方塊式橋堆的製作方法

2023-11-10 10:29:02 2

專利名稱：方塊式橋堆的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及整流堆，尤其涉及一種交流變直流的方塊式橋堆。
背景技術：
橋式整流器是由四個整流二極體組成的一個橋式結構，它利用二極體的單向導電特性對交流電進行整流，由於橋式整流器對輸入正弦波得利用效率比半波整流高一倍，是對二極體半波整流的一種顯著改進，故被廣泛應用於交流電轉換成直流電的電路中。隨著電子產品向小型化方向發展，要求半導體電子器件的外形做的又小又薄。目前的微型橋堆主要分為兩類，一類是直插式橋堆，另一種是貼片式橋堆。對於直插式橋堆而言，目前比較典型的結構有以下幾種1、中國專利ZL97247861. 2公開的一種名為「單排列豎式全波橋式整流堆」，其包括由引線腳A、B、C、D、單向導電晶片、塑封外殼以及邊接片E、F。在引線腳與連接片相交處裝夾有單向導電晶片或過渡片，在單向導電晶片或過渡片與引線腳、邊接片之間分裝焊片， 引線腳與連接片通過單向導電晶片構成單向導通電路。雖然其構成橋式整流電路，但還存在以下缺點1)在該整流堆中由於引線腳直接延伸到塑封外殼內，而單向導電晶片夾於引線腳與連接片間，使晶片集中於塑封外殼的中部，其晶片的分布不均，從而造成整流堆使用時產生的熱量集中於塑封外殼的中部，使熱量難以散去，因而容易造成晶片因熱量過大而損壞，使整流堆的使用壽命大大縮短；幻而連接片包括有三個安裝段，其安裝起來十分麻煩而且費時，且由於上述的整流堆結構中可以了解到，其晶片極性朝向不統一，因而其裝配困難，焊接不可靠，費時費工，造成直接後果是裝配和焊接可靠性下降，合格率降低，成本上升。2、中國專利授權公告號CN^01580Y公開的單列直插式全波整流橋堆，其包括絕緣外殼、固定在絕緣外殼內部的框架、引線腳、導電晶片及其連接片構成，框架由左、右交流輸入框以及左、右整流輸出框構成，左交流輸入框的上部兩端分別設有導電晶片，右交流輸入框的上部延伸至左交流輸入框的導電晶片之間的間隙位置，左、右整流輸出框分別置於左、右交流輸入框上部的下方，右交流輸入框上部分別設有供連接片焊固的第一、二焊固部，其下方的左、右整流輸出框固定有導電晶片，導電晶片通過連接片與第一、二焊固部連接，左、右整流輸出框分別設有第三、四焊固部，且通過連接片與左交流輸入框上的導電晶片連接。該專利雖然具有散熱效果好、使用壽命長、裝配簡單方便的優點，但是由於其導電晶片與引線腳成平行狀態，組裝時在焊接模具上擺放佔用較多的空間，造成同一焊接模具焊接的橋堆數量較少，使得生產效果無法提高。而為了提高生產效率，又需要製備較大的模具，造成焊接模具製造成本上升。另該專利公開的橋堆焊點較多，容易出現質量事故。3、如圖1公開的一種單列直插式全波整流橋堆，其包括兩個大致成L形的引線2、 3和兩根直引線1，兩根直引線1設於兩個大致成L形的引線2、3下方，兩根直引線1與兩個大致成L形的引線2、3之間焊接有四顆導電晶片，圖1所示的單列直插式全波整流橋堆雖然解決了焊點多的問題，但是由於其導電晶片與直引線1、大致成L形的引線2、3的引線腳成平行狀態，組裝時在焊接模具上擺放佔用較多的空間，造成同一焊接模具焊接的橋堆數量較少，使得生產效果無法提高。而為了提高生產效率，又需要製備較大的模具，造成焊接模具製造成本上升。對於貼片式橋堆而言，目前比較典型的結構有以下幾種1、中國發明專利公開號公開的一種微型半導體橋式整流器，其包括一共N型的雙二極體晶粒以及一共P型的雙二極體晶粒，其中共N型晶粒的一 P型區與共P型晶粒的一相對應N型區系連接至第一組導線架的一端子電極，共N型晶粒的另一 P型區則與共P型晶粒的另一 N型區連接至第一組導線架的另一端子電極，且共N型晶粒的N型區與共P型晶粒的P型區則分別連接至第二組導線架的兩端子電極，從而構成一橋式整流器，這種微型整流器儘管在結構上有利於微型化，但製造上需要採用兩個品種的雙二極體晶片，即一共N 型雙二極體晶片和一共P型雙二極體晶片，容易造成如下問題1)核心晶片品種多，工藝複雜形增大；2)晶片合格率相對較低；3)由於存在兩個晶片品種，均勻性較差；4)P型襯底的晶片相對比較難做。2、中國實用新型專利授權公告號CN2545706Y公開的片式微型橋堆，其在一個封裝體內，由四個整流二極體形成橋式整流器，四個整流二極體由相同的PN結晶片構成，四個PN結晶片在空間上兩個並列在上，另兩個並列在下，每個PN結晶片的P型區和N型區上下布置，其中對角位置PN結晶片的P型區和N型區方位相同，上下迭放的兩個PN結晶片之間分別採用一連接片連接，並列在上和並列在下的兩個PN結晶片分別採用另一連接片連接，中間層上的兩個連接片作為一組電極端子，上層和下層上的兩個連接片作為另一組電極端子，並分別從封裝體內引出，以此構成微型五層整流橋堆結構。由於該專利採用五層結構，其產品的厚度一般在2. 5 2. 7mm左右，不僅佔用了電子產品內部比較多的容置空間， 且由於多層結構的設置使得橋堆生產加工的工藝步驟增多，同時給各層部件安裝定位提出了較高的要求。3、中國專利授權公告號CN201181702公開的一種薄型焊接式整流橋堆，該整流橋堆的環氧封裝體內部由兩塊連接片、四個二極體晶片和兩塊框架支撐片組成，在厚度方向上，連接片、二極體晶片、框架支撐片分別位於上、中、下三層，在俯視平面上，第一連接片與第一、第二二極體晶片的正極端固定連接；第二連接片與第三、第四二極體晶片的負極端固定連接；第一框架支撐片與第一二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端固定連接，第二框架支撐片與第二二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第一連接片上的引腳作為正極輸出端，第二連接片上的引腳作為負極輸出端，兩塊框架支撐片上的引腳作為交流輸入端。該專利存在的缺點是1)兩塊連接片的結構不相同，兩塊框架支撐片的結構不相同，而且引線的結構也不相同，因此需要至少5種以上的零件才能與晶粒組裝而成，而開發5種以上的零件需要5種以上的模具，造成製造成本偏高，生產管理複雜；幻一塊框架支撐片上的兩顆晶粒一正一負放置，造成晶粒放置過程複雜化，增加了工藝的難度。該專利的焊接點多，容易出現焊接事故。

