固體電解電容器及固體電解電容器的製造方法
2023-10-09 05:36:59 7
專利名稱：固體電解電容器及固體電解電容器的製造方法
技術領域：
本發明涉及固體電解電容器及固體電解電容器的製造方法。
背景技術：
以往以來，作為適於小型化的電容器，廣泛公知有作為電解質具有導電性高分子層的固體電解電容器。在這樣的固體電解電容器中，為了進一步實現大容量化，採用如下技術，即，通過對由金屬箔構成的陽極體的表面進行蝕刻或通過將金屬的燒結體形成為陽極體，從而增大陽極體的表面積。例如，在日本特開平7-12M64號公報中公開了如下技術，S卩，通過對鉭的燒結體的表面進行陽極氧化而在燒結體的表面形成由鉭氧化物構成的電介質被膜，在該電介質被膜上形成導電性高分子層而製造固體電解電容器。此外，在上述公報中，公開了由導電性高分子層完全覆蓋形成在燒結體的表面的細微孔內的技術。然而，根據本發明人等的研究得知，在利用導電性高分子層將陽極體的細微孔內完全覆蓋方面存在困難，電介質被膜的一部分未被導電性高分子層覆蓋而露出。對於這樣的固體電解電容器而言，在例如放置於高溼度的環境下的情況下，外部的水分向固體電解電容器的內部浸透並擴散而與電介質被膜直接接觸，由此存在固體電解電容器的容量增加的問題。這種容量根據環境而變化的固體電解電容器的可靠性低。
發明內容
因此，鑑於上述情況，本發明的目的在於提供一種抑制容量變化的可靠性高的固體電解電容器及其製造方法。本發明的第一方案的固體電解電容器具有陽極體；電介質被膜，其覆蓋所述陽極體的表面；導電性高分子層，其設置在電介質被膜上；防水部，其設置在未與導電性高分子層接觸的電介質被膜上，並且含有矽油。本發明的第二方案的固體電解電容器的製造方法包括在陽極體的表面形成電介質被膜的工序；在電介質被膜上形成導電性高分子層的工序；在導電性高分子層上形成陰極層的工序，在至少形成導電性高分子層的工序後，具有在電介質被膜上形成含有矽油的防水部的工序。根據本發明，能夠提供容量變化被抑制的可靠性高的固體電解電容器及其製造方法。
圖1是實施方式1的固體電解電容器的示意剖視圖。圖2是表示實施方式1的固體電解電容器的陽極體的表面的示意剖視圖。圖3是表示實施方式1的固體電解電容器的製造方法的一例的流程圖。圖4是對實施方式1的固體電解電容器的製造方法的一例進行圖解的示意剖視
3圖。圖5是表示在實施方式1的固體電解電容器的製造方法中形成防水部前的陽極體的表面的示意剖視圖。圖6是表示實施方式2的固體電解電容器的製造方法的一例的流程圖。
具體實施例方式以下，參照附圖對本發明的固體電解電容器的實施方式進行說明。以下的實施方式僅為一例，在本發明的範圍內可以實施各種實施方式。需要說明的是，在本發明的附圖中，同一參照符號表示同一部分或與其相當的部分。〈實施方式1>《固體電解電容器》圖1表示實施方式1的固體電解電容器的示意剖視圖。在圖1中，固體電解電容器100具備電容器元件，該電容器元件具有豎立設置有陽極引線12的陽極體11 ；覆蓋陽極體11表面的電介質被膜13 ；設置在電介質被膜13上的導電性高分子層14 ；依次設置在導電性高分子層14上的、作為陰極層的碳層15及銀塗層16。在該電容器元件的陽極引線 12上連接有陽極端子17，在銀塗層16上經由由導電性粘接劑構成的粘接層18連接有陰極端子19。並且，以使陽極端子17的一部分及陰極端子19的一部分露出的方式通過外裝樹脂20密封電容器元件10。圖2是示出實施方式1的固體電解電容器的陽極體的表面的示意剖視圖。