顯示裝置定時信號產生電路和包括該定時信號產生電路的顯示裝置的製作方法
2023-10-28 01:53:52
專利名稱：顯示裝置定時信號產生電路和包括該定時信號產生電路的顯示裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及顯示裝置的定時信號產生電路和包括定時信號產生電路的顯示裝置，更準確地說，涉及一種定時信號產生電路，它產生用於控制有源矩陣型顯示裝置的驅動系統的各種定時脈衝，以及包括定時信號產生電路的有源矩陣型顯示裝置。
背景技術：
近年來，可攜式終端，例如，可攜式電話機和個人數字助理(PDA)獲得了極大的普及。可攜式終端如此迅速普及的一個原因就是可攜式終端的輸出顯示部分包括了液晶顯示裝置。其原因在於液晶顯示裝置基本上不需要高功率驅動並且是一種低功耗顯示設備。
具有像素排列成行和列(一個矩陣)並分別被驅動的配置的顯示裝置、例如上述液晶顯示裝置包括以行為單位選擇像素的垂直驅動系統和將信息寫入由垂直驅動系統選中的行的每一個像素中的水平驅動系統。它們使用用於驅動控制所述驅動系統的各種定時脈衝。
根據水平同步信號HD、垂直同步信號VD和主時鐘信號MCK、使用專用的定時信號產生計數器電路等以合適的時序產生所述定時脈衝。產生定時脈衝的定時脈衝產生電路通常形成在單晶矽基片上，該基片與其上形成顯示區部分的基片相隔離。
其中，在以液晶顯示裝置為代表的顯示裝置中，如上所述，產生用於顯示驅動的各種定時信號的定時信號產生電路形成在與其上形成顯示區部分的基片分開的基片上，因此，用於構成該裝置的部件增加了，並且它們必須通過分開的工藝過程產生。因此，存在阻礙微型化和降低裝置成本的問題。
因此，本發明的目的是提供一種顯示裝置的定時信號產生電路、它有助於裝置的微型化和降低成本，以及包括該定時信號產生電路的顯示裝置。
發明內容
為了達到上述目的，根據本發明，一種顯示裝置包括以下各部分顯示區部分，其中，各自具有電光元件的像素排列成行和列；垂直驅動電路，用於以行為單位選擇顯示區部分的像素；以及水平驅動電路，用於將圖像信號提供給由垂直驅動電路選中的行中每一個像素，在這種顯示裝置中，這樣配置定時信號產生電路、使得它根據由垂直驅動電路和水平驅動電路中的至少一個產生的定時信息產生由垂直驅動電路和水平驅動電路中至少一個使用的定時信號。
在上述配置的定時信號產生電路中、或者在包括所述定時信號產生電路的顯示裝置中，根據由垂直驅動電路和水平驅動電路中至少一個產生的定時信息產生定時信號，這意味著垂直驅動電路和水平驅動電路中至少一個的一部分用於產生定時信號。因此，可以藉助於也用於產生定時信號的電路部分來簡化定時信號產生電路的電路配置。
圖1是顯示按照本發明的顯示裝置的配置實例的示意的配置視圖；圖2是顯示液晶顯示裝置顯示區部分配置實例的電路圖；圖3是顯示H驅動器具體配置實例的方框圖；
圖4是顯示按照本發明第一實施例的有源矩陣型顯示裝置的配置實例的方框圖；圖5是顯示定時信號產生電路的具體配置實例的方框圖；圖6是圖解說明所述定時信號產生電路的操作的時序圖；圖7是顯示按照本發明第二實施例的有源矩陣型顯示裝置的配置實例的方框圖；圖8是顯示負電壓產生型電荷泵型D/D轉換器的配置實例的電路圖；圖9是圖解說明負電壓產生型電荷泵型D/D轉換器的操作的時序圖；圖10是顯示增壓型電荷泵型D/D轉換器的配置實例的電路圖；圖11是圖解說明增壓型電荷泵型D/D轉換器的操作的時序圖；圖12是顯示按照本發明第三實施例的有源矩陣型液晶顯示裝置配置實例的方框圖，圖中顯示只在顯示區部分上側設置H驅動器的情況；圖13是顯示移位寄存器具體配置實例的方框圖；圖14是圖解說明移位寄存器操作的時序圖；圖15是顯示按照本發明第三實施例的有源矩陣型液晶顯示裝置配置實例的方框圖，圖中顯示在顯示區部分上側和下側都設置H驅動器的情況；圖16是圖解說明按照第三實施例的有源矩陣型液晶顯示裝置的操作的時序圖；圖17是顯示對電極電壓產生電路的具體配置實例的方框圖；圖18是圖解說明對電極電壓產生電路的操作的時序圖；圖19是顯示DC電平轉換電路配置實例的方框圖；圖20是顯示DC電壓產生電路具體配置第一實例的電路圖；圖21是顯示DC電壓產生電路具體配置第二實例的電路圖；圖22是顯示DC電壓產生電路具體配置第三實例的電路圖；
圖23是顯示DC電壓產生電路具體配置第四實例的電路圖；圖24是顯示DC電壓產生電路具體配置第五實例的電路圖；圖25是顯示參考電壓選擇型D/A轉換器電路的單元電路配置實例的電路圖；圖26是顯示參考電壓產生電路一般配置實例的電路圖；圖27是顯示參考電壓產生電路布局實例的方框圖；圖28是顯示參考電壓產生電路具體配置實例的電路圖；圖29是圖解說明參考電壓產生電路操作的時序圖；圖30是顯示對電極電壓產生電路應用實例的方框圖；圖31是具有雙柵極結構的TFT平面圖案的視圖；圖32是具有底柵極結構的TFT的剖面結構的視圖；圖33是具有頂柵極結構的TFT的剖面結構的視圖；圖34是具有雙柵極結構的TFT的剖面結構的視圖；圖35是顯示採樣鎖存電路的具體配置實例的電路圖；圖36是顯示按照本發明的顯示裝置的配置的另一個實例的示意的配置圖；以及圖37是顯示可攜式電話機的通用配置的外觀視圖，所述可攜式電話機是本發明應用於其中的可攜式終端。
具體實施例方式
下面參考附圖詳細說明本發明的各個實施例。
圖1是顯示按照本發明的顯示裝置的配置實例的示意的配置圖。作為例子，只對本發明用於有源矩陣型液晶顯示裝置一種情況進行了說明，在該裝置中，包括作為每一個像素的電光元件的液晶元件。
參考圖1，在透明絕緣基片、例如玻璃基片11上形成顯示區部分12，在該顯示區部分12中各自包含液晶元件的大量像素排列成矩陣。該玻璃基片11由第一基片和第二基片構成，在第一基片中，各自包含有源器件(例如，電晶體)的大量像素電路以行和列的形式排列，第二基片設置在第一基片的對面，它們中間留有預定的縫隙。液晶材料被密封在第一和第二基片之間的空間中，形成液晶顯示板。
圖2中示出顯示區部分12的具體配置實例。這裡，為了簡化附圖只示出3行(第n-1行至n+1行)和4列(第m-2列至第m+1列)的像素排列作為例子。在圖2中，垂直掃描線...，21n-1，21n，21n+1，...，和數據線...，22m-2，22m-1，22m，22m+1，...，以矩陣的形式布線，而單元像素23布置在垂直掃描線和數據線的每一個交叉點上。
單元像素23包括薄膜電晶體(薄膜電晶體；TFT)24，它是像素電晶體；液晶元件25，它是電光元件；以及存儲電容器26。這裡，液晶元件25意味著由薄膜電晶體(後面稱作為TFT)24構成的像素電極和在像素電極對面構成的對電極之間產生的液晶電容器。
TFT 24的柵極連接到垂直掃描線...，21n-1，21n，21n+1，...，而TFT 24的源極連接到數據線...，22m-2，22m-1，22m，22m+1，...。液晶元件25的像素電極連接到TFT 24的漏極，而液晶元件25的對電極連接到公用線27。存儲電容器26連接在TFT 24的漏極和公用線27之間。對電極的電壓(公共電壓)Vcom提供給公用線27。因此，，公共電壓Vcom加到液晶元件LC的、各個像素共同的對電極上。
上和下一對H驅動器(水平驅動電路)13U和13D以及V驅動器(垂直驅動電路)14與顯示區部分12一起以集成的方式形成在玻璃基地11上。顯示區部分12的每一條垂直掃描線...，21n-1，21n，21n+1，...的一個端子連接到各行中對應的一行的V驅動器14的輸出端子。
V驅動器14由例如移位寄存器形成並與垂直傳送時鐘VCK(未顯示)同步地連續地產生垂直選擇脈衝並將它加到垂直掃描線...，21n-1，21n，21n+1，...，以執行垂直掃描。同時，在顯示區部分12中，例如，每一個奇數數據線...，21m-1，21m+1，...的一個端子連接到各列中對應的一列的H驅動器13U的輸出端子，而偶數數據線...，22m-2，22m，...的其它每一個端子連接到各列中對應的一列的H驅動器13D的輸出端子。
在有源矩陣型液晶顯示裝置中，如果把來自V驅動器14的掃描信號輸送到垂直掃描線...，21n-1，21n，21n+1，...，那麼，與垂直掃描線連接的每一個像素的TFT 24的漏極和源極之間的電阻變小，應響應圖像信號而從每一個H驅動器13U和13D提供的電壓通過每一個數據線...，22m-2，22m-1，22m，22m+1，...，加到液晶元件的像素電極。於是，利用所述電壓完成對封閉在像素電極和對電極之間的液晶材料光學特性的調製、以便顯示圖像。
