雙面板型有機電致發光裝置及其製造方法
2023-10-05 20:32:14
專利名稱：雙面板型有機電致發光裝置及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種電致發光顯示裝置，尤其涉及一種雙面板型有機電致發光顯示裝置及其製造方法。
背景技術：
在平板顯示器(FPDs)中，與液晶顯示(LCD)裝置相比較，由於有機電致發光(EL)裝置是具有寬視角和高對比度的發光型顯示器，所以引發了人們對其研究和開發的特別關注。由於不需要背光，所以與其他類型的顯示裝置相比，有機EL裝置重量輕、體積小。有機EL裝置具有其他理想的特性，例如低功耗、出眾的亮度和快速響應時間。當驅動有機EL裝置時，只需要低直流(DC)電壓。並且能夠獲得快速響應時間。與LCD裝置不一樣，有機EL裝置全部以固相排列形成。因此，有機EL裝置足夠牢固以承受外部撞擊，也具有較大的運行溫度範圍。並且，有機EL裝置是在包括少數工藝步驟的相對簡單工藝中製造。因此，相對於LCD裝置或等離子體顯示面板(PDP)而言，生產有機EL裝置是非常廉價的。特別是，生產有機EL裝置過程中只有沉積和封裝工藝是必須的。
圖1是根據現有技術有機電致發光顯示裝置的原理電路圖。在圖1中，柵線和數據線彼此交叉以限定像素區域。電源線與數據線平行，且與之間隔開。開關薄膜電晶體(TFT)「TS」作為尋址元件連接到柵線和數據線。存儲電容「CST」連接到開關薄膜電晶體(TFT)「TS」和電源線。此外驅動TFT「TD」作為電流源元件連接到開關TFT「TS」、存儲電容「CST」和電源線。驅動TFT「TD」也連接到有機電致發光(EL)二極體「E」。
開關TFT「TS」調整驅動TFT「TD」的柵極電壓，存儲電容「CST」為驅動TFT「TD」的柵極電壓存儲電荷。當正電流施加到有機EL二極體「E」的有機發光材料層時，空穴和電子通過提供空穴的陽極層和提供電子的陰極層形成的正—負(PN)結相向運動並複合。由於複合的空穴—電子對比分離的空穴—電子對具有較低的能量，所以對應於複合的和分離的空穴—電子對之間能量差的光從有機發光材料層發射出來。
圖2是根據現有技術圖示有機電致發光顯示裝置的原理組合圖。在圖2中，第一和的二基板11和51彼此面對和分離。第一電極13形成在第一基板11的內表面上。絕緣層17和分隔體20依次形成在相鄰子像素區域「SP」之間邊界區域「CA」中的第一電極13上。有機發光材料層25和第二電極30依次形成在分隔體20之間的子像素區域「SP」中。在製造工藝中，有機發光材料層25和第二電極30通過沉積工藝各自獨立地形成在每個子像素區域「SP」中，在該沉積工藝中，分隔體20避免了連續層的沉積。第一電極13、第二電極30和有機發光材料層25構成了一有機電致發光(EL)二極體「E」。儘管在組合圖2中未示出，在平面圖中，分隔體20在每個子像素區域「SP」周圍具有格子的形狀。
包括薄膜電晶體(TFTs；未示出)的陣列元件層55形成在第二基板51內表面上的每個子像素區域「SP」中。連接電極58也形成在第二基板51的內表面上，與陣列元件層55相連接。連接圖案70形成在每個子像素區域「SP」中並且連接第一基板11的第二電極30和第二基板51的電極58。
密封圖案80第一和第二基板11和51的邊界區域。相應的，在第一和第二基板11和51之間的內部空隙由密封圖案80所密封。此外，第一和第二基板11和51在惰性氣體或真空環境下粘接和密封，這樣，其內部空隙就不會暴露於溼氣或空氣當中。
