一種mos器件的鈍化層形成方法以及一種mos器件的製作方法
2023-12-07 19:33:56 4
一種mos器件的鈍化層形成方法以及一種mos器件的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種MOS器件的鈍化層形成方法以及一種MOS器件。所述MOS器件的鈍化層形成方法包括：形成襯底；在襯底上形成介質；圖案化介質以露出部分襯底；在露出的襯底部分和介質上形成金屬；在金屬上形成正矽酸乙酯TEOS；在TEOS上形成磷矽玻璃PSG；以及在PSG上形成氮氧化合物。利用本發明，可以改善鈍化層開裂的問題。
【專利說明】一種MOS器件的鈍化層形成方法以及一種MOS器件
【技術領域】
[0001]本發明屬於半導體器件製造領域，尤其涉及一種MOS器件的鈍化層形成方法以及一種MOS器件。
【背景技術】
[0002]如圖1所示，示出了現有技術的DMOS產品的結構。該DMOS產品包括襯底1、介質
2、金屬3和鈍化層4。其中該鈍化層4為10000埃的氮化矽層。
[0003]通常，高壓DMOS產品需要做HTRB測試(高溫/反向高壓可靠性測試)和HTGB測試(高溫高壓(柵極)可靠性測試)，因其應用不同，其要求也不同。一些低端產品只要求通過168小時的測試，而一些高端產品則需要通過1000小時的測試。在實際生產中發現，很多產品在500小時以上的考核中，由於在進行鹽酸浸泡(即針孔實驗)後，有大量的鋁被侵蝕，鈍化層4存在開裂現象，從而很容易發生漏電問題。
【發明內容】
[0004]有鑑於此，本發明需要提供一種新的鈍化層形成方法和MOS器件，以改善鈍化層開裂問題。
[0005]本發明提供了一種MOS器件的鈍化層形成方法，所述方法包括:
形成襯底；
在襯底上形成介質；
圖案化介質以露出部分襯底；
在露出的襯底部分和介質上形成金屬；
在金屬上形成正矽酸乙酯TEOS ；
在TEOS上形成磷矽玻璃PSG ；以及 在PSG上形成氮矽化合物。
[0006]優選地，在本發明的上述方法中，所述TEOS的厚度為9000埃-11000埃，所述PSG的厚度為2700埃-3300埃，所述氮矽化合物可為SiON，所述SiON的厚度為2700埃-3300埃，另外，所述氮矽化合物還可為SiN。
[0007]優選地，在本發明的上述方法中，所述TEOS的厚度為10000埃，所述PSG的厚度為3000埃，所述SiON的厚度為3000埃。
[0008]優選地，在本發明的上述方法中，以化學氣相澱積方式形成TEOS、PSG、SiON或TE0S、PSG、SiN0
[0009]優選地，在本發明的上述方法中，所述MOS器件為CMOS器件或DMOS器件。
[0010]本發明還提供一種MOS器件，所述MOS器件包括襯底、形成在部分襯底上的介質、形成在介質和襯底上的金屬以及形成在金屬上的鈍化層，其中所述鈍化層包括:
形成在金屬上的正矽酸乙酯TEOS ；
形成在TEOS上的磷矽玻璃PSG ；以及 形成在PSG上的氮矽化合物。
[0011]優選地，在本發明的上述MOS器件中，所述TEOS的厚度為9000埃-11000埃，所述PSG的厚度為2700埃-3300埃，所述氮矽化合物可為SiON，所述SiON的厚度為2700埃-3300埃，另外，所述氮矽化合物還可為SiN。
[0012]優選地，在本發明的上述MOS器件中，所述TEOS的厚度為10000埃，所述PSG的厚度為3000 ±矣，所述SiON的厚度為3000埃。
[0013]優選地，在本發明的上述MOS器件中，以化學氣相澱積方式形成TE0S、PSG、Si0N或TE0S、PSG、SiN。
[0014]優選地，在本發明的上述MOS器件中，所述MOS器件為CMOS器件或DMOS器件。
[0015]利用本發明，由於底層的TEOS和PSG可以有效緩解頂層的應力，同時頂層氮氧化矽的應力比原來的氮化矽應力小，從而有效改善鈍化層開裂問題。
[0016]利用本發明，可以有效降低產品報廢率，提高生成效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1為根據現有技術的DMOS產品的結構示意圖；
圖2為根據本發明的示意性實施例的MOS器件的鈍化層形成方法；以及 圖3為根據本發明的示意性實施例的MOS器件的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0018]下面將結合附圖詳細描述本發明的優選實施例，在附圖中相同的參考標號表示相同的元件。
[0019]圖2為根據本發明的示意性實施例的MOS器件的鈍化層形成方法。如圖所示，該方法包括以下步驟:
S1:形成襯底。襯底可以例如為〈100晶向 >，電阻15?25歐姆的單晶矽。
