有高介電常數的介電材料或鐵電材料的電容器及製造方法
2023-04-30 14:56:06
專利名稱：有高介電常數的介電材料或鐵電材料的電容器及製造方法
技術領域：
本發明涉及一種集成電路內具有含貴金屬第一電極的電容器，其中用高ε介電材料或鐵電材料作為電容器的介電材料。
在大多數集成半導體電路內需要電容器，例如在DRAM電路或A/D變換器內。在此提高集成度是一個首要目標，即必須實現具有最小佔地面積，但儘可能高或為滿足要求夠用的電容量。尤其在DRAM電路提出了該問題，在DRAM電路每個存儲器單元具有一個存儲電容器和一個選擇電晶體，其中可供存儲器單元支配的面積一直在縮小。同時為了可靠的儲存電荷以及為了讀出信息的可辨別性必須維持存儲器電容器一定的最低電容量。並發現該最低電容量目前約為25fF。
為了減小電容器的佔地面積，可應用具有高介電常數(高ε介電材料)的順電材料作電容器的介電材料。在存儲器裝置裡首先應用這種電容器作所謂的「疊置的」電容器(單元的電容器安排在所屬的選擇電晶體之上)。利用順電材料作為電容器介電材料的存儲器單元在選擇供電電壓時喪失其電荷，並因此喪失所儲存的信息。此外，由於殘餘漏電該單元必須不斷地重寫(更新時間)。與此相反根據鐵電材料不同的極化方向使用鐵電材料作電容器介電材料有可能建立非易失型存儲器(FRAM)，該FRAM在選擇供電電壓時不會丟失其信息，並且也不必不斷地重寫。單元的殘餘漏電不影響儲存的信號。
從文獻已知，不同的高ε介電材料和鐵電材料，例如鋇鍶鈦酸鹽(BST)，鍶鈦酸鹽(ST)或鉛鋯鈦酸鹽(BZT)，此外還有鐵電、順電聚合物等。
雖然這些材料具有所希望的電特性，但是其意義在實際上還是有限的。其主要原因是上述材料不能立即在半導體器件內使用。這種材料的製造需要通過在含氧氣氛內的高溫濺射過程或澱積過程實現。其結果導致在半導體工藝內作為電極材料用的導電材料(例如多晶矽、鋁或鎢)不再適用。因為在這些條件下它們氧化，因此至少第1電極一般由含貴金屬的材料如鉑或銠製造。然而，這些新電極材料對半導體工藝而言是比較不為人知的。它們很難沉積，並只在較小層厚的情況下才可令人滿意地結構化。此外它是滲透氧的，其結果導致在電容器介電材料製造時深層的結構被氧化以及不能保證在第1電極和選擇電晶體之間有足夠好的接觸。因此在電容器介電材料之下必須有抑制氧擴散的阻擋層。
在DE 196 40 448中描述了這樣一種存儲器單元，其中在第1電極和用於選擇電晶體的連接結構之間的阻擋層整個平面地通過氮化作用產生。在DE-OS 196 40 244中描述了具有高ε介電係數和鐵電係數的電容器介質材料的一種電容器，其中第1電極由電極芯以及與其對置的含貴金屬的薄層組成，並且其中電極芯由連接結構的材料或氧阻擋層材料組成。其優點是只需構成含貴金屬的薄層。所有這些具有高ε介電或鐵電係數的電容器介電材料的電容器的共同點是為第1電極提供原則上平面的結構。
在US 5 581 436中作為議論中的形式的電容器的第1電極，在電極芯的表面上澱積-薄鉑層。必要時高ε介電材料作為自由固定的結構可以在形成第1和第2電極前製造，即這時電極在介電材料的側壁上構成。
本發明的任務是在具有高ε介電或鐵電係數的電容器介電材料的電容器中進一步減小其佔地面積，以及對這樣一種電容器提供一種簡單的與一般製造過程兼容的製造方法。
