發光器件和具有發光器件的照明系統的製作方法

2023-10-07 02:08:34 1

專利名稱：發光器件和具有發光器件的照明系統的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種發光器件和具有該發光器件的照明系統。
背景技術：
發光二極體(LED)是一種用於將電能轉換成光的半導體器件。與諸如螢光燈和白熾燈泡等的現有技術光源相比，LED具有很多優點，例如低功耗、半永久使用壽命、響應時間快、安全且環保。正在進行很多研究以利用LED替代現有光源。而且，隨著該趨勢，正越來越多地使用LED作為在室內和室外場所使用的各種燈及照明裝置(例如液晶顯示器、記分板和街燈)的光源。

發明內容
實施例提供一種具有新穎結構的發光器件和具有該發光器件的照明系統。實施例提供一種發光器件和具有該發光器件的照明系統，該發光器件包括用於支撐多個金屬層的絕緣膜以及電連接到所述多個金屬層的發光晶片。實施例提供了一種發光器件和具有該發光器件的照明系統，在該發光器件中，樹脂層圍繞發光晶片布置並且引導構件圍繞樹脂層布置。在一個實施例中，一種發光器件包括多個金屬層，所述多個金屬層彼此間隔開； 第一絕緣膜，所述第一絕緣膜具有敞口區域，在該敞口區域中，多個金屬層的頂表面的一部分是暴露的，該第一絕緣膜圍繞多個金屬層的頂表面布置；發光晶片，所述發光晶片布置在多個金屬層中的至少一個上，該發光晶片電連接到另一金屬層；樹脂層，該樹脂層布置在所述多個金屬層和發光晶片上；以及第一引導構件，該第一引導構件布置在第一絕緣膜上。在另一實施例中，一種發光器件包括多個金屬層，所述多個金屬層彼此間隔開； 第一絕緣膜，所述第一絕緣膜具有敞口區域，在該敞口區域中，多個金屬層的頂表面的一部分是暴露的，該第一絕緣膜附接到多個金屬層的頂表面；發光晶片，該發光晶片布置在多個金屬層中的至少一個上，該發光晶片電連接到另一金屬層；樹脂層，該樹脂層布置在所述多個金屬層和發光晶片上；以及第一引導構件，該第一引導構件由金屬材料形成，該第一引導構件布置在第一絕緣膜和所述多個金屬層中的至少一個上。在又一個實施例中，一種發光器件包括多個金屬層，所述多個金屬層彼此間隔開；第一絕緣膜，所述第一絕緣膜具有敞口區域，在該敞口區域中，多個金屬層的頂表面的一部分是暴露的，該第一絕緣膜布置在多個金屬層的頂表面上；粘結層，該粘結層位於所述多個金屬層和第一絕緣膜之間；第二絕緣膜，該第二絕緣膜位於所述多個金屬層的頂表面上，對應於多個金屬層之間的位置並具有比所述多個金屬層之間的間隔寬的寬度；發光晶片，該發光晶片布置在所述多個金屬層中的至少一個上；樹脂層，該樹脂層布置在所述多個金屬層和發光晶片上；以及第一引導構件，該第一引導構件布置在第一絕緣膜的頂表面上。在附圖和以下描述中闡述了一個或多個實施例的細節。從該描述、附圖以及權利要求中，其它特徵將是顯而易見的。


圖1是根據第一實施例的發光器件的透視圖。圖2是沿著圖1的線A-A截取的側剖視圖。圖3到10是示出製造圖1的發光器件的過程的視圖。圖11和12是根據第二實施例和第三實施例的發光器件的側視截面圖。圖13和14是根據第四實施例的發光器件的透視圖和側視截面圖。圖15和16是根據第五實施例的發光器件的平面圖和側視截面圖。圖17是示出圖15的發光器件的變型例的視圖。圖18到27是示出根據實施例的金屬層和絕緣膜的變型例的視圖。圖觀到51是示出根據另一實施例的發光器件的變型例的視圖。圖52和53是示出根據實施例的發光器件的另一示例的側視截面圖和電路圖。圖M和55是示出根據實施例的發光器件的另一示例的側視截面圖和電路圖。圖56是示出根據實施例的發光器件的金屬層的變型例的側視截面圖。圖57到59是示出根據實施例的發光器件的金屬層的變型例的視圖。圖60和61是示出根據實施例的發光晶片的示例的視圖。圖62是示出根據實施例的顯示裝置的示例的透視圖。圖63是示出根據實施例的顯示裝置的另一示例的透視圖。圖64是根據實施例的照明單元的視圖。
具體實施例方式在實施例的描述中，應當理解，當一個層(或膜)、區域、圖案或結構被稱為在另一層(或膜)、區域、墊或圖案「上」或「下」時，該用語「上」和「下」包括「直接」和「間接」兩種含義。此外，關於每一層「上」和「下」的參考將基於附圖進行。在各個圖中，為了便於說明和清楚起見，每一個層的厚度或尺寸可以被誇大、省略或示意性地圖示。在各個圖中，為了便於說明和清楚起見，每一個層的厚度或尺寸可以被誇大、省略或概略地示意。在下文中，將參考附圖來描述實施例。圖1是根據第一實施例的發光器件的透視圖。圖2是沿著圖1的線A-A截取的側剖視圖。參考圖1和2，發光器件100包括多個金屬層11和13、在金屬層11和13上的絕緣膜20(21和2 、在多個金屬層11和13中的第一金屬層11上的發光晶片41、在絕緣膜 20上的引導構件31、以及在金屬層11和13上覆蓋發光晶片41的樹脂層61。金屬層11和13可以包括至少兩個層。該至少兩個金屬層11和13可以彼此間隔開，從而這兩個金屬層11和13彼此電氣隔離或者物理上隔開。可以利用諸如引線框架的金屬板來實現金屬層11和13。所述多個金屬層11和13的下表面S3可以彼此齊平，並且側表面Sl可以暴露於外部。可以通過金屬層11和13的暴露的下表面S3和側表面Sl來提高熱效率。所述至少兩個金屬層11和13可以分別用作電極。
所述多個金屬層11和13可以由Fe、Cu、諸如 ^-Ni等的含有!^e的合金、Al、含有 Al的合金、或者諸如Cu-Ni和Cu-Mg-Sn等的含有Cu的合金形成。而且，每一個金屬層11 和13均可以設置為單層或多層。金屬層11和13由諸如狗或Cu的材料形成。而且，在金屬層11和13的頂表面和/或下表面上可以布置有由Al、Ag或Au形成的反射層或結合層。當利用引線框架來形成金屬層11和13時，其機械強度和導熱性可以很優異。另外，其熱膨脹係數可以較大，可以提高機械加工性能，在重複進行彎曲操作時僅存在很小的損失，並且，可以容易地執行鍍覆覆或焊接處理。每一個金屬層11和13均可以具有大約15 μ m至大約300 μ m的厚度，並且優選具有大約15 μ m至大約50 μ m的厚度。而且，金屬層11和13可以用作支撐框架，該支撐框架用於支撐整個發光器件；和散熱構件，該散熱構件用於傳遞由發光晶片41產生的熱量。 在金屬層11和13的外側區域中，在第一方向Y上的長度Yl以及在與第一方向Y垂直的第二方向X上的長度Xl可以根據發光器件100的尺寸而變化。多個金屬層11和13具有彼此相同的厚度。發光器件100可以不包括單獨的主體，例如由聚鄰苯二甲醯胺(PPA)形成的樹脂基主體。因此，可以省略用於將金屬層11和13聯接到該主體的注射成型工藝。每一個金屬層11和13的一部分可以具有柔性彎曲的形狀或者能夠以預定角度彎曲，但其不限於此。在下文中，為了描述第一實施例，將把包括第一金屬層11和第二金屬層13的金屬層11和13作為示例來描述。第一金屬層11和第二金屬層13的下表面S3可以相互齊平。 而且，可以使用焊接將第一金屬層11和第二金屬層13結合到印刷電路板(PCB)或散熱板。在第一金屬層11和第二金屬層13之間可以布置有分離部17。分離部17可以將第一金屬層11與第二金屬層13物理地分開。分離部17可以具有直線形狀、曲線形狀和折線形狀之一。線形狀可以具有根據第一金屬層11和第二金屬層13的形狀或者尺寸而變化的寬度或形狀。分離部17將一個金屬框架分割成第一金屬層11和第二金屬層13。而且， 每一個第一金屬層11和第二金屬層13可以具有根據分離部17的寬度和位置而變化的形狀或尺寸。第一金屬層11和第二金屬層13可以相互隔開大約ΙΟμπι的間隔G1。間隔Gl可以是分離部17的寬度。而且，分離部17可以防止兩個金屬層11和13彼此電短路。分離部17可以是空的或填充有材料，但其不限於此。通過切割工藝，第一金屬層11或第二金屬層13可以具有各種形狀，例如圓形形狀、多邊形形狀和半球形形狀。在第一金屬層11和第二金屬層13的表面上可以布置有防氧化層，並且該防氧化層由Au層形成。該防氧化層可以防止第一金屬層11和第二金屬層13的表面變形。絕緣膜21和23可以分別布置在第一金屬層11和第二金屬層13上。絕緣膜21 和23可以圍繞第一金屬層11或/和第二金屬層13布置。絕緣膜21和23可以分別附接到第一金屬層11和第二金屬層13的頂表面，以支撐第一金屬層11和第二金屬層13。絕緣膜21和23可以附接到多個金屬層11和13的頂表面以支撐這些金屬層。基本上，絕緣膜21和23可以實現與所述主體類似的功能。每一個絕緣膜21和23可以包括光透射膜或非光透射膜。例如，每一個絕緣膜21 和23可以包括聚醯亞胺(PI)膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纖維素(TAC)膜、聚醯胺-醯亞胺(PAI) 膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基(PFA)膜、聚苯硫醚(PPQ膜、以及樹脂膜(PE、PP和 PET)。在絕緣膜21、23與金屬層11、13之間可以分別布置有粘結層。該粘結層可以將絕緣膜21和23分別附接到金屬層11和13。替代地，絕緣膜21和23可以是雙面膠帶或單面膠帶。每一個絕緣膜21和23可以由具有預定反射率(例如大約30%或更大的反射率) 的材料形成。絕緣膜21和23的反射特性可以提高進發光器件100內的表面反射效率。而且，每一個絕緣膜21和23可以具有光學功能。這裡，該光學功能可以是具有大約50%或更大反射率的光透射膜的功能，並且優選是具有大約70%反射率的光透射膜的功能。每一個絕緣膜21和23可以包括螢光體。該螢光體可以塗覆在每一個絕緣膜21和 23的頂表面或下表面上，或者添加到絕緣膜21和23中。該螢光體可以包括YAG基螢光體、 矽酸鹽基螢光體和氮化物基螢光體中的至少一種。該螢光體可以具有諸如紅光、黃光或綠光波長的可見光系列的波長。而且，每一個絕緣膜21和23可以實現為螢光體膜。該螢光體膜可以吸收從發光晶片41發射的光以發出具有另一不同波長的光。而且，每一個絕緣膜21和23可以包括防潮膜。該防潮膜可以防止溼氣滲入，以防止第一金屬層11和第二金屬層13短路和氧化。每一個絕緣膜21和23的頂表面、下表面或側表面的一部分可以具有粗糙結構，但其不限於此。每一個絕緣膜21和22的厚度可以比每一個金屬層11和13的厚度厚。例如，每一個絕緣膜21和22可以具有大約30 μ m至大約500 μ m的厚度，並且優選具有大約40 μ m 至大約60 μ m的厚度。絕緣膜21和23可以劃分成第一絕緣膜21和第二絕緣膜23，該第一絕緣膜21布置在兩個金屬層11和13的頂表面的周邊部分上，該第二絕緣膜23布置在第一金屬層11 和第二金屬層13的邊界區域的頂表面上。第二絕緣膜23可以是第一絕緣膜21的一部分。 而且，第二絕緣膜23可以一體地連接到第一絕緣膜21。第一絕緣膜21和第二絕緣膜23可以由相同的材料形成並且形成為一個膜。第一絕緣膜21可以具有恆定寬度W1。替代地，第一絕緣膜21可以具有彼此不同的寬度。第一絕緣膜21可以具有至少幾十μπι或更大的寬度W1。第二絕緣膜23可以具有恆定寬度W2。替代地，第二絕緣膜23可以具有彼此不同的寬度。第二絕緣膜23的寬度 W2可以比金屬層11和13之間的間隔Gl寬。例如，第二絕緣膜23可以具有大約20μπι或更大的寬度。第一絕緣膜21的寬度Wl可以等於或不等於第二絕緣膜23的W2。第二絕緣膜23可以具有至少20 μπι或更大的寬度，以支撐兩個金屬層11和13。第二絕緣膜23可以對應於第一金屬層11和第二金屬層13之間的位置。而且，第二絕緣膜23可以布置在第一金屬層11和第二金屬層13的頂表面上並具有比金屬層11和 13之間的間隔寬的寬度。絕緣膜21和23的外表面可以與第一金屬層11及第二金屬層13的側表面齊平。 替代地，絕緣膜21和23的外表面可以布置在第一金屬層11和第二金屬層13的側表面的內側。
