薄膜電晶體陣列基底和包括該基底的有機發光顯示設備的製作方法

2023-12-11 14:34:12 1

薄膜電晶體陣列基底和包括該基底的有機發光顯示設備的製作方法
【專利摘要】提供了一種包括多個像素的薄膜電晶體陣列基底和一種包括該薄膜電晶體陣列基底的有機發光顯示設備，每個像素包括：電容器，包括第一電極和位於第一電極上方的第二電極；數據線，沿著第一方向延伸，被構造為提供數據信號，位於電容器上方，並且與電容器的一部分疊置；以及驅動電壓線，被構造為提供驅動電壓，位於電容器和數據線之間，並且包括沿著第一方向延伸的第一線和沿著與第一方向基本垂直的第二方向延伸的第二線。
【專利說明】薄膜電晶體陣列基底和包括該基底的有機發光顯示設備
[0001]本申請要求於2013年2月28日在韓國知識產權局提交的第10-2013-0022444號韓國專利申請的優先權和權益，該申請公開的內容通過引用被全部包含於此。
【技術領域】
[0002]本發明實施例涉及一種薄膜電晶體陣列基底以及包括該薄膜電晶體陣列基底的有機發光顯示設備。
【背景技術】
[0003]有機發光顯示設備是自發射的，並且與液晶顯示設備不同，有機發光顯示設備不需要諸如背光的單獨的光源，因此相對地減小了厚度並減輕了重量。另外，有機發光顯示設備具有包括低功耗、高亮度或快速響應時間等的優良的特性。
[0004]有機發光顯示設備包括:柵極線，位於基底上並且沿著一個方向延伸；數據線，延伸以與柵極線交叉；像素電路，電連接到每條柵極線和每條數據線；以及有機發光二極體(0LED),電連接到像素電路。然而，近來，需要具有高清晰度的有機發光顯示設備，使得像素電路的可用空間減小。

【發明內容】

[0005]本發明的實施例提供一種薄膜電晶體陣列基底以及包括該薄膜電晶體陣列基底的有機發光顯示設備，通過該薄膜電晶體陣列基底，可以減小或防止由於數據線和電容器之間的耦合導致的串擾，並且/或者驅動電壓線可以被設計為具有網狀結構。
[0006]根據本發明實施例的一方面，提供一種包括多個像素的薄膜電晶體陣列基底，所述多個像素中的每個像素包括:電容器，包括第一電極和位於第一電極上方的第二電極；數據線，沿著第一方向延伸，被構造為提供數據信號，位於電容器上方，並且與電容器的一部分疊置；以及驅動電壓線，被構造為提供驅動電壓，位於電容器和數據線之間，並且包括沿著第一方向延伸的第一線和沿著與第一方向基本垂直的第二方向延伸的第二線。
[0007]電容器的第二電極可通過接觸孔電結合到驅動電壓線。
[0008]驅動電壓線可具有網狀結構。
[0009]驅動電壓線的第一線可以結合到所述多個像素中在第一方向上彼此相鄰的一個像素，驅動電壓線的第二線可結合到所述多個像素中在第二方向上彼此相鄰的一個像素。
[0010]驅動電壓線的第二線可以完全覆蓋電容器。
[0011]薄膜電晶體陣列基底還可包括:堆疊在電容器和驅動電壓線之間的第一層間絕緣層和第二層間絕緣層；以及在驅動電壓線和數據線之間的第三層間絕緣層。
[0012]所述多個像素中的每個像素還可以包括:驅動薄膜電晶體(TFT)，電結合在驅動電壓線和發光裝置之間；以及開關TFT，電結合在數據線和驅動TFT之間。
[0013]驅動TFT可以包括:半導體層；柵電極，結合到電容器的第一電極，位於半導體層的上方並與電容器的第二電極處於同一層；源電極，電結合到驅動電壓線；以及漏電極，電結合到發光裝置。
[0014]開關TFT可以包括:半導體層；柵電極，位於半導體層的上方並與電容器的第一電極處於同一層，並且結合到沿著第二方向延伸的第一掃描線；源電極，結合到數據線；以及漏電極，結合到驅動TFT。
[0015]所述多個像素中的每個像素還可以包括:第一掃描線、第二掃描線和發射控制線，沿著第二方向延伸並與電容器的第一電極處於同一層；以及初始化電壓線，在驅動電壓線和電容器的第二電極之間沿著第二方向延伸。
[0016]根據本發明實施例的另一方面，提供一種包括多個像素的有機發光顯示設備，所述多個像素中的每個像素包括:第一薄膜電晶體(TFT)，在基底上並且包括柵電極；第二TFT,在基底上並且包括柵電極；電容器,包括第一電極和第二電極,第一電極與第二 TFT的柵電極處於同一層，第二電極在第一電極上方並與第一 TFT的柵電極處於同一層；數據線，被構造為提供數據信號，位於電容器的上方並與電容器的一部分疊置，數據線沿著第一方向延伸；以及驅動電壓線，位於電容器和數據線之間並且被構造為提供驅動電壓，驅動電壓線包括沿著第一方向延伸的第一線和沿著與第一方向基本垂直的第二方向延伸的第二線。
[0017]電容器的第二電極可通過接觸孔電結合到驅動電壓線。
[0018]驅動電壓線可以具有網狀結構。
