非水電解質二次電池用集電體的製造方法、非水電解質二次電池用電極的製造方法以及...的製作方法

2024-04-07 09:19:05

專利名稱：：非水電解質二次電池用集電體的製造方法、非水電解質二次電池用電極的製造方法以及...的製作方法
技術領域：
：本發明涉及非水電解質二次電池用集電體的製造方法、非水電解質二次電池用電極的製造方法以及非水電解質二次電池。更詳細而言，本發明主要涉及非水電解質二次電池用集電體的改良。
背景技術：
：鋰二次電池由於具有高電位和高容量，比較容易實現小型化和輕量化，所以最近主要作為可攜式電子設備的電源的利用顯著增加。代表性的鋰二次電池通過使用可嵌入和脫嵌鋰的碳材料等作為負極活性物質，並使用LiCo02等過渡金屬與鋰的複合氧化物作為正極活性物質，實現了高電位和高容量。但是，隨著可攜式電子設備的多功能化進而消耗電力的不斷增大，對於作為電源使用的鋰二次電池也希望改善其伴隨充放電循環而產生的特性劣化。作為鋰二次電池的發電要素的電極含有集電體和活性物質層。活性物質層一般是在集電體的單面或兩面塗布合劑漿料，使其乾燥後通過進行加壓成形而形成的。合劑漿料是通過將正極活性物質或負極活性物質、粘結材以及根據需要添加的導電材混合分散於分散介質中而調製的。其中，作為伴隨充放電循環而產生的特性劣化的要因之一，可以列舉出在集電體表面形成的活性物質層與集電體的粘結力下降。在鋰二次電池中，伴隨著充放電循環，電極產生膨脹和收縮，從而使集電體與活性物質層的界面處的兩者的粘結力變弱，活性物質層從集電體上脫落，特性發生劣化。為了提高集電體與活性物質層的粘結力，在集電體與活性物質層的界面增大兩者的接觸面積是有效的。因此，提出了使集電體表面粗糙化的方法、在集電體表面形成凹凸的方法等。作為集電體表面的粗糙化方法，可以列舉出例如通過電解來腐蝕集電體的表面的方法、通過電沉積使與集電體所含金屬相同的金屬在集電體表面析出的方法等。作為在集電體表面形成凹凸的方法，可以列舉出例如使微粒高速碰撞作為集電體的壓延銅箔的表面，從而在表面形成微小凹凸的方法(參照例如專利文獻l)。專利文獻1中，儘管能夠形成局部具有無規的凹凸的集電體，但由於從噴嘴噴射的微粒產生速度分布，所以難以在集電體的寬度方向、長度方向上均勻地形成凹凸。另外，提出了對金屬箔照射雷射以形成表面粗糙度以10點平均粗糙度計為0.510um的凹凸的方法(參照例如專利文獻2)。專利文獻2中，是通過照射雷射以局部加熱金屬箔，從而使金屬蒸發來形成凹部。而且，通過連續地進行雷射照射，能夠在金屬箔的整面上形成凹凸。但是，由於是線狀地掃描雷射，金屬箔局部被加熱至金屬箔的熔點以上的高溫，所以難以防止金屬箔的波浪起伏、皺紋、翹曲等的發生。進而，對鋰二次電池的集電體那樣的厚度為20um以下的金屬箔進行雷射加工時，由於雷射的功率偏差，有可能發生金屬箔穿孔的不利情況。另外，可以列舉出如下方法使表面形成有凹凸的輥與表面設置有硬質橡膠層的輥按照各自的軸線平行的方式接觸，使集電體通過該接觸部分，從而在集電休上形成凹凸(參照例如專利文獻3)。專利文獻3中，是為了在不減小活性物質層的厚度的情況下提高鋰二次電池的功率密度的目的，在集電體上形成了凹凸。專利文獻3中，由於使用表面設置有硬質橡膠層的輥，所以即便使集電體通過輥與輥的接觸部分，也難以發生塑性變形。另外，為了提高集電體與活性物質層的粘結力以及導電性，提出了具有特定的凹凸的集電體(參照例如專利文獻4)。圖20(a)(e)是示意表示專利文獻4的集電體的構成的立體圖。在專利文獻4的集電體中，金屬箔的一個表面的局部部分凹陷，同時另一個表面的與上述局部部分對應的部分規則地形成了從另一個表面向外側突出的凹凸。這樣的集電體不具有充分的機械強度。進而，如果在這樣的集電體上形成活性物質層，則活性物質層的厚度容易變得不均勻，結果對電池性能產生不良影響。另外，對於專利文獻14來說，如果在金屬箔的一個表面形成凹部，則不可避免要使另一個表面的對應於上述凹部的部分一定成為凸部，這是比較困難的，而且在形成凹凸時，難以防止金屬箔的波浪起伏、鈹紋、翹曲等的發生。另外，還提出了如下電極其含有集電體、和填充於集電體的凹部的活性物質層，所述集電體由通過壓花加工而形成有凹凸的開孔度為20%以下的穿孔金屬構成，集電體的凸部露出或在凸部上附著有活性物質(參照例如專利文獻5)。圖21是示意表示專利文獻5的電極101103的構成的縱截面圖。圖21(a)所示的電極101包含形成有凹凸的集電體110、和填充於集電體110的凹部110b上的活性物質層111，在集電體110的凸部30a表面也附著有活性物質層111。在圖21(b)和(c)所示的電極102、103中，集電體120、130的凸部120a、130a分別露出。專利文獻5中，由於是通過對開孔度為20%以下的穿孔金屬實施壓花加工來形成凹凸，所以得到的集電體不具有充分的機械強度。