下，"阻氣層"並不是指僅僅通過離子注入而改性了的部 分，而是指"具有通過離子注入而改性了的部分的高分子層"。
[0058] 作為構成高分子層的高分子化合物，可以列舉出高分子矽化合物；聚乙烯、聚丙烯 等聚烯烴系樹脂；聚苯乙烯等苯乙烯系樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂；聚醯胺 (尼龍6、尼龍66等)、聚間苯二甲醯間苯二胺、聚對苯二甲醯對苯二胺等醯胺系樹脂；聚對 苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等聚酯系樹脂； 降冰片烯系聚合物、單環的環狀烯烴系聚合物、環狀共役二烯系聚合物、乙烯基脂環式烴聚 合物、及它們的氫化物等環烯烴系聚合物；聚醯亞胺；聚醯胺醯亞胺；聚苯醚；聚醚酮；聚醚 醚酮；聚碳酸酯；聚碸；聚醚碸；聚苯硫醚；及這些高分子的二種以上組合；等。
[0059] 需要說明的是，由高分子化合物形成的阻氣層不包括在包含前述合成樹脂膜的基 材中。
[0060] 本發明中，這些之中，從能夠容易地形成阻氣性優異的阻氣層的觀點出發，優選為 高分子矽化合物、聚酯系樹脂或丙烯酸系樹脂，更優選為高分子矽化合物。
[0061] 作為高分子矽化合物，只要是含有矽的高分子，則可以是有機化合物也可以是無 機化合物。可以列舉出例如聚有機矽氧烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物、 聚矽氮烷系化合物等。
[0062] 聚有機矽氧烷系化合物是將具有水解性官能團的矽烷化合物縮聚而得到的化合 物。
[0063] 對聚有機矽氧烷系化合物的主鏈結構沒有限制，可以是直鏈狀、階梯狀、籠狀的任 一種。
[0064] 例如，作為前述直鏈狀的主鏈結構，可以列舉出下述式（a)所示的結構，作為階梯 狀的主鏈結構，可以列舉出下述式（b)所示的結構，作為籠狀的主鏈結構，例如可以列舉出 下述式（c)所示的結構。
[0065] [化 1] ?τ) --Si-Oj~· (a)
[化2] /r \ f-Si--〇- i \ir0/ (b)
[化3] / Rz Rz \ / \ / CH, ch3 ch3 chA / /t-/ / / I \ fe/° \ 屍 R J \ \ \\ Si--o^si-^^ /° ch3 ch3 ch3 Z I i / HaC fe-^Si=~( Si\ _L x .z 〇z / 'rz 1 / 1/° / \ Sr一-〇' S\ / \ "/ \ / ' Rz Rz / Cc) 式中，Rx、Ry、Rz各自獨立地表示氫原子、無取代或具有取代基的烷基、無取代或具有取 代基的烯基、無取代或具有取代基的芳基等非水解性基。需要說明的是，式（a)的多個Rx、 式（b)的多個Ry、及式（c)的多個Rz可以分別相同或不同。其中，前述式（a)的Rx不會2 個同時為氫原子。
[0066] 作為無取代或具有取代基的烷基的烷基，可以列舉出例如甲基、乙基、正丙基、異 丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等 碳原子數1?10的烷基。
[0067] 作為烯基，可以列舉出例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1- 丁烯基、2- 丁烯基、 3_ 丁烯基等碳原子數2?10的烯基。
[0068] 作為前述烷基及烯基的取代基，可以列舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等滷 素原子；羥基；巰基；環氧基；環氧丙氧基；（甲基）丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯 基等無取代或具有取代基的芳基；等。
[0069] 作為無取代或具有取代基的芳基的芳基，可以列舉出例如苯基、1-萘基、2-萘基 等碳原子數6?10的芳基。
[0070] 作為前述芳基的取代基，可以列舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等滷素原子； 甲基、乙基等碳原子數1?6的燒基；甲氧基、乙氧基等碳原子數1?6的燒氧基；硝基；氛 基；輕基；疏基；環氧基；環氧丙氧基；（甲基）丙稀醜氧基；苯基、4-甲基苯基、4_氣苯基等 無取代或具有取代基的芳基；等。
[0071] 這些之中，作為RX、Ry、Rz，優選為氫原子、碳原子數1?6的烷基或苯基，特別優 選為碳原子數1?6的烷基。
[0072] 作為聚有機矽氧烷系化合物，優選為前述式（a)所示的直鏈狀的化合物，從獲得容 易性、及能夠形成具有優異的阻氣性的層的觀點出發，更優選為前述式（a)中2個Rx均為 甲基的化合物即聚二甲基矽氧烷。
[0073] 聚有機矽氧烷系化合物例如可以通過將具有水解性官能團的矽烷化合物進行縮 聚的公知製造方法來獲得。
[0074] 所使用的矽烷化合物根據目標的聚有機矽氧烷系化合物的結構進行適當選擇即 可。
[0075] 聚碳矽烷系化合物是在分子內的主鏈具有（_Si-C_)鍵的高分子化合物。其中，作 為用於本發明的聚碳矽烷系化合物，優選含有下述式（d)所示的重複單元。
[0076] [化 4] χΤ-χ Τ' / x Rv / (Φ 式中，Rw、Rv各自獨立地表示氫原子、羥基、烷基、芳基、烯基、或1價的雜環基。多個 Rw、Rv可以分別相同或不同。
[0077] 作為Rw、Rv的烷基、芳基、烯基，可以列舉出與作為前述Rx等例示出的相同的基 團。
[0078] 作為1價的雜環基的雜環，只要是至少含有1個除了碳原子以外的氧原子、氮原 子、硫原子等雜原子的3?10元的環狀化合物就沒有特別限制。
[0079] R表不亞燒基、亞芳基或2價的雜環基。
[0080] 作為R的亞烷基，可以列舉出亞甲基、亞乙基、亞丙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞 甲基、六亞甲基、八亞甲基等碳原子數1?10的亞烷基。
[0081] 作為亞芳基，可以列舉出亞苯基、1，4-亞萘基、2, 5-亞萘基等碳原子數6?20的 亞芳基。
[0082] 作為2價的雜環基，只要是由至少含有1個除了碳原子以外的氧原子、氮原子、硫 原子等雜原子的3?10元的雜環化合物衍生出來的2價的基團就沒有特別限制。
[0083] 需要說明的是，R的亞烷基、亞芳基、2價的雜環基可以在任意的位置具有烷基、芳 基、燒氧基、齒素原子等取代基。
[0084] 這些之中，更優選包含式（d)中，Rw、Rv各自獨立地為氫原子、烷基或芳基，R為亞 烷基或亞芳基的重複單元者，進一步優選包含Rw、Rv各自獨立地為氫原子或烷基、R為亞烷 基的重複單元者。
[0085] 具有式（d)所示的重複單元的聚碳矽烷系化合物的重均分子量通常為400?12， 000。
[0086] 作為聚碳矽烷系化合物的製造方法，沒有特別限定，可以採用以往公知的方法。
[0087] 聚矽烷系化合物是在分子內具有（-Si-Si-)鍵的高分子化合物。作為所述聚矽烷 系化合物，可以列舉出具有從下述式（e)所示的結構單元中選擇出的至少一種重複單元的 化合物。
[0088] [化 5] / 4--Si--j- ' Rr / (c) 式（e)中，Rq及Rr相同或不同，表示氫原子、烯基、環烷基、環烯基、芳基、羥基、烷氧基、 環烷基氧基、芳基氧基、芳烷基氧基、任選具有取代基的氨基、甲矽烷基或滷素原子。
[0089] 作為Rq及Rr的烷基、烯基、芳基，可以列舉出與前述Rx等例示出的相同的基團。
[0090] 作為環烷基，可以列舉出環戊基、環己基、甲基環己基等碳原子數3?10的環烯 基。
[0091] 作為環烯基，可以列舉出環戊烯基、環己烯基等碳原子數4?10的環烯基。
[0092] 作為烷氧基，可以列舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、叔丁氧基、戊 基氧基等碳原子數1?10的燒氧基。
[0093] 作為環烷基氧基，可以列舉出環戊基氧基、環己基氧基等碳原子數3?10的環烷 基氧基。
[0094] 作為芳基氧基，可以列舉出苯氧基、萘基氧基等碳原子數6?20的芳基氧基。
[0095] 作為芳燒基氧基，可以列舉出節基氧基、苯乙基氧基、苯基丙基氧基等碳原子數 7?20的芳烷基氧基。
[0096] 作為任選具有取代基的氨基，可以列舉出氨基；被烷基、環烷基、芳基、芳烷基、醯 基等取代的N-單取代氨基或N，N-二取代氨基等。
[0097] 作為甲娃燒基，可以列舉出甲娃燒基、乙娃燒基、丙娃燒基等Si 1-10娃燒基(優選 為Sil_6娃燒基)、取代甲娃燒基(例如被燒基、環燒基、芳基、芳燒基、燒氧基等取代的取代 甲娃燒基）等。
