顯示裝置和顯示方法
2023-05-19 10:25:01
專利名稱：顯示裝置和顯示方法
技術領域：
本發明涉及採用使用TFT(薄膜電晶體)矽基板的電致發光元件的顯示裝置以及使用該顯示裝置的顯示方法，特別涉及使用作為電致發光元件的有機EL(電致發光)以及液晶的顯示裝置以及顯示方法。
背景技術：
近年，液晶顯示裝置、EL顯示裝置、FED(場致發射顯示)顯示裝置等顯示裝置的開發比較盛行。特別是，液晶顯示裝置以及EL顯示裝置由於有效利用其質量輕、低消耗功率特性，從而作為可攜式電話以及可攜式個人計算機的顯示裝置而引起重視。另一方面，這些可攜式設備中，追求加載的功能不斷增加，對於顯示裝置而言，強烈要求它能變為更加小型輕質量、低消耗功率。
作為用於使該顯示裝置降低消耗功率的方法，在作為現有已經使用技術的特開平8-194205號公報(
公開日1996年7月30日)中公開了具有對每個象素的存儲功能，通過對與其存儲內容相應的基準電壓切換，停止顯示同一象素情況的周期性再寫入操作，從而可以降低驅動電路消耗功率。
即，如圖14所示，在第1玻璃基板上，將象素電極202設置為矩陣形，在象素電極202之間設置有掃描線203，在與掃描線203正交方向上設置信號線204。此外，與掃描線203平行設置參考線205。在掃描線203與信號線204的交叉部位中設置後述的存儲器元件206，在該存儲器元件206和象素電極202之間設置開關元件207以便使其介於其中。
在每個垂直周期內根據掃描線驅動器208，選擇性地來控制所述掃描線203，在每個水平周期內，根據信號線驅動器209匯總控制所述信號線204，根據參考線驅動器210匯總控制所述參考線205。在所述第1玻璃基板上，與其離開預定距離，與其相對來設置第2玻璃基板，該第2玻璃基板的相對面上，形成相對電極。然後，在2個基板的表面上形成定向膜，在這2個玻璃基板之間，加入作為顯示材料的為電致發光元件的液晶。
圖15為詳細顯示圖14中各個象素部分結構的電路圖。在彼此相互正交形成的掃描線203和信號線204的交叉部中，形成保持2值數據的所述存儲器元件206，該存儲器元件206中設置了將所保持的信息輸出的輸出單元。該輸出單元上，連接了3端子開關元件207。通過所述開關元件207輸出保存在存儲器元件206中的信息。將來自所述存儲器元件206的輸出提供給開關元件207的控制輸入端，將所述參考線205的基準電壓Vref提供給一端，通過液晶層215將來自所述象素電極1的所述相對電極216的共同電壓Vcom提供給另一端。但是，響應存儲器元件206的輸出，控制從開關元件207的一端到其另一端的電阻值，從而調整液晶層215的偏置狀態。
在如圖15所示的結構中，在存儲器元件中使用由Poly-Si(多晶矽)TFT組成的2級反相器212、213，使用正反饋形式的存儲器電路即靜態存儲器元件。這裡，所述掃描線203的掃描電壓Vg變為高電平，選擇該掃描線203時，TFT211變為導通狀態，通過該TFT211，將從信號線204提供來的信號電壓Vsig輸入到反相器212的柵極端子。該反相器212的輸出通過反相器213反相，被再次輸入到該反相器212的柵極端子，這樣，TFT211變為導通時寫入到反相器212的數據以相同極性被反饋到該反相器212中，將該TFT211保持到再次導通狀態。如前所述，在該公開文件中，公開了在液晶顯示裝置的象素中設置一個靜態存儲器元件的結構。
作為使用這樣的多晶矽TFT，將靜態存儲器元件設置在每個象素內的另一種結構，在USPN4996523(特開平2-148687號公報(
公開日1990年6月7日))中公開了在有機EL象素中設置多個靜態存儲器元件的結構。圖16為顯示現有技術中的各象素部分結構的電路圖。在該現有技術中，將各象素構造成具有多個存儲器單元m1、m2、...mn(圖16中，n為4)，穩流電路225，由所述各存儲器單元m1～mn的數據控制、形成所述穩流電路225的基準電流的電晶體q1～qn，用來自所述穩流電路225的電流驅動的有機EL元件226。在對應於相同象素的存儲器單元m1～mn中，提供共同的低電極控制信號v1，並分別提供n比特的列電極控制信號b1-bn。
由於穩流電路225為使用TFT223、224的電流鏡像電路，因此根據作為流過彼此並聯的電晶體q1-qn的電流總和的所述基準電流來決定流過有機EL元件226的電流，另外，通過由保存在存儲器單元m1-mn中的數據決定的電晶體q1-qn的柵極電壓來設定流過電晶體q1-qn的電流。
將各存儲器單元m1-mn構造為例如圖17所示的結構。即，將其構造為包括將所述低電極控制信號v1的輸入反相的CMOS反相器228、存儲用的CMOS反相器230、反饋用的CMOS反相器231、響應所述低電極控制信號v1以及反相用CMOS反相器228的輸出、在所述存儲用的反相器230的柵極中，控制是輸入所述列電極控制信號b1-bn還是將反饋用的反相器231的輸出反饋的MOS傳送門227、229。但是，由於所述低電極控制信號v1為選擇狀態時，MOS傳送門227變為導通狀態，MOS傳送門229變為非導通狀態，因此，列輸入信號Bn通過MOS傳送門227，輸入到CMOS反相器230的柵極。另外，由於所述低電極控制信號v1為非選擇狀態時，MOS傳送門227變為非導通狀態，MOS傳送門229變為導通狀態，因此，CMOS反相器231的輸出通過MOS傳送門229反饋到CMOS反相器230。但是，該存儲器單元m1-mn變為將CMOS反相器230的輸出通過CMOS反相器23 1以及MOS傳送門229反饋到CMOS反相器230柵極的靜態存儲器元件結構。
在該USPN4996523中，公開了在有機EL顯示裝置的象素中設置多個靜態存儲器元件的結構。在使用多晶矽基板的顯示裝置中，用於驅動電致發光元件的驅動器電路也可以使用多晶矽TFT來形成。
但是，在特開平8-194205號公報中記載的現有技術中，如圖15所示，1個象素由液晶層215、液晶驅動用開關元件207、1比特的存儲器元件206構成。但是，即使能使用該存儲器元件206將每個液晶元件顯示為白黑2值，還是存在不能顯示3灰度等級以上的多灰度等級顯示的問題。另外，這些存儲器元件206雖然可以執行靜止圖像顯示，但是存在不能用於動態圖像顯示的問題。因此，在特開平8-194205號公報的現有技術中，用於進行多灰度等級顯示以及動態圖像顯示而在顯示畫面周邊設置的驅動電路規模，與在象素中不設置存儲器元件的顯示裝置沒有什麼區別，因此存在驅動電路規模不能變小的問題。
這點上，如USPN4996523中的現有技術那樣，使用在象素中設置多個靜態存儲器元件m1-mn進行多灰度等級顯示的情況中，由於多灰度等級顯示以及動畫顯示時，使用多個存儲器元件進行D/A變換，因此，在驅動電路一側不需要D/A轉換電路，因此在顯示畫面周圍設置的驅動電路規模可以變小。
但是，如圖17所示，在各個存儲器元件m1-mn中分別使用10個TFT，存在為了進行多灰度顯示所需的TFT的數量變為很多的問題。這裡，假設利用2個反相器的以及2個選擇用TFT的總計6個TFT，來構成存儲器元件m1-mn中的每一個，為了執行4比特灰度顯示計算每個象素所必需的TFT個數。這樣一來，將每個存儲器單元所需的TFT個數乘以比特數的個數也就是變為，每個存儲器單元所需的TFT個數(6個)×比特數(4比特)＝24個。如圖16所示，其中所附加、用於執行多灰度顯示的TFT也有必要。
這裡，考慮例如100DPI(點/英尺)程度的顯示裝置時，其象素大小變為250μm方形。由於在該象素大小中必須設置RGB三色的點，因此對於每個點中設置的所述個數的TFT，當前設計尺度(4-2(μm)尺度)的多晶矽處理極其困難。
另一方面，作為存儲器元件，在使用電容的靜態型存儲器元件的結構中，由於每個存儲器元件1比特中所需的TFT個數為1-2個程度，因此，可以使用較少的TFT來構成存儲器元件。但是，對於靜態存儲器元件而言，由於在電容中積累的電荷通過漏電流而消失，因此存在不能存儲靜止畫面來顯示的問題。
發明內容
本發明的目的在於提供能減小存儲器元件每1比特中所需的TFT個數從而減小在顯示畫面周圍設置的驅動器電路規模的顯示裝置以及顯示方法。
本發明涉及顯示裝置以及使用該顯示裝置的顯示方法，該顯示裝置對應於數據配線和選通配線的交叉部，而將電致發光元件設置為矩陣形，與該電致發光元件對應，設置多個存儲元件(存儲器元件)。本發明的顯示裝置也可以為這樣，使用作為對多個存儲元件進行電位保持裝置的電容而構成時，輸入所述電容電位，設置通過其輸出電壓再補充所述電容電位的緩衝器電路。
為了實現上述目的，本發明的顯示裝置具有在第1配線和第2配線交叉部設置為矩陣形的電致發光元件，保持對所述電致發光元件進行顯示驅動的電位保持裝置，輸出通過所述電位保持裝置輸入的電位的緩衝器電路，與所述電位保持裝置串連設置的第1開關元件，被設置在所述第1開關元件或電位保持裝置和所述第1配線之間、通過所述第2配線來控制導通狀態的第2開關元件，其特徵在於，對各電致發光元件配置多個所述電位保持裝置，將所述多個電位保持裝置與所述緩衝器電路的輸出端子相連。