因此，有可能發生電極斷裂的不利情況。此外，還提出了含有集電體和活性物質層，並且(活性物質層的表面粗糙度Ra)—(集電體的表面粗糙度Ra)的值為0.1um以上的電極(參照例如專利文獻6)。通常，如果通過真空蒸鍍法等在集電體表面形成活性物質的薄膜，則能夠得到具有與集電體表面大致相同的表面粗糙度的薄膜。另一方面，專利文獻6中，是通過對用常規方法形成的薄膜實施噴砂、表面研磨等處理來將薄膜的表面粗糙度調整為上述特定的值。由此可以緩和活性物質的膨脹應力。專利文獻6的技術儘管在防止活性物質的裂紋方面有某程度的效果，但由於在集電體表面的整面上形成活性物質的薄膜，所以容易發生薄膜從集電體上的剝離、電極的變形等。其結果是，充放電循環特性劣化。專利文獻1:日本特開2002-79466號公報專利文獻2:日本特開2003-258182號公報專利文獻3:日本特開平8-195202號公報專利文獻4:日本特開2002-270186號公報專利文獻5:日本特開2005-32642號公報專利文獻6:日本特開2002-279972號公報
發明內容本發明的目的是提供一種非水電解質二次電池用集電體的製造方法，所述集電體在未受到壓縮加工的情況下在其至少一個表面形成了多個能夠高效地擔載活性物質層的凸部，並且機械強度高。本發明的另一個目的是提供一種非水電解質二次電池用電極的製造方法，所述電極含有通過本發明的非水電解質二次電池用集電體的製造方法而得到的集電體和活性物質層。本發明的又一個目的是提供一種非水電解質二次電池，其含有通過本發明的非水電解質二次電池用電極的製造方法而製造的電極。本發明涉及一種非水電解質二次電池用集電體的製造方法，其中使用如下的一對加工機構該一對加工機構被設置成表面相互壓接而形成可使片材狀物通過的壓接鉗部，並且在至少一個加工機構的表面形成有多個凹部；在所述製造方法中，使集電體用金屬箔通過加工機構的壓接鉗部以進行壓縮加工，從而在集電體用金屬箔的至少一個表面形成多個凸部。優選的是，凸部的前端表面的表面粗糙度與壓縮加工前的集電體用金屬箔的表面粗糙度大致相同。優選的是，凹部的與加工機構表面垂直的方向的截面具有如下形狀該截面的與加工機構表面平行的方向的寬度從加工機構表面朝著凹部底面逐漸變小的錐形狀。優選的是，以使得凸部的體積小於等於凹部的內部空間的體積的方式進行壓縮加工。優選的是，以使得凸部的體積為凹部的內部空間的體積的85%以下的方式進行壓縮加工。優選的是，在表面形成有多個凹部的加工機構中，凹部與加工機構表面的邊界是曲面。優選的是，凹部與加工機構表面的邊界的曲面形狀是如下形成的利用雷射加工形成凹部，並除去因雷射加工而產生的凹部與加工機構表面的邊界的隆起。優選的是，通過用平均粒徑為30nm以上但低於53ym的金剛石粒子進行研磨來除去隆起。優選的是，在凹部與加工機構表面的邊界處形成有多個寬度為1Pm以下、深度為lPm以下的凹槽。優選的是，通過用平均粒徑為5um以下的金剛石粒子進行研磨來形成凹槽。優選的是，一對加工機構是一對輥，在至少一個輥的表面形成有凹部。優選的是，在形成有凹部的輥的表面以及凹部的面對內部空間的表面形成有表面覆蓋層，所述表面覆蓋層含有超硬合金、合金工具鋼或氧化鉻。優選的是，在表面覆蓋層的表面形成有保護層，所述保護層含有無定形碳材料o優選的是，表面覆蓋層和保護層是通過選自下述氣相沉積法中的至少一種而形成的，所述氣相沉積法是利用濺射的物理氣相沉積法、利用離子注入的物理氣相沉積法、利用熱蒸鍍的化學氣相沉積法和利用等離子體蒸鍍的化學氣相沉積法。優選的是，至少一個輥是表面設置有陶瓷層的輥，在陶瓷層的表面形成有凹部。優選的是，在輥或集電體用金屬箔的表面塗布潤滑劑，並使其乾燥。優選的是，潤滑劑含有脂肪酸。此外，本發明涉及一種非水電解質二次電池用集電體，其含有由集電體用金屬箔構成的基材部、和從基材部的至少一個表面向基材部的外側延伸而形成的多個凸部，基材部表面與凸部的邊界是曲面。此外，本發明涉及一種非水電解質二次電池用電極的製造方法，其中，在通過上述任一種非水電解質二次電池用集電體的製造方法而製造的非水電解質二次電池用集電體或上述的非水電解質二次電池用集電體的表面擔載正極活性物質或負極活性物質。優選的是，在非水電解質二次電池用集電體的凸部表面擔載正極活性物質或負極活性物質。此外，本發明涉及一種非水電解質二次電池，其含有正極、負極、隔膜和非水電解質，正極和負極中的至少一個是通過上述的非水電解質二次電池用電極的製造方法而製造的電極。根據本發明的非水系二次電池用集電體的製造方法，由於凸部在未受到壓縮加工的情況下形成，所以可以得到機械強度提高、且富有耐久性的集電體。此外，凸部是在未受到壓縮加工的情況下通過塑性變形而形成的。另外，凸部的前端表面由於是在幾乎未受到壓縮加工和伴隨其產生的塑性變形的影響的情況下形成的，所以具有與壓縮加工前的集電體用金屬箔大致相同的表面粗糙度。