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題在於針對上述整流橋堆所存在的問題而提供一種組裝方便、散熱效果好、體積小的方塊式橋堆。[0013]本實用新型所要解決的技術問題可以通過以下技術方案來實現方塊式橋堆，包括一個封裝體和設置在封裝體內的兩塊支撐片、兩塊連接片、四個二極體晶片；在橋堆厚度方向上，兩塊連接片位於上層，四個二極體晶片位於中間層，兩塊支撐片位於下層；在橋堆的俯視平面上，在橋堆的俯視平面上，在橋堆的俯視平面上，每一塊支撐片上固定連接有兩個二極體晶片，而每一塊連接片分別與兩塊支撐片上的各一個二極體晶片固定連接，其特徵在於，所述封裝體為方塊式結構，所述兩塊支撐片位於封裝體的一個對角構成交流輸入端；該方塊式橋堆還包括兩個分別與兩塊連接片固定連接的引線結構，兩個引線結構位於封裝體的另一個對角，所述兩塊支撐片和兩個引線結構構成橋堆的正、負極輸出端和交流輸入端。在本實用新型的一個優選實施例中，所述兩塊連接片的結構相同，兩塊支撐片的結構相同，兩個引線結構的結構完全相同。在本實用新型的一個優選實施例中，所述兩塊支撐片分為第一、第二支撐片，兩塊連接片分為第一、第二連接片，兩各引線結構分為第一、第二引線結構，四個二極體晶片分為第一、第二、第三、第四二極體晶片，其中所述第一引線結構為第一柱狀引線腳，所述第一柱狀引線腳與所述第一連接片固定連接；所述第二引線結構為第二柱狀引線腳，所述第二柱狀弓I線腳與所述第二連接片固定連接；所述的方塊式橋堆還包括第三柱狀弓I線腳和第四柱狀引線腳，第三柱狀引線腳與所述第一支撐片的底面固定連接，第四柱狀引線腳與所述第二支撐片的底面固定連接；第三柱狀引線腳和第四柱狀引線腳位於封裝體的一個對角， 第一柱狀引線腳和第二柱狀引線位於封裝體的另一個對角；第一、二、三、四柱狀引線構成橋堆的正、負極輸出端和交流輸入端。在本實用新型的一個優選實施例中，第一、第二二極體晶片的正極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的負極端與第二支撐片的正面固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端固定連接，其中第一柱狀引線腳和第二柱狀引線腳作為橋堆的交流輸入端，第三柱狀引線腳作為橋堆的正極輸出端，第四柱狀引線腳作為橋堆的負極輸出端。在本實用新型的一個優選實施例中，所述第一、第二二極體晶片的負極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的正極端與第二支撐片的正面固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端固定連接，其中第一柱狀引線腳和第二柱狀引線腳作為橋堆的交流輸入端，第三柱狀引線腳作為橋堆的負極輸出端，第四柱狀引線腳作為橋堆的正極輸出端。在本實用新型的一個優選實施例中，第一二極體晶片的正極端和第二二極體晶片的負極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的正極端固定連接， 其中第一柱狀引線腳作為橋堆的負極輸出端，第二柱狀引線腳作為橋堆的正極輸出端，第三柱狀引線腳和第四柱狀引線腳作為橋堆的交流輸入端。在本實用新型的一個優選實施例中，第一二極體晶片的負極端和第二二極體晶片的正極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的負極端固定連接， 其中第一柱狀引線腳作為橋堆的正極輸出端，第二柱狀引線腳作為橋堆的負極輸出端，第三柱狀引線腳和第四柱狀引線腳作為橋堆的交流輸入端。在本實用新型的一個優選實施例中，所述兩塊支撐片分為第一、第二支撐片，兩塊連接片分為第一、第二連接片，兩各引線結構分為第一、第二引線結構，四個二極體晶片分為第一、第二、第三、第四二極體晶片，其中所述第一引線結構包括第一片式引線，所述第一片式引線的正面與所述第一連接片固定連接；所述第二引線結構包括第二片式引線，所述第二片式引線的正面與所述第二連接片固定連接；所述第一、二支撐片的底面和第一、二片式引線的底面均露出封裝體，第一、二支撐片的底面位於封裝體的一個對角，第一、二片式引線的底面位於封裝體的另一個對角；構成橋堆的正、負極輸出端和交流輸入端。在本實用新型的一個優選實施例中，第一、第二二極體晶片的正極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的負極端與第二支撐片的正面固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端固定連接，其中第一片式引線的底面和第二片式引線的底面作為橋堆的交流輸入端，第一支撐片的底面作為橋堆的正極輸出端， 第二支撐片的底面作為橋堆的負極輸出端。在本實用新型的一個優選實施例中，所述第一、第二二極體晶片的負極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的正極端與第二支撐片的正面固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端固定連接，其中第一片式引線的底面和第二片式引線的底面作為橋堆的交流輸入端，第一支撐片的底面作為橋堆的負極輸出端，第二支撐片的底面作為橋堆的正極輸出端。在本實用新型的一個優選實施例中，第一二極體晶片的正極端和第二二極體晶片的負極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的正極端固定連接， 其中第一片式引線的底面作為橋堆的負極輸出端，第二片式引線的底面作為橋堆的正極輸出端，第一支撐片的底面和第二支撐片的底面作為橋堆的交流輸入端。在本實用新型的一個優選實施例中，第一二極體晶片的負極端和第二二極體晶片的正極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的負極端固定連接， 其中第一片式引線的底面作為橋堆的正極輸出端，第二片式引線的底面作為橋堆的負極輸出端，第一支撐片的底面和第二支撐片的底面作為橋堆的交流輸入端。在本實用新型的一個優選實施例中，所述兩塊支撐片分為第一、第二支撐片，兩塊連接片分為第一、第二連接片，兩各引線結構分為第一、第二引線結構，四個二極體晶片分為第一、第二、第三、第四二極體晶片，其中所述第一引線結構包括第一片式引線，所述第一片式引線的正面與所述第一連接片固定連接；所述第二引線結構包括第二片式引線，所述第二片式引線的正面與所述第二連接片固定連接；在所述第一片式引線上設置有延伸出封裝體並貼合在封裝體底面的第一彎折式引線腳，在所述第二片式引線上設置有延伸出封裝體並貼合在封裝體底面的第二彎折式引線腳，在所述第一支撐片上設置有延伸出封裝體並貼合在封裝體底面的第三彎折式引線腳，在所述第二支撐片上設置有延伸出封裝體並貼合在封裝體底面的第四彎折式引線腳，第三彎折式引線腳和第四彎折式引線腳位於封裝體的一個對角，第一彎折式引線腳和第二彎折式引線腳位於封裝體的另一個對角，構成橋堆的正、負極輸出端和交流輸入端。在本實用新型的一個優選實施例中，第一、第二二極體晶片的正極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的負極端與第二支撐片的正面固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端固定連接，其中第一彎折式引線腳和第二彎折式引線腳作為橋堆的交流輸入端，第三彎折式引線腳作為橋堆的正極輸出端，第四彎折式引線腳作為橋堆的負極輸出端。在本實用新型的一個優選實施例中，所述第一、第二二極體晶片的負極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的正極端與第二支撐片的正面固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端固定連接，其中第一彎折式引線腳和第二彎折式引線腳作為橋堆的交流輸入端，第三彎折式引線腳作為橋堆的負極輸出端，第四彎折式引線腳作為橋堆的正極輸出端。