熱固型晶片接合薄膜的製作方法

2024-02-19 20:44:15

專利名稱：熱固型晶片接合薄膜的製作方法
技術領域：
本發明涉及在將例如半導體晶片膠粘固定到襯底或引線框等被粘物上時使用的熱固型晶片接合薄膜。另外，本發明涉及該熱固型晶片接合薄膜與切割薄膜層疊而成的切割/晶片接合薄膜。另外，本發明涉及使用所述切割/晶片接合薄膜製造半導體裝置的方法。
背景技術：
以往，在半導體裝置的製造過程中，在引線框或電極構件上固定半導體晶片時採用銀漿。所述固定處理通過在引線框的晶片焊盤等上塗布漿狀膠粘劑，在其上搭 載半導體晶片並使漿狀膠粘劑層固化來進行。但是，漿料膠粘劑由於其粘度行為或劣化等而在塗布量或塗布形狀等方面產生大的偏差。結果，形成的漿狀膠粘劑厚度不均勻，因此半導體晶片的固定強度缺乏可靠性。即，在漿狀膠粘劑的塗布量不足時，半導體晶片與電極構件之間的固定強度降低，從而在後續的絲焊工序中半導體晶片剝離。另一方面，在漿狀膠粘劑的塗布量過多時，漿狀膠粘劑會流延到半導體晶片上而產生特性不良，從而成品率和可靠性下降。這樣的固定處理中的問題，伴隨半導體晶片的大型化變得特別顯著。因此，需要頻繁地進行漿狀膠粘劑的塗布量的控制，從而給作業性或生產率帶來問題。在該漿狀膠粘劑的塗布工序中，有將漿狀膠粘劑分別塗布到引線框和形成的晶片上的方法。但是，在該方法中，漿狀膠粘劑層難以均勻化，並且漿狀膠粘劑的塗布需要特殊裝置和長時間。因此，提出了切割/晶片接合薄膜，其在切割工序中膠粘保持半導體晶片，並且也提供安裝工序所需的晶片固定用膠粘劑層(例如，參考專利文獻I)。該切割/晶片接合薄膜中，在支撐基材上以可剝離的方式設置有膠粘劑層(晶片接合薄膜)，在該膠粘劑層的保持下對半導體晶片進行切割後，拉伸支撐基材將半導體晶片與膠粘劑層一起剝離，將其分別回收，並通過該膠粘劑層將其固定到引線框等被粘物上。另外，在下述專利文獻2中，公開了從賦予導熱性、調節熔融粘度、賦予觸變性的觀點考慮而在膠粘劑層中添加有無機填料等的切割/晶片接合薄膜。但是，所述專利文獻2中記載的切割/晶片接合薄膜存在以下問題。S卩，伴隨以存儲器為代表的半導體裝置的高容量化，將薄層化的半導體晶片以多段狀進行層疊的半導體封裝成為主流。此外，對半導體封裝自身的厚度還存在限制，因此也在正行晶片接合薄膜的薄層化。基於這樣的背景，半導體晶片或將其小片化而得到的半導體晶片的機械強度極度下降，因此變得脆弱。因此，在通過晶片接合薄膜將半導體晶片晶片接合到被粘物上時，存在半導體晶片破損的問題。作為所述半導體晶片破損的原因，可以列舉晶片接合薄膜中含有的無機填料等填充材料的配合不恰當。即，在晶片接合薄膜中的填充材料的大小不合適、並且其含量也不合適的情況下，晶片接合時施加的接合壓力通過填充材料而使得應力局部地集中於半導體晶片，結果導致半導體晶片的破損。
現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開昭60-57642號公報專利文獻2 :日本特開2008-88411號公報

發明內容
本發明鑑於前述問題而創立，其目的在於提供一種在通過熱固型晶片接合薄膜將半導體晶片晶片接合到被粘物上時，可以防止通過填充材料對該半導體晶片施加局部的應力並由此減少半導體晶片的破損的熱固型晶片接合薄膜，以及具備該熱固型晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜。另外，本發明提供使用所述切割/晶片接合薄膜製造半導體裝置的方法。 本發明人等為了解決前述現有的問題對熱固型晶片接合薄膜及具備該熱固型晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜以及半導體裝置的製造方法進行了研究。結果發現，通過採用下述構成可以實現前述目的，並且完成了本發明。即，本發明的熱固型晶片接合薄膜，含有膠粘劑組合物以及包含微粒的填充材料，其中，設所述熱固型晶片接合薄膜的厚度為Υ( μ m)、設所述填充材料的最大粒徑為Χ( μπι)時，比率Χ/Υ (-)為I以下。根據前述構成，通過將熱固型晶片接合薄膜的厚度Y (μπι)與所述填充材料的最大粒徑X ( μ m)的關係設定為X/Y ( 1，在通過晶片接合薄膜將半導體晶片接合到被粘物上時，可以減少通過填充材料對半導體晶片集中局部的應力。由此，即使半導體晶片薄型化，也可以減少其破損而製造半導體裝置，從而提高生產量。在前述構成中，優選所述X ( μπι)在O. 05飛μ m的範圍內。另外，在前述構成中，優選所述Y ( μπι)在1 5μπι的範圍內。另外，在前述構成中，優選所述填充材料的含量相對於所述膠粘劑組合物100重量份在f 80重量份的範圍內。另外，在前述構成中，優選所述填充材料的含量相對於所述膠粘劑組合物100體積份在f 40體積份的範圍內。另外，在前述構成中，優選所述熱固型晶片接合薄膜的粗糙度曲線的最大斷面高度Rt在O. Γ2. 3 μ m的範圍內。另外，本發明的切割/晶片接合薄膜，為了解決前述課題，在割薄膜上層疊有前述的熱固型晶片接合薄膜。另外，本發明的半導體裝置的製造方法，為了解決前述課題，使用前述的切割/晶片接合薄膜製造半導體裝置，所述方法包括如下工序以所述熱固型晶片接合薄膜為粘貼面，在半導體晶片的背面粘貼所述切割/晶片接合薄膜的粘貼工序；將所述半導體晶片與所述熱固型晶片接合薄膜一起切割而形成半導體晶片的切割工序；將所述半導體晶片與所述熱固型晶片接合薄膜一起從所述切割/晶片接合薄膜上拾取的拾取工序；和通過所述熱固型晶片接合薄膜，在溫度10(Tl80°C、接合壓力O. 05 O. 5MPa、接合時間O. I飛秒的範圍內的條件下，將所述半導體晶片晶片接合到被粘物上的晶片接合工序。所述方法中，在將半導體晶片晶片接合到被粘物上時，使用將由於在薄膜中配合的填充材料而導致應力在半導體晶片上的集中減少的熱固型晶片接合薄膜。因此，雖然在前述的晶片接合條件下進行半導體晶片的晶片接合，但是也可以減少半導體晶片的破損。即，為所述方法時，可以減少半導體晶片的破損、提高生產量而製造半導體裝置。
發明效果本發明通過前述的手段可以實現以下效果。S卩，本發明的熱固型晶片接合薄膜中，熱固型晶片接合薄膜的厚度Y (Pm)與填充材料的最大粒徑X (Pm)的關係為X/YS I。由此，在通過熱固型晶片接合薄膜將半導體晶片晶片接合到被粘物上時，可以減少薄膜中所含的填充材料對半導體晶片施加局部的應力。結果，可以減少半導體晶片的破損、提高生產量而製造半導體裝置。


圖I是表示本發明的一個實施方式的切割/晶片接合薄膜的剖面示意圖。圖2是表示本發明的另一個實施方式的切割/晶片接合薄膜的剖面示意圖。圖3是表示通過本發明的一個實施方式中的晶片接合薄膜安裝半導體晶片的例子的剖面示意圖。圖4是表示通過所述晶片接合薄膜三維安裝半導體晶片的例子的剖面示意圖。圖5是表示使用所述晶片接合薄膜，隔著隔片三維安裝兩個半導體晶片的例子的剖面示意圖。符號說明I 基材2 粘合劑層3 晶片接合薄膜(熱固型晶片接合薄膜)4 半導體晶片5 半導體晶片6 被粘物7 焊線8 密封樹脂9 隔片IOUl 切割/晶片接合薄膜13 晶片接合薄膜(熱固型晶片接合薄膜)15 半導體晶片21 晶片接合薄膜(熱固型晶片接合薄膜)
具體實施例方式(切割/晶片接合薄膜)對於本發明的熱固型晶片接合薄膜(以下稱為「晶片接合薄膜」)，以與切割薄膜(粘合薄膜)層疊為一體而得到的切割/晶片接合薄膜為例進行如下說明。圖I是表示本實施方式的切割/晶片接合薄膜的剖面示意圖。圖2是表示本實施方式的另一個切割/晶片接合薄膜的剖面示意圖。