根據本發明此項任務通過下述電容器和製造方法解決安置在半導體裝置內的載體上的電容器，具有含貴金屬的第1電極，具有由高ε介電材料或鐵電材料構成的電容器介電材料和具有第2電極，並且第1電極具有至少兩彼此相隔的薄片，這些薄片基本上對載體表面平行安置，並經過支撐結構彼此電和機械連接。
這種電容器的電容器製造方法可以是，在載體表面上產生一層系列，該層系列各自交替地包含含貴金屬的第1材料層和第2材料層，其中第2材料相對第1材料是有選擇地可腐蝕的，該層系列被腐蝕成具有側面的層結構，產生支撐結構，它至少覆蓋層結構的一側面並機械和電連接第1材料層，第2材料層可相對第1材料層和支撐結構有選擇地除去，在第1材料層和支撐結構的暴露表面上保形澱積高ε介電材料和鐵電材料的電容器介電材料，在電容器介電材料上產生第2電極。
電容器的另一種製造方法可以是，在載體表面產生一層系列，該層系列各自交替地包含貴金屬的第1材料層和第2材料層，其中，第2材料相對第1材料是有選擇地可腐蝕的，在層系列內形成一開孔，在開孔內形成填滿開孔的支撐結構，層系列在各向異性腐蝕過程中腐蝕成具有內部平放的支撐結構的層結構，第2材料層可相對第1材料層和支撐結構有選擇地除去，在第1材料層和支撐結構層的暴露表面上保形澱積高ε介電材料或鐵電材料的電容器介電材料，在電容器介電材料上產生第2電極。
在本發明中第1電極至少包含兩彼此相隔的薄片，這些薄片基本上對載體表面平行並且經支承結構彼此相連接。因此起電容作用的表面相對佔用的載體表面顯著地擴大。
第1電極的幾何結構相應於由摻雜的多晶矽製成的所謂「疊片電容器」的形狀。這種疊片電容器在例如EP 415 530 B1，EP 779 656A2，EP 756 326 A1和在尚未公開的DE專利申請Nr.198 21 910.5，198 21 776.5和19821777.3中所述。實例性的可提出下列幾種基本形式A)在薄片相鄰的一側面或兩側面上外放置的支撐結構，B)在三側面上的外放置的支撐結構，C)在所有的(通常為四個)側面上的外平放的支撐結構，D)穿過薄片的內放置的支撐結構。
作為材料尤其是鉑適合作第1電極，但是釕氧化物以及其它含貴金屬的材料也適合作第1電極，這些材料對於在高ε電容器或鐵電材料電容器內使用是公知的。第2電極優先由與第1電極相同的材料製成，但是也能夠用其它合適的材料，例如W或TiN，以及其它金屬或摻雜多晶矽形成。電容器的第2電極通過高ε介電材料或鐵電材料與第1電極隔開。
載體可以包含第1電極用引線，其餘載體表面被絕緣層復蓋。隨後含貴金屬的第1電極(即最下層薄片或支撐結構)覆蓋一部分載體表面並且掩蓋了該引線，所以保證了電接觸。
電容器優先置入DRAM單元內。隨後，載體包含所屬的MOS選擇電晶體。電晶體的SD區經上述引線與第1電極連接。引線優先在其上區具有一導電的氧阻擋層(例如氮化鈦)並且此外由例如鈦、多晶矽、鎢或類似物製成。
為了製造第1電極，在能夠包含其內掩埋引線的絕緣層的載體上產生各自交替地具有含貴金屬第1材料層和第2材料層的層系列，其中第2材料是對第1材料有選擇地可腐蝕的。作為第2材料優先用金屬，例如鋁或鈦。
在具有外放置的支撐結構的實施例，使層系列直到載體被結構化，以便形成具有側面的層結構。支撐結構在至少一側面上產生，對此尤其是能夠使用各向異性的傾斜蒸鍍或用具有隨後各向異性腐蝕用於形成側牆的保形澱積。然後在最後的方法中腐蝕一孔進入層結構，以便能夠使層表面暴露並通過選擇性腐蝕去除第2材料層。