在本實用新型的一個優選實施例中，第一二極體晶片的正極端和第二二極體晶片的負極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的正極端固定連接， 其中第一彎折式引線腳作為橋堆的負極輸出端，第二彎折式引線腳作為橋堆的正極輸出端，第三彎折式引線腳和第四彎折式引線腳作為橋堆的交流輸入端。在本實用新型的一個優選實施例中，第一二極體晶片的負極端和第二二極體晶片的正極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的負極端固定連接， 其中第一彎折式引線腳作為橋堆的正極輸出端，第二彎折式引線腳作為橋堆的負極輸出端，第三彎折式引線腳和第四彎折式引線腳作為橋堆的交流輸入端。本實用新型由於將封裝體為方塊式結構，兩塊支撐片位於封裝體的一個對角，兩個引線結構位於封裝體的另一個對角，組裝時在焊接模具上擺放佔用較小的空間，使得同一焊接模具焊接的橋堆數量較多，提高了生產效率，降低了成本；再者由於兩塊支撐片、兩塊連接片、四個二極體晶片、兩個引線結構採用分層平鋪，可以實現自動化生產，同時降低了橋堆的厚度，節省了膠料，使得橋堆的體積更小，重量更輕。本實用新型將二極體晶片直接焊接在支撐片和連接片上，無須跳線，同時散熱效果好。本實用新型還有一個重要的特點，就是由於所述兩塊連接片的結構相同，兩塊支撐片的結構相同，兩個引線結構的結構完全相同，因此只需要生產三種零件，就可以與晶粒組裝成一個橋堆，節省了模具費用，降低了成本，同時也簡化了生產管理。

[0032]圖1為現有單列直插式全波整流橋堆的內部結構示意圖。[0033]圖2為本實用新型實施侈1的內部結構示意圖。[0034]圖3為本實用新型實施侈2的內部結構示意圖。[0035]圖4為本實用新型實施侈3的內部結構示意圖。[0036]圖5為本實用新型實施侈4的內部結構示意圖。[0037]圖6為本實用新型實施侈5的內部結構示意圖。[0038]圖7為本實用新型實施侈6的內部結構示意圖。[0039]圖8為本實用新型實施侈7的內部結構示意圖。[0040]圖9為本實用新型實施侈8的內部結構示意圖。[0041]圖10為本實用新型實施列9的內部結構示意圖。[0042]圖11為本實用新型實施列10的內部結構示意圖。[0043]圖12為本實用新型實施列11的內部結構示意圖。[0044]圖13為本實用新型實施列12的內部結構示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型實現的技術手段、創作特徵、達成目的與功效易於明白了解，下面結合具體附圖和實施例，進一步闡述本實用新型。實施例1參見圖2，圖中所示的方塊式橋堆，包括一個封裝體100和設置在封裝體100內的兩塊支撐片210、220、兩塊連接片310、320、四個二極體晶片510、520、530、540以及由封狀體100內延伸出來的四根柱狀引線610、620、630、640。兩塊連接片310、320結構完全相同， 大致成L形狀。兩塊支撐片210、220的結構也完全相同，成矩形結構。四根引線610、620、 630、640的結構也完全相同。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310、320位於上層，四個二極體晶片510、520、 530、540位於中間層，兩塊支撐片210、220位於下層。四根柱狀引線610、620、630、640平行由封狀體100內延伸出來且與四個二極體晶片510、520、530、540的法線方向平行。四根柱狀引線610、620、630、640位於封裝體100內的固定端設置有釘頭。在橋堆的俯視平面上，整個封裝體100成方塊狀結構，兩塊支撐片210、220位於封裝體100內的一個對角位置；四根柱狀引線610、620、630、640布置在封裝體100的四個角位置處。支撐片210與二極體晶片510的正極端和二極體晶片520的正極端固定連接。支撐片220與二極體晶片530的負極端和二極體晶片540的負極端固定連接。連接片310的一端與二極體晶片510的負極端固定連接，另一端與二極體晶片530 的正極端固定連接；連接片320的一端與二極體晶片520的負極端固定連接，另一端與二極體晶片MO的正極端固定連接。[0052]柱狀引線610固定端的釘頭與連接片310的轉折點固定連接，引線620固定端的釘頭與連接片320固定連接，柱狀引線610、620構成橋堆的交流輸入端，柱狀引線630固定端的釘頭與支撐片210固定連接作為橋堆的正極輸出端，柱狀引線640固定端的釘頭與支撐片220固定連接作為橋堆的負極輸出端。作為正、負極輸出端的引線630、640位於封裝體100的一個對角，作為交流輸入端的引線610、620分別位於封裝體100的另一個對角。實施例2參見圖3，圖中所示的方塊式橋堆，包括一個封裝體100和設置在封裝體100內的兩塊支撐片210、220、兩塊連接片310、320、四個二極體晶片510、520、530、540以及由封狀體100內延伸出來的四根柱狀引線610、620、630、640。兩塊連接片310、320結構完全相同， 大致成L形狀。兩塊支撐片210、220的結構也完全相同，成矩形結構。四根引線610、620、 630、640的結構也完全相同。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310、320位於上層，四個二極體晶片510、520、 530、540位於中間層，兩塊支撐片210、220位於下層。四根柱狀引線610、620、630、640平行由封狀體100內延伸出來且與四個二極體晶片510、520、530、540的法線方向平行。四根柱狀引線610、620、630、640位於封裝體100內的固定端設置有釘頭。在橋堆的俯視平面上，整個封裝體100成方塊狀結構，兩塊支撐片210、220位於封裝體100內的一個對角位置；四根柱狀引線610、620、630、640布置在封裝體100的四個角位置處。支撐片210與二極體晶片510的負極端和二極體晶片520的負極端固定連接。支撐片220與二極體晶片530的正極端和二極體晶片540的正極端固定連接。連接片310的一端與二極體晶片510的正極端固定連接，另一端與二極體晶片530 的負極端固定連接；連接片320的一端與二極體晶片520的正極端固定連接，另一端與二極體晶片MO的負極端固定連接。柱狀引線610固定端的釘頭與連接片310的轉折點固定連接，引線620固定端的釘頭與連接片320固定連接，柱狀引線610、620構成橋堆的交流輸入端，柱狀引線630固定端的釘頭與支撐片210固定連接作為橋堆的負極輸出端，柱狀引線640固定端的釘頭與支撐片220固定連接作為橋堆的正極輸出端。作為正、負極輸出端的引線630、640位於封裝體100的一個對角，作為交流輸入端的引線610、620分別位於封裝體100的另一個對角。實施例3參見圖4，圖中所示的方塊式橋堆，包括一個封裝體100和設置在封裝體100內的兩塊支撐片210、220、兩塊連接片310、320、四個二極體晶片510、520、530、540以及由封狀體100內延伸出來的四根柱狀引線610、620、630、640。兩塊連接片310、320結構完全相同， 大致成L形狀。兩塊支撐片210、220的結構也完全相同，成矩形結構。四根引線610、620、 630、640的結構也完全相同。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310、320位於上層，四個二極體晶片510、520、 530、540位於中間層，兩塊支撐片210、220位於下層。四根柱狀引線610、620、630、640平行由封狀體100內延伸出來且與四個二極體晶片510、520、530、540的法線方向平行。四根柱狀引線610、620、630、640位於封裝體100內的固定端設置有釘頭。在橋堆的俯視平面上，整個封裝體100成方塊狀結構，兩塊支撐片210、220位於封