而且，第一絕緣膜21可以連續或不連續地布置。連續的膜可以具有其中設有一個膜的結構，而不連續的膜可以具有其中設有多個膜的結構。絕緣膜21和23可以分別具有敞口區域Al和A2。敞口區域Al和A2可以是孔或敞口區域。而且，敞口區域Al和A2可以是這樣一種區域在該區域中，第一金屬層11或/ 和第二金屬層13的頂表面通過每個絕緣膜21和23的內側而暴露。敞口區域Al和A2可以包括第一敞口區域Al和第二敞口區域A2，第一金屬層11 的頂表面的一部分通過該第一敞口區域Al而暴露，第二金屬層13的頂表面的一部分通過該第二敞口區域A2而暴露。第一敞口區域Al的尺寸和形狀可以與第二敞口區域A2的尺寸和形狀相同或不同。在本實施例中，雖然在設置兩個金屬層11和13時設置了兩個敞口區域Al和A2，但如果設置有三個或更多個金屬層11和13，則可以增加這些敞口區域的數目。每一個敞口區域Al和A2均可以具有根據每一個絕緣膜21和23的寬度和形狀而變化的尺寸和形狀。多個敞口區域Al和A2中的一個敞口區域(例如第二敞口區域A2)可以具有大約 60μπι的最小寬度。當第二敞口區域Α2具有更窄的寬度時，第二電線52的結合可能被中斷。因此，第二敞口區域Α2可以具有至少60μπι的寬度。第一敞口區域Al可以具有足以安裝發光晶片41的寬度。而且，第一敞口區域Al的寬度可以比第二敞口區域Α2的寬度寬。 這裡，雖然第一敞口區域Al被描述為能夠安裝發光晶片41的區域並且第二敞口區域Α2被描述為結合有第二電線52的區域，但本公開不限於此。例如，第一敞口區域Al可以是結合有第二電線52到的區域，而第二敞口區域Α2可以是安裝有發光晶片41的區域。引導構件31可以布置在第一絕緣膜21上。引導構件31可以由樹脂材料、非金屬材料或金屬材料形成。引導構件31可以定義為反射構件或/和用於防止樹脂材料溢出的提壩式構件。引導構件31可以由諸如阻焊劑的樹脂材料或者諸如焊膏的導電材料形成。阻焊劑的顏色可以為白色。因此，可以通過白色來有效反射入射光。而且，引導構件31可以由金屬材料形成，例如由Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金或者Au合金形成。該金屬材料可以設置為單層或多層。而且，通過鍍覆工藝，引導構件31可以包括金屬籽晶層(例如Ag、Al和Ni層中的至少一個)上的反射性層。而且，引導構件31可以由非金屬材料形成。該非金屬材料可以包括白色樹脂，例如是含有阻焊劑、二氧化鈦(TiO2)和玻璃纖維中的至少一種的樹脂材料(例如，PPA)或聚合物材料(例如，矽基或環氧基材料)。替代地，該非金屬材料可以包括與絕緣膜的材料相同的材料。引導構件31可以由具有大約50%或更大反射特性的金屬或非金屬材料形成，並且優選由具有大約90%或更大反射特性的金屬或非金屬材料形成。引導構件31可以具有大約15 μ m至大約500 μ m的厚度Τ2。而且，引導構件31的厚度可以與每一個絕緣膜21和23的厚度相同或不同。引導構件31的厚度可以比每一個絕緣膜21和23的厚度厚。考慮到光的取向角的分布，引導構件31可以具有更厚的厚度。 而且，引導構件31的頂表面可以高於發光晶片41的頂表面以反射光。引導構件31可以在第一絕緣膜21上布置成對應於發光晶片14的周邊。當從其頂側觀察時，引導構件31可以是框架形狀、環形形狀或迴路形狀。當從其頂側觀察時，引導構件31可以具有圓形或多邊形形狀。而且，引導構件31可以防止樹脂層61溢出。引導構件31的寬度可以與第一絕緣膜21的寬度相同或不同。當引導構件31的寬度與第一絕緣膜21的寬度相同時，可以提高表面反射效率。當引導構件31的寬度小於第一絕緣膜21的寬度時，引導構件31可以穩定地布置在第一絕緣膜21上。因為引導構件 31沿著第一絕緣膜21布置，所以引導構件31可以具有敞口區域。當引導構件31具有導電性時，引導構件31可以布置在第一絕緣膜21的頂表面上。而且，引導構件31的一部分可以接觸所述多個金屬層11和13中的一個。而且，當引導構件31由絕緣材料形成時，引導構件31可以接觸金屬層11和13的頂表面。發光晶片41可以布置在第一金屬層11上並且電連接到第一金屬層11和第二金屬層13。發光晶片41可以是具有可見光波長帶並且發射紅光、綠光、藍光或白光的發光二極體，或者是具有紫外光波長帶的發光二極體，但其不限於此。發光晶片41可以實現為橫向型晶片或豎直型晶片，在橫向型晶片中，兩個電極彼此平行地布置，在豎直型晶片中，兩個電極布置在彼此相反的兩側。橫向型晶片可以連接到至少兩根電線51和52，而豎直型晶片可以連接到至少一根電線(例如，附圖標記52)。發光晶片41可以利用導電粘結劑或絕緣粘結劑粘附到第一金屬層11。這裡，當發光晶片41的下部上布置有電極時，可以使用導電粘結劑。而當該下部上布置有絕緣基板時，可以使用導電粘結劑或絕緣粘結劑。發光晶片41可以使用第一電線51連接到第一金屬層11並且使用第二電線52連接到第二金屬層13。而且，發光晶片41可以以倒裝晶片方式電連接到第一金屬層11和第
二金屬層13。雖然發光晶片41布置在第一金屬層11上，但發光晶片41也可以布置在第一金屬層11和/或第二金屬層13上，並且不限於此。發光晶片41可以使用第一電線51連接到第一金屬層11並且使用第二電線52連接到第二金屬層13。這裡，發光晶片41可以具有大約80 μ m或更大的厚度。電線51和52 之一的最高點可以布置在比發光晶片41的頂表面高大約40 μ m或更多的位置。在發光晶片41的表面上可以塗覆有螢光體層。該螢光體層可以布置在發光晶片 41的頂表面上。而且，在第一金屬層11和第二金屬層13中的至少一個金屬層的上方或下方布置有用於保護該發光晶片41的保護裝置，例如齊納二極體或瞬變電壓抑制器(TVS) 二極體。 該保護裝置可以電連接到發光晶片41。該保護裝置可以並聯連接到發光晶片41並且連接到第一金屬層11和第二金屬層13。因此，該保護裝置可以針對施加到發光晶片41中的異常電壓來保護該發光晶片41。也可以省略該保護裝置。樹脂層61可以布置在第一金屬層11和第二金屬層13上。樹脂層61的一部分可以布置在第一絕緣膜21的頂表面上。樹脂層61布置在引導構件31內側的敞口區域上。引導構件31的敞口區域可以大於第一敞口區域Al和第二敞口區域A2。樹脂層61可以覆蓋引導構件31的內側區域，例如第一敞口區域Al和第二敞口區域A2。樹脂層61可以與第一敞口區域Al和第二敞口區域A2物理地分離。樹脂層61可以由透明樹脂基材料形成，例如由矽或環氧樹脂形成。
樹脂層61可以具有大約80 μ m至大約500 μ m的厚度T3。樹脂層61可以設置為單層或多層。當樹脂層61具有多層結構時，最下一層可以具有小於大約80 μ m的厚度。當樹脂層61具有多層結構時，樹脂層61可以由彼此相同的材料或彼此不同的材料堆疊而成。替代地，可以按照從具有低硬度的層到具有高硬度的層或者按照從具有高反射率的層到具有低反射率的層的順序來堆疊多個層。樹脂層61的頂表面的一部分可以低於引導構件31的頂表面或者高於每一個絕緣膜21和23的頂表面。而且，樹脂層61可以布置在足以覆蓋電線51和52的高度，但其不限於此。樹脂層61可以包括螢光體。該螢光體可以包括具有諸如黃光、綠光或紅光的可見光波長帶的至少一種螢光體。樹脂層61可以劃分成透明樹脂層和螢光體層。該透明樹脂層和螢光體層可以堆疊以形成樹脂層61。在樹脂層61上方/下方可以布置有螢光體膜，例如光致發光膜(PLF)，但其不限於此。在樹脂層61上可以布置有透鏡。該透鏡可以具有凸透鏡形狀、凹透鏡形狀或凸凹透鏡形狀。而且，該透鏡可以與樹脂層61的頂表面接觸或者隔開，但其不限於此。圖3到10是示出製造圖1的發光器件的過程的視圖。參考圖3和4，金屬層10可以具有足以製造如圖1所示的一個發光器件的尺寸。 替代地，金屬層10具有下述尺寸該尺寸具有杆形形狀並且足以製造在第一方向(水平或豎直方向)上排列的多個發光器件；或者具有下述尺寸該尺寸具有矩陣形式並且足以製造在水平和豎直方向上排列的多個發光器件。用於製造多個發光器件的金屬層可以被切割成單個發光器件或者兩個或更多個發光器件的單元。在下文中，為了描述本實施例，將描述用於製造一個發光器件的金屬層作為示例。例如，金屬層10可以實現為諸如引線框架的金屬板。金屬層10可以由Fe、Cu、諸如!^e-Ni等的含有!^e的合金、Al、含有Al的合金、或者諸如Cu-Ni和Cu-Mg-Sn等的含有 Cu的合金形成。金屬層10可以形成為單層或多層。而且，在金屬層10的頂表面或/和下表面上可以形成有由Al、Ag、Au或阻焊劑形成的反射層或結合層。可以在形成絕緣膜21和 23之前或之後執行金屬層10的鍍覆處理或塗覆處理。金屬層10可以具有大約15 μ m至大約300 μ m的厚度。因此，金屬層10可以充當用於支撐整個發光器件的支撐框架。因為金屬層10沒有設置成單獨的主體，例如金屬層10沒有與由聚鄰苯二甲醯胺 (PPA)形成的樹脂基主體一起注射成型，所以金屬層10的一部分可以具有柔性彎曲的形狀或者能夠以預定角度彎曲。圖4是金屬層上的絕緣膜的截面視圖，並且圖5是圖4的平面圖。參考圖4和5，絕緣膜20 (21和2 形成在金屬層10上。絕緣膜20 (21和23)中的每一個均可以在金屬層10的厚度方向上具有大約30 μ m至大約500 μ m的厚度Tl。而且，絕緣膜20(21和23)中的每一個的厚度均可以比金屬層10的厚度厚。這裡，雖然絕緣膜20(21和23)附接到金屬層的頂表面，但金屬層10也可以附接到絕緣膜20(21和23)的頂表面。該處理的順序可以改變。可以在將粘結層塗覆在金屬層10上之後將絕緣膜20 (21和2 附接到金屬層10。 