靜態電流(iddq)指示及測試裝置和方法

2023-10-24 01:48:57

專利名稱：靜態電流(iddq)指示及測試裝置和方法
技術領域：
本發明的實施例涉及用於指示和測試由電子器件產生的靜態電流(IDDQ)的裝置及方法。
背景技術：
在電子器件的靜止期間產生的洩漏電流(即，「靜態電流」或「IDDQ」)的測量值可以指示器件的邏輯電路的一個或多個電晶體的失效。更具體地，當IDDQ測量值落在正常操作值的範圍之外時，可以認為在邏輯電路內的一個或多個已經失效。因此，IDDQ測量通常在製造工藝中被採用，以便在給顧客發貨之前識別並剔除故 障器件。用於測量器件的IDDQ的常規方法包括將器件安裝於與自動測試設備(ATE)電互連的器件載體中，以及啟動ATE IDDQ測量測試。根據一種IDDQ測量方法，器件的特定引腳被指定用於將內部電壓源引出到邏輯電路的用途。以所引出的內部電壓源，IDDQ測量可以通過禁用內部電壓源以及經由ATE從外部提供電源電壓來進行。使用該方法，IDDQ可以在邏輯電路的電源側測量。根據另一種IDDQ測量方法，器件的特定引腳被指定用於將接地線引出到邏輯電路的用途。在測試期間，該引腳在外部與主器件的地線短接，並且IDDQ因而可以在邏輯電路的接地側測量。儘管此類IDDQ測量方法對於測試某些器件可能是足夠的，但是它們對於測試其它器件可能是不足的。例如，在管芯尺寸受限的和/或引腳受限的器件中，將一個或多個引腳指定用於執行IDDQ測量的具體用途可能是不實際的。除此之外或作為選擇，某些器件可以包括相對小的邏輯電路(例如，具有相對少的電晶體的邏輯電路)，並且相對小的IDDQ (例如，在微安或納米安的範圍內的IDDQ)。用於IDDQ測試的常規的ATE可能不能夠精確地測量這樣小的IDDQ。不準確的測量值可以導致故障器件被發給顧客。


圖I示出了根據一種示例實施例的IDDQ測試設施(setup)以及電子器件中包括用於指示IDDQ的裝置的部分的簡化示意性框圖；圖2是根據一種示例實施例的用於為電子器件產生IDDQ指示的方法的流程圖；圖3示出了根據一種示例實施例的與執行IDDQ測試相關的各種信號；以及圖4是根據一種示例實施例的用於製作和測試包括IDDQ評估電路(evaluationcircuit)的電子器件的方法的流程圖。
具體實施例方式本發明的實施例包括用於指示和測試由電子器件產生的靜態電流(IDDQ)的裝置和方法。根據一種實施例，電子器件包括在邏輯電路的接地側的IDDQ評估電路。根據一種實施例，當器件處於IDDQ評估狀態時，IDDQ評估電路可以經由器件的引腳產生關於來自邏輯電路的IDDQ是否超過接受值(acceptance value)的指示。例如，IDDQ指示可以是二元指示，其中第一邏輯電平指示IDDQ超過了接受值，而第二邏輯電平指示IDDQ沒有超過接受值。該指示可以被用作拒絕器件的基礎，而不是依靠使用常規方法執行的實際IDDQ的外部測量。因此，本發明的實施例可以允許執行精確的IDDQ指示，即使在包括相對小的邏輯電路的器件中。根據另ー種實施例，當器件處於正常的操作狀態(而不是IDDQ評估狀態)吋，被指定用於產生IDDQ指示的引腳可以用於其它的用途。因此，本發明的實施例使IDDQ指示能夠在不必斷開電壓源或者不必指定一個或多個引腳專用於IDDQ測試的用途的情況下產生。圖I不出了根據一種不例實施例的IDDQ測試設備100以及電子器件110中包括用於指示IDDQ的裝置的部分。根據ー種實施例，IDDQ測試裝置100可通過電子器件110安裝於其內的測試臺(test bed)(未示出)與電子器件110的外部引腳(例如，引腳120、121、122,123)電互連。根據各種實施例，在IDDQ測試之前，可以將電 子器件110封裝於多個不同類型的封裝(例如，直插封裝、扁平封裝、球柵陣列封裝、針柵陣列封裝和無引線封裝，在此僅列舉幾種)中的任何封裝之內。作為選擇，根據其它實施例，電子器件110可以在晶片或単體化的器件(即，未封裝的)階段進行測試。根據ー種實施例，IDDQ測試設備100可以包括例如測試控制部分102、信令(signaling)和模式(pattern)生成部分104及評估部分106。根據各種實施例，IDDQ測試設備100可以在測試控制部分102的控制之下自動地執行IDDQ測試(即，IDDQ測試設備100可以是自動測試設備(ATE)設施)，或者IDDQ測試設備100可以被配置用於使操作者能夠手動執行電子器件110的IDDQ測試。在ATE的實施例中，測試控制部分102被配置用於執行控制由信令和模式生成部分104及評估部分106結合執行電子器件110的IDDQ評估而執行的操作的順序和時序的算法。由信令和模式生成部分104及評估部分106執行的操作將在下文結合在IDDQ測試的情況下的電子器件110的功能的解釋來更詳細地解釋。電子器件110包括可使電信號能夠在電子器件110的電路與外部系統(例如，IDDQ測試設備100和/或電子器件110最終將集成於其內的系統的電子器件)之間交換的多個引腳120-123。例如，電子器件110的內部接地結構可以與ー個或多個引腳(例如，引腳122)電耦接，進而可以與IDDQ測試裝置100和/或電子器件110最終將集成於其內的系統的接地面電耦接。在一種實施例中，引腳120-123中的任何或全部可以用於多種用途。更具體地，出現於引腳120-123上的輸入和輸出信號可以在電子器件110處於正常的操作狀態時按照第一方式來提供或評估，以及出現於引腳120-123上的輸入和輸出信號可以在電子器件110處於IDDQ評估狀態時按照不同的第二方式來提供或評估。因此，在一種實施例中，執行IDDQ評估的能力可以在不需要指定用於該用途的附加引腳的情況下實現於電子器件110內。儘管術語「引腳」在本說明書中通篇使用，但是應當理解，術語「引腳」意指包括可使信號能夠在器件的電路與外部器件之間交換的各種不同類型的接觸(例如，引腳、焊盤、凸塊、焊球、晶片觸點等)。儘管圖中僅示出了四個引腳120-123，但是應當理解，電子器件110同樣可以(且很可能)包括另加的引腳。