11裝體100內的一個對角位置；四根柱狀引線610、620、630、640布置在封裝體100的四個角
位置處。支撐片210與二極體晶片510的正極端和二極體晶片520的負極端固定連接。支撐片220與二極體晶片530的正極端和二極體晶片540的負極端固定連接。連接片310的一端與二極體晶片510的負極端固定連接，另一端與二極體晶片530 的負極端固定連接；連接片320的一端與二極體晶片520的正極端固定連接，另一端與二極體晶片MO的正極端固定連接。柱狀引線610固定端的釘頭與連接片310的轉折點固定連接構成橋堆的負極輸出端，引線620固定端的釘頭與連接片320固定連接構成橋堆的正極輸出端；柱狀引線630固定端的釘頭與支撐片210固定連接，柱狀引線640固定端的釘頭與支撐片220固定連接，柱狀引線630、540作為橋堆的交流輸入端。作為交流輸入端的引線630、640分別位於封裝體 100的另一個對角，作為正、負極輸出端的引線620、610位於封裝體100的另一個對角。實施例4參見圖5，圖中所示的方塊式橋堆，包括一個封裝體100和設置在封裝體100內的兩塊支撐片210、220、兩塊連接片310、320、四個二極體晶片510、520、530、540以及由封狀體100內延伸出來的四根柱狀引線610、620、630、640。兩塊連接片310、320結構完全相同， 大致成L形狀。兩塊支撐片210、220的結構也完全相同，成矩形結構。四根引線610、620、 630、640的結構也完全相同。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310、320位於上層，四個二極體晶片510、520、 530、540位於中間層，兩塊支撐片210、220位於下層。四根柱狀引線610、620、630、640平行由封狀體100內延伸出來且與四個二極體晶片510、520、530、540的法線方向平行。四根柱狀引線610、620、630、640位於封裝體100內的固定端設置有釘頭。在橋堆的俯視平面上，整個封裝體100成方塊狀結構，兩塊支撐片210、220位於封裝體100內的一個對角位置；四根柱狀引線610、620、630、640布置在封裝體100的四個角位置處。支撐片210與二極體晶片510的負極端和二極體晶片520的正極端固定連接。支撐片220與二極體晶片530的負極端和二極體晶片540的正極端固定連接。連接片310的一端與二極體晶片510的正極端固定連接，另一端與二極體晶片530 的正極端固定連接；連接片320的一端與二極體晶片520的負極端固定連接，另一端與二極體晶片MO的負極端固定連接。柱狀引線610固定端的釘頭與連接片310的轉折點固定連接構成橋堆的正極輸出端，引線620固定端的釘頭與連接片320固定連接構成橋堆的負極輸出端；柱狀引線630固定端的釘頭與支撐片210固定連接，柱狀引線640固定端的釘頭與支撐片220固定連接，柱狀引線630、540作為橋堆的交流輸入端。作為交流輸入端的引線630、640分別位於封裝體 100的另一個對角，作為正、負極輸出端的引線620、610位於封裝體100的另一個對角。實施例5參見圖6，圖中所示的方塊狀橋堆，包括一個封裝體1OOa和設置在封裝體IOOa內的兩塊支撐片210a、220a、兩塊連接片310a、320a、四個二極體晶片510a、520a、530aj40a 以及兩塊片式引線610a、620a。兩塊連接片310a、320a結構完全相同，大致成L形狀。兩塊支撐片210a、220a的結構也完全相同，成矩形結構。兩塊片式引線610a、620a的結構也完全相同，成矩形結構。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310a、320a位於上層，四個二極體晶片510a、 520a,530a,540a位於中間層，兩塊支撐片210a、220a和兩塊片式引線610a、620a位於下層
並處於同一平面上。在橋堆的俯視平面上，整個封裝體IOOa成方塊狀結構，兩塊支撐片210a、220a位於封裝體IOOa內的一個對角位置，兩塊片式引線610a、620a位於封裝體IOOa內的另一個
對角位置。支撐片210a的正面與二極體晶片510a的正極端和二極體晶片520a的正極端固定連接。支撐片220a的正面與二極體晶片530a的負極端和二極體晶片MOa的負極端固定連接。連接片310a的一端與二極體晶片510a的負極端固定連接，另一端與二極體晶片 530a的正極端固定連接；連接片320a的一端與二極體晶片520a的正極端固定連接，另一端與二極體晶片MOa的正極端固定連接。片式引線610a的正面與連接片310a的轉折點固定連接，片式引線620a的正面與連接片320a的轉折點固定連接，片式引線610a、620a露出封裝體100，構成橋堆的交流輸入端，支撐片210a的底面露出封裝體100作為橋堆的正極輸出端，支撐片220a的底面露出封裝體100作為橋堆的負極輸出端。作為正、負極輸出端的支撐片210a、220a位於封裝體 IOOa的一個對角，作為交流輸入端的片式引線610a、620a分別位於封裝體IOOa的另一個對角。實施例6參見圖7，圖中所示的方塊狀橋堆，包括一個封裝體IOOa和設置在封裝體IOOa內的兩塊支撐片210a、220a、兩塊連接片310a、320a、四個二極體晶片510a、520a、530aj40a 以及兩塊片式引線610a、620a。兩塊連接片310a、320a結構完全相同，大致成L形狀。兩塊支撐片210a、220a的結構也完全相同，成矩形結構。兩塊片式引線610a、620a的結構也完全相同，成矩形結構。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310a、320a位於上層，四個二極體晶片510a、 520a,530a,540a位於中間層，兩塊支撐片210a、220a和兩塊片式引線610a、620a位於下層
並處於同一平面上。在橋堆的俯視平面上，整個封裝體IOOa成方塊狀結構，兩塊支撐片210a、220a位於封裝體IOOa內的一個對角位置，兩塊片式引線610a、620a位於封裝體IOOa內的另一個