在絕緣膜21和23的粘附處理中，絕緣膜20(21和23)附接到金屬層10，然後，在預定溫度下執行層疊處理以將絕緣膜21和23附接到金屬層10。每一個絕緣膜21和23可以是具有絕緣性質的膜。而且，絕緣膜21和23可以選擇性地包括具有光學功能、導熱功能和抗溼功能的膜。每一個絕緣膜21和23可以包括聚醯亞胺(PI)膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纖維素(TAC)膜、聚醯胺-醯亞胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK) 膜、全氟烷氧基(PFA)膜、聚苯硫醚(PPQ膜、以及樹脂膜(PE、PP和PET)。每一個絕緣膜21和23可以形成為具有粘結層的膜，例如雙面膠帶或單面膠帶。當每一個絕緣膜21和23由光透射材料形成時，絕緣膜21和23可以包括螢光體或/和散射劑。該螢光體或散射劑可以塗覆在絕緣膜21和23的表面上或者添加到絕緣膜 21禾口 23中。每一個絕緣膜21和23可以是具有預定反射率的膜，例如是具有大約30%或更大的反射特性的膜。在形成多個敞口區域Al和A2之後，可以將絕緣膜21和23附接到金屬層10。敞口區域Al和A2可以是在單個膜中形成的孔或者是敞口的區域。而且，敞口區域Al和A2 可以是使金屬層10的頂表面通過每一個絕緣膜21和23的內側而暴露的區域。絕緣膜21 和23可以劃分成圍繞第一敞口區域Al或金屬層10形成的第一絕緣膜21以及圍繞第二敞口區域A2形成的第二絕緣膜23。第二絕緣膜23可以是第一絕緣膜21的一部分。而且，第二絕緣膜23可以與第一絕緣膜21 —體地形成。第一絕緣膜21和第二絕緣膜23可以實現為單一膜。第一絕緣膜21可以具有恆定寬度W1。替代地，第一絕緣膜21可以具有相互不同的寬度。第一絕緣膜21可以具有幾十ym或更大的寬度W1。第二絕緣膜23可以具有恆定寬度W2。替代地，第一絕緣膜23可以具有相互不同的寬度。第二絕緣膜23的寬度W2可以大於金屬層11和13之間的間隔G1。例如，第二絕緣膜23可以具有大約20 μ m或更大的寬度。第一絕緣膜21的寬度Wl可以等於或不等於第二絕緣膜23的W2。多個敞口區域Al和A2中的一個敞口區域(例如第二敞口區域A2)可以具有大約 60ym的最小寬度。第二敞口區域A2可以具有不中斷電線的結合處理的寬度。第一敞口區域Al可以具有足以安裝發光晶片的寬度。而且，第一敞口區域Al的寬度可以比第二敞口區域A2的寬度寬。這裡，雖然第一敞口區域Al被描述為其上安裝發光晶片的區域並且第二敞口區域A2被描述為與電線結合的區域，但本公開不限於此。例如，第一敞口區域Al可以是與電線結合的區域並且第二敞口區域A2可以是其上安裝發光晶片的區域。可以在單一絕緣膜上執行衝孔處理、切割處理或蝕刻處理來形成第一敞口區域Al 和第二敞口區域A2。第一敞口區域Al和第二敞口區域A2的寬度或形狀可以改變。可以在將絕緣膜20(21和23)附接到金屬層10之前或之後形成敞口區域Al和A2。金屬層10的頂表面可以通過絕緣膜21和23的第一敞口區域Al和第二敞口區域 A2而暴露。例如，可以利用諸如諸如藍寶石(Al2O3)、Si02、Si0x或SiOxNy的氧化物或者氮化物的絕緣材料來印刷或塗覆每一個絕緣膜21和23。在此情形中，固化的絕緣膜21和23可以由柔性材料或具有預定粘度的材料形成。每一個絕緣膜21和23可以具有網孔形狀或粗糙形狀的內表面或預定內部區域。替代地，多個細孔可以形成在絕緣膜21和23中，但不限於此。參考圖6和7，圖4的金屬層10可以劃分成多個金屬層11和13。多個金屬層11 和13可以包括至少兩個金屬層。至少兩個金屬層11和13可以充當用於供應電力的電極。這裡，在用於形成金屬層的電路的處理中，例如，在引線框架的表面被激活之後， 可以塗覆光阻劑，可以執行曝光處理，並且可以執行顯影處理。當顯影處理完成時，可以執行蝕刻處理以形成所要求的電路並將光阻劑剝落。此後，可以在金屬層的表面上執行鍍Ag 處理，以將金屬層的表面處理成可結合表面。第一金屬層11的寬度可以與第二金屬層13的寬度相同或不同。例如，第一金屬層11的尺寸可以大於或小於第二金屬層13的尺寸。替代地，第一金屬層11和第二金屬層 13可以具有彼此相同的區域或彼此對稱的形狀。預定的分離部17可以布置在第一金屬層11和第二金屬層13之間以將第一金屬層11與第二金屬層13隔開。第一金屬層11和第二金屬層13可以相互隔開大約 ομ m或者更大的間隔G1。間隔Gl可以小於第二絕緣膜23的寬度W1。第二絕緣膜23可以維持該第一金屬層11和第二金屬層13之間的間隔Gl，並且第一絕緣膜21可以支撐金屬層11和13。這裡，第二金屬層13可以向內延伸通過第一金屬層11的一個側表面。第二金屬層13的左側長度Dl和右側長度D2可以根據第二敞口區域A2和絕緣膜21、23而改變。參考圖6和8，引導構件31形成在絕緣膜21和23的頂表面上。可以執行印刷處理、塗覆處理或薄膜粘附處理之一來形成引導構件31。在印刷處理中，可以在除了待印刷區域之外的區域上執行掩膜處理，並且可以執行絲網印刷處理以形成引導構件31。在塗覆處理中，可以塗覆反射材料以形成引導構件31。在膜粘附處理中，可以粘附諸如反射片的膜以形成引導構件31。這裡，可以考慮由於引線鍵合或回流處理引起的熱特性來選擇引導構件 31和絕緣膜21和23的材料。可以使用阻焊劑或焊膏以印刷方式來形成引導構件31。阻焊劑的顏色可以是白色，以有效反射入射光。而且，引導構件31可以由高反射性材料形成，例如由Ag、Al、Cu、Au、 Ag合金、Al合金、Cu合金或Au合金形成。該反射性材料可以設置為單層或多層。而且，可以在金屬籽晶層上執行鍍覆處理，例如在諸如Ag、Al或Ni上執行鍍覆處理來形成引導構件 31。而且，引導構件31可以由非金屬材料形成。該非金屬材料可以包括白色樹脂，例如其內混合有T^2和玻璃纖維的樹脂(例如，PPA)。當引導構件31具有絕緣和反射特性時，不需要另外的絕緣膜，但是不限於此。引導構件31可以由具有大約50%或更大反射特性的金屬或非金屬材料形成，並且優選由具有大約90 %或更大反射特性的金屬或非金屬材料形成。引導構件31可以具有大約15 μ m至大約500 μ m的厚度T2。而且，引導構件31的厚度可以與每一個絕緣膜21和23的厚度相同或不同。引導構件31可以具有考慮到光的取向角的分布而改變的厚度T2和布置結構。引導構件31可以形成在第一絕緣膜21上以覆蓋發光晶片14的周圍。當從頂側觀察時，引導構件31可以具有框架形狀、環形形狀或迴路形狀。引導構件31可以連續或不連續地形成在第一絕緣膜21的頂表面上。
引導構件31的寬度W3可以與第一絕緣膜21的寬度相同或不同。當引導構件31 的寬度與第一絕緣膜21的寬度相同時，可以提高表面反射效率。當引導構件31的寬度不同於第一絕緣膜21的寬度時，引導構件31可以穩定地布置在第一絕緣膜21上。當引導構件31具有導電性時，引導構件31可以布置在第一絕緣膜21的頂表面上。而且，引導構件31的一部分可以接觸兩個引線框架11和13之一。而且，當引導構件 31由絕緣材料形成時，引導構件31可以從第一絕緣膜21的頂表面延伸到金屬層11和13 的頂表面。參考圖8和9，發光晶片41可以布置在第一金屬層11上並且電連接到第一金屬層 11和第二金屬層13。發光晶片41可以是具有可見光波長帶並且發射紅光、綠光、藍光或白光的發光二極體或者是具有紫外光波長帶的發光二極體，但不限於此。發光晶片41可以實現為橫向型晶片或豎直型晶片，在橫向型晶片中，兩個電極彼此平行地布置，在豎直型晶片中，兩個電極布置在彼此相反的兩側。橫向型晶片可以連接到至少兩根電線51和52，而豎直型晶片可以連接到至少一根電線(例如，附圖標記52)。發光晶片41可以使用導電或絕緣粘結劑粘附到第一金屬層11。這裡，當發光晶片 41的下部布置有電極時，可以使用導電粘結劑。而且，而當該下部上布置有絕緣基板時，可以使用導電粘結劑或絕緣粘結劑。發光晶片41可以使用第一電線51連接到第一金屬層11並且使用第二電線51連接到第二金屬層13。而且，發光晶片41可以以倒裝晶片方式電連接到第一金屬層11和第
二金屬層13。雖然發光晶片41布置在第一金屬層11上，但發光晶片41也可以布置在第一金屬層11和/或第二金屬層13上，並且不限於此。發光晶片41可以使用第一電線51連接到第一金屬層11並且使用第二電線52連接到第二金屬層13。這裡，發光晶片41可以具有大約80 μ m或更大的厚度。電線51和52 之一的最高點可以布置在比發光晶片41的頂表面高大約40 μ m或更多的位置。參考圖9和10，樹脂層61可以由透明樹脂基材料形成，例如由矽或環氧樹脂形成。樹脂層61可以具有大約80 μ m到大約500 μ m的厚度T3。樹脂層61可以設置為單層或多層。當樹脂層61具有多層結構時，最下一層可以具有小於大約80 μ m的厚度。當樹脂層61具有多層結構時，樹脂層61可以由彼此相同的材料或者彼此不同的材料堆疊而成。替代地，可以按照從具有低硬度的材料到具有高硬度的材料或者按照從具有高反射率的材料到具有低反射率的材料的順序來堆疊多個層。樹脂層61的頂表面的一部分可以低於引導構件31的頂表面或者高於每一個絕緣膜21和23的頂表面。而且，樹脂層61可以布置在足以覆蓋電線51和52的高度處，但不限於此。樹脂層61可以包括螢光體。該螢光體可以包括具有諸如黃光、綠光或紅光的可見光波長帶的至少一種螢光體。樹脂層61可以劃分成透明樹脂層和螢光體層。該透明樹脂層和螢光體層可以堆疊以形成樹脂層61。在樹脂層61上方/下方可以布置有螢光體膜，例如光致發光膜(PLF)，但其不限於此。樹脂層61可以覆蓋引導構件31的內側區域，例如第一敞口區域Al和第二敞口區域A2。樹脂層61可以與第一敞口區域Al、第二敞口區域A2物理地分離。在樹脂層61上可以布置有透鏡。該透鏡可以具有凸透鏡形狀、凹透鏡形狀或者凸凹透鏡形狀，但是不限於此。而且，該透鏡可以與樹脂層61的頂表面接觸或隔開，但是不限於此。圖11是根據第二實施例的發光器件的側截面視圖。參考圖11，發光晶片41可以結合在第一金屬層11上。而且，發光晶片41可以電連接到第一金屬層11並且通過電線52連接到第二金屬層13。絕緣膜M可以附接到第一金屬層11和第二金屬層13之間的下側。絕緣膜M可以維持第一金屬層11和第二金屬層13之間的預定間隔並且支撐第一金屬層11和第二金屬層13之間的部分。樹脂層61布置在第一金屬層11和第二金屬層13上。樹脂層61可以通過傳遞成型方法而以預定形狀注射成型。根據傳遞成型方法，液體樹脂被填充到具有預定形狀的框架中並然後固化，從而可以形成具有所期望的形狀的樹脂層61。樹脂層61可以具有柱形形狀、多角柱形狀或非平坦表面形狀，但是不限於此。樹脂層61的部分61A可以布置在第一金屬層11和第二金屬層13之間並且可以接觸絕緣膜M的頂表面。