但是，為了簡單起見，圖中僅示出引腳120-123，因為引腳120-123在此與各種實施例的描述相關。根據ー種實施例，電子器件110還包括至少ー個邏輯電路130、開關元件132、IDDQ評估電路34和電壓源136。在一種實施例中，邏輯電路130、電流源140和上拉電阻144從電壓源136接收功率。在其它實施例中，這些元件可以從電子器件110的不同電壓源接收功率，或者這些元件中的ー個或多個可以從外部電壓源接收功率。儘管邏輯電路130、開關元件132、IDDQ評估電路134和電壓源136各自只有ー個示出於圖I中，但是應當理解，在電子器件中可以包括這些器件元件中的任何一個或多個的多個實例化。例如,這些元件中的一個或多個的實例化可以與電子器件的多個不同功能塊和/或功率子域相關。為了簡明起見，在此僅討論邏輯電路130、開關元件132、IDDQ評估電路134和電壓源136的單個實例化。電子器件110還可以包括附加電路190，該附加電路190可以執行不一定與在此所討論的功能相關的各種功能。根據ー種實施例，邏輯電路130在供電輸入150 (即，在邏輯電路130的「供電側」的輸入)處接收來自電壓源136的功率。邏輯電路130包括可以被配置用於執行眾多不同功能中的任何功能的一個或多個電晶體。根據ー種實施例，在IDDQ測試過程中，邏輯電路130的各種電晶體可以通過將信號(例如，測試模式151) 「掃描」到電子器件110中而設定為特定的狀態。例如，測試設備100的信號和模式生成部分104可以通過器件引腳(例如， 引腳120)給邏輯電路130提供測試模式151。一旦邏輯電路130的電晶體處於穩定的狀態(即，它們沒有被活躍地開關，並且邏輯電路130是「靜止的」)時，通過電晶體的累積的靜態洩漏電流(或IDDQ 153)可以出現於邏輯接地輸出152 (S卩，邏輯電路130的「接地側」的輸出)。根據ー種實施例，邏輯接地輸出152與第一接地節點154電耦接，並且因此由邏輯電路130產生的IDDQ 153可以出現於第一接地節點154。根據ー種實施例，開關元件132和IDDQ評估電路13與第一接地節點154和第二接地節點156兩端並行電耦接。開關元件132可配置成導電狀態和非導電狀態。當處於導電狀態時，電流可以從第一接地節點154到第二接地節點156容易地流過開關元件132。相反地，當處於非導電狀態時，通過第一和第二接地節點154、156之間的開關元件132的電流被限制(即，基本上為零或者可忽略的大小)。根據ー種實施例，開關元件132包括金屬氧化物半導體場效應電晶體(M0SFET)，該電晶體包括與第一接地節點154耦接的源極、與第二接地節點156耦接的漏極以及與控制節點158耦接的柵極。在一種更特別的實施例中，開關元件132包括NM0SFET，儘管應當理解，在其它實施例中，開關元件132可以包括不同類型的電晶體和/或開關元件132可以包括多個電晶體和附加的電路。控制信號159可以經由控制節點158提供給開關元件132 (例如，到MOSFET的柵扱)，並且開關元件132響應於控制信號159來將開關元件132置於導電狀態或非導電狀態。根據ー種實施例，具有相對高的電壓值的控制信號159轉換成或保留於導電狀態，而具有相對低的電壓值的控制信號159促使開關元件132轉換成或保留於非導電狀態。根據ー種實施例，當電子器件110將要轉換成或保留於IDDQ評估狀態時，控制信號159被提供用於將開關元件132置於非導電狀態。相反地，當電子器件110將要轉換成或保留於正常的操作狀態時，控制信號159被提供用於將開關元件132置於導電狀態。為了確保控制節點158處於明確的狀態(即，開關元件132的導電模式總是處於預期的狀態)，電子器件110可以包括電耦接於電壓源136和控制節點158之間的上拉電阻器144，該上拉電阻器144可以在缺少相反的信號的情況下確立處於相對高電平的控制信號159。在一種實施例中，給開關元件132提供的控制信號159由IDDQ測試使能電路142產生。IDDQ測試使能電路142與開關元件132電耦接，並被配置以作出電子器件110是否應當進入IDDQ評估狀態的確定。當IDDQ測試使能電路142確定電子器件110應當進入IDDQ評估狀態時，IDDQ測試使能電路142產生處於促使開關元件132被置於非導電狀態的電平的控制信號159。在一種實施例中，IDDQ測試使能電路142包括狀態確定電路146和狀態確認元件148。根據一種實施例，狀態確定電路146被配置用於通過外部接觸(例如，引腳120)來接收外部信號145，以及用於對外部信號145評估以便確定電子器件110是否應當轉換成IDDQ評估狀態。與狀態確定電路146電耦接的引腳120還可以與測試設備100(例如，與測試設備100的信令和模式生成部分104)電耦接。在一種實施例中，信令和模式生成部分104可以產生與讓電子器件110進入IDDQ評估狀態的請求對應的特定的信令模式(例如，外部信號145)，並且該模式經由引腳120來提供。當狀態確定電路148檢測到特定的信令模式時，狀態確定電路148可以提供IDDQ評估狀態使能信號147 (下文簡稱為「使能信號」)。在一種實施例中，使能信號147與在另一外部接觸(例如，引腳 121)提供的外部確認信號149 一起被提供給狀態確定元件148。外部確認信號149可以被實現用於確保開關元件132不會由狀態確定電路146非故意地切換成非導電狀態(例如，當電子器件110被設定為處於正常的導電狀態時)。根據一種實施例，引腳121還可以與測試設備100 (例如，與測試設備100的信令和模式生成部分104)電耦接，並且信令和模式生成部分104可以提供外部配置信號149。狀態確認元件148可以包括例如邏輯元件，該邏輯元件具有與狀態確定電路146電耦接的第一輸入、與外部引腳121電耦接的第二輸入以及被配置用於給開關元件132提供控制信號159的輸出。在一種更特別的實施例中，狀態確認元件148包括用於實現邏輯NAND運算的門電路(gate)(例如，NAND門)，以及狀態確定電路146在使電子器件110轉換成IDDQ評估狀態的確定被作出時提供相對高電平的使能信號147。