[0098] 作為滷素原子，可以列舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
[0099] 如述環燒基、環稀基、燒氧基、環燒基氧基、芳基氧基、芳燒基氧基、甲娃燒基任選 具有齒素原子、燒基、芳基、燒氧基等取代基。
[0100] 這些之中，從能夠獲得本發明更優異的效果的觀點出發，優選為含有前述式（e)所 示的重複單元的化合物，更優選為包含式（e)中Rq、Rr各自獨立地為氫原子、羥基、烷基、芳 基、烷氧基、氨基或甲矽烷基的重複單元的化合物，進一步優選為包含式（e)中Rq、Rr各自 獨立地為氫原子、烷基或芳基的重複單元的化合物。
[0101] 聚矽烷系化合物的形態沒有特別限制，可以為非環狀聚矽烷(直鏈狀聚矽烷、支 鏈鏈狀聚矽烷、網眼狀聚矽烷等)、環狀聚矽烷等的均聚物，也可以為無規共聚物、嵌段共聚 物、交替共聚物、梳型共聚物等共聚物。
[0102] 聚矽烷系化合物為非環狀聚矽烷的情況下，聚矽烷系化合物的末端基(末端取代 基）可以是氫原子，也可以是滷素原子(氯原子等)、烷基、羥基、烷氧基、甲矽烷基等。
[0103] 作為聚矽烷系化合物的具體例，可以列舉出聚二甲基矽烷、聚（甲基丙基矽烷)、 聚（甲基丁基娃燒)、聚（甲基戊基娃燒)、聚（-丁基娃燒)、聚（-己基娃燒）等的聚-燒基娃 烷、聚（二苯基矽烷）等的聚二芳基矽烷、聚（甲基苯基矽烷）等聚（燒基芳基矽烷）等的均聚 物；二甲基矽烷-甲基己基矽烷共聚物等二烷基矽烷與其他二烷基矽烷的共聚物、苯基矽 烷-甲基苯基矽烷共聚物等芳基矽烷-烷基芳基矽烷共聚物、二甲基矽烷-甲基苯基矽烷 共聚物、二甲基矽烷-苯基己基矽烷共聚物、二甲基矽烷-甲基萘基矽烷共聚物、甲基丙基 矽烷-甲基苯基矽烷共聚物等二烷基矽烷-烷基芳基矽烷共聚物等共聚物；等。
[0104] 聚矽烷系化合物的平均聚合度(例如數均聚合度）通常為5?400,優選為10? 350,進一步優選為20?300左右。
[0105] 另外，聚矽烷系化合物的重均分子量為300?100,000,優選為400?50,000,進 一步優選為500?30,000左右。
[0106] 聚矽烷系化合物的大多為公知物質，可以使用公知的方法進行製造。
[0107] 聚矽氮烷系化合物是分子內具有（-Si-N-)鍵的高分子化合物。作為所述聚矽氮 烷系化合物，優選為具有式（f)
[化6] / Rm Rt \ Jj \\ H-Si-nH- ' Rp /n (!) 所示的重複單元的化合物。另外，所使用的聚矽氮烷系化合物的數均分子量沒有特別 限定，優選為100?50,000。
[0108] 式（f)中，η表示任意的自然數。
[0109] Rm、Rp、Rt各自獨立地表不氧原子、燒基、環燒基、稀基、芳基或燒基甲娃燒基等非 水解性基。
[0110] 作為前述烷基、烯基、芳基，可以列舉出與前述Rx等例示出的相同的基團。
[0111] 作為環烷基，可以列舉出與前述Rq等例示出的相同的基團。
[0112] 作為烷基甲矽烷基，可以列舉出三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、三異丙基甲矽 烷基、三叔丁基甲矽烷基、甲基二乙基甲矽烷基、二甲基甲矽烷基、二乙基甲矽烷基、甲基甲 娃燒基、乙基甲娃燒基等。
[0113] 這些之中，作為Rm、Rp、Rt，優選為氫原子、碳原子數1?6的烷基或苯基，特別優 選為氫原子。
[0114] 作為具有前述式（f)所示的重複單元的聚矽氮烷系化合物，可以是Rm、Rp、Rt全部 為氫原子的無機聚矽氮烷、Rm、Rp、Rt的至少1個不是氫原子的有機聚矽氮烷中的任一種。
[0115] 作為無機聚矽氮烷，可以列舉出具有包含下述式 [化7] ?Η Η \ 所示的重複單元的直鏈狀結構、具有690?2000的分子量、一分子中具有3?10個 SiH3基的全氫聚矽氮烷(特公昭63-16325號公報)、具有式（Α)
[化8] {Η Η \ / Η Η \ I |\ (\ \\ ~~γ|'^ΝΗ^^ (Λ) H 'b \ NH 'c 〔式中，b、c表不任意的自然數，Y1表不氫原子或式（B)
[化9] /1 Π 卜N寸 _ \ NH 12 Y2 (式中，d表示任意的自然數，*表示鍵合位置，Y2表示氫原子、或前述（B)所示的基團。） 所示的基團。〕所示的重複單元、具有直鏈狀結構和支鏈結構的全氫聚矽氮烷、具有式（C) [化 10] h2 h2 h2 h 剛' ?''sm2 I 1 H I I HA 測2 H2Six /N\ (C) I HN--SiH2 I H2 H2SU Si z細 3 Y \|T 1 I 所示的全氫聚矽氮烷結構、分子內具有直鏈狀結構、支鏈結構及環狀結構的全氫聚矽 氣燒等。
[0116] 作為有機聚矽氮烷，可以列舉出 (i) 以-(Rm' SiHNH)- (Rm'表示與Rm相同的烷基、環烷基、烯基、芳基或烷基甲矽烷 基。以下的Rm'也是同樣的。）為重複單元、主要具有聚合度為3?5的環狀結構的有機聚 矽氮烷； (ii) 以-(Rm'SiHNRt'）- (Rt'表示與Rt相同的烷基、環烷基、烯基、芳基或烷基甲矽 烷基。）為重複單元，主要具有聚合度為3?5的環狀結構的有機聚矽氮烷； (iii) 以-(Rm'Rp'SiNH)- (Rp'表示與Rp相同的烷基、環烷基、烯基、芳基烷基甲矽 烷基。）為重複單元，主要具有聚合度為3?5的環狀結構的有機聚矽氮烷； (iv) 分子內具有下述式所示的結構的聚有機(氫）矽氮烷；
[化 11] 0 Η Η Η Η R/ I R Μ I R Si-N Si-N I / \ / \ I -~-N Si-^-N Si-- I I i -s \. \ N-Six I j 'R I I、R Η Η Η H R-CII 3 (v) 具有下述式 [化 12] / Rm_ Η \ / Rm' Η \ /ι^ι ALij\_ \i /^\i /^ x W fe χ NH 1 f J3 〔Rm'、Rp'表示與前述相同的意思，e、f表示任意的自然數，Y3表示氫原子或下述式（D) [化 13] _ ? f χι ?1 卞T-N寸 (D) ^ NH 'g (式中，g表示任意的自然數，*表示鍵合位置，Υ4表示氫原子、或前述（D)所示的基團。） 所示的基團〕所示的重複結構的聚矽氮烷等。
[0117] 上述有機聚矽氮烷可以通過以往公知的方法製造。例如，可以通過使下述式 [化 14] R 4-nriSiXfTn (式中，111表示2或3、父表示滷素原子、1?1表示前述伽、1^、財、伽'、1^'、1^'中的任一 取代基。）所示的無取代或具有取代基的滷代矽烷化合物與仲胺的反應產物、與氨或伯胺反 應從而獲得。
[0118] 所使用的仲胺、氨及伯胺可以根據目標的聚矽氮烷系化合物的結構而適當選擇。
[0119] 另外，本發明中，作為聚矽氮烷系化合物，例如也可以使用日本特開昭62-195024 號公報、日本特開平2-84437號公報、日本特開昭63-81122號公報、日本特開平1-138108 號公報、日本特開平2-175726號公報等、日本特開平5-238827號公報、日本特開平 5- 238827號公報、日本特開平6-122852號公報、日本特開平6-306329號公報、日本特開平 6- 299118號公報等、日本特開平9-31333號公報、日本特開平5-345826號公報、日本特開平 4-63833號公報等中記載的聚矽氮烷改性物。
[0120] 這些之中，作為本發明中使用的聚矽氮烷系化合物，優選Rm、Rp、Rt均為氫原子的 無機聚娃氮燒、Rm、Rp、Rt的至少1個不是氫原子的有機聚娃氮燒，從獲得容易性、及能夠形 成具有優異的阻氣性的注入層的觀點出發，更優選為無機聚矽氮烷。
[0121] 需要說明的是，聚矽氮烷系化合物也可以直接使用作為玻璃塗布材等而市售的市 售品。
[0122] 前述高分子層除了上述高分子化合物以外，在不損害本發明目的的範圍內還可以 含有其他成分。作為其他成分，可以列舉出固化劑、其他高分子、抗老化劑、光穩定劑、阻燃 劑等。
[0123] 高分子層中的高分子化合物的含量從能夠形成具有優異的阻氣性的阻氣層的觀 點出發，優選為50質量％以上，更優選為70質量％以上。
[0124] 作為形成高分子層的方法，沒有特別限制，可以列舉出例如將包含高分子化合物 的至少一種、根據希望的其他成分及溶劑等的層形成用溶液通過公知的塗布方法塗布於基 材上或根據希望形成於基材上的底漆層上，將所得的塗膜適度乾燥進行形成的方法。
[0125] 作為塗布裝置，可以使用旋轉塗布機、刮刀式塗膠機、凹版式塗布機等公知的裝 置。
