光電玻璃及其製備方法、發光器件
2023-10-24 04:09:39
1.本技術涉及雷射照明技術領域，具體而言，涉及一種光電玻璃及其製備方法、發光器件。
背景技術：
2.隨著人們對高亮度照明的需求不斷增加，半導體白光固態照明逐漸朝著高激發密度、高穩定性的方向發展。基於雷射二極體(laser diode，ld)的白光照明憑藉其亮度高、射程遠、功耗低、壽命長等諸多特點被廣泛應用於車輛前照燈、影院投射燈、隧道燈、掃海燈等大功率固態照明領域。
3.石墨烯量子點(gqds)作為新一代的光電功能材料，具有螢光產率高、光穩定性好、化學穩定性高、發射光譜可調等優勢。然而，液相合成的gqds在固態下由於相互間存在較強的π-π堆積而引起嚴重的螢光猝滅現象，這一屬性極大地限制了其在ld光轉換材料方面的潛在應用。
4.為了克服這一障礙，目前研究人員將gqds複合到有機聚合物中得到發光薄膜，但由於聚合物基質的導熱係數低且熱穩定性差，傳統「發光材料+有機材料」的封裝方式使ld普遍存在老化、黃化現象，進而導致器件出現光通量衰減、穩定性下降、色坐標漂移等問題。
技術實現要素：
5.本技術實施例的目的在於提供一種光電玻璃及其製備方法、發光器件。
6.第一方面，本技術提供一種光電玻璃，包括：
7.發光點和基質；發光點分散在基質中；
8.發光點為石墨烯量子點材料，基質為鋁硼矽系微晶玻璃。
9.本技術通過將石墨烯量子點材料與鋁硼矽系微晶玻璃複合，得到一種新型的光電玻璃。一方面，該新型光電玻璃，石墨烯量子點在微晶玻璃基質中均勻分散、無團聚，有助於提高大功率白光照明器件的發光效率和發光均勻性。另一方面，該新型光電玻璃相比於現有的發光薄膜來說(即基質材料由無機微晶玻璃替代了有機聚合物)，能夠展現出更加優異的機械強度、熱穩定性、耐蝕性。基於上述兩方面，將本技術的新型光電玻璃應用於發光器件，能夠提高器件的發光穩定性，解決聚合物發光器件出現光通量衰減、穩定性下降、色坐標漂移等問題。
10.在本技術的其他實施例中，上述的以質量百分比計，發光點的質量為基質的20％～40％。
11.在本技術的其他實施例中，上述的石墨烯量子點材料包括石墨烯量子點和改性石墨烯量子點；其中，石墨烯量子點的碳源為富勒烯；
12.改性石墨烯量子點為2,3-二氨基萘改性的石墨烯量子點。
13.在本技術的其他實施例中，上述的石墨烯量子點材料中，石墨烯量子點和改性石墨烯量子點的體積比為0.5:1～2:1。
14.在本技術的其他實施例中，上述的石墨烯量子點材料的發射波長為400nm～700nm。
15.在本技術的其他實施例中，上述的光電玻璃的厚度為1.35mm～2.35mm。
16.在本技術的其他實施例中，上述的鋁硼矽系微晶玻璃為al2o
3-b2o
3-sio
2-zno體系。
17.在本技術的其他實施例中，上述的鋁硼矽系微晶玻璃包括：5mol％～20mol％氧化鋁，40mol％～60mol％氧化硼，25mol％～45mol％氧化矽，0mol％～10mol％氧化鋅。
18.第二方面，本技術提供一種光電玻璃的製備方法，包括：
19.將石墨烯量子點材料與鋁硼矽系微晶玻璃粉末混合均勻後，於650℃～750℃保溫0.5h～1.5h。
20.在本技術的其他實施例中，上述的石墨烯量子點材料包括石墨烯量子點和改性石墨烯量子點；
21.製備石墨烯量子點，包括：
22.將富勒烯與過硫酸氫鉀的混合液，在140℃～200℃反應2h～14h；然後將得到的反應物製成粉末。
23.在本技術的其他實施例中，製備改性石墨烯量子點，包括：
24.將石墨烯量子點與2,3-二氨基萘混合均勻，然後在170℃～190℃反應12h～15h，將反應物製成粉末。
25.第三方面，本技術提供一種發光器件，包括：前述任一項的光電玻璃；或者包括前述的光電玻璃的製備方法製得的光電玻璃。
附圖說明