如圖I所示，切割/晶片接合薄膜10具有在切割薄膜上層疊有晶片接合薄膜3的結構。切割薄膜通過在基材I上層疊粘合劑層2而構成，晶片接合薄膜3設置在該粘合劑層2上。另外，本發明也可以如圖2所示為僅在工件粘貼部分形成晶片接合薄膜3』的構成。所述基材I具有紫外線透射性，並且作為切割/晶片接合薄膜10、11的強度母體。可以列舉例如低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚矽氧烷樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為基材I的材料，可以列舉前述樹脂的交聯體等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸而使用，也可以根據需要進行單軸或雙軸拉伸處理後使用。利用通過拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹脂片，通過在切割後使該基材I熱收縮，可以減小粘合劑層2與晶片接合薄膜3、3』的膠粘面積，從而可以容易地回收半導體晶片。為了提高與鄰接層的粘附性、保持性等，基材I的表面可以實施慣用的表面處理，例如，鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離輻射線處理等化學或物理處理、利用底塗劑(例如後述的粘合物質)的塗布處理。所述基材I可以適當地選擇使用同種或不同種類的材料，根據需要也可以使用將幾種材料共混後的材料。另外，為了賦予基材I防靜電性能，可以在所述基材I上設置包含金屬、合金、它們的氧化物等的厚度為約30A 約500A的導電物質的蒸鍍層。基材I可以是單層或者兩種以上的多層。基材I的厚度沒有特別限制,可以適當確定,一般為約5μηΓ約200 μ m。所述粘合劑層2包含紫外線固化型粘合劑而構成。紫外線固化型粘合劑可以通過紫外線的照射增大交聯度而容易地降低其粘合力，通過僅對圖2所示的粘合劑層2的與半導體晶片粘貼部分對應的部分2a照射紫外線，可以設置2a與其它部分2b的粘合力之差。·另外，通過根據圖2所示的晶片接合薄膜3』使紫外線固化型的粘合劑層2固化，可以容易地形成粘合力顯著下降的所述部分2a。由於晶片接合薄膜3』粘貼在固化而粘合力下降的所述部分2a上，因此粘合劑層2的所述部分2a與晶片接合薄膜3』的界面具有拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的粘合力，形成所述部分2b。如前所述，圖I所示的切割/晶片接合薄膜10的粘合劑層2中，由未固化的紫外線固化型粘合劑形成的所述部分2b與晶片接合薄膜3粘合，可以確保切割時的保持力。這樣，紫外線固化型粘合劑可以以良好的膠粘-剝離平衡支撐用於將半導體晶片固定到襯底等被粘物上的晶片接合薄膜3。圖2所示的切割/晶片接合薄膜11的粘合劑層2中，所述部分2b可以將貼片環(々工ο ^7)固定。所述紫外線固化型粘合劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等紫外線固化性官能團，並且顯示粘合性的紫外線固化型粘合劑。作為紫外線固化型粘合劑，可以例示例如在丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等一般的壓敏粘合劑中配合有紫外線固化性的單體成分或低聚物成分的添加型紫外線固化型粘合劑。
作為所述壓敏粘合劑，從半導體晶片或玻璃等避忌汙染的電子部件的超純水或醇等有機溶劑的清潔洗滌性等的觀點考慮，優選以丙烯酸類聚合物為基礎聚合物的丙烯酸類粘合劑。作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉例如使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如烷基的碳原子數廣30、特別是碳原子數Γ18的直鏈或支鏈烷基酯，如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等；等)及(甲基)丙烯酸環烷酯(例如，環戊酯、環己酯等)的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。另外，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發明的(甲基)全部表不相同的含義。所述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力、耐熱性等，根據需要可以含有與能夠同所述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷酯共聚的其它單體成分對應的單元。作為這樣的單體成分， 可以列舉例如含羧基單體，如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等；酸酐單體，如馬來酸酐、衣康酸酐等；含羥基單體，如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等；含磺酸基單體，如苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧萘磺酸等；含磷酸基單體，如丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等；丙烯醯胺、丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體的使用量優選為全部單體成分的40重量％以下。另外，所述丙烯酸類聚合物為了進行交聯根據需要也可以含有多官能單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能單體，可以列舉例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體也可以使用一種或兩種以上。多官能單體的使用量從粘合特性等觀點考慮優選為全部單體成分的30重量％以下。所述丙烯酸類聚合物可以通過將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合來得到。聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式進行。從防止對潔淨被粘物的汙染等觀點考慮，優選低分子量物質的含量少。從該點考慮，丙烯酸類聚合物的數均分子量優選為約30萬以上，更優選約40萬 約300萬。另外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物等的數均分子量，所述粘合劑中也可以適當採用外部交聯劑。外部交聯方法的具體手段可以列舉添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯劑等所謂的交聯劑並使其反應的方法。使用外部交聯劑時，其使用量根據與欲交聯的基礎聚合物的平衡以及作為粘合劑的使用用途適當確定。一般而言，相對於所述基礎聚合物100重量份，優選為5重量份以下，更優選配合O. I飛重量份。另外，根據需要，在粘合劑中除前述成分以外也可以使用現有公知的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。
