Cmos型圖像讀取傳感器晶片的製作方法
2023-10-06 01:04:19
專利名稱：Cmos型圖像讀取傳感器晶片的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種光電傳感器半導體晶片，詳細講是一種CMOS型圖像讀取傳感器晶片。
背景技術：
我們知道，現有的彩色接觸式圖像傳感器所採用的CMOS型圖像讀取傳感器晶片是讀取黑白圖像信息的CMOS型圖像讀取傳感器晶片，它構成的彩色圖像讀取裝置的工作原理是，R、G、B三色光源在規定的點燈時間內依次點燈，各色的點燈期間內，把電荷積蓄於光電轉換傳感器素子內，然後再從光電轉換傳感器素子讀取圖像信息。這種晶片，在副掃描方向，R的讀取領域與G的讀取領域產生1/3象素的偏差、G的讀取領域與B的讀取領域產生1/3象素的偏差，即，把讀取的、包含不同領域的R、G、B各色的圖像讀取信號作為一個象素的圖像信號進行了再組合，存在色偏差，導致顏色的再現性差，不能準確讀取彩色圖像信息；因為三色光源循環導通，R、G、B光電轉換傳感器素子依次串行輸出圖像信息，所以讀取速度慢。
發明內容
本實用新型解決技術的問題是，解決在副掃描方向，R的讀取領域與G的讀取領域產生1/3象素的偏差、G的讀取領域與B的讀取領域產生1/3象素的偏差，即，把讀取的、包含不同領域的R、G、B各色的圖像讀取信號作為一個象素的圖像信號進行了再組合，存在色偏差，導致顏色的再現性差，不能準確讀取彩色圖像信息；因為三色光源循環導通，R、G、B光電轉換傳感器素子依次串行輸出圖像信息，所以讀取速度慢的問題。提供一種無色偏差，顏色的再現性好，能夠準確、快速讀取彩色圖像信息；黑白圖像信息的讀取解析度是彩色圖像信息的讀取解析度的2倍的CMOS型圖像讀取傳感器晶片。
本實用新型的技術方案是，晶片上設有光電轉換傳感器素子，其主要結構特點是，每四個光電轉換傳感器素子為一個單元，每個光電轉換傳感器素子上方設有一片濾光膜，分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉換傳感器素子以2×2點陣的相同方式等間距重複排列；每個2×2點陣內的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、B、G、G；或者分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉換傳感器素子以2×2點陣的相同方式等間距重複排列；每個2×2點陣內的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、G、G、B，其中R代表紅色光電轉換傳感器素子，G代表綠光光電轉換傳感器素子，B代表蘭光光電轉換傳感器素子。
作為光電轉換傳感器素子，可以是光敏三極體也可以是光敏二極體。
本實用新型的有益效果是，使用時，主掃描方向多個光電轉換傳感器素子組成光電轉換傳感器素子列，副掃描方向光電轉換傳感器素子列相互平行地配置2列，第一周期讀取的第二列的信息與第二周期讀取的第一列信息組合使用，可以使被讀取體上的R、G、B的讀取領域完全一致，就防止了因為色差而造成的色再現性劣化，無色偏差，顏色的再現性好，能夠準確讀取圖像信息，黑白圖像信息的讀取解析度是彩色圖像信息的讀取解析度的2倍，並且讀取速度是現有技術3倍的CMOS型圖像讀取傳感器晶片。本實用新型適用於彩色接觸式圖像傳感器和黑白接觸式圖像傳感器。
圖1、圖2是本實用新型的一種實施方式的示意圖，圖1是主視圖，圖2是圖1的俯視圖。圖1、圖3是本實用新型一種實施方式的示意圖，圖3是圖1的俯視圖。
實施方式 從圖1、圖2中可以看出，晶片1上設有光電轉換傳感器素子3，每四個光電轉換傳感器素子3為一個單元，每個光電轉換傳感器素子3上方設有一片濾光膜2，分別帶有R、G、B三色濾光膜2的光電轉換傳感器素子以2×2點陣的相同方式等間距重複排列；每個2×2點陣內的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、B、G、G，其中R代表紅色光電轉換傳感器素子，G代表綠光光電轉換傳感器素子，B代表蘭光光電轉換傳感器素子。光電轉換傳感器素子，可以是光敏三極體也可以是光敏二極體。
從圖1、圖3中可以看出，晶片1上設有光電轉換傳感器素子3，每四個光電轉換傳感器素子3為一個單元，每個光電轉換傳感器素子3上方設有一片濾光膜2，分別帶有R、G、B三色濾光膜2的光電轉換傳感器素子以2×2點陣的相同方式等間距重複排列；每個2×2點陣內的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、G、G、B，其中R代表紅色光電轉換傳感器素子，G代表綠光光電轉換傳感器素子，B代表蘭光光電轉換傳感器素子。光電轉換傳感器素子，可以是光敏三極體也可以是光敏二極體。
權利要求1.一種CMOS型圖像讀取傳感器晶片，晶片上設有光電轉換傳感器素子，其特徵是每四個光電轉換傳感器素子為一個單元，每個光電轉換傳感器素子上方設有一片濾光膜，分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉換傳感器素子以2×2點陣的相同方式等間距重複排列；每個2×2點陣內的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、B、G、G；或者分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉換傳感器素子以2×2點陣的相同方式等間距重複排列；每個2×2點陣內的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、G、G、B，其中R代表紅色光電轉換傳感器素子，G代表綠光光電轉換傳感器素子，B代表蘭光光電轉換傳感器素子。
2.根據權利要求1所述的CMOS型圖像讀取傳感器晶片，其特徵是所說的光電轉換傳感器素子是光敏三極體。
3.根據權利要求1所述的CMOS型圖像讀取傳感器晶片，其特徵是所說的是光敏二極體。
專利摘要一種CMOS型圖像讀取傳感器晶片，涉及一種光電傳感器半導體晶片，晶片上設有光電轉換傳感器素子，每四個光電轉換傳感器素子為一個單元，每個光電轉換傳感器素子上方設有一片濾光膜，分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉換傳感器素子以2×2點陣的相同方式等間距重複排列，每個2×2點陣內的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、B、G、G；或者分別帶有R、G、B三色濾光膜的光電轉換傳感器素子以2×2點陣的相同方式等間距重複排列，每個2×2點陣內的排列方式，由主掃描方向到副掃描方向的排列順序是R、G、G、B，適用於彩色接觸式圖像傳感器。
文檔編號H01L27/14GK2645237SQ0321724
公開日2004年9月29日 申請日期2003年5月12日 優先權日2003年5月12日
發明者王翥, 細川信一郎 申請人:山東華菱電子有限公司