26.為了更清楚地說明本技術實施例的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本技術的某些實施例，因此不應被看作是對範圍的限定，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。
27.圖1為本技術實施例製得的光電玻璃的透射電子顯微鏡成像圖；
28.圖2為本技術實施例製得的光電玻璃的透過光譜圖；
29.圖3為本技術實施例製得的光電玻璃在385nm雷射輻照下的pl光譜和cie 1931色坐標；
30.圖4為本技術實施例製得的光電玻璃在經過室溫到320℃範圍內加熱-冷卻循環後的發光強度圖；
31.圖5為本技術實施例製得的光電玻璃雷射照明器件發光強度角分布圖；
32.圖6為本技術實施例製得的光電玻璃的雷射照明器件在不同工作時間下的發射強度(驅動電流為1200ma)。
具體實施方式
33.為使本技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。
34.因此，以下對本技術的實施例的詳細描述並非旨在限制要求保護的本技術的範圍，而是僅僅表示本技術的選定實施例。基於本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本技術保護的範圍。
35.本技術實施方式提供一種光電玻璃，包括：
36.發光點和基質；發光點分散在基質中；
37.發光點為石墨烯量子點材料，基質為鋁硼矽系微晶玻璃。
38.本技術實施方式提供的光電玻璃，一方面，鋁硼矽系微晶玻璃作為基質材料，能夠在保留石墨烯量子點材料發光特性的同時又可以在高溫高溼條件下經受高密度雷射輻照而不變性，從而使得本技術的光電玻璃相對於現有的發光薄膜來說(即基質材料由無機微晶玻璃替代了有機聚合物)，展現出優異的機械強度、熱穩定性、耐蝕性。
39.另一方面，本技術實施方式提供的光電玻璃，石墨烯量子點材料與鋁硼矽系微晶玻璃複合，得到一種新型的光電玻璃，其中石墨烯量子點材料作為發光中心，鋁硼矽系微晶玻璃作為基質材料，大量的石墨烯量子點材料均勻地分布在鋁硼矽系微晶玻璃基質中，沒有發生團聚現象，這將有助於提高大功率白光照明器件的發光效率和發光均勻性。
40.基於上述兩方面，可以得出將本技術製得的光電玻璃，應用於發光器件，從而能夠提高器件的發光穩定性，解決聚合物發光器件出現光通量衰減、穩定性下降、色坐標漂移等問題。進一步地，在本技術一些實施方式中，以質量百分比計，發光點的質量為基質的20％～40％。
41.進一步可選地，以質量百分比計，發光點的質量為基質的21％～39％。示例性地，發光點的質量為基質的22％、25％、28％、30％、32％、35％或者38％。
42.進一步地，在本技術一些實施方式中，上述的石墨烯量子點材料包括石墨烯量子點和改性石墨烯量子點；其中，石墨烯量子點的碳源為富勒烯。
43.進一步地，在本技術一些實施方式中，上述的改性石墨烯量子點為2,3-二氨基萘改性的石墨烯量子點。
44.進一步地，在本技術一些實施方式中，上述的石墨烯量子點材料中，石墨烯量子點和改性石墨烯量子點的體積比為0.5:1～2:1。
45.進一步可選地，在本技術一些實施方式中，上述的石墨烯量子點材料中，石墨烯量子點和改性石墨烯量子點的體積比為0.6:1～1.9:1。
46.示例性地，上述的石墨烯量子點材料中，石墨烯量子點和改性石墨烯量子點的體積比為0.7:1、0.8:1、0.9:1、1.0:1、1.1:1、1.2:1、1.3:1、1.4:1、1.5:1、1.6:1、1.7:1或者1.8:1。
47.進一步地，在本技術一些實施方式中，石墨烯量子點材料的發射波長為400nm～700nm。
48.進一步可選地，石墨烯量子點材料的發射波長為410nm～690nm。
49.示例性地，石墨烯量子點材料的發射波長為450nm、480nm、500nm、520nm、550nm、580nm、600nm、620nm、650nm或者680nm。
50.進一步地，在本技術一些實施方式中，光電玻璃的厚度為1.35mm～2.35mm。