樹脂層61的外表面可以與第一金屬層11或第二金屬層13的外側部分向內隔開一段預定距離T3。因此，第一金屬層11和第二金屬層13的外部頂表面可以暴露。距離T3 可以是大約Iym或更大。而且，在樹脂層61的頂表面或側表面的一部分上可以進一步布置有反射層，但是不限於此。圖12是根據第三實施例的包括多個發光晶片的發光器件的側截面視圖。參考圖12，發光器件包括三個或更多個金屬層IlAUlB和IlC以及兩個或更多個發光晶片41A和41B。發光晶片41A和41B可以發射具有彼此相同的峰值波長或者彼此不同的峰值波長的光。金屬層IlAUlB和IlC排列在同一平面上。第一絕緣膜21圍繞金屬層11A、IlB 和IlC布置。第二絕緣膜23A和2 分別布置在彼此相鄰的金屬層IlA和IlB以及IlB和 IlC之間，以支撐並固定彼此相鄰的金屬層IlA和IlB以及IlB和11C。第三絕緣膜22可以布置在第二金屬層IlB的中心側並被劃分成兩個區域。 第一絕緣膜21、第二絕緣膜23A、23B和第三絕緣膜22可以設置為單一膜或相互分離的膜，但是不限於此。第一發光晶片41A和第二發光晶片41B彼此隔開並且布置在第二金屬層IlB上。 第三絕緣膜22布置在第一發光晶片41A和第二發光晶片41B之間。引導構件31布置在第一絕緣膜21和第三絕緣膜22上。引導構件31布置在高於發光晶片41的頂表面的位置處，以反射從發光晶片41A和41B發射的光。樹脂層62和63分別布置在第一發光晶片41A和第二發光晶片41B上。每一個樹脂層62和63的一部分可以布置在與引導構件31的頂表面相同的高度或者更小的高度處， 但是不限於此。第二金屬層IlB可以用作第一發光晶片41A和第二發光晶片41B的公共電極。第一金屬層IlA可以用作用於控制第一發光晶片41A的電極，而第三金屬層IlC可以用作用於控制第二發光晶片41B的電極。根據當前實施例，雖然描述了兩個發光晶片41A和41B布置在左右兩側，但也可以以矩陣形式或者以跨過同一中心的線性形狀布置三個或更多個發光晶片。發光晶片可以彼此串聯或並聯連接，但是不限於此。而且，當切割第三絕緣膜22的中心部分時，可以將發光器件製造成兩個發光器件。圖13和14是根據第四實施例的發光器件的透視和側截面視圖。參考圖13和14，絕緣膜25粘附到第二金屬層13的頂表面上的周邊，以支撐第一金屬層11和第二金屬層13。絕緣膜25覆蓋第一金屬層11和第二金屬層13之間的分離部 17,以支撐第一金屬層11和第二金屬層13之間的部分。引導構件32圍繞第一金屬層11的頂表面布置。引導構件32的一部分可以布置在絕緣膜25的外頂表面上。引導構件32可以圍繞第一金屬層11的頂表面布置並且布置在絕緣膜25的外頂表面上。引導構件32可以電連接在第一金屬層11的頂表面上並且通過絕緣膜25與第二金屬層13的頂表面電分離。引導構件32可以以迴路形狀、框架形狀或環形形狀圍繞第一金屬層11和絕緣膜25布置。絕緣膜25可以以迴路形狀、框架形狀或環形形狀圍繞第二金屬層13的頂表面布置。絕緣膜25可以防止引導構件32物理地或者電接觸第二金屬層13並且防止第一和第二金屬層11和13短路。絕緣膜25和引導構件32可以支撐並且固定彼此相鄰的兩個金屬層11和13。引導構件31可以具有等於樹脂層61的厚度的厚度。根據當前實施例，可以減小絕緣膜25的面積並且可以增加引導構件32的面積以改進光學反射效率。圖15和16是根據第五實施例的發光器件的平面和側截面視圖。參考圖15和16，絕緣膜21和23布置在第一和第二金屬層11和13的整個頂表面上並且包括多個敞口區域Al、A2和A3。多個敞口區域Al、A2和A3包括其上發光晶片41 安裝在第一金屬層11上的第一敞口區域Al、第二電線52在第二金屬層12上被結合到的第二敞口區域A2、以及第一電線51在第一金屬層11上被結合到的第三敞口區域A3。作為另一示例，當發光晶片41具有豎直型電極結構時，可以不形成第三結合區域A3。第一到第三敞口區域Al、A2和A3中的每一個可以具有圓形形狀或多邊形形狀。這裡，第二敞口區域A2可以形成為發光晶片41的下區域的至少四分之一或更小的尺寸。第一敞口區域Al和第三敞口區域A3中的每一個可以具有大於電線直徑(例如，大約20 μ m 到大約50 μ m)的寬度或直徑，例如，大約60 μ m到大約120 μ m。因為每一個絕緣膜21和23的粘附區域比圖1的結構更寬，所以第一金屬層11和第二金屬層13可以更牢固地得到支撐。引導構件31可以圍繞每一個絕緣膜21和23的頂表面布置。樹脂層61可以在引導構件31內側成型。圖17是示出圖15的另一示例的平面視圖。參考圖17，發光器件包括三個金屬層11、13和15和附接在金屬層11、13和15上的絕緣膜21。在絕緣膜21上限定有多個敞口區域Al、A2和A3。多個敞口區域A1、A2和 A3可以分別是使金屬層11、13和15的頂表面露出的敞口部分。第三金屬層15布置在第一金屬層11和第二金屬層13之間。發光晶片41安裝在第三金屬層15上。發光晶片41布置在絕緣膜21的第一敞口區域Al上。而且，第二敞口區域A2和第三敞口區域A3可以是引線鍵合區域。發光晶片41通過第一電線51連接到第三敞口區域A3上的第一金屬層11並且通過第二電線52連接到第二敞口區域A2上的第二金屬層13。絕緣膜21的敞口區域Al、A2和A3是其中發光晶片41和電線51和52布置在金屬層11、13和15的頂表面上的區域。而且，絕緣膜21可以牢固地支撐金屬層11、13和15 之間的部分並且防止金屬層11、13和15之間產生臺階部分，以提高由於焊料結合的電氣可靠性並且還提高熱傳遞效率。圖18到27是示出根據一個實施例的金屬層和絕緣膜的修改示例的視圖。參考圖18，第二金屬層13可以布置在第一金屬層11的至少一部分上並且在第一金屬層11側處可以具有圓形形狀、多邊形形狀或者任意形狀。第一金屬層11和第二金屬層13之間的分離部17可以具有均勻或不規則的寬度。第一金屬層11和第二金屬層13可以具有彼此對應並且具有粗糙結構IlD和13D 的表面。粗糙結構IlD和13D可以改進第二絕緣膜23的粘附效率。如圖19中所示，第二金屬層13能夠以預定形狀，例如圓形或多邊形形狀布置在第一金屬層11的至少一個邊緣上。如圖20和21中所示，第二金屬層13可以在第一金屬層11的至少一部分上具有半球形形狀或者可以在第一金屬層11的邊緣上具有多邊形形狀。如圖22所示，第二金屬層13A和第三金屬層1 在第一金屬層11的至少兩個邊緣上具有迴路形狀或多邊形形狀。第二金屬層13A和第三金屬層1 可以布置在第一金屬層11的彼此面對的邊緣上。第二金屬層13A和第三金屬層1 可以分別用作電極第二金屬層13A和第三金屬層1 之一可以用作虛設圖案。絕緣膜21和23可以圍繞三個金屬層 11、13A和1 布置。而且，絕緣膜21和23可以通過敞口區域Al和A2暴露三個金屬層11、 13A和13B的頂表面。如圖23中所示，第一金屬層11和第二金屬層13在其中心側處由分離部17劃分。 而且，第一金屬層11和第二金屬層13可以具有彼此相同或者彼此對稱的區域。第二金屬層13的第一側的長度Ll可以小於與第一側相反的第二側的長度L2，但是不限於此。參考圖對，第二金屬層13可以布置在第一金屬層11的一部分上。第二金屬層13 可以具有第一方向上的寬度X3，該第一方向上的寬度X3具有第二金屬層11的第二方向上的寬度Yl的大約1/2倍的尺寸。第二金屬層13可以具有第一方向上的寬度TO，該第一方向上的寬度TO具有第一金屬層11的第二方向上的寬度Yl的大約1/2倍的尺寸。絕緣膜21布置於第一金屬層11和第二金屬層13之間的邊界上。絕緣膜21覆蓋除了第二敞口區域A2之外的區域。在沒有設置絕緣膜21的情況下，可以暴露第二金屬層 13的外頂表面。發光晶片可以安裝在第二金屬層13的敞口區域Al上。發光晶片可以電連接到兩個金屬層11和13。參考圖25，第二金屬層13可以布置在第一金屬層11的邊緣部分上。第二金屬層 13的第一方向上的寬度X4和第二方向上的寬度W可以是第一金屬層11的第一方向上的寬度Xl和第二方向上的寬度Yl的大約1/2倍或更大。因為在沒有在第二金屬層13的外頂表面上設置絕緣膜的情況下布置引導構件， 所以可以增加引導構件覆蓋的區域。參考圖沈，第二金屬層13可以通過第一金屬層11的一個側表面延伸直到第一金屬層11的內部或者可以布置在第一金屬層11內部。第二金屬層13的外側部分13-1的寬度W5可以比內側部分13_2的寬度W6窄。發光晶片可以布置在第二金屬層13的第一敞口區域Al上，但是不限於此。參考圖27，第二金屬層13可以具有與第一金屬層11的寬度一樣長的直徑並且具有半球形形狀。絕緣膜21可以布置在第一金屬層11和第二金屬層13之間的邊界上。引導構件可以圍繞金屬層11和13的頂表面布置。〈第六實施例〉參考圖觀，第一絕緣膜21圍繞第一金屬層11和第二金屬層13的頂表面布置。而且，布置了覆蓋第一金屬層11和第二金屬層13之間的部分的第二絕緣膜23。第一絕緣膜 21和第二絕緣膜23可以相互連接。敞口區域可以被布置在第一絕緣膜21和第二絕緣膜 23之間。樹脂層63布置在第一絕緣膜21的敞口區域上以覆蓋發光晶片41。液體樹脂基絕緣材料可以分配並然後固化以形成樹脂層63。這裡，第一絕緣膜21可以用作圍繞樹脂層63的阻擋件。樹脂層63可以具有凸透鏡形狀的表面。樹脂層63的中心部分的厚度可以大於第一絕緣膜21和第二絕緣膜23的厚度。引導構件31或反射材料可以進一步圍繞樹脂層63布置，但是不限於此。〈第七實施例〉參考圖四，發光晶片45被貼片到第一金屬層11並且通過電線連接到第二金屬層 13。樹脂層63布置在第一金屬層11和第二金屬層13上。樹脂層63布置在金屬層11和13的頂表面上。絕緣膜21圍繞樹脂層63布置。樹脂層63可以具有凸透鏡形狀。引導構件31或者反射材料可以進一步圍繞樹脂層63布置， 但是不限於此。間隔物18布置在第一金屬層11和第二金屬層13之間的分離部17上。間隔物 18布置在第一金屬層11和第二金屬層13之間並且由絕緣材料形成。間隔物18粘附在第一金屬層11和第二金屬層13之間。間隔物18可以將第一金屬層11與第二金屬層13隔開以防止第一和第二金屬層11和13彼此電氣短路。間隔物18可以由Si02、SiOx, SiOxNy> Si3N4^Al2O3和TW2中的至少一種形成。樹脂層63的下表面可以接觸第一金屬層11和第二金屬層13的頂側和間隔物18 的頂表面。〈第八實施例〉參考圖30，粗糙部63A布置在樹脂層63的表面上。通過在樹脂層61的表面上執行蝕刻或者注入處理，粗糙部63A可以具有粗糙表面。粗糙部63A可以改變行進到樹脂層 63外部的光的臨界角，以提高光提取效率。〈第九實施例〉參考圖31，發光晶片41可以以倒裝方式安裝在第一金屬層11和第二金屬層13上。發光晶片41安裝在第一金屬層11和第二金屬層13上。第一金屬層11和第二金屬層 13可以具有彼此相同的寬度。第二絕緣膜M附接到第一金屬層11和第二金屬層13的下表面以將兩個金屬層 11和13相互絕緣並且支撐這兩個金屬層11和13。第一絕緣膜21可以圍繞第一金屬層11和第二金屬層13的頂表面附接以固定這兩個金屬層11和13。第二絕緣膜21可以用作阻擋件以防止樹脂層63溢出。樹脂層63的一部分可以填充在第一和第二金屬層11和13之間，以保持第二絕緣膜21和金屬層11和13之間的距