有機電致發光顯示(OELD)裝置的分隔體20成倒錐形以方便每個子像素區域「SP」中的有機發光材料層25和第二基板30獨立地形成。因此，分隔體20上離第一基板11近的第一部分的寬度要比分隔體20上離第一基板11遠的第二部分的寬度小，並且分隔體20的寬度隨著與第一基板11距離的增加而增加。在製造工藝中，分隔體20形成之後，有機發光材料層25通過蒸發有機發光材料而形成。第二電極30通過沉積金屬材料而形成。通過蒸發方法形成的有機發光材料層25的階梯覆蓋比通過沉積方法形成的第二電極30的階梯覆蓋好。因此，有機發光材料比金屬材料擴散的好。在每個子像素區域「SP」中，有機發光材料層25的面積比第二電極30的面積大。結果，有機發光材料層25的邊緣區域暴露於第二電極30。當有機發光材料層25暴露時，有機發光材料層25的退化加速了。因此，即使在第一和第二基板11和51之間的內部空隙維持真空狀態或惰性氣體狀態的情況下，OELD裝置1的生命期也將會縮短。
並且，分隔體20包括有機絕緣材料。受熱時，有機絕緣材料放氣，而這种放氣會使有機發光材料退化。由於有機發光材料層25沒有完全覆蓋分隔體20的側牆，所以有機絕緣材料的一部分暴露出來。結果，受熱時，分隔體20的暴露部分發生放氣，並且使有機發光材料層25退化。相應地，裝置1的OELD生命期由於放氣而進一步地縮短了。
發明內容
因此，本發明涉及一種有機電致發光顯示裝置，和其中充分消除由於現有技術限制和缺陷導致一個或多個問題的製造方法。
為了按照本發明的目的，達到本發明的這些和其他優點，如具體和廣義描述的那樣，有機電致發光顯示裝置包括彼此面對和分離的第一和第二基板。第一電極置於第一基板上，而包括第一和第二部分的分隔體置於第一電極上。每一個第一和第二部分都具有彼此以相對的方向凸出的部分和被凸出部分部分地包裹的區域。有機發光層置於子像素區域中的第一電極上，並具有第一厚度。第二電極置於有機發光層上。陣列元件層置於第二基板上，其包括薄膜電晶體。連接圖案電連接第二電極和薄膜電晶體。
另一方面，製造有機電致發光顯示裝置的方法包括在具有子像素區域的第一基板上形成第一電極和在子像素區域周圍形成邊界區域。絕緣圖案形成於邊界區域中的第一電極上，絕緣圖案具有第一厚度。絕緣層形成於絕緣圖案上，絕緣層具有第二厚度。絕緣層被蝕刻以形成彼此間隔開的第一和第二凸出部分，並且通過該彼此間隔開的第一和第二凸出部分使絕緣圖案得以暴露。對應於第一和第二凸出部分，在第一和第二區域底切的地方，第一和第二區域絕緣圖案被蝕刻以形成彼此間隔開的第一和第二區域。有機發光層形成於子像素區域中的第一電極上，而第二電極形成於有機發光層上。陣列元件層形成於第二基板上。連接圖案形成於第二電極、陣列元件層其中之一上，並將第一和第二基板粘接，如此，將連接圖案電連接到第二電極和薄膜電晶體上。
再另一方面，有機電致發光顯示器包括彼此間隔開的第一和第二基板，第一基板上具有電極。分隔體覆蓋電極並在第一和第二基板上限定像素區域。分隔體包括限定電極邊界區域的相應的第一和第二部分，每個部分包括覆蓋電極的區域和覆蓋第一圖案頂面和延伸至區域邊界外的凸出部分。有機發光層覆蓋在電極和每一部分的凸出部分上。
在另一方面中，製造有機電致發光顯示裝置中分隔體的方法包括在基板上形成具有第一厚度的絕緣圖案。具有第二厚度的絕緣層形成於絕緣圖案上。絕緣層被蝕刻以形成彼此間隔開和暴露一部分絕緣層的第一和第二凸出部分。絕緣圖案被蝕刻以形成彼此間隔開並底切凸出部分的第一和第二區域，如此，將第一和第二部分隱藏在各自的第一和第二凸出部分的下方。
應當理解，前述的一般描述和以下的詳細描述都是示列性和說明性的，僅是為了對本發明的權利要求書所要保護的發明作進一步的解釋。
圖1是根據現有技術的有機電致發光顯示裝置的電路示意圖；圖2所示的是根據現有技術的有機電致發光顯示裝置的平面示意圖；圖3所示的是根據本發明一個實施方式的雙面板型有機電致發光顯示裝置的示意性截面圖；和圖4A到4H所示的是根據本發明實施方式的用於有機電致發光顯示裝置的電致發光基板製造工藝的示意性截面圖。