作為用於配合的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性低聚物成分可以列舉聚氨酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約10(Γ約30000的範圍內是適當的。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的配合量可以根據所述粘合劑層的種類適當地確定能夠降低粘合劑層的粘合力的量。一般而言，相對於構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約5重量份 約500重量份，優選約40重量份 約150重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，除了前面說明的添加型紫外線固化型粘合劑以夕卜，還可以列舉使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型紫外線固化型粘合劑。內在型紫外線固化型粘合劑無需含有或者不大量含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會隨時間推移在粘合劑中移動，可以形成穩定的層結構的粘合劑層，因此優選。
所述具有碳碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳碳雙鍵並且具有粘合性的聚合物。作為這樣的基礎聚合物，優選以丙烯酸類聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例示過的丙烯酸類聚合物。所述丙烯酸類聚合物中碳碳雙鍵的引入方法沒有特別限制，可以採用各種方法，而將碳碳雙鍵引入聚合物側鏈在分子設計上比較容易。可以列舉例如預先將具有官能團的單體與丙烯酸類聚合物共聚後，使具有能夠與該官能團反應的官能團和碳碳雙鍵的化合物在保持碳碳雙鍵的紫外線固化性的情況下進行縮合或加成反應的方法。作為這些官能團的組合例，可以列舉例如羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。考慮反應追蹤的容易性，這些官能團的組合中優選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，只要是通過這些官能團的組合而生成所述具有碳碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合，則官能團可以在丙烯酸類聚合物與所述化合物的任意一方上，在所述的優選組合中，優選丙烯酸類聚合物具有羥基、所述化合物具有異氰酸酯基的情況。此時，作為具有碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基聯苯醯異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸類聚合物，可以使用共聚有前面例示的含羥基單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚類化合物等的聚合物。所述內在型紫外線固化型粘合劑可以單獨使用所述具有碳碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的範圍內配合所述紫外線固化性單體成分或低聚物成分。紫外線固化性低聚物成分等相對於基礎聚合物100重量份通常在30重量份的範圍內，優選(Γιο重量份的範圍。 所述紫外線固化型粘合劑在通過紫外線等固化時可以含有光聚合弓丨發劑。作為光聚合引發劑，可以列舉例如α -酮醇類化合物，如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、0-輕基-0，0 二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、I-羥基環己基苯基酮等；苯乙酮類化合物，如甲氧基苯乙酮、2，2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2- 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基丙烷-I-酮等；苯偶姻醚類化合物，如苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等；縮酮類化合物，如聯苯醯二甲基縮酮等；芳香族磺醯氯類化合物，如2-萘磺醯氯等；光活性肟類化合物，如I-苯基-1，2-丙烷二酮-2- (O-乙氧羰基)肟等；二苯甲酮類化合物，如二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3，3』-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等；噻噸酮類化合物，如噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4- 二氯噻噸酮、2，4- 二乙基噻噸酮、2，4- 二異丙基噻噸酮等；樟腦醌；滷代酮；醯基膦氧化物；醯基膦酸酯等。光聚合引發劑的配合量相對於構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約O. 05重量份 約20重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，可以列舉例如日本特開昭60-196956號公報中所公開的、含有具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等光聚合性化合物、和羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、儘鹽類化合物等光聚合引發劑的橡膠類粘合劑或丙烯酸類粘合劑等。所述粘合劑層2的紫外線固化後的粘合力，相對於晶片接合薄膜3、3』為 O.OOriN/lOmm寬度，優選O. 005 O. 5N/10mm寬度，更優選O. 01 O. ΙΝ/lOmm寬度(180度剝離力，剝離速度300mm/mm)。在所述數值範圍內時,在將帶有晶片接合薄膜的膠粘劑的半導體晶片拾取時，不會將該半導體晶片固定到必要以上，可以實現更良好的拾取性。作為在所述粘合劑層2中形成所述部分2a的方法，可以列舉在基材I上形成紫外線固化型粘合劑層2後，對所述部分2a局部地照射紫外線使其固化的方法。局部的紫外線照射可以通過形成有與半導體晶片粘貼部分3a以外的部分3b等對應的圖案的光掩模來進行。另外，可以列舉點狀照射紫外線進行固化的方法等。紫外線固化型粘合劑層2的形成可以通過將設置在隔片上的紫外線固化型粘合劑層轉印到基材I上來進行。局部的紫外線照射也可以對設置在隔片上的紫外線固化型粘合劑層2進行。切割/晶片接合薄膜10的粘合劑層2中，可以對粘合劑層2的一部分進行紫外線照射，使所述部分2a的粘合力〈其它部分2b的粘合力。即，可以使用對基材I的至少單面的、與半導體晶片粘貼部分3a對應的部分以外的部分的全部或局部進行遮光的基材，在該基材上形成紫外線固化型粘合劑層2後進行紫外線照射，使與半導體晶片粘貼部分3a對應的部分固化，從而形成粘合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以通過印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上製作能夠成為光掩模的材料。由此，可以有效地製造本發明的切割/晶片接合薄膜10。粘合劑層2的厚度沒有特別限制，從防止晶片切割面的缺損和保持膠粘層的固定的兼顧性等觀點考慮，優選為約I μ πΓ約50 μ m。優選2 μ πΓ30 μ m,更優選5 μ πΓ25 μ m。所述晶片接合薄膜3，只要含有膠粘劑組合物和含有微粒的填充材料，並且設其厚度為Y ( μ m)、設所述填充材料的最大粒徑為X ( μ m)時，比率X/Y (-)為I以下，則沒有特另IJ限制。作為所述填充材料，可以列舉無機填料和有機填料。從提高操作性和導熱性、調節熔融粘度以及賦予觸變性等觀點考慮，優選無機填料。