如圖2 所示，陽極體11在表面具有凹部，該凹部表面也被電介質被膜13覆蓋。此外，在電介質被膜13上設置有導電性高分子層14，在導電性高分子層14與電介質被膜13未接觸的部分設置有防水部21，在該部分電介質被膜13與防水部21相接觸。S卩，電介質被膜13的表面由導電性高分子層14和防水部21覆蓋。在防水部21含有矽油。需要說明的是，對矽油的詳細情況將在後面進行敘述。《固體電解電容器的製造方法》圖3是表示實施方式1的固體電解電容器的製造方法的一例的流程圖，圖4是圖解實施方式1的固體電解電容器的製造方法的一例的示意剖視圖。以下，參照圖2 圖4 對實施方式1的固體電解電容器的製造方法的一例進行說明。(形成陽極體的工序)首先，如圖4(A)所示，在圖3的步驟Sl中形成陽極體11。例如，準備金屬粉末，在將棒狀體的陽極引線12的長度方向的一端側埋入金屬粉末中的狀態下，將該金屬粉末成形為期望的形狀。接下來，燒結該成形體，形成埋設有陽極引線12的一端的多孔質結構的陽極體11。因此，陽極體11成為在表面具有多個凹部的形狀。對於陽極體11的材料沒有特定的限制，從電介質被膜13容易形成的角度考慮，優選使用鋁、鉭、鈮等閥金屬。此外，對於陽極引線12的材料也沒有特定的限制，但從與陽極體51同樣的觀點考慮，優選使用閥金屬。使與用其他閥金屬例如鈮或鋁等的粉末的情況相比，使用鉭粉末形成陽極體11的方式能夠得到高強度的電介質被膜13，因此優選使用鉭。(形成電介質被膜的工序)接下來，如圖4(B)所示，在圖3的步驟S2中，在陽極體11的表面形成電介質被膜13。對於電介質被膜13的形成方法沒有特定的限制。例如，在陽極體由閥金屬構成的情況下，通過對陽極體11進行化成處理，能夠在陽極體11的表面形成電介質被膜13。作為化成處理，例如可以將陽極部11浸漬到己二酸銨溶液等的化成液中並進行熱處理，或者將陽極體11浸漬到化成液中並施加電壓。通過本工序，能夠由電介質被膜13覆蓋陽極體11的表面。(形成導電性高分子層的工序)接下來，如圖4(C)所示，在圖3的步驟S3中，在電介質被膜13上形成導電性高分子層14。導電性高分子層14可以由化學聚合法或電解聚合法形成。對於通過化學聚合法形成導電性高分子層14的方法沒有特定的限制。例如，可以將形成有電介質被膜13的陽極體11浸漬到含有導電性高分子層14的前體單體、氧化劑、 摻雜劑的聚合液中，並在電介質被膜上使前體單體氧化聚合，由此形成導電性高分子層14。 此外，也可以例如在將陽極體11浸漬到前體單體後，將其浸漬到含有氧化劑或摻雜劑的溶液中。另外，也可以使用含有前體單體的氣體。此外，對於通過電解聚合法形成導電性高分子層14的方法沒有特定的限制。例如，將陽極體11浸漬到含有前體單體及摻雜劑的電解液中，並在電介質被膜13上使前體單體電解聚合，由此形成導電性高分子層14。另外，優選在進行電解聚合法前，在陽極體11的表面上預先設置導電性的濾料層。前體單體是通過聚合成為聚吡咯、聚噻吩、聚呋喃或聚苯胺的化合物。需要說明的是，在本說明書中，聚吡咯、聚噻吩、聚呋喃及聚苯胺分別表示以聚吡咯、聚噻吩、聚呋喃及聚苯胺為基本骨架的高分子。因此，在聚吡咯、聚噻吩、聚呋喃及聚苯胺中可以包含各自的衍生物。例如，作為前體單體，可以使用3，4_乙烯二氧噻吩、3-烷基噻吩、N-甲基吡咯、N，
