具有提高的緩衝擊穿電壓的hemt的製作方法
2023-10-31 19:02:57 1
專利名稱：具有提高的緩衝擊穿電壓的hemt的製作方法
技術領域：
本發明涉及II1-N族HEMT且，更具體地，涉及具有提高的緩衝擊穿電壓的II1-N族 HEMT。
背景技術：
由於其較寬的帶隙和高的電子飽和速度，已顯示出II1-N族高電子遷移率電晶體(HEMT)具有潛在的用於電力電子學的優勢。這些材料特性轉化成高的擊穿電壓、低的導通電阻以及快速切換。相比矽基電晶體，II1-N族HEMT還可在較高的溫度下工作。這些特性使II1-N族HEMT良好地適用於高效率的功率調節應用，例如照明和車輛控制。圖1示出圖解說明常規II1-N族HEMT100的橫截面圖。如圖1中所示，ΙΙΙ-Ν族ΗΕΜΤ100包括襯底110，以及形成於所述襯底110的頂表面的分層區域112。所述分層區域112進而包括頂部的阻擋層114、中間的溝道層116，以及位於所述襯底110和所述溝道層116之間的底部的緩衝層118。通常，所述的阻擋層114、溝道層116和緩衝層118各自利用一個或更多個連續的III族氮化層實現，所述的III族包括In、Ga和Al中的一個或更多個。例如，所述的阻擋層114通常形成自AlGaN，而所述的溝道層116通常形成自GaN。如Mishra 等人的文章 「AlGaN/GaN HEMTs-An Overview of Device Operationand Applications」Proceedings of the IEEE, Vol.90，N0.6，2002 年 6 月，pp.1022-1031中所討論的，HEMT的溝道層和阻擋層具有不同的極化特性和帶隙，其誘導在所述溝道層的頂部形成二維電子氣(2DEG)。所述的2DEG (其具有高濃度的電子)類似於常規場效應電晶體(FET)中的溝道。由於天然的II1-N族襯底不容易獲得，所以利用外延沉積技術，例如金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)和分子束外延(MBE)，使分層區域112在所述的襯底110上常規生長。所述的緩衝層118在所述的襯底110和所述的溝道層116之間提供過渡層，從而處理晶格常數的差異並提供最小錯位的生長表面。由於SiC具有合理低的晶格失配( 3%)以及高導熱性，所以所述的襯底110通常利用SiC實現。然而，SiC襯底昂貴並具有尺寸限制。由於Si的低成本且可進入Si加工的基礎設施，所以所述的襯底110還通常利用Si實現。但是，由於晶片的應力以及隨後的彎曲，Si襯底使得6英寸的襯底上緩衝層118的厚度限制於2至3微米(um)。2至3微米的緩衝層厚度的局限之一在於薄的緩衝層限制了器件的擊穿電壓。這是由於緩衝擊穿電壓非常低。例如，2微米厚度的緩衝層在300V下擊穿。提高緩衝擊穿電壓的一個途徑是使襯底浮動。通過使襯底浮動，由於通過兩個緩衝層厚度支撐電壓，所以緩衝擊穿電壓被加倍至600V。例如，如圖1中所示，當Si襯底被浮動且漏極至源極擊穿時，擊穿電流沿著漏極至源極的路徑流動，所述路徑包括擊穿路徑段A、B和C。所述的擊穿路徑段A和C各自具有大約300V的擊穿電壓，但是所述的擊穿路徑段B為歐姆性的。因此，為了達到完全的擊穿電壓(600V)，襯底100必須能浮動達到一半的擊穿電壓(300V)。
但是，由於器件之間的電容耦合，對浮動襯底的需要造成主要關注串擾問題。另夕卜，浮動的襯底導致針對包裝的主要問題。如果利用常規的封裝，那麼利用非導電性的環氧樹脂連接II1-N族HEMT。但是，相比導電性的環氧樹脂，非導電性的環氧樹脂具有較差的導熱性。由於II1-N族器件旨在用於功率應用且需要具有好的熱沉，所以這將導致嚴重問題。存在具有提高的熱沉的封裝，其利用了具有高導熱性的中間絕緣層，如A1N。但是，這些是昂貴的並且相比利用導電性環氧樹脂的直接連接，仍具有較低的導熱性。由於所述襯底未被直接接觸，所以浮動襯底的電壓也未被指定。在電路設計中，未調節的電壓是不可取的。因此，需要一種替代方法來形成II1-N族HEMT。