圖3顯示了H驅動器13U和13D的具體配置。如圖3所示，H驅動器13U包括移位寄存器31U；採樣鎖存電路(數據信號輸入電路)32U；行排序鎖存電路33U；以及D/A變換電路34U。移位寄存器31U順序地與水平發送時鐘HCK(未顯示)同步地從其每一個傳送級輸出位移脈衝，以執行水平掃描。採樣鎖存電路32U以點序列對響應提供給它的移位脈衝而輸入的預定比特的數字圖像數據進行採樣，以便鎖存所述數字圖像數據。
行排序鎖存電路33U再次以行為單位鎖存由採樣鎖存電路32U以點序列鎖存的數字圖像數據，並且一次一行地輸出數字圖像數據。D/A變換電路34U具有一種配置，例如，參考電壓選擇型電路，並將從行排序鎖存電路33U輸出的一行數字圖像數據變換成模擬圖像信號並提供給像素區部分12的數據線...，22m-2，22m-1，22m，22m+1，...。
同樣，下側H驅動器13D包括位移寄存器31D；採樣鎖存電路32D；行排序鎖存電路33D；以及參考電壓選擇型D/A變換電路34D，與上側H驅動器13U十分相似。應當指出，雖然根據本實例的有源矩陣型液晶顯示裝置採用在顯示區部分12的上側和下側設置H驅動器13U和13D的配置，但是，有源矩陣型液晶顯示裝置沒有這些限制，而可以採取另一種配置，其中，只在顯示區部分12的上側或者下側設置H驅動器13U和13D。
同樣，外圍電路，例如，定時信號產生電路15，電源電路16，對電極電壓產生電路17及參考電壓產生電路18與顯示區部分12一起集成在玻璃基片11上，這與H驅動器13U和13D及V驅動器14類似。根據這種集成結構，構成上述電路的所有電路元件，或者至少它們中的有源元件(或有源/無源元件)形成在玻璃基片11上。因此，由於沒有有源(或沒有有源/無源元件)出現在玻璃基片11外，所以可以簡化基片的外圍元件的配置、從而可以實現微型化和降低裝置成本。
這裡，例如，液晶顯示裝置具有這樣的配置，其中，H驅動器13U和13D設置在顯示區部分12的上側和下側，外圍電路、例如定時信號產生電路15、電源電路16、對電極電壓產生電路17及參考電壓產生電路18最好設置在沒有設置H驅動器13U和13D的一側或兩側的邊框(frame)區(顯示區部分12的外圍區域)。
其原因在於，由於當與上述V驅動器14比較並在大多數具有非常大的電路區域的情況下(這些電路設置在一側或兩側的邊框(frame)區中，H驅動器13U和13D未設置在其上)，H驅動器13U和13D包括大量元件，所以，外圍電路、例如定時信號產生電路15、電源電路16、對電極電壓產生電路17及參考電壓產生電路18都可以集成在同一玻璃基片11上，就象顯示區部分12那樣，不改變屏幕的有效比例(有效面積部分12與玻璃基片11的面積比)。
根據本實例的有源矩陣型液晶顯示裝置採用以下配置，其中，由於V驅動器14安裝在邊框區的沒有設置H驅動器13U和13D的兩側中的一側，所以，外圍電路、例如定時信號產生電路15、電源電路16、對電極電壓產生電路17及參考電壓產生電路18就被安裝在邊框區中所述一側的相對的一側。
圖4是顯示根據本發明第一實施例的有源矩陣型顯示裝置的配置實例的方框圖。這裡，為簡化附圖，只示出上側的H驅動器13U。然而，與下側的另一個H驅動器13D的關係也類似與H驅動器13U的關係。
定時信號產生電路15接收從外部作為輸入信號提供給它的水平同步信號HD，垂直同步信號VD及主時鐘MCK，並參考輸入信號、首先形成提供給H驅動器13U的移位寄存器31U的水平起動脈衝HST和水平傳送時鐘HCK，以及提供給V驅動器14的移位寄存器14A的垂直起動脈衝VST和垂直傳送時鐘VCK。
這裡，水平起動脈衝HST是在產生水平同步信號HD後的預確定時段後產生的脈衝信號，而水平傳送時鐘HCK是例如通過將主時鐘MCK分頻得到的脈衝信號。垂直起動脈衝VST是在產生垂直同步信號VD後的預定時段後產生的脈衝信號，垂直傳送脈衝VCK是例如通過將水平傳送時鐘HCK分頻得到的脈衝信號。
因此，定時信號產生電路15中用於根據水平同步信號HD、垂直同步信號VD和主時鐘MCK而產生水平起動脈衝HST、水平傳送時鐘HCK、垂直起動脈衝VST和垂直傳送脈衝VCK的電路，可以利用具有若干級的簡單計數器電路來實現。
還這樣配置定時信號產生電路15，使得它以輸入信號的形式接收從H驅動器13U的移位寄存器31U的適當的傳送級得到的定時數據，以及從V驅動器14的移位寄存器14A的適當的傳送級得到的定時數據(時間信息)，並根據輸入的定時數據產生H驅動器13U使用的時間脈衝和V驅動器14使用的時間脈衝。
這裡，與由H驅動器13U使用的定時脈衝一樣，例如可以得到圖3顯示的行排序鎖存電路33U使用的鎖存控制脈衝。然而，定時脈衝不局限於此。同時，與由V驅動器14使用的定時脈衝一樣，例如可以得到顯示周期控制脈衝，它用於在顯示裝置處於部分顯示模式時(其中僅僅在某些周期在顯示區部分12的垂直方向上執行顯示)確定顯示周期。但是，定時脈衝不局限於此。
圖5是顯示定時信號產生電路15具體配置實例的方框圖。這裡，僅對一種情況進行說明，其中，定時信號產生電路15產生由行排序鎖存電路33U使用的鎖存控制脈衝，所述鎖存控制脈衝是根據從H驅動器13U的移位寄存器31U向其提供的定時數據產生的，參見圖5，H驅動器13U的移位寄存器31U包括M級D類觸發器(下文稱作為DFFs)41-1至41-M，其中M大於顯示區部分12水平方向上的像素數目N。當向其提供水平起動脈衝HST時，具有剛剛說明的配置的移位寄存器31U與水平傳送時鐘HCK同步地執行操作。這樣，從DFFs 41-1至41-M的每一個Q輸出端輸出與水平傳送時鐘HCK同步的序列脈衝(定時信息)。
DFFs 41-1至41-M的Q輸出脈衝作為採樣脈衝連續地提供給採樣鎖存電路32U。而且，在適當的傳送級中，DFFs 41-1至41-M的Q輸出脈衝中的一些脈衝，這裡作為例子，第一級DFF 41-1的Q輸出脈衝A和第M-1級的DFF 41-M的Q輸出脈衝B被提供給定時信號產生電路15。
在定時信號產生電路15中，產生鎖存控制脈衝的鎖存控制脈衝產生電路42包括例如DFF 43和緩衝器44。DFF 43接收第一級上由移位寄存器31U提供作為輸入時鐘(CK)的DFF 41-1的Q輸出脈衝A，並且接收第M-1級上的DFF 41-M-1的Q輸出脈衝B用作清除(CLR)輸入，並且還接收DFF 43本身的倒相的Q輸出作為數據(D)輸入。
因此，正如從圖6的時序圖可以明顯看到的，在DFF 41-1的Q輸出脈衝A的上升沿的時間到DFF 41-M-1的Q輸出脈衝B的上升沿的時間後一個周期內，可以從DFF 43的Q輸出端子通過緩衝區44獲得呈現」H」電平(高電平)的脈衝，作為鎖存控制脈衝C。
如上所述，在顯示裝置的定時信號產生電路15中，為了產生由H驅動器13U和13D以及V驅動器14使用的定時脈衝，通常應用H驅動器13U和13D的移位寄存器31U和31D及V驅動器14的移位寄存器14A，並根據從移位寄存器獲得的時間數據產生定時脈衝。因此，不需要諸如計數器電路的專用電路，因而可以簡化電路配置。這樣，可以實現裝置的微型化、成本降低以及功耗降低。
特別是，由於定時信號產生電路15的電路配置非常簡單且功耗低，所以，將定時信號產生電路15與顯示區部分12一起象H驅動器13U和13D以及V驅動器14一樣集成在同一玻璃基片11上，從而可以實現減小邊框寬度、降低成本和減小顯示裝置的功耗。
應當指出，雖然在本實施例中已經說明用於參考水平同步信號HD、垂直同步信號VD及主時鐘MCK產生水平起動脈衝HST、水平傳送時鐘HCK、垂直起動脈衝VST和垂直傳送脈衝VCK的電路元件集成在玻璃基片11上，但是，上述電路元件可以形成在與玻璃基片分開的單獨的玻璃基片上。這是因為，由於電路元件可以使用簡單的計數器電路實現，因此，即使形成在分開基片上，外圍電路的配置也不會很複雜。
另外，雖然已經說明本實施例假設了這樣的配置，其中，利用移位寄存器形成H驅動器13U和13D以及V驅動器14，但是本發明不局限於使用移位寄存器的情況，而同樣可以應用於其它配置，其中，不同類型的計數器電路用於H驅動器13U和13D以及V驅動器14，唯一的條件是，它們對H驅動器13U和13D以及V驅動器14實行地址控制並執行產生時間數據的計數操作。
圖7是顯示根據本發明第二實施例的有源矩陣型顯示裝置的配置實例的方框圖，圖7中，與圖4的相同的元件用相同的參考字符表示。同樣，為了簡化附圖，這裡僅僅示出上側的H驅動器13U。然而，與下側的另一個H驅動器13D的關係類似於與H驅動器13U的關係。
這樣配置根據本實施例的有源矩陣型顯示裝置、使得定時信號產生電路15還產生由電源電路16使用的定時脈衝。電源電路16由例如電荷泵型的電源電壓轉換電路(DC-DC轉換器)構成，並將外部提供的單個DC電源電壓VCC轉換為多路相互有不同電壓值的DC電壓，並將這些DC電壓作為電源電壓提供給內部電路，諸如H驅動器13U和13D以及V驅動器14。