當外部確認信號149同樣被提供為相對高的電平時,狀態確認兀件148產生相對低電平的控制信號159，這促使開關元件132進入非導電狀態(例如，從而促使電子器件110進入IDDQ評估狀態)。在可替換的實施例中，狀態確定電路146可以提供相對低電平的使能信號147，用於指示電子器件110應當進入IDDQ評估狀態，和/或測試設備100可以提供相對低電平的外部確認信號149，用於確認電子器件110應當進入IDDQ評估狀態，和/或狀態確認元件148可以實現不同類型的邏輯，用於在確定被作出並確認電子器件110應當進入IDDQ評估狀態時產生相對低電平的控制信號159。在又一種可替換的實施例中,狀態確定電路146可以給開關元件132直接提供使能信號147(例如，狀態確定電路146可以提供相對低電平的使能信號147，用於指示電子器件110應當進入IDDQ評估狀態)，並且可以完全排除狀態確認元件148。在又一種可替換的實施例中，可以將狀態確定電路146和狀態確認元件148兩者排除在電子器件110外，並且測試設備100可以提供相對低電平的外部確認信號149作為控制信號159 (例如，測試設備100可以提供外部確認信號149 (或控制信號159)，用於指示電子器件110應當進入IDDQ評估狀態)。 當開關元件132處於非導電狀態時(例如，當電子器件110處於IDDQ評估狀態時)，由邏輯電路130產生的IDDQ 153被IDDQ評估電路134接收並評估。在一種實施例中，IDDQ評估電路134包括第一電阻兀件160、比較電路162和第二電阻兀件166。根據一種實施例，第一電阻元件160被電耦接於第一和第二接地節點154、156之間，並且與開關元件132並聯。電阻元件160可以包括按照在第一和第二接地節點154、156之間產生相對高的電阻的配置耦接在一起的一個或多個電阻器。根據ー種實施例，電阻元件160具有大於大約20千歐姆(kOhm)的總電阻，儘管在一種可替換的實施例中，電阻元件160可以具有較低的總電阻。當電子器件110處於IDDQ評估狀態時(例如，當開關元件132處於非導電狀態吋)，基本上全部由邏輯電路130產生的IDDQ 153都流過電阻元件160。根據ー種實施例，當IDDQ不可忽略時，會在電阻元件160的兩端產生可測量的電壓，其中該電壓近似等於IDDQ電流值乘以電阻元件160的總電阻。如同本文所使用的，使自身表現為由邏輯電路130產生的作為IDDQ 153的結果出現於電阻元件160兩端的電壓被稱為「IDDQ指示電壓」。根據ー種實施例，第二電阻元件166被電耦接於參考節點170和第二接地節點156之間。第二電阻元件166可以包括按照在參考節點和第二接地節點170、156之間產生相對高的電阻的配置耦接在一起的一個或多個電阻器。根據ー種實施例，電阻元件166具有大於大約30k0hm的總電阻，儘管在一種可替換的實施例中，電阻元件166可以具有較低的總電阻。根據ー種實施例，第一和第二電阻元件160、166可以具有基本上相等的電阻。根據 另ー種實施例，第一和第二電阻兀件160、166可以具有基本上相同的配置，並且可以在相同的處理步驟中製作，使得第一和第二電阻元件160、166即使在面對著工藝、電壓和溫度(PVT )的變化的情況下也具有基本上相等的電阻。在一種實施例中，電子器件110還包括電耦接於電壓源136和參考節點170之間的電流源140。電流源140在參考節點170處產生第一電平的電流141，並且電流141流過第二電阻元件166。因此，電流141促使參考電壓出現於第二電阻元件166的兩端(S卩，在參考和第二接地節點170、156之間)。在一種實施例中，參考電壓被用來確定由邏輯電路130產生的IDDQ是否高到不可接受(例如，指示在邏輯電路130內的一個或多個電晶體可能有故障，並因而指示電子器件110應當被剔除)。如同下文將更詳細地描述的，在第二電阻元件166兩端的參考電壓與在第一電阻元件160兩端的IDDQ指示電壓進行比較(例如，通過比較電路162)，以確定由邏輯電路130產生的IDDQ 153是大於參考電壓還是小於參考電壓。IDDQ 153可以受到器件溫度的影響。更具體地，與電子器件110具有相對低的溫度時相比，當電子器件110具有相對高的溫度吋，IDDQ 153可以更高，不管在邏輯電路130內的任何電晶體是否有故障。在一種實施例中，電子器件110被配置用於基於溫度來改變參考電壓，並因而改變IDDQ指示電壓與基於器件溫度的參考電壓的比較。更具體地，當電子器件110的溫度被認為是「冷的」或者處於「室溫」時，可以使參考電壓確立於相對低的第一電平，並且當電子器件110的溫度被認為是「熱的」，可以使參考電壓確立於相對高的第二電平。根據ー種實施例，可變參考電壓的實現方式使用溫度檢測電路180以及可變的或可轉換的電流源140的實施例來達成。更具體地，在一種實施例中，電流源140被配置用於產生第一電平(如前面所討論的)的和第二電平(相對高的電平)的電流141。在該實施例中，電流源140可以包括第一電流引腿(current leg)172和第二電流引腿174，其中由第一和第二電流引腿172、174產生的電流141在參考節點170是累積的，並且從第二電流引腿174到參考節點170的電流傳導可以經由電晶體176或其它開關元件來允許或限制。根據一種更特別的實施例，每個電流引腿172、174都可以包括電流鏡電路，這使它們各自的電流能夠精確地產生。在一種實施例中，由電流源140產生的電流141在大約0. 5微安(ii A)到大約3iiA之間的範圍內，其中每個電流引腿172、174可以產生大約0. 5iiA-大約I. 5yA的電流。當由電流源140產生的電流141處於相對低的電平(例如，只有電流引腿172與參考節點170耦接)時，具有相對低的值的參考電壓出現於第二電阻元件166兩端。