具有這種凸部的集電體的機械強度迸而耐久性進一步得到提高，並且在擔載活性物質層的情況下，與活性物質層的粘附力非常強。另外，在含有基材部、和從基材部的至少一個表面向基材部的外側延伸而形成的多個凸部的集電體中，通過將基材部表面與凸部的邊界部分設定成曲面，可以使集電體的機械強度和耐久性進一步提高。進而，能夠在壓縮加工時以較低的壓力形成凸部，同時能夠提高壓縮加工後的集電體從加工機構上脫模的脫模性。圖1是示意表示本發明的實施形態之一的集電體的製造方法的縱截面圖。圖2是示意說明伴隨壓縮加工而產生的集電體用金屬箔的塑性變形的縱截面圖。圖3是示意表示集電體製造裝置的構成的側視圖。圖4是將圖3所示的集電體製造裝置的要部的構成放大表示的立體圖。圖5是表示壓縮加工中使用的輥的構成的圖。圖5(a)是表示輥的外觀的立體圖。圖5(b)是將圖5(a)所示的輥的表面區域放大表示的立體圖。圖6是示意表示本發明的實施形態之一的另一形態的集電體的製造方法的縱截面圖。圖7是示意表示通過本發明的非水電解質二次電池用集電體的製造方法而得到的集電體的構成的縱截面圖。圖8是示意表示圖7所示的集電體的製造方法的縱截面圖。圖9是表示壓縮加工中使用的另一形態的輥的構成的圖。圖8(a)是表示輥的外觀的立體圖。圖8(b)是將圖8(a)所示的輥的表面區域放大表示的立體圖。圖8(c)是將圖8(b)所示的輥的周面上形成的凹部放大表示的立體圖。圖10是示意表示通過本發明的非水電解質二次電池用集電體的製造方法而得到的另一形態的集電體的構成的縱截面圖。圖11是示意表示圖IO所示的集電體的製造方法的縱截面圖。圖12是示意表示本發明的實施形態之一的巻繞型非水電解質二次電池的構成的局部分解立體圖。圖13是示意表示本發明的實施形態之一的層疊型非水電解質二次電池的構成的縱截面圖。圖14是示意表示實施例5中得到的集電體的構成的圖。圖14(a)是立體圖。圖14(b)是縱截面圖。圖15是示意表示實施例6中得到的集電體的構成的圖。圖15(a)是立體圖。圖15(b)是縱截面圖。圖16是示意表示實施例24中得到的集電體的構成的圖。圖16(a)是立體圖。圖16(b)是縱截面圖。圖17是示意表示實施例25中得到的集電體的構成的圖。圖17(a)是立體圖。圖17(b)是縱截面圖。圖18是實施例1中得到的集電體的截面的電子顯微鏡照片。圖19是比較例1中得到的集電體的截面的電子顯微鏡照片。圖20是示意表示以往技術的集電體的構成的立體圖。圖21是示意表示以往技術的電極的構成的縱截面圖。根據本發明的非水系二次電池用集電體的製造方法，在集電體用金屬箔的表面形成凸部的工序、以及在將電極活性物質擔載於集電體的凸部上的工序等中，可以防止集電體用金屬箔和集電體上發生局部的變形、彎曲、翹曲、斷裂等。同時，在將電極活性物質擔載於集電體的凸部上以製作電極的工序、以及將電極切開加工成規定寬度的工序等中，也能夠抑制電極活性物質從集電體上的脫落。因此，最終能夠得到可靠性高的非水電解質二次電池。具體實施例方式圖7是示意表示本發明的另一實施形態的非水電解質二次電池用集電體20的構成的縱截面圖。圖8是示意表示圖7所示的非水電解質二次電池用集電體20的製造方法的縱截面圖。圖8(a)是表示集電體用金屬箔10剛剛被供給至壓接鉗部8之後的狀態的縱截面圖。圖8(b)是表示在壓接鉗部8中，集電體用金屬箔10的表面進行塑性變形的狀態的縱截面圖。圖8(c)是通過壓接鉗部8之後的集電體20的縱截面圖。圖9是示意表示圖8所示的製造方法中使用的輥28的構成的圖。圖9(a)是表示輥28的外觀的立體圖。圖9(b)是將圖9(a)所示的輥28的表面區域28a放大表示的立體圖。圖9(c)是將輥28的周面上形成的凹部29的構成放大表示的立體圖。集電體20含有基材部21和多個凸部22。集電體20與集電體1同樣，可以通過用一對加工機構對集電體用金屬箔10進行壓縮加工，使其發生局部的塑性變形來製造。對集電體用金屬箔10的單面實施壓縮加工。壓縮加工的詳細情況在後面進行敘述。當將集電體20用作負極集電體時，集電體20由與將集電體1用作負極集電體時的集電體金屬箔10同樣的材料構成。另外，當將集電體20用作正極集電體時，集電體20由與將集電體1用作正極集電體時的集電體金屬箔10同樣的材料構成。基材部21被形成為片材狀，厚度方向的截面形狀是大致長方形。基材部21的厚度為ts。對厚度t5沒有特別限制，優選為5um100um，更優選為835lim。基材部21的厚度低於5Um時，集電體20的機械強度有可能變得不充分，容易發生電極製造時的集電體20的處理性下降、以及電池充電時的電極斷裂等。另一方面，基材部21的厚度超過100lim時，儘管能確保集電體20的機械強度，但集電體20在電極整體中所佔的體積增大，有可能不能充分實現電池的高容量化。