具有光傳感器的攝像裝置及其製造方法

2023-10-10 18:52:49

專利名稱：具有光傳感器的攝像裝置及其製造方法
技術領域：
本發明涉及具有光傳感器的攝像裝置及其製造方法。
背景技術：
在日本特開2010-56292號公報上公開了如下技術隔著框狀的間隔件將下表面具有透鏡的玻璃板安裝到光傳感器。該情況下，光傳感器具有半導體基板。在半導體基板的上表面中央部設有受光部。在半導體基板的上表面周邊部設有與受光部連接的連接焊盤。在半導體基板的下表面設有配線。例如在CMOS的情況下，為了將信號作為電壓取出，配線是必須的。配線的一端部經由設置在位於半導體基板的周邊部的貫通孔內的貫通電極而與連接焊盤相連接。在除配線的焊接區(land)以外的半導體基板的下表面設有絕緣膜，配線的焊接區經由設置於絕緣膜的開口部而露出。在經由絕緣膜的開口部而露出的配線的焊接區的下表面設有焊料球。在日本特開2010-56292號公報中，首先，準備比作為完成品的攝像裝置的半導體基板的厚度厚的半導體晶片。在該情況下，在半導體晶片的攝像裝置形成區域的上表面的中央部設置受光部，在其周圍設置與受光部連接的連接焊盤。接著，將在與半導體晶片尺寸相同的玻璃板的下表面處設有多個透鏡的部件隔著格子狀的間隔件而安裝在半導體晶片上。接著，對半導體晶片的下表面側進行研磨，使半導體晶片的厚度變薄。接著，在半導體晶片的攝像裝置的形成區域內的周邊部形成貫通孔。接著，在包含貫通孔內的半導體晶片的下表面處，通過電解鍍，形成配線以及貫通電極。接著，在半導體晶片的下表面側，形成具有開口部的絕緣膜。接著，在經由絕緣膜的開口部而露出的配線的焊接區的下表面處形成焊料球。接著，切斷半導體晶片、格子狀的間隔件以及與半導體晶片尺寸相同的玻璃板，從而得到多個攝像裝置。但是，在上述以往的攝像裝置的製造方法中，存在在半導體晶片的攝像裝置形成區域內的周邊部形成貫通孔的工序較多的問題，如對半導體晶片的下表面形成抗蝕劑膜、 對抗蝕劑膜形成開口部、基於以抗蝕劑膜作為掩模的刻蝕而形成半導體晶片的貫通孔、剝離抗蝕劑膜等。並且，還存在以下問題，即在對半導體晶片的下表面側進行研磨而使得半導體晶片的厚度變薄的工序之前，為了進行強化而必須在半導體晶片上配置與該半導體晶片尺寸相同的玻璃板，從而在加工過程中受到制約。

發明內容
因此，本發明的目的在於提供一種攝像裝置及其製造方法，能夠減少工序數，並且在加工過程中不易受到制約。根據本發明的一實施方式，提供了一種攝像裝置，其特徵在於，具有透鏡單元，光從該透鏡單元的一個面入射；和光傳感器，該光傳感器具有半導體基板，設置在所述透鏡單元的另一面側，從所述透鏡單元出射的光從該半導體基板的一個面入射；和設置在所述半導體基板的另一面側的光電轉換器件區域及連接焊盤。
根據本發明的另一實施方式，技術方案9所述發明的攝像裝置的製造方法，在將光電轉換器件區域及連接焊盤設在半導體晶片的一個面而得到的光傳感器的所述半導體晶片的另一個面配置透鏡單元。


圖1為作為本發明的第1實施方式的攝像裝置的剖視圖。圖2為在圖1所示的攝像裝置的製造方法的一例中，最初準備的部件的一部分的剖視圖。圖3為圖2的後續工序的剖視圖。圖4為圖3的後續工序的剖視圖。圖5為圖4的後續工序的剖視圖。圖6為圖5的後續工序的剖視圖。圖7為圖6的後續工序的剖視圖。圖8為圖7的後續工序的剖視圖。圖9為圖8的後續工序的剖視圖。圖10為作為本發明的第1實施方式的另一例的攝像裝置的剖視圖。圖11為作為本發明的第2實施方式的攝像裝置的剖視圖。圖12為作為本發明的第2實施方式的另一例的攝像裝置的剖視圖。
具體實施例方式(第1實施方式)圖1表示作為本發明的第1實施方式的攝像裝置的剖視圖。該攝像裝置具有光傳感器1。光傳感器1具備由矽、或砷化鎵等組成的平面方形的半導體基板2，該砷化鎵是化合物半導體，由Ga(鎵)和As(砷)的化合物組成。在半導體基板2的下表面中央部設有包含CCD(電荷耦合元件)、光電二極體、光電電晶體等元件的光電轉換器件區域3。在半導體基板2的下表面周邊部設有多個由鋁類金屬等構成的、與光電轉換器件區域3連接的連接焊盤4。在除半導體基板2的周邊部以及連接焊盤2的中央部以外的半導體基板2的下表面，設有由氧化矽、氮化矽等構成的鈍化膜(絕緣膜)5，並經由設於鈍化膜5的開口部6而使連接焊盤4的中央部露出。在鈍化膜5的下表面設有由聚醯亞胺類樹脂等構成的保護膜 (絕緣膜)7。在與鈍化膜5的開口部6對應的部分的保護膜7處設有開口部8。