[0019]驅動電壓線的第一線 可以結合到所述多個像素中在第一方向上彼此相鄰的像素，驅動電壓線的第二線可以結合到所述多個像素中在第二方向上彼此相鄰的像素。
[0020]驅動電壓線的第二線可以完全覆蓋電容器。
[0021 ] 所述有機發光顯示設備還可以包括:堆疊在電容器和驅動電壓線之間的第一層間絕緣層和第二層間絕緣層；以及在驅動電壓線和數據線之間的第三層間絕緣層。
[0022]第一 TFT可以電結合在驅動電壓線和發光裝置之間，第二 TFT可以結合在數據線和第一 TFT之間。
[0023]第一 TFT還可以包括:半導體層；源電極，電結合到驅動電壓線；以及漏電極，電結合到發光裝置；第一 TFT的柵電極可位於半導體層的上方並與電容器的第二電極處於同一層，並且可結合到電容器的第一電極。
[0024]第二 TFT還可以包括:半導體層；源電極，結合到數據線；以及漏電極，結合到第一TFT ;第二 TFT的柵電極可位於半導體層的上方並與電容器的第一電極處於同一層，並且可結合到沿著第二方向延伸的第一掃描線。
[0025]所述多個像素中的每個像素還可以包括:第一掃描線、第二掃描線和發射控制線，沿著第二方向延伸並與電容器的第一電極處於同一層；以及初始化電壓線，沿著第二方向延伸並且位於電容器的第二電極和驅動電壓線之間。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]通過參照附圖詳細描述本發明的示例性實施例，本發明的以上和其他方面將變得更明顯，在附圖中:
[0027]圖1是根據本發明實施例的顯示設備的框圖；
[0028]圖2是根據本發明實施例的顯示設備的一個像素的電路圖；
[0029]圖3是示出根據本發明實施例的圖2的像素的平面圖；[0030]圖4是示出圖3中所示的信號線的剖視圖；
[0031]圖5是根據本發明實施例的圖3的結構沿著線A-A』、B_B』和C_C』截取的剖視圖；
[0032]圖6是用來與圖5中所示的本發明的實施例作比較的比較示例的剖視圖。
【具體實施方式】
[0033]在下文中，將通過參照附圖解釋本發明的示例性實施例，以詳細的說明本發明的實施例。然而，本發明可以以多種不同的形式來實施，並且不應該被理解為局限於在此闡述的實施例，而是提供這些實施例使本公開將是徹底和完全的，並將本發明的範圍充分地傳達給本領域的技術人員。
[0034]在以下描述中，不會詳細描述公知的功能或構造以避免因不必要的細節導致本發明變得難以理解。附圖中相同的附圖標記在整個說明書中指的是相同或相似的元件。
[0035]此外，為了便於描述，可以任意地示出附圖中的元件的厚度和尺寸，因此，本發明的精神和範圍未必由附圖限定。
[0036]在附圖中，為了清楚起見，可以誇大層和區域的厚度。在整個說明書中，也將理解的是，當諸如層、區域或基底的元件被稱為「在」另一元件「上」時，其可以直接在另一元件上，或者也可以存在一個或多個中間元件。
[0037]此外，當部件「包括」或「包含」元件時，除非有與之相反的具體的說明，否則該部件可以還/另外包括其他元件。此外，在整個說明書中，也將理解的是，當元件被稱為「在」目標元件「上方」時，意味著該元件可以在目標元件上方或下方，並且不一定意味著該元件沿著重力方向在目標元件上方。
[0038]如在此使用的，術語「和/或」包括一個或多個相關列出項目的任意和所有組合。
[0039]圖1是根據本發明實施例的顯示設備10的框圖。
[0040]在本實施例中，顯示設備10包括:包括多個像素I的顯示單元100、掃描驅動單元200、數據驅動單元300、發射控制驅動單元400和控制單元500。
[0041]顯示單元100包括多個像素I，多個像素I分別在多條掃描線SLl至SLn、多條數據線DLl至DLm和多條發射控制線ELl至ELn中的各條的交叉點/交叉區域處並且排列成矩陣。多條掃描線SLl至SLn和多條發射控制線ELl至ELn沿著作為行方向的第二方向延伸，並且多條數據線DLl至DLm沿著作為列方向的第一方向延伸。驅動電壓線ELVDDL具有網狀結構，該網狀結構包括沿著第一方向延伸的豎直線VL和沿著第二方向延伸的水平線HL。在一個像素行處，多條掃描線SLl至SLn的η值可以不同於多條發射控制線ELl至ELn的η值。
[0042]每個像素I連接到多條掃描線SLl至SLn中的兩條掃描線，其中，多條掃描線SLl至SLn連接到顯示單元100。掃描驅動單元200產生兩個掃描信號，並通過多條掃描線SLl至SLn將兩個掃描信號發送到每個像素I。即，掃描驅動單元200順序地給第一掃描線(例如，偶數掃描線)SL2至SLn或第二掃描線(例如，奇數掃描線)SLl至SLn-1提供掃描信號。參照圖1，在每個像素I處，兩條掃描線連接到對應的像素行，儘管本發明不限於此，因此，在本發明的另一個實施例中，每個像素I可以連接到對應的像素行的一條掃描線和前一像素行的另一條掃描線。