對角位置。支撐片210a的正面與二極體晶片510a的負極端和二極體晶片520a的負極端固定連接。支撐片220a的正面與二極體晶片530a的正極端和二極體晶片MOa的正極端固定連接。連接片310a的一端與二極體晶片510a的正極端固定連接，另一端與二極體晶片 530a的負極端固定連接；連接片320a的一端與二極體晶片520a的正極端固定連接，另一端與二極體晶片MOa的負極端固定連接。片式引線610a的正面與連接片310a的轉折點固定連接，片式引線620a的正面與連接片320a的轉折點固定連接，片式引線610a、620a露出封裝體100，構成橋堆的交流輸入端，支撐片210a的底面露出封裝體100作為橋堆的負極輸出端，支撐片220a的底面露出封裝體100作為橋堆的正極輸出端。作為正、負極輸出端的支撐片220a、210a位於封裝體 IOOa的一個對角，作為交流輸入端的片式引線610a、620a分別位於封裝體IOOa的另一個對實施例7參見圖8，圖中所示的方塊狀橋堆，包括一個封裝體IOOa和設置在封裝體IOOa內的兩塊支撐片210a、220a、兩塊連接片310a、320a、四個二極體晶片510a、520a、530aj40a 以及兩塊片式引線610a、620a。兩塊連接片310a、320a結構完全相同，大致成L形狀。兩塊支撐片210a、220a的結構也完全相同，成矩形結構。兩塊片式引線610a、620a的結構也完全相同，成矩形結構。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310a、320a位於上層，四個二極體晶片510a、 520a,530a,540a位於中間層，兩塊支撐片210a、220a和兩塊片式引線610a、620a位於下層
並處於同一平面上。在橋堆的俯視平面上，整個封裝體IOOa成方塊狀結構，兩塊支撐片210a、220a位於封裝體IOOa內的一個對角位置，兩塊片式引線610a、620a位於封裝體IOOa內的另一個
對角位置。支撐片210a的正面與二極體晶片510a的正極端和二極體晶片520a的負極端固定連接。支撐片220a的正面與二極體晶片530a的正極端和二極體晶片MOa的負極端固定連接。連接片310a的一端與二極體晶片510a的負極端固定連接，另一端與二極體晶片 530a的負極端固定連接；連接片320a的一端與二極體晶片520a的正極端固定連接，另一端與二極體晶片MOa的正極端固定連接。片式引線610a的正面與連接片310a的轉折點固定連接，片式引線610a的底面露出封裝體IOOa構成橋堆的負極輸出端，片式引線620a的正面與連接片320a的轉折點固定連接，片式引線620a的底面露出封裝體IOOa構成橋堆的正極輸出端。支撐片210a、220a 的底面露出封裝體100構成橋堆的交流輸入端。作為交流輸入端的支撐片220a、210a的底面位於封裝體IOOa的一個對角，作為正、負極輸出端的片式引線620a、610a分別位於封裝體IOOa的另一個對角。實施例8參見圖9，圖中所示的方塊狀橋堆，包括一個封裝體IOOa和設置在封裝體IOOa內的兩塊支撐片210a、220a、兩塊連接片310a、320a、四個二極體晶片510a、520a、530aj40a 以及兩塊片式引線610a、620a。兩塊連接片310a、320a結構完全相同，大致成L形狀。兩塊支撐片210a、220a的結構也完全相同，成矩形結構。兩塊片式引線610a、620a的結構也完全相同，成矩形結構。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310a、320a位於上層，四個二極體晶片510a、 520a,530a,540a位於中間層，兩塊支撐片210a、220a和兩塊片式引線610a、620a位於下層
並處於同一平面上。在橋堆的俯視平面上，整個封裝體IOOa成方塊狀結構，兩塊支撐片210a、220a位於封裝體IOOa內的一個對角位置，兩塊片式引線610a、620a位於封裝體IOOa內的另一個
對角位置。支撐片210a的正面與二極體晶片510a的負極端和二極體晶片520a的正極端固定連接。支撐片220a的正面與二極體晶片530a的負極端和二極體晶片MOa的正極端固定連接。連接片310a的一端與二極體晶片510a的正極端固定連接，另一端與二極體晶片 530a的正極端固定連接；連接片320a的一端與二極體晶片520a的負極端固定連接，另一端與二極體晶片MOa的負極端固定連接。片式引線610a的正面與連接片310a的轉折點固定連接，片式引線610a的底面露出封裝體IOOa構成橋堆的正極輸出端，片式引線620a的正面與連接片320a的轉折點固定連接，片式引線620a的底面露出封裝體IOOa構成橋堆的負極輸出端。支撐片210a、220a 的底面露出封裝體100構成橋堆的交流輸入端。作為交流輸入端的支撐片210a、220a的底面位於封裝體IOOa的一個對角，作為正、負極輸出端的片式引線620a、610a分別位於封裝體IOOa的另一個對角。實施例9參見圖10，圖中所示的方塊式橋堆，包括一個方塊形狀的封裝體IOOb和設置在封裝體IOOb內的兩塊支撐片210b、220b、兩塊連接片310b、320b、四個二極體晶片510b、520b、 530b,540b以及兩個引線結構610b、620b。兩塊連接片310b、320b結構完全相同，大致成L 形狀。兩塊支撐片210b、220b的結構也完全相同。兩個引線結構610b、620b的結構也完全相同。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310b、320b位於上層，四個二極體晶片510b、 520b、530b、M0b位於中間層，兩塊支撐片210b、220b和兩個引線結構610b、620b位於下層。在橋堆的俯視平面上，兩塊支撐片210b、220b位於封裝體IOOb內的一個對角位置，兩個引線結構610b、620b位於封裝體IOOb內的另一個對角位置。支撐片210b位於封裝體IOOb內的部分211b為矩形，與二極體晶片510b的正極端和二極體晶片520b的正極端固定連接，支撐片210b支撐片210b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳212b，彎折式引線腳212b貼合在封裝體IOOb的底面；支撐片220b 位於封裝體IOOb內的部分221b為矩形，與二極體晶片530b的負極端和二極體晶片MOb 的負極端固定連接，支撐片220b支撐片220b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳222b，彎折式引線腳222b貼合在封裝體IOOb的底面。連接片310b的一端與二極體晶片510b的負極端固定連接，另一端與二極體晶片 530b的正極端固定連接；連接片320b的一端與二極體晶片520b的負極端固定連接，另一端與二極體晶片MOb的正極端固定連接。引線結構610b位於封裝體100內的部分611b為矩形，與連接片310b的轉折點固定連接，片式引線610b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳612b，彎折式引線腳 612b貼合在封裝體IOOb的底面；片式引線620b位於封裝體IOOb內的部分621b為矩形， 與連接片320b的轉折點固定連接，片式引線620b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳622b，彎折式引線腳622b貼合在封裝體IOOb的底面。引線結構610b位於封裝體100內的部分611b、片式引線620b位於封裝體IOOb內的部分621b、支撐片210b位於封裝體IOOb內的部分211b、支撐片220b位於封裝體IOOb 內的部分221b處於同一平面上，彎折式引線腳612b、622b、212b、222b的底面處於同一平面上。