N- 二甲基苯胺、N-烷基苯胺等。氧化劑只要能夠使前體單體聚合即可，例如可以使用硫酸、過氧化氫、鐵(III)、銅 (II)、鉻(VI)、鈰(IV)、錳(VII)、鋅(II)等。特別是，構成所述的金屬和鹽的芳香族磺酸金屬鹽不僅具有作為氧化劑的功能，還具有作為摻雜劑的功能，因此可以優選使用。作為芳香族磺酸金屬鹽例如可以使用萘磺酸金屬鹽、四氫化萘磺酸金屬鹽、烷基苯磺酸金屬鹽和烷氧基苯磺酸金屬鹽。作為摻雜劑例如可以舉出烷基磺酸、芳香族磺酸，多環芳香族磺酸等磺酸化合物的酸或鹽、硫酸、硝酸等。此外，如上所述，可以使用具有氧化劑的功能和摻雜劑的功能的芳香族磺酸金屬鹽。在此，由於導電性高分子層14以前體單體聚合而形成的高分子為基本構成，因此其並非在形狀不規則的陽極體11的表面的電介質被膜13上均勻地形成，而是以存在圖5 所示的空隙22的狀態形成。因此，在電介質被膜13上產生未被導電性高分子層14覆蓋的部分即導電性高分子層14與電介質被膜13未接觸的部分。在固體電解電容器的陽極體11上存在上述空隙22的情況下，例如在該固體電解電容器被放置在高溼度的環境下時，外部的水分向固體電解電容器的內部浸透並擴散而到達空隙22，由此與電介質被膜13直接接觸。當水分與電介質被膜13直接接觸時，空隙22 變得具有蓄電能力，其結果是，外觀上的電極面積增大，由此導致固體電解電容器的容量增力口。因此，在本實施方式中，進行以下的步驟S4。
(形成防水部的工序)在圖3的步驟S4中，使矽油浸透圖5的空隙22，如圖2所示，形成防水部21。防水部21可以通過例如將形成有導電性高分子層14的陽極體11浸漬到矽油中而形成。防水部21可以通過將矽油填充到空隙22中而形成，或者也可以通過將矽油覆蓋到未與導電性高分子層14相接的電介質被膜13的表面上而形成。特別地，防水部21在通過將矽油填充到空隙22中而形成的方式能夠更高效地防止來自外部的水分的浸透，因此優選該方式。矽油優選聚合度為2以上2000以下的低聚物。其中，優選直鏈狀矽油、環狀矽油， 也可以在分子中的矽(Si)原子上結合烷基、例如甲基。作為具體的環狀矽油，優選例如十甲基環戊矽氧烷、十二甲基環己矽氧烷、十四甲基環庚矽氧烷等。此外，作為具體的直鏈狀矽油優選、十甲基四矽氧烷、十二甲基五矽氧烷、十四甲基六矽氧烷等。只要是上述的矽油中的任一個，就能夠浸透導電性高分子層14的空隙22。這是因為上述矽油的分子量比較小。此外，通過使上述矽油浸透空隙22形成的防水部21能夠因矽油的防水性而具有高防水性。此外，作為矽油特別更優選使用十甲基環戊矽氧烷。這是因為，在上述矽油中，比較低分子的十甲基環戊矽氧烷的特性、例如粘度和熔點等的物物理特性對於嚮導電性高分子層14的浸透而言是優選的。此外，也可以將矽油和溶劑在混合的混合液的狀態下嚮導電性高分子層14的空隙22浸透。在這種情況下，矽油在混合液中的濃度下降使得矽油不凝集而成為分散的狀態，因此能夠高效地使矽油嚮導電性高分子層14浸透。因此，能夠更可靠地向空隙22形成防水部21。作為溶劑，例如能夠適當使用肉豆蔻酸異丙酯、棕櫚酸異丙酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯等的酯系溶劑、乙醇等的醇系溶劑。需要說明的是，該溶劑在固體電解電容器的製造工序中通過加熱處理被除去。(形成陰極層的工序)接下來，在圖3的步驟5中，如圖4(D)所示，作為陰極層例如形成碳層15及銀塗層16。對於碳層15及銀塗層16各自的形成方法沒有特定的限制，可以根據公知的技術形成。例如，碳層15可以通過將形成有導電性高分子層14的陽極體11浸漬到分散有碳粒子的溶液中，然後進行乾燥處理而形成。