配線電路基板及其製造方法
2023-10-09 11:28:49 2
專利名稱：配線電路基板及其製造方法
技術領域：
本發明涉及各種電子設備使用的配線電路基板及其製造方法。
背景技術：
配線電路基板一般利用半加成法(Semi-additive method)或減數法(Subtractive method)等製造。
通過上述各種方法製造的配線電路基板一般包括由聚醯亞胺薄膜等構成的基體絕緣層、在該基體絕緣膜上形成的導體圖案、和覆蓋該導體圖案的覆蓋絕緣層。
在現有技術中，為了提高導體圖案和覆蓋絕緣層的粘結性能，對該導體圖案的表面實施粗化處理(例如參照日本專利特開2001-36219號公報和日本專利特開2003-209351號公報)。
通過對導體圖案的表面實施粗化處理，導體圖案的表面變成凹凸形狀。這樣就產生固著效果，可以提高導體圖案和覆蓋絕緣層的粘結性能。
但是，在上述日本專利特開2001-36219號公報和日本專利特開2003-209351號公報的電路基板(印刷基板)中，信號配線的導體圖案表面幾乎所有的區域被粗化。其結果是，在上述電路基板的導體圖案中傳送高頻信號(例如100MHz或300MHz以上)的情況下，因趨膚效應造成電流沿導體圖案表面的凹凸流動。這樣實際的傳送路徑的長度變長，使高頻信號的傳送特性惡化。
例如，在具有1GHz頻率的高頻信號的情況下，電流集中在從導體圖案的表面到深度2μm左右的區域。這種情況下，若實施粗化處理的導體圖案表面的凹凸大，則實際的傳送路徑的長度變長，傳送特性明顯惡化。
此外，如上所述，在不進行導體圖案的粗化處理而形成覆蓋絕緣層的情況下，沒有提高導體圖案和覆蓋絕緣層的粘結性能。其結果是，在電路基板反覆彎曲的彎曲部上，有時在導體圖案與覆蓋絕緣層之間產生剝離。
發明內容
本發明的目的是提供一種不使傳送特性惡化，可以提高導體圖案和覆蓋絕緣層的粘結性能的配線電路基板及其製造方法。
(1)本發明一種方式的配線電路基板，具有在使用時彎曲的彎曲部和在使用時不彎曲的非彎曲部，包括跨越彎曲部和非彎曲部而設置的絕緣層；在絕緣層上形成的配線層；和覆蓋配線層而在絕緣層上形成的保護層，其中，彎曲部中的配線層的表面區域被粗化。
在該配線電路基板中，跨越彎曲部和非彎曲部而設置絕緣層。在絕緣層上形成配線層。在絕緣層上形成的覆蓋配線層的保護層。此外，對彎曲部中的配線層表面區域進行粗化。
這樣，由於不是使彎曲部和非彎曲部中的配線層表面的整個區域粗化，所以可以防止高頻信號傳送特性的惡化。
也就是，由於僅使彎曲部中的配線層表面的區域進行粗化，可以防止實際傳送通路的長度變長。這樣，不使高頻信號的傳送特性惡化。
此外，由於使彎曲部中的配線層表面的區域粗化，所以提高了配線層與保護層的粘結特性。這樣，可以防止因反覆彎曲造成的配線層與保護層的剝離。
(2)被粗化的區域可以包括與配線層和保護層的界面相反一側的面的區域。在這種情況下，可以充分提高配線層與保護層的粘結特性。
(3)被粗化的區域的高度算術平均高度可以比未粗化的其他區域的算術平均高度大。
在這種情況下，因被粗化可以確保配線層與保護層的足夠的粘結性，而且通過沒有被粗化的區域能防止高頻信號傳送特性的惡化。
(4)被粗化區域的算術平均高度可以是1μm以上、3μm以下。
在這種情況下，可以抑制高頻信號被粗化區域中的傳送特性的惡化，並且可以充分提高配線層和保護層的粘結性能。
(5)配線層在彎曲部中具有相互並排延伸的多個配線層，多個配線層相互相對的面也可以不粗化。
在這種情況下，因鄰近效應，電流沿多個配線層相互相對的面流動的情況下，可以防止實際傳送通路的長度變長。這樣，可以確保多個配線層和保護層的粘結性能，而且可以充分防止因傳送通路的長度變長造成高頻信號的傳送特性惡化。
(6)多個配線層相互相對的面的算術平均高度可以比被粗化的區域的算術平均高度小。
在這種情況下，因鄰近效應，電流沿多個配線層相互相對的面流動的情況下，可以防止實際傳送通路的長度變長。這樣，可以確保多個配線層和保護層的粘結性能，而且可以充分防止因傳送通路的長度變長造成高頻信號的傳送特性惡化。
(7)本發明的其他方式的配線電路基板的製造方法，該配線電路基板具有在使用時彎曲的彎曲部和在使用時不彎曲的非彎曲部，包括在跨越彎曲部和非彎曲部而設置的絕緣層上，形成在彎曲部中的表面區域被粗化的配線層的工序；和在絕緣層上形成保護層，以覆蓋彎曲部和非彎曲部中的配線層的工序。