基材部21的表面21a如後所述，由於受到了壓縮加工，所以具有與原先的集電體用金屬箔10不同的表面粗糙度。多個凸部22形成在基材部21的厚度方向的一個表面上。另外，凸部22是從基材部21的表面向基材部21的外側延伸而形成的。凸部22例如具有在其表面的至少一部分上擔載活性物質層的功能。凸部22未受到壓縮加工，而是通過伴隨基材部21的壓縮加工而產生的塑性變形而形成。另外，凸部22的前端表面幾乎未受到壓縮加工和塑性變形的影響。因此，凸部22的前端表面具有與原先的集電體用金屬箔10的表面大致相同的表面粗糙度。凸部22的前端表面是指在凸部22延伸的方向或突出的方向上位於凸部22的距離基材部21最遠部分的平面。另外，相鄰的兩個凸部22具有間隙而隔離地形成。因此，在圖7所示的集電體20的厚度方向的截面上，在相鄰的2個凸部22之間存在基材部21的表面21a作為凹部。另外，凸部22在集電體20的厚度方向的截面(以下僅記為"凸部22的截面")具有錐狀形狀。更詳細而言，凸部22的截面具有如下形狀從基材部21表面朝著凸部22的延伸方向，與基材部21表面平行的方向的寬度(以下僅記為"凸部22的截面寬度")逐漸或連續變小的錐狀形狀。本實施形態中，凸部22的截面是大致梯形。通過使凸部22具有錐狀形狀，壓縮加工結束後，集電體20從輥28上脫模的脫模性得以提高，可以防止凸部22的變形，將凸部22的形狀偏差控制為最小限度。另外，本實施形態中，凸部22的形狀是圓錐臺，但凸部22的截面只要具有錐狀形狀，則並不特別限制凸部22的形狀。另外，本實施形態中，在凸部22的延伸方向上，凸部22的前端表面是與基材部21表面大致平行的平面，但並不限於此。例如，也可以是與基材部21表面不平行的平面、具有凹凸的半球面狀、穹頂狀等。只要是這些形狀，則對於提高凸部22與活性物質層的接合強度是有效的。在圖7中，從表示凸部22的前端表面的直線上的一點落至表示基材部21的未形成凸部22的表面的直線上的垂線的長度為t6。按照使t6大於原先的集電體用金屬箔10的厚度t。的方式來形成凸部22。另外，t6也可以定義為集電體20的最大厚度。另外，基材部21的表面21a上的基材部21與凸部22的邊界22a由曲面構成。這裡，邊界22a也包含邊界22a的附近部分。通過將邊界22a設定成曲面，則即使有力作用於凸部22，也能夠實現應力分散，使集電體20的機械強度增加。其結果是，在形成凸部22的工序、以及使活性物質擔載於凸部22上以製作電極的工序等中，可以防止集電體20上發生局部的彎曲、變形等。另外，電極製作後在將電極切開加工成規定寬度的工序等中，能夠抑制活性物質層從集電體20上的剝離、局部的脫落等。如上所述，圖8是用於說明集電體20的製作方法的縱截面圖。在圖8(a)所示的工序中，例如使用如下的集電體製造裝置來進行集電體用金屬箔10的壓縮加工，所述集電體製造裝置是在圖5所示的集電體製造裝置35中，除了使用圖9所示的輥28來代替輥4之外具有同樣的構成。輥28如圖9(a)和圖9(b)所示，在其周面上形成有多個凹部29。凹凸29如圖9(c)所示，凹部29的在輥28周面上的開口邊緣29a由曲面構成，該曲面上形成有多個凹槽29x。凹槽29x在從輥28的周面朝著凹部2921的底部的方向上形成為線狀。對凹槽29x的寬度沒有特別限制，優選為llim以下。對凹槽29x的深度沒有特別限制，優選為lixm以下。另外，凹槽29x的深度是指從開口邊緣29a的表面朝著輥28的軸線的方向的長度。通過使用形成有開口邊緣29a由曲面構成的凹部29的輥28，在集電體用金屬箔10的壓縮加工時，可以減小集電體用金屬箔10與輥28的表面產生的阻力、摩擦力等應力，提高壓縮加工結束後集電體20從輥28上脫模的脫模性。另外，使集電體用金屬箔IO局部地塑性變形的應力由於被溫和且可靠地施加，所以能夠可靠地形成凸部22，提高加工性。其結果是，可以防止集電體20上發生局部的彎曲、變形等，同時凸部22的形狀、高度等的偏差顯著減小，不會使凸部22變形，可以形成形狀和高度等尺寸一致的凸部22。另外，通過在開口邊緣29a上形成多個凹槽29x，壓縮加工時，可以將凹部29的內部空間中殘留的氣氛、輥29的周面和/或集電體用金屬箔10的表面塗布的潤滑劑等通過凹槽29x從凹部29的內部空間排出至外部。由此，可以減小凹部29的內部空間中的阻礙凸部22的塑性變形的內部阻力。其結果是，凸部22的塑性變形可順暢地進行，凸部22的形狀、尺寸等的偏差減小，得到的集電體20的機械強度的局部偏差減小。該效果在將凹槽29x的寬度設定為1ym以下、深度設定為1ym以下時特別顯著。凹槽29x的寬度或深度太大時，儘管殘留氣氛、潤滑劑等的逸出變得良好，但凸部22的塑性變形有可能不能充分進行。另外，輥28周面的凹部29的排列圖案在本實施形態中為如下圖案。