在保護膜7的下表面設有多個配線9。配線9採用由設在保護膜7的下表面的、 由銅等構成的基底金屬層10，和設在基底金屬層10的下表面的、由銅構成的上部金屬層11 構成的2層構造。配線9的一端部經由鈍化膜5及保護膜7的開口部6、8而與連接焊盤4 相連接。在配線9的焊接區下表面設有由銅構成的柱狀電極(外部連接用電極)12。在半導體基板2的周邊部下表面以及含有配線9的保護膜7的下表面、在柱狀電極12的周圍設有由包含石英粉(silica filler)的環氧類樹脂構成的密封膜13。這裡，柱狀電極12設置為，下表面與密封膜13的下表面為同一面或比密封膜13的下表面凹陷1 2μπι。
如上所述地，光傳感器1構成為，包含半導體基板2、光電轉換器件區域3、連接焊盤4、鈍化膜5、保護膜7、由基底金屬層10及上部金屬層11構成的2層構造的配線9、柱狀電極12以及密封膜13。並且，在光傳感器1的柱狀電極12的下表面設有焊料球14。在光傳感器1的半導體基板2的上表面，經由方形框狀的粘結劑層22而貼附有平面方形狀的可視光透射板(可視光透射材料)21。可視光透射板21具有紅外線截止濾波器 (infrared cut filter)的作用，可以是紅外線反射型或紅外線吸收型，其平面尺寸為比光傳感器1的半導體基板2的平面尺寸稍小。作為可視光透射板21，可採用玻璃、甲基丙烯酸樹脂、芴類樹脂、環烯烴聚合物、環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷等，只要是透射可視光的材料即可。在可視光透射板21的上表面設有透鏡單元23。透鏡單元23通過在框狀的透鏡支架24的內部設置透鏡25而構成，該透鏡25配置在光傳感器1的光電轉換器件區域3的上方。並且，透鏡單元23的透鏡支架24的下表面經由框狀的粘結劑層26而貼附到可視光透射板21的上表面的周邊部。如圖1中箭頭所示，光從設置在半導體基板2的另一面的透鏡單元23側入射。透過透鏡25的光聚光在光電轉換器件區域3，並傳送到配線9。這裡，由於透鏡25較好地透射紅外線，且光電轉換器件區域3具有高紅外線靈敏度，因此光傳感器1的靈敏度主要受用於阻斷位於光電轉換器件區域3前的紅外線的可視光透射板21所影響。可視光透射板21的紅外線反射率以及紅外線吸收率都為90%以上。 因此，可視光透射板21的紅外線透射率為10%以下。並且，可視光透射板21具有保護光電轉換器件區域3的作用。由反射或吸收而阻斷的紅外線的波長為包含約0. 7 μ m 1000 μ m 的範圍的頻率的電磁波。並且，透射可視光透射板21的可視光的波長為包含380 780nm 的範圍的頻率的電磁波。接著，對該攝像裝置的製造方法的一例進行說明。首先，如圖2所示，準備在晶片狀態的半導體基板(下面稱為半導體晶片31)的下表面形成了光電轉換器件區域3、連接焊盤4、鈍化膜5、保護膜7、由基底金屬層10及上部金屬層11構成的2層構造的配線9、柱狀電極12以及密封膜13的部件。對該準備好的部件的製造方法的一例進行簡單說明，首先，在半導體晶片31下形成光電轉換器件區域3，連接焊盤4，鈍化膜5以及保護膜7等。接著，在其下表面整體，通過無電解鍍形成基底金屬層(10)。接著，通過將基底金屬層(10)作為鍍電流通路的電解鍍，形成上部金屬層11以及柱狀電極12。接著，通過將上部金屬層11作為掩模的刻蝕，去除上部金屬層11以外的區域中的基底金屬層(10)，形成由基底金屬層10及上部金屬層11 構成的2層構造的配線9。接著，在保護膜7的周圍的半導體晶片31的下表面以及包含配線9的保護膜7的下表面，在柱狀電極12的周圍形成密封膜13。如此，得到圖2所示準備好的部件。該情況下，不需要在半導體晶片31中形成貫通電極，因此與在半導體晶片31中形成貫通電極的情況相比，能夠減少工序數。這裡，圖2所示的半導體晶片31的厚度為，比圖 1所示的半導體基板2的厚度厚。並且，在圖2中，符號32所示的區域為切割道。接著，如圖3所示，在柱狀電極12的下表面形成焊料球14。作為焊料球14的形成方法，首先，在柱狀電極12的下表面塗覆焊料膏，或者搭載焊料球。接著，通過進行回流，在柱狀電極12的下表面形成焊料球14。