根據該配線電路基板的製造方法，跨越彎曲部和非彎曲部而設置絕緣層。在絕緣層上形成配線層。在絕緣層上形成保護層，以覆蓋配線層。此外，使彎曲部中的配線層的表面區域粗化。
這樣，由於不是彎曲部和非彎曲部的整個表面區域被粗化，所以可以防止高頻信號的傳送特性的惡化。
也就是，由於僅使彎曲部上的配線層的表面區域粗化，所以可以防止實際傳送通路的長度變長。這樣，高頻信號的傳送特性不惡化。
此外，由於彎曲部上的配線層的表面區域被粗化，所以提高了配線層和保護層的粘結性能。這樣，可以防止因反覆彎曲造成配線層和保護層的剝離。
(8)形成配線層的工序也可以包括在跨越彎曲部和非彎曲部而設置的絕緣層上形成1個或多個配線層的工序；在除彎曲部之外的配線層的表面區域，形成粗化用的抗蝕層的工序；對未形成粗化用的抗蝕層的配線層的表面區域進行粗化的工序；和去除粗化用的抗蝕層的工序。
在這種情況下，首先跨越彎曲部和非彎曲部而設置絕緣層。然後在除彎曲部之外的配線層的表面區域形成粗化用的抗蝕層。然後對未形成粗化用的抗蝕層的配線層的表面區域進行粗化。此後去除粗化用的抗蝕層。
根據這樣的工序，在跨越彎曲部和非彎曲部而設置的絕緣層上，形成彎曲部上的表面區域被粗化的配線層。
(9)形成配線層的工序也可以包括在跨越彎曲部和非彎曲部而設置的絕緣層上形成配線層的工序；對配線層的表面進行粗化的工序；在除非彎曲部之外的配線層的表面區域，形成平滑化用的抗蝕層的工序；進行使未形成平滑化用的抗蝕層的配線層的表面區域平滑化的工序；和去除平滑化用的抗蝕層的工序。
在這種情況下，首先在跨越彎曲部和非彎曲部而設置的絕緣層上形成配線層。然後對配線層表面進行粗化。然後在除非彎曲部之外的配線層的表面區域形成平滑化用的抗蝕層。再進行使未形成平滑化用的抗蝕層的配線層的表面區域平滑。此後去除平滑化用的抗蝕層。
根據這樣的工序，在跨越彎曲部和非彎曲部而設置的絕緣層上，形成彎曲部上的表面區域被粗化的配線層。
(10)形成配線層的工序可以包括在跨越彎曲部和非彎曲部而設置的絕緣層上，使用與配線層相反圖案的電鍍用抗蝕層形成配線層的工序；在非彎曲部中的配線層的表面區域和電鍍用的抗蝕層上形成粗化用的抗蝕層的工序；對未形成粗化用的抗蝕層的配線層的表面區域進行粗化的工序；和去除電鍍用的抗蝕層和粗化用的抗蝕層的工序。
在這種情況下，在跨越彎曲部和非彎曲部而設置的絕緣層上，使用與配線層相反圖案的電鍍用抗蝕層形成配線層。然後在非彎曲部上的配線層的表面區域和電鍍用的抗蝕層上形成粗化用的抗蝕層。然後使未形成粗化用的抗蝕層的配線層的表面區域粗化。此後去除電鍍用的抗蝕層和粗化用的抗蝕層。
根據這樣的工序，在跨越彎曲部和非彎曲部而設置的絕緣層上，形成彎曲部上的表面區域被粗化的配線層。
配線層在彎曲部中具有相互並排延伸的多個配線層，多個配線層相互相對的面也可以不粗化。
特別是根據本製造方法，多個配線層相互相對的面不被粗化。因此，在因鄰近效應使電流沿多個配線層相互相對的面流動的情況下，可以防止實際傳送通路的長度變長。這樣，確保了多個配線層和保護層的粘結性能，並可以充分防止因實際傳送通路的長度變長而造成的高頻信號傳送特性的惡化。
(11)形成配線層的工序也可以包括使跨越彎曲部和非彎曲部而設置、包括絕緣層和導體層的疊層板中的導體層的表面進行粗化的工序；在導體層表面的規定區域形成蝕刻用的抗蝕層，除去規定的區域，通過對導體層進行蝕刻，在絕緣層上形成配線層的工序；去除蝕刻用的抗蝕層的工序；在彎曲部中的配線層的表面區域形成平滑化用的抗蝕層的工序；使未形成平滑化用的抗蝕層的配線層的表面區域平滑的工序；和去除平滑化用的抗蝕層的工序。
在這種情況下，使跨越彎曲部和非彎曲部而設置的包括絕緣層和導體層的疊層板上的導體層的表面粗化。然後在導體層表面的規定區域形成蝕刻用的抗蝕層，除規定的區域以外，通過對導體層進行蝕刻，在絕緣層上形成配線層。然後去除蝕刻用的抗蝕層。再在彎曲部上的配線層的表面區域形成平滑化用的抗蝕層。此後使沒有形成平滑化用的抗蝕層的配線層的表面區域平滑，去除平滑化用的抗蝕層。
根據這樣的工序，在跨越彎曲部和非彎曲部而設置的絕緣層上，形成彎曲部上的表面區域被粗化的配線層。