此外，銀塗層16可以通過在形成碳層15後將該陽極體11向含有銀粒子的溶液浸漬並進行乾燥處理而形成。通過以上的工序製成電容器元件10。(密封電容器元件的工序)接下來，如圖4(E)所示，在圖3的步驟S6中，密封電容器元件10而製造固體電解電容器。對於密封的方法沒有特定的限制，例如存在以下的方法。S卩，首先，將陽極端子17與陽極引線12的露出的一端連接，在銀塗層16上形成粘接層18而連接陰極端子19的一端。對於陽極端子17及陰極端子19的材料沒有特定的限制，只要能夠導通即可，例如可以使用銅、銅合金等。另外，對於粘接層18的材料沒有特定的限制，只要具有導電性和粘接性即可。接下來，以使陽極端子17及陰極端子19各自的另一端露出的方式通過外裝樹脂 20密封電容器元件10。對於外裝樹脂20的材料沒有特定的限制，但優選為絕緣體，例如可以使用環氧樹脂。最後，將露出的陽極端子17及陰極端子19沿著外裝樹脂20折彎而進行老化處理，由此製造圖2(E)所示的固體電解電容器。根據上述的實施方式1的固體電解電容器的製造方法，在電介質被膜13中的未與導電性高分子層14接觸的電介質被膜13上形成含有矽油的防水部21。即，未被導電性高分子層14覆蓋的電介質被膜13被防水部21覆蓋。由此，通過實施方式1製造的固體電解電容器具有陽極體11、覆蓋陽極體11表面的電介質被膜13、設置在電介質被膜13上的導電性高分子層14、設置在未與導電性高分子層14接觸的電介質被膜13上的含有矽油的防水部21。根據上述結構，由於能夠抑制電介質被膜13和從外部浸透到固體電解電容器中的水分直接接觸，因此能夠抑制因水分接觸電介質被膜13而引起的固體電解電容器的容量的增加。尤其是，在防水部21與電介質被膜13之間不存在其他構件，防水部21與電介質被膜13直接接觸，由此能夠更有效地抑制電介質被膜13與水分的接觸。此外，在作為陽極體11使用燒結體的情況下，作為多孔質體的陽極體11所具有的孔的大小較小，此外，其形狀形成為複雜的形狀。如此，由燒結體構成的陽極體11在表面具有複雜的凹部，因此存在更難以在覆蓋陽極體11的電介質被膜13上均勻地形成導電性高分子層14的傾向。此外，由於該凹部細微，因此粘度高的物質和高分子量的物質更難以向凹部內部浸透。相對於此，在實施方式1中，由於使用作為聚合度為2以上2000以下的低聚物的矽油，因此能夠向細微的凹部內浸透矽油。由此，在由燒結體構成陽極體11的情況下，也能夠在未與導電性高分子層14接觸的電介質被膜13上形成防水部21，由此能夠抑制因水分與電介質被膜13接觸而引起的固體電解電容器的容量的增加。由此，能抑制固體電解電容器的容量變化，由此能夠製造可靠性高的固體電解電容器。《固體電解電容器的製造方法》圖6是表示作為本發明的製造方法的另一例的實施方式2的固體電解電容器的製造方法的一例的流程圖。以下，使用圖2、圖4及圖6說明實施方式2的固體電解電容器的製造方法。(形成陽極體的工序)首先，如圖4(A)所示，在圖6的步驟Sl中形成陽極體11。本工序與實施方式1的步驟Sl同樣，因此不重複其說明。(形成電介質被膜的工序)接下來，如圖4(B)所示，在陽極體11的表面形成電介質被膜13。本工序與實施方式1的步驟S2同樣，因此不重複其說明。(形成導電性高分子層的工序)接下來，如圖4(C)所示，在圖6的步驟S3中，在電介質被膜13的表面形成導電性高分子層14。本工序與實施方式1的步驟S3同樣，因此不重複其說明。(形成陰極層的工序)接下來，如圖4(D)所示，在圖6的步驟S5中，作為陰極層形成例如碳層15及銀塗層16。本工序與實施方式1的步驟S5同樣，因此不重複其說明。