為了實現上述目的，本發明的顯示裝置具有在第1配線和第2配線交叉部設置為矩陣形的電致發光元件，保持對所述電致發光元件進行顯示驅動的電位保持裝置，輸出通過所述電位保持裝置輸入的電位的緩衝器電路，與所述電位保持裝置串連設置的第1開關元件，被設置在所述第1開關元件或電位保持裝置和所述第1配線之間、通過所述第2配線來控制導通狀態的第2開關元件，其特徵在於，對各電致發光元件配置多個所述電位保持裝置，將所述多個電位保持裝置的輸出端子與所述緩衝器電路的輸出端子相連。
根據上述結構，由於可以近似地將動態存儲器元件作為靜態存儲器元件使用，與使用靜態存儲器元件的情況相比，構造象素所需的TFT數可能減少。因此，與將象素中設置的存儲器元件用作靜態存儲器元件的情況相比，可以減少所需的TFT數。另外，由於在這樣的象素中放入多個存儲器元件，可以使用於動畫顯示或多灰度顯示需要在顯示畫面周圍設置的驅動器電路規模減小。因而，與象素中沒有放入多個存儲器元件的結構相比，可以提供驅動器電路規模小的顯示裝置。
即，將通過TFT實現的第2開關元件，設置在所述電位保持裝置和作為數據配線的第1配線之間。為此，通過控制第2開關元件，將來自第1配線的電位提供給電位保持裝置。由此，對應於作為數據配線的第1配線和作為數據配線的第2配線的交叉部，可以將象素電路設置為矩陣形。
緩衝器電路輸出端子和電位保持裝置的輸出端子直接或間接地，即直接地或通過開關元件的源極—漏極端子間接地連接。由此，通過緩衝器電路的輸出電位，可以再次給電位保持裝置充電。藉此，使近似地將動態存儲器元件作為靜態存儲器元件使用成為可能。
這裡，對於1個電致發光元件配置多個通過電容等實現的電位保持裝置，在兩者之間可以配置第1開關元件。因此，通過控制第1開關元件，能夠交替切換電位保持裝置。另外，將在電位保持裝置中保持的電位輸入到緩衝器電路的情況中，可以將電位保持裝置的電位和緩衝器電路的輸出電位合成並輸出到緩衝器電路中。
將所述第一開關元件設置在電位保持裝置和電致發光元件或緩衝器電路之間的情況比較多，但是，由於電容電荷在一方端子變為截止狀態時，不能移動，因此，也可以在第1開關元件和電致發光元件或緩衝器電路之間設置電位保持裝置。
這裡，為了防止緩衝器電路輸入電位受到緩衝器電路輸出電位的影響，最好使電位保持裝置的電容容量大。或者使緩衝器電路的輸出電阻取得大。或者，在所述電位保持裝置切換操作構成中，使緩衝器電路的輸出端子和輸入端子分離，配置通過TFT等來實現的第3開關元件。
所述緩衝器電路以及靜態存儲器元件其中任何一個也可以由通常2個反相器電路組成。本發明的方法可以用於對於1個電子光元件配置1個電位保持裝置的結構，在該結構中，用於構造驅動器電路所需的TFT的個數與使用靜態存儲器元件的情況相比，沒有什麼不同。但是，本發明的顯示裝置在對於1個電子光元件配置多個電位保持裝置的結構中可以發揮效果。與由多個靜態存儲器元件構成顯示裝置的情況相比，可以由此減少構成1比特左右的驅動器電路的TFT的個數。
因此，通過上述本發明的方法，可以減少每個電位保持裝置即存儲器元件1比特左右的TFT的個數，並且使提供能夠減小在顯示裝置周圍設置的驅動器電路規模的顯示裝置成為可能。
根據本發明的顯示方法，其特徵在於，在使用所述顯示裝置的顯示方法中包括這些步驟所述第2開關元件為導通狀態時，對應於所述第1配線的電位設定所述電位保持裝置電位的設定步驟；在所述第2開關元件為非導通狀態時，將所述電位保持裝置的電位施加到所述緩衝器電路的輸入端子，通過對應於該施加電壓的所述緩衝器電路的輸出而將所述電位保持裝置再充電的再充電步驟；通過所述電位保持裝置或所述緩衝器電路的輸出，來控制所述電致發光元件的顯示狀態的第1顯示狀態控制步驟。
根據上述方法，在電位設定步驟中，將第2開關元件的源極端子連接到第1配線即數據配線上，將柵極端子連接到第2配線即柵極配線上，所述第2開關元件處於導通狀態時，從漏極獲得所述數據配線的電位，將與該電位對應的電位保持在所述電位保持裝置中。然後，在再充電步驟中，所述第2開關元件處於非導通狀態時，將所述電位保持裝置的電位輸入到所述緩衝器電路中，通過該緩衝器電路的輸出將所述電位保持裝置再充電，並維持該電位。在第1顯示狀態控制步驟中，是響應所述電位保持裝置或所述驅動器電路的輸出，來控制所述電致發光元件的顯示狀態的。另外，上述再充電步驟和顯示狀態控制步驟同時執行的情況比較多。
因此，通過近似地將動態存儲器元件作為靜態存儲器元件使用可以執行灰度顯示。由此，使用由較少數量的TFT構成的顯示裝置來執行灰度顯示成為可能。
對於具有在每個象素中配置緩衝器電路所組成的顯示裝置，可以這樣來看，根據所述緩衝器電路、所述電位保持裝置、或所述第1配線的輸出電壓來設定所述電致發光元件的顯示狀態。另外，通過在多個象素中的每個中設置緩衝器電路而組成的顯示裝置中，可以這樣來看，根據所述電位保持裝置或所述第1配線的輸出電壓，來設定所述電致發光元件的顯示狀態。
根據下面記載，可以充分理解本發明的其它目的、特徵以及優點。通過參照附圖的說明可以使本發明的有益效果變得顯著。
圖1是顯示在涉及本發明第1實施例的顯示裝置中各象素單元的象素電路結構的電路圖。
圖2是顯示涉及第1實施例的顯示裝置的大致結構的說明圖。
圖3是在使用涉及第1實施例顯示裝置的顯示方法中，用來說明電子電路操作的顯示裝置中的數據配線、數據配線以及控制配線的波形圖。
圖4(a)(b)是用來說明動畫偽輪廓的產生原理的示意圖，圖4(a)顯示了不分割顯示高位比特的情況，圖4(b)顯示了分割顯示高位比特的情況。
圖5是顯示與涉及第1實施例的顯示裝置的各象素單元的圖1不同的象素電路的結構的電路圖。
圖6是在使用涉及第2實施例顯示裝置的顯示方法中，用來說明電子電路操作的顯示裝置中的數據配線、數據配線以及控制配線的波形圖。
圖7是顯示在涉及本發明第3實施例的顯示裝置中各象素單元的象素電路結構的電路圖。
圖8是在使用涉及第3實施例顯示裝置的顯示方法中，用來說明電子電路操作的顯示裝置中的數據配線、數據配線以及控制配線的波形圖。
圖9是顯示在涉及本發明第4實施例的顯示裝置中各象素單元的象素電路結構的電路圖。
圖10是顯示與涉及第4實施例的顯示裝置的各象素單元的圖9不同的象素電路的結構的電路圖。
圖11是顯示在涉及本發明第5實施例的顯示裝置中各象素單元的象素電路結構的電路圖。
圖12是顯示在涉及本發明第6實施例的顯示裝置中各象素單元的象素電路結構的電路圖。
圖13是在使用涉及第6實施例顯示裝置的顯示方法中，用來說明電子電路操作的顯示裝置中的數據配線、數據配線以及控制配線的波形圖。
圖14是顯示現有的顯示裝置的大致結構的框圖。
圖15是詳細顯示圖14顯示裝置中的各象素單元結構的電路圖。
圖16是顯示其它現有顯示裝置中的各象素單元結構的圖。
圖17是詳細顯示圖16顯示裝置中的各象素單元結構的電路圖。
圖18(a)-(e)為說明構造涉及第1實施例的顯示裝置的有機多層膜的化合物結構的說明圖。圖18(a)是顯示用作電子傳輸層的Alq結構的說明圖，圖18(b)是顯示用作作為發光層的Alq摻雜物的Zn(oxz)2結構的說明圖，圖18(c)是顯示用作作為發光層的Alq摻雜物的DCM結構的說明圖，圖18(d)是顯示用作空穴電子傳輸層的TPD結構的說明圖，圖18(e)是顯示用作空穴輸入層的CuPC結構的說明圖。
圖19是顯示了取代用作圖1象素電路的電致發光元件的有機EL而使用液晶情況的各象素的象素電路結構的電路圖。
圖20是顯示了使用作為涉及第1實施例顯示裝置的電致發光元件的有機EL的情況中各象素的象素電路結構、除圖1之外的電路圖。
圖21是顯示將圖20的象素電路結構構造成TFT電路的布局結構的布局圖。
具體實施例方式
本發明涉及在象素中設置存儲器元件的顯示裝置，特別是涉及通過在象素中設置存儲器元件可以簡化驅動器電路結構的顯示裝置，以及使用該顯示裝置的顯示方法(驅動方法)。因此，本發明的顯示裝置最好帶有使用能夠用TFT(薄膜電晶體)將其做入到驅動器電路中的多晶矽處理所形成的TFT。
因此，對於用來製造在本實施例中使用的TFT的TFT製作工序而言，可以使用多晶矽處理，特別是作為其代表的例如CGS(Continuous Grain Silicon)TFT製作工序、也可以使用通常所用的多晶矽處理(Poly-Si)TFT製作工序等。另外，由於在，例如，特開平8-204208(
公開日1999年8月9日)、特開平8-250749(
公開日1996年9月27日)中記載了CGSTFT製作工序，因此，在本實施例中省略了對其的詳細說明。
(實施例1)在本發明的一個實施例中，下面是基於圖1至圖5來說明的。
圖2示出了本實施例的顯示裝置61的大致全部結構。如圖所示，雖然本實施例的顯示裝置61具有將電致發光元件用作有機EL元件(電致發光元件)3的顯示畫面41的EL顯示器，但是，不言而喻，還可以使用液晶元件以及FED元件來代替有機EL元件(電致發光元件)3。