特別是根據本製造方法，多個配線層相互相對的面不被粗化。因此，在因鄰近效應使電流沿多個配線層相互相對的面流動的情況下，可以防止實際傳送通路的長度變長。這樣，確保了多個配線層和保護層的粘結性能，並可以充分防止因實際傳送通路的長度變長而造成的高頻信號傳送特性的惡化。
(12)配線層在彎曲部中具有相互並排延伸的多個配線層，形成配線層的工序包括除多個配線層相互面對的面之外，使彎曲部中的表面區域粗化。
在這種情況下，在因鄰近效應使電流沿多個配線層相互相對的面流動的情況下，可以防止實際傳送通路的長度變長。這樣，確保了多個配線層和保護層的粘結性能，並可以充分防止因實際傳送通路的長度變長而造成的高頻信號傳送特性的惡化。
圖1是表示第一～第四實施方式的配線電路基板的整體構成的立體圖。
圖2是表示用半加成法的配線電路基板的製造方法各工序的示意截面圖。
圖3是表示在基體絕緣層上形成導體圖案後，到製造配線電路基板的各工序的截面圖。
圖4是通過第一實施方式的配線電路基板的製造方法製造的配線電路基板的A-A線截面(圖1)的示意圖。
圖5是表示在基體絕緣層上形成導體圖案後，到製造配線電路基板的各工序的其他例子的截面圖。
圖6是表示在圖2(c)的工序後，到製造配線電路基板的各工序的另外的例子的截面圖。
圖7是表示到製造第四實施方式的配線電路基板的各工序的截面圖。
具體實施例方式
下面參照附圖對本發明的實施方式的配線電路基板進行說明。其中，本發明的實施方式的配線電路基板是柔性配線基板。
(1)第一實施方式先對本實施方式和後面敘述的第二～第四實施方式的配線電路基板的整體構成進行說明。
圖1是表示第一～第四實施方式的配線電路基板的整體構成的立體圖。
如圖1所示，本實施方式的配線電路基板100具有使用時彎曲的彎曲部100a和使用時不彎曲的非彎曲部100b。在本實施方式中，在大小不同的兩個非彎曲部100b之間設置有彎曲部100a。
彎曲部100a是彎曲的部位或反覆彎曲的部位，非彎曲部100b搭載在半導體晶片等之上且不彎曲的部位。
從一個非彎曲部100b到另一個非彎曲部100b，沿大致與彎曲部100a的外形平行地形成有多個(本實施方式中為兩個)導體圖案2。此外，形成有覆蓋絕緣層6，以覆蓋導體圖案2。分別設置端子用開口部7，用於將半導體晶片搭載在各非彎曲部100b上的覆蓋絕緣層6上。
各導體圖案2的兩端部分別在各端子用開口部7中露出。各導體圖案2在端子用開口部7中露出的部分為端子部。半導體晶片等分別連接在端子用開口部7中的導體圖案2的上述端子部。此外，如上所述，在本實施方式中，導體圖案2的數量為兩個，但不限於此，例如也可以是三個以上。
在導體圖案2的端子部上形成有未圖示的電解鍍金層。此外，上述電解鍍金層可以是含金的單一成分，也可以金為主要成分，含有選自銅(Cu)、鉛(Pb)、銀(Ag)、銻(Sb)、鉍(Bi)、銦(In)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉬(Mo)、鍺(Ge)、鎵(Ga)和磷(P)等之中的一種以上的元素。
下面參照表示各工序的示意圖，對本實施方式的配線電路基板100的製造方法進行說明。
圖2是表示半加成法的配線電路基板100的製造方法的各工序的示意截面圖。
如圖2(a)所示，例如準備由聚醯亞胺薄膜構成的厚度12μm的基體絕緣層1。
然後如圖2(b)所示，在基體絕緣層1上利用感光膠膜(Dry FilmResist)等，形成與在後續工序中形成的導體圖案2相反的圖案的電鍍抗蝕層3。
此後，如圖2(c)所示，在基體絕緣層1上未形成電鍍抗蝕層3的表面上，利用電解銅形成例如18μm厚度的導體圖案2。
然後如圖2(d)所示，利用剝離等方法去除電鍍抗蝕層3。此外，在擔心基體絕緣層1與導體圖案2的粘結性能的情況下，通過在基體絕緣層1與導體圖案2之間設置金屬薄膜，可以提高粘結性能。
然後，對在上述圖2(d)的工序後，到製造本實施方式的配線電路基板100的各工序進行說明。
圖3是表示在基體絕緣層1上形成導體圖案2後，到製造配線電路基板100的各工序的截面圖。在圖3中表示圖1的配線電路基板100的C-C線截面中的D區域。
如圖3(a)所示，在基體絕緣層1上，跨越彎曲部100a和兩個非彎曲部100b而形成規定的導體圖案2。