下面說明電源電路16的具體配置。作為一個例子，這裡只對電荷泵型電源電壓轉換電路(下文稱作為電荷泵型D/D轉換器)用作電源電路16的一種情況進行說明。
圖8是顯示負電壓產生型電荷泵型D/D轉換器的電路圖。對於電荷泵型D/D轉換器，從定時信號產生電路15提供作為定時脈衝的用於執行切換操作的時鐘脈衝和用於執行嵌位操作的嵌位脈衝。
參見圖8，P溝道MOS電晶體Qp11和N溝道MOS電晶體Qn11串連在提供單個DC電源電壓VCC的電源和地線(GND)之間，並且其柵極按通常方法連接，從而構成CMOS倒相器45。定時信號產生電路15提供的定時脈衝用作CMOS倒相器45的柵極公共結點的切換脈衝。
電容器C11的一個端子連接到CMOS倒相器45的漏極公共結點(結點B)。電容器C11的另一個端子連接到N溝道MOS電晶體Qn12的漏極和P溝道MOS電晶體Qp12的源極。負載電容器C12連接在N溝道MOS電晶體Qn12的源極和地線之間。
電容器C13的一個端子與CMOS倒相器45的柵極公共結點連接。電容器C13的另一個端子與二極體D11的正極連接。另外，N溝道MOS電晶體Qn12和P溝道MOS電晶體Qp12的柵極與電容器C13的另一個端子連接。P溝道MOS電晶體Qp12的漏極接地。
P溝道MOS電晶體Qp13連接在電容器C13的另一個端子和地之間。由定時信號產生電路15提供的定時脈衝、即嵌位脈衝，在由電平移位電路46進行電平移位後提供給P溝道MOS電晶體Qp13的柵極。P溝道MOS電晶體Qp13和電平移位電路46構成對切換電晶體(N溝道MOS電晶體Qn12和P溝道MOS電晶體Qp12)的切換脈衝電壓進行嵌位的嵌位電路。
在所述嵌位電路中，電平移位電路46使用輸入到D/D轉換器的DC電源電壓VCC作為正側電路電源，並且使用從顯示區部分12的相對端子導出的D/D轉換器輸出電壓Vout作為負側電路電源，然後對從定時信號產生電路15提供的幅度為Vcc-O[V]的嵌位脈衝進行電平移位，成為另一個幅度為Vcc-Vout[V]的嵌位脈衝，並將電平移位後的嵌位脈衝加到P溝道MOS電晶體Qp13的柵極。這樣，P溝道MOS電晶體Qp13的切換操作就以更高的可靠性實現。
現在，參考圖9的時序圖來描述具有上述配置的負電壓產生型電荷泵型D/D轉換器的電路操作。在該時序圖中，波形A至G分別表示圖8電路中結點A至G的信號的波形。
當起動電源時(當起動時)，利用二級管D11的閾電壓Vth對基於由定時信號產生電路15提供的切換脈衝的電容器C13的輸出電位、即、結點D上的電位進行「H」電平嵌位，將其嵌位在從地(GND)電平進行電平移位後的電位，所述地電平為負側電路的電源電位。
因此，當切換脈衝電平為「L」(0V)時，由於P溝道MOS電晶體Qp11和Qp12處於接通狀態，所以電容器C11被充電。這時，由於N溝道MOS電晶體Qn11處於截止狀態，所以結點B上的電位等於Vcc電平。因此，當切換脈衝改變為「H」電平(Vcc)時，N溝道MOS電晶體Qn11和Qn12處於接通狀態，而結點B上的電位就等於地電位(0V)。因此，結點C上的電位等於-Vcc電平。結點C上的電位通過N溝道MOS電晶體Qn12並產生輸出電壓Vout(＝-Vcc)。
然後，當輸出電壓Vout上升到某種程度(直到起動過程完成)時，嵌位脈衝的電平移位電路46開始運行。在電平移位電路46開始運行後，由定時信號產生電路15提供的幅度為Vcc-0[V]的嵌位脈衝，被電平移位電路46電平移位到幅度為Vcc-Vout[V]的嵌位脈衝，以後就加到P溝道MOS電晶體Qp13的柵極上。
此時，由於嵌位脈衝的「L」電平為輸出電壓Vout、即-Vcc，所以P溝道MOS電晶體Qp13可以認為確實處於接通狀態。因此，結點D上的電位沒有被地電平的二極體D11的閾電壓Vth嵌位在電平移位後的電位上，而是嵌位在地電平(負側電路的電源電位)上。因此，在電荷泵型電路的以後的泵激運行中，P溝道MOS電晶體Qp12可以獲得足夠的驅動電壓。
在上述配置的電荷泵型D/D轉換器中，在電荷泵型D/D轉換器的輸出部分的切換元件(N溝道MOS電晶體Qn12和P溝道MOS電晶體Qp12)的控制脈衝電壓(切換電壓)的嵌位操作分二個步驟實現，包括首先由二極體D11嵌位，然後由P溝道MOS電晶體Qp13和電平移位電路46構成的嵌位電路，在完成起動過程後嵌位。因此，P溝道MOS電晶體Qp12能夠獲得足夠的驅動電壓。
這樣，由於從P溝道MOS電晶體Qp12可以獲得足夠的切換電流，就能夠實現穩定的DC-DC轉換操作，並可以提高轉換效率。特別是，即使P溝道MOS電晶體Qp12的電晶體尺寸沒有增大，由於能夠獲得足夠的切換電流，大電流容量的電源電壓轉換電路能夠用一個小面積電路實現。該效應特別對具有高閾電壓Vth的電晶體，例如，薄膜電晶體的應用有效。
增壓型電荷泵型D/D轉換器的配置示於圖10。同樣，增壓型D/D轉換器在基本電路配置和電路運行類似於負電壓產生型D/D轉換器。
更詳細地說，參見圖10，這樣配置增壓型電荷泵型D/D轉換器，使得切換電晶體和嵌位電晶體(MOS電晶體Qp14，Qn14和Qn13)具有與圖8電路的MOS電晶體Qn12、Qp12和Qp13相反的導電類型，並且二極體D11連接在電容器C11的另一個端子和電源(VCC)之間，此外，電平移位電路46使用當前電路的輸出電壓Vout作為正側電路的電源並使用地電平作為負側電路的電源，在這方面不同於圖8電路的配置。
增壓型電荷泵型D/D轉換器與圖8電路在電路操作方面基本上完全相同。所述電路操作僅僅在切換脈衝電壓(控制脈衝電壓)上不同，該電路的切換脈衝電壓在起動時首先由二極體嵌位，然後在起動過程完成後被嵌位在VCC電平(正側電路電源電位)上，並導出電源電壓VCC兩倍的電壓值2×VCC作為輸出電壓Vout。圖10的電路中結點A至G上的信號波形A至G的時序圖示於圖11。
上述電荷泵型D/D轉換器的電路配置只不過是例子，所述電荷泵電路的電路配置可以用不同形式修改，並不局限於上述電路配置實例。
應當指出，在上述第一和第二實施例中，由H驅動器13U和13D的鎖存電路27U和27D使用的鎖存控制脈衝和切換脈衝以及由電荷泵型電源電壓轉換器電路構成的電源電路16使用的嵌位脈衝都作為由定時信號產生電路15產生的定時脈衝的實例，由定時信號產生電路15產生的定時脈衝不局限於這些。
作為實例，這樣配置V驅動器14、使得它包括輸出允許電路，該電路在接收到輸出允許脈衝時輸出掃描脈衝，所述輸出允許電路使用的輸出允許脈衝可以由定時信號產生電路15產生，或者，這樣配置顯示裝置、使得它有選擇地執行部分屏幕顯示模式，僅用顯示區部分的一部分區域顯示信息，這是一種省電方式，所述部分屏幕顯示模式的控制信號(控制脈衝)可以由定時信號產生電路15產生。
順便提一下，通常，具有彼此相反的相位的兩種發送時鐘被用於由H驅動器的13U和13D或者V驅動器14構成的移位寄存器的每一個發送狀態。然而，這裡採用這樣的配置、其中由兩根時鐘線發送雙相位傳送時鐘並且所述雙相位傳送時鐘被提供給移位寄存器的每一個傳送級，由於在它們將雙相位發送時鐘發送給移位寄存器的每一個發送階段的同時、兩根時鐘線必然互相交叉，所以存在這樣的可能性可能增加電源的消耗並且由於布線線路的交叉部分的負載電容的增加可能引起相位的延遲。
此外，在H驅動器13U和13D中，例如，在數字接口驅動電路情況下，如上所述，由於這樣配置所述數字接口驅動電路、使得它除了移位寄存器31U和31D之外還包括採樣鎖存電路32U和32D、行排序鎖存電路33U和33D以及D/A轉換電路34U和34D，所以，分別傳送雙相位傳送時鐘的兩根線在許多位置上相互交叉，因而，存在這樣的可能性可能增加功率消耗，並且交叉位置的負載電容可能引起相位的延遲。對於H驅動器13U和13D來說，由於傳輸頻率高，這種影響特別明顯。
考慮到這種情況，根據下述第三實施例的顯示裝置，例如，將配置有源矩陣型液晶顯示裝置。圖12是顯示根據本發明第三實施例配置的有源矩陣型液晶顯示裝置實例的方框圖，而且在圖12中，用類似的參考字符表示類似於圖4的那些元件。
在根據本實施例的有源矩陣型液晶顯示裝置中，假定在H驅動器13中，移位寄存器31被安排在相對於顯示區部分12的最外邊。而且，由定時信號產生電路15產生的各種定時信號中，水平傳送時鐘HCK是通過將主時鐘MCK一分為二得到的單相位時鐘。這裡，主時鐘MCK的時鐘(點時鐘)頻率取決於顯示區部分12的水平方向上的像素(點)數目。