1 O樹脂層63可以具有凸半球形形狀。而且，在樹脂層63的中心限定了具有預定深度的凹部63B。凹部6 可以具有喇叭形狀或半球形狀。反射材料72可以布置在凹部63B 內。反射材料72可以包括金屬氧化物。例如，反射材料72可以形成由諸如T^2或/和S^2 的材料形成的至少一層，以將入射光反射到側方向。樹脂層63和反射材料72可以具有相互不同的折射率。例如，反射材料72的折射率可以大於樹脂層63的折射率。樹脂層63可以朝向側方向反射中心方向上的光，以均勻地提供光的取向角分布。而且，除了反射材料之外，散射劑可以布置在凹部63B中，但是不限於此。〈第十實施例〉參考圖32，引導構件33形成在樹脂層61的側表面上。在形成樹脂層61之後，可以通過在樹脂層61的至少兩個側表面上執行濺射方法或沉積方法來沉積該引導構件33。 因此，可以由於引導構件33而改變製造工藝。可以根據沉積時間來調節引導構件33的寬度和厚度。引導構件33可以由諸如Al或Ag的反射材料或者具有高折射率的光透射材料形成。〈第—^一實施例〉參考圖33，發光器件具有其中透鏡71布置在樹脂層61上的結構。樹脂層61上的透鏡71可以具有凸半球形形狀並且可以粘附到樹脂層61和引導構件31的頂表面。引導構件31和透鏡71可以分別具有非平坦表面，但是不限於此。〈第十二實施例〉參考圖34，發光器件包括彼此相鄰布置的三個金屬層11、13和15。三個金屬層 11、13和15中的第一和第二金屬層11和13可以用作電極。第三金屬層15可以布置在第一和第二金屬層11和13之間並且用作散熱板。第一絕緣膜21圍繞第一到第三金屬層11、13和15的頂表面布置以用作樹脂層61 的屏障並且支撐金屬層11、13和15。第二和第三絕緣膜24A和24B可以粘附到第一和第三金屬層11和15之間以及第二和第三金屬層13和15之間的下部以支撐第一和第三金屬層 11和15之間以及第二和第三金屬層13和15之間的部分。第二和第三絕緣膜24A和24B 可以防止彼此相鄰的金屬層相互短路。第二和第三絕緣膜24A和24B可以布置成單一膜或者布置為在相互不同的區域上的分離的膜。而且，樹脂層61的部分61A填充在第一和第三金屬層11和15之間以及第二和第三金屬層13和15之間以粘附到彼此相鄰的金屬層的側表面。這裡，可以在固化樹脂層61 之後移除第二和第三絕緣膜24A和MB。金屬層11、13和15可以由樹脂層61和第一絕緣膜21支撐並且具有平坦的下表面。螢光體層73布置在樹脂層61上方。螢光體層73可以是包括螢光體的膜或者添加有螢光體的樹脂層。螢光體層73可以從樹脂層61的頂表面延伸直到引導構件31的頂側。螢光體層73可以吸收從發光晶片41發射的光的一部分以發射具有比吸收的光的波長更長的波長的光，由此在顏色坐標分布中在想要的顏色坐標中移動。參考圖35，發光器件具有其中第二引導構件35進一步被布置在第二和第三絕緣膜23A和2 上的結構。第二和第三絕緣膜23A和2 可以覆蓋相鄰金屬層11、13和15之間的分離部17A 和17B以粘附到金屬層11、13和15的邊界的頂表面。然後，第二引導構件34布置在第二絕緣膜23A和2 上。第一引導構件31布置在第一絕緣膜21上。發光晶片41、42和43 布置在第一引導構件31和第二引導構件34的敞口區域上。第一引導構件31和第二引導構件34可以圍繞發光晶片41、42和43布置以有效反射入射光。第一發光晶片41布置在第一金屬層11上，第二發光晶片42被布置在第三金屬層 15上，並且第三發光晶片43布置在第二金屬層13上。第一發光晶片41通過電線51和53 連接到第一金屬層11和第二發光晶片42的第一電極。第二發光晶片42的第二電極通過電線M連接到第三發光晶片43的第一電極。第三發光晶片43的第二電極通過電線52連接到第二金屬層13。第二發光晶片42直接連接到其它發光晶片，但是不限於此。第一發光晶片41可以通過電線51和52連接到第一金屬層11。第一發光晶片41 和第二發光晶片42可以相應地通過電線51和52晶片到晶片地相互連接。第二發光晶片 42可以通過電線51和52連接到第三金屬層。〈第十四實施例〉參考圖36，發光器件包括具有凹表面S5的樹脂層61。例如，樹脂層61可以具有透鏡形狀，其中側部高並且中心部分低。樹脂層61的側部和中心部分之間的間隙T6可以是大約0.001mm到大約1mm。該間隙T6可以防止光學引導板接觸。因此，可以防止由於光學引導板接觸引起的諸如色彩模糊現象的異常顏色分布。〈第十五實施例〉參考圖37，第一引導構件31可以布置在第一絕緣膜21上並且第二引導構件36可以圍繞發光晶片41布置。第二引導構件36可以圍繞發光晶片41布置。第二引導構件36 可以具有比發光晶片41的厚度更厚或者更小的厚度。第二引導構件36的一部分布置在發光晶片41和第二絕緣膜23之間。第二引導構件36的另一部分可以布置在發光晶片41和第一電線51之間。第二引導構件36可以具有框架形狀、迴路形狀或環形形狀。第二引導構件36可以布置在第一金屬層11的第一敞口區域Al內以有效地反射從發光晶片41發射的光。第一引導構件31可以具有與第一絕緣膜21相同的寬度。因此，在第一引導構件 31粘附到第一絕緣膜21之後，可以執行諸如衝孔的處理。根據當前實施例，引導構件31和36可以被雙重地布置在發光晶片41周圍，以改進光反射效率和取向角分布。〈第十六實施例〉
參考圖38，發光器件包括第一絕緣膜21上的第一和第三引導構件37A和37B。第一引導構件37A可以布置在第一絕緣膜21的頂表面和內表面上。第一引導構件37A的一部分布置為離發光晶片45比離第一絕緣膜21更近。第一引導構件37A的下部可以接觸第一金屬層11的頂表面。第三引導構件37B可以被布置在第一絕緣膜21的頂表面和內表面上。第三引導構件37B的一部分布置為離發光晶片45比離第一絕緣膜21更近。第三引導構件37B的下部可以接觸第二金屬層13的頂表面。第一引導構件37A可以以預定距離D3 延伸到金屬層11和13的頂表面。距離D3可以是大約0. Imm或者更大。當第一和第三引導構件37A和37B中的每一個由非金屬材料或者絕緣樹脂材料形成時，第一和第三引導構件37A和37B可以相互連接。當第一和第三引導構件37A和37B中的每一個由導電材料形成時，第一和第三引導構件37A和37B可以物理地相互分離。因此，第一和第三引導構件37A和37B可以在第一金屬層11和第二金屬層13之間的邊界上相互隔開。因此，接觸第一金屬層11的頂表面的第一引導構件37A和接觸第二金屬層13的頂表面的第三引導構件37B可以相互分離以防止第一和第三引導構件37A和37B電氣短路。而且，第二引導構件37C可以布置在第二絕緣膜23的頂表面和內表面上以接觸第一金屬層11的頂表面。第二引導構件37C可以連接到第一引導構件37A並且可以與第三引導構件37B分離。第二引導構件37C可以與第二金屬層13物理地隔開。第一引導構件37A和第二引導構件37C可以布置為對應於發光晶片45的周圍以有效地反射從發光晶片45發射的光。第一引導構件37A和第二引導構件37C中的每一個可以由樹脂材料、非金屬材料或者反射性金屬形成。而且，第一引導構件37A和第二引導構件37C的內表面對應於發光晶片45並且可以具有相對於第一金屬層11的頂側彎曲或者傾斜的形狀。第一到第三引導構件37A、37C和37B可以由彼此相同的材料或者彼此不同的材料形成，但是不限於此。作為另一示例，第一到第三引導構件37A、37C和37B可以由金屬材料或者絕緣材料形成。參考圖39，發光器件還包括引導構件31上的反射層81A和81B。反射層81A和81B可以由諸如Ag和Al的具有大約70%或者更大的反射率的高反射性金屬形成。高反射性金屬可以通過鍍覆或者塗覆處理而形成。反射層81A和81B可以形成在引導構件31和第一絕緣膜21的頂表面和側表面上。反射層81A和81B可以不連續地布置並且相互隔開以防止第一和第二金屬層相互電氣短路。根據上述實施例，因為絕緣膜21、23A和2 粘附到金屬層11和13的頂表面的周圍，所以金屬層的側表面可以與絕緣膜21隔開大約Iym或者更大，但是不限於此。參考圖40，在發光器件中，發光晶片45結合到第一金屬層11並且第二金屬層13 通過電線53連接到發光晶片45。第二絕緣膜23可以附接在第一金屬層11和第二金屬層 13之間的頂表面上。引導構件31以連續或不連續形狀布置在第一金屬層11和第一絕緣膜21上。例如，引導構件31可以具有框架形狀、迴路形狀和環形形狀。
樹脂層63可以被布置在引導構件31內並且螢光體層73可以被布置在樹脂層63 上。螢光體層73的螢光體可以分散在整個區域中。而且，因為螢光體與發光晶片45隔開， 所以可以防止汙染(discoloration)。參考圖41，在發光器件中，樹脂層被移除並且光致發光膜74被布置在發光晶片41 上。光致發光膜74布置為與金屬層11、13和15隔開並且由引導構件31支撐。第二絕緣膜24A和24B可以布置在金屬層11、13和15之間的頂表面或者下表面上，但是不限於此。圖42是發光器件的側截面視圖，並且圖43是圖42的平面視圖。參考圖42和43，發光晶片41以倒裝方式安裝在第一金屬層11和第二金屬層13 上。絕緣膜21布置在第一金屬層11和第二金屬層13周圍。由絕緣材料形成的間隔物18 可以被布置在第一金屬層11和第二金屬層13之間。間隔物18防止樹脂層的洩漏。樹脂層66可以布置在發光晶片41周圍。樹脂層66的一部分可以延伸直到絕緣膜21的頂表面。參考圖44，在發光器件中，絕緣膜23和M附接在第一金屬層11和第二金屬層13 之間的頂表面和下表面上。發光晶片45布置在第一金屬層11上並且樹脂層67成型到發光晶片45。樹脂層67可以具有與第一金屬層11和第二金屬層13的側表面相同的側表面。樹脂層67可以具有對應於第一和第二金屬層11和13的側表面之間的距離的寬度。這裡，樹脂層67可以在中心部分67A處具有最厚的厚度。而且，樹脂層67的厚度 T4可以從中心部分67A朝向外側逐漸減小。中心部分67A具有凸透鏡形狀。厚度T4可以大於或者小於發光晶片45的高度。可以使用注入成型框架製造該樹脂層67。而且，因為在樹脂層67固化之後，以每一個發光器件的尺寸為單位來切割和分離發光器件。