如圖9(b)所示，將在輥28的長度方向上多個凹部29以間距Pc連成的列設定為一個行單元33。多個行單元33以間距Pd排列在輥28的圓周方向上。間距Pc和間距Pd可以任意設定。另外，在輥28的圓周方向上，一個行單元33和與之相鄰的行單元33按照使凹部29在輥28的長度方向上錯開的方式排列。本實施形態中，凹部29在長度方向上的錯開距離為0.5Pc，但並不限於此，可以任意設定。另外，本實施形態中，輥28周面的凹部29的開口部分的形狀為大致圓形，但並不限於此，例如還可以是大致橢圓形、大致長方形、大致菱形、大致正方形、大致正六邊形、大致正八邊形等。凹部28可以通過對用於製造輥4的凹部形成用輥進行例如蝕刻、噴砂、放電加工、雷射加工等加工來製作。在雷射加工中可以利用與形成輥4時同樣的方法。通過雷射加工在凹部形成用輥的周面上形成凹部時，凹部形成用輥周面的開口邊緣29a上產生未圖示的隆起。通過除去該隆起，可以形成其開口邊緣29a由曲面構成的凹部29，得到輥28。隆起的除去優選使用金剛石粒子通過研磨來進行。作為金剛石粒子，優選使用比凹部29的最小尺寸大的金剛石粒子。更優選的是，金剛石粒子的平均粒徑為30um以上但低於35um。這裡，凹部29的尺寸是指輥28周面上的凹部29的開口徑。通過使用具有上述平均粒徑的金剛石粒子，可以使開口邊緣29a由曲率半徑較大的曲面構成，更加顯著地防止凸部22從基材部21上的剝離等。另外，可以防止金剛石粒子埋沒在凹部29內部。另外，使用金剛石粒子進行的研磨除了使用金剛石作為磨粒或研磨粒以外，可以與一般的研磨方法同樣地實施。通常將金剛石粒子放置於研磨麵上,一邊供給水等介質一邊用具有研磨墊的研磨機來實施。開口邊緣29a表面的凹槽29x的形成優選通過用平均粒徑為5ym以下的金剛石粒子進行研磨來進行。由此，能夠容易形成寬度為lPm以下、深度為1iim以下的凹槽29x。凹槽29x的形成可以在研磨除去隆起後進行，也可以與隆起的研磨除去同時進行。另外，這裡使用的金剛石粒子由於粒徑非常小，所以不易埋沒於凹部29的內部，在形成凹槽29x後通過洗滌能夠容易地除去。在如上所述得到的輥28的周面和凹部29的面對內部空間的表面，也可以與輥4同樣地形成含有超硬合金的覆蓋層、含有合金工具鋼的覆蓋層、含有氧化鉻的覆蓋層、含有無定形碳材料的保護層、由陶瓷構成的覆蓋層等中的1種或2種以上。由此，可以得到與在輥4上形成這些覆蓋層和保護層同樣的效果。輥28被配置為其周面與輥5的周面壓接並且其軸線與輥5的軸線平行，形成壓接鉗部34。在圖8(a)所示的工序中，集電體用金屬箔10被供給壓接鉗部34，被施加集電體用金屬箔10的厚度方向上的加壓力30a、30b。在圖8(b)所示的工序中，集電體用金屬箔10的與輥28的周面相向的表面中，與輥28的周面接觸的接觸面被加壓力30a、30b施以壓縮加工，與輥28的周面不接觸並且面對凹部29的非接觸面未受到壓縮加工。接觸面存在於非接觸面的周圍。即，通過對接觸面施以壓縮加工，接觸面處的厚度變得比集電體用金屬箔10的厚度小，形成作為基材部21的原型的隆起部21x。另一方面，隨著對接觸面的加壓，非接觸面被施加應力31a、31b，該應力從非接觸面的周圍沿著凹部29的面對內部空間的表面朝向凹部29的底部。由此，開始產生非接觸面的塑性變形，朝著凹部29的底部隆起，從而形成凸部22x。同時，隆起部21x與凸部22x的邊界沿著凹部29的開口邊緣29a形成為曲面形狀。此時，由於凸部22x的體積低於凹部29的內部空間的體積的50%，所以加壓繼續。在圖8(c)所示的工序中，得到了集電體20。在集電體20中，基材部21與凸部22的邊界部分22a由曲面構成。輥28和輥5的加壓優選一直進行到使得基材部21的厚度t5小於集電體用金屬箔10的厚度tc,並且集電體20的最大厚度t6大於集電體用金屬箔10的厚度to。上述加壓更優選一直進行到使得凸部22的體積達到凹部29的內部空間的體積的50%以上，優選達到5085%。低於50%時，凸部29的高度變得不充分，有可能不能順利地實施活性物質的擔載。進而，活性物質擔載後，活性物質從集電體20上剝落的可能性有可能變大。另一方面，如果超過85%，則凹部29的內部殘留的空氣、潤滑劑的蒸氣等被壓縮而使內部壓力增加，阻礙凸部22的順利的塑性變形，凸部22有可能產生形狀偏差。在集電體20中，基材部21的未形成凸部22的面21a由於被施以了壓縮加工，所以具有與集電體用金屬箔10不同的表面粗糙度。凸部22的前端表面未被施以壓縮加工，塑性變形的影響也非常少，所以具有與集電體用金屬箔10大致相同的表面粗糙度。另外，凸部22的側面儘管未被施以壓縮加工，但由於受到了塑性變形的影響，所以具有近似於集電體用金屬箔10的表面粗糙度。因此，通過在凸部22的表面、優選在前端表面擔載活性物質層，可以進一步防止充放電循環中活性物質層從集電體20上的剝落等。