接著，如圖4所示，準備保護帶33。該保護帶33通過在基材膜34的上表面設置紫外線硬化型的未硬化狀態的粘著劑層35而構成。並且，在包含焊料球14的密封膜13的下表面，貼附保護帶33的未硬化狀態的粘著劑層35。該情況下，粘著劑層35的厚度為比焊料球14的高度厚。因此，在該狀態下，焊料球14由粘著劑層35完全覆蓋。接著，如圖5所示，準備吸盤(chuck) 36。吸盤36與未圖示的真空泵等真空源連接，用於吸引裝載在吸盤36上的部件並將其吸附保持。接著，將保護帶33的下表面裝載在吸盤36上從而進行吸附保持。接著，使用研磨砥石(未圖示)對半導體晶片31的下表面側進行適當地研磨，使半導體晶片31的厚度變薄。在該狀態下，由於在半導體晶片31的下表面側形成密封膜13並在其下表面側貼附保護帶33，並進一步通過吸盤36對保護帶33的下表面進行吸附保持，因此即使半導體晶片31的厚度變薄，也能夠使半導體晶片31不易彎曲。在該情況下，由於不使用強化用的玻璃板，因此，這樣在加工過程中能夠不易受到制約。接著，如圖6所示，在半導體晶片31的上表面，經由方形框狀的粘結劑層22將平面方形的可視光透射板21貼附到由切割道32所包圍的平面方形的區域內的中央部。但是，在密封膜13的下表面側不貼附保護帶33、並且在半導體晶片31及密封膜13的合計厚度為350 300 μ m以下的情況下，半導體晶片31的彎曲量變大，難以進行可視光透射板21 的貼附。對此，本實施方式由於在密封膜13的下表面側貼附保護帶33，並且進一步通過吸盤36對保護帶33的下表面進行吸附保持，從而即使半導體晶片31及密封膜13的合計厚度為350 300 μ m以下，半導體晶片31的彎曲量也不會變大，可視光透射板21的貼附也不會變難。接著，解除由吸盤36產生的對保護帶33的下表面的吸附保持，將保護帶33從吸盤36上去除。接著，如圖7所示，準備透鏡單元23。透鏡單元23通過在框狀的透鏡支架 24的內部設置透鏡25而構成。並且，經由框狀的粘著劑層26將透鏡單元23的透鏡支架 24的下表面貼附到可視光透射板21的上表面周邊部。接著，從保護帶33的下表面側照射紫外線，使未硬化狀態的粘著劑層35硬化，使保護帶33成為能夠剝離的狀態。接著，若將保護帶33從包含焊料球14的密封膜13的下表面剝離，則如圖8所示，包含焊料球14的密封膜13的下表面露出。接著，如圖9所示，若沿著切割道32對半導體晶片31及密封膜13進行切割，則得到如圖1所示的多個攝像裝置。在如上所述得到的攝像裝置中，入射光的方向以箭頭表示，具有光從設有透鏡單元23的半導體基板2的另一面側入射的背面照射型的結構。因此，入射光透過透鏡25，接著透過可視光透射板21以及半導體基板2，到達光電轉換器件區域3。這樣，由於在透鏡與光傳感器之間沒有配線，透鏡與光傳感器相接近，因此成為使得傾斜的光也容易到達的結構。此時，設置在半導體基板2的一面的配線9及柱狀電極12位於比光電轉換器件區域3 更靠近下方的位置，因此不會因配線9及柱狀電極12而遮住光，能夠提高效率。根據以上的原因，即使俯視時光電轉換器件區域3與配線9及柱狀電極12重疊形成，也不會有絲毫問題。並且，雖然由於半導體基板2的厚度較薄而容易發生彎曲，但是在具有柱狀電極12 的結構中，由於密封膜13的厚度較厚而能夠抑制彎曲。另外，在圖2所示的狀態下，進行各光傳感器形成區域的電氣測試，在存在被判斷為不良的光傳感器形成區域的情況下，對於該被判斷為不良的光傳感器形成區域，在圖6以及圖7所示的工序中，可以不安裝可視光透射板21以及透鏡單元23。這樣，能夠提高成品率。並且，本實施方式中，對半導 體晶片31的另一面進行了可視光透射板21的貼附及透鏡單元23的安裝，但是，也可以在切割後的半導體基板2上安裝並形成單片化的可視光透射板21及透鏡單元23。並且，在本實施方式中，在光傳感器1的半導體基板2與透鏡單元23之間設置了可視光透射板21，但是例如也可以通過使用具有隻透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器的透鏡25，如圖10所示地形成未設置可視光透射板21的薄型的結構。(第2實施方式)圖11表示作為本發明的第2實施方式的攝像裝置的剖視圖。該攝像裝置也具有光從箭頭方向入射的背面照射型的結構，與圖1所示的攝像裝置的不同點在於，在光傳感器1 中，省略了柱狀電極12。該情況下，在與配線9的焊接區(外部連接用電極)對應的部分的密封膜13，形成有用於將焊料球14連接到配線9的焊接區的開口部13a。另外，密封膜13可以由聚醯亞胺類樹脂、阻焊劑等形成。