在兩個非彎曲部100b的導體圖案2上，分別利用感光樹脂形成粗化抗蝕層4。也就是如後所述，由於要對彎曲部100a中的導體圖案2實施粗化處理，所以在彎曲部100a中的導體圖案2上不形成粗化抗蝕層4。此外，關於粗化處理在後面敘述。
接著將圖3(a)中在兩個非彎曲部100b的導體圖案2上分別形成有粗化抗蝕層4的部件，浸漬到粗化處理用的處理液中。如圖3(b)所示，通過進行這樣的處理，在沒有形成粗化抗蝕層4的彎曲部100a的導體圖案2的表面上，形成有例如具有凹凸形狀的粗化部5。
上述粗化處理用的處理液可以使用例如硫酸和過氧化氫的混合液、鹼金屬-亞氯酸類(Alkali Chlorous Acid-based)的處理液、或有機酸系的處理液。
硫酸和過氧化氫的混合液的具體的例子可以例舉的有MEC公司制的MECBRITE(CB-5004)和MEC V-Bond(B0-7770)、以及Macdermid公司制的ME-605和MultiBond(MB-100)等。
此外，鹼金屬-亞氯酸類的處理液的具體的例子可以例舉的有Macdermid公司制的Omnibond(omnibond 9251)和B0-2000等。此外，有機酸類的處理液的具體的例子可以例舉的MEC公司制的MECetchBOND(CZ-8100)等。
此外，粗化部5的表面粗糙度(算術平均高度)Ra優選為1μm～3μm。在本實施方式中，可以使粗化部5的表面粗糙度Ra例如為2μm。此外，所謂的表面粗糙度(算術平均高度)Ra，是在日本工業標準(JISB 0601-1994)中規定的、表示表面粗糙度的參數，例如可以用觸針式表面粗糙度計進行測定。除粗化部5之外的導體圖案2的區域的表面粗糙度(算術平均高度)Ra比粗化部5的表面粗糙度(算術平均高度)Ra小。
然後如圖3(c)所示，利用剝離等方法去除粗化抗蝕層4。然後，除了導體圖案2上的端子用的開口部7(圖1)的區域以外，在基體絕緣層1和導體圖案2上，形成有例如由聚醯亞胺構成的覆蓋絕緣層6。這樣，覆蓋絕緣層6的一部分粘結在彎曲部100a上的導體圖案2的表面上形成的粗化部5上。此外，在圖3中，在基體絕緣層1上形成的覆蓋絕緣層6在截面線的位置關係上在圖中沒有表示。利用以上方法製造了在彎曲部100a上的導體圖案2和覆蓋絕緣層6通過粗化部5粘結在一起的配線電路基板100。
在此對這樣製造的配線電路基板100的A-A線截面(圖1)的示意圖進行說明。
圖4是通過第一實施方式的配線電路基板100的製造方法製造的配線電路基板100的A-A線截面(圖1)的示意圖。
如上所述，在本實施方式中，在彎曲部100a中的導體圖案2上不形成粗化抗蝕層4，將在基體絕緣層1上形成有導體圖案2的部件浸漬到粗化處理用的處理液中。
這樣如圖4所示，在彎曲部100a的導體圖案2上，除了與基體絕緣層1的粘結面(在圖4中的下面)以外的面(在圖4中的上面和兩個側面)上形成有粗化部5。
(2)第二實施方式下面對第二實施方式的配線電路基板100的製造方法進行說明。
在第二實施方式中，由於到通過半加成法在基體絕緣層1上形成規定的導體圖案2的工序與第一實施方式(與圖2(a)～(d)相當的工序)相同，省略其說明。
圖5是表示在基體絕緣層1上形成導體圖案2後，到製造配線電路基板100的各工序的其他例子的截面圖。其中，在圖5中，表示圖1的配線電路基板100的C-C線截面中的D區域。
在基體絕緣層1上，跨越彎曲部100a和兩個非彎曲部100b而形成規定的導體圖案2。這樣將在基體絕緣層1上形成導體圖案2的部件，浸漬在與第一實施方式相同的粗化處理用的處理液中。
如圖5(a)所示，通過這樣的處理，在導體圖案2的表面上跨越彎曲部100a和兩個非彎曲部100b而形成粗化部5。粗化部5的表面粗糙度(算術平均高度)Ra例如可以為2μm。
然後如圖5(b)所示，在彎曲部100a上的導體圖案2上形成平滑化抗蝕層8。如後所述，這是為了保留在彎曲部100a上的導體圖案2上形成的粗化部5。
然後如圖5(c)所示，將在彎曲部100a上的導體圖案2上形成平滑化用抗蝕層8的部件，浸漬到平滑處理用的處理液中。這樣，分別在兩個非彎曲部100b上的導體圖案2上形成各粗化部5。
在本實施方式中，上述平滑化處理用的處理液例如可以使用過硫酸鈉水溶液、過硫酸銨水溶液或過硫酸鉀水溶液。