相反地，當有電流源140產生的電流141處於相對高的電平(例如，電流引腿172、174兩者均與參考節點170耦接)時，具有相對高的值的參考電壓出現於第二電阻元件166的兩端。如以上所討論的，根據一種實施例，電子器件110還可以包括溫度檢測電路180，該溫度檢測電路180與電流源140電耦接。溫度檢測電路180產生輸出信號181，並且電流源140響應於輸入信號181而產生相對低或相對高電平的電流141。更具體地，溫度檢測電路180被配置用於傳感器件的溫度，並且用於確定器件溫度是否超過溫度閾值。當溫度檢測電路180確定器件的溫度沒有超過閾值時，溫度檢測電路180可以產生第一電平的輸出信號181，並且當溫度檢測電路180確定器件的溫度確實超過了閾值時，溫度檢測電路180可以產生第二電平的輸出信號181，該第二電平不同於第一電平。輸出信號181的電平可以控制由電流源140產生的電流141的電平。在一種實施例中，輸出信號181可以確定是允許還是限制通過電流源140的第二電流引腿174的電流傳導(例如，輸出信號可以控制電晶體 176是否允許從第二電流引腿174到參考節點170的電流傳導)。因此，輸出信號181的電平可以確定出現於電阻元件166兩端的參考電壓是處於相對高的電平還是相對低的電平。根據一種實施例，由溫度檢測電路180所使用的溫度閾值可以是預定的值。例如，溫度閾值可以具有大約50-大約60°C的值，儘管溫度閾值也可以具有較低的或較高的值。根據一種實施例，在電子器件110處於IDDQ評估狀態時所使用的溫度閾值可以不同於(例如，低於)在正常操作狀態期間所使用的「過溫」溫度閾值(例如，用來確定是否應當臨時性關閉電子器件110以避免因高的操作溫度所致的器件損壞)。該「過溫」溫度閾值可以具有大於例如100°C的值。在以上所討論的實施例中，溫度檢測電路180被配置用於結合IDDQ評估狀態來指示器件溫度是大於還是小於單個溫度閾值。在一種可替換的實施例中，溫度檢測閾值180可以被配置用於將器件溫度與多個閾值(例如，兩個或更多個閾值)進行比較，並從而指示器件溫度是大於還是小於多個閾值中的任何一個閾值。在該實施例中，電流源140可以被配置用於產生多於兩個電平(例如，三個或更多個電平)的電流141，並且因而，可以在電阻元件166兩端確立多於兩個的參考電壓(例如，三個或更多個參考電壓)。在另一種可替換的實施例中，溫度檢測電路180可以按照模擬的方式來指示器件溫度，並且電流源140可以增大或減小作為指示溫度的模擬函數而產生的電流141。因此，在一種可替換的實施例中，參考電壓可以按照模擬的方式來變化。如同以上所簡要討論的，比較電路162被配置用於將IDDQ指示電壓(S卩，在電阻元件160兩端或者在第一和第二接地節點154、156之間產生的電壓)與參考電壓(S卩，在參考節點和第二接地節點170、156之間產生的電壓)進行比較，並且用於在IDDQ指示電壓超過參考電壓時於比較電路162的輸出164處提供輸出信號163 (在此也稱為「IDDQ閾值信號」)。例如，當IDDQ指示電壓超過參考電壓時，比較電路162可以提供相對高電平的輸出信號163，並且當IDDQ指示電壓沒有超過參考電壓時，比較電路162可以提供相對低電平的輸出信號163,儘管在一種可替換的實施例中,可以實現為相反的情形。輸出164與電子器件Iio的外部接觸(例如，引腳123)電耦接。因此，由比較電路162產生的輸出信號163可以通過與引腳123電連接的外部設備來檢測。如同本文所使用的，輸出信號163可以稱為「IDDQ 指示，，。根據ー種實施例，測試設備100與引腳123電連接，並且測試設備100的評估部分106被配置用於檢測由比較電路162產生的輸出信號163的電平。當輸出信號163具有指示IDDQ指示電壓超過了參考電壓的值時，評估部分106可以促使檢測設備100產生人或計算機可察覺的告警信號。當在製造エ藝中實現時，可察覺的告警信號可以通過人工鑑別或者與生產線關聯的計算機/機械器件來啟動電子器件110的剔除(例如，電子器件110可以被自動地傳送到剔除的部件倉)。換言之，當IDDQ指示(例如，輸出信號163)指示IDDQ 153超過了可接受的水平(例如，IDDQ指示電壓超過了參考電壓)吋，電子器件110可以被剔除。否則，電子器件110被接受。圖2是根據一種示例實施例的用於為電子器件產生IDDQ指示的方法的流程圖。下面關於圖2的描述參考上面的圖I的實施例，並因此，圖2應當與圖I結合起來查看，以便提高理解。但是，應當理解，結合圖2所描述的方法的實施例並不限制於圖I所示出的實施 例。 用於產生IDDQ指示的方法可以這樣從塊200開始將測試設備(例如，測試設備100)與配置用於指示IDDQ的被測器件(DUT)(例如電子器件110)連接，如同前面所描述的。連接測試設備可以包括將DUT安裝於與測試設備耦接的器件載體內，其中與執行IDDQ測試關聯的器件載體的接觸被定位幹與跟執行IDDQ測試相關的DUT的引腳(例如，引腳120-123，圖I)對應的位置。IDDQ測試然後可以通過測試設備來啟動。在塊202中，測試設備給DUT的一個或多個引腳提供外部信號，其中該信號被配置用於促使DUT轉換成IDDQ評估狀態。例如，測試設備的信令和模式生成部分(例如，部分104)可以給第一引腳(例如，引腳120)提供特定的信令模式，而信令模式可以在DUT內(例如，由狀態確定電路146)接收並評估。另外，信令和模式生成部分可以給另一 DUT引腳(例如，引腳121)提供外部確認信息(例如，信號149)，如同前面所描述的。在可替換的實施例中，測試設備可以提供信令模式或外部確認信號之一，而不是兩者都提供。在塊204中，DUT可以作出由測試設備提供的外部信號是否指示DUT將要轉換成IDDQ評估狀態的確定。根據各種實施例，該確定可以通過例如IDDQ測試使能電路(例如，電路142)來作出。當外部信號沒有指示出DUT將要轉換成IDDQ評估狀態，方法可以如圖所示出的那樣重複時。當外部信號確實指示DUT將要轉換成IDDQ評估狀態時，則該轉換可以由DUT來開始。塊206-216包括與將DUT轉換成IDDQ評估狀態相關的各種過程。