一種內嵌式觸控OLED顯示裝置及其製作方法與流程
2023-11-02 08:07:12 1

本申請涉及顯示裝置領域,特別是涉及一種內嵌式觸控oled顯示裝置及其製作方法。
背景技術:
隨著電子科技的發展,目前大多數電子產品,如手機、數位相機、掌上遊戲機、儀表儀器等的鍵盤或滑鼠已逐漸被觸控螢幕替代。觸控螢幕主要由觸摸檢測部件和觸控螢幕控制器組成,觸摸檢測部件安裝在顯示器屏幕前面,用於檢測用戶觸摸位置,接收後送觸控螢幕控制器;而觸控螢幕控制器的主要作用是從觸摸點檢測裝置上接收觸摸信息,並將它轉換成觸點坐標,再送給中央處理器,它同時能接收中央處理器發來的命令並加以執行。
在目前現有技術中,為實現有機發光二極體(organiclight-emittingdiode,oled)顯示屏的觸控功能,一種方案是將觸控螢幕與oled顯示屏均單獨製作,然後通過光學透明膠將觸控螢幕貼合在oled的上表面以形成完整的oled觸控顯示屏;另一種方案是將觸控單元製作在oled顯示屏的薄膜封裝層上方。但這兩種方案的觸控單元的信號引線會增加oled觸控顯示屏的厚度,不利於oled觸控顯示屏的輕薄化。
技術實現要素:
本申請主要解決的技術問題是提供一種內嵌式觸控oled顯示裝置及其製作方法,以提高內嵌式觸控oled顯示裝置的輕薄化,簡化其生產工藝,節約其生產成本。
為解決上述技術問題,本申請採用的一個技術方案是:提供一種內嵌式觸控oled顯示裝置。所述內嵌式觸控oled顯示裝置包括陣列基板,所述陣列基板設置有源漏極層;多條引線,與所述源漏極層同層設置;有機平坦化層,設置在所述源漏極層和所述多條引線上,在所述有機平坦化層設置多個通孔;觸控電極層,設置在所述有機平坦化層遠離所述陣列基板的一側;其中,所述觸控電極層通過所述多個通孔分別與所述多條引線連接。
為解決上述技術問題,本申請採用的另一個技術方案是:提供一種內嵌式觸控oled顯示裝置的製作方法。所述方法包括形成設置有源漏極區層的陣列基板;在所述源漏極區層中形成多條引線;在所述多條引線及所述源漏極層上形成有機平坦化層;在所述有機平坦化層上形成多個通孔;在所述有機平坦化層上形成觸控電極層;並使所述觸控電極層通過所述多個通孔分別與所述多條引線連接。
本申請實施例的有益效果是:區別於現有技術,本申請實施例將多條引線與陣列基板的源漏極層同層設置,且在位於該源漏極層和該多條引線上的有機平坦層設置有多個通孔,以使設置於該有機平坦層上的觸控電極層通過該通孔與該引線連接,通過將觸控電極層的該引線與源漏極層同層設置,能使觸控電極層不需要額外的引線層來進行信號傳輸,且能使二者共用同一電路板結合區,因此,本申請實施例能夠提高內嵌式觸控oled顯示裝置的輕薄化、簡化其生產工藝、節約其生產成本。
附圖說明
圖1是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第一實施例的結構示意圖;
圖2a是圖1實施例的觸控電極層的一部分結構的結構示意圖;
圖2b是圖1實施例的觸控電極的整體結構的結構示意圖;
圖3是圖1實施例的觸控電極層的另一部分結構的結構示意圖;
圖4a是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第二實施例的結構示意圖;
圖4b是圖4a實施例的部分結構的結構示意圖;
圖5是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第三實施例的結構示意圖;
圖6a是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第四實施例的結構示意圖;
圖6b是圖6a實施例的感應電極與驅動電極的結構示意圖;
圖7是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的製作方法第一實施例的流程示意圖;
圖8是圖7實施例的結構示意圖;
圖9是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的製作方法第二實施例的流程示意圖;
圖10是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的製作方法第三實施例的流程示意圖。
具體實施方式
請一併參閱圖1、圖2a及圖2b,圖1是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第一實施例的結構示意圖;圖2a是圖1實施例的觸控電極層的一部分結構的結構示意圖;圖2b是圖1實施例的觸控電極的整體結構的結構示意圖。本實施例包括:陣列基板101、有機平坦層102、多條引線103及觸控電極層104;其中,陣列基板101設置有源漏極層105,多條引線103與源漏極層105同層設置;在有機平坦層102上設置有多個通孔106;觸控電極層104設置在有機平坦化層102遠離陣列基板101的一側;且觸控電極層104通過多個通孔106分別與多條引線103連接。
本實施例的陣列基板101具體包括由下至上依次設置的導向膜層107、緩衝層108、源漏區層109、第一柵極絕緣層110、第一柵極111、第二柵極絕緣層112、第二柵極113、介質層114,這些結構都是陣列基板的常用結構,這裡不詳細介紹,當然,在其它實施例中可以採用其它結構的陣列基板代替陣列基板101。