作為所述無機填料，沒有特別限制，可以列舉例如二氧化矽、氫氧化鋁、氫氧化鈣、氫氧化鎂、三氧化二銻、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶二氧化矽等。這些無機填料可以單獨使用或者兩種以上組合使用。從提高導熱性的觀點考慮，優選氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶二氧化矽等。另外，從與晶片接合薄膜3的膠粘性的平衡的觀點考慮，優選二氧化矽。另夕卜，作為所述有機填料，可以列舉聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺、尼龍、聚矽氧烷等。這些有機填料可以單獨使用或者兩種以上組合使用。所述填充材料的最大粒徑X ( μ m)優選為O. 05^5 μ m,更優選O. 05^3 μ m。通過將填充材料的最大粒徑設定為O. 05 μπι以上，可以改善對被粘物的潤溼性，可以抑制膠粘性的下降。另一方面，通過將所述最大粒徑設定為5μπι以下，可以防止填充材料從晶片接合薄膜3的表面突出，可以減少在晶片接合時對半導體晶片局部地施加過度的應力。另外，本發明中，可以將平均粒徑相互不同的填充材料組合使用。另外，填充材料的最大粒徑為通過例如光度式粒度分布計(H0RIBA製造，裝置名LA-910)求出的值。所述填充材料的形狀沒有特別限制，例如，可以使用球狀、橢球狀的填充材料。所述填充材料的含量相對於所述膠粘劑組合物100重量份優選在f 80重量份的範圍內，更優選在廣50重量份的範圍內。通過將所述含量設定為I重量份以上，可以改善對被粘物的潤溼性，可以抑制膠粘性的下降。另一方面，通過將所述含量設定為80重量份 以下，可以防止填充材料從晶片接合薄膜3的表面突出，可以減少在晶片接合時對半導體晶片局部地施加過度的應力。另外，所述填充材料相對於所述膠粘劑組合物100體積份優選在f 40體積份的範圍內，更優選在廣30體積份的範圍內。通過將所述含量設定為I體積份以上，可以改善對被粘物的潤溼性，可以抑制膠粘性的下降。另一方面，通過將所述含量設定為80體積份以下，可以防止填充材料從晶片接合薄膜3的表面突出，可以減少在晶片接合時對半導體晶片局部地施加過度的應力。另外，晶片接合薄膜3的厚度Y ( μ m)(層疊體的情況下為總厚度)沒有特別限制，例如優選在I飛Pm的範圍內，更優選2 4 μπι的範圍內。通過將所述厚度Y ( μ m)設定為Iym以上，可以改善對被粘物的潤溼性，可以抑制膠粘性的下降。另一方面，通過將所述厚度Y ( ym)設定為5μπι以下，可以防止填充材料從晶片接合薄膜3的表面突出，可以減少在晶片接合時對半導體晶片局部地施加過度的應力。晶片接合薄膜3的粗糙度曲線的最大斷面高度Rt優選在O.廣2. 3μπι的範圍內，更優選在廣I. 5 μ m的範圍內。通過將所述最大斷面高度Rt設定為O. I μ m以上，可以容易拾取。另一方面，通過將所述最大斷面高度Rt設定為2. 3μπι以下，可以減少過度地施加局部應力。另外，所述粗糙度曲線的最大斷面高度Rt為根據JIS Β0601，使用非接觸式表面粗糙度測定裝置(日本>^一 -公司製造，WYK0)，進行表面的坡度修正後測定的值。作為所述膠粘劑組合物沒有特別限制，例如，優選含有環氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類共聚物的膠粘劑組合物。所述環氧樹脂，只要是通常作為膠粘劑組合物使用的環氧樹脂則沒有特別限制，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三(羥苯基)甲烷型、四(羥苯基)乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些環氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些環氧樹脂中，在本發明中特別優選具有苯環、聯苯環和萘環等芳香環的環氧樹脂。具體而言，可以列舉例如酚醛清漆型環氧樹脂、含有苯二亞甲基骨架的酚醛清漆型環氧樹脂、含有聯苯骨架的酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、四甲基雙酚型環氧樹脂、三苯基甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂等。這些環氧樹脂，與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性好，並且耐熱性等優良。另外，環氧樹脂中腐蝕半導體元件的離子性雜質等的含量少。所述環氧樹脂的重均分子量優選在30(Tl500的範圍內，更優選在35(Tl000的範圍內。重均分子量低於300時，有時熱固化後的晶片接合薄膜3的機械強度、耐熱性、耐溼性下降。另一方面，超過1500時，有時熱固化後的晶片接合薄膜變得剛硬從而變脆。另外，本發明中的重均分子量是指利用凝膠滲透色譜法(GPC)使用標準聚苯乙烯校準曲線得到的聚苯乙烯換算值。另外，所述酚醛樹脂作為所述環氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚聯苯樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂、甲階酚醛樹脂型酚醛樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚醛樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中優選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以提高半導體裝置的連接可靠性。所述酚醛樹脂的重均分子量優選在300 1500的範圍內，更優選在350 1000的範圍內。重均分子量低於300時，所述環氧樹脂的熱固化不充分，有時不能得到充分的韌性。另一方面，重均分子量超過1500時，成為高粘度，有時晶片接合薄膜製作時的作業性下降。所述環氧樹脂與酚醛樹脂的配合比例，例如以相對於所述環氧樹脂成分中的環氧基I當量，酚醛樹脂中的羥基為O. 5^2. O當量的方式進行配合是適當的。更適當的是
O.Cl. 2當量。S卩，這是因為兩者的配合比例如果在所述範圍以外，則固化反應不能充分進行，環氧樹脂固化物的特性容易變差。另外，所述環氧樹脂和酚醛樹脂的混合量相對於丙烯酸類共聚物100重量份優選在1(Γ200重量份的範圍內。·
作為所述丙烯酸類共聚物，沒有特別限制，在本發明中優選含羧基丙烯酸類共聚物、含環氧基丙烯酸類共聚物。所述含羧基丙烯酸類共聚物中使用的官能團單體，可以列舉丙烯酸或甲基丙烯酸。丙烯酸或甲基丙烯酸的含量以使得酸值在Γ4的範圍內的方式進行調節。其餘可以使用丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯等具有碳原子數Γ8的烷基的丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、苯乙烯或丙烯腈等的混合物。這些物質中，特別優選(甲基)丙烯酸乙酯和/或(甲基)丙烯酸丁酯。混合比率優選考慮後述的所述丙烯酸類共聚物的玻璃化轉變點(Tg)而進行調節。另外，作為聚合方法，沒有特別限制，可以採用例如溶液聚合法、本體聚合法、懸浮聚合法、乳液聚合法等現有公知的方法。另外，作為可以與所述單體成分共聚的其它單體成分沒有特別限制，可以列舉例如丙烯腈等。這些可共聚單體成分的使用量，相對於全部單體成分優選在廣20重量％的範圍內。通過含有該數值範圍內的其它單體成分，可以改善凝聚力、膠粘性等。作為丙烯酸類共聚物的聚合方法，沒有特別限制，可以採用例如溶液聚合法、本體聚合法、懸浮聚合法、乳液聚合法等現有公知的方法。所述丙烯酸類共聚物的玻璃化轉變點(Tg)優選為-3(T30°C，更優選_2(T15°C。通過將玻璃化轉變點設定為-30°C以上，可以確保耐熱性。另一方面，通過設定為30°C以下，表面狀態粗糖的晶片的切割後的晶片飛散的防止效果提聞。