[0043]在本實施例中，初始化電壓線IL電連接到掃描驅動單元200，並且可以因此接收來自掃描驅動單元200的初始化電壓。然而，在本發明的另一個實施例中，初始化電壓線IL可以接收來自外部電壓提供源的初始化電壓。
[0044]另外，每個像素I與連接到顯示單元100的多條數據線DLl至DLm中的一條數據線電連接，並且與連接到顯示單元100的多條發射控制線ELl至ELn中的一條發射控制線電連接。
[0045]數據驅動單元300通過多條數據線DLl至DLm中的相應一條給每個像素I發送數據信號。無論何時通過第一掃描線SL2至SLn提供掃描信號，都將數據信號提供給響應於掃描信號而選擇的對應的像素I。
[0046]發射控制驅動單元400產生發射控制信號，並通過多條發射控制線ELl至ELn中的相應一條將發射控制信號發送給每個像素I。發射控制信號控制每個像素I的發射時間。在本發明的其他實施例中，根據每個像素I的內部結構，可以省略發射控制驅動單元400。
[0047]控制單元500將來自外部源的多個圖像信號R、G和B轉換為多個圖像數據信號DR、DG和DB，並且將多個圖像數據信號DR、DG和DB發送給數據驅動單元300。此外，響應於垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync和時鐘信號MCLK，控制單元500產生用於控制掃描驅動單元200、數據驅動單元300和發射控制驅動單元400的驅動的控制信號，然後將控制信號分別發送給掃描驅動單元200、數據驅動單元300和發射控制驅動單元400。BP,控制單元500產生並發送用來控制掃描驅動單元200的掃描驅動控制信號SCS、用來控制數據驅動單元300的數據驅動控制信號DCS以及用來控制發射控制驅動單元400的發射驅動控制信號ECS。
[0048]每個像素I從外部源接收第一電源電壓ELVDD和第二電源電壓ELVSS。第一電源電壓ELVDD可以是高電 平電壓(例如，預定的高電平電壓)，並且第二電源電壓ELVSS可以低於第一電源電壓ELVDD，或者可以是接地電壓。通過驅動電壓線ELVDDL中的相應驅動電壓線將第一電源電壓ELVDD提供給像素I。
[0049]由於響應於數據信號(其中，通過多條數據線DLl至DLm中的相應數據線提供所述數據信號)而提供給發射器件的驅動電流，所以像素I發射光(例如，具有預定亮度的光)。
[0050]圖2是根據本發明實施例的顯示設備10的一個像素I的電路圖。
[0051]在本實施例中，顯示設備10的像素I具有像素電路2，其中，像素電路2包括多個薄膜電晶體(TFT)Tl至T6和存儲電容器Cst。像素I包括從像素電路2接收驅動電流(例如，1led)的有機發光二極體(0LED)，並因此而發光。
[0052]TFT Tl至T6分別包括:驅動TFT Tl、開關TFT T2、補償TFT T3、初始化TFT T4、第一發射控制TFT T5和第二發射控制TFT T6。
[0053]像素I包括:第一掃描線24，發送第一掃描信號Sn給開關TFT T2和補償TFT T3 ；第二掃描線14，發送第二掃描信號Sn-1給初始化TFT T4 ;發射控制線34，發送發射控制信號En給第一發射控制TFT T5和第二發射控制TFT T6 ;數據線16，與第一掃描線24交叉並且發送數據信號Dm ;驅動電壓線26，發送第一電源電壓ELVDD ;以及初始化電壓線20，發送用來初始化驅動TFT Tl的初始化電壓VINT。
[0054]驅動TFT Tl的柵電極Gl連接到存儲電容器Cst的第一電極Cstl。驅動TFT Tl的源電極SI通過第一發射控制TFT T5電連接到驅動電壓線26。驅動TFT Tl的漏電極Dl通過第二發射控制TFT T6電連接到OLED的陽極。根據開關TFT T2的開關操作，驅動TFTTl接收數據信號Dm，然後提供驅動電流1led給0LED。
[0055]開關TFT T2的柵電極G2連接到第一掃描線24。開關TFT T2的源電極S2連接到數據線16。開關TFT T2的漏電極D2連接到驅動TFT Tl的源電極SI，並且通過第一發射控制TFT T5電連接到驅動電壓線26。開關TFT T2響應於通過第一掃描線24發送的第一掃描信號Sn而導通，因此執行用來通過數據線16將數據信號Dm發送給驅動TFT Tl的源電極SI的開關操作。