(形成防水部的工序)接下來，如圖2所示，在圖6的步驟S4中形成防水部21。防水部21例如可以通過例如將形成有導電性高分子層14的陽極體11浸漬到矽油中而形成。如上所述，在電介質被膜13上產生未被導電性高分子層14覆蓋的部分即導電性高分子層14與電介質被膜13未接觸的部分。因此，在形成碳層15及銀塗層16後，將陽極體11向上述矽油浸漬，從而在電介質被膜13的表面中的未與導電性高分子層14接觸的表面上形成含有矽油的防水部21。如上所述，防水部21的結構構成為將矽油填充到空隙22中，也可以構成為使矽油覆蓋在未與導電性高分子層14相接的電介質被膜13的表面上。特別是在矽油填充到空隙 22中這種狀態的情況下，能夠更高效地防止來自外部的水分的浸透，因此優選。(密封電容器元件的工序)接下來，如圖4(E)所示，在圖6的步驟S6中密封電容器元件10而製造固體電解電容器。本工序與實施方式1的步驟S6同樣，因此不重複其說明。根據上述的實施方式2的固體電解電容器的製造方法，在電介質被膜13中的未與導電性高分子層14接觸的電介質被膜13上形成含有矽油的防水部21。即，未被導電性高分子層14覆蓋的電介質被膜13被防水部21覆蓋。由此，通過實施方式2製造的固體電解電容器能夠具有陽極體11、覆蓋陽極體11 的表面的電介質被膜13、設置在電介質被膜13上的導電性高分子層14、設置在未與導電性高分子層14接觸的電介質被膜13上且含有矽油的防水部21。通過上述結構，由於能夠抑制電介質被膜13和從外部浸透到固體電解電容器中的水分直接接觸，因此能夠抑制因水分接觸電介質被膜13而引起的固體電解電容器的容量的增加。尤其是，在防水部21與電介質被膜13之間不存在其他構件，防水部21與電介質被膜13直接接觸，由此能夠更有效地抑制電介質被膜13與水分的接觸。此外，在作為陽極體11使用燒結體的情況下，作為多孔質體的陽極體11所具有的孔的大小較小，此外，其形狀形成為複雜的形狀。如此，由燒結體構成的陽極體11在表面上具有複雜的凹部，因此存在更難以在覆蓋陽極體11的電介質被膜13上均勻地形成導電性高分子層14的傾向。此外，由於該凹部細微，因此粘度高的物質和高分子量的物質更難以向凹部內部浸透。相對於此，在實施方式2中，由於使用作為聚合度為2以上2000以下的低聚物的矽油，因此能夠向細微的凹部內浸透矽油。由此，在由燒結體構成陽極體11的情況下，也能夠在未與導電性高分子層14接觸的電介質被膜13上形成防水部21，由此，能夠抑制因水分與電介質被膜13接觸引起的固體電解電容器的容量的增加。由此，能抑制固體電解電容器的容量變化，由此能夠製造可靠性高的固體電解電容器。本實施方式2中的上述以外的說明與實施方式1同樣，因此不重複其說明。此外，在本實施方式2中，在形成碳層15和銀塗層16後形成防水部21，但不言而喻的是，也可以在形成碳層15後形成防水部21。本發明不局限於圖1的固體電解電容器。例如，在回卷型的固體電解電容器中，陽極體為金屬箔，其表面被擴面化，在層疊型的固體電解電容器中，陽極體為金屬板，其表面被擴面化。由此，在所述的固體電解電容器中，在陽極體表面的電介質被膜上難以以導電性高分子層均勻地接觸的方式形成導電性高分子層。因此，在回卷型的固體電解電容器及層疊型的固體電解電容器中，通過在未與導電性高分子層接觸的電介質被膜上設置防水部， 從而能夠抑制因水分與電介質被膜接觸而引起的固體電解電容器的容量的增加。