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一種電話外線防偷搭竊打裝置的製作方法

2024-01-27 06:58:15 1

專利名稱:一種電話外線防偷搭竊打裝置的製作方法
技術領域:
本實用新型涉及一種電話外線路防偷搭竊打的裝置,屬電通信技術的保密通信類。
近年來,隨著城鄉電話的普及,偷搭他人電話線打電話的不道德事件也屢有發生,已發展成一個社會公害,雖然國內也出現多種結構各異的「電話防竊警示器」,但共同的特點結構複雜,成本高,可靠性低,有的甚至還須外帶電池,所以都不夠理想。
本實用新型的目的是提供一種電話線路防偷搭竊打器;它不僅結構簡單,可靠性高,靜態電流極小,更無須外帶電池供電,具有成本低,可靠性好的特點。
本實用新型是這樣實現的控制電話線路不被竊打是由兩個VMOS場效應管和光電耦合器配合產生振蕩來實現的,光電耦合器的發光管一端接在一VMOS場效應管的漏極,另一端接在電話線的正極端,VMOS場效應管的柵極由一電阻接向電話線的正極同時又與另一VMOS場效應管的漏極相接,另一VMOS場效應管的柵極經一電阻再與雙向觸發管(DIAC)和光電耦合器的光敏管並聯電路相接到電話線的正極端,兩VMOS場效應管的源極都接在電話線的負極。也就是說光電耦合器的發光管與一VMOS場效應管的漏極相連,VMOS場效應管的柵極與另一VMOS場效應管的漏極相連,另一VMOS場效應管的柵極又經一電阻與光電耦合器的光敏管相連。用戶話機一端接在另一VMOS場效應管的柵極,並經一電容到負極(確保振鈴信號的交流通路)。另一端接電話線的正極,這樣當外線路被偷搭話機時,由於電話線兩端電位降低,雙向觸發管截止,而引起振蕩產生幹擾信號使竊打者無法撥號,用戶自身話機卻不受制約。
本實用新型具有結構簡單、成本低、可靠性高的有效裝置,並不需要外帶電池供電,是一種理想的電話衛士。
以下結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。


圖1是本實用新型的原理結構連接圖。
圖2是本實用新型實施例1的原理結構連接圖。
圖1中Q1、Q2是VMOS場效應管,R1、R2、R3是電阻,D是雙向觸發二極體(DIAC),U是光電耦合器,C1、C2是電容,K是話機叉簧開關,Z是用戶話機的等效電路。
圖1中,在正常情況下電話線兩端電壓約48V,加在本電路中時48V電壓使D雪崩擊穿,通過R2、R3給Q2提供一分壓,Q2導通,把Q1的柵極拉成低電位,Q1截止,由於Q1、Q2都是VMOS場效應管,所以正常情況下該裝置幾乎不耗能(靜態電流只有微安級)。當外線被偷搭話機時,電話線的正負極之間電壓由48V降到6至8V,此時雙向觸發二極體D截止,Q2得不到電壓截止,致使Q1柵極電壓升高Q1導通,由於Q1導通,光電耦合器內部的發光管亮,光敏管導通又給Q2一個柵極電壓,Q2又導通,Q1的柵極得不到電壓又截止,光電耦合器也截止,Q2得不到柵極電壓又截止。Q1的柵極電壓又提高,Q1再次導通,這樣周而復始產生的振蕩信號回饋到電話線使偷搭者無法撥號竊打電話。而當用戶話機提機時相當於叉簧K合上,Q2得到電壓保持導通,使Q1的柵極保持低電位Q1處於截止。不產生振蕩幹擾信號,從而不影響用戶話機的正常使用。
實施例1從圖2可知,它與圖1的不同之處在於圖中的VMOS場效應管Q1、Q2由高β值的達林頓管所代替,其工作原理與相同,故不再贅述。
權利要求1.一種電話外線防偷搭竊打裝置,其特徵在於光電耦合器的發光管與一VMOS場效應管的漏極相連,VMOS場效應管的柵極與另一VMOS場效應管的漏極相連,另一VMOS場效應管的柵極又經一電阻與光電耦合器的光敏管相連。
2.根據權利要求1所述的電話外線防偷搭竊打裝置,其特徵在於VMOS場效應管可以由高β值的達林頓管所代替。
專利摘要一種能防止電話線路被偷搭竊打的裝置,它是由光電耦合器的發光管與一VMOS場效應管的漏極相連接,VMOS場效應管的柵極又與另一VMOS場效應管的漏極相連接,另一VMOS場效應管的柵極,經由一電阻再與雙向觸發二極體(DIAC)和光電耦合器的光敏管並聯電路連接至電話線的正極,VMOS場效應管的源極都接在電話線的負極,用戶話機接在另一VMOS場效應管的柵極和電話線的正極間,這可確保用戶話機使用時不受影響(該裝置保持截止),而當有人偷搭外線竊打電話時,該裝置產生振蕩信號使偷搭話機無法使用。
文檔編號H04M1/00GK2214056SQ9423127
公開日1995年11月29日 申請日期1994年12月31日 優先權日1994年12月31日
發明者陳樹光 申請人:陳樹光

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