然後如圖5(d)所示，通過剝離等方法去除平滑化用抗蝕層8。然後，除了導體圖案2上的端子用的開口部7的區域(圖1)以外，在基體絕緣層1和導體圖案2上形成覆蓋絕緣層6。這樣，覆蓋絕緣層6的一部分粘結在彎曲部100a上的導體圖案2的表面上形成的粗化部5上。此外在圖5中，在基體絕緣層1上形成的覆蓋絕緣層6在截面線的位置關係上未圖示。通過以上方法製造了在彎曲部100a上的導體圖案2和覆蓋絕緣層6通過粗化部5粘結在一起的配線電路基板100。
此外，這樣製造的配線電路基板100的A-A線截面(圖1)的示意圖與上述圖4相同。
(3)第三實施方式下面對第三實施方式的配線電路基板100的製造方法進行說明。
在第三實施方式中，在基體絕緣層1上形成電鍍抗蝕層3後，到在該基體絕緣層1上沒有形成電鍍抗蝕層3的表面上形成導體圖案2的工序，由於與第一實施方式(與圖2(a)～(c)相當的工序)相同，省略其說明。因此，在下面對上述圖2(c)的工序後，到製造本實施方式的配線電路基板100的各工序進行說明。
圖6A和圖6B是表示圖2(c)的工序後，到製造配線電路基板100的各工序另外的例子的截面圖。
其中在圖6A和圖6B中，(A1)和(B1)、(A2)和(B2)、(A3)和(B3)以及(A4)和(B4)分別表示在相同工序中不同區域的截面圖。
也就是，(A1)、(A2)、(A3)和(A4)表示圖1的配線電路基板100的彎曲部100a上的A-A線截面圖，(B1)、(B2)、(B3)以及(B4)表示配線電路基板100的一個非彎曲部100b上的B-B線截面圖。此外，下面用B-B線截面圖對一個非彎曲部100b上的截面構成進行說明，對於另一個非彎曲部100b上的截面構成，由於與上述構成相同，所以省略其說明。
如圖6A(A1)所示，在彎曲部100a中，保持圖2(c)的工序中的處理後的狀態。
另一方面，如圖6A(B1)所示，在非彎曲部100b中，圖2(c)的工序中的處理後，在導體圖案2上和電鍍抗蝕層3上形成粗化抗蝕層4。
然後如圖6A(A2)所示，在彎曲部100a中，將在基體絕緣層1上形成有導體圖案2和電鍍抗蝕層3的部件，浸漬在與第一實施方式相同的粗化處理用的處理液中。這樣，在導體圖案2的表面上形成粗化部5。此外，導體圖案2的側面由於與電鍍抗蝕層3的側面相連，所以在該導體圖案2的側面不形成粗化部5。此外，粗化部5的表面粗糙度(算術平均高度)Ra例如為2μm。
另一方面，如圖6A(B2)所示，在非彎曲部100b中，保持圖6A(B1)的工序中的處理後的狀態。
然後如圖6B(A3)所示，在彎曲部100a中，去除電鍍抗蝕層3。
另一方面，如圖6B(B3)所示，在非彎曲部100b中，同時去除電鍍抗蝕層3和粗化抗蝕層4。
然後如圖6B(A4)所示，在彎曲部100a中，在基體絕緣層1上和形成有粗化部5的導體圖案2上，形成覆蓋絕緣層6。
另一方面，如圖6B(B4)所示，在非彎曲部100b中，在基體絕緣層1上和沒有形成粗化部5的導體圖案2上，也形成覆蓋絕緣層6。
按照以上的方法，製造了在彎曲部100a上的導體圖案2和覆蓋絕緣層6通過粗化部5粘結在一起的配線電路基板100。
(4)第四實施方式下面對第四實施方式的配線電路基板100的製造方法進行說明。
圖7A和圖7B是表示第四實施方式的到製造配線電路基板100的各工序的截面圖。
其中，在圖7B中(e1)和(e2)、(f1)和(f2)、(g1)和(g2)分別表示相同工序中的不同區域的截面圖。
也就是，(e1)、(f1)和(g1)表示圖1的配線電路基板100的彎曲部100a上的A-A線截面圖，(e2)、(f2)和(g2)表示配線電路基板100的一個非彎曲部100b上的B-B線截面圖。
此外，在圖7A(a)～(d)中，由於配線電路基板100的彎曲部100a上的A-A線截面圖和一個非彎曲部100b上的B-B線截面圖相同，所以僅以一個截面圖來表示。此外，下面用B-B線截面圖對一個非彎曲部100b上的截面的構成進行說明，關於其他的非彎曲部100b上的截面的構成由於與上述構成相同，所以省略其說明。
如圖7A(a)所示，例如準備將具有厚度12μm的聚醯亞胺薄膜構成的基體絕緣層1、以及在該基體絕緣層1上例如由銅箔構成的導體層2a層疊在一起的雙層基體材料。