[0056]補償TFT T3的柵電極G3連接到第一掃描線24。補償TFT T3的源電極S3連接到驅動TFT Tl的漏電極Dl，並且通過第二發射控制TFT T6電連接到OLED的陽極。補償TFTT3的漏電極D3連接到存儲電容器Cst的第一電極Cst1、初始化TFT T4的漏電極D4以及驅動TFT Tl的柵電極G1。補償TFT T3響應於通過第一掃描線24發送的第一掃描信號Sn而導通，因此通過將驅動TFT Tl的柵電極Gl電連接到驅動TFT Tl的漏電極Dl而使驅動TFTTl以二極體的形式連接。 [0057]初始化TFT T4的柵電極G4連接到第二掃描線14。初始化TFT T4的源電極S4連接到初始化電壓線20。初始化TFT T4的漏電極D4連接到存儲電容器Cst的第一電極Cstl、補償TFT T3的漏電極D3和驅動TFT Tl的柵電極Gl。初始化TFT T4響應於通過第二掃描線14發送的第二掃描信號Sn-1而導通，因此通過發送初始化電壓VINT給驅動TFTTl的柵電極Gl而執行用來初始化驅動TFT Tl的柵電極Gl的電壓的初始化操作。
[0058]第一發射控制TFT T5的柵電極G5連接到發射控制線34。第一發射控制TFT T5的源電極S5連接到驅動電壓線26。第一發射控制TFT T5的漏電極D5連接到驅動TFT Tl的源電極SI和開關TFT T2的漏電極D2。
[0059]第二發射控制TFT T6的柵電極G6連接到發射控制線34。第二發射控制TFT T6的源電極S6連接到驅動TFT Tl的漏電極Dl和補償TFT T3的源電極S3。第二發射控制TFT T6的漏電極D6電連接到OLED的陽極。第一發射控制TFT T5和第二發射控制TFT T6響應於通過發射控制線34發送的發射控制信號En而同時導通，使得第一電源電壓ELVDD被提供到0LED，因此驅動電流1led流入0LED。
[0060]存儲電容器Cst的第二電極Cst2連接到驅動電壓線26。存儲電容器Cst的第一電極Cstl連接到驅動TFT Tl的柵電極Gl II^fTFT T3的漏電極D3和初始化TFT T4的漏電極D4。
[0061 ] OLED的陰極連接到第二電源電壓ELVSSt5OLED從驅動TFT Tl接收驅動電流1led，並且因此而發光，從而顯示圖像。
[0062]圖3是示出根據本發明實施例的圖2的像素I的平面圖。圖4是示出圖3中所示的信號線的剖視圖。這裡，圖3示出了兩個彼此相鄰的像素I。
[0063]如圖3中所示，顯示設備10的像素I包括沿著第二方向形成且分別施加第一掃描信號Sn、第二掃描信號Sn-1、發射控制信號En和初始化電壓VINT的第一掃描線24、第二掃描線14、發射控制線34和初始化電壓線20。另外，顯示設備10的像素I包括數據線16，數據線16沿著第一方向形成並且與第一掃描線24、第二掃描線14、發射控制線34和初始化電壓線20中的所有線交叉，並將數據信號Dm施加到像素I。此外，像素I包括施加第一電源電壓ELVDD的驅動電壓線26。
[0064]驅動電壓線26包括:豎直線VL，沿著第一方向形成以便與數據線16基本平行；水平線HL，沿著第二方向形成以便與數據線16基本垂直。驅動電壓線26的豎直線VL與在第一方向上相鄰的其他像素的其他豎直線VL電連接，水平線HL與在第二方向上相鄰的其他像素的其他水平線HL電連接，並且與數據線16交叉，使得豎直線VL和水平線HL具有網狀結構。驅動電壓線26位於存儲電容器Cst和數據線16之間的層，因此用作金屬屏蔽件。此外，驅動電壓線26的水平線HL具有完全地覆蓋存儲電容器Cst的面積，因此與存儲電容器Cst完全疊置。
[0065]參照圖4，第一掃描線24、第二掃描線14和發射控制線34形成在基底101上的第一柵極絕緣層GIl上，並且被包括在第一柵極布線GLl中。初始化電壓線20形成在位於第一柵極絕緣層GIl上的第一層間絕緣層ILDl和第二柵極絕緣層GI2上方。初始化電壓線20被包括在第二柵極布線GL2中。由於第一柵極布線GLl和第二柵極布線GL2通過在它們之間設置有第二柵極絕緣層GI2和第一層間絕緣層ILDl而處於不同的層，所以位於不同層的相鄰的第一柵極布線GLl和第二柵極布線GL2之間的距離可以減小，使得在同一區域中可以形成更多的像素I。即，能夠形成具有高清晰度的顯示設備10。
[0066]第二層間絕緣層ILD2堆疊/層疊在第一柵極布線GLl和第二柵極布線GL2上/上方。
[0067]驅動電壓線26位於第二層間絕緣層ILD2上，並且數據線16位於第二層間絕緣層ILD2上的第三層間絕緣層ILD3上並且與驅動電壓線26部分地疊置。保護層PL形成在數據線16上。