[0126] 從所得塗膜的乾燥、膜的阻氣性提高的觀點出發，優選加熱塗膜。作為加熱、乾燥 方法，可以採用熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等以往公知的乾燥方法。加熱溫度通常為 80?150°C，加熱時間通常為數十秒?數十分鐘。
[0127] 形成的高分子層的厚度沒有特別限制，通常為20nm?lOOOnm、優選為30? 500nm、更優選為40?200nm。
[0128] 本發明中，高分子層的厚度即使為納米級，通過後述那樣注入離子，也可以獲得具 有充分阻氣性能的膜。
[0129] 注入到高分子層的離子的注入量可以根據所形成的膜的使用目的（需要的阻氣 性、透明性等）等來適當決定。
[0130] 作為被注入的離子，可以列舉出氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子；氟碳化合物、 氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子； 甲燒、乙燒、丙燒、丁燒、戊燒、己燒等燒煙系氣體類的尚子；乙稀、丙稀、丁稀、戊稀等稀 烴系氣體類的離子；戊二烯、丁二烯等二烯烴系氣體類的離子；乙炔、甲基乙炔等炔烴系氣 體類的離子；苯、甲苯、二甲苯、茚、萘、菲等芳香族烴系氣體類的離子；環丙烷、環己烷等環 烷烴系氣體類的離子；環戊烯、環己烯等環烯烴系氣體類的離子； 金、銀、銅、鉬、鎳、鈀、鉻、鈦、鑰、鈮、鉭、鎢、鋁等導電性的金屬的離子； 矽烷（SiH4)或有機矽化合物的離子；等。
[0131] 作為有機矽化合物，可以列舉出四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、 四異丙氧基娃燒、四正丁氧基娃燒、四叔丁氧基娃燒等四燒氧基娃燒； -甲基-甲氧基娃燒、-甲基-乙氧基娃燒、-乙基-甲氧基娃燒、甲基二乙氧基娃 燒、乙基二甲氧基娃燒、（3, 3, 3_二氣丙基）二甲氧基娃燒等無取代或具有取代基的燒基燒 氧基娃燒； -苯基-甲氧基娃燒、苯基二乙氧基娃燒等芳基燒氧基娃燒； 六甲基二矽氧烷（HMDS0)等二矽氧烷； 雙(二甲基氨基)二甲基矽烷、雙(二甲基氨基)甲基乙烯基矽烷、雙（乙基氨基)二甲基矽 燒、-乙基氣基二甲基娃燒、_甲基氣基-甲基娃燒、四-甲基氣基娃燒、二(-甲基氣基） 娃燒等氣基娃燒； 六甲基二矽氮烷、六甲基環三矽氮烷、七甲基二矽氮烷、九甲基三矽氮烷、八甲基環四 娃氣燒、四甲基-娃氣燒等娃氣燒； 四異氰酸酯矽烷等氰酸酯矽烷； 三乙氧基氟矽烷等滷代矽烷； -稀丙基-甲基娃燒、稀丙基二甲基娃燒等鏈稀基娃燒； 二叔丁基矽烷、1，3-二矽雜丁烷、雙(三甲基甲矽烷基）甲烷、四甲基矽烷、三(三甲基甲 矽烷基）甲烷、三(三甲基甲矽烷基）矽烷、苄基三甲基矽烷等無取代或具有取代基的烷基矽 燒； 雙(三甲基甲矽烷基）乙炔、三甲基甲矽烷基乙炔、1-(三甲基甲矽烷基）-1-丙炔等甲 娃燒基塊煙； 1，4-雙三甲基甲矽烷基-1，3- 丁二炔、環戊二烯基三甲基矽烷等甲矽烷基烯烴； 苯基二甲基矽烷、苯基三甲基矽烷等芳基烷基矽烷； 塊丙基二甲基娃燒等塊基燒基娃燒； 乙稀基二甲基娃燒等鏈稀基燒基娃燒； 7K甲基-娃燒等-娃燒； 八甲基環四矽氧烷、四甲基環四矽氧烷、六甲基環四矽氧烷等矽氧烷； N，0-雙(三甲基甲矽烷基）乙醯胺； 雙(三甲基甲矽烷基）碳二醯亞胺；等。
[0132] 這些離子可以單獨使用一種、或者組合二種以上使用。
[0133] 其中，從能夠更簡便地注入、特別是能夠獲得具有優異的阻氣性的阻氣層的觀點 出發，優選為選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、及氪中的至少一種離子。
[0134] 作為注入離子的方法，沒有特別限定，可以列舉出照射通過電場加速了的離子(離 子束)的方法、注入等離子體中的離子的方法等。其中，本發明中，從能夠簡便地獲得阻氣性 的膜的觀點出發，優選為後者的注入等離子體離子的方法。
[0135] 作為等離子體離子注入法，優選為（A)將存在於使用外部電場而產生的等離子體 中的離子注入到高分子層的表面部的方法、或（B)不使用外部電場，將僅由對前述層施加負 的高電壓脈衝而得到的電場產生的等離子體中存在的離子注入到高分子層的表面部的方 法。
[0136] 前述(A)的方法中，優選使注入離子時的壓力（等離子體離子注入時的壓力）設為 0. 01?IPa。等離子體離子注入時的壓力在這樣的範圍內時，能夠簡便且有效地均勻地注 入離子，可以有效地形成目標的阻氣層。
[0137] 前述（B)的方法不需要提高減壓度，處理操作簡便，處理時間也能夠大幅縮短。另 夕卜，能夠對前述層整體均勻地進行處理、施加負的高電壓脈衝時能夠將等離子體中的離子 以高能量連續地注入到層的表面部。進一步地不需要射頻(高頻、以下簡稱為"RF"。）、微波 等高頻電力源等特別的其他手段，而僅通過對層施加負的高電壓脈衝，就能夠在層的表面 部均勻地形成良質的離子注入層。
[0138] 在前述(A)及（B)中的任一方法中，施加負的高電壓脈衝時，即離子注入時的脈衝 寬度優選為1?15 μ sec。脈衝寬度在這樣的範圍內時，可以更簡便且有效地均勻地注入離 子。
[0139] 另外，產生等離子體時的施加電壓優選為-1?_50kV，更優選為-1?_30kV，特別 優選為-5?-20kV。以施加電壓大於-lkV的值進行離子注入時，離子注入量(劑量）變得 不充分，無法獲得所希望的性能。另一方面，以小於_50kV的值進行離子注入時，離子注入 時膜帶電，另外產生對膜的著色等不良情況，不優選。
[0140] 作為等離子體離子注入的離子種類，可以列舉出與作為前述注入離子例示出的相 同的離子。
[0141] 對層的表面部注入等離子體中的離子時，使用等離子體離子注入裝置。
[0142] 作為等離子體離子注入裝置，具體而言可以列舉出（α )在對高分子層（以下有 時稱為"離子注入層"。）施加負的高電壓脈衝的饋通上重疊高頻電力而使等離子體均等 地包圍離子注入層的周圍，使等離子體中的離子誘導、注入、碰撞、堆積的裝置（日本特開 2001-26887號公報）；（β)在腔室內設置天線，供給高頻電力產生等離子體而使等離子體 到達離子注入層周圍後，對離子注入層交替地施加正和負的脈衝，從而通過正的脈衝使等 離子體中的電子誘導碰撞加熱離子注入層，控制脈衝常數而進行溫度控制，同時通過施加 負的脈衝使等離子體中的離子誘導、注入的裝置（日本特開2001-156013號公報）；（γ)使 用微波等高頻電力源等的外部電場而產生等離子體，施加高電壓脈衝而使等離子體中的離 子誘導、注入的等離子體離子注入裝置；（S )不使用外部電場，將僅由通過高電壓脈衝的 施加而產生的電場所產生的等離子體中的離子注入的等離子體離子注入裝置等。
[0143] 這些之中，從處理操作簡便、處理時間也能夠大幅縮短、適於連續使用的觀點出 發，優選使用（Υ )或（S )的等離子體離子注入裝置。
[0144] 對於使用前述（Υ )和（δ )的等離子體離子注入裝置的方法，可以列舉出國際公 開TO2010/021326號公報中記載的方法。
[0145] 前述（Υ )和（δ )的等離子體離子注入裝置中，由於高電壓脈衝電源兼用作使等 離子體產生的等離子體產生手段，因而不需要RF、微波等高頻電力源等的特別的其他手段， 僅通過施加負的高電壓脈衝使等離子體產生，對高分子層的表面部連續地注入等離子體中 的離子，能夠量產形成有表面部具有通過離子注入而改性了的部分的高分子層即阻氣層的 阻氣膜。
[0146] 注入離子的部分的厚度可以根據離子的種類、施加電壓、處理時間等注入條件進 行控制，可以根據高分子層的厚度、阻氣膜的使用目的等進行決定，通常為10?lOOOnm。
[0147] 注入了離子可以通過如下確認：使用X射線光電子分光分析（XPS)，進行從高分子 層的表面起l〇nm附近的元素分析測定來確認。
[0148] (粘合劑層） 本發明的阻氣膜層疊體為至少包含2張阻氣膜的阻氣膜層疊體，其特徵在於，相鄰的2 張阻氣膜隔著粘合劑層層疊，前述粘合劑層的下述式（I)所示的剪切載荷的減少率α (%) 為70%以下。
[0149] [數學式2] ?.Χ....... Υ) α = -- X 1 Ο Ο ( I ) X 式（I)中，X表示使用具有聚對苯二甲酸乙二醇酯膜/粘合劑層/無鹼玻璃的3層結構 的、貼合面積為225mm2 (15mmX 15mm)的試驗片，在23°C 50%RH、剪切速度0. 1mm/分鐘的條 件下進行剪切試驗的情況下，剪切方向的移位為〇. 1mm時的剪切載荷（N)。
[0150] 另外，Y表示使用同樣的試驗片，在80°C、剪切速度0. 1mm/分鐘的條件下進行剪切 試驗的情況下，剪切方向的移位為〇. 1mm時的剪切載荷（N)。
