一種多晶矽線痕片的制絨方法
2023-10-09 22:40:19
專利名稱：一種多晶矽線痕片的制絨方法
技術領域：
本發明涉及太陽能電池技術領域，具體涉及一種多晶矽線痕片的制絨方法。
背景技術：
在能源與環境日趨緊張的今天，光伏行業得到了飛速的發展。為了節省企業的經濟成本，增加企業的經濟效益，降低生產成本、提高太陽能電池的效率已經成為眾多企業所研究的重點。如圖1所示，矽片經常容易出現線痕，線痕是影響矽片表面質量的一個重要因素，矽片質量的好壞直接關係到電池片的製造和加工，早期電池片生產所用到的矽片較厚， 如今在矽片的生產過程中比較容易出現線痕問題，我們可以使用拋光研磨去除矽片線痕， 光伏行業的矽片越來越薄，在原料緊缺的情況下，不可能把原料浪費在研磨損失上，而且增加工藝會增加成本，研磨工藝在太陽能電池行業是不適用的。如圖2所示，在現有制絨方法中，電池片生產過程需要利用化學腐蝕製備絨面，線痕是影響矽片表面質量的一個重要因素，線痕的存在還會影響電池片的生產工藝，電池片生產過程需要利用化學腐蝕製備絨面， 線痕可能會影響腐蝕，增加電池片製備的困難並且影響轉換效率，同時從組件的角度講，影響組件外觀，長期使用易造成破片或功率衰減，大大降低了產品的使用性，造成資源的浪費，給人們帶來不便。發明內容
本發明的目的是提供一種多晶矽線痕片的制絨方法，以克服目前現有方法中存在的資源浪費，經濟成本高以及長期使用會造成破片或功率減退等不足。
本發明的目的是通過以下技術方案來實現一種多晶矽線痕片的制絨方法，包括以下步驟(1)在8°C 10°C恆溫槽內配製硝酸和氫氟酸的混合溶液，該混合溶液為制絨液；(2)將多晶矽線痕片進行裝載，然後在制絨液中制絨清洗，清洗I 3分鐘；以及(3)制絨清洗後，將多晶矽線痕片依次進行純水清洗、鹼洗、第二次純水清洗、去離子清洗以及第三次純水清洗過程，然後將矽片在溫度為40°C的空氣下烘乾，最後將矽片卸載，得到制續後的娃片。
進一步的，所述步驟(I)中，硝酸的濃度為33% 35%，氫氟酸的濃度為5% 6%。
優選的，所述步驟(3)中，所述鹼洗溶液為濃度為8%的氫氧化鈉溶液；所述步驟(3)中，所述去離子清洗液為濃度為5%的鹽酸溶液。
本發明的有益效果為本發明的工藝過程簡單，便於操作，使用拋光和制絨一步處理，大大縮短了制絨反應時間，同時處理後的多晶矽線痕片 表面形成均勻絨面，有效去除了切割所產生的線痕，有利於提高太陽能電池的工作效率，提高了電池的吸光能力，可用於大規模的生產。
下面根據附圖對本發明作進一步詳細說明。
圖1是在顯微鏡下經放大50倍的多晶矽線痕片形貌圖；圖2是現有制絨方法處理後，在顯微鏡下經放大50倍的多晶矽線痕片絨面形貌圖；圖3是本發明制絨方法處理後，在顯微鏡下經放大50倍的多晶矽線痕片絨面形貌圖。
具體實施方式
本實施所述的一種多晶矽線痕片的制絨方法，包括以下步驟(1)在8°C 10°C恆溫槽內配製硝酸和氫氟酸的混合溶液，該混合溶液為制絨液，其中，硝酸的濃度為33% 35%，氫氟酸的濃度為5% 6% ；(2)將多晶矽線痕片進行裝載，然後在制絨液中制絨清洗，清洗I 3分鐘；以及(3)制絨清洗後，將多晶矽線痕片依次進行純水清洗、鹼洗、第二次純水清洗、去離子清洗以及第三次純水清洗過程，然後將矽片在溫度為40°C的空氣下烘乾，最後將矽片卸載，得到制續後的娃片。