並且，與第1實施方式相同地，在本實施方式中也在光傳感器1的半導體基板2與透鏡單元23之間設置了可視光透射板21，但是例如也可以通過使用具有隻透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器的透鏡25，如圖12所示地形成未設置可視光透射板21的薄型的結構。以上對本發明的實施方式進行了說明，但是本發明並不限定於此，還包含與記載在權利要求書的發明等同的範圍。下面，付記為本申請最初的權利要求書中所記載的發明。(附記)技術方案1所述的攝像裝置，其特徵在於，具備透鏡單元，光從該透鏡單元的一個面入射；以及光傳感器，該光傳感器具有半導體基板，設置在所述透鏡單元的另一面側，從所述透鏡單元出射的光從該半導體基板的一個面入射；以及光電轉換器件區域及連接焊盤，設置在所述半導體基板的另一面側。技術方案2所述的攝像裝置，其特徵在於，在技術方案1所述的攝像裝置中，在上述半導體基板與上述透鏡單元之間，具備可視光透射率為90%以上、紅外線透射率為10%以下的可視光透射材料。技術方案3所述的攝像裝置，其特徵在於，在技術方案2所述的攝像裝置中，上述可視光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹月旨、芴類樹脂、環烯烴聚合物、環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、 偏氯乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一種。技術方案4所述的攝像裝置，其特徵在於，在技術方案1所述的攝像裝置中，上述光傳感器具有絕緣膜，設置在上述半導體基板的另一面側；配線，與上述連接焊盤相連接地設置在上述絕緣膜的下表面；柱狀電極，設置在上述配線的焊接區下；以及密封膜，在上述配線下及上述絕緣膜下，並設置在上述柱狀電極的周圍。技術方案5所述的攝像裝置，其特徵在於，
在技術方案4所述的攝像裝置中，在上述光傳感器的上述柱狀電極下設有焊料球。技術方案6所述的攝像裝置，其特徵在於，
在技術方案1所述的攝像裝置中，上述光傳感器具有絕緣膜，設置在上述半導體基板的另一面側；配線，與上述連接焊盤相連接地設置在上述絕緣膜的下表面，且具有作為外部連接用電極的焊接區；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，且設置在除上述配線的上述焊接區以外的區域。技術方案7所述的攝像裝置，其特徵在於，在技術方案6所述的攝像裝置中，在上述光傳感器的上述配線的上述焊接區下設有焊料球。技術方案8所述的攝像裝置，其特徵在於，在技術方案1所述的攝像裝置中，構成上述透鏡單元的透鏡具有隻透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器。技術方案9所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在將光電轉換器件區域以及連接焊盤設在半導體晶片的一個面而得到的光傳感器的上述半導體晶片的另一個面配置透鏡單元。技術方案10所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在技術方案9所述的攝像裝置的製造方法中，在上述半導體基板與上述透鏡單元之間，具備可視光透射率為90%以上、紅外線透射率為10%以下的可視光透射材料。技術方案11所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在技術方案10所述的攝像裝置的製造方法中，上述可視光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹脂、芴類樹脂、環烯烴聚合物、環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一種。技術方案12所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在技術方案9所述的攝像裝置的製造方法中，形成與上述連接焊盤相連接的外部連接用電極，並對上述半導體晶片進行切割而得到多個攝像裝置。技術方案13所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在技術方案10所述的攝像裝置的製造方法中，具有在配置上述可視光透射材料的工序之前、在上述外部連接用電極下形成焊料球的工序。技術方案14所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在技術方案13所述的攝像裝置的製造方法中，具有在形成上述焊料球的工序之後、對上述半導體晶片的上表面側進行研磨的工序。技術方案15所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在技術方案14所述的攝像裝置的製造方法中，具有在形成上述焊料球的工序之後且在對上述半導體晶片的上表面側進行研磨的工序之前、將保護帶貼附到上述半導體晶片的上述焊料球側的工序，並且具有在配置上述透鏡單元的工序之後、將上述保護帶剝離的工序。