彎折式引線腳612b、622b構成橋堆的交流輸入端，彎折式引線腳212b構成橋堆的正極輸出端，彎折式引線腳222b構成橋堆的負極輸出端，作為正、負極輸出端的彎折式引線腳 212b,222b位於封裝體IOOa的一個對角，作為交流輸入端的彎折式引線腳612b、622b位於封裝體IOOa的另一個對角。實施例10參見圖11，圖中所示的方塊式橋堆，包括一個方塊形狀的封裝體IOOb和設置在封裝體IOOb內的兩塊支撐片210b、220b、兩塊連接片310b、320b、四個二極體晶片510b、520b、 530b,540b以及兩個引線結構610b、620b。兩塊連接片310b、320b結構完全相同，大致成L 形狀。兩塊支撐片210b、220b的結構也完全相同。兩個引線結構610b、620b的結構也完全相同。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310b、320b位於上層，四個二極體晶片510b、 520b、530b、M0b位於中間層，兩塊支撐片210b、220b和兩個引線結構610b、620b位於下層。在橋堆的俯視平面上，兩塊支撐片210b、220b位於封裝體IOOb內的一個對角位置，兩個引線結構610b、620b位於封裝體IOOb內的另一個對角位置。支撐片210b位於封裝體IOOb內的部分211b為矩形，與二極體晶片510b的負極端和二極體晶片520b的負極端固定連接，支撐片210b支撐片210b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳212b，彎折式引線腳212b貼合在封裝體IOOb的底面；支撐片220b 位於封裝體IOOb內的部分221b為矩形，與二極體晶片530b的正極端和二極體晶片MOb 的正極端固定連接，支撐片220b支撐片220b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳222b，彎折式引線腳222b貼合在封裝體IOOb的底面。連接片310b的一端與二極體晶片510b的正極端固定連接，另一端與二極體晶片 530b的負極端固定連接；連接片320b的一端與二極體晶片520b的正極端固定連接，另一端與二極體晶片MOb的負極端固定連接。引線結構610b位於封裝體100內的部分611b為矩形，與連接片310b的轉折點固定連接，片式引線610b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳612b，彎折式引線腳 612b貼合在封裝體IOOb的底面；片式引線620b位於封裝體IOOb內的部分621b為矩形， 與連接片320b的轉折點固定連接，片式引線620b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳622b，彎折式引線腳622b貼合在封裝體IOOb的底面。引線結構610b位於封裝體100內的部分611b、片式引線620b位於封裝體IOOb內的部分621b、支撐片210b位於封裝體IOOb內的部分211b、支撐片220b位於封裝體IOOb 內的部分221b處於同一平面上，彎折式引線腳612b、622b、212b、222b的底面處於同一平面上。彎折式引線腳612b、622b構成橋堆的交流輸入端，彎折式引線腳212b構成橋堆的負極輸出端，彎折式引線腳222b構成橋堆的正極輸出端，作為正、負極輸出端的彎折式引線腳 222b,212b位於封裝體IOOa的一個對角，作為交流輸入端的彎折式引線腳612b、622b位於封裝體IOOa的另一個對角。實施例11參見圖12，圖中所示的方塊式橋堆，包括一個方塊形狀的封裝體IOOb和設置在封裝體IOOb內的兩塊支撐片210b、220b、兩塊連接片310b、320b、四個二極體晶片510b、520b、 530b,540b以及兩個引線結構610b、620b。兩塊連接片310b、320b結構完全相同，大致成L 形狀。兩塊支撐片210b、220b的結構也完全相同。兩個引線結構610b、620b的結構也完全相同。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310b、320b位於上層，四個二極體晶片510b、 520b、530b、M0b位於中間層，兩塊支撐片210b、220b和兩個引線結構610b、620b位於下層。在橋堆的俯視平面上，兩塊支撐片210b、220b位於封裝體IOOb內的一個對角位置，兩個引線結構610b、620b位於封裝體IOOb內的另一個對角位置。支撐片210b位於封裝體IOOb內的部分211b為矩形，與二極體晶片510b的正極端和二極體晶片520b的負極端固定連接，支撐片210b支撐片210b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳212b，彎折式引線腳212b貼合在封裝體IOOb的底面；支撐片220b 位於封裝體IOOb內的部分221b為矩形，與二極體晶片530b的正極端和二極體晶片MOb 的負極端固定連接，支撐片220b支撐片220b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳222b，彎折式引線腳222b貼合在封裝體IOOb的底面。連接片310b的一端與二極體晶片510b的負極端固定連接，另一端與二極體晶片 530b的負極端固定連接；連接片320b的一端與二極體晶片520b的正極端固定連接，另一端與二極體晶片MOb的正極端固定連接。引線結構610b位於封裝體100內的部分611b為矩形，與連接片310b的轉折點固定連接，片式引線610b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳612b，彎折式引線腳 612b貼合在封裝體IOOb的底面；片式引線620b位於封裝體IOOb內的部分621b為矩形， 與連接片320b的轉折點固定連接，片式引線620b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳622b，彎折式引線腳622b貼合在封裝體IOOb的底面。引線結構610b位於封裝體100內的部分611b、片式引線620b位於封裝體IOOb內的部分621b、支撐片210b位於封裝體IOOb內的部分211b、支撐片220b位於封裝體IOOb 內的部分221b處於同一平面上，彎折式引線腳612b、622b、212b、222b的底面處於同一平面上。彎折式引線腳212b、222b構成橋堆的交流輸入端，彎折式引線腳612b構成橋堆的負極輸出端，彎折式引線腳622b構成橋堆的正極輸出端，作為正、負極輸出端的彎折式引線腳 622b,612b位於封裝體IOOa的一個對角，作為交流輸入端的彎折式引線腳212b、222b位於封裝體IOOa的另一個對角。實施例12參見圖13，圖中所示的方塊式橋堆，包括一個方塊形狀的封裝體IOOb和設置在封裝體IOOb內的兩塊支撐片210b、220b、兩塊連接片310b、320b、四個二極體晶片510b、520b、 530b,540b以及兩個引線結構610b、620b。兩塊連接片310b、320b結構完全相同，大致成L 形狀。兩塊支撐片210b、220b的結構也完全相同。