所述丙烯酸類共聚物的重均分子量優選為10萬 100萬，更優選35萬 90萬。通過將重均分子量設定為10萬以上，高溫時對被粘物表面的膠粘性優良，並且可以提高耐熱性。另一方面，通過將重均分子量設定為100萬以下，可以容易溶解於有機溶劑中。另外，晶片接合薄膜3、3』中，根據需要可以適當配合其它添加劑。作為其它添加齊U，可以列舉例如阻燃劑、矽烷偶聯劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉例如三氧化二銻、五氧化二銻、溴化環氧樹脂等。這些阻燃劑可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述矽烷偶聯劑，可以列舉例如β - (3，4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、Y-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、Y-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。 作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。這些離子捕獲劑可 以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述環氧樹脂與酚醛樹脂的熱固化促進催化劑，沒有特別限制，可以列舉例如包含三苯基膦骨架、胺骨架、三苯基硼烷骨架、三齒硼烷骨架等任意一種骨架的鹽。另外，晶片接合薄膜3例如可以具有僅由膠粘劑層單層構成的結構。另外，也可以將玻璃化轉變溫度不同的熱塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂適當組合，形成兩層以上的多層結構。另外，由於半導體晶片的切割工序中使用切削水，因此，有時晶片接合薄膜3吸溼而達到常態以上的含水率。如果在這樣的高含水率的狀態下膠粘在襯底等上，則在後固化階段水蒸汽會滯留在膠粘界面處，從而有時產生翹曲。因此，作為晶片接合薄膜，通過形成由膠粘劑層夾住高透溼性芯材的結構，在後固化階段水蒸汽會通過薄膜而擴散，從而可以避免所述問題。從該觀點考慮，晶片接合薄膜3可以採用在芯材的單面或雙面形成膠粘劑層的多層結構。作為所述芯材，可以列舉薄膜(例如聚醯亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料制無紡纖維增強的樹脂襯底、鏡面娃晶片、娃襯底或玻璃襯底等。另外，晶片接合薄膜3優選由隔片(未圖示)保護。隔片具有作為在供給實際使用之前保護晶片接合薄膜的保護材料的功能。另外，隔片還可以作為將晶片接合薄膜3、3』轉印到切割薄膜上時的支撐基材使用。隔片在將工件粘貼到晶片接合薄膜上時剝離。作為隔片，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯或者利用含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯類剝離劑等剝離劑進行過表面塗布的塑料薄膜或紙等。(半導體裝置的製造方法)本發明的切割/晶片接合薄膜10、12，通過將在晶片接合薄膜3、3』上任意設定的隔片適當剝離後以下述方式使用。以下，參考附圖以使用切割/晶片接合薄膜10的情況為例進行說明。首先，如圖I所示，將半導體晶片4壓接在切割/晶片接合薄膜10中的晶片接合薄膜3的半導體晶片粘貼部分3a上，並使其膠粘保持而固定(安裝工序)。本工序利用壓接輥等擠壓手段擠壓來進行。然後，進行半導體晶片4的切割。由此，將半導體晶片4切割為預定尺寸而小片化，製作半導體晶片5。切割例如按照常規方法從半導體晶片4的電路面一側進行。另外，本工序中，例如，可以採用切入到切割/晶片接合薄膜10的、稱為全切割的切割方式等。本工序中使用的切割裝置沒有特別限制，可以採用現有公知的切割裝置。另外，半導體晶片由切割/晶片接合薄膜10膠粘固定，因此可以抑制晶片缺損或晶片飛散，並且可以抑制半導體晶片4的破損。為了剝離由切割/晶片接合薄膜10膠粘固定的半導體晶片，進行半導體晶片5的拾取。拾取方法沒有特別限制，可以採用現有公知的各種方法。例如，可以列舉用針將各個半導體晶片5從切割/晶片接合薄膜10 —側上推，利用拾取裝置拾取上推的半導體晶片5的方法等。在此，由於粘合劑層2為紫外線固化型，因此，在對該粘合劑層2照射紫外線後進行拾取。由此，粘合劑層2對晶片接合薄膜3a的粘合力下降，使半導體晶片5容易剝離。結果，可以在不損傷半導體晶片的情況下進行拾取。紫外線照射時的照射強度、照射時間等條件沒有特別限制，可以根據需要適當設定。另外，作為紫外線照射時使用的 光源，可以使用前述的光源。拾取的半導體晶片5通過晶片接合薄膜膠粘固定到被粘物6上(晶片接合)。此時的晶片接合溫度優選在10(Tl8(TC的範圍內，更優選在10(Tl6(TC的範圍內。另外，晶片接合壓力優選在O. 05、. 5MPa的範圍內，更優選在O. 05、. 2MPa的範圍內。另外，晶片接合時間優選在O. I飛秒的範圍內，更優選在O. f 3秒的範圍內。即使在這樣的條件下進行晶片接合，本申請發明也可以減少通過晶片接合薄膜中所含的填充材料而使得應力局部集中於半導體晶片5，因此可以有效地防止半導體晶片5的破損。作為被粘物6，可以列舉引線框、TAB薄膜、襯底或者另外製作的半導體晶片等。被粘物6例如可以是容易變形的變形型被粘物，也可以是難以變形的非變形型被粘物(半導體晶片等)。作為所述襯底，可以使用現有公知的襯底。另外，所述引線框可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框或包含玻璃環氧、BT (雙馬來醯亞胺-三嗪)、聚醯亞胺等的有機襯底。但是，本發明不限於此，也包含安裝半導體元件、並與半導體元件電連接後可以使用的電路襯底。本發明的晶片接合薄膜3為熱固型，因此，可以通過加熱固化將半導體晶片5膠粘固定在被粘物6上，並使耐熱強度提高。另外，通過半導體晶片粘貼部分3a將半導體晶片5膠粘固定到襯底等上而得到的物體，可以供給回流焊接工序。另外，所述的晶片接合也可以不使接合薄膜3固化而僅將其暫時固定在被粘物6上。然後，也可以在不經過加熱工序的情況下進行絲焊，再用密封樹脂將半導體晶片密封，然後將該密封樹脂進行後固化。此時，作為晶片接合薄膜3，使用暫時固定時的剪切膠粘力相對於被粘物6為