M以下，舉出實施例進一步詳細說明本發明，但本發明不局限於此。〈實施例1>在本實施例1中，製作了圖1所示的結構的固體電解電容器。以下，對固體電解電容器的具體的製造方法進行說明。首先，準備鉭粉末，在將棒狀體的由鉭構成的陽極引線的長度方向的一端側埋入金屬粉末的狀態下，將鉭粉末成形為長方體。並且，燒結該成形體，從而形成埋設有陽極引線的一端的多孔質結構的陽極體。接下來，將上述陽極體浸漬到化成液中，並對陽極引線施加電壓，由此對陽極體進行化成處理。由此，在陽極體的表面上形成由Ta2O5構成的電介質被膜。接下來，使用電解聚合法在電介質被膜上形成導電性高分子層。具體而言，首先， 向含有氧化劑的溶液浸漬陽極體，將其取出後乾燥，然後使其與作為導電性高分子層的前體單體的吡咯接觸而形成導電性的濾料層。接下來，向含有吡咯及摻雜劑的電解液浸漬形成有濾料層的陽極體，使前體單體電解聚合，由此在電介質被膜上形成導電性高分子。接下來，將形成有導電性高分子層的陽極體向十甲基環戊矽氧烷與丙二醇單甲醚乙酸酯的混合液浸漬。將該陽極體取出並將其放入電爐以100°c加熱，從而除去溶劑。由此形成防水部。需要說明的是，混合液中的十甲基環戊矽氧烷的混合量相對於丙二醇單甲醚乙酸酯的溶液量為5容量％。接下來，將陽極體向分散有碳粒子的溶液浸漬，然後通過乾燥處理形成碳層，接下來，將該陽極體向含有銀粒子的溶液浸漬而通過乾燥處理形成銀塗層。通過以上的處理製造電容器元件。接下來，將由銅構成的陽極端子與陽極引線所露出的一端連接，在銀塗層上形成粘接層而與由銅構成的陰極端子的一端連接。接下來，以使陽極端子及陰極端子各自的另一端露出的方式通過由環氧樹脂構成的外裝樹脂密封電容器元件。並且，將露出的陽極端子及陰極端子沿著外裝樹脂折彎，從而製造圖1所示的這種結構的電容器元件。製造的固體電解電容器的形狀為縱向χ橫向χ高度為7. 3mmX4. 3mmXl. 8mm。在形成防水部的工序中，除了使用十甲基四矽氧烷與丙二醇單甲醚乙酸酯的混合液以外，利用與實施例1同樣的方法製造固體電解電容器。製造的固體電解電容器的形狀與實施例1的固體電解電容器同樣。需要說明的是，混合液中的十甲基四矽氧烷的混合量相對於丙二醇單甲醚乙酸酯的溶液量為5容量％。除了不進行形成防水部的工序以外，利用與實施例1同樣的方法製造固體電解電容器。製造的固體電解電容器的形狀與實施例1的固體電解電容器同樣。除了取代形成防水部的工序而進行以下工序以外，利用與實施例1同樣的方法製造固體電解電容器，所述工序為，將陽極體浸漬到聚合度為5000左右的聚矽氧烷與丙二醇單甲醚乙酸酯的混合液中，將該陽極體取出並將其放入電爐中以100°C加熱。製造的固體電解電容器的形狀與實施例1的固體電解電容器同樣。需要說明的是，混合液中的聚矽氧烷的混合量相對於丙二醇單甲醚乙酸酯的溶液量為5容量％。(1)固體電解電容器的初始容量測定了實施例1、2及比較例1、2的固體電解電容器的容量(μ F)。具體而言，使用四端子測定用的LCR測量表測定了各固體電解電容器在頻率120Hz下的容量(μ F)。(2)可靠性試驗後的固體電解電容器的容量在上述容量測定後，對實施例1、2及比較例1、2的固體電解電容器進行了可靠性試驗。即，將各固體電解電容器放置在溫度為60°C、溼度為90%。的環境下50小時而強制使其吸溼。並且，使用四端子測定用的LCR測量表對可靠性試驗後的各實施例及各比較例的固體電解電容器測定了各固體電解電容器在頻率120Hz時的容量(yF)。以上的結果在表 1中示出。表1