發明內容
本發明的電晶體增強了緩衝擊穿。本發明的電晶體包括第一導電類型的襯底，以及位於所述襯底中的第二導電類型的阱。所述的襯底和所述的阱各自具有頂面。所述電晶體還包括與所述襯底的頂面和所述阱的頂面接觸的緩衝層，以及與所述緩衝層的頂面接觸的溝道層。所述緩衝層和所述溝道層各自具有頂面，而所述溝道層包括III族氮化物。所述電晶體進一步包括與所述溝道層的頂面接觸的阻擋層，以及與所述溝道層接觸的間隔開的金屬源區和漏區。所述阻擋層包括III族氮化物。所述金屬漏區直接位於所述阱上方。在本發明中的形成電晶體的方法包括形成第一導電類型的襯底，以及在所述襯底中形成第二導電類型的阱。所述襯底和所述阱各自具有頂面。所述方法還包括形成與所述襯底的頂面和所述阱的頂面接觸的緩衝層，以及形成與所述緩衝層的頂面接觸的溝道層。所述緩衝層和所述溝道層各自具有頂面，而所述溝道層包括III族氮化物。所述方法進一步包括形成與所述溝道層的頂面接觸的阻擋層，以及與所述溝道層接觸的間隔開的金屬源區和漏區。所述阻擋層包括III族氮化物。所述金屬漏區直接位於所述阱上方。
圖1是示出常規II1-N族HEMT100的橫截面圖。圖2-6是示出根據本發明形成II1-N族HEMT200的方法示例的一系列橫截面圖。圖7A和7B分別是示出根據本發明，單個II1-N族HEMT200和一對並排的II1-N族HEMT200的操作的橫截面圖。圖8-12是示出根據本發明的第一替代性實施例形成II1-N族HEMT800的方法示例的一系列橫截面圖。圖13-16是示出根據本發明的第二替代性實施例形成II1-N族HEMT1300的方法不例的一系列橫截面圖。
具體實施例方式圖2至6示出圖解說明根據本發明形成II1-N族HEMT200的方法示例的一系列橫截面圖。如下面更詳細描述的，本發明的方法在漏極下面的矽襯底中形成P-η結，從而形成利用緩衝擊穿電壓串聯作用的結隔離勢壘，並因此提高緩衝擊穿電壓。如圖2中所示，本發明的方法利用常規形成的單晶、輕摻雜P型Si半導體襯底210(例如，〈111>)。如圖2中進一步所示，本發明的方法首先在襯底210的頂面上形成圖案化的光致抗蝕劑層212。圖案化光致抗蝕劑層212以常規方式形成，其包括沉積光致抗蝕劑層，投射光通過稱為掩模的圖案化黑/透明的玻璃板，以在光致抗蝕劑層形成圖案化圖像，從而軟化光暴露的光致抗蝕劑區域，然後除去軟化的光致抗蝕劑區域。在形成圖案化光致抗蝕劑層212後，對所述襯底210的已暴露區域進行蝕刻，以形成中間的HEMT結構214，該結構包括對準標記216。然後，移除圖案化光致抗蝕劑層212。如圖3中所示，移除圖案化光致抗蝕劑層212後，以常規方式在襯底210的頂面上形成圖案化光致抗蝕劑層220。在形成圖案化光致抗蝕劑層220後，通過圖案化光致抗蝕劑層220中的開口，將η型摻雜劑，例如磷和/或砷，注入襯底210。然後進行退火，以擴散和激活注入物，從而形成中間的HEMT結構230，該結構包括在襯底210中的η阱232。然後，除去圖案化光致抗蝕劑層220。如圖4中所示，一旦除去圖案化光致抗蝕劑層220，就在襯底210上形成分層區域240。分層區域240進而包括緩衝層242、溝道層244以及阻擋層246。緩衝層242、溝道層244和阻擋層246可各自藉助一個或更多個連續的III族氮化物層實現，所述的III族包括In,Ga和Al中的一個或更多個。例如，緩衝層242可藉助AlN (熱穩定材料)、AlGaN和GaN的連續層實現。此外，溝道層244可藉助例如GaN實現，且阻擋層246可藉助例如AlGaN實現。