[0151] 即，α為將23°C 50%RH的條件下的粘合劑層的硬度程度和在80°C的條件下放置時 的粘合劑層的硬度程度的變化的比例進行數值化而得到的值。例如，相對於23°C，在80°C 下的粘合劑層的硬度完全不降低時，α為0%。
[0152] 本發明中，α為70%以下，優選為1?60%，更優選為5?50%。
[0153] 本發明的阻氣膜層疊體通過使粘合劑層的前述式（I)所示的剪切載荷的減少率 α (%)為70%以下，即使在高溫和高溼度下長時間放置的情況下，也難以產生氣泡等外觀不 良。
[0154] 如後述實施例所示那樣，具有α超過70%的粘合劑層的阻氣膜層疊體在高溫和高 溼度下長時間放置時，觀察到氣泡，產生了外觀不良。然後對於其原因，如之前的見解（iii) 所記載那樣。
[0155] 因此，為了獲得即使在高溫和高溼度下長時間放置的情況下，也難以產生由氣泡 導致的外觀不良的阻氣膜層疊體，是在高溫條件下粘合劑層的硬度也難以降低的粘合劑層 即可（g卩α為70%以下的即可)，只要能夠形成具有該特性的粘合劑層，對所使用的粘合劑 的形態、組成沒有特別限制。
[0156] 需要說明的是，上述式（I)中，X優選為5. 0?50Ν，更優選為7. 0?50Ν。X為5. 0Ν 以上的粘合劑層由於具有充分的粘合力，因而通過使用所述粘合劑層，可以獲得相鄰的2 張阻氣膜難以剝離的阻氣膜層疊體。
[0157] 另外，Y優選為2. 0?30N，更優選為5. 0?30N，進一步優選為6. 0?30N。Y為 2. 0N以上的粘合劑層即使在高溫和高溼度下長時間放置時，也具有充分的粘合力，因而通 過使用所述粘合劑層，即使在上述條件下放置時，也能夠獲得相鄰的2張阻氣膜難以剝離 的阻氣膜層疊體。
[0158] 粘合劑層的厚度沒有特別限制，可以適當選定，優選為0.5?ΙΟΟμπκ更優選為 1?60 μ m、進一步優選為3?40 μ m。為0. 5 μ m以上時，能夠獲得良好的粘合力，為100 μ m 以下時，在生產性方面有利。
[0159] 如上所述，對所使用的粘合劑的形態、材料沒有特別限制。因此，所使用的粘合劑 的形態可以是溶劑型粘合劑、乳液型粘合劑、熱熔型粘合劑等中的任一形態。
[0160] 所使用的粘合劑可以是丙烯酸系粘合劑、聚氨酯系粘合劑、矽氧烷系粘合劑、橡膠 系粘合劑等中的任一種，從粘合力、操作性的觀點出發，優選為丙烯酸系粘合劑、聚氨酯系 粘合劑。其中，從降低剪切載荷的減少率α是容易的觀點出發，優選為後述那樣的能夠形 成交聯的粘合劑。
[0161] 丙烯酸系粘合劑是以丙烯酸系共聚物為主成分的粘合劑。
[0162] 丙烯酸系共聚物是指具有來源於（甲基）丙烯酸或（甲基）丙烯酸酯的重複單元的 共聚物。
[0163] "（甲基）丙烯酸"是指丙烯酸或甲基丙烯酸，"（甲基）丙烯酸酯"是指丙烯酸酯或甲 基丙烯酸酯。
[0164] 另外，丙烯酸系共聚物在不損害本發明的效果的範圍內，可以是具有上述以外的 重複單元的共聚物。
[0165] 丙烯酸系共聚物優選具有：來源於具有能夠形成交聯結構的官能團（以下有時簡 稱為"官能團"）的丙烯酸系單體的重複單元、和來源於不具有官能團的丙烯酸系單體的重 復單元兩者。來源於具有官能團的丙烯酸系單體由來的重複單元在粘合劑層中有助於交聯 結構的形成，另一方面，來源於不具有官能團的丙烯酸系單體的重複單元能夠有助於粘合 劑層的粘合性的提1?。
[0166] 作為來源於具有官能團的丙烯酸系單體的重複單元的官能團，根據所使用的交聯 劑的種類不同而不同，通常可以列舉出羧基、羥基、氨基、醯胺基。其中，羧基由於能夠形成 剪切載荷的減少率低的粘合劑層而優選。
[0167] 另一方面，來源於不具有官能團的丙烯酸系單體的重複單元從能夠形成粘合性優 異的粘合劑層的觀點出發，優選為來源於具有碳原子數4?10的烴基的（甲基)丙烯酸烷基 酯的單元。
[0168] 丙烯酸系共聚物的重均分子量通常為100,000?1，000,000,優選為300,000? 900,000。通過使重均分子量在該範圍內，可以容易地形成剪切載荷的減少率α低的粘合 劑層。
[0169] 重均分子量可以通過聚合引發劑的量、添加鏈轉移劑來進行調節。
[0170] 需要說明的是，上述重均分子量是通過凝膠滲透色譜（GPC)法測定的聚苯乙烯換 算的值。
[0171] 製備丙烯酸系粘合劑時，丙烯酸系共聚物可以單獨使用一種、或者組合二種以上 使用。
[0172] 製造丙烯酸系共聚物的方法沒有特別限制，可以使用溶液聚合法、乳液聚合法、懸 浮聚合法、本體聚合法等以往公知的方法。其中，從容易聚合的觀點出發理想的是溶液聚 合。
[0173] 作為用於丙烯酸系共聚物的製造的單體，可以列舉出具有官能團的丙烯酸系單 體、不具有官能團的丙烯酸系單體、及能夠與這些單體共聚的其他單體。
[0174] 作為具有官能團的丙烯酸系單體，可以列舉出（甲基）丙烯酸、（甲基）丙烯酸2-羧 基乙基酯等具有羧基的丙烯酸系單體；（甲基)丙烯酸2-羥基乙基酯、（甲基)丙烯酸2-羥基 丙基酯、（甲基）丙烯酸3-羥基丙基酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丁基酯、（甲基）丙烯酸3-羥 基丁基醋、（甲基）丙稀酸4_輕基丁基醋等具有輕基的丙稀酸系單體；等。
[0175] 這些之中，從能夠形成剪切載荷的減少率α低的粘合劑層的觀點出發，優選為 (甲基）丙烯酸、（甲基）丙烯酸2-羧基乙基酯等具有羧基的丙烯酸系單體，更優選為（甲基） 丙烯酸。
[0176] 這些單體可以單獨使用一種、或者組合二種以上使用。
[0177] 丙烯酸系共聚物中的來源於具有官能團的丙烯酸系單體的重複單元的比例相對 於總重複單元為1?40質量％，優選為3?15質量％。
[0178] 作為不具有官能團的丙烯酸系單體，可以列舉出（甲基)丙烯酸甲基酯、（甲基)丙烯 酸乙基酯、（甲基）丙烯酸丙基酯、（甲基）丙烯酸丁基酯、（甲基）丙烯酸戊基酯、（甲基）丙烯 酸己基酯、（甲基）丙烯酸辛基酯、（甲基）丙烯酸癸基酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、（甲基） 丙烯酸肉豆蘧基酯、（甲基）丙烯酸棕櫚酯、（甲基）丙烯酸硬脂基酯、（甲基）丙烯酸2-乙基 己基酯、（甲基）丙烯酸異辛基酯等具有烷基的丙烯酸系單體；（甲基）丙烯酸環己基酯等具 有環烷基的丙烯酸系單體；等。
[0179] 這些之中，從能夠形成粘合性優異的粘合劑層的觀點出發，作為不具有官能團的 丙烯酸系單體，優選為具有碳原子數4?10的烴基的（甲基）丙烯酸烷基酯，更優選為（甲 基）丙烯酸丁基酯。
[0180] 這些單體可以單獨使用一種、或者組合二種以上使用。
[0181] 作為其他單體，可以列舉出巴豆酸、馬來酸、富馬酸、衣康酸、檸康酸等具有羧基的 單體；（甲基）丙烯醯胺、N-甲基（甲基）丙烯醯胺、N-羥甲基（甲基）丙烯醯胺等具有醯胺基 的單體； 丙稀臆；苯乙稀；醋酸乙稀基醋；乙稀基批略燒麗等。
[0182] 用於聚合反應的引發劑沒有特別限制，可以列舉出過氧化苯甲醯、過氧化月桂醯、 過氧化甲基乙基酮等過氧化物系引發劑、偶氮二異丁腈、偶氮二氰基戊酸、偶氮二氰基戊烷 等偶氮系引發劑等。
[0183] 用於聚合反應的溶劑沒有特別限制，可以列舉出甲苯、己烷、庚烷、醋酸乙酯、丙 酮、甲基乙基酮、甲醇等。
[0184] 聚合反應的溫度、反應時間等反應條件可以採用公知的條件。
[0185] 丙烯酸系粘合劑中可以添加交聯劑。交聯劑是指，與上述官能團反應而形成交聯 的化合物。使用交聯劑的情況下，所使用的交聯劑沒有特別限制，可以列舉出異氰酸酯系交 聯劑、環氧基系交聯劑等。其中，異氰酸酯系交聯劑由於能夠容易地形成剪切載荷的減少率 α低的粘合劑層而優選。
[0186] 作為異氰酸酯系交聯劑，沒有特別限定，可以使用分子中具有2個以上異氰酸酯 基的化合物。作為這樣的異氰酸酯系交聯劑，可以列舉出甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異 氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯等脂肪族聚異氰酸 酯；異佛爾酮二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯等脂環式聚異氰酸酯；及它們的縮 二脲體、異氰脲酸酯體、進一步與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等含有 低分子活性氫的化合物的反應物即加合物；等。
[0187] 作為環氧基系交聯劑，可以使用分子中具有2個以上環氧基的化合物，可以列舉 出例如山梨糖醇四縮水甘油基醚、三羥甲基丙烷縮水甘油基醚、四縮水甘油基-1，3-二氨 基甲基環己烷、四縮水甘油基-間二甲苯二胺、三縮水甘油基-對氨基苯酚等。
[0188] 交聯劑可以單獨使用一種、或者組合二種以上使用。