圖10是示意表示另一形態的非水電解質二次電池用集電體23的構成的縱截面圖。圖11是示意表示圖10所示的集電體23的製造方法的縱截面圖。圖11(a)是表示集電體用金屬箔10剛剛被供給至壓接鉗部34a之後的狀態的縱截面圖。圖11(b)是表示在壓接鉗部34a中，集電體用金屬箔10的表24面進行塑性變形的狀態的縱截面圖。圖11(c)是表示在壓接鉗部34a中，剛剛形成了集電體23之後的狀態的縱截面圖。集電體23除了在基材部24的厚度方向的兩個表面上形成有多個凸部25x、25y以外，具有與集電體20相同的構成。即，基材部24的構成與基材部21相同。凸部25x、25y的構成與凸部22相同。凸部25x是從基材部24的厚度方向的一個表面向基材部24的外側延伸或突出而形成的。凸部25y是從基材部24的厚度方向的另一個表面向基材部24的外側延伸或突出而形成的。凸部25x的延伸方向與凸部25y的延伸方向是相反方向。另夕卜，在集電體23中，基材部24與凸部25x、25y的邊界部分25a由曲面構成。由此，可以得到與集電體20中邊界部分22a由曲面構成的情況同樣的效果。另外，在集電體23的厚度方向的截面上，表示凸部25x、25y的前端表面的線與表示基材部24的表面24a的線大致平行。凸部25x、25y的前端表面為大致平坦的面，未受到壓縮加工，所以具有與作為原料的集電體用金屬箔10大致相同的表面粗糙度。凸部25x、25y的側面儘管未被施以壓縮加工，但由於受到了塑性變形的影響，所以具有近似於集電體用金屬箔10的表面粗糙度。因此，通過在凸部22的表面、優選在前端表面擔載活性物質層，可以進一步防止充放電循環中活性物質層從集電體20上的剝落等。另外，在集電體23上，基材部24的厚度t7形成得比作為原料的集電體用金屬箔10的厚度to小。此外，從凸部25x的前端表面至凸部27y的前端表面的厚度t8形成得比集電體用金屬箔10的厚度to大。厚度ts也可以定義為集電體23的最大厚度。通過如上所述地構成，集電體23的機械強度提高，耐用性增加。集電體23例如可以使用如下的集電體製造裝置來製作，所述集電體製造裝置是在圖5所示的集電體製造裝置35中，除了使用兩個輥28來代替輥4、5之外具有同樣的構成。如上所述，圖11是用於說明集電體23的製作方法的縱截面圖。在圖11(a)所示的工序中，將集電體用金屬箔10供給至壓接鉗部34a，該壓接鉗部是將兩個輥28按照使相互的周面壓接並且相互的軸線平行的方式配置而形成的。加壓力30a、30b被施加於集電體用金屬箔10的厚度方向。在圖11(b)所示的工序中，集電體用金屬箔10的與輥28的周面相向的表面中，與輥28的周面接觸的接觸面被加壓力30a、30b施以壓縮加工。另一方面，與輥28的周面不接觸並且面對凹部29的非接觸面未被施以壓縮加工，但伴隨接觸面的壓縮加工而產生塑性變形。接觸面存在於非接觸面的周圍。即，通過對接觸面施以壓縮加工，接觸面處的厚度變得比集電體用金屬箔10的厚度小，形成作為基材部24的原型的隆起部24x。另一方面，隨著對接觸面的加壓，非接觸面被施加應力31a、31b、31x、31y，該應力從非接觸面的周圍沿著凹部29的面對內部空間的表面朝向凹部29的底部。由此，進行非接觸面內部的塑性變形，朝著凹部29的底部隆起，從而形成凸部32x、32y。同時，隆起部24x與凸部32x、32y的邊界沿著凹部29的開口邊緣29a形成為曲面形狀。此時，由於凸部32x、32y的體積低於凹部29的內部空間的體積的50%，所以加壓繼續。在圖11(c)所示的工序中，得到了集電體23。在集電體20中，基材部24與凸部25x、25y的邊界部分25a由曲面構成。兩個輥28的加壓優選一直進行到使得基材部24的厚度t7小於集電體用金屬箔10的厚度to，並且集電體23的最大厚度ts大於集電體用金屬箔10的厚度to。上述加壓更優選一直進行到使得凸部25x、25y的體積達到凹部29的內部空間的體積的50%以上，優選達到5085%。低於50%時，凸部29的高度變得不充分，有可能不能順利地實施活性物質的擔載。進而，活性物質擔載後，活性物質從集電體20上剝落的可能性有可能變大。另一方面，如果超過85%，則凹部29的內部殘留的空氣、潤滑劑的蒸氣等被壓縮而使內部壓力增加，凸部25x、25y有可能產生形狀偏差。另外，本實施形態中，在製造本發明的集電體l、15、20、23時，使用了圖5所示的集電體製造裝置35或與其類似的集電體製造裝置，但並不限定於此。例如，也可以如下所述地對集電體用金屬箔10實施本發明的壓縮加工使用形成有形狀與凸部對應的凹部的成套衝模等模具，使該模具從集電體用金屬箔IO的厚度方向的兩面進行夾持並加壓。由此，也可以製造本發明的集電體1、15、20、23。