本實施例的顯示裝置61通過配線39將來自CPU(中央處理單元)62的輸入信號(數據信號和同步信號)輸入到源極驅動器電路37和柵極驅動器電路38。所述CPU62與作為靜態存儲器SRAM(靜態隨機存取存儲器)的存儲器元件63之間交換數據，將要顯示數據的數據信號輸入到源極驅動器電路37中。
然後，在源極驅動器電路37中，將輸入數據信號放入沒有示出的移位寄存器中，以輸入同步信號的定時，將其傳送到圖中沒有示出的鎖存器電路中，通過數據配線Sj將在該鎖存器中保存的比特數據傳送到顯示畫面。在柵極驅動器電路38中，根據通過輸入信號線39而從CPU62輸入的同步信號，在柵極配線Gi(i＝1，2，...n)中輸出同步信號，控制n型TFT1，將在所述數據配線Sj(j＝1，2，...n)中輸出的電壓放入合適的象素Aij中。
柵極驅動器電路38中，還帶有圖中沒有示出的多個開關元件以及電容和緩衝器電路、控制電路64的控制配線Gi(i＝1，2，...n)比特x(x＝1，2，...n)，從電源配線40向該電路64提供電源電壓VDD。
在圖1中，示出了對應於數據配線Sj(第1配線)和柵極配線Gi(第2配線)之間的交叉部設置的象素Aij的象素電路(等效電路)的結構。該象素電路接收來自源極驅動器電路37以及柵極驅動器電路38的輸出從而執行顯示，象素的電致發光元件是由有機EL元件3和該有機EL元件3的陰極和其源極端子相連的n型TFT2組成。在該n型TFT2的漏極端子上連接了電源配線Vole，在有機EL元件3的陽極上施加了對抗電極電壓Vref。在該n型TFT2的柵極連接了n型TFT1(第2開關元件)的漏極端子。下文中將該n型TFT1的漏極端子和n型TFT2的柵極端子之間的配線表示為GiIO。
在該n型TFT1的源極端子上連接了作為第1配線的數據配線Sj，在柵極上連接了作為第2配線的數據配線Gi。該n型TFT1的漏極端子連接了作為第1開關元件的p型TFT4-7以及n型TFT11-14，通過這些TFT，間接連接了作為電位保持裝置的電容17-20，另外還連接了緩衝器電路21。即，在配線GiIO上連接了電容17-20以及緩衝器電路21。
本實施例的緩衝器電路21由通過p型TFT8和n型TFT15組成的第1反相器電路，以及通過p型TFT9和n型TFT16組成的第2反相器電路構成。所述n型TFT1的漏極端子(配線GiIO)連接到所述第1反相器電路的輸入端，該第1反相器電路的輸出端子連接到所述第2反相器電路的輸入端。
在構成所述緩衝器電路21的所述第2反相器電路的輸出端子、所述第1反相器電路輸入端子上，分別連接了作為第3開關元件的n型TFT10的源極端子、漏極端子。
為了對本發明令人滿意的結構進行說明，在本實施例中，在圖1的象素電路中設置多個電容17-20，並且將設置作為第1開關元件的p型TFT4-7以及n型TFT11-14作為一個實施例來舉例說明。但是，本發明也可以有在象素Aij的象素電路中不設置一個電容的情況，即，沒有第1開關元件的情況下也可以進行電路操作。但是，使用4-5個作為緩衝器電路21的TFT時，考慮通過與在該緩衝器電路21中使用的TFT相同個數的TFT來構成靜態存儲器時，本發明的顯示裝置可以說在帶有多個電容的情況下發揮效果。
在本實施例中，為了對本發明令人滿意的結構進行說明，在圖1的緩衝器電路21中設置作為第3開關元件的n型TFT10。但是，在本發明中，如果所述電容17-20的容量非常大，可以不設置n型TFT10。如此，如果電容17-20的電位隨著第2反相器電路的輸出而變化，也可以不設置該n型TFT10。由於這個是用第2反相器電路的輸出電阻和電容17-20電容相對值來確定的，因此替代使電容17-20的電容變大的作法，最好使第2反相器電路的輸出電阻也比較大。即，在該條件下，對於緩衝器電路21，最好使第2反相器電路的輸出端子直接連接在第1反相器電路的輸入端子。
在本實施例中，為了對本發明令人滿意的結構進行說明，如圖1所示，說明有關象素Aij的電路64，在電路64中設置多個電容17-20，設置作為第1開關元件的p型TFT4-7以及n型TFT11-14，設置了作為第3開關元件的n型TFT10。
在圖1的電容17-20和作為第2開關元件的n型TFT1的漏極端子之間，設置了作為第1開關元件的p型TFT4-7以及n型TFT11-14。
此外，這些電容17-20的電荷，由於在這些電容17-20的各個端子中一端處於截止狀態時不能移動，因此，最好在這些作為第1開關元件的p型TFT4-7以及n型TFT11-14和n型TFT1的配線GiIO一側設置電容17-20。在這樣設置的情況中，可以進行與圖1所示的設置相同的操作。
但是，對於本實施例，容易判斷出，使用如圖1所示的在電容17-20和n型TFT1的漏極端子之間設置第1開關元件的電路結構來說明。
在電容17的一個端子上，使用漏極端子、源極端子來串聯連接p型TFT4、5。即，p型TFT4的漏極端子和p型TFT5的源極端子相連。然後，在p型TFT4的柵極端子上連接控制配線Gibit1，在p型TFT5的柵極端子上連接控制配線Gibit2。
同樣地，在電容18的一個端子上，使用漏極端子、源極端子來串聯連接n型TFT11和p型TFT6。然後，在n型TFT11的柵極端子上連接控制配線Gibit1，在p型TFT6的柵極端子上連接控制配線Gibit2。
同樣地，在電容19的一個端子上，使用漏極端子、源極端子來串聯連接p型TFT7和n型TFT12。在p型TFT7的柵極端子上連接控制配線Gibit1，在n型TFT12的柵極端子上連接控制配線Gibit2。
同樣地，在電容20的一個端子上，使用漏極端子、源極端子來串聯連接n型TFT13、14。在n型TFT13的柵極端子上連接控制配線Gibit1，在n型TFT14的柵極端子上連接控制配線Gibit2。
即，控制配線Gibit2、1的電位順次為(負選擇電位、負選擇電位)時的電容17、(負選擇電位、正選擇電位)時的電容18、(正選擇電位、正選擇電位)時的電容20與所述配線GiIO相連。總之，通過控制控制配線Gibit2、1的電位，可以選擇電容17、20中的任何一個。此外，在作為第3開關元件的n型TFT10的柵極端子上連接控制配線GiRW。
使用圖3來說明構成如圖1所示象素的象素電路的顯示方法的操作。如圖所示，在選擇期間(圖3的②Gi為電位Vgh期間)，將用象素Aij表示的4比特的灰度數據傳送到數據配線(圖3的①Sj)。在該選擇期間，以(④Gibit2的電位、③Gibit1的電位)的順序來表示可裝配線Gibit2、1的電位時，其組合可以變化為(負選擇電位Vgl、負選擇電位Vgl(以下表示為0))、(負選擇電位Vgl、正選擇電位Vgh(以下表示為1))、(正選擇電位Vgh、負選擇電位Vgl(以下表示為2))、(正選擇電位Vgh、正選擇電位Vgh(以下表示為3))。由此，在對應於所述0、1、2、3期間上，將由向數據配線(圖3的①Sj)傳送的象素Aij表示的4比特灰度數據儲備到電容17-20(參照圖1)上。
此外，在所述選擇期間，使圖3所示的控制配線⑤GiRW為非選擇電位(圖3的Vgl)，即n型TFT10(參照圖1)為變為非導通狀態的電位。
隨後，在圖3的②Gi作為電位Vgl的非選擇期間上，如同圖的③④所示，控制配線Gibit2、1為3、2、1、0、1、2、3時，依次期間比率以4∶2∶1∶1∶2∶4變化。這裡，各個最初期間內，控制配線GiRW為非選擇電位，其後，由於使其向對應於選擇構成緩衝器電路21的第2反相器電路輸出的電容電位的電位穩定，因此，控制配線GiRW為選擇電位(圖3的Vgh)，即，n型TFT10變為導通狀態時的電位。
這樣，在控制配線Gibit2、1的電壓變化的各個周期內，控制配線GiRW為非選擇電位，向緩衝器電路21的輸入端子提供電容17-20的電位。此時，電容17-20的電位高於緩衝器電路21的2值輸出電壓閾值，則被視為高電位，小於該值，則視為低電位，因此，將作為其對應的2值電位的高電位或低電位中的任何一個作為來自緩衝器電路21的正極性電位輸出。
由此，作為來自緩衝器電路21的正極性電位輸出的輸出電位確定之後，使控制配線GiRW為選擇電位，可以將導通的電容17-20的電位再次充電到高電位或低電位。
為此，即使作為第2開關元件的n型TFT1變為永久的非導通狀態的靜止圖像顯示時，如圖3所示，在1幀周期單位內重複進行將控制配線Gibit2、1交替切換為3、2、1、0、1、2、3的顯示操作，從而可以保持存儲在各個電容17-20中的電位。
如圖1所示，由於該配線GiIO連接到作為電致發光元件的n型TFT2的柵極端子上，因此，使所述控制配線Gibit2、1變為如圖3所示的那樣，交替切換為3、2、1、0、1、2、3的操作控制構成電致發光元件的有機EL元件3的發光狀態，並變為在電致發光元件中執行時分多灰度顯示的操作。
即，構成實施例的象素Aij的電路64為了在顯示裝置中執行靜止圖像顯示，通過由有機EL元件3來顯示對應於圖3的電容17-20的顯示，可以自動地對電容17-20的各個電容電位進行再充電。