O.2MPa以上、更優選在O. 2^10MPa範圍內的晶片接合薄膜。晶片接合薄膜3的剪切膠粘力為至少O. 2MPa以上時，即使不經過加熱工序而進行絲焊工序，也不會因該工序中的超聲波振動或加熱而在晶片接合薄膜3與半導體晶片5或被粘物6的膠粘面上產生剪切變形。即，半導體元件不會因絲焊時的超聲波振動而活動，由此，可以防止絲焊的成功率下降。所述絲焊是利用焊線7將被粘物6的端子部(內部引線)的末端與半導體晶片上的電極焊盤(未圖示)電連接的工序(參考圖3)。作為所述焊線7，可以使用例如金線、招線或銅線等。進行絲焊時的溫度在8(T250°C、優選8(T220°C的範圍內進行。另外，其加熱時間進行幾秒 幾分鐘。連接是在加熱到所述溫度範圍內的狀態下，通過組合使用超聲波振動能和施加的壓力而產生的壓接能來進行的。本工序可以在不使晶片接合薄膜3a完全熱固化的情況下進行。另外，本工序的過程中半導體晶片5與被粘物6不會通過晶片接合薄膜3a而固定。所述密封工序是利用密封樹脂8將半導 體晶片5密封的工序(參考圖3)。本工序是為了保護搭載在被粘物6上的半導體晶片5或焊線7而進行的。本工序通過用模具將密封用的樹脂成型來進行。作為密封樹脂8，例如可以使用環氧類樹脂。樹脂密封時的加熱溫度通常為175°C，並進行6(Γ90秒，但是，本發明不限於此，例如，也可以在165 185°C下固化幾分鐘。由此，在使密封樹脂固化的同時通過晶片接合薄膜3a將半導體晶片5與被粘物6固定。即，本發明中，即使在不進行後述的後固化工序的情況下，本工序中也可以利用晶片接合薄膜3a進行固定，從而可以有助於減少製造工序數及縮短半導體裝置的製造時間。所述後固化工序中，使在前述密封工序中固化不足的密封樹脂8完全固化。即使在密封工序中未通過晶片接合薄膜3a固定的情況下，在本工序中也可以在密封樹脂8的固化的同時通過晶片接合薄膜3a進行固定。本工序中的加熱溫度因密封樹脂的種類而異，例如，在165 185°C的範圍內，加熱時間為約O. 5小時 約8小時。另外，本發明的切割/晶片接合薄膜，如圖4所示，也可以適合用於將多個半導體晶片層疊進行三維安裝的情況。圖4是表示通過晶片接合薄膜三維安裝半導體晶片的例子的剖面示意圖。圖4所示的三維安裝的情況下，首先，將切割為與半導體晶片相同尺寸的至少一個晶片接合薄膜3a暫時固定在被粘物6上，然後通過晶片接合薄膜3a將半導體晶片5以其絲焊面為上側的方式進行暫時固定。然後，避開半導體晶片5的電極焊盤部分將晶片接合薄膜13暫時固定。另外，將另一個半導體晶片15以其絲焊面為上側的方式暫時固定到晶片接合薄膜13上。然後，在不進行加熱工序的情況下進行絲焊工序。由此，利用焊線7將半導體晶片5和另一個半導體晶片15中的各自的電極焊盤與被粘物6電連接。接著，進行利用密封樹脂8將半導體晶片5等密封的密封工序，並使密封樹脂固化。與此同時，利用晶片接合薄膜3a將被粘物6與半導體晶片5之間固定。另外，也利用晶片接合薄膜13將半導體晶片5與另一個半導體晶片15之間固定。另外，密封工序後，可以進行後固化工序。即使在半導體晶片的三維安裝的情況下，也不進行晶片接合薄膜3a、13的利用加熱的加熱處理，因此可以簡化製造工序並且提高成品率。另外，被粘物6不會發生翹曲，半導體晶片5及另一個半導體晶片15也不會產生裂紋，因此能夠實現半導體晶片5的進一步的薄型化。另外，如圖5所示，可以進行通過晶片接合薄膜在半導體晶片間層疊隔片的三維安裝。此時，首先在被粘物6上依次層疊晶片接合薄膜3a、半導體晶片5和晶片接合薄膜21並暫時固定。然後，在接合薄膜21上依次層疊隔片9、晶片接合薄膜21、晶片接合薄膜3a和半導體晶片5並暫時固定。然後，不進行加熱工序而如圖5所示進行絲焊工序。由此，用焊線7將半導體晶片5上的電極焊盤與被粘物6電連接。接著，進行利用密封樹脂8將半導體晶片5密封的密封工序，將密封樹脂8固化，同時利用晶片接合薄膜3a、21將被粘物6與半導體晶片5之間、以及半導體晶片5與隔片9之間固定。由此，可以得到半導體封裝。密封工序優選僅將半導體晶片5—側單面密封的一次性密封法。密封是為了保護粘貼在粘合片上的半導體晶片5而進行的，其代表方法是使用密封樹脂8在模具中成型。此時，一般使用由具有多個型腔的上模具和下模具構成的模具，同時進行密封工序。樹脂密封時的加熱溫度例如優選在17(Tl80°C的範圍內。密封工序後，可以進行後固化工序。另外，作為所述隔片9沒有特別限制，例如，可以使用現有公知的矽片、聚醯亞胺薄膜等。另外，所述隔片可以使用聚醯亞胺薄膜、樹脂襯底等芯材。然後，在印刷布線板上表面安裝所述的半導體封裝。表面安裝方法可以列舉例如預先在印刷電路板上供給焊料後，通過熱風等加熱熔融進行焊接的回流焊接。加熱方法可以列舉熱風回流、紅外線回流等。另外，可以是整體加熱、局部加熱的任意方式。加熱溫度優選為24(T260°C的範圍內，加熱時間優選在廣20秒的範圍內。(其它事項)在所述襯底等上三維安裝半導體元件時，在半導體元件的形成電路的一側形成有緩衝塗膜。作為該緩衝塗膜，可以列舉例如氮化矽膜或包含聚醯亞胺樹脂等耐熱樹脂的膜。·
另外，半導體元件的三維安裝時，各段中使用的晶片接合薄膜不限於包含相同組成的晶片接合薄膜，可以根據製造條件、用途等適當變更。另外，在前述實施方式中，對於在將多個半導體元件層疊到襯底等上後一次性地進行絲焊工序的方式進行了說明，但是，本發明不限於此。例如，也可以每當將半導體元件層疊到襯底等上時都進行絲焊工序。實施例以下，對本發明的優選實施例進行例示性的詳細說明，但是，該實施例中記載的材料或配合量等只要沒有特別限定的記載，就無意將本發明的範圍僅限定於此。另外，提到份時，是指重量份。(實施例I)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY) 12重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H)4重量份、丙烯酸類共聚物(^力' 7 >彡力 > 株式會社製造，商品名 '夕；AR31) 36重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(7 K r ^ 7株式會社制，商品名；S0-E2，最大粒徑
I.4 μ m，平均粒徑O. 5 μ m) 40重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合物。將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38 μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度5 μ m的熱固型晶片接合薄膜A。(實施例2)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY)4重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H)4重量份、丙烯酸類共聚物(H V H力 >株式會社製造，商品名 > 匕' 夕> AR31) 12重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽F-^r V >7 7株式會社制，商品名；S0-E2，最大粒徑
I.4 ym,平均粒徑O. 5 μ m) 80重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合物。
將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38 μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度5 μ m的熱固型晶片接合薄膜B。(實施例3)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY) 12重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H) 12重量份、丙烯酸類共聚物(^力' 7 >彡力 >株式會社製造，商品名 '夕；AR31)36重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(7 K r ^ 7株式會社制，商品名；S0-E2，最大粒徑