51.進一步可選地，光電玻璃的厚度為1.4mm～2.3mm。示例性地，光電玻璃的厚度為1.5mm、1.8mm、1.9mm、2.0mm或者2.2mm。
52.進一步地，在本技術一些實施方式中，鋁硼矽系微晶玻璃為al2o
3-b2o
3-sio
2-zno體系。
53.進一步地，在本技術一些實施方式中，鋁硼矽系微晶玻璃包括：5mol％～20mol％氧化鋁，40mol％～60mol％氧化硼，25mol％～45mol％氧化矽，0mol％～10mol％氧化鋅。
54.進一步可選地，鋁硼矽系微晶玻璃包括：6mol％～19mol％氧化鋁，41mol％～59mol％氧化硼，26mol％～44mol％氧化矽，0.5mol％～9.5mol％氧化鋅。
55.示例性地，鋁硼矽系微晶玻璃包括：5mol％、8mol％、10mol％、12mol％、15mol％或者18mol％氧化鋁；
56.示例性地，鋁硼矽系微晶玻璃包括：42mol％、45mol％、48mol％、50mol％、52mol％、55mol％或者58mol％氧化硼；
57.示例性地，鋁硼矽系微晶玻璃包括：28mol％、30mol％、32mol％、35mol％、38mol％、40mol％、42mol％或者44mol％氧化矽；
58.示例性地，鋁硼矽系微晶玻璃包括：1mol％、3mol％、5mol％、7mol％或者8mol％氧化鋅。
59.本技術一些實施方式提供一種光電玻璃的製備方法，包括：
60.將石墨烯量子點材料粉末與鋁硼矽系微晶玻璃粉末混合均勻後，於650℃～750℃保溫0.5h～1.5h。
61.進一步地，在本技術一些實施方式中，光電玻璃的製備方法，包括以下步驟：
62.步驟s1、製備石墨烯量子點材料。
63.其中，石墨烯量子點材料包括石墨烯量子點和改性石墨烯量子點；其中，石墨烯量子點的碳源為富勒烯。
64.改性石墨烯量子點為2,3-二氨基萘改性的石墨烯量子點。
65.在本技術一些實施方式中，製備石墨烯量子點，包括：
66.將富勒烯與過硫酸氫鉀的混合液，在140℃～200℃反應2h～14h；然後將得到的反應物製成粉末。
67.進一步可選地，製備石墨烯量子點，包括：
68.將富勒烯與過硫酸氫鉀的混合液，在145℃～195℃反應2.5h～13.5h；然後將得到的反應物製成粉末。
69.示例性地，製備石墨烯量子點，包括：
70.將富勒烯與過硫酸氫鉀的混合液，在150℃、155℃、160℃、165℃、170℃、175℃、180℃、185℃、190℃反應3h、4h、5h、6h、7h、8h、9h、10h、11h、12h、13h；然後將得到的反應物製成粉末。
71.在本技術一些實施方式中，製備改性石墨烯量子點，包括：
72.將前述製備的石墨烯量子點與2,3-二氨基萘混合均勻，然後在170℃～180℃反應12h～15h，將反應物製成粉末。
73.進一步可選地，在本技術一些實施方式中，製備改性石墨烯量子點，包括：
74.將前述製備的石墨烯量子點與2,3-二氨基萘混合均勻，然後在171℃～179℃反應12.5h～14.5h，將反應物製成粉末。
75.示例性地，製備改性石墨烯量子點，包括：
76.將前述製備的石墨烯量子點與2,3-二氨基萘混合均勻，然後在172℃、173℃、174℃、175℃、176℃、177℃、178℃反應12.5h、13h、13.5h、14h或者14.5h將反應物製成粉末。
77.進一步可選地，在本技術一些具體的實施方式中，製備富勒烯與過硫酸氫鉀的混合液，包括：將富勒烯與過硫酸氫鉀溶於dmf中，超聲1h～3h，得到反應液。示例性地，將富勒烯與過硫酸氫鉀溶於dmf中，超聲1h、1.5h、2h、2.5h或者3h得到反應液。
78.進一步可選地，在本技術一些具體的實施方式中，將富勒烯與過硫酸氫鉀的混合液，在140℃～200℃反應2.5h～13.5h，將得到的反應物製成粉末；包括：將上述製得的反應液在140℃～200℃反應釜中保溫2h～14h，冷卻至室溫，最後提純、乾燥，得到石墨烯量子點(gqds)粉末。