因此，在製造過程期間，發光晶片45可以安裝在金屬層11和13上或者樹脂層67可以布置在金屬層11和13上。金屬層11和13之間的分離部17可以在形成最終樹脂層之後通過雷射或者切割處理形成，但是不限於此。參考圖45，在發光器件中，粘結層四布置在絕緣膜21和23與金屬層11和13之間。粘結層四可以使用諸如矽或者環氧樹脂的絕緣粘結劑。粘結層四可以具有大約12 μ m 或者更大的厚度。而且，樹脂層61的頂表面可以高於第一引導構件31或者第二引導構件31C的頂表面。第二引導構件31C可以布置在絕緣膜21上以有效率地反射從發光晶片41發射的光。參考圖46，金屬層11和13的頂表面具有非平坦結構IlE和13E。非平坦結構IlE說 和13E可以布置在第一絕緣膜21下面並且可以延伸直到每一個金屬層11和13的敞口區域Al和A2。非平坦結構IlE和13E可以增大金屬層11和13上與絕緣膜21以及23之間的接觸面積或者提高熱輻射效率。〈第二十四實施例〉參考圖47，絕緣膜和引導構件31的內表面中的至少一個可以具有傾斜表面21d和 31d。傾斜表面21d和31d可以從第一絕緣膜21的內表面布置到引導構件31的內表面。傾斜側面21d和31d可以被布置在第一絕緣膜21和引導構件31的側表面之一或兩者上。傾斜側表面21d和31d中的每一個可以具有相對於金屬層11和13的頂表面大約 15°到大約89°的傾斜角度。這些傾斜側表面21d和31d可以在光發射方向上有效地反射光。而且，可以在傾斜表面21d和31d上塗覆反射材料。反射材料可以是不導電材料。替代地，反射材料可以被布置在諸如粘結層的絕緣材料上以防止金屬層電短路。樹脂層61可以具有平坦的頂表面。由於傾斜側表面21d和31d，樹脂層61的上寬度可以比其下寬度寬。而且，第二絕緣膜23的內表面，即對應於發光晶片45的表面可以傾斜，但是不限於此。而且，第二引導構件可以被布置在第二絕緣膜23上。第二引導構件可以具有傾斜內表面。圖48A是發光器件的側截面視圖。圖48B是其中絕緣膜布置在圖48A的金屬層上的情形的平面視圖。參考圖48，在第一金屬層11上的第一絕緣膜21中限定了孔21E。孔21E暴露第一金屬層11的頂表面。引導構件31可以形成在第一和第二絕緣膜21和23上。引導構件 31的部分31E可以通過孔21E接觸第一金屬層11。引導構件31的一部分具有突起形狀。 引導構件31具有小於第一絕緣膜21的寬度的寬度。當第一絕緣膜21由光透射材料形成時，引導構件31的部分31E可以反射入射光。 而且，當引導構件31和第一金屬層由金屬形成時，引導構件31和第一金屬層11可以粘附到彼此以固定第一絕緣膜21。這裡，當引導構件31由具有非導電性的樹脂系列或者非金屬材料形成時，可以除了兩個金屬層11和13之間的邊界的頂表面而在第一金屬層11和第二金屬層13中的每一個中限定第一絕緣膜21的通孔21E。可以在第一絕緣膜21中設置多個孔21E。〈第二十六實施例〉圖49是根據實施例的平面視圖。圖50是沿著圖49的線B-B截取的截面視圖。圖 51是沿著圖49的線C-C截取的截面視圖。參考圖49到51，樹脂層68布置在第一和第二金屬層11和13的整個頂表面上以成型發光晶片45。圍繞樹脂層68限定凹槽19。凹槽19可以具有環形形狀、框架形狀或者多邊形形狀。第一金屬層11的頂表面可以通過凹槽19暴露並且可以與第二金屬層13隔開。蝕刻處理可以包括溼法或者幹法蝕刻處理，但是不限於此。引導構件38可以布置在凹槽19中並且可以由反射材料形成。引導構件38可以以圓形或者多邊形環形狀布置在發光晶片45周圍。引導構件38可以接觸第一金屬層11並且與第二金屬層隔開預定距離T5。因此，引導構件38可以不接觸樹脂層68的下部68A。 這裡，下部68A可以是樹脂層或者絕緣粘結層。當引導構件38嵌入在樹脂層68內時，引導構件38可以接觸第一金屬層11的頂表面並且與第二金屬層13隔開。而且，引導構件38可以在第一金屬層11和第二金屬層13 處具有相互不同的高度。引導構件38可以反射從發光晶片45發射的光。因為這個結構具有其中沒有分離地附接絕緣膜的結構，所以可以簡化製造過程。樹脂層68的部分68C可以填充在第一金屬層11和第二金屬層13之間的分離部 17中或者絕緣膜可以附接到金屬層的頂表面或/和下表面。引導構件38可以具有比下寬度寬的上寬度。而且，引導構件38可以具有相對於金屬層11和13的頂表面以預定角度傾斜的內表面。每一個實施例的特徵均可以選擇性地應用於其它實施例，並且不限於每一個實施例。這裡，當引導構件38由非金屬材料或者絕緣樹脂系列形成時，樹脂層68的凹槽19 可以延伸到第一和第二金屬層11和13的除了兩個金屬層11和12之間的邊界的頂表面之外的頂表面。引導構件38被布置在凹槽19中。圖52和53是根據實施例的發光器件的側截面視圖和電路圖。參考圖52，發光器件包括三個或者更多金屬層12A、12B和12C以及兩個或者更多發光晶片41A和41B。發光晶片41A和41B可以發射具有彼此相同的峰值波長或者彼此不同的峰值波長的光。金屬層12A、12B和12C排列在同一平面上。第一絕緣膜21布置在金屬層12A、12B 和12C周圍。第二絕緣膜23A和2 分別布置在彼此相鄰的金屬層12A和12B以及12B和 12C之間以支撐並且固定彼此相鄰的金屬層12A和12B以及12B和12C。第一發光晶片41A布置在第一金屬層12A上。第二發光晶片41B與第二金屬層 12B隔開。第二金屬層12B可以用作第一發光晶片41A和第二發光晶片41B的公共電極。第一金屬層12A可以用作用於控制第一發光晶片41A的電極，並且第三金屬層12C可以用作用於控制第二發光晶片41B的電極。當第一和第二發光晶片41A和41B是橫向型晶片時，第一發光晶片41A可以分別通過第一電線51A和第二電線51B電連接到第一金屬層12A和第二金屬層12B。而且，第二發光晶片41B可以分別通過第三電線51C和第四電線51D電連接到第二金屬層12B和第三金屬層12C。當第一和第二發光晶片41A和41B是豎直型晶片時，可以省略第一和第三電線51A 和 51C。引導構件31布置在第一絕緣膜21上。引導構件31布置在高於發光晶片41A和 41B的位置處，以反射從發光晶片41A和41B發射的光。樹脂層61布置在第一和第二發光晶片41A和41B上。樹脂層61的一部分可以布置在與引導構件31的頂表面相同的高度或者更小的高度處，但是不限於此。參考圖53，發光晶片41A和41B可以具有橫向電極結構，以實現其中第一金屬層 12A用作陽極並且第三金屬層12B用作陰極的電路。參考圖14，與圖14中示出的電路不同，第一金屬層可以用作陰極，並且第三金屬層12B可以用作陽極。圖M和55是根據實施例的發光器件的側截面視圖和電路圖。參考圖M，發光器件包括三個或更多個金屬層12A、12B和12C和兩個或者更多發光晶片41A和41B。發光晶片41A和41B可以發射具有彼此相同的峰值波長或者彼此不同的峰值波長的光。金屬層12A、12B和12C排列在同一平面上。第一絕緣膜21布置在金屬層12A、12B 和12C周圍。第二絕緣膜23布置在彼此相鄰的金屬層12A和12B、12A和12C以及12B和 12C之間，以支撐並固定彼此相鄰的金屬層12A和12BU2A和12C以及12B和12C。相互隔開的第一發光晶片41A和第二發光晶片41B布置在第一金屬層12A上。第一金屬層12A可以用作第一發光晶片41A和第二發光晶片41B的公共電極。第二金屬層12B可以用作用於控制第一發光晶片41A的電極，並且第三金屬層12C可以用作用於控制第二發光晶片41B的電極。當第一和第二發光晶片41A和41B是橫向型晶片時，第一發光晶片41A可以分別通過第一電線51A和第三電線51C電連接到第一金屬層12A和第二金屬層12B。而且，第二發光晶片41B可以分別通過第二電線51B和第四電線51D電連接到第一金屬層12A和第三金屬層12C。當第一和第二發光晶片41A和41B是豎直型晶片時，可以省略第一和第二電線51A 和 51B。引導構件31布置在第一絕緣膜21上。引導構件31被布置在高於發光晶片41A 和41B的位置處，以反射從發光晶片41A和41B發射的光。樹脂層61布置在第一和第二發光晶片41A和41B上。樹脂層61的一部分可以布置在與引導構件31的頂表面相同的高度或者更小的高度處，但是不限於此。參考圖55A，發光晶片41A和41B可以具有橫向電極結構，以實現其中第一金屬層 12A用作正公共電極並且第二和第三金屬層12B、12C用作陰極的電路。在另一方面，參考圖 55B，第一金屬層12A可以用作負公共電極，並且第二和第三金屬層12B和12C可以用作陽極。圖56是示出根據第一實施例的發光器件的修改示例的側截面視圖。參考圖56，發光器件100包括多個金屬層11和13、在金屬層11和13上的絕緣膜 21和23、在多個金屬層11和13中的至少金屬層11上的發光晶片41、在絕緣膜21上的引導構件31、和在金屬層11和13上覆蓋發光晶片41的樹脂層61。因為金屬層11和13未設置成獨立的主體，例如，不具有其中使用由聚鄰苯二甲醯胺(PPA)形成的樹脂基主體來固定金屬層11和13的結構，所以金屬層11和13的一部分可以具有柔性彎曲的形狀、以預定角度彎曲或者部分地蝕刻。S卩，每一個金屬層11和13均包括外側部分Bi、內側部分B2和傾斜部分B3。金屬層11和13中的每一個的外側部分Bl的頂表面的高度H2可以大於金屬層11和13中的每一個的內側部分B2的頂表面的高度HI。這裡，金屬層11或者13的外側部分Bl可以具有等於金屬層11或者13的內側部分B2的厚度T4的厚度T5。金屬層11和13包括內側部分B2和外側部分Bi。外側部分Bl可以布置在高於內側部分B2的頂表面的位置的位置處。金屬層11和13中的每一個可以彎曲以形成金屬層 11和13中的每一個的外側部分。在彎曲處理中，具有傾斜表面的傾斜部分B3可以布置在金屬層11和13的內側部分B2和外側部分Bl之間。多個金屬層11和13的傾斜部分B3可以具有面對彼此的相對表面。這裡，相對表面可以在它們傾斜的狀態中彼此面對。傾斜部分B3可以具有相對於金屬層11和13的內側部分B2的頂表面大約15°到大約89°的傾斜角度。傾斜部分B3的傾斜表面可以有效地在光發射方向上反射光。而且，發光晶片41和第二絕緣膜23可以布置在金屬層11和13的內側部分B2上。而且，第一絕緣膜21可以布置在金屬層11和13的外側部分Bl上。引導構件31 可以布置在第一絕緣膜21上。雖然未示出，但布置在外側部分Bl上的第一絕緣膜21和引導構件31中的至少一個的內表面可以以金屬層11和13的傾斜部分B3的傾斜角度傾斜。圖57到59是示出根據實施例的發光器件的金屬層的修改示例的視圖。參考圖57，金屬層11和13的頂、下和側表面中的一個表面可以具有包括凸部和凹部的一個或者多個非平坦結構IlE和13E。