單相位水平傳送時鐘HCK通過緩衝電路52加到被布線在相對於顯示區部分12的移位寄存器31更外面的時鐘線51。時鐘線51沿著移位寄存器31的傳送(移位)方向布線，並將單相位水平傳送時鐘HCK加到移位寄存器31的各個傳送級。
這裡，這樣配置有源矩陣型液晶顯示裝置、使得移位寄存器31布置在相對於顯示區部分12的最外邊，這樣，用於發送單相位水平傳送時鐘HCK的時鐘線51布線在比移位寄存器31更外邊，時鐘線51可以與輸出布線線路無交叉地從移位寄存器31連接到移位寄存器31的下一級採樣嵌位電路32上。因此，時鐘線51的布線線路電容可以降低，所以，水平傳送時鐘HCK的頻率可以提高，並可以降低功耗。
特別是，由於單相位水平傳送時鐘HCK是通過將點時鐘一分為二得到的時鐘信號，所以水平傳送時鐘HCK的頻率就為點時鐘的一半，因而，通過降低時鐘頻率可以進一步降低功耗。另外，由於高速電路操作是可能的，期望進一步提高解析度，單個H驅動器就可以處理這些，不需要設置多個並行處理的H驅動器，因而，可以不增加接口的端子數目或者不執行並行處理就能實現高解析度顯示裝置。
(移位寄存器31的具體實例)圖13是顯示移位寄存器31的具體電路配置的方框圖。這裡，為了簡化附圖，只示出第n級的傳送級31n和第n+1級的另一個傳送級31n+1級。然而，其它傳送級也有十分相同的配置。而且，為了說明具體配置，作為例子，只對第n級的傳送級31n作了說明。
參見圖13，開關51連接在時鐘線51和第n級的傳送級31n之間。在時鐘選擇控制電路(在下文說明)的控制下，開關53執行通(接通)/斷(斷開)操作，從而把由時鐘線51向其發送的水平傳送時鐘HCK選擇性地提供給第n級傳送級31n。
第n級的傳送級31n包括鎖存電路54，用於鎖存通過開關53選擇性地向其提供的水平傳送時鐘HCK；緩衝電路55，用於把鎖存電路54的鎖存脈衝提供給下一級的採樣鎖存電路32U；以及時鐘選擇控制電路，例如，「或」電路，用於根據前一級的鎖存脈衝Ain和本級的鎖存脈衝Aout把開關56控制在通和斷之間。
現在參考圖14的時序圖，說明具有上述配置的移位寄存器31的電路操作。
當從前一級(第n-1級)傳送級輸入鎖存脈衝Ain時，鎖存脈衝Ain通過「或」電路56並提供給開關53以便使開關53執行接通操作。因此，由時鐘線51發送的水平傳送時鐘HCK通過開關53提供給第n級傳送級31n並由鎖存電路54鎖存。
在鎖存脈衝Ain消失後，本級的鎖存電路54的鎖存脈衝Aout通過「或」電路56提供給開關53使開關53保持接通狀態。然後，當本級鎖存脈衝Aout也消失後，開關53切換到斷開狀態。應當指出，正如從圖14的時序圖可以明顯看到的，在水平傳送時鐘HCK和每一級的鎖存脈衝Aout或Bout之間出現一些延遲(Δt)，所述延遲對應於水平傳送時鐘HCK通過開關53鎖存電路54所需要的時間。
開關53連接在用於傳送單相位水平傳送時鐘HCK的時鐘線51和移位寄存器31的每一個傳送級之間，並且僅僅在需要水平傳送時鐘HCK的傳送級中，開關53才以這種方式執行接通操作，由於僅僅在需要的時候時鐘線51才有選擇地連接到各個傳送級，所以可以進一步減小每一個傳送級的時鐘線51的布線電容。因此，可以實現移位寄存器31的更高速的電路操作並進一步降低功耗。
應當指出，由於第n級的傳送級31n鎖存水平傳送時鐘HCK的正脈衝，所以其鎖存電路的鎖存輸出直接產生鎖存脈衝Aout，但是，由於下一個傳送級31n+1鎖存水平傳送時鐘HCK的負脈衝，所以其鎖存電路的鎖存脈衝被倒相電路57作極性倒置、產生鎖存脈衝Bout。同樣，在本電路實例中，將點時鐘一分為二得到的時鐘作為單相位水平傳送時鐘HCK。
另外，雖然在本電路實例中以每一個傳送級由鎖存電路和時鐘選擇控制電路構成作為例子描述了移位寄存器，但是，使用時鐘控制的倒相器代替鎖存電路來構成每一個傳送級也是可能的。然而，在鎖存電路通常具有兩個倒相器並行並且以彼此相反的方向連接的電路配置的時候，由於這樣配置所述定時倒相器、使得切換電晶體布置在鎖存電路的電源側/地線側，所以前者的電路配置具有以下優點由於其電晶體數目較少而能夠實現更高速的電路。
應當指出，雖然在本實施例中以本發明用於液晶顯示裝置、其中H驅動器13隻設置在相對於顯示區部分12的上側作為例子進行了描述，但是，本發明也可以用於另一種液晶顯示裝置，其中，類似於第一和第二實施例中那樣，H驅動器13U和13D設置在相對於顯示區部分12的上側和下側。圖15顯示了該情況下的配置示例。
這樣，採取所述配置、其中、相對於顯示區部分12設置一對上側和下側H驅動器13U和13D，它具有能夠壓縮通常的邊框(frame)區域的優點。這是因為，由於邊框(frame)區域是基本的要求，這裡，需要彼此相等的電路區域的各H驅動器被分立地設置在相對的兩側，這比將這些H驅動器只設置在一側能夠更有效地利用所要求的最小邊框面積，因此，可以壓縮相對的兩側的邊框區域的總面積。
另外，由於可以將顯示區部分12的數據線...，22m-2，22m-1，22m，22m+1，...的驅動分配給一對H驅動器13U和13D，因此可以壓低包含在H驅動器13U和13D中的移位寄存器31U和31D的傳送頻率，這就允許擴大操作範圍和處理高解析度顯示單元。
這裡，在所述一對H驅動器13U和13D中，移位寄存器31U和31D設置在相對於顯示區部分12的最外側、並且傳送兩種水平傳送時鐘HCK1和HCK2的時鐘線51U和51D被設置在更外側。兩種水平傳送時鐘HCK1和HCK2都是單相位時鐘，並且由於它們是通過定時信號產生電路15將點時鐘一分為四產生的、而H驅動器13U和13D交替地驅動數據線...，22m-2，22m-1，22m，22m+1，...，所以它們具有這樣一種關係一個時鐘的相位相對於另一個相移90度。
圖16圖解說明點時鐘、數據信號、兩個水平傳送時鐘CHK1和CHK2、起動脈衝HST1和HST2、移位寄存器1(31U)的第一、第二和第三級的輸出脈衝以及移位寄存器2(31D)的第一、第二和第三級的輸出脈衝的時序。
如上所述，在具有所述配置的有源矩陣型液晶顯示裝置中、其中、H驅動器13U和13D成對設置在顯示區部分12的上側和下側、在那裡、移位寄存器31U和31D被設置在相對於顯示區部分12的最外側、而用於傳送兩個不同水平傳送時鐘HCK1和HCK2的時鐘線51U和51D被布線在移位寄存器31U和31D的更外側，實現了以下操作和效果。具體地說，由於H驅動器13U和13D成對地設置，所以移位寄存器31U和31D的傳送頻率可以降低。此外，由於時鐘線51U和51D的布線電容可以如上所述降低，就可以期望提高水平傳送時鐘HCK1和HCK2的頻率，並能夠降低功耗。
應當指出，雖然在本實施例中以下面的情況作為實例進行了描述H驅動器13、13U和13D具有由以下部件構成的數字接口驅動配置移位寄存器、採樣鎖存電路、行排序鎖存電路以及D/A轉換電路，但是，類似地，本發明也能適用於採用由移位寄存器和模擬採樣電路構成的模擬接口驅動配置的場合。
順便說說，作為有源矩陣型液晶顯示裝置的驅動方法之一，已知一種通用的反向驅動方法。這裡，所述通用的反向驅動方法是這樣一種驅動方法，其中，加到每一個像素的液晶元件的、所述各像素共同的對電極上的對電極電壓(公用電壓)Vcom在每一個1H(H是水平掃描周期)期間倒相。這裡，所述通用的反向驅動方法與例如1H反向驅動方法一起使用，在所述1H反向驅動方法中，加到每一個像素的圖像信號的極性在每一個1H期間倒相，由於在每一個1H期間、對電極電壓Vcom的極性也和1H期間圖像信號的反向極性一起倒相，所以可以降低水平驅動系統(H驅動器13U和13D)的電源電壓。
所述對電極電壓Vcom由對電極電壓產生電路17(參見圖1)產生。傳統上，對電極電壓產生電路17是在分開的晶片上利用單晶矽IC構成或在印刷電路版上由與在其上形成了顯示區部分12的玻璃基片11分開的分立部件構成的。
然而，如果對電極電壓產生電路17形成在分開的晶片或印刷電路版上，那麼，由於該裝置的部件數目增加以及它們必須通過不同的工藝過程彼此單獨地製成，這阻礙了裝置的微型化和降低成本。從剛剛說明的這種觀點出發，本發明採用的配置是類似於H驅動器13U和13D及V驅動器14，將對電極電壓產生電路17集成在與顯示區部分12的相同的玻璃基片11上。
(對電極電壓產生電路的配置實例)圖17是顯示對電極電壓產生電路17配置實例的方框圖。根據本實例的對電極電壓產生電路17包括開關電路61，用於在固定的周期中切換正側電源電壓VCC和負側電源電壓VSS、以便輸出其中的一個；以及DC電平轉換電路62，用於所述開關電路61的輸出電壓VA的DC電平並將得到的電壓作為對電極電壓Vcom輸出。