在參考電壓基於DUT的溫度來確立的實施例中，器件溫度可以在塊206中測量(例如，通過溫度檢測電路180)。然後可以在塊208中作出器件溫度是否超過閾值的確定。當器件溫度確實超過了閾值時，則可以在塊210中確立相對高的參考電壓。根據ー種實施例，相對高的參考電壓的確立可以包括溫度檢測電路產生用於促使電流源(例如，電流源140)產生相對高電平的電流(例如，電流141)的輸出信號(例如，信號181)。相對高的電流在被提供給電阻元件(例如，電阻元件166)時會導致在電阻元件兩端確立相對高的參考電壓。當器件溫度沒有超過閾值時，則可以在塊212中確立相對低的參考電壓。根據ー種實施例，相對低的參考電壓的確立可以包括溫度檢測電路產生用於促使電流源產生相對低電平的電流的輸出信號。給電阻元件提供的相對低的電流會導致在電阻元件兩端確立相對低的參考電壓。在塊213中，在邏輯電路的接地側的開關元件(例如，開關元件132)被確立為導電狀態，如果它還沒有處於該狀態。根據一種實施例，這包括在與開關電路關聯的控制節點(例如，控制節點158)提供控制信號(例如，控制信號159)，該控制信號促使開關電路轉換成或者保留於導電狀態。根據一種實施例，使開關元件確立為導電狀態被執行，以為將測試模式掃描到DUT的邏輯電路(例如，邏輯電路150)中作準備。在塊214中，可以將邏輯電路設定為初始的(或者用於後續的重複的下一個)測試狀態。根據一種實施例，這包括測試設備100的信令和模式生成部分104經由DUT引腳(例如，引腳120)將初始的(或下一個)測試模式掃描到邏輯電路150內。在框圖216中，在邏輯電路的接地側的開關元件(例如，開關元件132)被確立為非導電狀態。根據一種實施例，這包括在控制節點(例如，控制節點158)提供與開關電路相關的控制信號(例如，控制信號159)，該控制 信號促使開關電路轉換成非導電狀態。如同前面所討論的，控制信號可以響應於由測試設備通過電子器件的一個或多個引腳(例如，引腳120和/或121)提供的外部信號來生成。例如，可以對第一外部信號(例如，通過引腳120接收到的信號145)評估(例如，通過狀態確定電路146)，以產生IDDQ使能信號(例如，信號147)。在一種實施例中，IDDQ使能信號可以作為控制信號來提供，或者在另一種實施例中，可以與外部提供的信號(例如，通過引腳121接收到的外部確認信號149)一起對IDDQ使能信號評估(例如，通過狀態確認元件148)，以產生控制信號。在又一種實施例中，控制信號可以由測試設備直接提供(例如，通過引腳121接收到的信號149可以用作控制信號)。不管怎樣，以確立為非導電狀態的開關電路，來自邏輯電路的IDDQ(例如，IDDQ143)可以流過與開關元件並行電連接的電阻元件(例如，電阻元件160)。從而，IDDQ產生出現於電阻元件兩端的IDDQ指示電壓。在塊218中，將IDDQ指示電壓與參考電壓進行比較(例如，通過比較電路162)。然後，在塊220中作出IDDQ指示電壓是否大於參考電壓的確定。作為選擇，可以作出參考電壓是否小於IDDQ指示電壓的確定。不管怎樣，當IDDQ指示電壓不大於參考電壓時，在塊222中，DUT可以輸出關於IDDQ具有相對低的值的指示。當IDDQ指示電壓大於參考電壓時，在塊224中，DUT可以(例如，在引腳123上)輸出關於IDDQ具有相對高的值的指示。測試設備可以為當前掃描到邏輯電路內的特定測試模式接收並存儲相對高或相對低的IDDQ的指示，並且然後使用該測試繼續進行。在塊226中，可以作出是否所有期望的邏輯狀態都已測試過的確定。如果否，方法如圖所示出的那樣從將邏輯電路設定為下一測試狀態起重複。當所有期望的邏輯狀態都已被測試過後，方法可以結束。圖3示出了根據一種示例實施例的與執行IDDQ測試相關的各種信號。邏輯接地電流信號302代表出現於邏輯電路的接地側(例如，在邏輯電路150的邏輯接地輸出152)的電流，開關元件控制信號304代表作為控制信號(例如，信號159)出現於在邏輯電路的接地側的開關元件(例如，開關元件132)的電壓信號(或者IDDQ測試使能信號的反信號)，IDDQ指示電壓信號306代表出現於IDDQ評估電路(例如，電路134)的電壓，以及IDDQ閾值信號308代表出現於DUT的引腳(例如，電子電路110的引腳123)的IDDQ指示(例如，輸出信號163)。對於每種信號表不,水平軸代表時間，而垂直軸代表信號幅度(例如，電流或電壓電平，視情況而定)。
在第一時間段310內，電子器件(例如，電子器件110)處於正常的操作狀態。當處於正常的操作狀態時，邏輯電流脈衝312可以存在於邏輯接地電流信號302中。在開關元件控制信號304處於斷言狀態(或者IDDQ測試使能信號處於非斷言狀態)的情況下，在邏輯電路的接地側的開關元件(例如，開關元件132)處於導電狀態，並且與邏輯電流脈衝312關聯的且出現於邏輯電路的接地側(例如，在第一接地節點154)的電流可以容易地通過開關元件流到地線(例如，到第二接地節點156)。電流的一部分還可以流過與開關元件並行電連接的第一電阻元件(例如，第一電阻元件160)，並且因此，IDDQ指示電壓信號306可以指示在電阻元件兩端相對低的電壓。在時間314，電子器件可以確定器件將要轉換成IDDQ評估狀態，並且因此可以將開關元件控制信號304轉換成非斷言狀態，這對應於IDDQ測試使能信號轉換成斷言狀態。在該時間314，在邏輯電路的接地側的開關元件轉換成非導電狀態，並且出現於開關元件的接地側的基本上全部IDDQ (例如，IDDQ 153)將流過第一電阻元件(例如，電阻元件160)。在時間314之後，不可忽略的IDDQ被指示為邏輯接地電流信號302內的漸增電流，並且在第一電阻元件兩端所引起的増加電壓被指示於IDDQ指示電壓信號306中。儘管邏輯電流 信號302和IDDQ指示電壓信號306的増加都被示出為線性的，但是這種表示僅出於示例的目的。在其它情況下，邏輯電流信號302和IDDQ指示電壓信號306可以非線性地増加，按照步進的方式或者某種其它方式。