技術方案16所述的 攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在技術方案12所述的攝像裝置的製造方法中，使該攝像裝置具有配線，與上述連接焊盤相連接地設置在上述絕緣膜的下表面；柱狀電極，設置在上述配線的焊接區下，作為上述外部連接用電極；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，並設置在上述柱狀電極的周圍。技術方案17所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在技術方案12所述的攝像裝置的製造方法中，使該攝像裝置具有配線，與上述連接焊盤相連接地設置在上述絕緣膜的下表面，且具有作為上述外部連接用電極的焊接區；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，並設置在除上述配線的上述焊接區之外的區域。技術方案18所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在技術方案9所述的攝像裝置的製造方法中，構成上述透鏡單元的透鏡具有隻透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器。技術方案19所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在技術方案10所述的攝像裝置的製造方法中，進行各光傳感器形成區域的電氣測試，在存在被判斷為不良的光傳感器形成區域的情況下，對於該被判斷為不良的光傳感器形成區域，不配置上述可視光透射材料以及上述透鏡單元。
權利要求
1.一種攝像裝置，其特徵在於，具有 透鏡單元，光從該透鏡單元的一個面入射；以及光傳感器，該光傳感器具有半導體基板，設置在所述透鏡單元的另一面側，從所述透鏡單元出射的光從該半導體基板的一個面入射；以及光電轉換器件區域及連接焊盤，設置在所述半導體基板的另一面側。
2.根據權利要求1所述的攝像裝置，其特徵在於，在上述半導體基板與上述透鏡單元之間，具備可視光透射率為90%以上、紅外線透射率為10%以下的可視光透射材料。
3.根據權利要求2所述的攝像裝置，其特徵在於，上述可視光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹脂、芴類樹脂、環烯烴聚合物、環氧樹脂、 聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一種。
4.根據權利要求1所述的攝像裝置，其特徵在於， 上述光傳感器具有絕緣膜，設置在上述半導體基板的另一面側；配線，與上述連接焊盤相連接地設置在上述絕緣膜的下表面；柱狀電極，設置在上述配線的焊接區下；以及密封膜，在上述配線下及上述絕緣膜下，並設置在上述柱狀電極的周圍。
5.根據權利要求4所述的攝像裝置，其特徵在於， 在上述光傳感器的上述柱狀電極下設有焊料球。
6.根據權利要求1所述的攝像裝置，其特徵在於， 上述光傳感器具有絕緣膜，設置在上述半導體基板的另一面側；配線，與上述連接焊盤相連接地設置在上述絕緣膜的下表面，且具有作為外部連接用電極的焊接區；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，並設置在除上述配線的上述焊接區以外的區域。
7.根據權利要求6所述的攝像裝置，其特徵在於，在上述光傳感器的上述配線的上述焊接區下設有焊料球。
8.根據權利要求1所述的攝像裝置，其特徵在於，構成上述透鏡單元的透鏡具有隻透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器。