另外，在本實施例中，為了對本發明的最佳實施例進行說明，雖然說明了帶有電容17-20即4個電容的顯示裝置，但是電容的數量不局限於此。
顯示裝置的各像素變為帶有1個電容的情況中，由n型TFT2和有機EL元件3組成的電致發光元件，為了例如僅由2值表示的2灰度顯示，而僅能有2值的存儲即1比特的存儲。但是，通過作為第1開關元件以及第3開關元件的n型TFT10為非導通狀態，作為第2開關元件的n型TFT1為導通狀態，而獲得來自作為第1配線的數據配線(或源極配線)Sj的電位，從而可以執行有機EL元件3的顯示。另外，通過使第2開關元件為非導通狀態，使作為第1開關元件的n型TFT1以及第3開關元件的n型TFT10為導通狀態，而可以自動執行電容電位的再充電。
在所述時間分割多灰度顯示中，如圖3所示，除去低位1比特，在1幀周期內有2個高位3比特，變為以低位1比特為中心對稱的顯示。這樣，用相鄰象素間顯示的灰度數據不同，在該灰度數據不同的圖像移動圖像中心的情況中，可以抑制所出現的動畫偽輪廓的產生。
例如，從背景6灰度電平移動到8灰度電平圖像的情況，採用用圖4中的箭頭來表示的視線。這種情況，如圖4(a)所示，不將高位比特分割顯示的情況，如同圖(a)的箭頭前端那樣，在該圖像的邊緣中可以觀察到最大13灰度的電平。這就是所述的動畫偽輪廓。另一方面，如該圖(b)所示，分割高位的情況，如同圖(b)的箭頭前端那樣，在該圖像的邊緣中能觀察到最大10灰度的電平程度就行了。
如此，在執行時間分割多灰度顯示時，為了抑制動畫偽輪廓，最好分割高位比特的顯示周期。
本實施例為這樣的結構有機EL元件3在玻璃基板上形成Al等陰極，在其上形成有機多層膜特別是在其上形成ITO等透明的陽極。在該有機多層膜上雖然存在幾個結構，但是，本實施例中，具有順次層疊作為電子傳送層的Alq等、作為發光層的DPVBi、Zn(oxz)2、使DCM為摻雜物的Alq等、作為空穴傳送層的TPD等、作為空穴輸入層的(或陽極緩衝器層)的CuPc的結構。在圖18(a)-(e)中示出了上述Alq、Zn(oxz)2、DCM、TPD以及CuPc的結構。
如上所述，構成本實施例的顯示裝置的象素電路，通過圖像顯示時伴隨的緩衝器電路使帶有電容的動態存儲器元件再次充電，由於象靜態存儲器元件那樣執行操作，因此，通過少數TFT，就可以在各像素中設置比較多的存儲器功能。為此，可以在像素中設置比較多的存儲器元件。即，可以在顯示裝置的各象素中設置與被顯示的灰度數相應的存儲器元件。
其結果，如圖2所示的源極驅動器電路37變為從圖中沒有示出的鎖存器那裡以如圖3的①Sj所示的順序僅傳送在該鎖存器中保持的比特數據。即，將從CPU62送出的多灰度顯示用比特數據送入在象素中設置的幀存儲器中，變為該各個比特的重疊組合期間使有機EL元件3發光的結構。由此，沒有必要在面板周圍設置在時間分割灰度顯示中所需的定時變換用的幀存儲器，由於現有的源極驅動器電路37中所需的D/A轉換電路等也不需要，因此，可以使顯示面板的邊框部(位於顯示面板上的顯示畫面的周圍部分)變為非常小。
另外，圖1中，說明有關具有作為第2開關元件的n型TFT1的漏極端子以及緩衝器電路21的輸出端子，與由n型TFT2和有機EL元件3組成的電致發光元件相連的結構的顯示裝置。但是，本實施例的顯示裝置還可以是這樣的如圖5所示，通過從緩衝器電路51的輸入端子側的第1反相器電路(p型TFT8和n型TFT15)輸出，來直接驅動有機EL元件42。
這樣，不僅在利用緩衝器電路51的輸出來驅動作為電致發光元件的有機EL元件42的情況中，而且在響應來自由構成緩衝器電路的p型TFT8和n型TFT15組成的第1反相器電路，以及由p型TFT9和n型TFT16組成的第2反相器電路的輸出，來驅動有機EL元件42的情況中，以及通過從電位保持裝置輸出的電位來驅動有機EL元件42的情況中，都可以使用本實施例的顯示裝置。
此外，使用作為電致發光元件的液晶元件的情況，可以將作為圖1的電致發光元件的有機EL元件3以及n型TFT2置換為如圖19所示的液晶元件73和n型TFT71、p型TFT72。
圖19是示出了替代作為圖1的象素電路的電致發光元件使用的有機EL元件3而使用液晶元件73情況時的結構的電路圖。即，在圖19的象素電路中，在液晶元件73的一端上連接了n型TFT71以及p型TFT72的漏極端子，該n型TFT71以及p型TFT72的源極分別緊隨緩衝器電路21的由p型TFT8和n型TFT15組成的第1反相器電路，以及由p型TFT9和n型TFT16組成的第2反相器電路的輸出端子上。因此，使n型TFT71為導通狀態並且使電位Vref為正極性時，以及使p型TFT72為導通狀態並且電位Vref為負極性時，由於對液晶元件73施加了反極性的AC電位，通過與該極性交替切換而同步地交替切換施加到液晶元件73的Vref端子上的電壓的極性，從而可以用該液晶元件73來執行顯示。
圖20為示出了使用有機EL元件作為顯示裝置的電致發光元件，與圖1不同的另外的各象素的象素電路的結構的電路圖。在如圖1所示的象素電路中，雖然在1個電位保持電路中，2個第1開關元件相對，但是如圖20所示的象素電路，可以使1個電位保持裝置與1個第1開關元件相對。
即，圖20中，6個n型TFT(第1開關元件)74-79與6個電容(電位保持裝置)80-85的每個相對應。另外，控制配線GiB1-GiB6分別與這6個n型TFT74-79的每個相對應。
這種情況，由於各個n型TFT74-79可以獨立控制，即使這些TFT的閾值特性有偏差，也可以同時控制2個TFT使其不變為導通狀態。
由此，與採用圖1所示的象素電路結構的情況相比，可以使作為電位保持裝置的電容80-85的電容比圖1的電容17-20的電容小。
例如，在圖1的結構中，控制配線Gibit2為低電平狀態，在控制配線Gibit1從低電平狀態變為高電平狀態時，利用TFT的閾值電位的偏差，可以使p型TFT4和n型TFT11同時變為導通狀態。
為此，即使瞬時在作為2個電位保持裝置的電容17和電容18之間產生洩漏，各個電容的電位不減小的條件，即由(TFT的導通電阻)×(電容容量)決定的時間常數變大時認為條件成立，有必要使作為電位保持裝置的電容17和電容18的容量變大。
但是，圖20的結構中，由於可以控制以便各n型TFT74-79中的2個TFT不會同時變為導通狀態，因此，電容80-85中的2個電容之間不會產生洩漏。因而，作為電位保持裝置的電容80-85的電容量沒有必要變大，即可以使容量仍舊小。
在圖20中，位於放大器電路(緩衝器電路)93和配線GiIO之間的開關元件86，也可以是用於將放大器電路93用作存儲器電路的元件。
即，開關元件86為非導通狀態時，放大器電路93作為靜態存儲器電路操作。另外，開關元件86為導通狀態時，放大器電路93可以近似為本發明的靜態存儲器電路的放大器電路，而執行操作。放大器電路93由通過p型TFT87以及n型TFT89構成的第1反相器電路、通過p型TFT88以及n型TFT90構成的第2反相器電路、作為第3開關元件的n型TFT91組成。
圖21為示出了使圖20的象素電路結構為作為TFT電路的布局結構的布局圖。圖21中用虛線表示的象素(點區域)Aij的區域變為將大概254μm四方形的象素進行3分割的大小。如圖所示，通過使用本發明的象素電路的結構，即使是現有設計規則(4-2(μm))，在上述區域中，也可以構成如圖20所示的6比特程度的近似靜態存儲器電路。另外，圖21的布局中，以與源極配線Sj相同模樣示出的為源極電極層，以與柵極配線Gi相同模樣示出的為柵極電極層，以與TFT1相同模樣(虛線)示出的為Si層。
特別是，在圖21所示的布局中，在電源配線VDD和GND配線之間設置電容(電容耦合裝置)92。圖21的布局中，電源配線VDD通過柵極電極層變為構成放大器電路93的TFT87、88的電源。用於柵極配線Gi下的Si層與GND配線短路，從而在電源配線VDD之間形成電容92。
這樣，構成放大器電路等開關電路時，在該2個電源配線VDD和GND配線之間，形成作為電容耦合裝置的電容。由此，由於有可能由將開關電路的電源配線VDD和GND配線之間進行電容耦合的上述電容中將必要的電荷提供給開關，因此，用其對付噪聲以及誤操作是有效的。
(實施例2)對於本發明的其他實施例，是基於圖1、2以及圖6來進行以下說明的。在使用圖1的象素電路的顯示方法中，在圖6中示出了作為使用圖1的圖象電路的顯示方法的與使用圖3說明的所述實施例1不同的另一個例子。圖1所示結構的象素電路中，由於僅僅設置了4個電容，因此，不能執行超過4比特＝16灰度的顯示。
但是，這裡，假設使用圖1所示結構的象素電路來執行64灰度顯示，可以考慮該方法。下面說明在象素中設置的存儲元件數m(圖1中m＝4)比與所顯示的灰度數對應的比特數n(64灰度的情況中n＝6)小的情況下的顯示方法。
即，本實施例的顯示方法為這樣的顯示方法通過對用於顯示比重小的灰度數據的電容，將不能在除了該電容之外的電容中保持的低位數據作為多值模擬電位而保持，可以執行對被顯示的灰度數的顯示。