閾值電壓316對應於參考電壓(例如，出現於第二電阻元件166兩端的參考電壓)。在第二時間段320內，IDDQ指示電壓信號306小於閾值電壓316。因此，IDDQ閾值信號308保留於非斷言狀態(例如，相對低的電平)。但是，在時間322，IDDQ指示電壓信號306超過了閾值電壓316。當這種情況發生吋，IDDQ閾值信號308轉換成斷言狀態(例如，相對高的電平)，並且IDDQ閾值信號308保留於斷言狀態，只要IDDQ指示電壓信號306持續超過閾值電壓316 (例如，在第三時間段330內)。如同前面所討論的，IDDQ閾值信號308可以在電子器件的外部觀察到(例如，通過測試設備100)。因此，IDDQ閾值信號308的斷言可以用於剔除電子器件的基礎。圖4是根據一種示例實施例的用於製作和測試包括IDDQ評估電路的電子器件的方法的流程圖。該方法可以在塊400中從提供半導體基片(例如，晶片)開始。半導體基片可以包括例如矽基片、矽鍺基片或者多種其它類型的基片中的任何基片。其後，可以在半導體基片上形成一個或多個電子器件(例如，電子器件110)。儘管下面的描述僅涉及單個電子器件的製作，但應當理解，在半導體基片上可以同時製作電子器件的多個實例化。塊402、404和406對應於電子器件的各個部分的製作，並且可以並行地或者按任何順序來執行。在塊402中，在基片上製作邏輯電路(例如，邏輯電路130)，其中邏輯電路的接地側與第一接地節點(例如，接地節點154)電耦接。如同前面所指出的，邏輯電路可能包括可能導致出現於邏輯電路的接地側的高到不可接受的IDDQ的ー個或多個內部缺陷(例如，非穩健地形成的電晶體)。在塊404中，開關元件(例如，塊元件132)被製作於基片上，在第一接地節點和第ニ接地節點(例如，接地節點156)之間，其中該開關元件還可以包括控制節點(例如，控制節點158)。如同前面所討論的，在控制節點的斷言信號將開關節點置於導電狀態，從而允許電流自由地在第一和第二接地節點之間流過。相反地，在控制節點的非斷言信號將開關節點置於非導電狀態，從而限制電流在第一和第二接地節點之間的自由流動。在塊406中，將IDDQ評估電路(例如，IDDQ評估電路134)製作於與第一和第二接地節點電聯通的基片上。根據一種實施例，製作IDDQ評估電路包括製作均與第一和第二接地節點電耦接的第一電阻元件(例如，電阻元件160)和比較電路(例如，比較電路162)。根據另一種實施例，還可以將電流源(例如，電流源140)和溫度檢測電路(例如，溫度檢測電路180)製作於基片上。IDDQ評估電路(或者更具體地，比較電路)和電流源兩者都可以與參考節點(例如，參考節點170)電耦接，從而使IDDQ評估電路能夠檢測到作為由電流源產生的電流的結果而出現的參考電壓。如同前面所描述的，可以製作IDDQ評估電路以使其包括電耦接於第一和第二接地節點之間的電阻元件，其中當電子器件處於IDDQ評估狀態時，IDDQ指示電壓可以出現於電阻元件的兩端。除了上述電路之外，還可以在基片上製作附加的電路(例如，IDDQ測試使能電路142、電壓源136、附加電路190以及圖I未示出的其它電路)。在塊408中，可以將電子器件進行單體化和封裝。單體化可以包括將電子器件與製作於同一基片上的其它電子器件分離。封裝可以包括將邏輯電路和IDDQ評估電路與電子器件的引腳(例如，引腳120、123)電連接，並且密封該電子器件使得引腳可從外部訪問。 在塊410中，可以對電子器件執行IDDQ測試。如同前面所討論的，這可以包括將所封裝的電子器件安裝於器件載體內，其中器件載體與外部測試設備(例如，測試設備100)電連接。其後，根據一種實施例，測試設備可以給器件引腳提供各種信號，以將測試模式掃描到邏輯電路中，使電子器件轉換成IDDQ評估狀態，將開關元件轉換成非導電狀態，以及監控IDDQ指示可能出現的器件引腳。在塊412中，可以作出是否指示了 IDDQ測試失效的確定。如同前面所討論的，當出現於器件引腳的IDDQ指示出IDDQ指示電壓還沒有超過參考電壓時，可以確定器件已經通過了 IDDQ測試。在該情況下，可以接受器件(在塊414中)，並且方法可以結束。相反地，當出現於器件引腳的IDDQ指示指示出IDDQ指示電壓已經超過了參考電壓時，可以確定，器件未通過IDDQ測試。當這種情況發生時，則可以剔除器件(在塊416中)，並且方法可以結束。因而，用於執行IDDQ測量的方法和裝置的各種實施例已經在上文進行了描述。一種實施例包括一種電子器件，該電子器件包括第一接地節點、第二接地節點、邏輯電路、開關元件和IDDQ評估電路。邏輯電路包括邏輯接地輸出，而邏輯接地輸出與第一接地節點電耦接。開關元件被電耦接於第一接地節點和第二接地節點之間，並且當電子器件處於IDDQ評估狀態時，開關元件可配置為非導電狀態。當電子器件不處於IDDQ評估狀態時，開關元件可配置為導電狀態。IDDQ評估電路被電耦接於第一接地節點和第二接地節點之間。當電子器件處於IDDQ評估狀態時，IDDQ評估電路被配置用於在第一和第二接地節點之間的IDDQ指示電壓超過了參考電壓時提供第一輸出信號。另一種實施例包括一種用於在電子器件中產生IDDQ的指示的方法。該方法包括將電子器件的邏輯電路設定為測試狀態，其中邏輯電路的邏輯接地輸出與電子器件的第一接地節點電耦接。該方法還包括控制電子器件的開關元件使其處於非導電狀態，其中該開關元件被電耦接於電子器件的第一接地節點和第二接地節點之間。該方法還包括通過集成於電子器件內的比較電路將參考電壓與在第一和第二接地節點之間的IDDQ指示電壓進行比較。當IDDQ指示電壓超過參考電壓時，在電子器件的第一外部接觸處產生輸出信號。輸出信號指示IDDQ是相對高的。另ー種實施例包括一種用於製作電子器件的方法。該方法包括提供基片，以及在基片上製作邏輯電路，其中邏輯電路包括邏輯接地輸出，以及邏輯接地輸出與第一接地節點電耦接。該方法還包括在基片上製作電耦接於第一接地節點和第二接地節點之間的開關元件。當電子器件處於IDDQ評估狀態時，開關元件可配置為非導電狀態，以及當電子器件不處於IDDQ評估狀態時，開關元件可配置為導電狀態。