分層區域240可以以常規方式形成，例如，通過將中間HEMT結構230放在MOCVD反應器中並在襯底結構210的頂面上外延生長緩衝層242，在緩衝層242的頂面上外延生長溝道層244，以及在溝道層244的頂面上外延生長阻擋層246。如圖5中所示，按常規方式形成分層區域240後，除了利用對準標記216將金屬漏區254直接定位在所述η阱232上外，所述方法通過以常規方式形成金屬柵區250、金屬源區252以及金屬漏區254完成II1-N族ΗΕΜΤ200的形成。形成金屬柵區250以進行肖特基接觸，而形成金屬源區252和金屬漏區254以與溝道層244進行歐姆接觸。替代地，如圖5中的虛線所示，可通過絕緣層ISO將柵極250與阻擋層246隔離。另外，所述方法通過移除位於對準標記216和非器件區域上方的阻擋層246和溝道層244，隔離相鄰器件。當從對準標記216和非器件區域上方移除阻擋層246和溝道層244時，所述的移除形成開口 256，其中開口 256的底部暴露緩衝層242的一部分，且開口256的側壁暴露溝道層244和阻擋層246的一部分。替代地，如圖6中所示，所述方法可通過將隔離物種，例如氮，注入位於對準標記216和非器件區域上方的阻擋層246和溝道層244的區域，隔離相鄰器件。(注入還驅動隔離物種部分地進入緩衝層242。)當阻擋層246和溝道層244被注入時，注入形成位於緩衝層242上的注入隔離區域258，並接觸和橫向位於溝道層244和阻擋層246的區域之間。圖7Α-7Β示出圖解說明根據本發明，II1-N族ΗΕΜΤ200的操作的橫截面圖。圖7Α示出單個II1-N族ΗΕΜΤ200的操作。如圖7Α中所示，當漏源極擊穿時，擊穿電流沿著金屬漏極區254至金屬源極區252的路徑流動，所述路徑包括擊穿路徑段Α、B和C。但是，P襯底210中的η阱232的形成形成了具有耗盡區260的p-η結，耗盡區260中斷了路徑段B。擊穿路徑A仍然有效，但是當其接通時，其將ρ-η結反向偏置，從而切斷了擊穿路徑B和C。由於是ρ-η結的反向偏置擊穿電壓提高了緩衝擊穿電壓，所以選擇用於形成η阱232的摻雜濃度，以使反向偏置的擊穿電壓最大化。因此，本發明的優勢之一在於通過在金屬漏區254下面形成ρ-η結，當Si襯底上生長薄的緩衝層(例如，2至3微米厚度)時，充分地提高緩衝擊穿電壓。提高的緩衝擊穿電壓進而為II1-N族ΗΕΜΤ200提供更高的擊穿電壓。圖7Β示出一對並排的ΙΙΙ-Μ^ΗΕΜΤ200的操作。如圖7Β中所示，ΙΙΙ_Μ^ΗΕΜΤ200的每個漏極254居中位於相對應的η阱232上方。η阱232進而可向左邊橫向延伸，遠到II1-N族ΗΕΜΤ200的源極252，且向右邊延伸相同的距離，到達如圖7Β中所示的點，該點與相鄰的II1-N族ΗΕΜΤ200對的柵極之間的中點大致重合。通過實驗確定η阱232的寬度，以便確保從漏極254流至緩衝層242從而流至襯底210，由此環繞在相應的η阱232的ρ-η結的任何擊穿電流具有降低的電壓，該電壓約等於η阱232的反向偏置擊穿電壓。由於II1-N族ΗΕΜΤ200為橫向的高電壓電晶體，其具有相對小於橫向尺寸的垂直尺寸，所以電晶體具有足夠大的橫向尺寸，以容納η阱232的寬度。如圖7Β中進一步所示，ρ-η結允許η阱232電浮動，且允許ρ型襯底210電接地。因此，本發明的另一個優勢在於，讓P型襯底210接地降低相鄰器件之間的串擾。另外，讓P型襯底210接地允許利用導電性的環氧樹脂(相比非導電性的環氧樹脂，提供更好的導熱性)將II1-N族ΗΕΜΤ200連至封裝體。圖8-12示出圖解說明根據本發明的第一替代性實施例，形成II1-N族ΗΕΜΤ800的方法示例的一系列橫截面圖。形成II1-N族ΗΕΜΤ800的方法與上面形成II1-N族ΗΕΜΤ200的方法相同，其移除圖案化光致抗蝕劑層 212，並因此，利用相同的參考數字指定對兩種方法共同的結構。