即，在本實施例的顯示方法中，構成圖1所示象素的象素電路，如圖6所示，在選擇期間(圖6的②Gi為Vgh電位期間)，按照(④Gibit2的電位、③Gibit1的電位)順序來控制配線Gibit2、1的電位時，其組合變化為(正選擇電位Vgh、正選擇電位Vgh)、(正選擇電位Vgh、負選擇電位Vgl)、(負選擇電位Vgl、正選擇電位Vgh)。
總之，使控制配線Gibit2、1的電位象所述3、所述2、所述1那樣變化，將高位3比特數據作為2值電位數據記錄在圖1所示的電容18-20上。然後，在該選擇期間內，使控制配線Gibit2、1的電位變為如圖6的④③那樣(④Gibit2的電位、③Gibit1的電位)變為(負選擇電位Vgl、負選擇電位Vgl)，即，變為所述0，並且將多值電位數據保持在在圖1的電容17中。
該多值電位數據為對應於在64灰度顯示中所需的6比特中剩餘的低位3比特的8電平的電位。然後，將該8電平的電位提供給構成圖1的電致發光元件的n型TFT2的柵極端子，通過控制該n型TFT2導通狀態電阻，可以控制流過有機EL元件3的電流並顯示多值數據。
在n型TFT1的非選擇期間(圖6的②Gi為Vgl電位期間)，使控制配線Gibit2、1的電位如圖6所示從所述0變化為3、2、1、2、3，使顯示以前多值電位數據的所述電子光元件成為與在電容18-20中存儲的2值電位數據對應的顯示狀態。
此外，所述控制配線Gibit2、1為0時，來自緩衝器電路21的輸出不能返回電容17，使如圖6的⑤所示的控制配線GiRW作為非選擇電位(負選擇電位Vgl)，作為第3開關元件的n型TFT10變為非導通狀態。
通過所述方法進行灰度顯示，為了能夠在用時間分割來顯示的3比特的灰度電平中加入在電容17中存儲的用模擬電位顯示的8灰度電平，可以在所述電致發光元件中顯示總共6比特灰度(＝64灰度)。
如圖6所示，將控制配線Gibit2、1為0的期間設定為作為1期間的7/8倍。這樣，通過將0期間設定得比1期間短，可以保證使用電容17顯示的模擬灰度的最大灰度電平變為小於使用電容18-20來顯示的數字灰度的最小灰度電平。
這樣，共同使用模擬灰度和數字灰度時，可以保證數字灰度的最小灰度電平變得比模擬灰度的最大灰度電平大。通過這樣的保證，即使是同時使用模擬灰度和數字灰度時，能夠阻止在灰度電平之間產生反轉。由此，可以抑制在組合使用模擬灰度和數字灰度時容易產生的灰度反轉現象。
另外，在本發明的顯示方法的情況中，圖2所示的源極驅動器電路37的最終輸出部分變為圖中沒有示出的從8個電壓電平中選擇一個電壓電平的多路調製器結構。通過這樣的結構，與象D/A轉換電路那樣在內部產生電壓的結構相比，可以期待獲得抑制驅動器電路中的消耗功率的效果。
如上所述，通過本實施例的顯示方法，通過在源極驅動器電路37中追加所述8電位選擇多路調製器，可以顯著獲得這樣的效果不增加電容數以及TFT的數量，可以增加從16灰度顯示到64灰度顯示的顯示裝置的顯示灰度數，從而執行灰度顯示。
使用作為電致發光元件的液晶元件的情況中，最好將作為圖5的電致發光元件的有機EL元件42置換為液晶元件。
(實施例3)下面，基於圖7以及圖8來說明本發明的其他實施例。圖7中，示出了在本實施例的顯示方法中所用的象素電路的結構。
如圖所示，在本實施例中使用的象素電路將作為第1開關元件的n型TFT1的漏極端子、以及在本實施例中新增加的p型TFT45的漏極端子連接到作為電致發光元件的有機EL元件42的陽極上。
將該n型TFT1以及p型TFT45的柵極端子連接到任何一個柵機配線Gi上。此外，n型TFT1是源極端子連接到數據配線Sj上。p型TFT45的源極端子連接到作為緩衝器電路的第1反相器電路的p型TFT44和n型TFT47的輸出端子(漏極端子)上。
通過這樣的結構，柵極配線Gi為正選擇電位(圖8的②Gi為Vgh電位)時，n型TFT1變為導通狀態，通過由數據配線Sj提供的電荷來顯示有機EL元件42。
圖7所示象素電路的結構，將作為第2開關元件的n型TFT1的漏極端子，連接到通過p型TFT43和n型TFT46構成的第2反相器電路的輸入端子上，在該漏極端子上，連接有作為電致發光元件的有機EL元件42的陽極端子上，並將p型TFT45連接到所述第1反相器電路的輸入端子上。
另外，由於所述第1反相器電路的輸入端子、所述第2反相器電路的輸出端子、作為第3開關元件的n型TFT10、電容17-20、p型TFT4-7、n型TFT11-14之間的連接關係，與實施例1中的使用圖1說明的關係相同，因此在本實施例中省略對其的說明。
本實施例的顯示方法，對於6比特灰度(＝64灰度)顯示而言，如圖8所示，柵極配線Gi為正選擇電位(圖8的②Gi為Vgh電位)期間，執行向電容17-20記錄高4位的2值數據的記錄以及不能在這些電容中記錄的低2位的數據的顯示。
即，n型TFT1的選擇期間(圖8的②Gi為Vgh電位)，使控制配線Gibit2、1的電位變為3、2、1、0，在該3-1期間，在電容18-20中存儲高3位的2值數據，然後，控制配線Gibit2、1變為0，在其最初的0期間內，向電容17中存儲高位的第4位，即從最高位起的第4位的2值數據。然後，在n型TFT1的非選擇期間(圖8的②Gi為Vgl電位)，使控制配線Gibit2、1的電位變為3、2、1、0、1、2、3，將高4位的數據用時分灰度顯示。
如上所述，通過使用本實施例的顯示方法，可以從前面對在源極驅動器電路37(參照圖2)的最終輸出部分中所需的多路調製器的結構進行了說明的實施例2的8電位電平中引出來4電位電平。為此，可以減少元件驅動器電路37中所需的電路面積。
所述柵極配線Gi為正選擇電位(圖8的②Gi為Vgh電位)期間，為了顯示64灰度中的低位4灰度電平，有必要給數據配線Sj提供比用時分灰度顯示情況下高的電壓。
這意味著，在構成源極驅動器電路37的最終輸出部分的多路調製器的TFT、以及構成象素的象素電路的n型TFT1等之中，要求比描述所述實施例2的顯示方法還要高的耐壓和電流容量，即要求大尺寸的TFT。由此，還是使用實施例2的顯示方法能夠使源極驅動器電路37、象素Aij的電路規模變小的情況。
在使用作為電致發光元件的情況下，最好將作為圖5的電致發光元件的有機EL元件42置換為液晶元件。
(實施例4)
下面依據圖9以及圖10描述本發明的其他實施例。圖9中顯示了在本實施例的顯示方法中所用的象素電路結構。
本實施例的象素電路帶有電壓放大電路(放大器電路、緩衝電路)29，以替代所述實施例1的象素電路的緩衝器電路21，將利用n型TFT2和有機EL元件3構成的電致發光元件連接到該電壓放大電路29的輸出端子上。
即，如圖9所示，通過作為第1開關元件的p型TFT4-7以及n型TFT11-14，將電容17-20連接到作為第2開關元件的n型TFT1的漏極端子上。將該漏極端子連接到構成電壓放大電路29的n型TFT25、26和p型TFT23的柵極端子上。
該電壓放大電路29由第1-3反相器電路構成，即帶有3個反相器電路。第1反相器電路由p型TFT23和n型TFT26組成，其輸出端子連接到構成第2反相器電路的n型TFT27的柵極端子上。該n型TFT27與n型TFT24一起構成第2反相器電路。第3反相器電路由所述n型TFT25和p型TFT22構成。
然後，該第2反相器的輸出端子連接到構成第3反相器電路的p型TFT22的柵極端子，第3開關元件的輸出端子連接到構成第2反相器電路的p型TFT24的柵極端子。
通過這樣構成象素電路，向電容17-20上存儲的電位，以及連接到p型TFT23的漏極端子的電源電壓VCC為5V振幅時，在連接到p型TFT22、24的漏極端子的電源電位VDD為5V以上範圍內，可以獲得作為第2反相器電路和第3反相器電路的輸出電壓的電源電壓VDD的電壓振幅。
下面說明該電壓放大電路29的操作。向構成電壓放大電路29的第2反相器電路的n型TFT27的柵極端子施加電位VCC時，該n型TFT27變為導通狀態，向構成第3反相器電路的p型TFT22的柵極端子施加朝向GND電位的電壓。在該第3反相器電路的n型TFT25的柵極端子上，與n型TFT27的柵極端子相反地來施加GND電位。其結果，第3反相器電路的輸出端子的電位變為VDD，第2反相器電路的輸出電位變為GND電位。
在向第3反相器電路的n型TFT25的柵極端子施加電位VCC的情況下，該n型TFT25變為導通狀態，第3反相器電路的輸出端子傾向於GND電位。其結果，向構成第2反相器電路的p型TFT24的柵極端子施加朝向GND電位的電壓。在n型TFT27的柵極端子上，與n型TFT25的柵極端子相反地來施加GND電位。其結果，第2反相器電路的輸出端子的電位變為VDD。
然後，通過n型TFT28(第3開關元件)的源極漏極端子間將電壓放大電路29的輸出返回到電壓放大電路29的輸入端。此時，通過將使n型TFT28處於導通狀態的柵極端子電壓設定為(VCC+2)V程度，可以將返回到電壓放大電路29的輸入端子的電壓振幅抑制到大致VCC的程度。