開關電路61包括接收正側電源電壓VCC作為其輸入的開關SW1和接收負側電源電壓VSS作為其輸入的另一個開關SW2。利用彼此相位相反的控制脈衝φ1和φ2切換開關SW1和SW2、以便在固定周期中、例如在1H周期中有交替地輸出正側電源電壓VCC和負側電源電壓VSS。因此，從開關電路61輸出幅度為VSS或VCC的電壓VA。
DC電平轉換電路62對開關電路61的幅度為VSS或VCC的輸出電壓VA進行電平轉換、例如轉換成幅度為VSS-ΔV或VCC-ΔV的DC電壓並將該DC電壓作為對電極電壓Vcom輸出。把在1H周期中極性反轉的對電極電壓Vcom提供給圖2的公用線27、以便實行通用反向驅動。圖18圖解說明控制脈衝φ1和φ2、輸出電壓VA和對電極電壓Vcom的時序。應當指出，在控制脈衝φ1和φ2與輸出電壓VA之間出現一些延遲(Δt)。
DC電平轉換電路62可以以各種不同的電路配置構成。圖19中示出它們中的一種特定的配置實例。根據本實例的DC電平轉換電路62具有簡單的配置，它包括電容器621，用於清除從開關電路61提供的電壓VA的DC分量；以及DC電壓產生電路622，用於產生提供給通過電容器621的電壓VA的預定的DC電壓。
在包括利用電容器621的DC電平轉換電路62的對電極電壓產生電路17象上述那樣與顯示區部分12集成在同一玻璃基片11上的情況下，由於電容器621需要大的面積，因此，如果不將電容器621與顯示區部分12集成在一起而是將其作為一個分立部件構成，那麼，這在大多數情況下都是有利的。因此，只有電容器621應該形成在玻璃基片11外面，而其它電路元件、即開關電路61和DC電壓產生電路622都與顯示區部分12集成在同一玻璃基片11上。
在這種情況下，由於TFT用作顯示區部分12的像素電晶體，所以所述TFT也應該用作組成對電極電壓產生電路17的開關電路61的電晶體。由於近年來性能的改進和功耗的降低、集成TFT成為輕而易舉的事，因此，如果對電極電壓產生電路17、具體地說至少是對電極電壓產生電路17的電晶體電路可以使用同一工藝過程與顯示區部分12一起形成在玻璃基片11上的話，那麼，可以通過簡化生產過程而降低成本並且通過集成化而減小厚度並實現小型化。
圖20至圖24示出DC電壓產生電路622的五個具體電路實例。圖20中示出的電路實例是這樣配置的、使得串聯連接在正側電源VCC和負側電源VSS(在本例中地電位)之間的分壓電阻器R11和R12用於在它們之間的結點獲得分電壓，並且將該分電壓用作所述DC電平。圖21中示出的電路實例是這樣配置的、使得可變電阻器VR連接在分壓電阻R11和R12之間、以便通過可變電阻器VR調節所述DC電平。圖22中示出的電路實例是這樣配置的、使得它包括電阻R13和DC電源623並把取決於該DC電源623的電壓作為所述DC電平。如果以可變電壓電源的形式形成該DC電源623，那麼，就能夠調節所述DC電平。
圖23中示出的電路實例是這樣配置的、使得它使用D/A轉換電路624代替圖22的DC電源623。在本電路實例的情況下，數字DC電壓整定數據被輸入到D/A轉換電路624以確定所述DC電平。這樣，可以利用數位訊號來調整該DC電平。圖24中示出的電路實例是這樣配置的、使得它除圖23的配置外還包括用於存儲DC電壓整定數據的存儲器625。在所述電路配置的情況下，即使沒有重複輸入所述DC電壓整定數據，也可以確定所述DC電平。
在上述對電極電壓產生電路17中，在參考電壓選擇型D/A轉換電路用作H驅動器的13U和13D的D/A轉換電路34U和34D的情況下，有可能把輸出電壓VA或由對電極電壓產生電路17產生的對電極電壓Vcom本身作為參考電壓之一，即，用作白信號或黑信號的參考電壓。
(參考電壓選擇型D/A轉換電路的配置實例)下面說明參考電壓選擇型D/A轉換電路28U和28D。圖25是顯示參考電壓選擇型D/A轉換電路28U和28D的單元電路配置實例的電路圖。這裡把其中輸入的數字圖像數據是例如3-比特(b2，b1，b0)數據的情況作為例子來說明所述配置，並為所述3比特圖像數據準備8(＝23)個參考電壓V0至V7。為顯示區部分12的每一個數據線...，22m-2，22m-1，22m，22m+1，...逐一地設置單元電路。
圖26中示出用於產生這種參考電壓V0至V7的參考電壓產生電路的通用配置實例。根據本配置實例的參考電壓產生電路包括兩個開關電路63和64，用於在固定周期中切換具有彼此相反的相位的正側電源電壓VCC和負側電源電壓VSS；以及n+1個電阻器R0至Rn，它們串聯連接在開關電路63和64輸出端子之間。因此，參考電壓產生電路藉助電阻R0至Rn將電壓VCC-VSS這樣分壓、以便從各電阻之間的公共結點導出n個參考電壓V0至Vn-1，並通過緩衝電路65-1至65-n輸出所述參考電壓。
在具有上述配置的參考電壓產生電路中，緩衝電路65-1至65-n具有阻抗變換功能。它們防止在上和下H驅動器13U和13D的之間出現寫入性能分散，在把本參考電壓產生電路形成在與玻璃基片11分開的基片上、使得參考電壓發送到玻璃基片11上的D/A轉換電路的情況下，由於從參考電壓產生電路至D/A轉換電路34U和34D的布線線路長度很長，所以布線線路的阻抗變得很大。
另一方面，在根據本實施例的有源矩陣型液晶顯示裝置上，由於參考電壓產生電路18與H驅動器13U和13D一起集成在同一玻璃基片11上，所以可以把參考電壓產生電路18和H驅動器13U和13D之間的布線線路長度設置得很短。具體地說，如圖27所示，在集成參考電壓產生電路18的時候，在把參考電壓產生電路18設置在顯示區部分12的垂直方向上的大致中間位置、即設置在與H驅動器13U和13D的上側和下側距離基本上相等的位置的情況下，可以把到H驅動器13U和13D的布線線路長度設置為彼此基本上相等。
因此，當配置參考電壓產生電路18時，就不需要圖26所示的公共電路實例中使用的緩衝電路65-1至65-n，如從圖28電路圖看到的那樣。更詳細地說，正如從圖28所示的電路配置明顯看到的，從電阻器R0至Rn的公共結點上得到的n個參考電壓V0至Vn-1可以直接提供給上側和下側H驅動器13U和13D。這樣，由於可以省去緩衝電路65-1至65-n，所以可以簡化參考電壓產生電路18的電路配置。
應當指出，在圖28中，類似於圖26的元件用類似的參考字符表示。而且，在圖28中，形成開關電路63和64的開關SW3至SW6由例如電晶體構成。在圖29中，圖解說明控制脈衝φ1和φ2、上側和下側限制電壓VA和VB以及參考電壓V0和Vn-1的波形。
在開關電路63和64中，利用控制脈衝φ1來切換開關SW3和SW6，而利用具有與控制脈衝φ1相反相位的控制脈衝φ2來切換開關SW4和SW5。為什麼在固定周期中、例如在1H周期中利用彼此相位相反的控制脈衝來切換正側電源電壓VCC和負側電源電壓VSS，其理由在於期望對液晶進行AC驅動(在本例中為1H反向驅動)以便防止液晶的退化。
另外，在集成所述參考電壓產生電路18時，由於TFT用作顯示區部分12的像素電晶體，如果TFT也用作構成參考電壓產生電路18的開關電路63和64的電晶體、並且至少參考電壓產生電路18的電晶體電路與顯示區部分12一起形成在玻璃基片11上，那麼，參考電壓產生電路18能容易地以低成本生產。此外，通過使用與用於顯示區部分12的像素電晶體一樣的TFT的相同工藝過程，將參考電壓產生電路18，具體地說，至少參考電壓產生電路18的電晶體電路集成在玻璃基片11上，可以通過簡化生產過程來降低成本，並且可以通過提高集成化來減小厚度和實現小型化。
在具有上述配置的參考電壓產生電路中，開關電路63的輸出電壓VA用作正常白電平條件下白信號的參考電壓V7，而開關電路64的輸出電壓VB用作正常白電平條件下黑信號的參考電壓V0。而且，如果黑信號的參考電壓V0和白信號的參考電壓V7之間的差信號由分壓電阻R1至R7分壓，那麼，就會產生半色調參考電壓V1至V6。對於正常的黑電平條件，輸出電壓VA用作黑信號的參考電壓V7而輸出電壓VB用作為白信號的參考電壓V0。
在所述有源矩陣型液晶顯示裝置中，其中，包括具有上述配置的參考電壓產生電路的參考電壓選擇型D/A轉換電路被用作H驅動器13U和13D的D/A轉換電路34U和34D，由對電極電壓產生電路17產生的輸出電壓VA可以用作從參考電壓產生電路18加到D/A轉換電路34U和34D的各參考電壓之一，如圖30所示。
更準確地說，如上所述，準備由參考電壓選擇型D/A轉換電路使用的正常白電平條件下白信號的參考電壓(或者正常黑電平條件下黑信號的參考電壓)是通過在固定周期中切換正電源電壓VCC和負電源電壓VSS而得到的電壓。在對電極電壓產生電路17中，通過在同一周期中並且以相同的相位切換正側電源電壓VCC和負側電源電壓VSS來獲得輸出電壓VA、並可以將其用作白信號的參考電壓(或者黑信號的參考電壓)。