如圖8中所示，一旦已形成圖案化光致抗蝕劑層212，則例如通過將中間HEMT結構214放在MOCVD反應器中並以常規方式在襯底210的頂面上外延生長第一緩衝層810而形成第一緩衝層810。第一緩衝層810 (充分地薄於緩衝層242)的生長形成了中間的HEMT結構812。第一緩衝層810可用一個或更多個相繼的III族氮化物層實現，III族包括In、Ga和Al中的一個或更多個。第一緩衝層810優選用熱穩定性材料實現，例如AlN或，一個或更多個II1-N族材料序列且其頂層具有高的Al成分(例如高於50%)。如圖9中所示，形成第一緩衝層810後，就從反應器中移除中間HEMT結構812並以常規方式在第一緩衝層810的頂面上形成圖案化光致抗蝕劑層814。形成圖案化光致抗蝕劑層814後，通過圖案化光致抗蝕劑層814中的開口以及通過第一緩衝層810注入η型摻雜劑，例如磷和/或砷，以在襯底210中形成η型注入區域。選擇注入的摻雜濃度，使其大約等於用於形成η阱232的摻雜濃度。在這之後，通過圖案化光致抗蝕劑層814中的開口將η型摻雜劑，例如Si，注入第一緩衝層810，以在第一緩衝層810中形成η型注入區域。選擇注入的摻雜濃度，使其大約等於用於形成η阱232的摻雜濃度。然後移除圖案化光致抗蝕劑層814，以形成中間的HEMT結構816。如圖10中所示，一旦已經移除圖案化光致抗蝕劑層814，就將中間HEMT結構816返回至反應器，並進行退火，以擴散和激活注入的摻雜劑，從而在襯底210中形成η阱820，以及位於η阱820上方並接觸η阱820的第一緩衝層810中的η型區域822。
(η阱820和η型區域822可替換地利用分開的掩模形成。例如，在利用如圖3中所示的圖案化光致抗蝕劑層220形成第一緩衝層810之前，形成η阱，使得圖9中所示的圖案化光致抗蝕劑層814僅用於形成η型區域822)。退火後，通過以常規方式在第一緩衝層810的頂面上外延生長第二緩衝層824，形成第二緩衝層824。第一緩衝層810的厚度和第二緩衝層824的厚度大約等於緩衝層242的厚度。一旦已經形成第二緩衝層824，就在第二緩衝層824上外延生長溝道層826，且以常規方式在溝道層826上外延生長阻擋層828。第二緩衝層824、溝道層826以及阻擋層828可各自用一個或更多個相繼的III族氮化物層實現，III族包括In、Ga和Al中的一個或更多個。例如，可用AlGaN和GaN的連續層形成第二緩衝層824，溝道層826可由GaN形成，且阻擋層828可由AlGaN形成。第一緩衝層810、第二緩衝層824、溝道層826和阻擋層828形成分層區域830。如圖11中所示，在以常規方式形成阻擋層828後，除了利用對準標記216將金屬漏區844定位為直接在η阱820和η型區域822上方外，所述方法通過以常規方式形成金屬柵區840、金屬源區842以及金屬漏區844，完成II1-N族ΗΕΜΤ800的形成。形成金屬柵區840以進行肖特基接觸，而形成金屬源區842和金屬漏區844以與溝道層826進行歐姆接觸。替代地，如圖11中的虛線所示，可通過絕緣層ISO將柵極840與阻擋層828隔尚。另外，所述方法通過移除位於對準標記216和非器件區域上方的阻擋層828和溝道層826，隔離相鄰的器件。當從對準標記216和非器件區域上方移除阻擋層828和溝道層826時，移除形成開口 846，其中開口 846的底部暴露緩衝層824的一部分，且開口 846的側壁暴露溝道層826和阻擋層828的一部分。替代地，如圖12中所示，所述方法可通過將隔離物種，例如氮，注入位於對準標記216和非器件區域上方的阻擋層828和溝道層826的區域來隔離相鄰的器件。(注入還驅動隔離物種部分地進入緩衝層824。)當阻擋層828和溝道層826被注入時，注入形成位於緩衝層824上方的注入隔離區域848，並接觸和橫向位於溝道層826和阻擋層828的區域之間。