具體實施例方式
現在對本發明的優選實施方式做詳細說明，在附圖中說明了這些優選實施方式的實施例。
圖3是根據本發明實施例的雙面板型有機電致發光顯示裝置的示意性截面圖。
在圖3中，雙面板型有機電致發光顯示(OELD)裝置101包括彼此面對和分離的第一和第二基板111和151。有機電致發光(EL)二極體「E」形成於第一基板111的內表面上，包括驅動薄膜電晶體「TD」的陣列元件層形成於第二基板151的內表面。連接圖案180形成在第一和第二基板111和151之間的子像素區域「SP」中。連接圖案180電連接第一基板111上的陣列元件和第二基板151上的有機電致發光二極體「E」。
儘管在圖3中未所示，密封圖案形成於第一和第二基板111和151的邊界區域，以密封第一和第二基板111和151之間的內部空隙隔絕外部空氣，並將第一和第二基板111和151粘接。被密封圖案隔絕的空隙中形成真空。密封圖案也可以雙密封圖案的形式，在這種形式中，通過圖案之間的小空隙隔離而形成兩個分離的圖案。
特別的，第一電極113形成在第一基板111的內表面，而分隔體130形成在第一電極113的邊界區域「CA」中。第一電極113包括透明導電材料如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)。分隔體130具有通過無機絕緣材料的雙層結構構成的兩個部分。分隔體130包括兩個相似部分，其中每個部分包括第一區域120a、第二區域120b、第一凸出部分125和第二凸出部分126。第一和第二區域120a和120b包括無機絕緣材料，例如矽氮化物(SiNx)，並且彼此間隔開。每個形成於第一電極113上的第一和第二區域120a和120b具有內表面、外表面、接觸第一電極113的底面和與底面相對的頂面。第一和第二凸出部分125和126包括無機絕緣材料，例如氧化矽(SiO2)，並分別置於第一和第二區域120a和120b的周圍。因此，第一凸出部分125覆蓋第一區域120a的頂面和外表面，第二凸出部分126覆蓋第二區域120b的頂面和外表面。
此外，分隔體130具有底切形狀，第一和第二凸出部分125和126分別延伸超出第一和第二區域120a和120b的頂面。因此，第一凸出部分125包括與第一區域120a外表面接觸的第一部分125a和延伸自第一部分125a的第二部分125b。第二部分125b覆蓋並延伸超出第一區域120a的頂面。相似的，第二凸出部分126包括與第二區域120b外表面接觸的第三部分126a和延伸自第三部分126a的第四部分126b。第四部分126b覆蓋並延伸超出第二區域120b的頂面。結果，分隔體130具有內部空洞和頂面開口的橫向形狀。第一和第二區域120a和120b內表面暴露出來。進一步，第一和第二區域120a和120b之間的第一距離「d1」大於第二部分125b和第四部分126b之間的第二距離「d2」。第一和第二區域120a和120b的第一厚度「t1」等於或大於第一和第二凸出部分125和126的第二厚度「t2」。例如，第一和第二厚度「t1」和「t2」在大約2000到大約8000的範圍內。
有機發光材料層135形成於分隔體130周圍子像素區域「SP」中的第一電極113上，而第二電極140形成於有機發光材料層135上。由於第二電極140完全覆蓋有機材料層135，所以有機發光材料層135沒有暴露，避免了有機發光材料層135的退化。此外，由於無機材料即使在受熱時也不放氣，所以無機材料的分隔體130不放氣，避免了有機發光材料層135由於放氣而引起的退化。第一電極113、有機發光材料層135和第二電極140構成有機EL二極體「E」。第一電極113具有高於第二電極140的功函數。而且，有機發光材料層135和第二電極140通過分隔體130獨立形成於每個子像素區域「SP」中。