[0189] 交聯劑的用量根據交聯劑的種類而不同，相對於丙烯酸系共聚物100質量份，通 常為0. 01?10質量份，優選為0. 05?5質量份。
[0190] 丙烯酸系粘合劑在不損害粘合性等的範圍內可以含有各種添加劑。作為添加劑， 可以列舉出光穩定劑、抗氧化劑、賦粘劑、增塑劑、紫外線吸收劑、著色劑、樹脂穩定劑、填充 齊IJ、顏料、增量劑、防靜電劑、矽烷偶聯劑等。這些添加劑可以單獨使用一種、或者組合二種 以上使用。
[0191] 丙烯酸系粘合劑可以優選作為溶劑型粘合劑使用。所使用的溶劑沒有特別限制， 可以使用公知的溶劑。
[0192] 前述聚氨酯系粘合劑是以聚氨酯系樹脂為主成分(還包括整體僅由該成分構成的 情況）的粘合劑。另外，聚氨酯系粘合劑中也可以含有聚氨酯系粘接劑。
[0193] 所使用的聚氨酯系粘合劑在能夠形成具有目標特性的粘合劑層的範圍內沒有特 別限定，可以使用以往公知者。
[0194] 作為聚氨酯系樹脂，可以列舉出聚醚聚氨酯、聚酯聚氨酯等。
[0195] 這些聚氨酯系樹脂通常通過聚醚多元醇或聚酯多元醇等多元醇與二異氰酸酯的 加聚反應而製造。
[0196] 作為前述二異氰酸酯，沒有特別限定，可以列舉出2,4_甲苯二異氰酸酯、2,6_甲 苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4' -二異氰酸酯（MDI)、萘-1，5-二異氰酸酯（NDI)、二甲 苯二異氰酸酯（XDI)等芳香族二異氰酸酯；1，6_六亞甲基二異氰酸酯（HDI)、二環己基甲 烷_4,4'_二異氰酸酯（HMDI)、3-異氰酸酯甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸酯（1^)1)、2， 6_二異氰酸酯己酸乙酯（2，6 - 7才、一卜工^ 〇力7。口工一卜，LDI)等脂肪 族異氰酸酯；等。
[0197] 這些可以單獨使用一種、或者組合二種以上使用。
[0198] 另外，聚氨酯系樹脂可以具有如下三維交聯結構：末端具有異氰酸酯基的聚氨酯 預聚物與三醇或二胺等交聯劑反應而得到的三維交聯結構。
[0199] 聚氨酯系粘合劑在不損害粘合性等的範圍內，可以含有各種添加劑。作為添加劑， 可以列舉出光穩定劑、抗氧化劑、賦粘劑、增塑劑、紫外線吸收劑、著色劑、樹脂穩定劑、填充 齊IJ、顏料、增量劑、防靜電劑、矽烷偶聯劑等。這些添加劑可以單獨使用一種、或者組合二種 以上使用。
[0200] 聚氨酯系粘合劑可以是無溶劑型粘合劑、溶劑型粘合劑、熱熔型粘合劑等中的任 一形態。
[0201] 本發明中，通過調節構成丙烯酸系共聚物、聚氨酯系樹脂等粘合劑成分的高分子 的重複單元的種類、比例，可以控制粘合劑層的粘合性、剪切載荷的減少率α。
[0202] 例如使用丙烯酸系共聚物的情況下，通過適度形成交聯結構，可以在維持粘合性 的基礎上降低剪切載荷的減少率α。具有官能團的重複單元的含有比例在總重複單元中， 優選為1?20質量％，更優選為2?15質量％。具有官能團的重複單元的含有比例在上述 範圍內時，能夠保持阻氣性而不侵蝕阻氣層，因而優選。
[0203] 另外，使用聚氨酯系樹脂的情況下，通過調節聚氨酯系樹脂的分子量、交聯結構， 可以控制粘合劑層的粘合性、剪切載荷的減少率α等。特別是通過適度地形成三維交聯結 構，可以在維持粘合性的基礎上降低剪切載荷的減少率α。
[0204] 作為形成粘合劑層的方法，可以根據所使用的粘合劑的形態採用公知的方法。例 如所使用的粘合劑的形態為溶劑型粘合劑、乳液型粘合劑的情況下，製備將粘合劑溶解於 甲苯、醋酸乙酯、甲基乙基酮等有機溶劑中而成的粘合劑層形成用組合物，將該組合物通過 旋轉塗布法、噴塗法、棒塗法、刀塗法、輥塗法、刮刀塗布法、塗模法、凹印塗布法等公知的塗 布方法進行塗布後，從所得的塗膜中乾燥除去溶劑，根據希望進行加熱，從而可以形成粘合 劑層。
[0205] 另外，所使用的粘合劑的形態為熱熔型粘合劑的情況下，利用加熱下容易熔融而 變得具有流動性的性質，通過熱熔法進行塗布。將熔融狀態的熱熔型粘合劑通過Τ型模、噴 泉模（ 7 r> 夕Μ )、齒輪模（￥ \ 4 >夕'4 )、槽模等公知的塗布方法進行塗布，並冷 卻，從而可以形成粘合劑層。
[0206] (阻氣膜層疊體） 本發明的阻氣膜層疊體是至少包含2張阻氣膜的阻氣膜層疊體，其特徵在於，相鄰的2 張阻氣膜隔著前述粘合劑層進行層疊。
[0207] 如前述那樣隔著粘合劑層貼合阻氣膜彼此而成的層疊體在高溫及高溼度下長時 間放置時，有時由於氣泡等而產生外觀不良。認為該問題是貼合阻氣膜彼此而成的層疊體 所特有的問題。
[0208] S卩，對於使用玻璃板代替阻氣膜，進一步地使用後述比較例（阻氣膜層疊體上產生 外觀不良的實驗例)的粘合劑層而成的層疊體(具有玻璃板/比較例的粘合劑層/玻璃板的 層構成的層疊體)，在高溫和高溼度下長時間放置後不產生外觀不良。
[0209] 另外，對於同樣地代替阻氣膜而使用聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（以下有時稱為 "PET膜"）而成的層疊體(具有PET膜/比較例的粘合劑層/PET膜的層構成的層疊體)，在 高溫和高溼度下長時間放置後也不產生外觀不良。
[0210] 作為前者的理由，使用玻璃板的情況下，玻璃板的水蒸氣透過率為約O.OOOOOlg/ m2/day極其小的值，因而可以認為水分幾乎未浸入層疊體內部。
[0211] 作為後者的理由，使用PET膜的情況下，PET膜的水蒸氣透過率為約10g/m2/day， 與阻氣膜相比PET膜更好地透過水蒸氣，即使水分浸入層疊體內部也能夠容易地逃出到外 部，因而可以認為層疊體內部不容易存留水分。
[0212] 像這樣，上述外觀不良的問題是由於提出了將至少2張阻氣膜隔著粘合劑層層疊 而成的層疊體而初次產生的問題。
[0213] 然後本發明通過組合使用至少2張阻氣膜和具有上述特性的粘合劑層，從而解決 了該外觀不良的問題。
[0214] 本發明的阻氣膜層疊體中，所層疊的阻氣膜的張數為2以上即可，沒有特別限定。 阻氣膜的層疊張數通常為2?5。
[0215] 本發明的阻氣膜層疊體根據希望可以層疊保護層、導電體層、底漆層等其他層。需 要說明的是，其他層層疊的位置沒有特別限定。其他層可以為1種、或同種或不同種的2層 以上。
[0216] 保護層在從外部施加衝擊的情況下，發揮保護阻氣膜層疊體的作用。作為保護層， 優選為透明性、耐擦傷性良好的層。
[0217] 保護層層疊的位置沒有特別限定，優選在阻氣膜層疊體的最外層層疊。
[0218] 作為構成保護層的材料，沒有特別限定，可以使用公知的材料。可以列舉出例如， 含矽化合物；包含光聚合性單體和/或光聚合性預聚物的光聚合性化合物、及至少包含通 過可見光區域的光產生自由基的聚合引發劑的聚合性組合物；聚酯系樹脂、聚聚氨酯系樹 月旨(特別是聚丙烯多元醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等和異氰酸酯化合物的雙液固化型樹 脂)、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、氯乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇縮丁醛系樹脂、 硝基纖維素系樹脂等樹脂類；烷基鈦酸酯；吖丙啶；等。這些材料可以單獨、或者組合2種 以上使用。
[0219] 保護層可以用如下形成：將構成前述保護層的材料溶解或分散於適當的溶劑中而 成的保護層形成用溶液通過公知的方法塗布於層疊的層上，將所得的塗膜乾燥，根據希望 進行加熱從而形成。
[0220] 作為塗布保護層形成用溶液的方法，可以使用通常的溼式塗布方法。可以列舉出 例如浸漬法、輥塗、凹印塗布、刮刀塗布法、氣刀塗布法、輥刮刀塗布法、模塗法、網版印刷 法、噴塗法、凹版膠印法等。
[0221] 作為乾燥保護層形成用溶液的塗膜的方法，可以採用熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線 照射等以往公知的乾燥方法。保護層的厚度可以根據阻氣膜層疊體的目的而適當選擇，優 選為0· 05?50 μ m，更優選為0· 1?10 μ m，進一步優選為0· 2?5 μ m。
[0222] 保護層的厚度比0.05 μ m薄的情況下，耐擦傷性不充分不優選。另一方面，t匕 50 μ m厚的情況下，由於固化時的變形而容易產生捲曲因而不優選。
