一種結構改進的觸控螢幕用ito導電膜的製作方法

2023-07-29 13:45:06 1

一種結構改進的觸控螢幕用ito導電膜的製作方法
【專利摘要】本實用新型涉及觸控螢幕導電膜【技術領域】，具體涉及一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜，包括樹脂基體和依次沉積在樹脂基體下表面的銀納米膜層、第一ITO層、第二ITO層、第三ITO層和第四ITO層，本實用新型通過設置銀納米膜層，利用納米銀的高滲透性和導電性，大大提高了銀納米膜層與樹脂基體之間的結合力和本實用新型的導電性，本實用新型通過設置第一ITO層、第二ITO層、第三ITO層和第四ITO層，促使本實用新型的晶相結構逐步完善，ITO每次沉積後都會經歷結晶過程，有效的促進了ITO層完善的結晶。綜上，本實用新型製得的觸控螢幕用ITO導電膜透過率高、電阻率低、化學穩定性好。
【專利說明】一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及觸控螢幕導電膜【技術領域】，具體涉及一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜。
【背景技術】
[0002]觸控螢幕是一種顯著改善人機操作界面的輸入設備，具有直觀、簡單、快捷的優點。觸控螢幕在許多電子產品中已經獲得了廣泛的應用，比如手機、PDA、多媒體、公共信息查詢系統等。觸控螢幕製作中常用到ITO導電膜，ITO導電膜是指採用磁控濺射的方法，在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO)導電薄膜鍍層得到的高技術產品。ITO (Indium TinOxides，銦錫金屬氧化物)，作為一種典型的N型氧化物半導體被廣泛地運用在手機、MP3、MP4、數位相機等領域。
[0003]現有的ITO膜，ITO層與樹脂基體結合力差，電阻率高、透過率差和化學穩定性差，不能滿足生產要求。

【發明內容】

[0004]本實用新型的目的在於針對現有技術的不足，提供一種ITO層與樹脂基體結合力好、電阻率低、透過率好和化學穩定性好的觸控螢幕用ITO導電膜。
[0005]為了實現上述目的，本實用新型採用如下技術方案:一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜，包括樹脂基體和依次沉積在樹脂基體下表面的銀納米膜層、第一 ITO層、第二ITO層、第三ITO層和第四ITO層。
[0006]優選的，所述樹脂基體為厚度比為4:1-2:1的聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體和聚醯亞胺樹脂基體壓合而成，所述銀納米膜層沉積於聚醯亞胺樹脂基體，銀納米膜層可更好的滲透到聚醯亞胺樹脂基體，提高了銀納米膜層與聚醯亞胺樹脂基體之間的結合力。
[0007]優選的，所述樹脂基體的厚度為100-150微米，銀納米膜層的厚度為40-60納米，第一 ITO層的厚度為8-10納米，第二 ITO層的厚度為6-8納米，第三ITO層的厚度為4_6納米，第四ITO層的厚度為2-4納米。為了減少厚度對結晶的影響，將第一 ITO層、第二 ITO層、第三ITO層和第四ITO層的厚度依次減少，有利於結晶過程的進一步完善，
[0008]更為優選的，所述樹脂基體的厚度為120-150微米，所述銀納米膜層的厚度為45-55納米，第一 ITO層的厚度為7-8納米，第二 ITO層的厚度為6_7納米，第三ITO層的厚度為4-5納米，第四ITO層的厚度為2-3納米。
[0009]作為最佳方案，所述樹脂基體的厚度為130微米，所述銀納米膜層的厚度為50納米，第一 ITO層的厚度為9納米，第二 ITO層的厚度為7納米，第三ITO層的厚度為5納米，第四ITO層的厚度為3納米。
[0010]優選的，所述樹脂基體的上表面貼有保護膜層，保護ITO導電膜在生產過程中不被刮花(劃傷)。
[0011]本實用新型與現有技術相比較，有益效果在於:本實用新型通過設置銀納米膜層，利用納米銀的高滲透性和導電性，大大提高了銀納米膜層與樹脂基體之間的結合力和本實用新型的導電性，本實用新型通過設置第一 ITO層、第二 ITO層、第三ITO層和第四ITO層，促使本實用新型的晶相結構逐步完善，ITO每次沉積後都會經歷結晶過程，有效的促進了ITO層完善的結晶。綜上，本實用新型製得的觸控螢幕用ITO導電膜透過率高、電阻率低、化學穩定性好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本實用新型實施例1的結構示意圖。
[0013]圖2是本實用新型實施例2和實施例3的結構示意圖。
[0014]附圖標記
[0015]I—聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體
[0016]2-聚醯亞胺樹脂基體
[0017]3——第一 ITO 層
[0018]4-第二 ITO 層
[0019]5——第三ITO層
[0020]6-第四 ITO 層
[0021]7—銀納米膜層
[0022]8—保護膜層。
【具體實施方式】
[0023]為了便於本領域技術人員的理解，下面結合實施例和附圖對本實用新型作進一步的說明，實施方式提及的內容並非對本實用新型的限定。
[0024]實施例1。