在把由對電極電壓產生電路17產生的輸出電壓VA用作準備從參考電壓產生電路18加到D/A轉換電路34U和34D的各參考電壓之一的情況下，由於參考電壓產生電路18的一些功能可以由對電極電壓產生電路17代替，所以，圖28所示的參考電壓產生電路的開關電路63就可以省略。因此，由於能夠極大地壓縮電路規模，所以可以實現本液晶顯示裝置的進一步微型化和成本的降低。雖然在本實例中說明了將輸出電壓VA用作白信號的參考電壓(或者黑信號的參考電壓)，但是，也有可能將對電極電壓VCOM本身用作白信號的參考電壓(或者黑信號的參考電壓)。
順便說說，在有源矩陣型顯示裝置中，其中多晶矽TFT用作像素的開關元件，存在一種趨勢，如上所述，使用多晶矽TFT的驅動電路與顯示區部分12集成在同一玻璃基片11上。照這樣集成的使用多晶矽TFT的驅動電路的有源矩陣型顯示裝置非常有希望成為一種微型化、高清晰度和高可靠性技術。由於與非晶矽TFT比較時多晶矽TFT具有高兩位數字的遷移率，所以，它允許在與顯示區部分同一基片上集成驅動電路。
同時，由於與單晶矽電晶體比較時多晶矽TFT的遷移率較低、閾電壓Vth較高並且閾電壓Vth的分散較大，因此，它存在以下問題不能用於構成高速運行電路或者使用低電壓的電路。由於閾電壓Vth變化大使它難於具體構成要求具有相同特性的電晶體對的差分電路，這給電路設計帶來了很大問題。
閾電壓Vth的分散與TFT的背面柵極電位有較高阻抗有關。更詳細地說，由於傳統的TFT具有底柵極結構和頂柵極結構之一作為其柵極結構，電晶體的背面柵極展現了較高的阻抗並使得閾電壓Vth的分散大。因此，使用剛剛說明的具有這種特性的TFT生產低電壓電路或者小信號電路是非常困難的。
同時，建議了一種結構，其中，在電晶體的背面柵極一側設置柵極並將其連接到前柵極，即如圖31所示的結構、其中，在源區71和漏區72之間溝道區73的相對的兩側設置一對柵極、即前柵極74和背面柵極75，並通過接觸區72將它們彼此連接(所述結構以下稱作雙柵極結構)。雙柵極結構的TFT具有以下優點可以將其閾電壓Vth的分散壓縮到很小。
然而，正如從圖31明顯看到的，在所述雙柵極結構的TFT的情況下，由於需要設置包括用於把柵極對74和75相互連接的接觸部分76的接觸區，所以裝置的配置所需要的區域很大。因此，用於產生驅動電路的雙柵極結構的TFT要求很大的電路區域，因而顯示裝置的邊框(顯示區部分12的外圍區域)變得很大。
這裡，在圖1所示的顯示裝置中，H驅動器13U和13D、V驅動器14以及定時信號產生電路15都是處理小幅度信號的電路。應當指出，雖然圖1沒有顯示，但是從基片外部提供的時鐘I/F電路和讀取主時鐘MCK的同步信號I/F電路、水平同步信號電路HD及垂直同步信號電路VD都設置在定時信號產生電路15的輸入級。同樣，I/F電路也是處理小幅度信號的電路。另外，CPU的I/F電路等等也作為處理小幅度信號電路列出。如上所述，這種處理小幅度信號電路都是需要使電晶體閾電壓Vth的分散最小的電路。
另一方面，電源電路16、對電極電壓產生電路17及參考電壓產生電路18都是處理電源電壓的電路。如上所述，這種處理電源電壓的電路都是需要儘可能高地提升電晶體的電流容量的電路。
這樣，在根據本實施例的有源矩陣型液晶顯示裝置中，至少一個處理這種小幅度信號的電路或者處理這種電源電壓的電路，或者一些處理這種小幅度信號的電路或一些處理這種電源電壓的電路是用雙柵極結構的TFT製造的，而其它電路則使用頂柵極結構或底柵極結構製造。
由於雙柵極結構的TFT具有閾電壓Vth分散小的超級特性，所以用雙柵極TFT構成的電晶體電路提高了可靠性，因而，雙柵極結構的TFT用於製造處理小幅度信號的電路，特別是成對運行的電晶體電路(即包括一對性能基本相同的電晶體)，例如差分電路或電流反射鏡電路，十分有用。
然而，雙柵極結構的TFT需要設置用於將前柵極和後柵極相互連接的接觸區因而需要形成所述元件的大區域。因此，如果雙柵極TFT用於製造所有電路，那麼，電路尺寸很大。因此，在處理小幅度信號的電路中，所需要的電路中最少數目的電路、例如包括成對運行的電晶體電路都用雙柵極TFT製造，而其它電路則是用要求區域很小的頂柵極結構或底柵極結構製造。這就能夠產生閾電壓Vth分散小並具有高可靠性的電路規模小的電路。
另外，由於雙柵極結構的TFT等效於用較大尺寸形成的電晶體、雖然它具有較小的平面區域並具有高電流容量的優點，所以，在用雙柵極TFT來形成處理電源電壓的電路時，可以提高電路的電流容量。然而，與上述情況類似，如果雙柵極TFT用於形成所有電路，那麼，由於電路尺寸很大，所以，利用雙柵極TFT來製造所需要的最小數目的電路，而其它電路用頂柵極結構或底柵極結構的TFT製造。因而，可以在不使電路規模很大的情況下來產生具有高電流容量的電路。
這裡，參考圖32至34來描述底柵極結構的TFT、頂柵極結構的TFT和雙柵極結構的TFT的具體結構。圖32顯示底柵極結構的TFT的部分結構，圖33顯示頂柵極結構的TFT部分結構，而圖34顯示雙柵極結構的TFT的部分結構。
首先，如圖32所示，在底柵極結構TFT中，柵極82被形成在玻璃基片81上，溝道區(多晶矽層)84與插入其中的柵極絕緣膜83形成在柵極82上，而層間絕緣膜85形成在溝道區84上。源極區86和漏極區87形成在柵極82兩側的柵極絕緣膜83上，源極88和漏極89分別連接到區域86和87，同時，在源極88和漏極89之間插有層間絕緣膜85。而且，絕緣膜90形成在源極88和漏極89上。
同時，如圖33所示，在頂柵極結構TFT中，溝道區(多晶矽層)92形成在玻璃基片91上，而柵極94與插入其中的柵極絕緣膜93形成在溝道區92上，而層間絕緣膜95形成在柵極94上。而且，源極區96和漏極區97形成在溝道區92兩側的玻璃基片91上，源極98和漏極99分別形成在區域96和97中，同時在源極98和漏極99之間插入層間絕緣膜95。而且，絕緣膜100形成在源極98和漏極99上。
最後，如圖34所示，在雙柵極結構的TFT中，前柵極102形成在玻璃基片101上，溝道區(多晶矽層)104與插入其中的柵極絕緣膜103形成在前柵極102上，而層間絕緣膜105形成在溝道區104上。而且，後柵極106與溝道區104和插入其中的層間絕緣膜105形成在前柵極102上。源極區107和漏極區108形成在前柵極102兩側的柵極絕緣膜103上，而源極109和漏極110分別連接到區域107和108，同時，在源極109和漏極110之間插入層間絕緣膜105。此外，絕緣膜111形成在源極109和漏極110上。
(採樣鎖存電路的配置實例)這裡，作為處理小幅度信號電路的具體例子，可以使用採樣鎖存電路(與圖3的採樣鎖存電路32U和32D對應)，該採樣鎖存電路例如可以使用差分電路。圖35是採樣鎖存電路的配置的具體實例的電路圖。
根據本實例的採樣鎖存電路具有比較器配置，其中包括其柵極和漏極單獨連接在一起的N溝道MOS電晶體Qn11和P溝道MOS電晶體Qp11的CMOS倒相器121和另一個包括其柵極和漏極單獨連接在一起的N溝道MOS電晶體Qn12和P溝道MOS電晶體Qp12的CMOS倒相器122並聯連接。
這裡，所述CMOS倒相器121的輸入端(MOS電晶體Qn11和Qp11的柵極公共結點)和所述CMOS倒相器122的輸出端(MOS電晶體Qn12和Qp12的漏極公共結點)相互連接。而且，CMOS倒相器122的輸入端(MOS電晶體Qn11和Qp11的柵極公共結點)和CMOS倒相器121的輸出端(MOS電晶體Qn12和Qp12的漏極公共結點)相互連接在一起。
另外，數據信號從信號源123通過開關SW7輸入到CMOS倒相器121的輸入端，而來自電壓源124的比較電壓通過開關SW8加到CMOS倒相器122的輸入端。CMOS倒相器121和122電源一側的公共結點通過開關SW3與電源VDD連接。開關SW7和SW8用採樣脈衝(由圖3中的移位寄存器31U和31D提供)直接控制切換，而開關SW9用通過倒相器145的採樣脈衝的倒相脈衝控制切換。
在CMOS倒相器121的柵極結點上(即在結點A上)的電位，由倒相器126倒相併提供給下一級中的排序鎖存電路(與圖3中的行排序鎖存電路33U或33D對應)。在CMOS倒相器122的柵極公共結點上(即在結點B上)的電位，由另一個倒相器127倒相併提供給下一級的排序鎖存電路。
在上述配置的採樣鎖存電路中，CMOS倒相器121和CMOS倒相器122用差分電路構成比較器。因此，N溝道MOS電晶體Qn11和N溝道MOS電晶體Qn12成對運行，並且P溝道MOS電晶體Qp11和P溝道MOS電晶體Qp12成對運行.