[0223] 導電體層是具有導電性的層。作為構成導電體層的材料，可以列舉出金屬、合金、 金屬氧化物、電導性化合物、它們的混合物等。具體而言可以列舉出摻雜有銻的氧化錫 (ΑΤ0);摻雜有氟的氧化錫（FT0);氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫（IT0 )、氧化鋅銦（IZ0) 等導電性金屬氧化物；金、銀、鉻、鎳等金屬；這些金屬與導電性金屬氧化物的混合物；碘化 銅、硫化銅等無機導電性物質；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等有機導電性材料；等。
[0224] 這些之中，從透明性的觀點出發，優選為導電性金屬氧化物，特別優選為ΙΤ0。導電 體層可以是包含這些材料的層數層層疊而成。
[0225] 作為導電體層的形成方法，可以列舉出例如蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、熱CVD法、 等離子體CVD法等。這些之中，從能夠簡便地形成導電體層的觀點出發，優選為濺射法。
[0226] 濺射法是在真空槽內導入放電氣體(氬等)，在靶與基板之間施加高頻電壓或者直 流電壓使放電氣體等離子體化，使該等離子體衝撞靶，從而使靶材料飛濺而附著於基板得 到薄膜的方法。作為靶，使用由形成前述導電體層的材料製成的靶。
[0227] 導電體層的厚度根據其用途等適當選擇即可。通常為10nm?50μπκ優選為 20nm?20 μ m。所得的導電體層的表面電阻率通常為1000 Ω / □以下。
[0228] 對形成的導電體層可以根據需要進行圖案形成。作為圖案形成的方法，可以列舉 出基於光刻法等的化學性蝕刻、使用雷射等的物理性的蝕刻等、使用掩模的真空蒸鍍法、濺 射法、剝離法、印刷法等。
[0229] 底漆層是發揮提高基材層與阻氣層、或其他層之間的層間密合性的作用的層。通 過設置底漆層，可以提高層間密合性及表面平滑性。
[0230] 作為構成底漆層的材料沒有特別限定，可以使用公知的材料。可以列舉出例如含 矽化合物；包含光聚合性單體和/或光聚合性預聚物的光聚合性化合物、及至少含有通過 可見光區域的光產生自由基的聚合引發劑的聚合性組合物；聚酯系樹脂、聚聚氨酯系樹脂 (特別是聚丙烯多元醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等和異氰酸酯化合物的雙液固化型樹脂)、 丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、氯乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇縮丁醛系樹脂、硝 基纖維素系樹脂等樹脂類；烷基鈦酸酯；吖丙啶；等。這些材料可以單獨、或者組合2種以 上使用。
[0231] 底漆層是可以如下形成：將構成前述底漆層的材料溶解或分散於適當溶劑而成的 底漆層形成用溶液塗布於基材層或其他層的單面或兩面，將所得的塗膜乾燥，並根據希望 進行加熱從而形成。
[0232] 作為將底漆層形成用溶液塗布於基材或其他層的方法，可以使用通常的溼式塗布 方法。可以列舉出例如浸漬法、輥塗、凹印塗布、刮刀塗布法、氣刀塗布法、輥刮刀塗布法、模 塗法、網版印刷法、噴塗法、凹版膠印法等。
[0233] 作為將底漆層形成用溶液的塗膜乾燥的方法，可以採用熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外 線照射等以往公知的乾燥方法。底漆層的厚度通常為10?5000nm，優選為20?4000nm。
[0234] 本發明的阻氣膜層疊體是至少包含2張阻氣膜的阻氣膜層疊體，只要是相鄰的2 張阻氣膜隔著前述粘合劑層層疊而成的，則對層疊構成沒有特別限定。
[0235] 將本發明的阻氣膜層疊體的一例示於圖1 (a)?（c)、圖2 (a)?（c)。
[0236] 圖1 (a)所示的阻氣膜層疊體100A具有如下層構成：相鄰的2張阻氣膜隔著粘合 劑層4,阻氣層2a和阻氣層2b以夾著粘合劑層4相對設置的方式層疊而成的層構成(基材 la/阻氣層2a/粘合劑層4/阻氣層2b/基材lb)。
[0237] 圖1 (b)所示的阻氣膜層疊體100B具有如下層構成：相鄰的2張阻氣膜隔著粘 合劑層4,阻氣層2a和基材lb以夾著粘合劑層4相對設置的方式層疊而成的層構成(基材 la/阻氣層2a/粘合劑層4/基材lb/阻氣層2b)。
[0238] 圖1 (c)所示的阻氣膜層疊體100C具有如下層構成：相鄰的2張阻氣膜隔著粘 合劑層4,基材la和基材lb以夾著粘合劑層4相對設置的方式層疊而成的層構成（阻氣層 2a/基材la/粘合劑層4/基材lb/阻氣層2b)。
[0239] 圖2 (a)所示的阻氣膜層疊體100D是包含3張阻氣膜的阻氣膜層疊體，具有如下 層構成：相鄰的2張阻氣膜隔著粘合劑層4a，阻氣層2a和阻氣層2b以夾著粘合劑層4a相 對設置的方式進行層疊，進一步地另1張阻氣膜隔著粘合劑層4b，基材lb和阻氣層2c以夾 著粘合劑層4b相對設置的方式進行層疊而成的層構成(基材la/阻氣層2a/粘合劑層4a/ 阻氣層2b/基材lb/粘合劑層4b/阻氣層2c/基材lc)。
[0240] 圖2 (b)所示的阻氣膜層疊體100E是包含3張阻氣膜的阻氣膜層疊體，具有如下 層構成：相鄰的2張阻氣膜以夾著粘合劑層相對設置的方式進行層疊而成的層構成，阻氣 層2a和基材lb以隔著粘合劑層4a、阻氣層2b和基材lc以以隔著粘合劑層4b相對設置的 方式進行層疊而成的層構成(基材la/阻氣層2a/粘合劑層4a/基材lb/阻氣層lb/粘合 劑層4b/基材lc/阻氣層2c)。
[0241] 圖2 (c)所示的阻氣膜層疊體100F是包含3張阻氣膜的阻氣膜層疊體，具有如下 層構成：相鄰的2張阻氣膜隔著粘合劑層4a，阻氣層2a和阻氣層2b以夾著粘合劑層4a相 對設置的方式進行層疊，進一步地另1張阻氣膜隔著粘合劑層4b，基材lb和基材lc以夾著 粘合劑層4b相對設置的方式進行層疊而成的層構成(基材la/阻氣層2a/粘合劑層4a/阻 氣層2b/基材lb/粘合劑層4b/基材lc/阻氣層2c)。
[0242] 這些之中，作為本發明的阻氣膜層疊體，如圖1 (a)、圖2 (a)、（c)所示那樣，相鄰 的2張阻氣膜以阻氣層與阻氣層夾著粘合劑層相對設置的方式進行層疊，由於阻氣層難以 產生劃痕、針孔，阻氣性難以降低，因而優選，如圖1 (a)、圖2 (a)所示，更優選阻氣膜層疊 體的最外層均不為阻氣層。
[0243] 作為將前述相鄰的2張阻氣膜彼此隔著粘合劑層進行層疊的方法，沒有特別限 定，可以列舉出公知的方法。
[0244] 例如具有圖1 (a)所示的層構成(基材la/阻氣層2a/粘合劑層4/阻氣層2b/基 材lb)的阻氣膜層疊體100A可以如下這樣進行製造。
[0245] 首先，如圖3 (a)所示那樣，準備2張具有由合成樹脂膜形成的基材1、和設置於該 基材1上的阻氣層2的阻氣膜10 (以下分別表示為10a、10b。）。
[0246] 接著，如圖3 (b)所示那樣，在剝離膜3上形成粘合劑層4,得到帶粘合劑層的剝離 膜20。需要說明的是，帶粘合劑層的剝離膜20可以在粘合劑層4上進一步具有其他剝離 膜。
[0247] 接著，如圖3 (c)所示那樣，將阻氣膜10a的阻氣層2a、和帶粘合劑層的剝離膜20 的粘合劑層4 一邊根據希望進行加熱，一邊進行貼合，從而得到粘合膜30。貼合的方法沒有 特別限定，可以列舉出例如使用公知的覆膜機的方法。
[0248] 然後，如圖3 (d)所示那樣，將粘合膜30的剝離膜3剝離，在露出的粘合劑層4面 上，將阻氣膜l〇b的阻氣層2b -邊根據希望進行加熱，一邊進行貼合，從而可以得到圖3(e) 所示的阻氣膜層疊體100A。
[0249] 製造本發明的阻氣層疊體的方法不限定於上述方法，例如在圖3 (a)所示的阻氣 膜10的阻氣層2上直接形成粘合劑層，將該粘合劑層和另1張阻氣膜一邊根據希望進行加 熱，一邊重疊壓接，從而也可以獲得阻氣膜層疊體。
[0250] 本發明的阻氣膜層疊體的形狀如後述只要是能夠適用於電子構件的就沒有特別 限制。可以列舉出例如片狀、長方體狀、多邊形稜柱狀、筒狀等。
[0251] 本發明的阻氣膜層疊體具有高阻氣性、且即使在高溫和高溼度下長時間放置的情 況下，也難以產生氣泡等外觀不良，因而特別適合於液晶顯示器構件、有機EL顯示器構件、 無機EL顯示器構件、電子紙構件等顯示器用構件。
[0252] 2)粘合膜 本發明的粘合膜是用於製造至少包含2張阻氣膜、相鄰的2張阻氣膜隔著粘合劑層層 疊而成的阻氣膜層疊體的粘合膜，其特徵在於，至少阻氣膜與粘合劑層相鄰層疊而成，前述 粘合劑層的前述式（I)所示的剪切載荷的減少率α (%)為70%以下。
[0253] 作為本發明的粘合膜的粘合劑層，可以列舉出與之前在阻氣膜層疊體中說明的粘 合劑層相同的粘合劑層。
[0254] 作為本發明的粘合膜，可以列舉出圖3 (c)所示那樣，阻氣膜10a的阻氣層2a和 粘合劑層4相鄰層疊而成的粘合膜30。