初始容量可靠性試驗後的容量容量變化率
__(μη__(μη__(%)
實施例 1 211.5__212.6__100.5
實施例 2 206.5__208.4__100.9
比較例 1 209.1__245.3__117.3
比較例 2 205.8 _230.6_ 112.1在表1中，「初始容量(yF)」表示剛製造後的各固體電解電容器的容量。「可靠性試驗後的容量(μ F)」表示上述可靠性試驗後的各固體電解電容器的容量。「容量變化率 (%)」是在各固體電解電容器的可靠性試驗後的容量(PF)除以初始容量(μ F)後的值乘以100而得到的值。參照表1可知，實施例1及2的固體電解電容器與比較例1的固體電解電容器相比在可靠性試驗前後容量的變動小。由此可知，通過使矽油浸透形成有導電性高分子層的陽極體，從而提高固體電解電容器的可靠性。還可知，與比較例2的固體電解電容器相比，實施例1及2的固體電解電容器在可靠性試驗前後的容量變動小。這是因為，聚矽氧烷的分子量大，無法進入上述那樣的細微的空隙。
權利要求
1.一種固體電解電容器，其具有 陽極體；電介質被膜，其覆蓋所述陽極體的表面； 導電性高分子層，其設置在所述電介質被膜上；防水部，其設置在未與所述導電性高分子層接觸的所述電介質被膜上，並且含有矽油。
2.根據權利要求1所述的固體電解電容器，其中， 所述矽油是聚合度為2以上2000以下的低聚物。
3.根據權利要求1所述的固體電解電容器，其中，所述矽油由從十甲基環戊矽氧烷、十二甲基環己矽氧烷、十四甲基環庚矽氧烷、十甲基四矽氧烷、十二甲基五矽氧烷、十四甲基六矽氧烷組成的組選出的至少一種構成。
4.根據權利要求1所述的固體電解電容器，其中，所述陽極體在表面具有凹部，所述防水部設置在覆蓋所述凹部的所述電介質被膜上。
5.根據權利要求1所述的固體電解電容器，其中， 所述陽極體由金屬的燒結體構成。
6.一種固體電解電容器的製造方法，其包括 在陽極體的表面形成電介質被膜的工序； 在所述電介質被膜上形成導電性高分子層的工序； 在所述導電性高分子層上形成所述陰極層的工序，在至少形成所述導電性高分子層的工序後，具有在所述電介質被膜上形成含有矽油的防水部的工序。
7.根據權利要求6所述的固體電解電容器的製造方法，其中， 所述矽油是聚合度為2以上2000以下的低聚物。
8.根據權利要求6所述的固體電解電容器的製造方法，其中，所述矽油由從十甲基環戊矽氧烷、十二甲基環己矽氧烷、十四甲基環庚矽氧烷、十甲基四矽氧烷、十二甲基五矽氧烷、十四甲基六矽氧烷組成的組選出的至少一種構成。
9.根據權利要求6所述的固體電解電容器的製造方法，其中，形成所述防水部的工序包括使所述矽油向形成有所述電介質被膜的所述陽極體浸透的工序。
10.根據權利要求6所述的固體電解電容器的製造方法，其中， 在形成所述陰極層的工序後，具有形成所述防水部的工序。
全文摘要
本發明提供一種固體電解電容器及固體電解電容器的製造方法。該固體電解電容器具有陽極體；電介質被膜，其覆蓋陽極體的表面；導電性高分子層，其設置在電介質被膜上；防水部，其設置在未與導電性高分子層接觸的電介質被膜上，並且含有矽油。
文檔編號H01G9/15GK102479620SQ201110267910
公開日2012年5月30日 申請日期2011年9月9日 優先權日2010年11月30日
發明者古澤厚志, 阿部洋輔 申請人:三洋電機株式會社