然後如圖7A(b)所示，將上述雙層基體材料浸漬在與第一實施方式相同的粗化處理用的處理液中(例如32℃)1分鐘。這樣，除了導體層2a上的與基體絕緣層1粘結面(圖7A中的下面)以外的面(上面和兩個側面)上，形成粗化部5。此外，粗化部5的表面粗糙度(算術平均高度)Ra例如為2μm。
然後，為了通過對上述導體層2a進行蝕刻，形成後面敘述的規定的導體圖案2，如圖7A(c)所示，在除了導體層2a上的蝕刻區域以外的區域上，形成蝕刻用抗蝕層30。
而在通過規定的蝕刻液進行蝕刻處理後，如圖7A(d)所示，通過去除蝕刻用抗蝕層30，在基體絕緣層1上形成導體圖案2。此外，在形成的導體圖案2的表面上，形成有粗化部5。
然後如圖7B(e1)所示，在彎曲部100a中，在導體圖案2上用感光性樹脂形成平滑化用抗蝕層8。
另一方面如圖7B(e2)所示，在非彎曲部100b中，保持圖7A(d)的工序中的處理後的狀態。
在彎曲部100a上的導體圖案2上形成有平滑化抗蝕層8的部件，被浸漬到與第二實施方式相同的平滑處理用的處理液中。此後去除平滑化抗蝕層8。
這樣就如圖7B(f1)所示，在彎曲部100a上保持導體圖案2上的粗化部5。另一方面如圖7B(f2)所示，在非彎曲部100b上使導體圖案2上的粗化部5平滑化而去除。
然後如圖7B(g1)所示，在彎曲部100a上，在基體絕緣層1上和形成有粗化部5的導體圖案2上形成覆蓋絕緣層6。
另一方面如圖7B(g2)所示，在非彎曲部100b上，也在基體絕緣層1上和沒有形成粗化部5的導體圖案2上形成覆蓋絕緣層6。
按照以上的方法，製造了在彎曲部100a上的導體圖案2和覆蓋絕緣層6通過粗化部5粘結在一起的配線電路基板100。
(5)其他實施方式在上述的實施方式中，配線電路基板100的製造方法使用了半加成法，但不限於此，也可以使用減數法或全加成法等其他的方法。
此外如上所述，在配線電路基板100的非彎曲部100b的端子用開口部7中，可以連接半導體晶片，也可以連接其他的配線電路基板。
此外，基體絕緣層1的其他材料的例子有聚乙醯腮(PolyparabanicAcid)薄膜、聚酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate)薄膜、聚醚碸薄膜、聚醚亞胺薄膜、聚醚醚酮薄膜等的工程塑料薄膜。
此外，覆蓋絕緣層6的其他材料的例子有聚乙醯腮薄膜、聚酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚醚碸薄膜、聚醚亞胺薄膜、聚醚醚酮薄膜等的工程塑料薄膜。覆蓋絕緣層6的材料可以與基體絕緣層1的材料相同，也可以不同。
此外，導體圖案2的材料不限於銅，可以使用含銅的合金、鋁、銀等的其他金屬材料。
(6)各實施方式的效果在上述各實施方式中，通過粗化處理在配線電路基板100的彎曲部100a上的導體圖案2上形成粗化部5。通過在導體圖案2上形成的粗化部5，粘結覆蓋絕緣層6。
按照這樣的構成，可以防止因彎曲部100a和非彎曲部100b上的導體圖案2上的區域被粗化，而造成的高頻信號(例如100MHz以上或300MHz以上)傳送特性的惡化。
也就是，通過僅在彎曲部100a上的導體圖案2上的區域形成粗化部5，可以防止實際的傳送通路的長度變長。這樣，高頻信號的傳送特性不惡化。
此外，通過在彎曲部100a上的導體圖案2上的區域形成粗化部5，可以提高導體圖案2和覆蓋絕緣層6的粘結性能。這樣，可以防止在導體圖案2與覆蓋絕緣層6之間因彎曲或反覆彎曲而產生的剝離。
特別是在第一和第二實施方式的配線電路基板100中，在除與在彎曲部100a上的導體圖案2的絕緣層1粘結的面之外的面上，形成粗化部5。這樣，可以進一步提高導體圖案2和覆蓋絕緣層6的粘結性能。
此外，特別是在第三和第四實施方式的配線電路基板100中，在彎曲部100a上的導體圖案2的上面上形成粗化部5。這樣，還可以防止實際傳送通路的長度變長。這樣，還可以抑制或防止高頻信號的傳送特性的惡化。
在這樣的第三和第四實施方式的配線電路基板100中，還具有以下的效果。
也就是，在相互鄰接的導體圖案2中流過相互相反方向的電流的情況下，有時電流沿上述各導體圖案2的側面流動(鄰近效應)。因此如上所述，通過在彎曲部100a上的導體圖案2的上面上形成粗化部5，可以充分防止實際的傳送通路的長度變長。這樣，可以抑制或防止高頻信號的傳送特性的惡化。