區別於現有技術,本申請實施例將多條引線103與源漏極層105同層設置,能夠實現觸控電極層104在源漏極層105走線,使觸控電極層104的引線103與源漏極層105的源漏電極走線同層引出,使觸控電極層104不需要額外的引線層來進行信號傳輸,且二者可以共用同一電路板結合區,通過該結合區,能將觸控電極層104的電信號及源漏極層105的電信號送入驅動電路。這種結構能夠減少內嵌式觸控oled顯示屏115的厚度,提高其輕薄化,且能夠簡化其生產工藝,節約其生產成本。
可選地,本實施例還包括像素定義層116,設置在有機平坦層102上,且像素定義層116定義有多個像素區域117;觸控電極層104設置在像素定義層116靠近有機平坦層102的表面上,並用於檢測對本實施例內嵌式觸控oled顯示屏115的觸控操作。
本實施例的觸控電極層104設置在像素定義層116靠近有機平坦層102的表面上,可以理解為觸控電極層104完全不嵌入,或部分或完全嵌入有機平坦層102的表面。
區別於現有技術,本申請實施例將觸控電極層104設置在像素定義層116靠近有機平坦層102的表面上,不僅能夠將觸控電極層104內嵌於oled顯示屏中,提高本實施例內嵌式觸控oled顯示裝置的輕薄性;而且能夠改善oled顯示屏中位於像素定義層116遠離有機平坦層102的表面之上的膜層材料性能對觸控電極層104的限制,從而能夠降低本實施例內嵌式觸控oled顯示裝置的工藝難度,提高其質量。
可選地,本實施例觸控電極層104包括交叉設置且絕緣的多條感應電極201及多條驅動電極202(如圖2a所示);且多條感應電極201及多條驅動電極202均分布於多個像素區域間117的間隙的投影處,以減少對像素區域117的遮擋。
可選地,為提高觸控電極層104的導電性及柔韌性,本實施例的多條感應電極201及多條驅動電極202均為ag、ti、al、mo任一金屬材質或任意多個金屬的合金材質。當然,在其它實施例中可以其它金屬材質,或其它合金材質,或其它非金屬材質,在此不做限定。
可選地,本實施例的多條感應電極201及多條驅動電極202同層設置,且均設置在像素定義層116靠近有機平坦層102的表面上。為了保證多條感應電極201及多條驅動電極202相互絕緣,可將每條驅動電極202分成多節,並設置多個導電橋203(如圖2b),使導電橋203位於感應電極201的上方,且連接感應電極201與驅動電極202的交叉處204兩側的驅動電極202,這種方式就能實現同層交叉設置的多條感應電極201及多條驅動電極202相互絕緣;當然,在其它實施例中,也可以將每條感應電極201分成多節,並設置多個導電橋203連接感應電極201與驅動電極202的交叉處204兩側的感應電極201,以實現上述技術效果。當然,在其它實施例中,可以將導電橋301設置於感應電極302的下方(如圖3所示)。
當然,本實施例還可以包括位於導電橋203上且起保護作用的保護層205及位於感應電極201和驅動電極202下方的絕緣層206。對於圖3實施例的結構,也可以採用類似的擴展結構。
可選地,本實施例的通孔106包括多個第一通孔207和多個第二通孔208,多個第一通孔207及多個第二通孔208均貫穿有機平坦層102至源漏極層105(如圖1所示),以使多條感應電極201通過多個第一通孔207與相應的引線103連接,多條驅動電極202通過多個第二通孔208與相應的引線103連接。
可選地,本實施例還包括構成內嵌式觸控oled顯示屏115的其它結構,如設置在像素定義層116上的發光層118,及設置於發光層118上的薄膜封裝層119,從上述介紹可知,觸控電極層104位於發光層118之下,也就是說在內嵌式觸控oled顯示屏106的製作過程中,先形成觸控電極層104,再形成發光層118,因此能夠改善發光層118的有機發光材料的不耐高溫的特性對觸控電極層104的製作過程中高溫製程的限制,從而能夠降低內嵌式觸控oled顯示裝置115的工藝難度,提高其質量。
可選地,本實施例的發光層118包括陰極層120,多條感應電極201及多條驅動電極202與陰極層120形成多個觸控電容(未標出)。
具體地,請一併參閱圖4a、圖4b,圖4a是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第二實施例的結構示意圖;圖4b是圖4a實施例的部分結構的結構示意圖。本實施例的多條感應電極401及多條驅動電極402相應位置處設置有斷點403,從而將整各觸控電極層404劃分成若干個獨立的觸控電極單元405。每個觸控單元401與陰極層406間分別形成電容407(如圖4b所示)。每個獨立的觸控電極單元405通過通孔408與源漏極層的引線409連接,並將該引線409延伸至結合區410。當觸摸本實施例內嵌式觸控oled顯示裝置的屏幕時,會改變電容407的電容值;通過引線409能檢測該電容值的變化,從而能夠獲得觸摸位置信息及執行相應的操作。本實施例對每個觸控單元電極405中的通孔408的數量不做具體限定,可以是一個、或兩個、或多個。