該方法還包括在基片上製作電耦接於第一接地節點和第二接地節點之間的IDDQ評估電路。當電子器件處於IDDQ評估狀態時，IDDQ評估電路被配置用於在第一和第二接地節點之間的IDDQ指示電壓超過參考電壓時提供第一輸出信號。在說明書和權利要求書中的詞語「第一」、「第二」、「第三」、「第四」等(若存在)可以用於區分類似的元件或步驟，而並不一定用於描述特定的順序或優先級別。應當理解，這樣使用的詞語在適當的環境下是可互換的，使得在此描述的實施例例如能夠按照與本文所示出的或者(否則的話)描述的那些順序或布局不同的順序或布局來操作或製作。另外，處 理的順序，在任何流程圖中示出的且結合其描述的塊或步驟僅出於示例的目的，並且應當理解，在其它實施例中，各種エ藝、塊或步驟可以按照其它順序和/或並行地執行，和/或那些エ藝、塊或步驟中的某些可以被結合，被刪除或者拆分成多個エ藝、塊或步驟，和/或附加的或不同的エ藝、塊或步驟可以結合本發明的實施例來執行。而且，詞語「包括」、「包含」、「具有」以及它們的變型意指涵蓋非排他性的包括，使得包括一列表的元件或步驟的エ藝、方法、物品或裝置並不一定限制於那些元件或步驟，而是可以包括沒有明確列出的或者該エ藝、方法、物品或裝置所固有的其它元件或步驟。本文所使用的術語「耦接(coupled)」被定義為按照電學的或非電學的方式直接或間接地連接。本文所使用的術語「電耦接(electrically coupled)」被定位為按照電學的方式直接或間接地(例如,通過ー個或多個介入的電構件)連接。應當理解，在不脫離本發明主題的範圍的情況下，可以對上述實施例進行各種修改。雖然上文已經結合具體的系統、裝置和方法描述了本發明主題的原理，但是應當清楚地理解，該描述僅通過示例來進行，而不是作為對本發明主題的範圍的限制。在此討論的及附圖所示出的各種功能或處理塊可以用硬體、固件、軟體或它們的組合來實現。此外，本文所採用的措辭或術語僅出於描述的，而非限制的目的。以上關於具體實施例的描述充分地掲示了本發明主題的一般性質，使得本領域技術人員能夠在不脫離一般概念的情況下通過應用當前的知識容易地對它進行修改和/或調配以使其適用於各種應用。因此，此類調配和修改屬於本發明公開的實施例的等價物的內涵和範圍之內。本發明主題包括屬於所附權利要求的精神和廣泛的範圍之內的全部此類替換方案、修改、等價物和變化。
權利要求
1.一種電子器件，包括 第一接地節點； 第二接地節點； 具有邏輯接地輸出的邏輯電路，其中所述邏輯接地輸出與所述第一接地節點電耦接；電耦接於所述第一接地節點和所述第二接地節點之間的開關元件，其中當所述電子器件處於靜態電流(IDDQ)評估狀態時，所述開關元件可配置為非導電狀態，並且當所述電子器件不處於所述IDDQ評估狀態時，所述開關元件可配置為導電狀態；以及 電耦接於所述第一接地節點和所述第二接地節點之間的IDDQ評估電路，其中，當所述電子器件處於所述IDDQ評估狀態時，所述IDDQ評估電路被配置為當所述第一和第二接地節點之間的IDDQ指示電壓超過參考電壓時提供第一輸出信號。
2.根據權利要求I所述的電子器件，其中所述IDDQ評估電路包括 電耦接於所述第一接地節點和所述第二接地節點之間的電阻元件；以及 比較電路，具有與所述第一接地節點電耦接的第一輸入、與所述第二接地節點電耦接的第二輸入、與參考節點耦接的第三輸入、以及輸出，其中所述IDDQ指示電壓出現於所述第一和第二輸入之間，並且所述參考電壓出現於所述第三和第二輸入之間，並且其中所述比較電路被配置為將所述參考電壓與所述IDDQ指示電壓進行比較，並且被配置為當所述IDDQ指示電壓超過所述參考電壓時在所述輸出處提供所述第一輸出信號。
3.根據權利要求I所述的電子器件，其中所述IDDQ評估電路的輸出與所述電子器件的外部接觸電耦接，並且所述第一輸出信號通過所述IDDQ評估電路的所述輸出提供給所述外部接觸。
4.根據權利要求I所述的電子器件，其中所述IDDQ評估電路還與參考節點電耦接，並且所述參考電壓出現於所述參考節點和所述第二接地節點之間，其中所述IDDQ評估電路包括 電耦接於所述參考節點和所述第二接地節點之間的參考電阻元件；並且 其中所述電子器件還包括 電流源，與所述參考節點電耦接並且被配置為通過所述參考電阻元件來提供電流以便產生所述參考電壓。
5.根據權利要求4所述的電子器件，還包括 溫度檢測電路，與所述電流源電耦接，並且被配置為提供用於指示器件溫度是否超過預定的溫度閾值的第二輸出信號，並且其中 所述電流源還被配置為當所述第二輸出信號指示出所述器件溫度沒有超過所述預定溫度閾值時提供第一電平的電流，並且被配置為當所述第二輸出信號指示出所述器件溫度確實超過了所述預定溫度閾值時提供比所述第一電平高的第二電平的電流。
6.根據權利要求4所述的電子器件，其中所述電流源包括電流鏡電路。
7.根據權利要求I所述的電子器件，其中所述開關元件響應於控制信號而將所述開關元件置於所述導電狀態或者所述非導電狀態，並且其中所述電子器件還包括 與所述開關元件電耦接的IDDQ測試使能電路，其中所述IDDQ測試使能電路被配置為作出所述電子器件是否應當進入所述IDDQ評估狀態的確定，並且被配置為當作出了所述電子器件應當進入所述IDDQ評估狀態的確定時按照促使所述開關元件被置於所述非導電狀態的方式來產生所述控制信號。
8.根據權利要求7所述的電子器件，其中所述IDDQ測試使能電路包括 狀態確定電路，被配置為通過所述電子器件的第一外部接觸來接收外部信號，被配置為對所述外部信號評估以便作出所述確定，並且被配置為產生用於指示是否作出了所述確定的IDDQ測試使能信號。
9.根據權利要求8所述的電子器件，其中所述IDDQ測試使能電路還包括 具有第一輸入、第二輸入、和輸出的邏輯元件，其中所述第一輸入與所述狀態確定電路電耦接以接收所述IDDQ測試使能信號，所述第二輸入與所述電子器件的第二外部接觸電耦接，並且所述控制信號作為由所述邏輯元件執行的邏輯運算的結果產生於所述輸出處。