另外，由本發明的製造方法得到的集電體可以適合用作非水電解質二次電池用的集電體，但並不限定於此，例如，還可以用作非水電解質二次電池26以外的二次電池、鋰一次電池等一次電池用的集電體。[非水電解質二次電池用電極的製造方法]本發明的非水電解質二次電池用電極的製造方法中，除了使用通過本發明的製造方法而製造的集電體作為集電體以外，可以與以往的集電體的製造方法同樣地實施。例如，在通過本發明的製造方法而製造的集電體的表面塗布電極合劑漿料，並使其乾燥，從而可以在集電體表面擔載活性物質層。此外，在集電體表面也可以形成薄膜狀的活性物質層。用本發明的製造方法得到的集電體的凸部是在未受到壓縮加工的情況下形成的。另外，凸部表面由於不受壓縮加工的影響，特別是凸部的前端表面由於是在幾乎未受到塑性變形的影響的情況下形成的，所以不會留下加工形變等。因此，在用本發明的製造方法得到的集電體的表面形成活性物質層的薄膜時，能夠形成精度良好並且具有均勻的厚度的薄膜。此外，由於凸部表面、特別是凸部的前端表面保持著加工前的金屬箔的表面粗糙度，所以作為活性物質層的薄膜與集電體表面的粘附力提高。另外，該效果在使活性物質層形成於基材部與凸部的邊界部分是由曲面構成的集電體上時，變得特別顯著。電極合劑漿料有正極合劑槳料和負極合劑漿料。首先，對使用正極合劑漿料的正極的製造進行說明。正極合劑漿料含有正極活性物質和溶劑，進而根據需要還含有正極用粘結材、導電材等。作為正極活性物質，可以使用非水電解質二次電池領域中常用的正極活性物質，可以列舉出例如鈷酸鋰及其改性體(在鈷酸鋰中使鋁或鎂固溶而得到的改性體等)、鎳酸鋰及其改性體(用鈷置換一部分鎳而得到的改性體等)、錳酸鋰及其改性體等複合氧化物。正極活性物質可以單獨使用1種，也可以組合使用2種以上。作為正極用粘結材，可以使用非水電解質二次電池領域中常用的正極用粘結材，可以列舉出例如聚偏氟乙烯(PVdF)、聚偏氟乙烯的改性體、聚四氟乙烯(PTFE)、具有丙烯酸酯單元的橡膠粒子粘結材等。與上述的正極用粘結材一起，還可以使用導入了反應性官能團的丙烯酸酯單體或丙烯酸酯低聚物。正極用粘結材可以單獨使用l種，也可以組合使用2種以上。作為導電材，可以使用非水電解質二次電池領域中常用的導電材，可以列舉出例如乙炔黑、科琴黑、槽黑、爐黑、燈黑、熱裂解炭黑等炭黑、各種石墨等。導電材可以單獨使用l種，也可以組合使用2種以上。正極合劑漿料例如可以如下製作使正極活性物質以及根據需要添加的正極用粘結材、導電材等分散於適當的分散介質中，根據需要調整為適於在集電體上塗布的粘度。作為分散介質，可以使用水、2-甲基-N-吡咯烷酮等有機溶劑等。對於正極活性物質等固體成分在溶劑中的分散，可以使用例如行星式攪拌機等一般的分散機。將該正極合劑漿料塗布於正極集電體的一個或兩個表面上，使其乾燥，根據需要進行加壓成形以調整為規定的厚度，從而得到正極板。對正極集電體的厚度沒有特別限制，但優選為530um。正極合劑漿料在正極集電體上的塗布可以使用例如模塗器等一般的塗布裝置。另外，乾燥溫度主要根據溶劑的種類來適當選擇。下面，對使用負極合劑漿料的負極的製造進行說明。負極合劑漿料含有負極活性物質和分散介質，進而根據需要還含有負極用粘結材、導電材等。作為負極活性物質，可以使用非水電解質二次電池領域中常用的負極活性物質，可以列舉出例如各種天然石墨、人造石墨等石墨材料、矽化物等矽系複合材料、各種合金材料等。負極活性物質可以單獨使用1種，也可以組合使用2種以上。作為負極用粘結材，可以使用非水電解質二次電池領域中常用的負極用粘結材，可以列舉出例如PVDF及其改性體、苯乙烯-丁二烯共聚物橡膠(SBR)粒子及其改性體、羧甲基纖維素(CMC)等纖維素系樹脂等。負極用粘結材可以單獨使用1種，也可以組合使用2種以上。特別是優選SBR粒子與纖維素系樹脂的混合物、在SBR粒子中添加少量的纖維素系樹脂而得到的混合物等。使用上述混合物時，例如鋰離子接受性等得以提高。作為導電材，可以使用與正極中所使用的導電材相同的導電材。負極合劑漿料的調製可以與正極合劑漿料的調製同樣地實施。另外，作為使負極活性物質分散的分散介質，可以使用例如水、2-甲基-N-吡咯浣酮等有機溶劑等。將該負極合劑漿料塗布於負極集電體的一個或兩個表面上，使其乾燥，根據需要進行加壓成形以調整為規定的厚度，從而得到負極板。對負極集電28體的厚度沒有特別限制，但優選為525um。負極合劑漿料在集電體上的塗布可以使用例如模塗器等一般的塗布裝置。另外，乾燥溫度主要根據溶劑的種類來適當選擇。另外，在集電體表面形成薄膜狀活性物質層時，可以適合利用真空工藝，其中，優選蒸鍍法、濺射法、化學氣相沉積法(CVD)等。例如，活性物質向集電體表面上的蒸鍍可以使用例如一般的蒸鍍裝置來進行。根據真空蒸鍍工藝，能夠在集電體的規定部位選擇性地形成活性物質層。