這樣，即使在n型TFT28的源極端子上施加電壓VDD，也不會將超過柵極端子電壓的電位傳送到漏極端子一側。由於在n型TFT28的閾值電壓中存在1V-3V的偏移，通過將n型TFT28的柵極端子電壓設定為(VCC+2)V程度，將(VCC-1)-(VCC+1)V程度的電壓返回到漏極端子一側。
由此，可以將所述的實施例1的緩衝電路21置換為電壓放大電路29。但是，電壓放大電路29由於帶有第1反相器電路和第2反相器電路的2個反相器電路，因此，可以將其看作緩衝器電路的一種。
由於利用返回到該電壓放大電路29輸入端的電壓，可以對電壓放大電路29的輸入端和變為導通狀態的電容電位再次充電，因此，在本實施例中，可以使用電容來構成靜態存儲器。
如以上這樣，利用象素電路帶有具有電源放大能力的電壓放大電路29，與用於驅動電致發光元件的電壓振幅相比，可以將緩衝器電路輸入端一側電路的電壓振幅抑制得小。為此，可以將構成電路的TFT的耐壓設計得低，從而使減小所需電路面積成為可能。並且，由於通過數據配線Sj，可以將從源極驅動器電路向象素Aij傳送的數據電壓振幅抑制得低，因此可以降低該部分消耗功率。
本實施例的象素電路構造為，如圖9所示，將構成電致發光元件的n型TFT2，和作為第3開關元件的n型TFT28一起連接到構成電壓放大電路29的第2反相器電路的輸出端上。但是，本實施例的象素電路也可以如圖10所示將作為電致發光元件的有機EL元件42連接到上述第3反相器電路的輸出端而構成。通過僅用有機EL元件42來構成電致發光元件，可以通過第3反相器電路直接驅動有機EL元件42。
(第5實施例)下面依據圖11來說明本發明的另一個實施例。圖11示出了在本實施例的顯示方法中所用的象素電路的大概結構。
構成所述實施例4的象素電路的電壓放大電路29(參照圖9、圖10)將作為電位保持裝置的電容17-20施加給該第3反相器電路的n型TFT25。這種情況下，來自電容17-20的施加到n型TFT25的柵極端子的電壓振幅比電源電壓VDD小時，電壓放大電路29不能進行正常操作。然後，由於電容17-20的電位衰減，在電壓放大電路29的n型TFT25的柵極端子上施加的電位可能比電源電壓VDD小。
為此，最好在構成所述實施例4的象素電路的電壓放大電路29的n型TFT25的柵極端子附近設計另一種反相器電路。但是，這種情況下，由於增加了構成包含該另一個反相器電路的象素的TFT的數量，因此如圖11所示，最好用較少的TFT來構造電壓放大電路36。
圖11示出了本實施例顯示裝置的各象素的象素電路結構。如圖所示，象素電路設置有作為電壓放大電路(放大器電路、緩衝器電路)36的輸入端子；構成由p型TFT30和n型TFT34組成的第3反相器電路的p型TFT30的柵極端子；p型TFT70的柵極端子；構成由n型TFT33和p型TFT70以及p型TFT31組成的第1反相器電路的n型TFT33的柵極端子。將構成第3反相器電路的p型TFT30的源極端子連接到電源配線VCC上，將漏極端子連接到n型TFT34的源極端子。將n型TFT34的漏極端子連接到GND配線上。由此，該第3反相器電路的輸出可以帶有電源電壓VCC和GND之間的振幅。
在該第1反相器電路的n型TFT33中，p型TFT70和p型TFT31(使用源極漏極)端子串聯連接。在該p型TFT70的柵極端子連接了低電壓側的電源配線VCC，在p型TFT31的源極端子上連接了高電壓側的電源配線VDD。另外，在該p型TFT31的柵極端子上，連接了第2反相器電路的輸出端子，將漏極端子連接到GND配線上。
通過採用這樣的結構，在構成第2反相器電路的p型TFT32的柵極端子上，施加由p型TFT70的柵極端子電壓限制的電位。
第2反相器電路使p型TFT32和n型TFT35(使用源極漏極端子)串聯連接。在p型TFT32的源極端子上，連接了高電壓側的電源配線VDD，在該柵極端子上，連接了第1反相器電路的輸出端子。在n型TFT35的柵極端子上，連接第3反相器電路的輸出端子，將漏極端子連接到GND配線上。
通過採用這樣的結構，在構成第2反相器電路的n型TFT35的柵極端子上，施加第3反相器電路的輸出(VCC/GND)。
其結果，增強了圖11的電壓放大電路36的電壓放大能力，其值比圖9的電壓放大電路的值大。
下面說明電壓放大電路36的操作。電壓放大電路36的輸入端子接近GND電位時，第3反相器電路的輸出變為電位VCC。構成第1反相器電路的n型TFT33變為非導通狀態。
其結果，在構成第2反相器電路的n型TFT35的柵極端子上，施加了電位VCC，在p型TFT32的柵極端子上，施加了比GND電位高的電位，相對地，由於n型TFT35的導通電阻比p型TFT32低，因此，第2反相器電路的輸出傾向於GND電位。
然後，由於將該電位施加到構成第2反相器電路的p型TFT31的柵極端子上，因此，p型TFT31變為導通狀態，第2反相器電路的輸出傾向於電位VDD。其結果，電壓放大電路36的輸出用GND電位來穩定。
電壓放大電路36的輸入端子接近VCC電位時，第3反相器電路的輸出變為電位GND。構成第1反相器電路的n型TFT33變為導通狀態。即使n型TFT33為導通狀態，其間，由於輸入了使柵極電壓受到電位VCC限制的p型TFT70，因此，第1反相器電路的輸出電位傾向於GND電位。
其結果，在構成第2反相器電路的n型TFT35的柵極端子上施加了GND電位的n型TFT35變為非導通狀態。在p型TFT32的柵極端子上施加接近於GND電位的電位，p型TFT32變為導通狀態。其結果，第2反相器電路的輸出傾向於電位VDD。
由於向構成第1反相器電路的p型TFT31的柵極端子施加該電位，因此，p型TFT31變為非導通狀態，第2反相器電路的輸出穩定於GND電位。其結果，電壓放大電路36的輸出穩定於電位VDD。
圖11所示的象素電路，電壓放大電路36的輸出通過n型TFT28，返回到由p型TFT30和n型TFT34構成的第3反相器電路的輸入端子上。
由此，本實施例的象素電路這樣構成完成作為緩衝器電路功能的電壓放大電路36的輸出，作為正極性電壓向作為電位保持裝置的電容17-20的輸出端子返回。
(實施例6)作為本發明的另一個實施例，下面將依據圖12以及圖13來說明對於多個象素對應一個緩衝器電路的情況。圖12示出了在本實施例的顯示方法中所用的顯示裝置的象素電路結構。
本實施例的顯示裝置的象素電路為這樣的結構以使用有關所述實施例1的圖1來說明的象素電路的結構為基本，對2個象素電路Aij、Ai+1j，對應1個緩衝器電路。如圖12所示，間接連接2個象素電路Aij、Ai+j的電位保持裝置，通過p型TFT48以及n型TFT49來連接配線GiIO以及Gi+1IO和緩衝器電路50的輸入端子。將共同的控制配線GiA連接到該p型TFT48以及n型TFT49的柵極端子上。為此，控制配線GiA為正選擇電位Vgh時，n型TFT49變為導通狀態，控制配線GiA為負選擇電位Vgl時，p型TFT48變為導通狀態。
即，如圖13所示，在象素Aij的選擇期間(圖13的②Gi為電位Vgh期間)，將控制配線GiA作為正選擇電位作為Vgh(圖13的⑧GiA)，將緩衝器電路50連接到象素Ai+1j側的Gi+1jIO，向數據配線(圖13的①Sj)傳送能對象素Aij顯示的4比特灰度數據。
在該選擇期間，按照(④Gibit2的電位、③Gibit1的電位)順序來顯示控制配線Gibit2、1的電位時，其組合變化為(負選擇電位Vgl、負選擇電位Vgl(以下，表示為0))、(負選擇電位Vgl、正選擇電位Vgh(以下，表示為1))、(正選擇電位Vgh、負選擇電位Vgl(以下表示為2))、(正選擇電位Vgh、正選擇電位Vgh(以下表示為3))。由此，可以將在對應於所述0、1、2、3期間內，向數據配線(圖13的①Sj)傳送的用象素Aij顯示的4比特灰度數據存儲在電容17-20上。
其次，在象素Ai+1j的選擇期間(圖13的⑤Gi+1為電位Vgh的期間)，將控制配線GiA作為負選擇電位作為Vgl(圖13的⑧GiA)，將緩衝器電路50連接到象素Aij側的GiIO，向數據配線(圖13的①Sj)傳送能對象素Aij顯示的4比特灰度數據。該選擇期間，使控制配線Gi+1bit 2、控制配線Gi+1bit1的電位(圖13的⑦、⑥)變化為0、1、2、3，將在相應期間內向數據配線(圖13的①Sj)傳送的用象素Ai+1j顯示的4比特灰度數據電位存儲在電容17-20上。
並且，該期間即象素Ai+1j的選擇期間，象素Aij中，控制配線GiRW為非選擇電位使Vgl(圖13的⑨GiA)、控制配線Gibit2、1(該圖的④、③)的電位為所述「3」，將在電容20(參照圖12)中存儲的電位連續輸入到緩衝器電路50中，控制配線GiRW為選擇電位作為Vgh，用緩衝器電路50的輸出電位，對電容20再次充電，同時，基於在電容20上存儲的2值電位來顯示電致發光元件。