(7)權利要求中的各構成要素和實施方式的各部的對應關係下面對權利要求中的各構成要素和實施方式的各構成部的對應的例子進行說明，但本發明不限於下述的例子。
在上述實施方式中，基體絕緣層1是絕緣層的例子，導體圖案2是配線層的例子，覆蓋絕緣層6是保護層的例子。粗化抗蝕層4是粗化用的抗蝕層的例子，平滑化抗蝕層8是平滑化用的抗蝕層的例子，電鍍抗蝕層3是電鍍用的抗蝕層的例子，蝕刻抗蝕層30是蝕刻用的抗蝕層的例子。
下面對本發明的實施例和對比例進行說明。
(1)實施例1按照上述第一實施方式製造了配線電路基板100。此外，下面除了具體的設計條件以外，對於與第一實施方式重複的部分省略其說明。
具體設計條件是使基體絕緣層1的厚度為12μm，導體圖案2的厚度為18μm。
此外，在粗化處理中，使用MacDermid公司制的MultiBond(MB-100)作為處理液，在32℃下浸漬1分鐘。粗化部5的表面粗糙度(算術平均高度)Ra為2μm。
(b)實施例2按照上述第二實施方式製造了配線電路基板100。此外，下面除了具體的設計條件以外，對於與第二實施方式重複的部分省略其說明。
具體設計條件是使基體絕緣層1的厚度為12μm，導體圖案2的厚度為18μm。
此外，粗化處理使用與上述實施例1相同的處理液，採用同樣的方法進行。粗化部5的表面粗糙度(算術平均高度)Ra為2μm。
此外，在平滑處理中，使用過硫酸鈉水溶液作為處理液。
(c)實施例3按照上述第三實施方式製造了配線電路基板100。此外，下面除了具體的設計條件以外，對於與第三實施方式重複的部分省略其說明。
具體設計條件是使基體絕緣層1的厚度為12μm，導體圖案2的厚度為18μm。
此外，粗化處理使用與上述實施例1相同的處理液，採用同樣的方法進行。粗化部5的表面粗糙度(算術平均高度)Ra為2μm。
(d)實施例4按照上述第四實施方式製造了配線電路基板100。此外，下面除了具體的設計條件以外，對於與第四實施方式重複的部分省略其說明。
具體設計條件是使基體絕緣層1的厚度為12μm，導體圖案2a的厚度為20μm。
此外，粗化處理使用與上述實施例1相同的處理液，採用同樣的方法進行。粗化部5的表面粗糙度(算術平均高度)Ra為2μm。此外，在平滑處理中，使用與上述實施例2相同的處理液。
(e)對比例1除了不進行粗化處理以外，與上述實施例1相同，製造了配線電路基板。
也就是在本對比例中，由於在基體絕緣層1上形成的導體圖案2的表面上，不形成粗化部5，所以彎曲部100a和非彎曲部100b中的導體圖案2的整個表面平滑。此外，導體圖案2的表面粗糙度(算術平均高度)Ra為不到1.0μm。
(f)對比例2除了不進行平滑處理以外，與上述的實施例2相同，製造了配線電路基板。
也就是，在本對比例中，在彎曲部100a和非彎曲部100b中的導體圖案2的整個表面上形成有粗化部5。粗化部5的表面粗糙度(算術平均高度)Ra為2μm。
(g)評價對在實施例1～4中製造的各配線電路基板100、以及在對比例1、2中製造的各配線電路基板進行了彎曲可靠性試驗。其中，所謂彎曲可靠性試驗是對配線電路基板進行反覆彎曲(彎曲動作)後，調查了導體圖案2和覆蓋絕緣層6之間是否產生剝離的試驗。
其結果是在實施例1～4的各配線電路基板100、以及對比例2的配線電路基板的彎曲部100a中，在導體圖案2和覆蓋絕緣層6之間沒有產生剝離，而在對比例1的配線電路基板的彎曲部100a中，在導體圖案2與覆蓋絕緣層6之間產生剝離。
此外，在實施例1～4的各配線電路基板100、以及對比例1的配線電路基板中，高頻特性中在頻率1GHz的傳送損失為0.1dB/cm，而在對比例2的配線電路基板中，高頻特性中在頻率1GHz的傳送損失為0.5dB/cm，明顯惡化。
從以上的結果可以確認，通過僅在彎曲部100a上的導體圖案2上的區域形成粗化部5，可以防止實際的傳送通路的長度變長，高頻信號的傳送特性不惡化。
此外可以確認，通過在彎曲部100a上的導體圖案2上形成粗化部5，可以提高導體圖案2和保護絕緣膜6的粘結性能。
權利要求