該孔可以安置在層結構的邊緣，所以在這裡除去形成支撐結構的層(或側牆)以及可能的話除去層結構的邊緣區。
另一方面該孔可以完全在層結構內部的，尤其是在中心產生。因此保證在第2材料向外腐蝕時具有特別高的穩定性，因為在支撐構架的所有位於外部的側面上存在支撐結構。因此第2材料層可以極薄，例如20-30nm。
該孔也可以這樣處於或通過層結構內部，以至它把層結構分離成兩個分區。這時每一分區用作電容器的一個第1電極。換句話說，開始層結構是這樣產生的，以至它具有兩相鄰電容器的側面尺度並在形成開孔時被分開的兩電極。然後每一電極在三側面上(外側)備有支撐結構，因此又保證了良好的機械穩定性。
在本發明的另一實施結構中支撐結構在電極內部形成。為此如第1實施結構一樣，在載體上形成層系列。在層系列裡形成開孔並且優先用第1材料填滿，以至在開孔內產生支撐結構。接著層系列按照待產生的電極尺寸對層結構各向異性腐蝕。第1和第2材料層在外側面上暴露。藉助對第1材料和對支撐結構有選擇地腐蝕除去第2材料層。在此使用具有各向同性成分的腐蝕過程。剩留的第1材料層以及與其電連接的支撐結構形成第1電極。
在產生第1電極後在所有實施結構中在第1電極上施加高ε介電材料或鐵電材料。在其上產生反電極，這時填滿薄片之間的空隙。
可以澱積一阻止腐蝕層作為層系列最下或次下層。該阻止腐蝕層在第2材料層有選擇地各向同性腐蝕之前、同時或之後除去。然後與阻止腐蝕層相鄰的層或層系列的各層首先是第1材料層。為形成層結構的腐蝕這時也如產生開孔一樣在第2或者甚至在第3腐蝕步驟內實現，其中第1腐蝕步驟對阻止腐蝕層是有選擇的。在載體裡可能存在的接觸孔或阻擋層或甚至載體表面本身也是通過這種方法受到特別好地保護。這時阻止腐蝕層的使用是否有益，取決於第1和第2材料、阻擋層和載體表面的選擇。
層系列(Pt，Al)的製造例如可以通過濺射或通過CVD法實現。用Cl2，Ar，SiCl4或PCL3的RIE(反應離子刻蝕)可以用作Pt和Al層系列的各向異性腐蝕方法。Al的有選擇的各向同性腐蝕可以用H3PO4/HNO3/H2O或HCL實現，這時腐蝕率比處於至少1∶100。鈦可以用NH4OH/H2O2對含貴金屬的層實現各向同性和有選擇的腐蝕。對由氧化矽製成的載體表面的選擇性處於≥1∶100。
本發明依靠附圖和實施例詳細說明如下。
圖1-4示出通過一基片的斷面圖，在該斷面上憑藉DRAM存儲器單元說明方法的第1實施例。圖5-6相應地示出第2實施例。圖7-12示出第3實施例。圖13-14示出第4實施例。圖15-19示出第5實施例。圖20-24示出第6實施例。
圖1；一絕緣層2澱積到基片1上。該基片1例如是包含具有字線和位線的選擇電晶體的矽基片(參照圖4)。該絕緣層例如由氧化矽製成並且平面化。在該絕緣層2內開接觸孔3並且用導電材料例如用摻雜的多晶矽、鎢、鉭、鈦、氮化鈦或矽化鎢填滿。該接觸孔3是這樣安置的，以至他們各自達到基片1內選擇電晶體的源/漏區。優先在接觸孔3的上部安置了抑制氧擴散的阻擋層4。製造這種阻擋層的方法例如由DE-196 40 246，DE-196 40 448為大家所知。現在在該載體的表面上澱積層系列，該層系列交替地包含含貴金屬的第1材料層61和第2材料62。例如第1材料由鉑形成以及第2材料由鋁形成。通過只改變靶以及調整濺射過程參量的方式，這些層可以在濺射設備裡直接一層接一層澱積。在本實施結構中第2材料必須對第1材料和載體表面2有選擇地可腐蝕的，但對阻擋層材料並不這樣。在本實施例，第1材料層直接澱積到載體表面，而層系列的最上層由第1材料製成。