79.進一步可選地，在本技術一些具體的實施方式中，採用2,3-二氨基萘改性包括：將上述製得的gqds與一定量的2,3-二氨基萘混合，超聲1h～3h，在180℃反應釜中保溫12h，最後提純、乾燥，得到改性的石墨烯量子點(m-gqds)粉末。
80.需要說明的是，單獨的石墨烯量子點(gqds)主要發出藍綠色螢光，而單獨的改性石墨烯量子點(m-gqds)主要發出橙黃色螢光。本技術通過將石墨烯量子點(gqds)與改性石墨烯量子點(m-gqds)充分混合後能夠發出白色螢光。
81.步驟s2、製備鋁硼矽系微晶玻璃粉末。
82.在本技術一些實施方式中，製備鋁硼矽系微晶玻璃粉末包括：將5mol％～20mol％氧化鋁，40mol％～60mol％氧化硼，25mol％～45mol％氧化矽，0mol％～10mol％氧化鋅研磨混合均勻後，於1200℃～1400℃保溫1h～3h。
83.進一步可選地，製備鋁硼矽系微晶玻璃粉末包括：將5.5mol％～19.5mol％氧化鋁，45mol％～55mol％氧化硼，26mol％～44mol％氧化矽，0.1mol％～9.5mol％氧化鋅研磨混合均勻後，於1250℃～1350℃保溫1.1h～2.9h。
84.示例性地，製備鋁硼矽系微晶玻璃粉末包括：將6mol％、8mol％、10mol％、12mol％、15mol％、18mol％氧化鋁，45mol％、48mol％、50mol％、52mol％、54mol％氧化硼，27mol％、29mol％、32mol％、34mol％、36mol％、38mol％、42mol％氧化矽，0.5mol％、2mol％、5mol％、8mol％、9mol％氧化鋅研磨混合均勻後，於1250℃、1280℃、1300℃、1320℃、1340℃保溫1.5h、1.8h、2h、2.5h、2.8h。
85.進一步可選地，在本技術一些具體的實施方式中，製備鋁硼矽系微晶玻璃粉末包括：
86.按上述設計組分稱取所需玻璃基質原料，將稱取的各原料置於研缽中，研磨混合均勻，製得混合料。混合料置於剛玉坩堝中，升溫至1200℃～1400℃保溫1h～3h，水淬後得到前驅玻璃碎渣，進一步粉碎後得到鋁硼矽系微晶玻璃粉末。
87.步驟s3、製備光電玻璃。
88.在本技術一些實施方式中，製備光電玻璃包括：將步驟s1製得的石墨烯量子點材料與步驟s2製得的鋁硼矽系微晶玻璃粉末混合均勻後，於650℃～750℃保溫0.5h～1.5h。
89.通過控制上述的製備工藝條件能夠使得大量的石墨烯量子點材料均勻地分布在鋁硼矽系微晶玻璃基質中，沒有發生團聚現象。
90.進一步地，在本技術一些實施方式中，上述的石墨烯量子點材料中，石墨烯量子點和改性石墨烯量子點的體積比為0.5:1～2:1。
91.進一步可選地，製備光電玻璃包括：將步驟s1製得的石墨烯量子點材料與步驟s2製得的鋁硼矽系微晶玻璃粉末混合均勻後，於655℃～745℃保溫0.6h～1.4h。
92.示例性地，製備光電玻璃包括：將步驟s1製得的石墨烯量子點材料與步驟s2製得的鋁硼矽系微晶玻璃粉末混合均勻後，於660℃、670℃、680℃、690℃、700℃、710℃、720℃、730℃、740℃保溫0.6h、0.8h、0.9h、1h、1.2h、1.3h。
93.在本技術一些實施方式中，在本技術一些具體的實施方式中，將步驟s2製備得到的鋁硼矽系微晶玻璃粉末與步驟s1製備得到的石墨烯量子點材料(gqds與m-gqds的體積比為0.5:1～2:1)均勻混合，然後將混合物轉移到模具中，冷等靜壓成型得到坯體。然後將坯體在空氣氣氛中，加熱至650℃～750℃保溫0.5h～1.5h，得到光電玻璃。
94.本技術一些實施方式提供一種發光器件，包括：前述任一實施方式提供的光電玻璃；或者前述任一實施方式提供的光電玻璃的製備方法製得的光電玻璃。
95.以下結合實施例對本技術的特徵和性能作進一步的詳細描述：
96.實施例1