這樣，在電晶體成對運行的電晶體電路中，例如差分電路，需要使用特性相同的電晶體作所述電晶體對。因此，在使用具有差分電路配置的比較器的採樣鎖存電路中，CMOS倒相器121的MOS電晶體Qn11和Qp11及CMOS倒相器122的MOS電晶體Qn12和Qp12都用閾電壓Vth分散小的雙柵極結構的TFT配置，電路的可靠性可以提高並可以實現穩定運行。
應當指出，雖然在本實例中這樣配置採樣鎖存電路、使得CMOS倒相器121的MOS電晶體Qn11和Qp11和CMOS倒相器122的MOS電晶體Qn12和Qp12都用雙柵極結構的TFT形成，但是，雙柵極結構TFT的應用不局限於此，而將雙柵極結構的TFT用作開關SW7和SW8的電晶體，可以提高電路的可靠性並可實現穩定運行。
作為處理電源電壓的電路的具體實例、即電源電路16、對電極電壓產生電路17和參考電壓產生電路18，可以使用上述配置。
雖然把採樣鎖存電路32U和32D列為處理小幅度信號的電路實例，而把電源電路16、對電極電壓產生電路17和參考電壓產生電路18列為處理上述電源電壓的電路實例，但是，它們僅僅是一些例子，自然還有其它電路可以列為用雙柵極結構的TFT形成的電路對象。
如上所述，在多晶矽TFT有源矩陣型和驅動電路集成型液晶顯示裝置中，至少這些處理小幅度信號電路或那些處理電源電壓的電路中的一個、或者這些處理小幅度信號電路或這些處理電源電壓電路中的一些都是用雙柵極結構的TFT形成的，而其它電路都是用頂柵極結構或底柵極結構的TFT形成的，也可以形成具有高可靠性的電路或具有增大電流容量、降低閾電壓Vth分散的電路。
此外，由於這些處理小幅度信號的電路和這些處理電源電壓的電路都可以與顯示區部分12一起集成在同一基片上，這就能減少了接口的端子數目，因而可以實現微型化和降低成本，壓縮IC端子數目和噪音。除此之外，雙柵極結構的TFT和的頂柵極結構或/和底柵極結構的TFT兩者都可以使用，電路的尺寸也可以壓縮。所以，可以實現窄邊框驅動電路集成型顯示裝置。
應當指出，雖然在根據本發明的顯示裝置中，定時信號產生電路15、電源電路16、對電極電壓產生電路17和參考電壓產生電路18都被列為外圍電路，與顯示區部分12集成在同一玻璃基片11上，但是，除了它們之外，可以列出的其它外圍電路有CPU接口電路131、圖像存儲電路132、光學傳感器電路133及光源驅動電路134。
這裡，CPU接口電路131是用於從外部CPU輸入數據和輸出數據到外部CPU的電路。圖像存儲電路132是用於存儲從外部通過CPU接口電路131輸入的圖像數據、例如靜止圖像數據的電路。光學傳感器電路133是用於檢測外部光照強度、例如其中使用本液晶顯示裝置的環境的亮度並將檢測信息提供給光源驅動電路134的傳感器。光源驅動電路134是用於驅動為顯示區部分12照明的後照光或前照光、並根據光學傳感器電路133提供的外部光照的強度信息調整光源亮度的電路。
同樣，在這樣的外圍電路131至134與顯示區部分12集成在同一玻璃基片11上的情況下，如果構成上述電路的所有電路元件或者至少是有源元件(或者有源/無源元件)都形成在玻璃基片11上，就可以實現裝置的微型化並降低其成本。
應當指出，雖然在上述實施例中以把本發明運用於有源矩陣型液晶顯示裝置的情況作為例子進行說明，但是，本發明並不局限於此，而是可以類似地運用於其它有源矩陣型顯示裝置，例如，場致發光(EL)顯示裝置，其中，EL元件用作每一個像素的電-光元件。
另外，根據上述實施例的有源矩陣型顯示裝置被用作OA設備的顯示部分，例如，個人計算機或字處理器或者電視接收機等的顯示部分並還適合用作可攜式終端的輸出顯示部分，例如，可攜式電話機或PDA，並正在繼續進行裝置主體的微型化和密集化。
圖37是顯示可攜式終端配置外形的外觀視圖，例如，本發明用於其中的可攜式電話機。
這樣配置根據本實例的可攜式電話機、使得揚聲器部分142、輸出顯示部分143、操作部分144和話筒部分145從上邊依次設置在裝置外殼141的前面。在具有象剛剛說明的配置的可攜式電話機中，例如，將液晶顯示裝置用作輸出顯示部分143，並且與這種液晶顯示裝置一樣，可以使用根據上述各實施例中任何一個的有源矩陣型液晶顯示裝置。
在例如可攜式電話機的可攜式終端中，根據上述各實施例中任何一個，有源矩陣型液晶顯示裝置以這種方式用作輸出顯示部分143，在這種情況下，可以簡化包括在液晶顯示裝置中的定時信號電路的電路配置並可實現微型化、降低成本和減小功耗。而且，由於液晶顯示裝置具有窄的邊框、分支電路具有優良的性能特徵，因此可以實現裝置主體的微型化、降低成本、減小功耗並改善性能。
工業適用範圍如上所述，根據本發明，由於定時信號產生電路、包括該定時信號產生電路的有源矩陣型顯示裝置或者其中用該顯示裝置作為顯示部分的可攜式終端是這樣配置的、使得由垂直驅動電路和水平驅動電路中至少一個使用的定時信號是根據由該垂直驅動電路和該水平驅動電路中至少一個產生的時間信息形成的，所以，所述垂直驅動電路和所述水平驅動電路中至少一個的一部分的電路配置、可以按照該部分共同用於產生定時信號的量來簡化，因而，可以實現裝置的微型化、降低成本和減小功耗。
權利要求
1.一種顯示裝置，其中，顯示區部分、垂直驅動電路和水平驅動電路集成在同一基片上，所述顯示區部分中的各自具有電光元件的像素成排列行和列，所述垂直驅動電路用於以行為單位選擇所述顯示區部分的所述像素，而所述水平驅動電路用於將圖像信號提供給由所述垂直驅動電路選中行的每一個像素，其特徵在於構成所述水平驅動電路的移位寄存器設置在相對於所述顯示區部分的最外側，而用於將單相位傳送時鐘發送給所述移位寄存器的傳送級的時鐘線布線在所述移位寄存器的更外側。
2.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於在所述移位寄存器的每一個所述傳送級和用於有選擇地將所述單相位傳送時鐘提供給所述移位寄存器的傳送級的所述時鐘線之間插入開關。
3.如權利要求2所述的顯示裝置，其特徵在於所述移位寄存器的每一個所述傳送級包括鎖存電路，用於鎖存通過所述相應的開關向其提供的所述單相位傳送時鐘；以及時鐘選擇控制電路，用於根據前一個傳送級的鎖存輸出和所述傳送級本身的鎖存輸出控制所述開關。
4.如權利要求1所述的有源矩陣型顯示裝置，其特徵在於用於將點時鐘一分為二而產生所述單相位傳送時鐘的時鐘產生電路設置在所述同一基片上。
5.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於沿所述顯示區部分的兩側設置一對所述水平驅動電路。
6.如權利要求5所述的顯示裝置，其特徵在於在所述一對水平驅動電路中，所述移位寄存器根據彼此具有90度相位差的兩種不同傳送時鐘運行。
7.如權利要求6所述的顯示裝置，其特徵在於用於將點時鐘一分為四而產生所述兩種不同的傳送時鐘的所述時鐘產生電路設置在所述同一基片上。
8.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於所述電光元件是液晶元件。
9.如權利要求1所述的顯示裝置，其特徵在於所述電光元件是場致發光元件。
10.一種顯示裝置，其特徵在於包括顯示區部分，其中，各自包括液晶元件的像素排列成行和列；對電極電壓產生電路，用於產生準備加到所述液晶元件的所述各像素共用的對電極上的對電極電壓；垂直驅動電路，用於以行為單位選擇所述顯示區部分的所述像素；以及水平驅動電路，用於將圖像信號提供給由所述垂直驅動電路選中行的每一個像素，並且至少所述對電極電壓產生電路的一些電路元件與所述顯示區部分一起、使用同一工藝過程形成在同一基片上。
11.如權利要求10所述的顯示裝置，其特徵在於所述垂直驅動電路和所述水平驅動電路與所述顯示區一起，使用同一工藝過程形成在所述同一基片上。
12.如權利要求11所述的顯示裝置，其特徵在於至少所述對電極電壓產生電路的一些電路元件設置在所述基片的、其上未設置所述水平驅動電路的一側。