1.一種配線電路基板，具有在使用時彎曲的彎曲部和在使用時不彎曲的非彎曲部，其特徵在於，包括跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設置的絕緣層；在所述絕緣層上形成的配線層；和覆蓋所述配線層而在所述絕緣層上形成的保護層，其中，所述彎曲部中的所述配線層的表面區域被粗化。
2.根據權利要求1所述的配線電路基板，其特徵在於被粗化的所述區域包括所述配線層與所述絕緣層的界面和相反一側的面的區域。
3.根據權利要求1所述的配線電路基板，其特徵在於被粗化的所述區域的算術平均高度比未粗化的其他區域的算術平均高度大。
4.根據權利要求3所述的配線電路基板，其特徵在於被粗化的所述區域的算術平均高度為1μm以上、3μm以下。
5.根據權利要求1所述的配線電路基板，其特徵在於所述配線層具有在所述彎曲部中相互並列延伸的多個配線層，所述多個配線層相互相對的面未被粗化。
6.根據權利要求5所述的配線電路基板，其特徵在於所述多個配線層相互相對的面的算術平均高度比被粗化的所述區域的算術平均高度小。
7.一種配線電路基板的製造方法，該配線電路基板具有在使用時彎曲的彎曲部和在使用時不彎曲的非彎曲部，其特徵在於，包括在跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設置的絕緣層上，形成在所述彎曲部中的表面區域被粗化的配線層的工序；和在所述絕緣層上形成保護層，以覆蓋所述彎曲部和所述非彎曲部中的所述配線層的工序。
8.根據權利要求7所述的配線電路基板的製造方法，其特徵在於形成所述配線層的工序包括在跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設置的絕緣層上形成1個或多個配線層的工序；在除所述彎曲部之外的所述配線層的表面區域，形成粗化用的抗蝕層的工序；對未形成所述粗化用的抗蝕層的所述配線層的表面區域進行粗化的工序；和去除所述粗化用的抗蝕層的工序。
9.根據權利要求7所述的配線電路基板的製造方法，其特徵在於形成所述配線層的工序包括在跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設置的絕緣層上形成配線層的工序；對所述配線層的表面進行粗化的工序；在除所述非彎曲部之外的所述配線層的表面區域，形成平滑化用的抗蝕層的工序；進行使未形成所述平滑化用的抗蝕層的所述配線層的表面區域平滑化的工序；和去除所述平滑化用的抗蝕層的工序。
10.根據權利要求7所述的配線電路基板的製造方法，其特徵在於形成所述配線層的工序包括在跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設置的絕緣層上，使用與所述配線層相反圖案的電鍍用抗蝕層形成所述配線層的工序；在所述非彎曲部中的所述配線層的表面區域和所述電鍍用的抗蝕層上形成粗化用的抗蝕層的工序；對未形成所述粗化用的抗蝕層的所述配線層的表面區域進行粗化的工序；和去除所述電鍍用的抗蝕層和所述粗化用的抗蝕層的工序。
11.根據權利要求7所述的配線電路基板的製造方法，其特徵在於形成所述配線層的工序包括使跨越所述彎曲部和所述非彎曲部而設置、包括絕緣層和導體層的疊層板中的所述導體層的表面進行粗化的工序；在所述導體層表面的規定區域形成蝕刻用的抗蝕層，除去所述規定的區域，通過對所述導體層進行蝕刻，在所述絕緣層上形成配線層的工序；去除所述蝕刻用的抗蝕層的工序；在所述彎曲部中的配線層的表面區域形成平滑化用的抗蝕層的工序；使未形成所述平滑化用的抗蝕層的所述配線層的表面區域平滑的工序；和去除所述平滑化用的抗蝕層的工序。
12.根據權利要求7所述的配線電路基板的製造方法，其特徵在於所述配線層在所述彎曲部中具有相互並排延伸的多個配線層，形成所述配線層的工序包括除所述多個配線層相互面對的面之外，使所述彎曲部中的表面區域粗化。
全文摘要
本發明的配線電路基板具有彎曲部和非彎曲部。跨越彎曲部和非彎曲部而設置基體絕緣層。在絕緣層上形成多個導體圖案。在絕緣層上形成覆蓋絕緣層，以覆蓋多個導體圖案。對彎曲部上的多個導體圖案的表面區域進行粗化。
文檔編號H05K3/38GK101080136SQ20071010552
公開日2007年11月28日 申請日期2007年5月25日 優先權日2006年5月26日
發明者本上滿, 花園博行 申請人:日東電工株式會社