[0025]見圖1，一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜，包括樹脂基體和依次沉積在樹脂基體下表面的銀納米膜層7、第一 ITO層3、第二 ITO層4、第三ITO層5和第四ITO層6，所述樹脂基體的厚度為100微米，銀納米膜層7的厚度為40納米，第一 ITO層3的厚度為8納米，第二 ITO層4的厚度為6納米，第三ITO層5的厚度為4納米，第四ITO層6的厚度為2納米。
[0026]所述樹脂基體為厚度比為4:1的聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體I和聚醯亞胺樹脂基體2壓合而成，所述銀納米膜層7沉積於聚醯亞胺樹脂基體2。
[0027]—種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜的製備方法，它依次包括以下製備步驟:
[0028]步驟A、將樹脂基體放入磁控濺射設備的裝載室，密封后進行抽真空，將樹脂基體運送至濺射室在常溫下沉積銀納米膜層7，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0029]步驟B、樹脂基體加熱到200°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行沉積，得到第一 ITO層3後，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0030]步驟C、將濺射有第一 ITO層3的樹脂基體加熱到220°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行沉積，得到第二 ITO層4後，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0031]步驟D、將濺射有第二 ITO層4的樹脂基體加熱到230°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行，得到第三ITO層5後，運送至冷卻室冷卻至室溫；[0032]步驟E、將濺射有第三ITO層5的樹脂基體加熱到240°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行，得到第四ITO層6後，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0033]步驟F、將步驟E中冷卻後的基片放入卸載室，卸片，得到一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜。
[0034]其中，所述磁控濺射設備所用的氧化銦靶材由重量百分含量為94.5%的氧化銦和重量百分含量為5.5%的氧化錫組成。
[0035]其中，所述步驟B的冷卻具體分為:
[0036]第一階段冷卻:將濺射有第一 ITO層3的樹脂基體以8°C /小時的速度冷卻至
150。。；
[0037]保溫:在150 C保溫2小時；
[0038]第二階段冷卻:然後以8°C /小時的速度冷卻至室溫。
[0039]其中，所述步驟C的冷卻具體分為:
[0040]第一階段冷卻:將濺射有第二 ITO層4的樹脂基體以7 V /小時的速度冷卻至
150。。；
[0041 ] 保溫:在150 C保溫2小時；
[0042]第二階段冷卻:然後以6°C /小時的速度冷卻至室溫。
[0043]其中，所述步驟D的冷卻具體分為:
[0044]第一階段冷卻:將濺射有第三ITO層5的樹脂基體以6°C /小時的速度冷卻至
150。。；
[0045]保溫:在150 C保溫2小時；
[0046]第二階段冷卻:然後以5°C /小時的速度冷卻至室溫。
[0047]其中，所述步驟E的冷卻具體分為:
[0048]第一階段冷卻:將濺射有第四ITO層6的樹脂基體以4°C /小時的速度冷卻至
150。。；
[0049]保溫:在150 C保溫2小時；
[0050]第二階段冷卻:然後以2V /小時的速度冷卻至室溫。
[0051]實施例2。
[0052]見圖2，一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜，包括樹脂基體和依次沉積在樹脂基體下表面的銀納米膜層7、第一 ITO層3、第二 ITO層4、第三ITO層5和第四ITO層6，所述樹脂基體的厚度為130微米，銀納米膜層7的厚度為50納米，第一 ITO層3的厚度為9納米、第二 ITO層4的厚度為7納米、第三ITO層5的厚度為5納米，第四ITO層6的厚度為3納米。
[0053]所述樹脂基體為厚度比為3:1的聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體I和聚醯亞胺樹脂基體2壓合而成，所述銀納米膜層7沉積於聚醯亞胺樹脂基體2。
[0054]所述樹脂基體的上表面貼有保護膜層8。
[0055]一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜的製備方法，它依次包括以下製備步驟:
[0056]步驟A、將樹脂基體放入磁控濺射設備的裝載室，密封后進行抽真空，將樹脂基體運送至濺射室在常溫下沉積銀納米膜層7，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0057]步驟B、樹脂基體加熱到210°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行沉積，得到第一 ITO層3後，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0058]步驟C、將濺射有第一 ITO層3的樹脂基體加熱到220°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行沉積，得到第二 ITO層4後，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0059]步驟D、將濺射有第二 ITO層4的樹脂基體加熱到230°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行，得到第三ITO層5後，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0060]步驟E、將濺射有第三ITO層5的樹脂基體加熱到240°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行，得到第四ITO層6後，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0061]步驟F、將步驟E中冷卻後的基片放入卸載室，卸片；
[0062]步驟G、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體I的上表面貼有保護膜層8，得到一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜。
[0063]其中，所述磁控濺射設備所用的氧化銦靶材由重量百分含量為94.5%的氧化銦和重量百分含量為5.5%的氧化錫組成。
[0064]其中，所述步驟B的冷卻具體分為:
[0065]第一階段冷卻:將濺射有第一 ITO層3的樹脂基體以9°C /小時的速度冷卻至
151。。；
[0066]保溫:在151 C保溫3小時；
[0067]第二階段冷卻:然後以8°C /小時的速度冷卻至室溫。
[0068]其中，所述步驟C的冷卻具體分為:
[0069]第一階段冷卻:將濺射有第二 ITO層4的樹脂基體以8°C /小時的速度冷卻至
151。。；
[0070]保溫:在151 C保溫3小時；
[0071]第二階段冷卻:然後以6°C /小時的速度冷卻至室溫。
[0072]其中，所述步驟D的冷卻具體分為:
[0073]第一階段冷卻:將濺射有第三ITO層5的樹脂基體以6°C /小時的速度冷卻至
151。。；
[0074]保溫:在151 C保溫3小時；
[0075]第二階段冷卻:然後以5°C /小時的速度冷卻至室溫。
[0076]其中，所述步驟E的冷卻具體分為:
[0077]第一階段冷卻:將濺射有第四ITO層6的樹脂基體以4°C /小時的速度冷卻至
151。。；
[0078]保溫:在151 C保溫3小時；
[0079]第二階段冷卻:然後以3°C /小時的速度冷卻至室溫。
[0080]實施例3。
[0081]見圖2，一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜，包括樹脂基體和依次沉積在樹脂基體下表面的銀納米膜層7、第一 ITO層3、第二 ITO層4、第三ITO層5和第四ITO層6，所述樹脂基體的厚度為150微米，銀納米膜層7的厚度為60納米，第一 ITO層3的厚度為10納米，第二 ITO層4的厚度為7納米，第三ITO層5的厚度為5納米，第四ITO層6的厚度為2納米。
[0082]所述樹脂基體為厚度比為2:1的聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體I和聚醯亞胺樹脂基體2壓合而成，所述銀納米膜層7沉積於聚醯亞胺樹脂基體2。
[0083]所述樹脂基體的上表面貼有保護膜層8。
[0084]一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜的製備方法，它依次包括以下製備步驟:
[0085]步驟A、將樹脂基體放入磁控濺射設備的裝載室，密封后進行抽真空，將樹脂基體運送至濺射室在常溫下沉積銀納米膜層7，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0086]步驟B、樹脂基體加熱到200°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行沉積，得到第一 ITO層3後，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0087]步驟C、將濺射有第一 ITO層3的樹脂基體加熱到210°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行沉積，得到第二 ITO層4後，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0088]步驟D、將濺射有第二 ITO層4的樹脂基體加熱到220°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行，得到第三ITO層5後，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0089]步驟E、將濺射有第三ITO層5的樹脂基體加熱到240°C後運送至濺射室，採用磁控濺射方式進行，得到第四ITO層6後，運送至冷卻室冷卻至室溫；