9.一種攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在將光電轉換器件區域以及連接焊盤設在半導體晶片的一個面而得到的光傳感器的上述半導體晶片的另一個面配置透鏡單元。
10.根據權利要求9所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，在上述半導體基板與上述透鏡單元之間，具備可視光透射率為90%以上、紅外線透射率為10%以下的可視光透射材料。
11.根據權利要求10所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，上述可視光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹脂、芴類樹脂、環烯烴聚合物、環氧樹脂、 聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一種。
12.根據權利要求9所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，形成與上述連接焊盤相連接的外部連接用電極，並對上述半導體晶片進行切割而得到多個攝像裝置。
13.根據權利要求10所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，具有在配置上述可視光透射材料的工序之前、在上述外部連接用電極下形成焊料球的工序。
14.根據權利要求13所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，具有在形成上述焊料球的工序之後、對上述半導體晶片的上表面側進行研磨的工序。
15.根據權利要求14所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，具有在形成上述焊料球的工序之後且在對上述半導體晶片的上表面側進行研磨的工序之前、將保護帶貼附到上述半導體晶片的上述焊料球側的工序，並且具有在配置上述透鏡單元的工序之後、將上述保護帶剝離的工序。
16.根據權利要求12所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於， 使該攝像裝置具有絕緣膜，設置在上述半導體晶片的另一面側； 配線，與上述連接焊盤相連接地設置在上述絕緣膜的下表面； 柱狀電極，設置在上述配線的焊接區下，作為上述外部連接用電極；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，並設置在上述柱狀電極的周圍。
17.根據權利要求12所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於， 使該攝像裝置具有絕緣膜，設置在上述半導體晶片的另一面側；配線，與上述連接焊盤相連接地設置在上述絕緣膜的下表面，且具有作為上述外部連接用電極的焊接區；以及密封膜，在包含上述配線的上述絕緣膜下，且設置在除上述配線的焊接區之外的區域。
18.根據權利要求9所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，構成上述透鏡單元的透鏡具有隻透射10%以下紅外線的紅外線截止濾波器。
19.根據權利要求10所述的攝像裝置的製造方法，其特徵在於，進行各光傳感器形成區域的電氣測試，在存在被判斷為不良的光傳感器形成區域的情況下，對於該被判斷為不良的光傳感器形成區域，不配置上述可視光透射材料以及上述透鏡單元。
全文摘要
一種光傳感器(1)，具有位於半導體基板(2)的下表面的光電轉換器件區域(3)以及連接焊盤(4)，並且具有在半導體基板2之下經由絕緣膜(5、7)而連接到連接焊盤(3)的配線(9)，以及與該配線(9)相連的作為外部連接用電極的柱狀電極(12)。結果，與在半導體基板(2)的上表面形成光電轉換器件區域(3)以及與該光電轉換器件區域(3)連接的連接焊盤(4)的情況相比，在半導體基板(2)不需要形成用於使連接焊盤(4)與配線(9)連接的貫通電極，從而能夠減少工序數，並且能夠在加工過程中不易受到制約。
文檔編號H01L27/146GK102263116SQ20111013873
公開日2011年11月30日 申請日期2011年5月26日 優先權日2010年5月28日
發明者三原一郎, 若林猛 申請人:卡西歐計算機株式會社