儘管在圖3中未示出，第二基板151上每個子像素區域「SP」中的陣列元件層包括多個TFT。連接電極175連接到陣列元件層的驅動TFT「TD」，而連接圖案180形成於連接電極175上。驅動TFT包括被具有兩個子層160a和160b的柵絕緣層160覆蓋的柵極155。源和漏區域165和167覆蓋柵絕緣層160的子層160b。在子像素區域和驅動TFT中的TFT中，導電層可以用多晶矽、非晶矽和有機半導體材料製造。
在製造第一和第二基板111和151其中之一的工藝過程中，連接圖案180形成於第一和第二基板111和151其中之一上。雖然如圖3中所示，將連接圖案180設置成與分隔體130重疊，在本發明的另一個實施例中，將連接圖案180設置在子像素區域「SP」中而沒有與分隔體130。由於圖3中的有機電致發光顯示裝置101是上發射型，所以即使連接圖案180設置在子像素區域「SP」中而沒有與分隔體130重疊時，也可避免顯示質量的退化。
圖4A到4H是根據本發明實施例的用於有機電致發光顯示裝置的電致發光基板製造工藝的示意性截面圖。圖4A到4H顯示了單個子像素區域。
在圖4A中，第一基板111具有子像素區域「SP」和子像素區域「SP」周圍的邊界區域「CA」。通過沉積透明導電材料例如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)，第一電極113形成在第一基板111上。
在圖4B中，第一無機絕緣材料層(未示出)形成在第一基板111上，而第一光刻膠層(PR)(未示出)形成在第一無機絕緣材料層上。第一絕緣材料層具有大約2000到大約8000的範圍內的第一厚度「t1」，並且可能包括矽氮化物(SiNx)。其次，將具有透光區域和擋光區域的第一掩模(未示出)置於第一PR層上，光通過第一掩模照射到第一PR層上。在通過顯影第一PR層來形成第一PR圖案(未示出)之後，利用第一PR圖案作為蝕刻掩模蝕刻第一無機絕緣材料層，以在邊緣區域「CA」形成第一無機絕緣材料圖案118。因此，第一無機絕緣材料圖案118具有大約2000到大約8000的範圍內的第一厚度「t1」。由於第一無機絕緣材料圖案118和覆蓋在第一無機絕緣材料圖案118上的彎曲圖案(圖3中的125、126)的原因，用作為有機發光材料層的分隔體的功能，因此，形成的第一無機絕緣材料圖案118具有第一厚度「t1」，其大於有機發光材料層的厚度。此外，當附加層例如電子發射層、電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴發射層進一步形成在有機發光材料層上以改進發光效率時，第一無機絕緣材料圖案118形成具有大於所有層厚的厚度。有機發光材料層具有大約1500的厚度。
在圖4C中，第二無機絕緣材料層122形成在第一無機絕緣材料圖案118上。第二無機絕緣材料層122具有大約2000到大約8000的範圍內的第二厚度「t2」，並且可包括矽氧化物(SiO2)。為了完全覆蓋第一無機絕緣材料圖案118，第二無機絕緣材料層122的第二厚度「t2」等於或大於第一無極絕緣材料圖案118的第一厚度「t1」。其次，第二PR層191形成在第二無機絕緣材料層122上。例如，第二PR層可以在暴露部分移除處呈負型。其次，具有透光區域「T」和擋光區域「B」的第二掩模195置於第二PR層191上，光通過第二掩模195照射到第二PR層191上。
在圖4D中，通過顯影第二PR層191(圖4C)將第二PR圖案192形成在第二無機絕緣材料層122上。