[0090]步驟F、將步驟E中冷卻後的基片放入卸載室，卸片；
[0091]步驟G、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體I的上表面貼有保護膜層8，得到一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜。
[0092]其中，所述磁控濺射設備所用的氧化銦靶材由重量百分含量為94.5%的氧化銦和重量百分含量為5.5%的氧化錫組成。
[0093]其中，所述步驟B的冷卻具體分為:
[0094]第一階段冷卻:將濺射有第一 ITO層3的樹脂基體以10°C /小時的速度冷卻至150。。；
[0095]保溫:在155 C保溫4小時；
[0096]第二階段冷卻:然後以10°C /小時的速度冷卻至室溫。
[0097]其中，所述步驟C的冷卻具體分為:
[0098]第一階段冷卻:將濺射有第二 ITO層4的樹脂基體以8°C /小時的速度冷卻至150。。；
[0099]保溫:在150 C保溫4小時；
[0100]第二階段冷卻:然後以8°C /小時的速度冷卻至室溫。
[0101]其中，所述步驟D的冷卻具體分為:
[0102]第一階段冷卻:將濺射有第三ITO層5的樹脂基體以6°C /小時的速度冷卻至150。。；
[0103]保溫:在150 C保溫4小時；
[0104]第二階段冷卻:然後以6°C /小時的速度冷卻至室溫。
[0105]其中，所述步驟E的冷卻具體分為:
[0106]第一階段冷卻:將濺射有第四ITO層6的樹脂基體以5°C /小時的速度冷卻至150。。；
[0107]保溫:在150 C保溫4小時；
[0108]第二階段冷卻:然後以4°C /小時的速度冷卻至室溫。
[0109]將實施例1-3製得的觸控螢幕用ITO導電膜進行以下性能測試，詳見表I。[0110](I)透過率測定:
[0111]採用OLYMPUS Corporation USPM-LH (型號 SNo 11A1002)測定經烘烤後樣品的透過率，掃描範圍為380nm — 780nm。
[0112](2)方阻測定:
[0113]採用日本三菱MCP-T360測定樣品的阻抗。
[0114](3)附著力測定
[0115]採用ZEHNTNER百格刀在樣品表面劃出大小均勻的間隔為I毫米的小方格100，用特定膠帶牢固粘貼在劃格表面上，用力撕下，統計膜脫落的小方格數。
[0116](4)耐酸測定
[0117]將樣品完全置於標準蝕刻液溶液中20min後取出，測定蝕刻前後樣品方阻有無變化。
【權利要求】
1.一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜，其特徵在於:包括樹脂基體和依次沉積在樹脂基體下表面的銀納米膜層、第一 ITO層、第二 ITO層、第三ITO層和第四ITO層。
2.根據權利要求1所述的一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜，其特徵在於:所述樹脂基體為厚度比為4:1-2:1的聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂基體和聚醯亞胺樹脂基體壓合而成，所述銀納米膜層沉積於聚醯亞胺樹脂基體。
3.根據權利要求1所述的一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜，其特徵在於:所述樹脂基體的厚度為100-150微米，銀納米膜層的厚度為40-60納米，第一 ITO層的厚度為8_10納米，第二 ITO層的厚度為6-8納米，第三ITO層的厚度為4-6納米，第四ITO層的厚度為2-4納米。
4.根據權利要求1所述的一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜，其特徵在於:所述樹脂基體的厚度為120-150微米，所述銀納米膜層的厚度為45-55納米，第一 ITO層的厚度為7-8納米，第二 ITO層的厚度為6-7納米，第三ITO層的厚度為4_5納米，第四ITO層的厚度為2-3納米。
5.根據權利要求1所述的一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜，其特徵在於:所述樹脂基體的厚度為130微米，所述銀納米膜層的厚度為50納米，第一 ITO層的厚度為9納米，第二 ITO層的厚度為7納米，第三ITO層的厚度為5納米，第四ITO層的厚度為3納米。
6.根據權利要求1所述的一種結構改進的觸控螢幕用ITO導電膜，其特徵在於:所述樹脂基體的上表面貼有保護膜層。
【文檔編號】G06F3/041GK203535977SQ201320629838
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年10月12日 優先權日:2013年10月12日
【發明者】李林波 申請人:東莞市平波電子有限公司