[0068]返回參照圖3，像素I包括驅動TFT Tl、開關TFT T2 JI^tTFT T3、初始化TFT T4、第一發射控制TFT T5和第二發射控制TFT T6。在圖3中，省略了 0LED。
[0069]驅動TFT Tl 包括半導體層Al、柵電極Gl、源電極SI和漏電極Dl。源電極SI對應於驅動半導體層Al的摻雜有雜質的源區，並且漏電極Dl對應於半導體層Al的摻雜有雜質的漏區。柵電極Gl通過連接構件40和接觸孔41至44連接到存儲電容器Cst的第一電極Cstl、補償TFT T3的漏電極D3和初始化TFT T4的漏電極D4。從驅動電壓線26的豎直線VL突出的突出部位於驅動TFT Tl的柵電極Gl上。
[0070]開關TFT T2包括半導體層A2、柵電極G2、源電極S2和漏電極D2。源電極S2對應於半導體層A2的摻雜有雜質的源區，並且漏電極D2對應於半導體層A2的摻雜有雜質的漏區。源電極S2通過接觸孔45連接到數據線16。柵電極G2形成為第一掃描線24的一部分。
[0071]補償TFT T3包括半導體層A3、柵電極G3、源電極S3和漏電極D3。源電極S3對應於半導體層A3的摻雜有雜質的源區，並且漏電極D3對應於半導體層A3的摻雜有雜質的漏區。柵電極G3通過第一掃描線24的一部分和從第一掃描線24突出的同時延伸的線的一部分形成為雙柵電極，使得柵電極G3防止漏電流。
[0072]初始化TFT T4包括半導體層A4、柵電極G4、源電極S4和漏電極D4。源電極S4對應於半導體層A4的摻雜有雜質的源區，並且漏電極D4對應於半導體層A4的摻雜有雜質的漏區。源電極S4可通過接觸孔46連接到初始化電壓線20。柵電極G4被形成為第二掃描線14的一部分。
[0073]第一發射控制TFT T5包括半導體層A5、柵電極G5、源電極S5和漏電極D5。源電極S5對應於半導體層A5的摻雜有雜質的源區，並且漏電極D5對應於半導體層A5的摻雜有雜質的漏區。源電極S5可通過接觸孔47連接到驅動電壓線26。柵電極G5被形成為發射控制線34的一部分。
[0074]第二發射控制TFT T6包括半導體層A6、柵電極G6、源電極S6和漏電極D6。源電極S6對應於半導體層A6的摻雜有雜質的源區，並且漏電極D6對應於半導體層A6的摻雜有雜質的漏區。漏電極D6通過貫穿接觸孔48的接觸金屬CM，繼而通過貫穿平坦化層PL的通孔VIA連接到OLED的陽極。柵電極G6被形成為發射控制線34的一部分。
[0075]存儲電容器Cst的第一電極Cstl通過利用連接構件40連接到補償TFT T3的漏電極D3、初始化TFT T4的漏電極D4和驅動TFT Tl的柵電極Gl。
[0076]存儲電容器Cst的第二電極Cst2通過利用形成在接觸孔49中的接觸金屬CM連接到驅動電壓線26，從而從驅動電壓線26接收驅動電壓ELVDD。
[0077]圖5是根據本發明實施例的圖3的結構沿著線A-A』、B_B』和C_C』截取的剖視圖。圖5示出了 TFT Tl至TFT T6之中的驅動TFT Tl、開關TFT T2和第二發射控制TFT T6以及存儲電容器Cst。
[0078]參照圖5，驅動TFT Tl的半導體層Al、開關TFT T2的半導體層A2和第二發射控制TFT T6的半導體層A6形成在基底101上。上面所述的半導體層Al、A2和A6可以由多晶矽形成，並且包括不摻雜雜質的溝道區以及形成在溝道區兩側並且摻雜有雜質的源區和漏區。這裡，雜質根據TFT的類型而變化，並且可以包括N型雜質或P型雜質。雖然沒有示出，但是補償TFT T3的半導體層A3、初始化TFT T4的半導體層A4和第一發射控制TFT T5的半導體層A5可以與半導體層Al、半導體層A2和半導體層A6 —起形成(例如，Al、A2和A6可以與A3、A4和A5同時形成， 或可以與A3、A4和A5在大約相同的時間形成)。
[0079]雖然沒有示出，但是還可以在基底101和半導體層Al至A6之間形成緩衝層。緩衝層減少或防止雜質離子的擴散和外部溼氣或空氣的滲透，並且用作阻隔層和/或阻擋層以使表面平坦化。
[0080]第一柵極絕緣層GIl堆疊在半導體層Al至A6上，並且位於基底101的整個表面上方。第一柵極絕緣層GIl可以由有機絕緣材料或無機絕緣材料形成，或者可以具有使有機絕緣材料和無機絕緣材料交替地形成的多疊層結構。