因此，本發明的第一替代性實施例的優勢之一在於，在直接位於η阱820上方的第一緩衝層810中形成η型區域822使襯底210和緩衝層之間的界面所存在的任何洩漏電流最低。另外，II1-N族ΗΕΜΤ800與II1-N族ΗΕΜΤ200工作相同。圖13-16示出圖解說明根據本發明的第二替代性實施例，形成II1-N族ΗΕΜΤ1300的方法示例的橫截面圖。形成II1-N族ΗΕΜΤ1300的方法與上面形成II1-N族ΗΕΜΤ800的方法相同，其移除圖案化光致抗蝕劑層814，並因此利用相同的參考數字指定兩種方法共同的結構。如圖13所示，在移除圖案化光致抗蝕劑層814後，以常規方式在第一緩衝層810上形成圖案化光致抗蝕劑層1310。在形成圖案化光致抗蝕劑層1310後，通過圖案化光致抗蝕劑層1310中的開口，將ρ型摻雜劑，例如Mg，注入第一緩衝層810，從而在第一緩衝層810中形成注入區域。
選擇用於形成注入區域的摻雜濃度，使其大約等於用於形成ρ型襯底210的摻雜濃度。然後移除圖案化光致抗蝕劑層1310，以形成中間的HEMT結構1314。(在形成圖案化光致抗蝕劑層814之前，可選擇地形成圖案化光致抗蝕劑層1310。)如圖14中所示，在移除圖案化光致抗蝕劑層1310後，將中間HEMT結構1314返回至反應器，並進行退火，以擴散和激活注入的摻雜劑，從而在襯底210中形成η阱820，在位於η阱820上並接觸η阱820的第一緩衝層810中形成η型區域822，以及形成第一緩衝層810中的ρ型區域1316。擴散後，如圖14中所示，ρ型區域1316接觸η型區域822，從而在第一緩衝層810中形成ρ-η結。如圖15中所示，在已經完成退火後，如關於第一替代性實施例所述的，所述方法繼續，以形成II1-N族ΗΕΜΤ1300，即，通過形成第二緩衝層824、溝道層826和阻擋層828，以及金屬接點840、842和844。因此，本發明的第二替代性實施例的優勢之一在於，在具有ρ型區域1316和η型區域822的第一緩衝層810中形成ρ-η結進一步使襯底210和緩衝層之間的界面上存在的任何洩漏電流最小。替代地，如圖16中所示，可定位圖案化光致抗蝕劑層1310，以便退火後，所擴散的P型摻雜劑不延續遍布而接觸擴散的η型摻雜劑，η型摻雜劑形成η型區域822，從而形成在P型區域1316和η型區域822之間的間隙1320。另外，II1-N族ΗΕΜΤ1300的兩個變體與II1-N族ΗΕΜΤ800工作相同。應該理解，上述描述僅為本發明的示例，且可利用本文所描述的本發明的各種替代方案實施本發明。例如，II1-N族HEMT通常被形成為耗盡型器件，但也可形成為增強型器件。因為這些器件的襯底和緩衝層結構相同，所以本發明同樣很好地適用於增強型器件。因此，其目的在於，所附的權利要求限定本發明的保護範圍以及由此涵蓋的這些權利要求範圍內的結構和方法和其等價物。
權利要求
1.一種電晶體，包括: 第一導電類型的襯底，所述襯底具有頂面； 位於所述襯底中的第二導電類型的阱，所述阱具有頂面； 與所述襯底的頂面和所述阱的頂面接觸的緩衝層，所述緩衝層具有頂面； 與所述緩衝層的頂面接觸的溝道層，所述溝道層包括III族氮化物且具有頂面； 與所述溝道層的頂面接觸的阻擋層，所述阻擋層包括III族氮化物；以及 與所述溝道層接觸的間隔開的金屬源區和漏區，所述金屬漏區直接位於所述阱上方。
2.根據權利要求1中所述的電晶體，其中所述金屬漏區與所述阱間隔開。
3.根據權利要求1中所述的電晶體，其進一步包括注入隔離區，其與所述緩衝層接觸且接觸並在橫向位於所述溝道層和所述阻擋層的區域之間。
4.根據權利要求1中所述的電晶體，其進一步包括位於所述襯底中的對準標記開口，所述金屬漏區具有針對所述對準標記開口的預定義空間關係。
5.根據權利要求1中所述的電晶體，其進一步包括與所述阻擋層接觸或通過絕緣層與所述阻擋層隔離的金屬柵極。