I.4 μ m，平均粒徑O. 5 μ m) 40重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合物。 將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度3 μ m的熱固型晶片接合薄膜C。(實施例4)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY)4重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H)4重量份、丙烯酸類共聚物(H V H力 >株式會社製造，商品名 > 匕' 夕> AR31) 12重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽F-^r V >7 7株式會社制，商品名；S0-E2，最大粒徑
I.4 ym,平均粒徑O. 5 μ m) 80重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合物。將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38 μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度3 μ m的熱固型晶片接合薄膜D。(實施例5)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY) 12重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H) 12重量份、丙烯酸類共聚物(^力' 7 >彡力 >株式會社製造，商品名 '夕；AR31)36重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(7 K r ^ 7株式會社制，商品名S0-E3，最大粒徑5. Oym,平均粒徑O. 9 μ m) 40重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合物。將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38 μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度5 μ m的熱固型晶片接合薄膜E。(實施例6)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY)4重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H)4重量份、丙烯酸類共聚物(^力' 7 S力 > 株式會社製造，商品名 > 匕' 夕> AR31) 12重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(7 K r ^ 7株式會社制，商品名S0-E3，最大粒徑5. Oym,平均粒徑O. 9 μ m) 80重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合物。將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38 μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度5 μ m的熱固型晶片接合薄膜F。(比較例I)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY) 12重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H) 12重量份、丙烯酸類共聚物(^力' 7 >彡力 >株式會社製造，商品名 '夕；AR31)36重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(7 K r ^ 7株式會社制，商品名S0-E3，最大粒徑5. Oym,平均粒徑O. 9 μ m) 40重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合物。 將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度3 μ m的熱固型晶片接合薄膜G。(比較例2)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY)4重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H)4重量份、丙烯酸類共聚物(H V H力 >株式會社製造，商品名 > 匕' 夕> AR31) 12重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽F-^r V >7 7株式會社制，商品名S0-E3，最大粒徑5. Oym,平均粒徑O. 9 μ m) 80重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合物。將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38 μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度3 μ m的熱固型晶片接合薄膜H。(比較例3)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY) 12重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H) 12重量份、丙烯酸類共聚物(^力' 7 >彡力 >株式會社製造，商品名 '夕；AR31)36重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(7 K r ^ 7株式會社制，商品名S0-E5，最大粒徑8. O μ m，平均粒徑I. 3 μ m) 40重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合物。將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38 μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度5 μ m的熱固型晶片接合薄膜I。(比較例4)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY)4重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H)4重量份、丙烯酸類共聚物(^力' 7 S力 > 株式會社製造，商品名 > 匕' 夕> AR31) 12重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(7 K r ^ 7株式會社制，商品名S0-E5，最大粒徑8. O ym,平均粒徑I. 3 μ m) 80重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合物。將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38 μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度5 μ m的熱固型晶片接合薄膜J。(比較例5)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY) 12重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H) 12重量份、丙烯酸類共聚物(^力' 7 >彡力 >株式會社製造，商品名 '夕；AR31)36重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽(7 K r ^ 7株式會社制，商品名S0-E5，最大粒徑8. O μ m，平均粒徑I. 