13.如權利要求10所述的顯示裝置，其特徵在於所述對電極電壓產生電路包括開關電路，用於在固定的周期內切換並輸出正電源電壓和負電源電壓；以及電平轉換電路，用於轉換所述開關電路的輸出電壓的DC電平並將得到的電壓作為所述對電極電壓輸出。
14.如權利要求13所述的顯示裝置，其特徵在於所述電平轉換電路能夠調節其轉換電平。
15.如權利要求13所述的顯示裝置，其特徵在於所述開關電路與所述顯示區部分一起使用同一工藝過程形成在所述同一基片上，並且所述電平轉換電路的一些電路元件形成在所述基片的外側。
16.如權利要求13所述的顯示裝置，其特徵在於所述電平轉換電路包括電容器，用於消除所述開關電路的所述輸出電壓的DC分量；以及DC電壓產生電路，用於產生預定的DC電壓，所述預定的DC電壓準備提供給所述開關電路的已經通過所述電容器的所述輸出電壓。
17.如權利要求16所述的顯示裝置，其特徵在於所述電平轉換電路的所述電容器形成在所述基片的所述外側，並且所有剩餘電路元件與所述顯示區部分一起使用同一工藝過程形成在所述同一基片上。
18.如權利要求13所述的顯示裝置，其特徵在於所述水平驅動電路包括參考電壓選擇型D/A轉換電路組成，用於從多個參考電壓中選擇與輸入其上的數字圖像數據對應的參考電壓並將所述選擇的參考電壓作為模擬圖像信號輸出，以及所述多個參考電壓中，所述對電極電壓產生電路的所述開關電路的輸出電壓或者所述電平轉換電路的輸出電壓用作白信號或黑信號的參考信號。
19.一種顯示裝置，其特徵在於包括顯示區部分，其中，各自具有電光元件的像素排列成行和列；垂直驅動電路，用於以行為單位選擇所述顯示區部分的所述像素；參考電壓產生電路，用於產生多個參考電壓；參考電壓選擇型D/A轉換電路，用於從所述多個參考電壓中選擇與數字數據對應的參考電壓；以及水平驅動電路，用於將由所述D/A轉換電路選擇的參考電壓作為圖像信號提供給由所述垂直驅動電路選中的所述行的每一個像素，以及所述參考電壓產生電路與所述顯示部分、所述垂直驅動電路和所述水平驅動電路一起使用同一工藝過程形成在所述同一基片上。
20.如權利要求19所述的顯示裝置，其特徵在於在所述顯示區部分的每一個所述像素中，用於驅動所述電光元件的有源元件由薄膜電晶體構成，並且所述垂直驅動電路、所述水平驅動電路和所述參考電壓產生電路都用薄膜電晶體構成。
21.如權利要求19所述的顯示裝置，其特徵在於所述參考電壓產生電路設置在所述基片的、其上未設置所述水平驅動電路的一側。
22.如權利要求19所述的顯示裝置，其特徵在於在所述顯示區部分的上側和下側設置一對所述水平驅動電路，而所述參考電壓產生電路單獨設置在距所述一對水平驅動電路基本上相等的距離的位置上。
23.如權利要求19所述的顯示裝置，其特徵在於所述電光元件是液晶元件。
24.如權利要求19所述的顯示裝置，其特徵在於所述電光元件是場致發光元件。
25.一種顯示裝置，其特徵在於包括顯示區部分，其中，各自具有電光元件的像素排列成行和列；垂直驅動電路，用於以行為單位選擇所述顯示區部分的所述像素；參考電壓產生電路，用於產生多個參考電壓；水平驅動電路，它包括參考電壓選擇型D/A轉換電路，用於從所述多個參考電壓中選擇與數字數據對應的參考電壓，所述水平驅動電路將由所述D/A轉換電路選擇的參考電壓作為圖像信號提供給由所述垂直驅動電路選中的所述行的每一個像素；定時信號產生電路，用於產生若干定時信號並將這些定時信號提供給所述顯示裝置的各分支電路；以及電源電壓轉換電路，用於將單個DC電壓轉換成多個具有彼此不同的電壓值的不同DC電壓且並將這些DC電壓提供給所述顯示裝置的各分支電路，並且所述垂直驅動電路、所述參考電壓產生電路、所述水平驅動電路、所述定時信號產生電路和所述電源電壓轉換電路都與所述顯示區部分一起使用同一工藝過程形成在同一基片上。
26.如權利要求25所述的顯示裝置，其特徵在於還包括存儲圖像數據的圖像存儲電路，所述圖像存儲器與所述顯示區部分一起使用同一工藝過程形成在所述同一基片上。
27.如權利要求25所述的顯示裝置，其特徵在於還包括用於通過它進行輸入和輸出數據的接口電路，所述接口電路與所述顯示區部分一起使用同一工藝過程形成在所述同一基片上。
28.如權利要求25所述的顯示裝置，其特徵在於還包括用於檢測外部光強度的光學傳感器電路，所述光學傳感器電路與所述顯示區部分一起使用同一工藝過程形成在所述同一基片上。
29.如權利要求25的有源矩陣型顯示裝置，其特徵在於，所述光電元件是液晶元件。
30.如權利要求29所述的顯示裝置，其特徵在於還包括用於產生加到所述液晶元件的對電極的電壓的對電極電壓產生電路，並且所述對電極電壓產生電路與所述顯示區部分延遲器使用同一工藝過程形成在所述同一基片上。
31.如權利要求25所述的顯示裝置，其特徵在於所述電光元件是場致發光元件。
32.一種顯示裝置，其特徵在於其中各自具有電光元件的像素排列成行和列的顯示區部分與包括成對運行的電晶體的電晶體電路以集成的方式形成在同一基片上，並且所述電晶體電路由具有雙柵極結構的各薄膜電晶體構成，每一個雙柵極結構的一對柵極設置在溝道的兩側並且相互連接。
33.如權利要求32所述的顯示裝置，其特徵在於還包括水平驅動電路，所述水平驅動電路與所述顯示區部分一起形成在所述同一基片上並且包括用於對輸入的圖像數據進行順序採樣並鎖存所述輸入的圖像數據的採樣鎖存電路，並且所述電晶體電路是構成所述採樣鎖存電路的差分電路。
34.如權利要求32所述的顯示裝置，其特徵在於所述電光元件是液晶元件。
35.如權利要求32所述的顯示裝置，其特徵在於所述電光元件是場致發光元件。
36.一種顯示裝置，其特徵在於其中各自具有電光元件的像素排列成行和列的顯示區部分與處理小幅度信號的第一電路及處理電源電壓的第二電路一起以集成的方式形成在同一基片上，並且至少所述第一和第二電路之一由具有雙柵極結構的各薄膜電晶體構成，每一個雙柵極結構的一對柵極設置在溝道的兩側並且相互連接。
37.如權利要求36所述的顯示裝置，其特徵在於所述第一電路是從外部提取數據信號、主時鐘信號或同步信號的電路。
38.如權利要求36所述的顯示裝置，其特徵在於還包括水平驅動電路，所述水平驅動電路與所述顯示區部分一起形成在所述同一基片上並且包括用於對輸入到該電路的圖像數據進行順序採樣並鎖存所述輸入的圖像數據的採樣鎖存電路，並且所述第一電路是構成所述採樣鎖存電路的差分電路。
39.如權利要求36所述的顯示裝置，其特徵在於所述第二個電路是電源電壓轉換電路，用於將單個DC電壓轉換成多個具有彼此不同的電壓值的DC電壓。
40.如權利要求36所述的顯示裝置，其特徵在於還包括水平驅動電路，它包括與所述顯示區部分一起形成在所述同一基片上的採樣鎖存電路，後者用於對輸入到該電路的圖像數據進行順序採樣並鎖存所述輸入的圖像數據；行排序鎖存電路，用於對所述採樣鎖存電路的鎖存數據進行行排序；以及參考電壓選擇型D/A轉換電路，用於把由所述行排序鎖存電路進行行排序後的數字圖像數據轉換成模擬圖像信號，並且所述第二電路是參考電壓產生電路，它產生所述參考電壓選擇型D/A轉換電路使用的多個參考電壓。
41.如權利要求36所述的顯示裝置，其特徵在於所述電光元件是液晶元件。
42.如權利要求41所述的顯示裝置，其特徵在於所述第二電路是對電極電壓產生電路，它與所述顯示區部分一起形成在所述同一基片上、用於產生加到所述液晶元件的對電極上的電壓。
43.如權利要求36所述的顯示裝置，其特徵在於所述電光元件是場致發光元件。
全文摘要
類似於H驅動器(13U)和V驅動器(14)，定時信號產生電路(15)以集成的方式與顯示區部分(12)一起形成在同一玻璃基片(11)上，並且根據由H驅動器(13U)的移位寄存器(31U)和V驅動器(14)的移位寄存器(14A)產生的定時數據產生由H驅動器(13U)和V驅動器(14)使用的定時脈衝。從而，本發明提供一種定時信號產生電路，它有助於其中包括該定時信號產生電路的裝置和有源矩陣型顯示裝置的微型化和成本的降低。
文檔編號G02F1/133GK1755762SQ200510106408
公開日2006年4月5日 申請日期2001年12月6日 優先權日2000年12月6日
發明者仲島義晴, 真城康人, 前川敏一 申請人:索尼公司