在圖4E中，通過利用第二PR圖案192作為蝕刻掩模來蝕刻第二無機絕緣材料層122(圖4D)，以形成包括第一和第二凸出部分125和126的第二無機絕緣圖案。彼此間隔開的第一和第二凸出部分125和126置於邊界區域「CA」中。因此，通過第一和第二凸出部分125和126，第一電極113置於子像素區域「SP」中，並且第一無機絕緣材料層118置於邊界區域「CA」中。
在圖4F中，將通過第一和第二凸出部分125和126暴露的第一有機絕緣材料圖案118(圖4E)進行蝕刻，以形成第一和第二區域120a和120b。由於第一有機絕緣材料圖案118(圖4E)和第一和第二凸出部分125和126包括不同材料，第一有機絕緣材料圖案118(圖4E)的蝕刻速率不同於第一和第二凸出部分125和126的蝕刻速率。例如，即使矽氮化物(SiNx)的第一有機絕緣材料圖案118(圖4E)和二氧化矽(SiO2)的第一和第二凸出部分125和126能夠通過利用CF4(四氟代甲烷)氣體的幹蝕刻方法進行蝕刻，則利用CF4氣體的矽氮化物(SiNx)的蝕刻速率也要高於利用CF4氣體的二氧化矽(SiO2)的蝕刻速率。因此，第一有機絕緣材料圖案118(圖4E)的蝕刻量大於第一和第二凸出部分125和126的蝕刻量，並且蝕刻第一有機絕緣材料圖案118(圖4E)以通過第一和第二區域120a和120b暴露第一電極113。此外，由於第一和第二區域120a和120b是被過度蝕刻的，第一凸出部分125的第二部分125b覆蓋並延伸超出第一區域120a的頂面，並且第二凸出部分126的第四部分126b覆蓋並延伸超出第二區域120b的頂面。結果，第一和第二區域120a和120b相對於第一和第二凸出部分125和126分別具有底切形狀。凸出部分125包裹第一區域120a的頂面和側面，凸出部分126包裹第二區域120b的頂面和側面。
因此，第一區域120a、第二區域120b、第一凸出部分125和第二凸出部分126構成具有兩折雙層結構的分隔體130。另外，第一和第二區域120a和120b之間的第一距離「d1」大於第二部分125b和第四部分126b之間的第二距離「d2」。並且，由於第一和第二凸出部分125和126的外側表面基本上垂直於第一電極113，而不是倒錐形結構，所以有機發光材料層和第二電極完全接觸到分隔體130的外表面，沒有於第一和第二凸出部分125和126的外表面隔離。
在圖4G中，在通過灰化法或脫模法將第二PR圖案192(圖4F)移除後，有機發光材料層135形成於每個子像素區域「SP」中第一電極113上。有機發光材料層135通過蒸發有機發光材料來形成。，由於第一和第二區域120a和120b相對於第一和第二凸出部分125和126的底切形狀，有機發光材料層135在第一和第二凸出部分125和126之間被切割。並且虛擬有機發光材料圖案形成在第一和第二區域120a和120b之間的第一電極113上。因此，有機發光材料層135被分隔體130分隔並且獨立形成在每個子像素區域「SP」中。
在圖4H中，第二電極140形成在每個子像素區域「SP」中的有機發光材料層135上。第二電極140可通過沉積鋁(Al)和鋁(Al)合金如鋁釹(AlNd)其中之一來形成。例如，第一電極113具有高於第二電極140的功函數。相似於有機發光材料層135，第二電極140被分隔體130分隔開並且獨立地形成在每個子像素區域「SP」中。此外，由於第一和第二凸出部分125和126的外表面垂直於第一電極113而不同於倒錐形結構，第二電極140完全覆蓋在每個子像素區域「SP」中的有機材料層135，並且在邊界區域「CA」分隔體130之上。結果，有機發光材料層135沒有暴露並且避免了有機發光材料層135的退化。第一電極113、有機發光材料層135和第二電極140構成有機電致發光二極體「E」。