兩個引線結構610b、620b的結構也完全相同。在橋堆厚度方向上，兩塊連接片310b、320b位於上層，四個二極體晶片510b、 520b、530b、M0b位於中間層，兩塊支撐片210b、220b和兩個引線結構610b、620b位於下層。在橋堆的俯視平面上，兩塊支撐片210b、220b位於封裝體IOOb內的一個對角位置，兩個引線結構610b、620b位於封裝體IOOb內的另一個對角位置。[0130]支撐片210b位於封裝體IOOb內的部分211b為矩形，與二極體晶片510b的負極端和二極體晶片520b的正極端固定連接，支撐片210b支撐片210b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳212b，彎折式引線腳212b貼合在封裝體IOOb的底面；支撐片220b 位於封裝體IOOb內的部分221b為矩形，與二極體晶片530b的負極端和二極體晶片MOb 的正極端固定連接，支撐片220b支撐片220b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳222b，彎折式引線腳222b貼合在封裝體IOOb的底面。連接片310b的一端與二極體晶片510b的正極端固定連接，另一端與二極體晶片 530b的正極端固定連接；連接片320b的一端與二極體晶片520b的負極端固定連接，另一端與二極體晶片MOb的負極端固定連接。引線結構610b位於封裝體100內的部分611b為矩形，與連接片310b的轉折點固定連接，片式引線610b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳612b，彎折式引線腳 612b貼合在封裝體IOOb的底面；片式引線620b位於封裝體IOOb內的部分621b為矩形， 與連接片320b的轉折點固定連接，片式引線620b延伸出封裝體IOOb外的部分為一彎折式引線腳622b，彎折式引線腳622b貼合在封裝體IOOb的底面。引線結構610b位於封裝體100內的部分611b、片式引線620b位於封裝體IOOb內的部分621b、支撐片210b位於封裝體IOOb內的部分211b、支撐片220b位於封裝體IOOb 內的部分221b處於同一平面上，彎折式引線腳612b、622b、212b、222b的底面處於同一平面上。彎折式引線腳212b、222b構成橋堆的交流輸入端，彎折式引線腳612b構成橋堆的正極輸出端，彎折式引線腳622b構成橋堆的負極輸出端，作為正、負極輸出端的彎折式引線腳 612b,622b位於封裝體IOOa的一個對角，作為交流輸入端的彎折式引線腳212b、222b位於封裝體IOOa的另一個對角。以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特徵和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和範圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型範圍內。本實用新型要求保護範圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
權利要求1.方塊式橋堆，包括一個封裝體和設置在封裝體內的兩塊支撐片、兩塊連接片、四個二極體晶片；在橋堆厚度方向上，兩塊連接片位於上層，四個二極體晶片位於中間層，兩塊支撐片位於下層；在橋堆的俯視平面上，在橋堆的俯視平面上，在橋堆的俯視平面上，每一塊支撐片上固定連接有兩個二極體晶片，而每一塊連接片分別與兩塊支撐片上的各一個二極體晶片固定連接，其特徵在於，所述封裝體為方塊式結構，所述兩塊支撐片位於封裝體的一個對角構成交流輸入端；該方塊式橋堆還包括兩個分別與兩塊連接片固定連接的引線結構，兩個引線結構位於封裝體的另一個對角，所述兩塊支撐片和兩個引線結構構成橋堆的正、負極輸出端和交流輸入端。
2.如權利要求1所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述兩塊連接片的結構相同，兩塊支撐片的結構相同，兩個引線結構的結構完全相同。
3.如權利要求1或2所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述兩塊支撐片分為第一、第二支撐片，兩塊連接片分為第一、第二連接片，兩各引線結構分為第一、第二引線結構，四個二極體晶片分為第一、第二、第三、第四二極體晶片，其中所述第一引線結構為第一柱狀引線腳，所述第一柱狀引線腳與所述第一連接片固定連接；所述第二引線結構為第二柱狀引線腳，所述第二柱狀引線腳與所述第二連接片固定連接；所述的方塊式橋堆還包括第三柱狀引線腳和第四柱狀引線腳，第三柱狀引線腳與所述第一支撐片的底面固定連接，第四柱狀引線腳與所述第二支撐片的底面固定連接；第三柱狀引線腳和第四柱狀引線腳位於封裝體的一個對角，第一柱狀引線腳和第二柱狀引線位於封裝體的另一個對角；第一、二、三、四柱狀引線構成橋堆的正、負極輸出端和交流輸入端。
4.如權利要求3所述的方塊式橋堆，其特徵在於，第一、第二二極體晶片的正極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的負極端與第二支撐片的正面固定連接； 第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端固定連接，其中第一柱狀引線腳和第二柱狀引線腳作為橋堆的交流輸入端，第三柱狀引線腳作為橋堆的正極輸出端，第四柱狀引線腳作為橋堆的負極輸出端。
5.如權利要求3所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述第一、第二二極體晶片的負極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的正極端與第二支撐片的正面固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端固定連接，其中第一柱狀引線腳和第二柱狀引線腳作為橋堆的交流輸入端，第三柱狀引線腳作為橋堆的負極輸出端， 第四柱狀引線腳作為橋堆的正極輸出端。
6.如權利要求3所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述第一二極體晶片的正極端和第二二極體晶片的負極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的正極端固定連接，其中第一柱狀引線腳作為橋堆的負極輸出端，第二柱狀引線腳作為橋堆的正極輸出端，第三柱狀引線腳和第四柱狀引線腳作為橋堆的交流輸入端。
7.如權利要求3所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述第一二極體晶片的負極端和第二二極體晶片的正極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的負極端固定連接，其中第一柱狀引線腳作為橋堆的正極輸出端，第二柱狀引線腳作為橋堆的負極輸出端，第三柱狀引線腳和第四柱狀引線腳作為橋堆的交流輸入端。