10.根據權利要求9所述的電子器件，其中所述邏輯元件包括用於實現邏輯NAND運算的門。
11.根據權利要求8所述的電子器件，其中所述IDDQ測試使能信號對應於所述控制信號。
12.根據權利要求I所述的電子器件，其中所述開關元件響應於控制信號而將所述開關元件置於所述導電狀態或者非導電狀態，並且其中所述開關元件包括具有源極、漏極和柵極的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，其中所述源極和所述漏極被耦接於所述第一接地節點和所述第二接地節點之間，並且其中所述柵極響應於所述控制信號而將所述MOSFET置於所述導電狀態或者非導電狀態。
13.一種用於在電子器件內產生靜態電流(IDDQ)的指示的方法，所述方法包括以下步驟 將所述電子器件的邏輯電路設定為測試狀態，其中所述邏輯電路的邏輯接地輸出與所述電子器件的第一接地節點電耦接； 控制所述電子器件的開關元件以使其進入非導電狀態，其中所述開關元件被電耦接於所述電子器件的所述第一接地節點和第二接地節點之間； 當所述開關元件處於所述非導電狀態時，通過集成於所述電子器件內的比較電路將參考電壓與所述第一和第二接地節點之間的IDDQ指示電壓進行比較；以及 當所述IDDQ指示電壓超過所述參考電壓時，在所述電子器件的第一外部接觸處產生輸出信號，其中所述輸出信號指示出所述IDDQ是相對高的。
14.根據權利要求13所述的方法，其中產生所述輸出信號包括產生二元信號，其中所述二元信號的第一邏輯電平指示所述IDDQ指示電壓超過了所述參考電壓，而第二邏輯電平指示所述IDDQ指示電壓沒有超過所述參考電壓。
15.根據權利要求13所述的方法，其中控制所述開關元件的步驟包括 基於通過所述電子器件的第二外部接觸接收到的外部信號來作出是否應當將所述電子器件設定為IDDQ評估狀態的確定； 當作出了應當將所述電子器件設定為所述IDDQ評估狀態的確定時，給所述開關元件提供用於促使所述開關元件確立於所述非導電狀態的控制信號。
16.根據權利要求13所述的方法，其中所述電子器件包括電耦接於所述第一和第二接地節點之間的第一電阻元件以及電耦接於參考節點和所述第二接地節點之間的第二電阻元件，並且其中將所述參考電壓與所述IDDQ指示電壓進行比較的步驟包括將在所述第一電阻元件兩端產生的所述IDDQ指示電壓與在所述第二電阻元件兩端產生的所述參考電壓進行比較。
17.根據權利要求13所述的方法，還包括 確定器件溫度是否超過了閾值； 當所述器件溫度超過了所述閾值時，將所述參考電壓確立於相對高的電壓電平；以及 當所述器件溫度沒有超過所述閾值時，將所述參考電壓確立於相對低的電壓電平。
18.一種用於製作電子器件的方法，所述方法包括 提供基片； 在所述基片上製作邏輯電路，其中所述邏輯電路包括邏輯接地輸出，並且所述邏輯接地輸出與第一接地節點電耦接； 製作在所述基片上的且電耦接於所述第一接地節點和第二接地節點之間的開關元件，其中所述開關元件當所述電子器件處於靜態電流(IDDQ)評估狀態時可配置為非導電狀態，並且所述開關元件當所述電子器件不處於所述IDDQ評估狀態時可配置為導電狀態；以及製作在所述基片上的且電耦接於所述第一接地節點和所述第二接地節點之間的IDDQ評估電路，其中，當所述電子器件處於所述IDDQ評估狀態時，所述IDDQ評估電路被配置為當所述第一和第二接地節點之間的IDDQ指示電壓超過參考電壓時提供第一輸出信號。
19.根據權利要求18所述的方法，其中製作所述IDDQ評估電路的步驟包括 製作電耦接於所述第一接地節點和所述第二接地節點之間的電阻元件；以及 製作比較電路，所述比較電路具有與所述第一接地節點電耦接的第一輸入、與所述第二接地節點電耦接的第二輸入、與參考節點電耦接的第三輸入、以及輸出，其中所述IDDQ指示電壓出現於所述第一和第二輸入之間，而所述參考電壓出現於所述第三和第二輸入之間，並且其中所述比較電路被配置為將所述參考電壓與所述IDDQ指示電壓進行比較，並且被配置為當所述IDDQ指示電壓超過所述參考電壓時於所述輸出處提供所述第一輸出信號。
20.根據權利要求18所述的方法，其中所述IDDQ評估電路還與參考節點電耦接，並且所述參考電壓出現於所述參考節點和所述第二接地節點之間，並且其中製作所述IDDQ評估電路的步驟包括 製作電耦接於所述參考節點和所述第二接地節點之間的參考電阻元件；以及 其中所述方法還包括 製作電流源，所述電流源與所述參考節點電耦接並且被配置為提供通過所述參考電阻元件的電流以便產生所述參考電壓；以及 製作溫度檢測電路，所述溫度檢測電路與所述電流源電耦接，並且被配置為提供用於指示器件溫度是否超過預定的溫度閾值的第二輸出信號，並且其中 所述電流源還被配置為當所述第二輸出信號指示出所述器件溫度沒有超過所述預定的溫度閾值時提供第一電平的電流，以及被配置為當所述第二輸出信號指示出所述器件溫度確實超過了所述預定的溫度閾值時提供比所述第一電平高的第二電平的電流。
全文摘要
一種電子器件的實施例包括邏輯電路(130)、開關元件(132)和靜態電流(IDDQ)評估電路(134)。邏輯電路(130)與第一接地節點(154)耦接。開關元件(132)被耦接於第一接地節點(154)和第二接地節點(156)之間。開關元件(132)在該電子器件處於IDDQ評估狀態時可配置為非導電狀態(216)，而在該電子器件不處於IDDQ評估狀態時可配置為導電狀態(213)。當電子器件處於IDDQ評估狀態時，IDDQ評估電路(134)被配置為在第一和第二接地節點(154、156)之間的IDDQ指示電壓超過參考電壓(220)時提供(224)第一輸出信號。其它的實施例包括用於在電子器件內產生IDDQ的指示的方法(圖2)以及用於製作具有產生IDDQ指示的能力的電子器件的方法(圖4)。
文檔編號G01R31/02GK102770774SQ201180007327
公開日2012年11月7日 申請日期2011年1月19日 優先權日2010年1月29日
發明者I·S·坎達爾, N·A·傑瑞格 申請人:飛思卡爾半導體公司