其次，在象素Aij、Ai+1j都為非選擇期間(圖13的②Gi、⑤Gi+1都為電位Vgh期間)，控制配線GiA為正選擇電位作為Vgh(圖13的⑧GiA)，將緩衝器電路50連接到象素Ai+1j側的配線Gi+1jIO上。在該期間內，Gi+lbit2、1的電位(圖13的⑦、⑥)的電位為「3」，用緩衝器電路50的輸出電位在電容20上對電容20上存儲的電位進行再充電，同時，基於在電容20上存儲的2值電位來顯示電致發光元件。
下面，使控制配線Gibit2、1、Gi+1bit2、1的電位變化為「2」、「1」、「0」等，執行與對所述「3」的情況說明的操作相同的操作。
如以上那樣，在緩衝器電路和各象素的配線GiIO之間設置TFT，通過使多個象素電路的每個對應緩衝器電路，可以通過各象素來設置較多的存儲器元件。
為此，與說明有關實施例1的圖1的象素電路的結構相比，比較起來，還是圖12所示的本實施例的象素電路的結構通過比較小的象素可以實現相同灰度等級的顯示，由於能夠通過同一大小的象素來實現多數灰度顯示，因此可以獲得非常高的效果。
最好將本發明的顯示裝置作為這樣的顯示裝置來構成設置對應於第1配線和第2配線的交叉部分呈矩陣狀設置的電致發光元件；以及根據所述電致發光元件來設置電位保持裝置；相對所述電位保持裝置設置將該電位作為輸入以正極性輸出的緩衝器電路；在相對於所述電致發光元件有多個電位保持裝置的情況下，對應所述電位保持裝置在所述電致發光元件和所述電位保持裝置之間設置第1開關元件；設置通過所述電位保持裝置和所述第1配線之間的所述第2配線，來控制其導通狀態的第2開關元件；將所述緩衝器電路的輸出端子和所述電位保持裝置的輸出端子直接或通過第3開關元件間接連接。
所述顯示裝置在所述第2開關元件為導通狀態時，對應於所述第1配線的電位來設定所述電位保持裝置的電位，在所述第2開關元件為非導通狀態時，向所述緩衝器電路的輸入端子施加所述電位保持裝置的電位，通過由該輸入電壓設定的所述緩衝器電路的輸出端電壓，對所述電位保持裝置進行再次充電，對應於所述電位保持裝置或所述緩衝器電路的輸出來控制所述電致發光元件的顯示狀態。
所述顯示裝置在所述電位保持裝置為多個的情況下，所述第2開關元件為非導通狀態時，從使用所述第1開關元件的多個電位保持裝置中選擇1個電位保持裝置，向所述緩衝器電路的輸入端子施加該被選擇的電位保持裝置的電位，通過由該輸入電壓設定的所述緩衝器電路的輸出端電壓，對所述被選擇的電位進行再次充電，對向使用所述第1開關元件的所述緩衝器電路輸入的電位保持裝置進行時間上的切換，從而可以控制所述電致發光元件的顯示狀態。
所述顯示裝置在所述緩衝器電路的輸出端子和輸入端子之間設置第3開關元件的情況中，所述第3開關元件為非導通狀態時，使用所述第1開關元件，切換向所述緩衝器電路輸入的電位保持裝置，所述緩衝器電路的輸出端子的電位通過所述輸入端子的電位被設定之後，使所述第3開關元件為導通狀態。
所述顯示裝置在所述第2開關元件為導通狀態期間，與將所述電位保持裝置設定為2值的同時，以3值以上的值來設定所述電致發光元件的顯示狀態，在所述第2開關元件為非導通狀態期間，將所述電致發光元件的顯示狀態設定為與在所述電位保持裝置中設定的2值電位對應的狀態。
所述顯示裝置對應於所述緩衝器電路的輸入電壓，應該使被施加到所述電致發光元件上的電壓比所述緩衝器電路的輸入電壓振幅大。
通過以上所述，本發明的顯示裝置可以在所述緩衝器電路的輸入端和輸出端之間設置第3開關元件。
根據上述結構，通過在緩衝器電路的輸入端和輸出端之間設置的第3開關元件，可以防止由於緩衝器電路的輸出電位而對緩衝器輸入電位的影響。
這裡，由於電位保持裝置的電容量大，雖然需要分配對應於電容的大面積，但是不需要為了設置第3開關元件而在電位保持裝置中分配大面積，通過使電位保持裝置變小，可以使顯示裝置小型化。
本發明的顯示裝置其特徵在於，所述第1開關元件在所述第3開關元件為非導通狀態時，可以轉換所述多個電位保持裝置，所述緩衝器電路在所述第3開關元件為非導通狀態時，通過該緩衝器電路的輸入端子的電位，可以設定該緩衝器電路的輸出端子的電位，所述第3開關元件根據所設定所述緩衝器電路的輸出端子的電位，從而可以變為導通狀態。
根據上述結構，所述第3開關元件為非導通狀態時，通過切換變為導通狀態的所述第1開關元件，可以切換在緩衝器電路中輸入的電位保持裝置。從所述緩衝器電路中獲得對應於該電位保持裝置電位的正極性輸出之後，所述第3開關元件變為導通狀態，可以對電位保持裝置的電位進行再次充電。
所述電位保持裝置和第1開關元件可以為1對多個的情況，也可以是1對1的情況。前者1對多數的情況，各像素中所需的第1開關元件的控制配線數能夠減少。
另一方面，對於一一對應的後一種情況，由於對應於各電位保持裝置的第1開關元件能夠被獨立控制，因此，不能同時選擇2個電位保持裝置來控制。
因而，一邊可以防止由於緩衝器電路的輸出電位而對緩衝器輸入電位的影響，一邊可以將動態存儲器元件近似用作靜態存儲器元件。為此，可以減少存儲器元件1比特左右的TFT個數。
本發明的顯示裝置，在所述結構中，所述緩衝器電路可以放大輸入電壓的振幅並輸出，從而所述第3開關元件的柵極電壓振幅比所述緩衝器電路的輸出電壓小。
根據上述結構，從所述電位保持裝置向緩衝器電路輸入的輸入電壓振幅被放大，並向所述電致發光元件輸出。即，通過緩衝器電路，將由電位保持裝置輸入的電壓振幅放大，可以將其作為所述電致發光元件所需的電壓振幅而輸出。
這裡，使通過緩衝器電路放大的電壓原樣返回到緩衝器電路的輸入端時，比在輸入端子估計的電壓振幅更大，因而，擔心在第1第2開關元件等中引起不良操作。但是，由於通過所述第3開關元件的電壓振幅被其柵極電壓所限制，因此，通過所述第3開關元件的柵極電壓振幅比所述緩衝器電路的輸出電壓的振幅更小的結構，可以防止所述不良操作的發生。
一般地，為了使TFT等開關元件的尺寸變小，需要將其耐壓設定得低。並且，通過將用來驅動開關元件的柵極電壓抑制得低，可以降低伴隨柵極電極的充放電的消耗功率。因此，為了降低顯示裝置的功耗，可以將所述緩衝器電路(包含第1開關元件)的輸入端子側構造為低電壓電路，從而可以限制返回到所述緩衝器電路輸入端子的電壓振幅。
因此，使在緩衝器電路輸出端和所述電位保持裝置的輸出端之間設置的第3開關元件的柵極電壓振幅比所述緩衝器電路的輸出電壓振幅更小。
由此，限制提供給在緩衝器電路輸入端和輸出端之間存在的第3開關元件的柵極端子的電壓振幅，在這個被限制的電壓振幅範圍內，可以將從緩衝器輸出端到其輸入端的電壓返回。例如，在作為所述第3開關元件使用n型TFT的情況下，即使向該源極端子施加12V的電壓，在向柵極端子施加6V電壓的情況中，從漏極端子輸出的電壓可以變為大概5V的程度。
如上所述，設置第3開關元件，由於通過限制該柵極電壓振幅，可以降低所述緩衝器電路的輸入端子側的TFT的耐壓，因此可以減小TFT的尺寸。並且，由於可以將控制該TFT的配線電壓抑制得低，因此可以降低顯示裝置的消耗功率。
本發明的顯示裝置在所述第1配線和所述第2配線的交叉部設置將所述緩衝器電路的電源配線間進行電容耦合的電容耦合裝置。
通過上述結構，可以從電容耦合裝置中，對緩衝器電路的電源配線提供開關所需的電荷。為此，可以防止由於開關不好所造成的顯示裝置的噪聲以及誤操作的產生。
例如，在本發明顯示裝置的緩衝器電路的電源配線間，施加具有比所需配線寬度更寬的配線，從而形成電容等電容耦合裝置。通過在這樣的象素中形成電容，可以從在象素中設置的電容中提供緩衝器電路以及反相器電路的輸出狀態變化時所需的電荷，從而可以減少能夠從電源配線中提供的電荷。
藉此，抑制給電源配線提供的電荷變化時所產生噪聲的發生，從而防止緩衝器電路和反相器電路的誤操作。並且，抑制向電致發光元件施加的電位的變化，可以減少顯示品質的惡化。因而，能夠提高圖像顯示裝置的可靠性以及顯示品質。
本發明的顯示方法包含這些步驟在使用所述顯示裝置的顯示方法中，所述第2開關元件為非導通狀態時，使用所述第1開關元件，從多個電位保持裝置中選擇出1個電位保持裝置的電位保持裝置選擇步驟，向所述緩衝器電路的輸入端施加被選擇的電位保持裝置電位的電位施加步驟，通過使用所述第1開關元件來切換輸入到所述緩衝器電路的電位的電位保持裝置，從而控制所述電致發光元件的顯示狀態的第2顯示狀態控制步驟。
根據上述方法，將所述電致發光元件的顯示狀態切換為時間分割從而執行灰度顯示。
即，在電位保持裝置選擇步驟中，在每個象素中配置多個電容等電位保持裝置，在所述電位保持裝置和所述緩衝器電路的輸入端子之間，使對應於該電位保持裝置所設置的第1開關元件中的1個變為導通狀態。藉此，從多個電位保持裝置中選擇1個電位保持裝置，能夠向所述緩衝器電路的輸入端子施加這個被選擇的電位保持裝置。
然後，在顯示狀態控制步驟中，按時間切換變為導通狀態的第1開關元件，通過緩衝器電路，將電位保持裝置再次充電。藉此，給所述電致發光元件提供電位，在所述顯示裝置中執行時分灰度顯示。
以下說明將對應於變為導通狀態的第1開關元件的切換的期間順次作為第1期間、第2期間...的時間分割方法。在第1期間中，使所述多個第1開關元件中的特定開關元件(下面將其記作開關元件A)為導通狀態，給所述緩衝器電路提供對應於所述多個電位保持裝置中的開關元件A的電位，通過該緩衝器電路的輸出或電位保持裝置的輸出來設定電致發光元件的顯示狀態。