[0081 ] 開關TFT T2的柵電極G2和第二發射控制TFT T6的柵電極G6形成在第一柵極絕緣層GIl上。此外，形成存儲電容器Cst的第一電極CstI。雖然沒有示出，但是補償TFT T3的柵電極G3、初始化TFT T4的柵電極G4和第一發射控制TFT T5的柵電極G5可以與柵電極G2和柵電極G6形成在同一層，並且也可以由相同的材料形成。柵電極G2、柵電極G3、柵電極G4、柵電極G5、柵電極G6和存儲電容器Cst的第一電極Cstl由第一柵極布線材料形成，並且在下文中，它們被稱為第一柵電極。第一柵極布線材料可以包括例如從由鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)組成的組中選擇的一種或多種金屬材料。通過利用第一柵極布線材料，第一掃描線24、第二掃描線14和發射控制線34可以與第一柵電極由同一層形成。
[0082]第二柵極絕緣層GI2堆疊在第一柵電極上並且位於基底101的整個表面上方。第二柵極絕緣層GI2可以由有機絕緣材料形成，可以由無機絕緣材料形成，或者可以具有使有機絕緣材料和無機絕緣材料交替地形成的多疊層結構。[0083]驅動TFT Tl的柵電極Gl形成在第二柵極絕緣層GI2上。另外，存儲電容器Cst的第二電極Cst2形成在第二柵極絕緣層GI2上。柵電極Gl和存儲電容器Cst的第二電極Cst2由第二柵極布線材料形成，並且在下文中，它們被稱為第二柵電極。類似地，如第一柵極布線材料，第二柵極布線材料可以包括例如從由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W和Cu組成的組中選擇的一種或多種金屬材料。
[0084]第一層間絕緣層ILDl堆疊在第二柵電極上並且位於基底101的整個表面上方。第一層間絕緣層ILDl可以由有機絕緣材料形成，可以由無機絕緣材料形成，或者可以具有使有機絕緣材料和無機絕緣材料的多層交替地形成的多疊層結構。
[0085]第一接觸金屬CMl形成在第一層間絕緣層ILDl中的接觸孔45、48和49中的每個接觸孔處，並因此連接到存儲電容器Cst的第二電極Cst2、開關TFT T2的源電極S2和第二發射控制TFT T6的漏電極D6。第一接觸金屬CMl可以包括例如從由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W和Cu組成的組中選擇的一種或多種金屬材料。第一接觸金屬CMl可以包括多疊層金屬層，並且在本實施例中，第一接觸金屬CMl具有Ti/Al/Ti三層結構，在該Ti/Al/Ti三層結構中，鈦形成在Al的上面和下面。然而，本發明的一個或多個實施例不限於此，因此第一接觸金屬CMl可以是由各種材料形成的多疊層。此外，初始化電壓線20可以包括第一接觸金屬CMl的材料並且可以形成在第一層間絕緣層ILDl上。
[0086]第二層間絕緣層ILD2堆疊在第一接觸金屬CMl上，並且位於基底101的整個表面上方。第二層間絕緣層ILD2可以由有機絕緣材料形成或由無機絕緣材料形成，或者可以具有多疊層結構，在該多疊層結構中，形成有有機絕緣材料和無機絕緣材料的交替層。
[0087]驅動電壓線26形成在第二層間絕緣層ILD2上，並且通過第一接觸金屬CMl連接到存儲電容器Cst的第二電極Cst2。另外，第二接觸金屬CM2形成在第二層間絕緣層ILD2中的接觸孔45和48中的每個接觸孔處，並因此連接到開關TFT T2的源電極S2和第二發射控制TFT T6的漏電極D6。驅動電壓線26和第二接觸金屬CM2可以包括例如從由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W和Cu組成的組中選擇的一種或多種金屬材料。
[0088]第二接觸金屬CM2可以包括多疊層金屬層，並且在本實施例中，第二接觸金屬CM2具有Ti/Al/Ti三層結構，在該Ti/Al/Ti三層結構中，鈦形成在Al的上面和下面。然而，本發明的一個或多個實施例不限於此，因此第二接觸金屬CM2可以具有由各種材料形成的多置層。
[0089]第三層間絕緣層ILD3形成在驅動電壓線26上以及第二接觸金屬CM2上，並且位於基底101的整個表面上方。第三層間絕緣層ILD3可以由有機絕緣材料形成，由無機絕緣材料形成，或者可以具有使有機絕緣材料和無機絕緣材料交替地形成的多疊層結構。
[0090]數據線16形成在第三層間絕緣層ILD3上。數據線16通過第一層間絕緣層ILDl和第二層間絕緣層ILD2中的接觸孔45中的第一接觸金屬CMl和第二接觸金屬CM2連接到開關TFT T2的源電極S2。存儲電容器Cst的一部分與數據線16疊置，並且驅動電壓線26形成在與數據線16和存儲電容器Cst疊置的位置對應的區域處。另外，第三接觸金屬CM3形成在第三層間絕緣層ILD3中的接觸孔48中，並因此電連接到第二發射控制TFT T6的漏電極D6。數據線16和第三接觸金屬CM3可以包括例如從由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W和Cu組成的組中選擇的一種或多種金屬材料。第三接觸金屬CM3可以包括多疊層金屬層，並且在本實施例中，第三接觸金屬CM3具有Ti/Al/Ti三層結構，在該Ti/Al/Ti三層結構中，鈦形成在Al的上面和下面。然而，本發明的一個或多個實施例不限於此，因此本發明的其他實施例的第三接觸金屬CM3可以具有由各種材料形成的多疊層。