所述步驟(I)中，硝酸的濃度為33% 35%，氫氟酸的濃度為5% 6% ;所述步驟(3)中，所述鹼洗溶液為濃度為8%的氫氧化鈉溶液；所述步驟(3)中，所述去離子清洗液為濃度為5%的鹽酸溶液。
使用本發明的制絨方法處理後，如圖3所示，矽片表面多晶矽絨面均勻，外觀良好，有利於提高太陽能電池的效率，與現有的處理方法相比，本發明在制絨槽中提高了反應溶液中硝酸的濃度，使得矽片表面的線痕很好的拋光，在相同條件下，又獲得了 I 3μπι且均勻的絨面，而且腐蝕掉的多晶矽的厚度為6 10 μ m ;另外本發明使用拋光和制絨一步處理，縮短了制絨反應的時間，操作過程簡單，不僅節省了資源，而且保證了矽片的使用質量， 給人們帶來方便，很具有實用性。
雖然以上僅描述了本發明的具體實施方式
範例，但是本領域的技術人員應當理解，這些僅是舉例說明，本發明的保護範圍是由所附權利要求書限定的。本領域的技術人員在不背離本發明的原理和實質的前提下，可以對這些實施方式做出多種變更或修改，但這些變更或修改均落入本發明的保護範圍。
權利要求
1.ー種多晶矽線痕片的制絨方法，其特徵在於，包括以下步驟 (1)在8°C 10°C恆溫槽內配製硝酸和氫氟酸的混合溶液，該混合溶液為制絨液； (2)將多晶矽線痕片進行裝載，然後在制絨液中制絨清洗，清洗I 3分鐘；以及 (3)制絨清洗後，將多晶矽線痕片依次進行純水清洗、鹼洗、第二次純水清洗、去離子清洗以及第三次純水清洗過程，然後將矽片在溫度為40°C的空氣下烘乾，最後將矽片卸載，得到制續後的娃片。
2.根據權利要求1所述的ー種多晶矽線痕片的制絨方法，其特徵在於所述步驟(I)中，硝酸的濃度為33% 35%，氫氟酸的濃度為5% 6%。
3.根據權利要求1所述的ー種多晶矽線痕片的制絨方法，其特徵在於所述步驟(3)中，所述鹼洗溶液為濃度為8%的氫氧化鈉溶液。
4.根據權利要求1所述的ー種多晶矽線痕片的制絨方法，其特徵在於所述步驟(3)中，所述去離子清洗液為濃度為5%的鹽酸溶液。
全文摘要
本發明涉及一種多晶矽線痕片的制絨方法，包括以下步驟(1)在8℃～10℃恆溫槽內配製硝酸和氫氟酸的混合溶液，該混合溶液為制絨液；(2)將多晶矽線痕片進行裝載，然後在制絨液中制絨清洗，清洗1～3分鐘；(3)制絨清洗後，將多晶矽線痕片依次進行純水清洗、鹼洗、第二次純水清洗、去離子清洗以及第三次純水清洗過程，然後將矽片在溫度為40℃的空氣下烘乾，最後將矽片卸載，得到制絨後的矽片。本發明的有益效果為工藝過程簡單，便於操作，使用拋光和制絨一步處理，大大縮短了制絨反應時間，同時處理後的多晶矽線痕片表面形成均勻絨面，有效去除了切割所產生的線痕，有利於提高太陽能電池的工作效率，提高了電池的吸光能力。
文檔編號C30B33/10GK103035780SQ20121057667
公開日2013年4月10日 申請日期2012年12月26日 優先權日2012年12月26日
發明者許穎, 武濤, 趙釗, 陳招銀, 鄭煒 申請人:太陽能光伏北京市工程研究中心有限公司