在第2期間，與所述多個第1開關元件中的特定開關元件A不同的特定開關元件(下面將其記作開關元件B)為導通狀態，給所述緩衝器電路提供對應於所述多個電位保持裝置中的開關元件B的電位，通過該緩衝器電路的輸出或電位保持裝置的輸出來設定電致發光元件的顯示狀態。這樣，使用所述顯示裝置可以執行時分灰度顯示。
這種情況，最好是，在所述第2期間之後設計第3期間，在該第3期間，再次使開關元件A為導通狀態，再次給所述緩衝器電路提供對應於所述多個電位保持裝置中的開關元件A的電位，通過該緩衝器電路的輸出來設定電致發光元件的顯示狀態。
通過所述方法來進行時分灰度顯示時，即使在視線移動的情況中，由於能夠捕捉到至少第1期間到第3期間中任何一個期間，因此可以緩和由於相鄰像素中灰度顯示電平不同而引起的發光定時的差別的影響(所謂的動畫偽輪廓)。
如前所述，在電位保持裝置的電容比從所述緩衝器電路輸出的電流小的情況，有必要使緩衝器電路的輸入電位不會受到其輸出電位的影響。為此，使用在所述顯示裝置的所述緩衝器電路的輸出端和輸入端之間設置的第3開關元件的顯示裝置。
本發明的顯示方法包含這些步驟在使用所述顯示裝置的顯示方法中，所述第2開關元件為導通狀態時，與在將所述多個電位保持裝置的電位設定為2值電位中的任何一個同時，將所述電致發光元件的顯示狀態設定為2值電位中的任何一個的顯示狀態設定步驟，所述第2開關元件為非導通狀態時，將所述電致發光元件的顯示狀態設定為與在所述電位保持裝置中設定的電位相應狀態的顯示狀態再設定步驟。
根據上述方法，即使在各象素中設置與灰度顯示中所需的比特數相應個數的電位保持裝置困難的情況下，也可以執行所希望的灰度顯示。例如，使用在各象素中設置了比6比特部分即6個還少數量的電位保持裝置的顯示裝置，可以執行6比特灰度顯示。
即，雖然在象素中僅設置了m個電位保持裝置，但是在進行n比特灰度顯示(n＞m，m、n都為正整數)的情況中，在第2開關元件為導通狀態期間，將所述不足部分灰度顯示作為2值以上(最好為3值以上)的多值電位在電致發光元件中顯示。
例如，在第2開關元件導通狀態期間，使用所述m個電位保持裝置中的1個來保持(n+1-m)比特灰度顯示部分的多值電位數據，使用剩餘的電位保持裝置(在各電容中保持2值電位數據)來保持(m-1)比特部分的數據。在第2開關元件為非導通狀態期間，通過保持所述多值電位數據的電位保持裝置來設定所述電致發光元件的顯示狀態並執行多灰度顯示，其後，通過由在所述(m-1)個電位保持裝置中保持的2值電位數據來設定所述電致發光元件的顯示狀態並進行時間分割灰度顯示，可以將所述不足的灰度部分的顯示作為3值以上的多值電位在電致發光元件中顯示。
例如，在第2開關元件導通狀態期間，在所述電致發光元件中執行(n-m)比特灰度部分的多值數據顯示，特別是，使用m個電位保持裝置來保持(在各電容中保持2值電位數據)m比特部分的數據，在第2開關元件為非導通狀態期間，通過在m個電位保持裝置中保持的2值數據來設定所述電致發光元件的顯示狀態並執行時間分割多灰度顯示，可以將所述不足的灰度部分的顯示作為2值以上的多值電位在電致發光元件中顯示。
在象素中構造如本發明那樣的放大器電路以及緩衝器電路的情況中，最好在這些放大器電路以及緩衝器電路的電源之間構造電容元件。
這種情況，最好將電容元件設置在象素中。尤其是，最好在放大器電路以及緩衝器電路的電源端子附近形成電容元件。
放大器電路以及緩衝器電路的輸出變化時，與從面板周圍獲得的所需的電荷相比，從在象素中設置的電容中獲得的電荷相比，提供給相鄰象素的噪聲更少。由於產生了通過這樣噪聲所引起的誤操作以及顯示品質混亂，作為減少這種混亂的方法，在這種象素中設置的電容是有效的。
有關發明詳細的說明的各部分所進行的具體實施形式或實施例始終使本發明的技術內容變得清楚，不應該僅限於所限定的具體例子而進行狹義的解釋，在本發明的實質和隨後記載的權利要求的範圍內，可以進行各種變型並實施。
權利要求
1.一種顯示裝置，其中具有在第1配線和第2配線交叉部設置為矩陣形的電致發光元件，保持對所述電致發光元件進行顯示驅動的電位保持裝置，輸出通過所述電位保持裝置輸入的電位的緩衝器電路，與所述電位保持裝置串連設置的第1開關元件，被設置在所述第1開關元件或電位保持裝置和所述第1配線之間、通過所述第2配線來控制導通狀態的第2開關元件，其特徵在於，對各電致發光元件配置多個所述電位保持裝置，將所述多個電位保持裝置與所述緩衝器電路的輸出端子相連。
2.一種顯示裝置，包括；在第1配線和第2配線交叉部設置為矩陣形的電致發光元件，保持對所述電致發光元件進行顯示驅動的電位保持裝置，輸出通過所述電位保持裝置輸入的電位的緩衝器電路，在所述電致發光元件或緩衝器電路和所述電位保持裝置之間設置的第1開關元件，被設置在所述第1開關元件和所述第1配線之間、通過所述第2配線來控制導通狀態的第2開關元件，其特徵在於，對各電致發光元件配置多個所述電位保持裝置，將所述多個電位保持裝置的輸出端子與所述緩衝器電路的輸出端子相連。
3.如權利要求1或2所述的顯示裝置，其特徵在於，在所述緩衝器電路的輸入端子和輸出端子之間設置第3開關元件。
4.如權利要求3所述的顯示裝置，其特徵在於，在所述第3開關元件為非導通狀態時，所述第1開關元件切換所述多個電位保持裝置，所述第3開關元件為非導通狀態時，所述緩衝器電路利用該緩衝器電路的輸入端子的電位，來設定該緩衝器電路的輸出端子的電位，與設定所述緩衝器電路的輸出端子的電位相應，使所述第3開關元件變為導通狀態。
5.如權利要求3所述的顯示裝置，其特徵在於，所述緩衝器電路放大輸入電壓的振幅，從而使所述第3開關元件的柵極電壓的振幅比所述緩衝器電路的輸出電壓的振幅小。
6.如權利要求1或2所述的顯示裝置，其特徵在於，在第1配線和第2配線的交叉部設置使所述緩衝器電路的電源配線間進行電容耦合的電容耦合裝置。
7.如權利要求1或2所述的顯示裝置，上述電致發光元件為有機EL(電致發光)。
8.如權利要求1或2所述的顯示裝置，上述電致發光元件為液晶。
9.如權利要求1或2所述的顯示裝置，上述電位保持裝置為電容。
10.如權利要求1或2所述的顯示裝置，其中，上述緩衝器電路包含第1反相器電路、第2反相器電路，上述第2開關元件的輸出端子與上述第1反相器電路的輸入端子相連，上述第1反相器電路輸出端子連接到上述第2反相器電路的輸入端子上。
11.如權利要求10所述的顯示裝置，上述第1反相器電路以及上述第2反相器電路是由p型TFT和n型TFT構成。
12.如權利要求1或2所述的顯示裝置，上述緩衝器電路為電壓放大電路。
13.如權利要求12所述的顯示裝置，上述電壓放大電路包含分別由p型TFT和n型TFT構成的第1-第3反相器電路。
14.一種使用如權利要求1或2中所述的顯示裝置的顯示方法，其特徵在於，該顯示方法包括所述第2開關元件為導通狀態時，根據所述第1配線的電位，設定所述電位保持裝置電位的設定步驟，在所述第2開關元件為非導通狀態時，將所述電位保持裝置的電位施加到所述驅動器電路的輸入端子，利用對應於該施加電壓的所述驅動器電路的輸出，而將所述電位保持裝置再充電的再充電步驟，利用所述電位保持裝置或所述驅動器電路或所述第1配線的輸出，來控制所述電致發光元件的顯示狀態的第1顯示狀態控制步驟。
15.如權利要求14所述的顯示方法，其特徵在於，該顯示方法包括在所述第2開關元件為非導通狀態時，使用所述第1開關元件，從多個電位保持裝置中選擇1個電位保持裝置的電位保持裝置選擇步驟，通過使用所述第1開關元件，切換向所述緩衝器電路輸入電位的電位保持裝置，來控制所述電致發光元件的顯示狀態的第2顯示狀態控制步驟。
16.一種使用如權利要求1或2中所述的顯示裝置的顯示方法，其特徵在於，該顯示方法包括所述第2開關元件為導通狀態時，將所述多個電位保持裝置的電位設定為2值電位中的任一個，同時，將所述電致發光元件的顯示狀態設定為2個以上狀態的任一個的顯示狀態設定步驟，在所述第2開關元件為非導通狀態時，將所述多個電致發光元件的顯示狀態，設定為與所述電位保持裝置中設定的電位相對應的狀態的顯示狀態的再設定步驟。
全文摘要
本發明的顯示裝置帶有，在第1配線和第2配線交叉部設置為矩陣形的由n型TFT和有機EL元件組成的電致發光元件，保持對所述電致發光元件進行顯示驅動的電位的電容，輸出通過所述電位保持裝置輸入的電位的緩衝器電路，與所述電位保持裝置串連設置的p型TFT和n型TFT，被設置在第1配線和p型TFT以及n型TFT之間的n型TFT，相對於各電致發光元件來設置多個所述電容，將所述多個電容和所述緩衝器電路的輸出端子相連。由此，可以減少存儲器元件每1比特中所需的TFT的個數，從而能夠減小設置在顯示畫面周圍的緩衝器電路規模。
文檔編號G09F9/30GK1403854SQ02143
公開日2003年3月19日 申請日期2002年8月30日 優先權日2001年8月30日
發明者沼尾孝次 申請人:夏普公司