6.根據權利要求1中所述的電晶體，其中所述緩衝層包括: 與所述襯底的頂面和所述阱的頂面接觸的第一緩衝層； 位於所述第一緩衝層中的所述第二導電類型的區域；以及 與所述第一緩衝層接觸的第二緩衝`層，所述溝道層接觸所述第二緩衝層的頂面。
7.根據權利要求6中所述的電晶體，其中所述第一緩衝層薄於所述第二緩衝層。
8.根據權利要求6中所述的電晶體，其中位於所述第一緩衝層中的所述第二導電類型的所述區域直接位於所述阱上方且與所述阱接觸。
9.根據權利要求6中所述的電晶體，其進一步包括位於所述第一緩衝層中的所述第一導電類型的區域。
10.根據權利要求9中所述的電晶體，其中位於所述第一緩衝層中所述第一導電類型的所述區域與位於所述第一緩衝層中所述第二導電類型的所述區域接觸。
11.一種形成電晶體的方法，包括: 形成第一導電類型的襯底，所述襯底有頂面； 在所述襯底中形成第二導電類型的阱，所述阱具有頂面； 形成與所述襯底的頂面和所述阱的頂面接觸的緩衝層，所述緩衝層具有頂面； 形成與所述緩衝層的頂面接觸的溝道層，所述溝道層包括III族氮化物且具有頂面； 形成與所述溝道層的頂面接觸的阻擋層，所述阻擋層包括III族氮化物；以及 形成與所述溝道層接觸的間隔開的金屬源區和漏區，所述金屬漏區直接位於所述阱上方。
12.根據權利要求11中所述的方法，其中所述金屬漏區與所述阱間隔開。
13.根據權利要求11中所述的方法，其進一步包括去除所述阻擋層和所述溝道層的一部分，以形成開口，所述開口的底部暴露所述緩衝層的一部分，所述開口的側壁暴露所述溝道層和所述阻擋層的一部分。
14.根據權利要求11中所述的方法，其進一步包括在所述襯底中形成對準標記開口，所述金屬漏區具有針對所述對準標記開口的預定義空間關係。
15.根據權利要求11中所述的方法，其進一步包括形成金屬柵極，以接觸所述阻擋層或通過絕緣層與所述阻擋層隔離。
16.根據權利要求11中所述的方法，其中形成所述緩衝層包括: 形成與所述襯底的頂面和所述阱的頂面接觸的第一緩衝層，所述第一緩衝層具有頂面； 形成位於所述第一緩衝層中的所述第二導電類型的區域；以及形成與所述第一緩衝層的頂面接觸的第二緩衝層，所述溝道層接觸所述第二緩衝層的頂面。
17.根據權利要求16中所述的方法，其中所述第一緩衝層薄於所述第二緩衝層。
18.根據權利要求16中所述的方法，其中位於所述第一緩衝層中的所述第二導電類型的所述區域直接位於所述阱上方且與所述阱接觸。
19.根據權利要求16中所述的方法，其進一步包括形成位於所述第一緩衝層中的所述第一導電類型的區域。
20.根據權利要求19中所述的方法，其中位於所述第一緩衝層中的所述第一導電類型的所述區域與位於所述第一緩衝層`中的所述第二導電類型的所述區域接觸。
全文摘要
通過在p型Si襯底(210)中形成n阱(232,820)，使其直接位於III-N族HEMT(200,800,1300)的金屬漏區(254,844)下，顯著地提高p型Si襯底(210)上的III-N族HEMT(200,800,1300)的緩衝擊穿。所述的n阱(232,820)形成p-n結，其在擊穿期間變為反向偏置，從而將所述的緩衝擊穿提高了所述p-n結的反向偏置擊穿電壓並允許所述的襯底(210)接地。所述的III-N族HEMT(800)的緩衝層(824)還可包括與所述的n阱(820)對準的n型區域(822)，且所述的III-N族HEMT(1300)的緩衝層(824)還進一步包括p型區域(1316)，以使所述襯底(210)和所述緩衝層(824)之間的結處的任何洩露電流最小。
文檔編號H01L21/335GK103201840SQ201180050701
公開日2013年7月10日 申請日期2011年7月31日 優先權日2010年10月20日
發明者S·巴爾, C·布魯卡 申請人:美國國家半導體公司