[0091]平坦化層PL形成在數據線16和第三接觸金屬CM3上。平坦化層PL可以被形成為使其上形成有TFT Tl至TFT T6的基底101上方的表面平坦化，並且可以被形成為單個絕緣層或多疊層絕緣層。平坦化層PL可以包括例如從由聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯(BCB)和酚樹脂組成的組中選擇的一種或多種材料。
[0092]陽極120形成在平坦化層PL上。陽極120通過平坦化層PL中的通孔VIA連接到位於接觸孔48中的第三接觸金屬CM3，並因此電連接到第二發射控制TFT T6的漏電極D6。
[0093]在圖5中，TFT Tl至TFT T6的源電極和漏電極中的未連接到其他線的源電極和漏電極分別由與半導體層Al至A6相同的層形成。即，TFT Tl至TFT T6中的每個TFT的源電極和漏電極可以由選擇性摻雜的多晶矽形成。然而，本發明的一個或多個實施例不限於此，因此在另一個實施例中，TFT的各個源電極和漏電極可以由不同於半導體層的各個層形成，並且可以通過各個接觸孔連接到半導體層的各個源區和漏區。
[0094]圖6是用來與圖5中所示的實施例作比較的比較示例的剖視圖。
[0095]圖6的比較示例與圖5的實施例的不同之處在於:數據線16」和驅動電壓線26』 』形成在相同的層，以及存儲電容器Cst與驅動電壓線26』 』疊置但沒有與數據線16』 』疊置。因此，將考慮與圖5的實施例不同的特徵來描述圖6的比較示例。 [0096]如在圖6的比較示例中，如果數據線16」與存儲電容器Cst疊置，則在數據線16』』和存儲電容器Cst之間引起耦合(例如，電感耦合或電容耦合)，從而發生串擾(crosstalk).,因此，存儲電容器Cst被形成為不與數據線16』』疊置。然而，當存儲電容器Cst不與數據線16』』疊置時，難以確保存儲電容器Cst足夠的電容。另外，由於數據線16』』和驅動電壓線26』』形成在相同的層，所以難以確保線之間足夠量的空間，使得驅動電壓線26』 』將不能形成為水平線，因此使得網狀結構難以實現，並因此可能發生由第一電源電壓ELVDD的電壓降導致的串擾。
[0097]另一方面，根據在圖5中示出的本實施例，數據線16和驅動電壓線26形成在不同的層，並且驅動電壓線26位於數據線16和存儲電容器Cst之間。因此，驅動電壓線26可以連接到在行方向(即，第二方向)上彼此相鄰的像素，因此可以以網狀結構形成。因此，由於網狀結構的驅動電壓線26，所以可以減小或防止第一電源電壓ELVDD的電壓降。另外，由於驅動電壓線26的水平線HL具有完全覆蓋存儲電容器Cst的面積，所以水平線HL可以將存儲電容器Cst與數據線16屏蔽開，從而可以減小或防止數據線16和存儲電容器Cst之間的耦合，並且可以確保存儲電容器Cst的足夠的電容。
[0098]根據本發明的一個或多個實施例，由於數據線和驅動電壓線被堆疊，所以可以將電容器設置成與數據線疊置，從而可以減小或防止數據線和電容器之間的耦合，並且可以確保電容器的電容。
[0099]雖然已經參考本發明實施例的示例性實施例具體示出並描述了本發明的實施例，但是本領域的普通技術人員將理解的是，在不脫離權利要求及其等同物所限定的本發明的精神和範圍的情況下，對其可以在形式和細節上進行各種改變。
【權利要求】
1.一種包括多個像素的薄膜電晶體陣列基底，所述多個像素中的每個像素包括: 電容器，包括第一電極和位於第一電極上方的第二電極； 數據線，沿著第一方向延伸，被構造為提供數據信號，位於電容器上方，並且與電容器的一部分疊置；以及 驅動電壓線，被構造為提供驅動電壓，位於電容器和數據線之間，並且包括沿著第一方向延伸的第一線和沿著與第一方向基本垂直的第二方向延伸的第二線。
2.根據權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基底，其中，電容器的第二電極通過接觸孔電結合到驅動電壓線。
3.根據權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基底，其中，驅動電壓線具有網狀結構。