圖2接著在應用掩模情況下通過各向異性腐蝕由層系列形成層結構6，其側面尺度相當於製成的電容器薄片包括至少一側面上的一定提前量V在內。在與其垂直的側向層結構的延伸優先相當於電容器薄片的延伸。絕緣層2的表面在層結構旁暴露。Cl2，Ar，SiCl4或PCl3可以用於腐蝕處理。然後層7優先由第1材料保形澱積，其中層厚處於10-100nm範圍。合適的沉積方法例如有CVD。
圖3由第1材料澱積層通過各向異性反腐蝕在層結構6的側壁上形成側牆7。各向異性腐蝕可以通過濺射腐蝕實現。接著在應用光刻法產生掩模的條件下通過各向異性腐蝕這樣結構化具有側牆7的層結構，以至在一側除去側牆7以及一部分層結構6即預先確定的提前量V。於是在這側層結構具有一側面，鉑層61和鋁層62的表面在該側面上暴露。換句話說，一個孔腐蝕到層結構內，它被安置在結構的側面。留下的側牆7表示支撐結構。
圖4第2材料層62用對第1材料層、支撐結構7和載體表面2不腐蝕的具有各向同性成分的腐蝕過程除去。阻擋層4被第1材料的最下層保護。按照這種方式形成由彼此相隔的薄層61和支撐結構7構成的第1電極。支撐結構7使薄片61彼此機械和電連接，並且與載體表面連接。對引線3，4的接觸經最下層的電容器薄片實現。然後由高ε介電材料或鐵電材料構成的電容器介電材料9應用已知的方法澱積。這時使用的高溫過程不會導致深層結構的氧化，因為避免了氧通過阻擋層4的擴散。最終澱積導電層以便形成反電極10。
在這圖4內還進一步描述了在載體內實現的在電容器置入DRAM電路時存在的結構。第1電極61，7形成用於存儲電容器所謂的存儲器節。第1電極經過其下安置的並配備擴散阻擋層4的接觸點3與選擇電晶體的源/漏區11連接。選擇電晶體的另一源/漏區12經位線接觸點14與掩埋的位線15連接。首先兩相鄰的存儲器單元具有公共的位線接觸點。掩埋的位線15和位線接觸點14被絕緣層2所包圍。在選擇電晶體的源/漏區之間安置了一溝道區16，柵介質(未圖示)和起著字線17作用的柵電極。字線17和位線接觸點14各由摻雜的多晶矽形成。位線15由摻雜多晶矽，矽化鎢或鎢形成。在背對S/D區的位線的一側各有一絕緣結構例如填滿材料的淺溝18，用於在相鄰選擇電晶體之間絕緣。
下述實施例以圖1描述的結構為基礎。
圖5(第2實施例)另一可能途徑是，通過尤其是第1材料的導電層的各向異性的傾斜蒸發到層結構6的側壁產生連接部分。此外，由層61，62通過各向異性腐蝕產生層結構6，其側面尺度相當於製成的電容器薄片。然後以小於一預定角度將鉑蒸發到層結構的一個或二個外側面上，其中，在約10-4Pa下使用電子束蒸發。形成層厚約10-100nm的支撐結構7，第1和第2材料層的表面在對置的外側面上暴露。這意味著不經孔的腐蝕，得到在一側開口的層結構。而短時間的各向異性腐蝕也能實現整個平面的結構即未經光刻技術實現，以便除去水平面上的可能存在的薄Pt層。