非平坦結構IlE和13E可以布置在第一絕緣膜 21下面並且可以延伸直到金屬層11和13中的每一個的敞口區域Al和A2。而且，非平坦結構IlE和13E可以布置在金屬層11和13的除了其上布置發光晶片41的區域或者電線51和52結合到的區域之外的表面上，由此改進金屬層11和13、發光晶片41和電線51和52的接觸特性。非平坦結構IlE和13E中的每一個可以具有三角形形狀、正方形形狀、梯形形狀和正弦曲線形狀之一，但是不限於此。非平坦結構IlE和13E可以增大金屬層11和13上與絕緣膜21和23之間的接觸面積或者提高熱輻射效率。參考圖58，多個金屬層11和13的下表面可以具有非平坦結構IlE和13E。非平坦結構IlE和13E的突起部分可以具有條紋形狀或者矩陣形狀，但是不限於此。參考圖59，散熱框架12可以布置在多個金屬層中的一個金屬層11的一個側表面上。散熱框架12可以由與金屬層11相同的材料形成，或者由具有優於金屬層11的導電性的導電性的材料形成。散熱框架12可以具有具有包括凹部和凸部的一個或者多個非平坦結構12E的表面。非平坦結構IlE和13E中的每一個可以具有三角形形狀、正方形形狀、梯形形狀和正弦曲線形狀之一，但是不限於此。可以通過散熱框架12的非平坦結構12E來提高金屬層11和13的熱效率。作為另一示例，非平坦結構可以設置在多個金屬層11和13的側表面上以增大表面積，由此提高熱效率。〈發光晶片〉將參考圖60和61描述根據實施例的發光晶片。參考圖60，發光晶片41可以包括基板111、緩衝層112、第一導電型半導體層113、 有源層114、第二導電型半導體層115、第一電極116和第二電極117。第一導電型半導體層 113、有源層114和第二導電型半導體層115可以定義為發光結構。
基板111 可以由 Al203、GaN、SiC、Zn0、Si、GaP、hP、(^a2O3、導電基板和 GaAs 形成。 基板111可以是生長基板。具有組成式MxAlyGEt1TyN(0彡X彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1) 的半導體可以在生長基板上生長。緩衝層112可以是用於減小基板111和半導體之間的晶格常數差異的層並且可以由II到VI族化合物半導體形成。非摻雜III-V族化合物半導體層可以進一步布置在緩衝層112上，但是不限於此。第一導電型半導體層113布置在緩衝層112上，有源層IM被布置在第一導電型半導體層113上，並且第二導電層115被布置在有源層IM上。第一導電型半導體層113可以由其中摻雜第一導電型摻雜物的III-V族化合物半導體形成，III-V族化合物半導體例如為feiN、A1N、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP和AWaInP之一。當第一導電型半導體層是N型半導體層時，第一導電型摻質可以包括諸如Si、(ie、Sruk和Te的N型摻雜物。第二導電型半導體層114 可以形成為單層或者多層，但是不限於此。有源層114可以具有單量子阱結構、多量子阱(MQW)結構、量子線結構和量子點結構之一。有源層114可以具有使用III-V族化合物半導體材料的阱層和勢壘層的交替循環結構，例如InGaN阱層/GaN勢壘層的交替循環結構，或者InGaN阱層/AWaN勢壘層的交替循環結構。導電型包覆層可以布置在有源層114上方或/和下面。導電型包覆層可以由AlGaN 基半導體形成。第二導電型半導體層形成在有源層114上。第二導電半導體層115可以由其中摻雜第二導電型摻雜物的III-V族化合物半導體形成，第二導電型摻雜物例如為GaN、AlN、 AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 之一。當第二導電型半導體層是P型半導體層時，第二導電型摻雜物可以包括諸如Mg和k的P型摻雜物。 第二導電型半導體層115可以具有單層或者多層結構，但是不限於此。第三導電型半導體層，例如N型半導體層可以被布置在第二導電型半導體層115 上。因此，發光結構135可以具有N-P結結構、P-N結結構、N-P-N結結構和P-N-P結結構中的至少一種。電流擴散層可以被布置在第二導電型半導體層115上。電流擴散層可以由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物 (IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ATO)和鎵鋅氧化物(GZO) 之一形成。第一電極116可以布置在第一導電型半導體層113上並且第二電極117可以布置在第二導電型半導體層115上。第一電極116和第二電極117可以通過電線連接到圖1或者5的金屬層。圖61是豎直型晶片結構的視圖。參考圖61，在發光晶片45中，歐姆層121布置在發光結構110下面，反射層IM布置在歐姆層121下面，導電支撐部件125布置在反射層IM下面，並且保護層123布置在反射層1 和發光結構110周圍。可以通過在第二導電型半導體層115上形成歐姆層121、溝道層123、反射層IM和導電支撐部件125，然後在不執行蝕刻處理的情況下移除基板111和緩衝層112以暴露圖 52的結構中的第一導電型半導體層113，來形成發光器件45。歐姆層121可以歐姆接觸發光結構110的下層，例如第二導電型半導體層。歐姆層121可以由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物 (ATO)、鎵鋅氧化物(GZO)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf 及其組合之一形成。 而且，歐姆層121可以使用金屬材料和諸如ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO和ATO的光透射導電材料形成為多層。例如，多層可以包括IZ0/Ni、AZ0/Ag、IZ0/Ag/Ni和AZO/Ag/Ni。 可以進一步在歐姆層121內布置用於阻擋對應於電極16的電流的層。保護層123可以由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ΑΤΟ)、鎵鋅氧化物(GZO)、Si02、Si0x、SiO具、Si3N4、Al2O3和TiO2之一形成。保護層 123可以通過濺射方法或者沉積方法形成。保護層123可以防止發光結構110的層相互電氣短路。反射層124 可以由 Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Si、Pt、Au、Hf 及其組合之一形成。反射層124的寬度可以比發光結構110的寬度寬，以提高光反射效率。例如，導電支撐部件125可以用作基礎基板。導電支撐部件125可以由銅(Cu)、金 (Au)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、銅-鎢(Cu-W)和載具晶圓(例如Si、Ge、GaAs, ZnO, Sic等)中的至少一種形成。粘結層可以進一步布置在導電支撐部件125和反射層IM之間。因此，兩個層可以利用粘結層粘附到彼此。以上公開的發光晶片只是一個示例並且不限於以上特徵。發光晶片可以選擇性地應用於發光器件的實施例，並且不限於此。〈照明系統〉以上公開的實施例的發光器件具有其中封裝發光晶片的結構。而且，多個發光器件可以布置在電路板上，並且因此設置給諸如發光模塊或者燈單元的照明系統。根據以上實施例的發光器件之一可以應用於照明系統。根據實施例的發光器件可以應用於燈單元。燈單元可以具有其中排列多個發光器件的結構。燈單元可以包括圖62和63中示出的顯示裝置和圖64中示出的照明裝置。此外，燈單元可以包括照明燈、交通燈、車輛頭燈和標識牌。圖62是示出根據實施例的顯示裝置的分解透視圖。參考圖62，顯示單元1000可以包括導光板1041、嚮導光板1041提供光的發光模塊1031、在導光板1041下面的反射構件1022、在導光板1041上方的光學片1051、在光學片 1051上方的顯示面板1061、和收容該導光板1031、發光模塊1031和反射構件1022的底蓋 1011，但是不限於此。底蓋1011、反射構件1022、導光板1041和光學片1051可以被定義為燈單元1050。導光板1041漫射光以生產平面光。例如，導光板1041可以由透明材料形成，例如由諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸樹脂基材料、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、環烯烴共聚物共聚物(COC)樹脂和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂之一形成。
發光模塊1031布置成嚮導光板1041的至少一個側表面提供光。因此，發光模塊 1031可以用作該顯示裝置的光源。可以在導光板1041的一個側表面上布置至少一個發光模塊1031，以直接或間接提供光。發光模塊1031可以包括電路板1033和根據實施例的發光器件100。而且，發光器件100可以以預定距離排列在電路板1033上。電路板1033可以是包括電路圖案的印刷電路板(PCB)。除了普通PCB之外，電路板1033可以包括金屬芯PCB (MCPCB)或者柔性PCB (FPCB)，但是不限於此。當發光器件100 安裝在底蓋1011的側表面上或者散熱板上時，可以移除電路板1033。這裡，散熱板的一部分可以接觸底蓋1011的頂表面。多個發光器件100可以安裝在電路板1033上，以允許通過其發射光的光發射表面與導光板1041隔開預定的距離，但是不限於此。發光器件100可以直接或間接向光入射表面提供光，該光入射表面是導光板1041的側表面，但是不限於此。反射構件1022可以布置在導光板1041下面。因為反射構件1022反射入射到導光板1041的下表面上的光以向上提供光，所以可以改進燈單元1050的亮度。例如，反射構件1022可以由PET、PC和PVC之一形成，但是不限於此。反射構件1022可以是底蓋1011 的頂表面，但是不限於此。底蓋1011可以接收導光板1041、發光模塊1031和反射構件1022。為此，底蓋1011 可以包括具有帶有打開的上側的盒形狀的收容部1012，但是不限於此。底蓋1011可以聯接到頂蓋(未示出)，但是不限於此。底蓋1011可以由金屬材料或者樹脂材料形成。而且，可以使用壓模處理或者擠出模塑處理製造底蓋1011。底蓋1011可以由具有優良導熱性的金屬或者非金屬材料形成，但是不限於此。例如，顯示面板1061可以是液晶顯示器(IXD)面板，並且包括由透明材料形成的第一電路板和第二電路板以及位於第一電路板和第二電路板板之間的液晶層。偏振板可以附接到顯示面板1061的至少一個表面。本公開不限於偏振板的附接結構。顯示面板1061 可以使用從發光模塊1051發射的光來顯示信息。顯示單元1000可以應用於各種可攜式終端、用於筆記本計算機的監視器、用於膝上型計算機的監視器、電視機等。光學片1051布置在顯示面板1061和導光板1041之間並且包括至少一個透射片。 例如，光學片1051可以包括漫射片、水平或豎直稜鏡片、亮度增強片等中的至少一種。漫射片漫射入射光，並且水平或/和豎直稜鏡片將入射光聚集到顯示區域中。另外，亮度增強片重新使用所損耗的光以提高亮度。而且，保護片可以布置在顯示面板1061上，但是不限於此。這裡，諸如導光板1041和光學片1051的光學構件可以布置在發光模塊1031的光學路徑上，但是不限於此。圖63是根據實施例的顯示裝置的視圖。參考圖63，顯示設備1100包括底蓋1152、其上排列上述發光器件100的電路板 1120、光學構件1154和顯示面板1155。基板1120和發光器件100可以被定義為發光模塊1060。底蓋1152、至少一個發光模塊1060、光學構件IlM可以被定義為燈單元。