8.如權利要求1或2所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述兩塊支撐片分為第一、第二支撐片，兩塊連接片分為第一、第二連接片，兩各引線結構分為第一、第二引線結構，四個二極體晶片分為第一、第二、第三、第四二極體晶片，其中所述第一引線結構包括第一片式引線，所述第一片式引線的正面與所述第一連接片固定連接；所述第二引線結構包括第二片式引線，所述第二片式引線的正面與所述第二連接片固定連接；所述第一、二支撐片的底面和第一、二片式引線的底面均露出封裝體，第一、二支撐片的底面位於封裝體的一個對角， 第一、二片式引線的底面位於封裝體的另一個對角；構成橋堆的正、負極輸出端和交流輸入端。
9.如權利要求8所述的方塊式橋堆，其特徵在於，第一、第二二極體晶片的正極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的負極端與第二支撐片的正面固定連接； 第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端固定連接，其中第一片式引線的底面和第二片式引線的底面作為橋堆的交流輸入端，第一支撐片的底面作為橋堆的正極輸出端，第二支撐片的底面作為橋堆的負極輸出端。
10.如權利要求8所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述第一、第二二極體晶片的負極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的正極端與第二支撐片的正面固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端固定連接，其中第一片式引線的底面和第二片式引線的底面作為橋堆的交流輸入端，第一支撐片的底面作為橋堆的負極輸出端，第二支撐片的底面作為橋堆的正極輸出端。
11.如權利要求8所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述第一二極體晶片的正極端和第二二極體晶片的負極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的正極端固定連接，其中第一片式引線的底面作為橋堆的負極輸出端，第二片式引線的底面作為橋堆的正極輸出端，第一支撐片的底面和第二支撐片的底面作為橋堆的交流輸入端。
12.如權利要求8所述的方塊式橋堆，其特徵在於，第一二極體晶片的負極端和第二二極體晶片的正極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的負極端固定連接，其中第一片式引線的底面作為橋堆的正極輸出端，第二片式引線的底面作為橋堆的負極輸出端，第一支撐片的底面和第二支撐片的底面作為橋堆的交流輸入端。
13.如權利要求1或2所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述兩塊支撐片分為第一、第二支撐片，兩塊連接片分為第一、第二連接片，兩各引線結構分為第一、第二引線結構，四個二極體晶片分為第一、第二、第三、第四二極體晶片，其中所述第一引線結構包括第一片式引線，所述第一片式引線的正面與所述第一連接片固定連接；所述第二引線結構包括第二片式引線，所述第二片式引線的正面與所述第二連接片固定連接；在所述第一片式引線上設置有延伸出封裝體並貼合在封裝體底面的第一彎折式引線腳，在所述第二片式引線上設置有延伸出封裝體並貼合在封裝體底面的第二彎折式引線腳，在所述第一支撐片上設置有延伸出封裝體並貼合在封裝體底面的第三彎折式引線腳，在所述第二支撐片上設置有延伸出封裝體並貼合在封裝體底面的第四彎折式引線腳，第三彎折式引線腳和第四彎折式引線腳位於封裝體的一個對角，第一彎折式引線腳和第二彎折式引線腳位於封裝體的另一個對角，構成橋堆的正、負極輸出端和交流輸入端。
14.如權利要求13所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述第一、第二二極體晶片的正極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的負極端與第二支撐片的正面固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端固定連接，其中第一彎折式引線腳和第二彎折式引線腳作為橋堆的交流輸入端，第三彎折式引線腳作為橋堆的正極輸出端，第四彎折式引線腳作為橋堆的負極輸出端。
15.如權利要求13所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述第一、第二二極體晶片的負極端與第一支撐片的正面固定連接，第三、第四二極體晶片的正極端與第二支撐片的正面固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端固定連接，其中第一彎折式引線腳和第二彎折式引線腳作為橋堆的交流輸入端，第三彎折式引線腳作為橋堆的負極輸出端，第四彎折式引線腳作為橋堆的正極輸出端。
16.如權利要求13所述的方塊式橋堆，其特徵在於，所述第一二極體晶片的正極端和第二二極體晶片的負極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的負極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的負極端和第三二極體晶片的負極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的正極端和第四二極體晶片的正極端固定連接，其中第一彎折式引線腳作為橋堆的負極輸出端，第二彎折式引線腳作為橋堆的正極輸出端，第三彎折式引線腳和第四彎折式引線腳作為橋堆的交流輸入端。
17.如權利要求13所述的方塊式橋堆，其特徵在於，第一二極體晶片的負極端和第二二極體晶片的正極端與第一支撐片固定連接，第三二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的正極端與第二支撐片固定連接；第一連接片與第一二極體晶片的正極端和第三二極體晶片的正極端固定連接，第二連接片與第二二極體晶片的負極端和第四二極體晶片的負極端固定連接，其中第一彎折式引線腳作為橋堆的正極輸出端，第二彎折式引線腳作為橋堆的負極輸出端，第三彎折式引線腳和第四彎折式引線腳作為橋堆的交流輸入端。
專利摘要本實用新型涉及方塊式橋堆，其包括一個方塊式封裝體和設置在封裝體內的兩塊支撐片、兩塊連接片、四個二極體晶片；兩塊連接片位於上層，四個二極體晶片位於中間層，兩塊支撐片位於下層；其封裝體為方塊式結構，所述兩塊支撐片位於封裝體的一個對角構成交流輸入端；該方塊式橋堆還包括兩個分別與兩塊連接片固定連接的引線結構，兩個引線結構位於封裝體的另一個對角，所述兩塊支撐片和兩個引線結構構成橋堆的正、負極輸出端和交流輸入端。本實用新型組裝時在焊接模具上擺放佔用較小的空間，使得同一焊接模具焊接的橋堆數量較多，提高了生產效率，降低了成本。
文檔編號H01L23/48GK202084544SQ20112020282
公開日2011年12月21日 申請日期2011年6月15日 優先權日2011年6月15日
發明者林茂昌, 陳怡璟 申請人:上海金克半導體設備有限公司