3 μ m) 40重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合 物。將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38 μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度3 μ m的熱固型晶片接合薄膜K。(比較例6)將三羥苯基甲烷型環氧樹脂(日本化藥株式會社製造，商品名EPPN-501HY)4重量份、苯二亞甲基酚醛清漆型酚醛樹脂(明和化成株式會社製造，商品名MEH7800H)4重量份、丙烯酸類共聚物(H V H力 >株式會社製造，商品名 > 匕' 夕> AR31) 12重量份、作為填充材料的球狀二氧化矽F-^r V >7 7株式會社制，商品名S0-E5，最大粒徑8. Oym,平均粒徑I. 3 μ m) 80重量份溶解到甲乙酮中，製備濃度15. O重量％的膠粘劑組合物。將該膠粘劑組合物的溶液塗布到作為剝離襯墊的、經聚矽氧烷脫模處理後的厚度38μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜構成的脫模處理薄膜上，然後在130°C乾燥2分鐘。由此，製作厚度3 μ m的熱固型晶片接合薄膜L。(填充材料的平均粒徑及最大粒徑的測定)填充材料的平均粒徑和最大粒徑的測定使用光度式的粒度分布計(H0RIBA製造，裝置名LA-910)進行。結果如下表I和表2所示。另外，關於最大粒徑，在以橫軸表示粒徑、以縱軸表示相對粒子量的二維圖表中，設由基線與該曲線包圍的面積為100%時，將從粒徑小的一側累積該面積而得到的累計面積達到100%時的粒徑作為最大粒徑。(粗糙度曲線的最大斷面高度Rt)各實施例和比較例中製作的熱固型晶片接合薄膜的粗糙度曲線的最大斷面高度Rt，根據JIS B0601，使用非接觸式表面粗糙度測定裝置(日本Η — ^公司製造，WYK0)，進行表面的坡度修正後進行測定。結果如下表I和表2所示。(半導體晶片有無破損的確認)首先，製作切割薄膜。即，在厚度100 μ m的包含聚烯烴的基材上塗布丙烯酸類粘合劑組合物的溶液並乾燥，形成厚度IOym的粘合劑層，從而製作了切割薄膜。另外，所述丙烯酸類粘合劑的溶液以下述方式製備。即，首先將丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸-2-羥基乙酯和丙烯酸以60/40/4/1的比例共聚，得到重均分子量800，000的丙烯酸類聚合物。然後，在該丙烯酸類聚合物100重量份中配合作為交聯劑的多官能環氧類交聯劑O. 5重量份、作為光聚合性化合物的二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯90重量份、作為光聚合引發劑的α -羥基環己基苯基酮5重量份，將它們溶解到作為有機溶劑的甲苯中。由此，製成所述丙烯酸類粘合劑的溶液。接著，將脫模處理薄膜上的熱固型晶片接合薄膜粘貼到所述切割薄膜的粘合劑層上。粘貼條件是，層壓溫度40°C、線壓5kgf/cm。由此，製作了具有各實施例和比較例的熱固型晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜。然後，將半導體晶片(直徑12英寸、厚度50 μπι)安裝到各切割/晶片接合薄膜的熱固型晶片接合薄膜上。安裝條件如下所述。[粘貼條件]粘貼裝置日東精機製造，ΜΑ-3000ΙΙΙ
粘貼速度10mm/秒粘貼壓力0.25MPa粘貼時的平臺溫度40°C然後，進行半導體晶片的切割，形成各晶片尺寸5mm的半導體晶片。切割條件如下所述。[切割條件]切割裝置於M D公司製造，DFD-6361切割環2-8-1 CrM 」公司製造)切割速度80mm/秒切割刀片卞二公司製造的2050HEDD切割刀片轉速40，OOOrpm刀片高度0.170mm切割方式:A模式/階梯式切割另外，將各切割/晶片接合薄膜進行牽引，進行使各晶片間為規定間隔的擴展工序。然後，以從各切割/晶片接合薄膜的基材一側用針上推的方式將晶片接合薄膜與半導體晶片一起拾取。拾取條件如下所述。[拾取條件]針全長10mm、直徑O. 7mm、銳角15度、前端R350ym針數5根針上推量350 μ m針上推速度5mm/秒夾頭(2 卜)保持時間200毫秒擴張3_接著，將拾取的半導體晶片晶片接合到引線框上。確認此時的半導體晶片的破損。結果如下表I和表2所示。另外，晶片接合條件如下所述。[晶片接合條件]晶片接合溫度120°C晶片接合壓力0. IMPa
晶片接合時間1秒後固化150°C下I小時(結果)如下表I和表2所示，象本發明的各實施例的熱固型晶片接合薄膜那樣其厚度Y(μπι)與填充材料的最大粒徑為X (μπι)的比率Χ/Υ (_)為I以下時，可以在不使半導體晶片破損的情況下晶片接合到引線框上。另一方面，為比率Χ/Υ超過I的各比較例的熱固型晶片接合薄膜時，確認到晶片接合時半導體晶片產生破損。表I
權利要求
1.一種熱固型晶片接合薄膜，含有膠粘劑組合物以及包含微粒的填充材料，其中， 設所述熱固型晶片接合薄膜的厚度為Y ( μ m)、設所述填充材料的最大粒徑為X ( μ m)時，比率X/Y (-)為I以下。
2.如權利要求I所述的熱固型晶片接合薄膜，其中， 所述X ( μ m)在O. 05 5 μ m的範圍內。
3.如權利要求I或2所述的熱固型晶片接合薄膜，其中， 所述Y ( μ m)在f 5 μ m的範圍內。
4.如權利要求I至3中任一項所述的熱固型晶片接合薄膜，其中，所述填充材料的含量相對於所述膠粘劑組合物100重量份在廣80重量份的範圍內。
5.如權利要求I至4中任一項所述的熱固型晶片接合薄膜，其中，所述填充材料的含量相對於所述膠粘劑組合物100體積份在廣40體積份的範圍內。
6.如權利要求I至5中任一項所述的熱固型晶片接合薄膜，其中，所述熱固型晶片接合薄膜的粗糙度曲線的最大斷面高度Rt在O. Γ2. 3 μ m的範圍內。
7.一種切割/晶片接合薄膜，其特徵在於，在切割薄膜上層疊有權利要求I至6中任一項所述的熱固型晶片接合薄膜。
8.一種半導體裝置的製造方法，使用權利要求7所述的切割/晶片接合薄膜製造半導體裝置，所述方法包括如下工序 以所述熱固型晶片接合薄膜為粘貼面，在半導體晶片的背面粘貼所述切割/晶片接合薄膜的粘貼工序， 將所述半導體晶片與所述熱固型晶片接合薄膜一起切割而形成半導體晶片的切割工序， 將所述半導體晶片與所述熱固型晶片接合薄膜一起從所述切割/晶片接合薄膜上拾取的拾取工序，和 通過所述熱固型晶片接合薄膜，在溫度10(Tl80°C、接合壓力O. 05、. 5MPa、接合時間O.Γ5秒的範圍內的條件下，將所述半導體晶片晶片接合到被粘物上的晶片接合工序。
全文摘要
本發明提供在通過熱固型晶片接合薄膜將半導體晶片晶片接合到被粘物上時，可以防止通過填充材料對該半導體晶片施加局部的應力並由此減少半導體晶片的破損的熱固型晶片接合薄膜以及具備該熱固型晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜。本發明的熱固型晶片接合薄膜，含有膠粘劑組合物以及包含微粒的填充材料，其中，設所述熱固型晶片接合薄膜的厚度為Y(μm)、設所述填充材料的最大粒徑為X(μm)時，比率X/Y(-)為1以下。
文檔編號H01L21/52GK102934211SQ201180026558
公開日2013年2月13日 申請日期2011年6月3日 優先權日2010年6月8日
發明者井上剛一, 菅生悠樹, 三隅貞仁, 松村健, 高本尚英 申請人:日東電工株式會社