97.提供一種光電玻璃，按照以下步驟製備：
98.1)稱量0.1g富勒烯和0.4g過硫酸氫鉀，加入到20ml dmf中，超聲分散1.5h得到反應液，將反應液倒入50ml的聚四氟乙烯內襯的反應釜中，160℃保溫7h，待反應釜冷卻後將反應產物取出，然後將反應產物在4000轉每分的轉速下離心40分鐘，去除剩餘的過硫酸氫鉀以及大片殘留物，取上清液先用0.22微米的濾膜過濾，再用截留分子量為3500da的半透膜透析三天，得到石墨烯量子點(gqds)溶液，經旋轉蒸發去除溶劑後得到gqds粉末。
99.2)稱取5ml gqds水溶液與20mg的2,3-二氨基萘混合，加入到20ml dmf中，超聲分散1.5h得到反應液，將反應液倒入50ml的聚四氟乙烯內襯的反應釜中，180℃保溫12h，待反應釜冷卻後將反應產物取出，在15000轉每分的轉速下離心40分鐘，然後將沉澱物溶解在dmf溶液中，再在15000轉每分的轉速下離心20分鐘，取上清液即為改性後的gqds溶液，經旋轉蒸發去除溶劑後得到m-gqds粉末。
100.3)選取高純al2o3、b2o3、sio2、zno作為玻璃基質原料，各原料所佔摩爾百分數為：al2o
3 14％，b2o
3 45％，sio
2 33％，zno 8％，將稱取的al2o3、b2o3、sio2、zno原料在瑪瑙研缽中充分研磨混合均勻，得到玻璃基質混合料。將玻璃基質混合料置於剛玉坩堝中，升溫至1350℃保溫1h，然後將玻璃熔體倒入水中淬火獲得前驅玻璃碎渣，進一步粉碎後得到鋁硼矽系微晶玻璃粉末。
101.4)將鋁硼矽系微晶玻璃粉末與石墨烯量子點材料(gqds與m-gqds的體積比固定為1:1)均勻混合得到混合物，將混合物轉移到模具中，冷等靜壓成型得到坯體(其中石墨烯量子點的質量比為前驅玻璃基質的30wt％)。然後將坯體在空氣氣氛中，加熱至680℃保溫1h，得到光電玻璃。
102.實施例2
103.提供一種光電玻璃，按照以下步驟製備：
104.1)稱量0.1g富勒烯和0.4g過硫酸氫鉀，加入到20ml dmf中，超聲分散1.5h得到反應液，將反應液倒入50ml的聚四氟乙烯內襯的反應釜中，200℃保溫12h，待反應釜冷卻後將反應產物取出，然後將反應產物在4000轉每分的轉速下離心40分鐘，去除剩餘的過硫酸氫鉀以及大片殘留物，取上清液先用0.22微米的濾膜過濾，再用截留分子量為3500da的半透
膜透析三天，得到石墨烯量子點(gqds)溶液，經旋轉蒸發去除溶劑後得到gqds粉末。
105.2)稱取5ml gqds水溶液與10mg的2,3-二氨基萘混合，加入到20ml dmf中，超聲分散1.5h得到反應液，將反應液倒入50ml的聚四氟乙烯內襯的反應釜中，180℃保溫12h，待反應釜冷卻後將反應產物取出，在15000轉每分的轉速下離心40分鐘，然後將沉澱物溶解在dmf溶液中，再在15000轉每分的轉速下離心20分鐘，取上清液即為改性後的gqds溶液，經旋轉蒸發去除溶劑後得到m-gqds粉末。
106.3)選取高純al2o3、b2o3、sio2、zno作為玻璃基質原料，各原料所佔摩爾百分數為：al2o
3 14％，b2o
3 45％，sio
2 39％，zno 2％，將稱取的al2o3、b2o3、sio2、zno原料在瑪瑙研缽中充分研磨混合均勻，得到玻璃基質混合料。將玻璃基質混合料置於剛玉坩堝中，升溫至1350℃保溫1h，然後將玻璃熔體倒入水中淬火獲得前驅玻璃碎渣，進一步粉碎後得到鋁硼矽系微晶玻璃粉末。
107.4)將鋁硼矽系微晶玻璃粉末與石墨烯量子點材料(gqds與m-gqds的體積比固定為2:1)均勻混合得到混合物，將混合物轉移到模具中，冷等靜壓成型得到坯體(其中石墨烯量子點的質量比為前驅玻璃基質的30wt％)。然後將坯體在空氣氣氛中，加熱至680℃保溫1h，得到光電玻璃。
108.實驗例1
109.對實施例1和實施例2製得的光電玻璃採用透射電子顯微鏡檢測其微觀結構。結果見附圖1。