圖6第2材料層62用對不腐蝕第1材料層、支撐結構7和載體表面2的各向同性成分的腐蝕過程除去。阻擋層4被第1材料的最下層保護。按照這種方式形成由彼此相隔的薄層61和支撐結構7構成的第1電極。支撐結構7使薄片61彼此機械和電連接，並且與載體表面連接。對引線3，4的接觸經最下層的電容器薄片實現。然後由高ε介電材料或鐵電材料構成的電容器介電材料9應用已知的方法澱積。這時使用的高溫過程不會導致深層結構的氧化，因為避免了氧通過阻擋層4的擴散。最終澱積導電層以形成反電極10。顯而易見在DRAM單元裡使用只在圖4描繪的基片中的結構的情況下，在這裡，以及在所有其它實施例也同樣實現。
圖7在這第3實施例，支撐結構在層結構6的所有外側面上形成。此外示範地說明了阻止腐蝕層的使用，該阻止腐蝕層基本上可以在所有實施例內使用。正如在圖1說明那樣，交替地包含第1材料層61和第材料62的層系列澱積到包含矽基片，絕緣層2，具有澱積4的引線3的載體上。直接在載體表面存在第1材料層。也可以澱積阻止腐蝕層5取代最下層的第2材料層，即次下層不由第2材料構成，而是由第1和第2材料對其有選擇性可腐蝕的材料構成。例如第1材料由Pt構成，第2材料由Al構成，而阻止腐蝕層5由TEOS或氮化物構成。此外，可以考慮RuO/Ti層系列。該層可以通過濺射過程製造。在本實施例層系列的最上層由第1材料製成。
圖8接著由層系列(包括阻止腐蝕層5在內)在應用掩膜條件下，通過各向異性腐蝕形成層結構6，這時-必要時在二或三腐蝕步驟裡-也腐蝕阻止腐蝕層5。各向異性腐蝕也可以作為濺射腐蝕實現，一般方法可以用於阻止腐蝕層的腐蝕。絕緣層2的表面暴露在層結構6旁。
圖9在整個裝置上保形澱積第1材料層7。因此層結構6的所有外側面被層7覆蓋。
圖10藉助整個平面的各向異性腐蝕由層7腐蝕形成支撐結構7的側牆。然後在使用光掩模條件下腐蝕孔8到層結構內，該孔使第1材料層和第2材料層的表面暴露。在本實施例該孔處於結構的內部。這時首先在各向異性腐蝕步驟裡層系列一直腐蝕到阻止腐蝕層5為止。
圖11然後在用各向同性成份的腐蝕步驟裡，阻止腐蝕層5相對第1材料有選擇地除去。第2材料層62用各向同性成份的腐蝕過程除去，這種腐蝕過程不損害第1材料層和支撐結構7(必要時在除去阻止腐蝕層5之前、之後或同時)。按照這種方式製成含貴金屬的第1電極。支撐結構7把電極的所有外側面上的薄片61彼此機械和電連接。經過可靠地覆蓋引線的電極的最下層的薄片實現引線3，4的電接觸。通過阻止腐蝕層5的應用排除因在形成孔8時最下層的薄片的輕微腐蝕或蝕透引起不良接觸的危險。
圖12接著如以前的例子所示(製造電容器介電體和反電極)製成電容器。
圖13在這第4實施例內，第1電極具有幾何形狀如其在EP 0779656 A2內所描繪的那樣。那裡在圖7到14所描述的製造方法基本上可以接受，其中引線(在那裡用23表示)配備阻擋層，並且層系列和支撐結構的材料以及使用的腐蝕過程按照本發明改變。從圖1出發，層系列被腐蝕成覆蓋兩相鄰引線3，3′並有兩相鄰電容器(或薄片)側面尺度的層結構6。側牆7作為支撐結構在層結構6的側面產生。合適的腐蝕過程和澱積過程在第1實施例給出。絕緣層2表面暴露在層結構6和支撐結構7外。