[0255] 另外，本發明的粘合膜可以在粘合劑層4上具有剝離膜，也可以不具有剝離膜（即 具有從粘合膜30除去剝離膜3而得到的層結構)。
[0256] 本發明的粘合膜可以根據希望層疊保護層、導電體層、底漆層等其他層。作為這些 層，可以列舉出之前在阻氣膜層疊體中說明的層。需要說明的是，其他層層疊的位置沒有特 別限定。其他層可以為1種或同種或不同種的2層以上。
[0257] 本發明的粘合膜在製造上述本發明的阻氣膜層疊體時有用。
[0258] 3)電子構件 本發明的電子構件的特徵在於具有上述本發明的阻氣膜層疊體。作為電子構件，可以 列舉出例如液晶顯示器構件、有機EL顯示器構件、無機EL顯示器構件、電子紙構件、太陽能 電池、熱電轉換構件等的撓性基板等。
[0259] 本發明的電子構件由於具備上述本發明的阻氣膜層疊體，因而難以發生由於水蒸 氣等而導致的元件的劣化，且即使在高溫和高溼度下長時間放置的情況下，也難以產生氣 泡等外觀不良。 實施例
[0260] 以下舉出實施例更詳細地說明本發明。但本發明不受以下實施例的任何限定。
[0261] ( 1)粘合劑組合物的製備 (粘合劑組合物A的製備） 將使用丙烯酸丁酯（BA)及丙烯酸（AA)而得到的丙烯酸系共聚物(質量比（BA:AA)= 90 :10、重均分子量550,000) 100質量份和異氰酸酯系交聯劑(東洋油墨公司制、BHS-8515、 濃度37. 5質量％) 0. 22質量份混合，用甲基乙基酮稀釋，得到不揮發成分濃度30質量％的 粘合劑組合物A。
[0262] (粘合劑組合物B的製備） 將使用丙烯酸丁酯（BA)、丙烯酸甲酯（MA)及丙烯酸(AA)而得到的丙烯酸系共聚物(質 量比（84:嫩44) = 76:20:4、重均分子量800,000) 100質量份和異氰酸酯系交聯劑(東洋 油墨公司制、BHS-8515、濃度37. 5質量％) 2質量份、環氧基系交聯劑(大成化藥社制、TC-5、 濃度5質量％) 0. 5質量份混合，用醋酸乙酯稀釋，得到不揮發成分濃度22質量％的粘合劑 組合物B。
[0263] (粘合劑組合物C的製備） 將使用丙烯酸2-乙基己基酯（2EHA)、丙烯酸環己基酯（CHA)及丙烯酸2-羥基乙基 酯（HEA)而得到的丙烯酸系共聚物(質量比（2EHA :CHA :HEA) = 59. 7 :40 :0. 3、重均分子量 800,000) 100質量份和異氰酸酯系交聯劑（東洋油墨公司制、BHS-8515、濃度37. 5質量％) 〇. 5質量份混合，用甲基乙基酮稀釋，得到不揮發成分濃度30質量％的粘合劑組合物C。
[0264] (粘合劑組合物D的製備） 將使用丙烯酸丁酯（BA)及丙烯酸（AAc)而得到的丙烯酸系共聚物(質量比（BA :AAc)= 90 :10、重均分子量400,000) 100質量份和環氧基系交聯劑(大成化藥社制、TC-5、濃度5質 量％) 0. 5質量份混合，用甲基乙基酮稀釋，得到不揮發成分濃度35質量％的粘合劑組合物 D〇
[0265] (粘合劑組合物E的製備） 將聚異丁烯樹脂（BASF社制、才パ7 B50、重均分子量340,000) 100質量份、聚丁 烯樹脂(新日本石油社制、日石聚丁烯夕'' >一 F HV-1900、重均分子量1900)30質量份、環 狀烯煙系聚合物（Eastman Chemical Company 制、Elastotac H-100L Resin) 50 質量份 溶劑於甲苯，得到不揮發成分濃度約18質量％的粘合劑組合物E。
[0266] (阻氣膜的製作） 對作為基材的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(三菱樹脂社制、PET38 T-100、厚度38 μ m、以 下稱為"PET膜"。）通過旋轉塗布法塗布聚矽氮烷化合物（以全氫聚矽氮烷為主成分的塗布 材（Clariant(Japan)K.K.制、 7 7 S 力1110-20)，以 12(TC加熱1 分鐘，形成厚度 150nm 的、包含全氫聚矽氮烷的聚矽氮烷層。
[0267] 接著，使用等離子體離子注入裝置在聚矽氮烷層的表面，以下述條件等離子體離 子注入氬（Ar)，形成阻氣層，製作阻氣膜。所得的阻氣膜的40°C、相對溼度90%的條件下的 水蒸氣透過率為0. 02g/m2/day。需要說明的是，阻氣膜的水蒸氣透過率使用美國M0C0N社 制 "PERMATRAN" 測定。
[0268] 為了形成阻氣層而使用的等離子體離子注入裝置及離子注入條件為以下所述。
[0269] (等離子體離子注入裝置） RF電源：日本電子社制、型番號"RF" 56000 高電壓脈衝電源：慄田製作所社制、"PV-3-HSHV-0835" (等離子體離子注入條件） 等離子體生成氣體：Ar 氣體流量：l〇〇sccm 佔空比：0. 5% 施加電壓：_6kV RF電源：周波數13. 56MHz、施加電力1000W 腔室內壓：〇. 2Pa 脈衝幅：5 μ sec 處理時間（離子注入時間）：200秒。
[0270] (實施例1) 在厚度38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的單面設置矽氧烷剝離層而成的剝離膜(琳 得科公司制、SP-PET381031)的剝離層表面，將粘合劑組合物A通過逗號直接塗布法進行塗 布，將所得的塗膜在l〇〇°C下乾燥1分鐘，形成厚度約10 μ m的粘合劑層，得到帶粘合劑層的 剝離膜a。接著，另外準備剝離膜(琳得科公司制、SP-PFS50AL-5、厚度38 μ m的聚對苯二甲 酸乙二醇酯膜的單面設置剝離層而成的剝離膜)，將該剝離膜的剝離層與帶粘合劑層的剝 離膜a的粘合劑層面貼合，得到在粘合劑層的兩面層疊有剝離膜的帶粘合劑層的剝離膜A。
[0271] 接著，準備2張通過上述方法製作的阻氣膜，將1張阻氣膜的阻氣層面與剝離帶粘 合劑層的剝離膜A的一個剝離膜而露出的粘合劑層面貼合。
[0272] 進一步地，將剝離另一面側的剝離膜而露出的粘合劑層面、與另1張阻氣膜的阻 氣層面貼合，製作阻氣膜層疊體A。
[0273] (實施例2) 實施例1中，將粘合劑組合物A替換為粘合劑組合物B，製作帶粘合劑層的剝離膜B，使 用該膜，除此以外與實施例1同樣地操作製作阻氣膜層疊體B。
[0274] (比較例1) 實施例1中，將粘合劑組合物A替換為粘合劑組合物C，製作帶粘合劑層的剝離膜C，使 用該膜，除此以外與實施例1同樣地操作製作阻氣膜層疊體C。
[0275] (比較例2) 實施例1中，將粘合劑組合物A替換為粘合劑組合物D，製作帶粘合劑層的剝離膜D，使 用該膜，除此以外與實施例1同樣地操作製作阻氣膜層疊體D。
[0276] (比較例3) 實施例1中，將粘合劑組合物A替換為粘合劑組合物E，製作帶粘合劑層的剝離膜E，使 用該膜，除此以外與實施例1同樣地操作製作阻氣膜層疊體E。
[0277] (實施例3) 準備在剝離膜上具備聚氨酯系粘合劑層的帶粘合劑層的片材（KURABO INDUSTRIES LTD.制、G-6、厚度25 μ m)，使用熱覆膜機（層壓溫度120°C、速度0.24m/分鐘）將該粘合劑 層面與通過上述方法製作的阻氣膜的阻氣層面貼合後，剝離剝離膜。使用前述熱覆膜機將 露出的聚氨酯粘合劑層與另外的阻氣膜的阻氣層面貼合，製作阻氣膜層疊體F。
[0278] (比較例4) 實施例3中，除了使用在剝離膜上具有烯烴系粘合劑的帶劑層的粘合片材（KURABO INDUSTRIES LTD.制、Z-2、厚度25 μ m)代替具有聚氨酯系粘合劑層的帶粘合劑層的片材以 夕卜，與實施例3同樣地操作製作阻氣膜層疊體G。
[0279] (剪切試驗） 為了對實施例1、2、比較例1?3的阻氣膜層疊體的粘合劑層進行剪切試驗，通過以下 方法製作試驗片。
[0280] 將聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（東洋紡株式會社制、C0SM0SHINE PET188A4300、厚 度188 μ m)與上述的帶粘合劑層的剝離膜A?E分別進行貼合後，裁斷成寬15mm長度100mm 的大小，得到試驗用粘合膜(粘合劑層的厚度30 μ m)。將試驗用粘合膜的剝離膜剝離使粘合 劑層露出後，如圖4所示那樣，將該試驗用粘合膜與無鹼玻璃（Corning Incorporated制、 EAGLE XG)以貼合面積達到225mm2 (15mmX 15mm)的方式進行貼合，用2kg的棍往復5次， 得到試驗片。需要說明的是，圖4 (a)為試驗片的正面圖，圖4 (b)為圖4 (a)中的X_Y面 中的截面圖。
[0281] 另外，為了對實施例3、比較例4的阻氣膜層疊體的粘合劑層進行剪切試驗，通過 以下方法製作試驗片。