底蓋1152可以包括收容部1153，但是不限於此。這裡，光學構件IlM可以包括透鏡、導光板、漫射片、水平和豎直稜鏡片和亮度增強片中的至少一個。導光板可以由PC材料或者PMMA材料形成。在此情形中，可以移除導光板。漫射片漫射入射光，並且水平和豎直稜鏡片將入射光集中到顯示面板1巧5中。亮度增強片重新使用所損耗的光，以提高亮度。光學構件IlM布置在發光模塊1060上以使用從發光模塊1060發射的光產生平面光或者漫射並且集中從發光模塊1060發射的光。圖64是根據實施例的照明裝置的透視圖。參考圖64，照明單元1500可以包括外殼1510、布置在外殼1510中的發光模塊 1530、以及布置在外殼1510中以從外部電源接收電力的連接端子1520。外殼1510可以由具有良好散熱性的材料形成，例如由金屬材料或者樹脂材料形成。發光模塊1530可以包括電路板1532和安裝在電路板1532上的發光器件100。發光器件100可以設置為多個，並且多個發光器件200可以以矩陣形狀排列或者相互隔開預定的距離。可以在電介質上印刷電路圖案以製造電路板1532。例如，電路板1532可以包括印刷電路板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB或者aFR_4。而且，電路板1532可以由能夠有效反射光的材料形成或者塗覆有能夠有效反射光的顏色，例如白色或銀色。可以在電路板1532上布置至少一個發光器件100。發光器件100可以包括至少一個發光二極體(LED)晶片。LED可以包括分別發射紅光、綠光、藍光和白光的彩色LED和發射紫外光(UV)的UV LED。發光模塊1530可以具有幾種發光器件100的組合，以獲得想要的顏色和亮度。例如，可以相互組合白色LED、紅色LED和綠色LED，以確保高顯色指數。連接端子1520可以電連接到發光模塊1530以供應電力。連接端子1520可以旋擰聯接到插座型的外部電源，但是不限於此。例如，連接端子1520可以具有插頭形狀，並因此插入到外部電源中。替代地，連接端子1220可以通過電線連接到外部電源。根據實施例，可以提供膜式或帶式的發光器件，以在不使用封裝體的情況下通過絕緣膜來支撐金屬層。根據實施例，可以改進發光器件的製造工藝。此外，可以減小發光器件的厚度。根據實施例，可以提高發光器件的光提取效率。根據實施例，可以提高發光器件的可靠性。而且，可以改進發光器件的小型化和集成度。根據實施例，可以提高發光器件中以及具有發光器件的照明系統中的熱效率。在以上實施例中描述的特徵、結構和效果結合到本公開的至少一個實施例中，但是不限於僅一個實施例。而且，本領域技術人員能夠容易地對於另一個實施例組合和修改一個實施例中例示的特徵、結構和效果。因此，這些組合和修改應被理解為落入本公開的範圍內。雖然已經參考其示意性實施例描述了實施例，但應該理解，本領域技術人員能夠設計將落入本公開原理的精神和範圍內的多個其它修改和實施例。更加具體地，在本公開、附圖和所附權利要求的範圍內，在主題組合布置的構件和/或布置方面，各種變化和修改都是可能的。
權利要求
1.一種發光器件，包括多個金屬層，所述多個金屬層彼此間隔開；第一絕緣膜，所述第一絕緣膜具有敞口區域，在所述敞口區域中，所述多個金屬層的頂表面區域的一部分被暴露，所述第一絕緣膜布置在所述多個金屬層的頂表面的周邊部分上；發光晶片，所述發光晶片布置在所述多個金屬層中的至少一個上，所述發光晶片電連接到另一金屬層；樹脂層，所述樹脂層布置在所述多個金屬層和所述發光晶片上；以及第一引導構件，所述第一引導構件布置在所述第一絕緣膜上。
2.根據權利要求1所述的發光器件，還包括第二絕緣膜，所述第二絕緣膜位於所述多個金屬層的頂表面和下表面中的至少一個上，所述第二絕緣膜對應於所述多個金屬層之間的位置，並且所述第二絕緣膜的寬度比所述多個金屬層之間的間隔寬。
3.根據權利要求2所述的發光器件，還包括粘結層，所述粘結層位於所述多個金屬層與所述第一絕緣膜、所述第二絕緣膜之間。
4.一種發光器件，包括多個金屬層，所述多個金屬層彼此間隔開；第一絕緣膜，所述第一絕緣膜具有敞口區域，在所述敞口區域中，所述多個金屬層的一部分被暴露，所述第一絕緣膜布置在所述多個金屬層的頂表面上；粘結層，所述粘結層位於所述多個金屬層和所述第一絕緣膜之間；第二絕緣膜，所述第二絕緣膜位於所述多個金屬層的頂表面上，所述第二絕緣膜對應於所述多個金屬層之間的位置，並且所述第二絕緣膜的寬度比所述多個金屬層之間的間隔寬；發光晶片，所述發光晶片布置在所述多個金屬層中的至少一個上；樹脂層，所述樹脂層布置在所述多個金屬層和所述發光晶片上；以及第一引導構件，所述第一引導構件布置在所述第一絕緣膜的頂表面上。
5.根據權利要求2或4所述的發光器件，還包括第二引導構件，所述第二引導構件位於所述第二絕緣膜上。
6.根據權利要求2或4所述的發光器件，其中，所述第二絕緣膜包括由所述第二絕緣膜提供的多個敞口區域。
7.根據權利要求1或4所述的發光器件，其中，所述第一絕緣膜包括從由以下項組成的組中選擇的至少一種形狀迴路形狀、環形形狀、以及框架形狀。
8.根據權利要求2或4所述的發光器件，其中，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜彼此連接。
9.根據權利要求2或4所述的發光器件，其中，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜包括光透射膜或螢光體膜。
10.根據權利要求9所述的發光器件，其中，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜包括從由以下項組成的組中選擇的至少一種聚醯亞胺(PI)膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、 乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、三醋酸纖維素(TAC)膜、 聚醯胺-醯亞胺(PAI)膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、全氟烷氧基(PFA)膜、聚苯硫醚(PPS)、以及樹脂膜。
11.根據權利要求2或4所述的發光器件，其中，所述第一引導構件圍繞所述樹脂層布置。
12.根據權利要求2或4所述的發光器件，還包括第二引導構件，所述第二引導構件位於所述第二絕緣膜上，其中，所述第一引導構件和所述第二引導構件彼此連接。
13.根據權利要求5所述的發光器件，其中，所述第一引導構件和所述第二引導構件的寬度比所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的寬度窄。
14.根據權利要求5所述的發光器件，其中，所述第一引導構件和所述第二引導構件包括如下材料中的至少一種樹脂材料、非金屬材料、以及反射性金屬。
15.根據權利要求12所述的發光器件，其中，所述第一引導構件和所述第二引導構件包括從由以下項組成的組中選擇的至少一種阻焊劑、焊膏、Ag、Al、Cu、Au、Ag合金、Al合金、Cu合金、以及Au合金。
16.根據權利要求1至4中的任一項所述的發光器件，其中，所述多個金屬層的下表面布置在同一平面上。
17.根據權利要求1至4中的任一項所述的發光器件，其中，所述多個金屬層的厚度在大約15 μ m至大約300 μ m的範圍內。
18.根據權利要求1至4中的任一項所述的發光器件，其中，所述第一引導構件的內表面和所述第一絕緣膜的內表面中的至少一個可以形成為傾斜表面。
19.根據權利要求1至4中的任一項所述的發光器件，其中，所述多個金屬層包括第一金屬層和第二金屬層，並且所述發光晶片布置在所述第一金屬層上。
20.根據權利要求1至4中的任一項所述的發光器件，其中，所述多個金屬層包括第一金屬層、第二金屬層以及位於所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的第三金屬層；並且， 所述發光晶片布置在所述第三金屬層上且電連接到所述第一金屬層和所述第二金屬層。
21.根據權利要求1至4中的任一項所述的發光器件，還包括位於所述多個金屬層之間的絕緣粘結材料。
22.根據權利要求1至4中的任一項所述的發光器件，其中，所述多個金屬層的側表面、 下表面和頂表面中的至少一個具有非平坦結構。
23.根據權利要求1至4中的任一項所述的發光器件，還包括第三絕緣膜，所述第三絕緣膜位於所述發光晶片和所述第一絕緣膜之間。
24.根據權利要求2至4中的任一項所述的發光器件，還包括第三引導構件，所述第三引導構件位於所述發光晶片與所述第一絕緣膜、所述第二絕緣膜之間。
25.根據權利要求1至4中的任一項所述的發光器件，其中，所述第一引導構件由如下項中的至少一種形成阻焊劑、含有二氧化鈦(TiO2)的樹脂材料、含有玻璃纖維的樹脂材料、以及聚合物材料。
全文摘要
提供了一種發光器件和具有發光器件的照明系統。該發光器件包括相互隔開的多個金屬層、具有其中暴露多個金屬層的一部分的敞口區域的第一絕緣膜，該第一絕緣膜被布置在多個金屬層的頂表面的周邊部分上；被布置在多個金屬層中的至少一個上的發光晶片，該發光晶片電連接到另一金屬層；布置在多個金屬層和發光晶片上的樹脂層；和布置在第一絕緣膜上的第一引導構件。
文檔編號H01L33/48GK102376855SQ20111022886
公開日2012年3月14日 申請日期2011年8月9日 優先權日2010年8月9日
發明者李建教 申請人:Lg伊諾特有限公司