圖14在應用光刻法產生的掩模條件下，層結構6通過孔的各向異性腐蝕分為彼此由間隙分開的兩個分區。在間隙區暴露絕緣層的表面。在這裡分區具有暴露的層系列的層表面。留下的側牆7各表示對每一分區的支撐結構7。第2材料層62用各向同性成分的腐蝕過程除去，這種腐蝕過程不損害第1材料層，支撐結構7和載體表面2。阻擋層4被第1材料的最低層保護。按照這種方式形成兩相鄰的第1電極，該兩相鄰電極各由彼此相隔的薄片61和支撐結構構成，並且通過間隔彼此分開。支撐結構7把三側面的電容器各薄片61彼此機械和電連接，並與載體表面連接。對各引線3，4的接觸各經過最低的電容器薄片實現。然後，由高ε介電材料或鐵電材料9構成的電容器介電材料用已知方法澱積。這時使用的高溫處理不會導至深層結構的氧化，因為氧的擴散通過阻擋層4，4′避免。最終澱積形成反電極10的導電層。
在下面的實施例(5和6)裡，電容器的薄片通過在內部伸展的支撐結構彼此機械和電連接。應用迄今為止的例子內所用的相同參考符號，只詳細描述其對已說明方法的區別。
圖15在絕緣層2上作為層系列的最低層，例如由TEOS或氮化物，形成具有層厚約50nm的阻止腐蝕層5。處於其上的層系列層在這裡也如最上層一樣是第2材料層，可是兩者也可以由第1材料製成。
圖16在層系列內，腐蝕孔一直到阻腐蝕層5為止。為此，可以使用如上所述用含氯的氣體的腐蝕過程。在第2腐蝕步驟裡阻止腐蝕層5用C2F6/CHF3蝕透並且暴露出引線的阻擋層4。腐蝕步驟是如此選擇，以至避免阻擋層的損壞。開孔被第1材料填滿，主要也在層系列的水平表面上澱積第1材料。
圖17接著在各向異性的、相對阻止腐蝕層有選擇的腐蝕過程中使層系列61，62構成層結構6。
圖18如上所述實現薄片61的自由腐蝕，其中腐蝕是相對第1材料和阻止腐蝕層可選擇的。在應用Ti時，例如可以使用NH4OH/H2O2的溼法腐蝕，對作為阻止腐蝕層Pt的選擇性至少為1∶100，對作為阻止腐蝕層氮化物至少為1∶100。
圖19尤其在阻止腐蝕層上安置第2材料層62時，則阻止腐蝕層可以留在載體上。電容器通過在曝露的表面上形成高ε介電材料9或鐵電材料並產生反電極10而製成。
圖20在這第6實施例裡表示作為層系列的次最下層使用了阻止腐蝕層(TEOS，氮化物)。
在載體上澱積具有第1材料的層61作為最低層以及阻止腐蝕層5作為次低層的層系列，其上交替地澱積第1材料層(61)和第2材料層(62)。
圖21在層系列內腐蝕孔一直到阻止腐蝕層5為止。為此可以使用含氯氣體的RIE過程。在第2腐蝕步驟裡，阻止腐蝕層5用C2F6/CHF3蝕透，以至孔暴露到第1材料的最低層的表面。腐蝕步驟相對第1材料有選擇地實現。開孔被第1材料填滿，主要也在層系列的水平表面上沉積第1材料。
圖22接著，在各向異性的腐蝕過程中，層系列61，62包括阻止腐蝕層5在內構成為層結構6。必要時為此實施多個腐蝕步驟。在層結構附近載體表面2暴露。
圖23如上所述進行薄片61的自由腐蝕，其中腐蝕相對第1材料是有選擇的。對阻止腐蝕層的選擇性是不必要的。同樣也除去阻止腐蝕層5。對TEOS或氮化物合適的各向同性腐蝕過程對專家而言是熟悉的。藉此製成第1電極。薄片61經支撐結構彼此機械和電連接，與引線結構3，4的接觸經最下層薄片實現。因此在支撐結構和引線之間的失調性並不臨界。不用阻止腐蝕層可以對最下層薄片蝕透並且壁阻擋層4或許受損。
圖24電容器通過在自由表面上形成高ε介電材料9或鐵電材料以及產生反電極10而製成。
權利要求
1.安置在半導體裝置內的載體上的電容器，-具有含貴金屬的第1電極(61，7)，-具有由高ε介電材料或鐵電材料構成的電容器介電材料(9)，-具有第2電極(10)，其特徵為第1電極具有至少兩彼此相隔的薄片(61)，這些薄片基本上對載體表面平行安置並經支撐結構(7)彼此電和機械連接。