110.從圖1中可以明顯觀察到石墨烯量子點(黑色圓點)和玻璃相(灰色部分)的存在，同時可以看出大量的石墨烯量子點均勻地分布在玻璃基質中，沒有發生團聚現象，進一步證實所製備的光電玻璃具有良好的透過性能，這有助於提高大功率白光照明器件的發光效率和發光均勻性。
111.實驗例2
112.對實施例1和實施例2製得的光電玻璃檢測其透過性能。
113.檢測方法：採用日本島津公司產的uv-2600紫外可見分光光度計測試光電玻璃的透過性能。
114.測試條件：掃描範圍為200nm～1000nm，步長為1nm，入射光與出射光狹縫寬度均為5nm，測試過程於室溫下進行。檢測結果見圖2。
115.圖2示出了實施例1和2製得的光電玻璃的透過光譜結果，從圖2可以看出，該光電玻璃的透過率在80％以上，表明具有較高的光學性能。
116.實驗例3
117.對實施例1和實施例2製得的光電玻璃檢測其發光特性。
118.檢測方法：採用英國愛丁堡儀器公司生產的fls980組合式螢光光譜儀測試光電玻璃的發光特性。將光電玻璃置於固體樣品架上，可分別對激發光譜和發射光譜進行掃描，波長範圍為280nm～760nm。為了避免入射光的倍頻峰對發射光譜造成幹擾，可在樣品室與發射光檢測端加上相應的濾光片。
119.測試條件：光源為450w氙燈，單色器狹縫寬度可根據發光強度進行調節，步長1nm，測試於室溫下進行。檢測結果見圖3。
120.圖3示出了實施例1和實施例2製得的光電玻璃的在385nm雷射輻照下的pl光譜和
cie 1931色度坐標。
121.從圖3中可以看到光電玻璃的pl光譜在可見光區域覆蓋範圍很寬，即從藍光(400nm)至紅橙光(700nm)區域，並且可以實現白光發射，其cie 1931色坐標(0.332，0.336)非常接近於標準白光的色坐標(0.33，0.33)，表明具有出色的發光特性。
122.實驗例4
123.對實施例1和實施例2製得的光電玻璃檢測其熱穩定性。
124.檢測方法：採用英國愛丁堡儀器公司生產的fls980組合式螢光光譜儀測試光電玻璃的熱穩定性。在大功率ld器件中，螢光轉換材料收到來自高能量密度晶片的大量輻射，導致其工作溫度遠遠高於室溫，因此檢測樣品的耐熱性十分必要。先將製得的光電玻璃從室溫加熱至320℃，然後再冷卻至室溫，分別測試樣品經過每次加熱-冷卻循環過程後的發光強度。檢測結果見圖4。
125.圖4示出了實施例1和實施例2製得的光電玻璃在經過室溫到320℃範圍內加熱-冷卻循環後的發光強度圖。
126.從圖4可以看出，該光電玻璃在經過十次加熱-冷卻循環過程後，其發光強度幾乎沒有變化，展現出優異的熱穩定性。
127.實驗例5
128.對實施例1和實施例2製得的光電玻璃檢測其發光均勻性。
129.檢測方法：在白光ld上放置一個半球形分角夾具來測量不同角度下的發光特性。以10
°
為間隔控制光圈，以探測通過特定光圈的發光強度。檢測結果見圖5。
130.圖5示出了實施例1和實施例2製得的光電玻璃在基於光電玻璃的雷射照明器件發光強度角分布圖。
131.從圖5可以看出，本技術實施例製得的基於光電玻璃的雷射照明器件具有良好的發光均勻性。
132.實驗例6
133.對實施例1和實施例2製得的光電玻璃檢測其器件穩定性。
134.檢測方法：利用光纖光譜儀和積分球組成的labspheere測量系統測試白光ld器件在大功率驅動電流下工作不同時間後的穩定性能。檢測結果見圖6。圖6示出了實施例1和實施例2製得的光電玻璃的雷射照明器件在不同工作時間下的發射強度(驅動電流為1200ma)。
135.從圖6可以看出，該光電玻璃的雷射照明器件在連續工作300min後的發光強度仍保持在95％，表明具有較好的器件穩定性。
136.以上所述僅為本技術的優選實施例而已，並不用於限制本技術，對於本領域的技術人員來說，本技術可以有各種更改和變化。凡在本技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本技術的保護範圍之內。