根據本發明的進一步方面，吸氣劑材料或吸收層(未示出)可以形成在第二電極140上。吸氣劑材料優選金屬或近金屬材料例如鈣或另一個來自元素周期表第IIA組的元素。吸氣劑材料吸收水蒸氣和其他氣體，例如在顯示器氣體區域中產生的氧氣。
儘管在圖4A到圖4H中未示出，導電材料的連接圖案180(圖3)形成在第二電極140上。在另一個實施例中，連接圖案180(圖3)形成在相對的那塊基板上。其次，具有有機電致發光二極體「E」的第一基板111和具有陣列元件層的第二基板151在真空條件和惰性氣體條件之一下利用密封圖案粘接在一起，這樣，連接圖案180接觸到第一基板111的第二電極140和第二基板151的驅動TFT「TD」。
因此，在根據本發明的雙面板型OELD裝置中，由於分隔體具有兩折雙層，所以有機發光材料層沒有通過第二電極而暴露。因此，避免了有機發光材料層的退化。此外，由於分隔體包括無機絕緣材料，所以受熱時分隔體不會噴出氣體。因此，避免了由於噴出的氣體引起的有機發光材料層的退化。而且，由於有機EL二極體和包括TFT的陣列元件層各自形成在第一和第二基板上，所以提高了產量，減小了製造成本。
顯然在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，本領域的普通技術人員可以在本發明的有機電致發光顯示裝置及其製造方法方面做出各種改進和變型。因此，本發明覆蓋所有落入所附權利要求及其等效物所包含的範圍之內的改進和變型。
權利要求
1.一種有機電致發光顯示裝置，包括彼此面對和分離的第一和第二基板；第一基板上的第一電極；包括第一電極上的第一和第二部分的分隔體，每個第一和第二部分都具有彼此以相對方向凸出的部分和被凸出部分部分地包裹的區域；置於子像素區域中的第一電極上的有機發光層，其具有第一厚度；有機發光層上的第二電極；第二基板上的陣列元件層，包括薄膜電晶體；和電連接至第二電極和薄膜電晶體的連接圖案。
2.根據權利要求1所述的裝置，其特徵在於，所述第二電極完全覆蓋有機發光層。
3.根據權利要求1所述的裝置，其特徵在於，所述第一和第二部分的區域具有第二厚度，並且被間隔開一第一距離。
4.根據權利要求3所述的裝置，其特徵在於，所述每個區域具有內側表面、與內側表面相對的外側表面、與第一電極接觸的底面和與底面相對的頂面，其中的每個凸出部分包括與區域外側表面接觸的第一部分；和從第一部分延伸並與區域頂面接觸的第二部分。
5.根據權利要求4所述的裝置，其特徵在於，所述每一凸出部分的第二部分之間都間隔開一個小於第一距離的第二距離。
6.根據權利要求3所述的裝置，其特徵在於，所述凸出部分和區域均包括無機絕緣材料。
7.根據權利要求6所述的裝置，其特徵在於，所述區域包括矽氮化物，凸出部分包括矽氧化物。
8.根據權利要求3所述的裝置，其特徵在於，所述第二厚度大於第一厚度。
9.根據權利要求1所述的裝置，其特徵在於，所述凸出部分包括經受第一蝕刻速率影響的材料，區域包括經受第二蝕刻速率影響的材料，其中第二蝕刻速率高於第一蝕刻速率。
10.根據權利要求3所述的裝置，其特徵在於，所述凸出部分具有第三厚度，其中第二和第三厚度在大約2000到大約8000的範圍內。
11.根據權利要求1所述的裝置，其特徵在於，所述薄膜電晶體包括多晶矽器件、非晶矽器件或有機半導體器件中的一種。
12.一種製造有機電致發光顯示裝置的方法，包括在具有子像素區域和子像素區域周圍的邊界區域的第一基板上形成第一電極；在邊界區域中的第一電極上形成絕緣圖案，絕緣圖案具有第一厚度；在絕緣圖案上形成絕緣層，絕緣層具有第二厚度；蝕刻絕緣層以形成彼此間隔開的第一和第二凸出部分，絕緣圖案暴露在第一和第二凸出部分；蝕刻絕緣圖案以形成相互間隔開的第一和第二區域，其中第一和第二區域相對於第一和第二凸出部分呈底切形狀；在子像素區域中的第一電極上形成有機發光層；在有機發光層上形成第二電極；在第二基板上形成包括薄膜電晶體的陣列元件層；在第二電極和陣列元件層其中之一上形成連接圖案；和粘接第一和第二基板，如此，連接圖案電連接第二電極和薄膜電晶體。