4.根據權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基底，其中，驅動電壓線的第一線結合到所述多個像素中在第一方向上彼此相鄰的像素；以及 驅動電壓線的第二線結合到所述多個像素中在第二方向上彼此相鄰的像素。
5.根據權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基底，其中，驅動電壓線的第二線完全覆蓋電容器。
6.根據權利要 求1所述的薄膜電晶體陣列基底，所述薄膜電晶體陣列基底還包括: 堆疊在電容器和驅動電壓線之間的第一層間絕緣層和第二層間絕緣層；以及 在驅動電壓線和數據線之間的第三層間絕緣層。
7.根據權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基底，其中，所述多個像素中的每個像素還包括: 驅動薄膜電晶體，電結合在驅動電壓線和發光裝置之間；以及 開關薄膜電晶體，電結合在數據線和驅動薄膜電晶體之間。
8.根據權利要求7所述的薄膜電晶體陣列基底，其中，驅動薄膜電晶體包括: 半導體層； 柵電極，結合到電容器的第一電極，位於半導體層的上方並與電容器的第二電極處於同一層; 源電極，電結合到驅動電壓線；以及 漏電極，電結合到發光裝置。
9.根據權利要求7所述的薄膜電晶體陣列基底，其中，開關薄膜電晶體包括: 半導體層； 柵電極，位於半導體層的上方並與電容器的第一電極處於同一層，並且結合到沿著第二方向延伸的第一掃描線； 源電極，結合到數據線；以及 漏電極，結合到驅動薄膜電晶體。
10.根據權利要求1所述的薄膜電晶體陣列基底，其中，所述多個像素中的每個像素還包括: 第一掃描線、第二掃描線和發射控制線，沿著第二方向延伸並與電容器的第一電極處於同一層；以及 初始化電壓線，在驅動電壓線和電容器的第二電極之間沿著第二方向延伸。
11.一種包括多個像素的有機發光顯示設備，所述多個像素中的每個像素包括:第一薄膜電晶體，在基底上並且包括柵電極； 第二薄膜電晶體，在基底上並且包括柵電極； 電容器，包括: 第一電極，與第二薄膜電晶體的柵電極處於同一層；以及 第二電極，在第一電極上方並與第一薄膜電晶體的柵電極處於同一層； 數據線，被構造為提供數據信號，位於電容器的上方並與電容器的一部分疊置，數據線沿著第一方向延伸；以及 驅動電壓線，位於電容器和數據線之間並且被構造為提供驅動電壓，驅動電壓線包括沿著第一方向延伸的第一線和沿著與第一方向基本垂直的第二方向延伸的第二線。
12.根據權利要求11所述的有機發光顯示設備，其中，電容器的第二電極通過接觸孔電結合到驅動電壓線。
13.根據權利要求11所述的有機發光顯示設備，其中，驅動電壓線具有網狀結構。
14.根據權利要求11所述的有機發光顯示設備，其中，驅動電壓線的第一線結合到所述多個像素中在第一方向上彼此相鄰的像素；以及 驅動電壓線的第二線結合到所述多個像素中在第二方向上彼此相鄰的像素。
15.根據權利要求11所述的有機發光顯示設備，其中，驅動電壓線的第二線完全覆蓋電容器。
16.根據權利要求11所述的有機發光顯示設備，所述有機發光顯示設備還包括: 堆疊在電容器和驅動電壓線之間的第一層間絕緣層和第二層間絕緣層；以及 在驅動電壓線和數據線之間的第三層間絕緣層。
17.根據權利要求11所述的有機發光顯示設備，其中，第一薄膜電晶體電結合在驅動電壓線和發光裝置之間；以及 第二薄膜電晶體結合在數據線和第一薄膜電晶體之間。
18.根據權利要求17所述的有機發光顯示設備，其中，第一薄膜電晶體還包括: 半導體層； 源電極，電結合到驅動電壓線；以及 漏電極，電結合到發光裝置； 其中，第一薄膜電晶體的柵電極位於半導體層的上方並與電容器的第二電極處於同一層，並且結合到電容器的第一電極。
19.根據權利要求17所述的有機發光顯示設備，其中，第二薄膜電晶體還包括: 半導體層； 源電極，結合到數據線；以及 漏電極，結合到第一薄膜電晶體； 其中，第二薄膜電晶體的柵電極位於半導體層的上方並與電容器的第一電極處於同一層，並且結合到沿著 第二方向延伸的第一掃描線。
20.根據權利要求11所述的有機發光顯示設備，其中，所述多個像素中的每個像素還包括: 第一掃描線、第二掃描線和發射控制線，沿著第二方向延伸並與電容器的第一電極處於同一層；以及初始化電壓線，沿著第 二方向延伸並且位於電容器的第二電極和驅動電壓線之間。
【文檔編號】H01L27/32GK104022122SQ201310481761
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2013年10月15日 優先權日:2013年2月28日
【發明者】高武郇, 李一正, 任忠烈, 權度縣, 尹柱元, 禹珉宇 申請人:三星顯示有限公司