[0282] 使用熱覆膜機(層壓溫度120°C、速度0.24m/分鐘）將聚對苯二甲酸乙二醇酯 膜（東洋紡株式會社制、C0SM0SHINE PET188A4300、厚度188μπι)與各個帶粘合劑層的片 材的粘合劑層面貼合後，裁斷成寬15mm長度100mm的大小得到試驗用粘合膜。將試驗用 粘合膜的剝離膜剝離使粘合劑層露出後，如圖4所示那樣，將該試驗用粘合膜與無鹼玻璃 (Corning Incorporated 制、EAGLE XG)以貼合面積達到 225mm2 (15mmX 15mm)的方式進行 重疊，在前述同樣的條件下使用熱覆膜機進行貼合，得到試驗片。
[0283] 將由上述方法得到的試驗片分別在23°C、相對溼度50%的環境下放置24小時。然 後在相同環境下將試驗片裝載於(將無鹼玻璃和試驗用粘合膜的各自的未貼合側的端部裝 載於拉伸試驗機）拉伸試驗機（Instron Corporation制、型式5581)，將試驗片以剪切速度 0. 1mm/分鐘沿水平方向(剪切方向)進行拉伸，測定其載荷。將剪切方向的移位為0. 1mm時 的剪切載荷設為X (N)。
[0284] 另外，在80°C的條件下進行相同的試驗，將該試驗中的剪切方向的移位為0. 1mm 時的剪切載荷設為Y (N)。
[0285] 由所得的X及Y基於下述式（I)求出剪切載荷的減少率α。
[0286] [數 3] \ - γ ) a - ~：-- X 1 Ο (I ( I } X (高溫、高溼條件投入後的外觀評價） 將由實施例1?3及比較例1?4得到的阻氣膜層疊體A?G分別裁斷成120mmX 120mm 的大小，在高溫溼熱條件下(條件1 :60°C、90%RH、條件2 :85°C、85%RH)分別放置1000小時。 然後，在23°C、50%RH環境下進行1天調溫·調溼，通過目視評價阻氣膜層疊體。
[0287] 評價基準為以下所示。
[0288] 〇：阻氣膜層疊體中未觀察到氣泡。 IxmK* ο ο o xoocu'HKftw ? 'pmDeJJfirsf..^ .........................................................................................................................................................................................................................................................................1::···...··.-1*1 * 〇 *-0o oioooi-xorfsool'P0 9s>?-fl.:?-Y3i, , 礎-v-+J s 二ι--?-0B0 I r ? I I s s r <2- i 1 3 ^ i ! ￥3N 一--LI-^--^--^-1-j i _l-^<:-tI ~ ,__^__^__N___ I , - 義""iI i I i-s? I I 413?sis.--個 il_L-J ^?s-si ,°l , St2<< ^- Is - 丨-0? ￥ffllg ?1 ^ il'lrntfH5f*siTT --s-2itv<=?i&=II+Mi氣 I-J------到 5￡ s l￡ s s s?t%i4'awrsll^ O rf O s geaUS?s.s j s?> 2〕 nf#4;.:lar^ 10 6.3『D°!g?s".sU5.S H!s ,ρεζ i-- 雪邊棟 f S Z - t g I ^M>肝-----！--膜 € :|籩：|1 $-s^ pf-__rit-----1--------------------------------------Hi-fii___LI-.-- .--3 ........................................................I................................................._____- ι-I ...................................................iliiIn-- j----f結 5J價 f I X評_-_ _-_9 o 8 9 0202 ___ ___
[0291] 根據表1可知以下事項。
[0292] 實施例1?3中得到的阻氣膜層疊體的其粘合劑層的剪切載荷的減少率為70%以 下，即使在高溫高溼條件下放置時，也未觀察到氣泡。
[0293] 另一方面，比較例1?4中得到的阻氣膜層疊體的其粘合劑層的剪切載荷的減少 率超過了 70%，在高溫高溼條件下放置時，觀察到了氣泡。
[0294] 符號的說明 1，la，lb，lc · · ·基材 2, 2a，2b，2c ···阻氣層 3· _ _剝離膜 4,4a, 4b ···粘合劑層 5 _ _ 無鹼玻璃 6 __ 聚對苯二甲酸乙二醇酯膜 7 _ _ 粘合劑層 10,10a，10b ···阻氣膜 20· ··帶粘合劑層的剝離膜 30 · · ·粘合膜 100A，100B，100C，100D，100E，100F 阻氣膜層疊體
【權利要求】
1. 阻氣膜層疊體，其為至少包含2張阻氣膜的阻氣膜層疊體，其特徵在於，相鄰的2張 阻氣膜隔著粘合劑層層疊而成， 所述粘合劑層的下述式（I)所示的剪切載荷的減少率α (%)為70%以下， [數學式1] ? X Υ) 1 n ; ........................................................................ X 1 〇 〇 ( 1 j X 式中，X表示使用具有聚對苯二甲酸乙二醇酯膜/粘合劑層/無鹼玻璃的3層結構的、 貼合面積為225mm2 (15mmX 15mm)的試驗片，在23°C 50%RH、剪切速度0· 1mm/分鐘的條件 下進行剪切試驗的情況下，剪切方向的移位為〇. 1mm時的剪切載荷（N) ;Y表示使用同樣的 試驗片，在80°C、剪切速度0. 1mm/分鐘的條件下進行剪切試驗的情況下，剪切方向的移位 為0· 1mm時的剪切載荷（N)。
2. 根據權利要求1所述的阻氣膜層疊體，其中，所述阻氣膜具有基材膜和設置於該基 材膜上的至少1層阻氣層。
3. 根據權利要求2所述的阻氣膜層疊體，其中，相鄰的2張阻氣膜以該阻氣膜的阻氣層 彼此相對的方式進行層疊。
4. 根據權利要求2或3所述的阻氣膜層疊體，其中，所述阻氣層是對包含高分子矽化合 物的層注入離子而形成的層。
5. 根據權利要求1或2所述的阻氣膜層疊體，其中，所述粘合劑層是包含丙烯酸系粘合 劑或聚氨酯系粘合劑的層。
6. 根據權利要求5所述的阻氣膜層疊體，其中，所述丙烯酸系粘合劑以具有源自具有 羧基的丙烯酸系單體的重複單元、和源自不具有官能團的丙烯酸系單體的重複單元兩者的 丙烯酸系共聚物為主成分。
7. 根據權利要求6所述的阻氣膜層疊體，其中，所述丙烯酸系共聚物的重均分子量為 100,000 ?1，000,000。
8. 根據權利要求5所述的阻氣膜層疊體，其中，所述丙烯酸系粘合劑包含交聯劑。
9. 根據權利要求1所述的阻氣膜層疊體，其中，所述粘合劑層的厚度為0. 5?100 μ m。
10. 根據權利要求1所述的阻氣膜層疊體，其中，所述阻氣膜的水蒸氣透過率在40°C、 相對溼度90%的氣氛下為0· 00001?1. 0g/m2/day。
11. 粘合膜，其為用於製造至少包含2張阻氣膜、相鄰的2張阻氣膜隔著粘合劑層層疊 而成的阻氣膜層疊體的粘合膜，其特徵在於，至少阻氣膜與粘合劑層相鄰層疊而成， 所述粘合劑層的下述式（I)所示的剪切載荷的減少率α (%)為70%以下， [數學式2] (X .... Υ ) η - - X 1 Ο Ο ( I ) X 式中，X表示使用具有聚對苯二甲酸乙二醇酯膜/粘合劑層/無鹼玻璃的3層結構的、 貼合面積為225mm2 (15mmX 15mm)的試驗片，在23°C 50%RH、剪切速度0· 1mm/分鐘的條件 下進行剪切試驗的情況下，剪切方向的移位為0. 1mm時的剪切載荷（N) ;Y表示使用同樣的 試驗片，在80°C、剪切速度0. 1mm/分鐘的條件下進行剪切試驗的情況下，剪切方向的移位 為0· 1mm時的剪切載荷（N)。
12.電子構件，其具備權利要求1?5中任一項所述的阻氣膜層疊體。
【文檔編號】C09J175/04GK104125884SQ201380011184
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年3月5日 優先權日:2012年3月6日
【發明者】劍持卓, 永繩智史, 永元公市 申請人:琳得科株式會社