[0020]S2:在襯底上形成介質。介質可以例如為氧化層，例如為氧化矽層。
[0021]S3:圖案化介質以露出部分襯底。
[0022]S4:在露出的襯底部分和介質上形成金屬。金屬可以例如為鋁。
[0023]S5:在金屬上形成正矽酸乙酯TE0S。優選地，TEOS的厚度為9000埃-11000埃。更優選地，TEOS的厚度為10000埃。
[0024]S6:在TEOS上形成磷矽玻璃PSG。優選地，PSG的厚度為2700埃-3300埃。更優選地，PSG的厚度為3000埃。
[0025]S7:在PSG上形成氮矽化合物。優選地，SiON的厚度為3000埃。更優選地，SiON的厚度為3000埃。另外，SiON可用SiN替換。
[0026]優選地，以化學氣相澱積方式形成TEOS、PSG、SiON。
[0027]優選地，上述MOS器件為CMOS器件或DMOS器件。
[0028]圖3為根據本發明的示意性實施例的MOS器件的結構示意圖。在形成鈍化層過程的氮氧化合物可為SiON或SiN等，下面實施例中氮氧化合物僅以SiON為例，如圖所示，MOS器件包括襯底1、形成在部分襯底上的介質2、形成在介質和襯底上的金屬3以及形成在金屬上的鈍化層4』，其中所述鈍化層4』包括: 形成在金屬3上的正矽酸乙酯TEOS 41 ；
形成在TEOS 41上的磷矽玻璃PSG 42 ;以及 形成在PSG 42上的氮氧化矽SiON 43。
[0029]優選地，TEOS 41的厚度為9000埃-11000埃，PSG 42的厚度為2700埃-3300埃，SiON 43的厚度為2700埃-3300埃。
[0030]更優選地，TEOS 41的厚度為10000埃，PSG 42的厚度為3000埃，SiON 43的厚度為3000埃。
[0031]優選地，以化學氣相澱積方式形成TEOS 41、PSG 42、SiON 43。
[0032]優選地，上述MOS器件可以為CMOS器件或DMOS器件。
[0033]鑑於這些教導，熟悉本領域的技術人員將容易想到本發明的其它實施例、組合和修改。因此，當結合上述說明和附圖進行閱讀時，本發明僅僅由權利要求限定。
【權利要求】
1.一種MOS器件的鈍化層形成方法，其特徵在於，所述方法包括: 形成襯底； 在襯底上形成介質； 圖案化介質以露出部分襯底； 在露出的襯底部分和介質上形成金屬； 在金屬上形成正矽酸乙酯TEOS ； 在TEOS上形成磷矽玻璃PSG ；以及 在PSG上形成氮氧化合物。
2.如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述TEOS的厚度為9000埃-11000埃，所述PSG的厚度為2700埃-3300埃，所述氮矽化合物可為SiON，所述SiON的厚度為2700埃-3300埃，另外，所述氮矽化合物還可為SiN。
3.如權利要求2所述的方法，其特徵在於，所述TEOS的厚度為10000埃，所述PSG的厚度為3000 ±矣，所述SiON的厚度為3000埃。
4.如權利要求1-3之一所述的方法，其特徵在於，以化學氣相澱積方式形成TE0S、PSG、SiON 或 TE0S、PSG、SiN。
5.如權利要求1-3之一所述的方法，其特徵在於，所述MOS器件為CMOS器件或DMOS器件。
6.一種MOS器件，其特徵在於，所述MOS器件包括襯底、形成在部分襯底上的介質、形成在介質和襯底上的金屬以及形成在金屬上的鈍化層，其中所述鈍化層包括: 形成在金屬上的正矽酸乙酯TEOS ； 形成在TEOS上的磷矽玻璃PSG ；以及 形成在PSG上的氮矽化合物。
7.如權利要求6所述的MOS器件，其特徵在於，所述TEOS的厚度為9000埃-11000埃，所述PSG的厚度為2700埃-3300埃，所述氮矽化合物可為SiON，所述SiON的厚度為2700埃-3300埃，另外，所述氮矽化合物還可為SiN。
8.如權利要求7所述的MOS器件，其特徵在於，所述TEOS的厚度為10000埃，所述PSG的厚度為3000埃，所述SiON的厚度為3000埃。
9.如權利要求6-8之一所述的MOS器件，其特徵在於，以化學氣相澱積方式形成TE0S、PSG、SiON 或 TEOS, PSG、SiN。
10.如權利要求6-8之一所述的MOS器件，其特徵在於，所述MOS器件為CMOS器件或DMOS器件。
【文檔編號】H01L27/092GK103578919SQ201210260811
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月26日 優先權日:2012年7月26日
【發明者】王者偉, 陳雪磊, 高留春, 劉斌斌, 趙宏星, 黃國民, 焦驥斌, 蔣龍 申請人:無錫華潤上華科技有限公司