13.根據權利要求12所述的方法，其特徵在於，所述第一和第二區域包括矽氮化物，並且第一和第二凸出部分包括矽氧化物。
14.根據權利要求12所述的方法，其特徵在於，所述第一和第二凸出部分以第一蝕刻速率進行蝕刻，而絕緣圖案以第二蝕刻速率進行蝕刻。
15.根據權利要求14所述的方法，其特徵在於，所述第二蝕刻速率高於第一蝕刻速率。
16.根據權利要求12所述的方法，其特徵在於，所述第二厚度等於或大於第一厚度。
17.根據權利要求16所述的方法，其特徵在於，所述第一厚度和第二厚度在大約2000到大約8000的範圍內。
18.根據權利要求12所述的方法，其特徵在於，所述形成陣列元件層包括形成薄膜電晶體，薄膜電晶體包括多晶矽器件、非晶矽器件或有機半導體器件中的一種。
19.一種有機電致發光顯示器，包括彼此分離的第一和第二基板，第一基板上具有電極；設置在電極上，並用於在第一和第二基板上限定像素區域的分隔體，分隔體包括限定電極邊界區域的相應的第一和第二部分，每一部分包括覆蓋電極的區域和覆蓋區域上表面並延伸到超出區域邊界的凸出部分；和覆蓋電極和每一部分的凸出部分上的有機發光層。
20.根據權利要求19所述的顯示器，其特徵在於，所述每一部分的區域和凸出部分包括不同的無機材料。
21.根據權利要求19所述的顯示器，其特徵在於，所述區域包括矽氮化物而凸出部分包括矽氧化物。
22.根據權利要求19所述的顯示器，進一步包括在有機發光材料層上的第二電極；在第二基板上的陣列元件層，陣列元件層包括薄膜電晶體；和電連接第二電極和薄膜電晶體的連接圖案。
23.根據權利要求19所述的顯示器，其特徵在於，所述第一和第二部分的區域之間間隔一第一距離，其中第一和第二部分的凸出部分之間間隔一小於第一距離的第二距離。
24.根據權利要求19所述的顯示器，其特徵在於，所述第一和第二部分的區域具有第一厚度，而有機發光層具有小於第一厚度的第二厚度。
25.根據權利要求19所述的顯示器，其特徵在於，進一步包括在第二基板上的薄膜電晶體，其中薄膜電晶體包括多晶矽器件、非晶矽器件或有機半導體器件中的一種。
26.一種製造有機電致發光顯示裝置的分隔體的方法，包括在第一基板上形成絕緣圖案，絕緣圖案具有第一厚度；在絕緣圖案上形成絕緣層，絕緣層具有第二厚度；蝕刻絕緣層以形成彼此間隔開並暴露部分絕緣層的第一和第二凸出部分；和蝕刻絕緣圖案以形成彼此間隔並底切凸出部分的第一和第二區域，從而使得第一和第二區域隱藏在相應的第一和第二凸出部分下方。
27.根據權利要求26所述的方法，其特徵在於，進一步包括形成包括在第二基板上的薄膜電晶體的有機電致發光顯示裝置，其中薄膜電晶體包括多晶矽器件、非晶矽器件或有機半導體器件中的一種。
全文摘要
一種有機電致發光顯示裝置，包括彼此面對和分離的第一和第二基板。第一電極置於第一基板上，並且具有雙層、相反L形圖案的分隔體置於第一電極上。具有第一厚度的有機發光層置於子像素區域的第一電極上。第二電極置於有機發光層上。陣列元件層置於第二基板上，陣列元件層包括薄膜電晶體。連接圖案電連接第二電極和薄膜電晶體。
文檔編號H05B33/10GK1893746SQ200610087048
公開日2007年1月10日 申請日期2006年6月12日 優先權日2005年6月30日
發明者俞忠根, 安泰濬, 樸鍾賢 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社