請參閱圖5,圖5是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第三實施例的結構示意圖。本實施例與圖1實施例的區別在於,觸控電極層501設置在像素定義層502遠離有機平坦層503的表面上。相應地,觸控電極層501的多條感應電極及多條驅動電極均設置在像素定義層502遠離有機平坦層503的表面上。本實施例的多個通孔504均貫穿像素定義層502及有機平坦層503至源漏極層505,以使觸控電極層501的多條感應電極及多條驅動電極通過多個通孔504與相應的引線506。關於本實施例其它具體結構及擴展與圖1實施例相同,這裡不贅述。
請一併參閱圖6a、圖6b,圖6a是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置第四實施例的結構示意圖;圖6b是圖6a實施例的感應電極與驅動電極的結構示意圖。本實施例與圖1實施例的區別在於,多條感應電極601與多條驅動電極604非同層設置,具體地,多條感應電極601均設置在像素定義層602遠離有機平坦層603的表面上,多條驅動電極604均設置在像素定義層602靠近有機平坦層603的表面上,二者間通過像素定義層602絕緣。本實施例的多個第一通孔604均貫穿像素定義層602及有機平坦層603至源漏極層605,以使多條感應電極601通過多個第一通孔604與相應的引線606;多個第二通孔607均貫穿有機平坦層603至源漏極層605,以使多條驅動電極604通過多個第二通孔607與相應的引線606。關於本實施例其它具體結構及擴展與圖1實施例相同,這裡不贅述。
請一併參閱圖7、圖8,圖7是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的製作方法第一實施例的結構示意圖;圖8是圖7實施例的結構示意圖。本實施例用於製作上述圖1實施例的內嵌式觸控oled顯示裝置。本實施例具體包括以下步驟:
步驟701:形成陣列基板801,其中,陣列基板801設置有源漏極層802。陣列基板801的結構已在上述裝置實施例中進行了介紹,且陣列基板801的製作工藝可採用現有技術進行,這裡不進行介紹。
步驟702:在源漏極層802中形成多條引線803。
具體地,本實施例的源漏極層802的源電極804及漏電極805與多條引線803可以採用同一道工藝製成。
步驟703:在多條引線803及源漏極層802上形成有機平坦化層806。
步驟704:在有機平坦化層806上形成多個通孔807。
多個通孔807可以但不局限於採用曝光顯影方式形成。
步驟705:在有機平坦化層806遠離陣列基板801的表面上形成觸控電極層808;並使觸控電極層808通過多個通孔807分別與多條引線803連接。
本實施例的觸控電極層可以但不局限於利用預設圖案的光罩,通過幹法刻蝕的方法形成。
區別於現有技術,本申請實施例將多條引線803與源漏極層802同層設置,能夠實現觸控電極層808在源漏極層802走線,使觸控電極層808的引線803與源漏極層802的源漏電極走線同層引出,使觸控電極層808不需要額外的引線層來進行信號傳輸,且二者可以共用同一電路板結合區,通過該結合區,能將觸控電極層808的電信號及源漏極層802的電信號送入驅動電路。這種結構能夠減少內嵌式觸控oled顯示屏的厚度,提高其輕薄化,且能夠簡化其生產工藝,節約其生產成本。
可選地,本實施例在步驟705之後還包括在有機平坦化層806及觸控電極層808上依次形成像素定義層809及發光層810,以改善發光層810的有機發光材料的不耐高溫的特性對觸控電極層808的製作過程中高溫製程的限制。
請參閱圖9,圖9是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的製作方法第二實施例的結構示意圖。本實施例包括步驟901-步驟906。本實施例用於製作圖5實施例的內嵌式觸控oled顯示裝置。本實施例與圖7實施例的區別在於,先在有機平坦層上形成像素定義層,然後在像素定義層上形成觸控電極層,使得觸控電極層設置於像素電極層遠離有機平坦層的表面上,且通孔貫穿像素定義層與有機平坦層。本實施例的其它步驟與圖7實施例相同,這裡不贅述。
請參閱圖10,圖10是本申請內嵌式觸控oled顯示裝置的製作方法第三實施例的結構示意圖。本實施例用於製作圖6實施例的內嵌式觸控oled顯示裝置。本實施例包括步驟1001-步驟106。本實施例與圖7實施例的區別在於,先在有機平坦層上形成觸控電極層的驅動電極,然後在有機平坦層及驅動電極上形成像素定義層,最後在像素定義層上形成觸控電極層的感應電極,使得觸控電極層的驅動電極與感應電極分別位於像素電極層靠近有機平坦層的表面上及像素電極層遠離有機平坦層的表面上,且連接驅動電極的第一通孔貫穿有機平坦層,連接感應電極的第二通孔貫穿像素定義層及有機平坦層。本實施例的其它步驟與圖7實施例相同,這裡不贅述。
區別於現有技術,本申請實施例能夠提高內嵌式觸控oled顯示裝置的輕薄化、簡化其生產工藝、節約其生產成本。
以上所述僅為本申請的實施方式,並非因此限制本申請的專利範圍,凡是利用本申請說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的技術領域,均同理包括在本申請的專利保護範圍內。