2.根據權利要求1的電容器，其中，這些薄片(61)經支撐結構(7)與載體(1，2)電連接。
3.根據權利要求2的電容器，其中，支撐結構7安置在薄片(61)的至少一個外側面上。
4.根據權利要求1或2的電容器，其中，支撐結構7貫通薄片。
5.根據權利要求1到4之一的電容器，其中，在其面向電容器的表面上的載體，具有其內安置接觸點(3)的絕緣層(2)，其中，接觸點(3)包含一擴散阻擋層(4)並與第1電極(61，7)連接。
6.根據權利要求5的電容器，其中，載體包含-MOS電晶體，接觸點(3)把電晶體的S/D區(11)與第1電極(61，7)連接一起。
7.根據權利要求1的電容器製造方法，其中，在載體(1，2)表面上產生一層系列，該層系列各自交替地包含含貴金屬的第1材料層(61)和第2材料層(62)，其中第2材料對第1材料是有選擇地可腐蝕的，-其中，層系列被腐蝕成具有側面的層結構(6)，-其中，支撐結構(7)，它至少覆蓋層結構(6)的一側面並機械和電連接第1材料層，-其中，第2材料層(62)對第1材料層(61)和支撐結構(7)有選擇地除去，-其中，在第1材料層和支撐結構(61，7)的暴露表面上保形蒸鍍高ε介電材料和鐵電材料的電容器介電材料(9)，-其中，在電容器介電材料上產生第2電極。
8.根據權利要求7的方法，其中，藉助第1材料的保形沉積，接著藉助對側牆各向異性反腐蝕產生支撐結構，以及其中，腐蝕孔(8)直到層結構內，它使第1材料層和第2材料層的表面暴露。
9.根據權利要求8的方法，其中，開孔處於層結構(6)的邊緣旁。
10.根據權利要求8的方法，其中，開孔進入層結構的內部，以至支撐結構留在層結構的所有外側面上。
11.根據權利要求8的方法，其中，在層結構內形成開孔時，具有支撐結構的層結構分成由一縫隙相隔的兩分區，其中每一分區表示電容器的一第一電極。
12.根據權利要求7的方法，其中，藉助各向異性的傾斜蒸鍍過程產生支撐結構。
13.根據權利要求1的電容器的製造方法，-其中，在載體(1，2)表面產生一層系列，該層系列各自交替地包含，有貴金屬的第1材料層(61)和第2材料層(62)，其中，第2材料相對第1材料是有選擇地可腐蝕的，-其中，在層系列內形成一開孔，-其中，在開孔內形成填滿開孔的支撐結構(7)，-其中，層系列在各向異性腐蝕過程中腐蝕成具有內部平放的支撐結構的層結構(6)，-其中，第2材料層(62)相對第1材料層(61)和支撐結構(7)有選擇地除去，-其中，在第1材料層和支撐結構層(61，7)的暴露表面上保形澱積高ε介電材料或鐵電材料的電容器介電材料(9)，-其中，在電容器介電材料(9)上產生第2電極(10)。
14.根據權利要求7-13之一的方法，其中，第1材料層(61)由Pt，Ir或RuO產生，第2材料層(62)由相對其有選擇地可腐蝕的金屬，尤其是Al和Ti產生。
15.根據權利要求7-14之一方法，其中，在載體(2)上或在層系列的最下層澱積一阻止腐蝕層(5)。
全文摘要
具有高ε介電材料或鐵電材料的電容器介電材料(9)的電容器,其含貴金屬的存儲器電極具有多層薄片(文檔編號H01L21/822GK1254954SQ9912021
公開日2000年5月31日 申請日期1999年9月17日 優先權日1998年9月17日
發明者T·施勒塞爾, G·朗格, M·弗拉諾施, H·溫德特 申請人:西門子公司