作為蒸鍍裝置沒有特別限定，但優選如下方式的真空蒸鍍裝置具備電子束加熱機構，通過電子束加熱機構來加熱活性物質而使其蒸氣化，並使該蒸氣附著於集電體表面。上述的真空蒸鍍裝置例如有株式會社ULVAC的市售裝置。進行蒸鍍時，主要僅蒸鍍活性物質。迸行蒸鍍時，作為活性物質優選為負極活性物質。作為負極活性物質，可以使用例如Si、Sn、Ge、Al、含有它們中的一種以上的合金、SiOx、SnOx等氧化物、SiSx、SnS等硫化物等。負極活性物質層最好以柱狀形成於負極集電體表面，優選形成於負極集電體的凸部前端表面。負極活性物質層優選含有無定形或低結晶性的負極活性物質。在集電體表面、優選在凸部表面、更優選在凸部前端表面形成的活性物質層的厚度可以根據活性物質的種類、活性物質層的形成方法、最終得到的非水電解質二次電池所要求的特性、該電池的用途等各種條件來適當選擇，但優選為530um，更優選為1025Um。[非水電解質二次電池]本發明的非水電解質二次電池含有本發明的電極、其對電極以及鋰離子傳導性的非水電解質。即本發明的非水電解質二次電池是非水電解質鋰二次電池。當本發明的非水電解質二次電池含有本發明的電極作為負極時，對正極的構造沒有特別限制。另外，當本發明的非水電解質二次電池含有本發明的電極作為正極時，對負極的構造沒有特別限制。另外，本發明的電極優選作為負極使用。圖12是示意表示本發明的實施形態之一的非水電解質二次電池40的構成的局部分解立體圖。非水電解質二次電池40含有電極組41、正極引線42、未圖示的負極引線、絕緣板44、封口板45、墊圈46和電池盒47。電極組41含有正極50、負極51和隔膜52，是將正極50、隔膜52、負極51以及隔膜52按照該順序重疊並巻繞、形成了漩渦狀而得到的。電極組41含有未圖示的電解質。當正極50為本發明的電極、或負極51為本發明的電極時，含有未圖示的正極集電體和正極活性物質層。作為正極集電體，可以使用該領域常用的正極集電體，可以列舉出例如由鋁、鋁合金、不鏽鋼、鈦等構成的箔、無紡布等。對正極集電體的厚度沒有特別限制，但優選為5nm30nm。正極活性物質層形成於正極集電體的厚度方向的一個表面或兩個表面上，含有正極活性物質，根據需要還含有導電材和粘結材。作為正極活性物質，可以使用上述列舉的含鋰過渡金屬氧化物、Mn02等不含有鋰的金屬氧化物等。作為導電材，可以使用該領域中常用的導電材，可以列舉出例如天然石墨、人造石墨等石墨類；乙炔黑、科琴黑、槽黑、爐黑、燈黑、熱裂解炭黑等炭黑類；碳纖維、金屬纖維等導電性纖維類；氟化碳；鋁等金屬粉末類；氧化鋅、鈦酸鉀等導電性晶須類；氧化鈦等導電性金屬氧化物；亞苯基衍生物等有機導電性材料等。作為粘結材，可以列舉出例如聚偏氟乙烯(PVDF)、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、芳族聚醯胺樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚丙烯腈、聚丙烯酸、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯酸己酯、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚甲基丙烯酸己酯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯基吡咯烷酮、聚醚、聚醚碸、聚六氟丙烯、丁苯橡膠、羧甲基纖維素、含有丙烯酸酯單元的橡膠粒子粘結材等。另外，由選自四氟乙烯、六氟乙烯、六氟丙烯、全氟烷基乙烯基醚、偏氟乙烯、氯三氟乙烯、乙烯、丙烯、五氟丙烯、氟甲基乙烯基醚、丙烯酸、己二烯、含有反應性官能團的丙烯酸酯單體、含有反應性官能團的丙烯酸酯低聚物等中的兩種以上單體化合物構成的共聚物也可以作為粘結材使用。正極50例如可以如下製造。首先，使正極活性物質以及根據需要添加的導電材、粘結材等混合併分散於分散介質中以調製正極合劑漿料。作為分散介質，可以使用例如N-甲基-2-吡咯垸酮等該領域中常用的分散介質。對於正極活性物質等在分散介質中的混合和分散，可以使用例如行星式攪拌機等一般的分散機。將這樣得到的正極合劑漿料塗布於正極集電體的單面或兩面上並乾燥，將其壓延成規定厚度，由此形成正極活性物質層，得到正極50。當負極51為本發明的電極、或正極50為本發明的電極時，含有未圖示的負極集電體和負極活性物質層。作為負極集電體，可以使用該領域中常用的負極集電體，可以列舉出例如由銅、鎳、鐵、含有它們中的至少一種的合金等構成的金屬箔、金屬薄膜等。其中，優選由銅或銅合金構成的金屬箔、金屬薄膜等。作為銅合金，可以使用本說明書中前面列舉的銅合金。以銅和銅合金的金屬箔為例，可以列舉出例如電解銅箔、電解銅合金箔、壓延銅箔、銅合金箔、壓延銅合金箔、對它們實施粗糙化處理而得到的箔等。作為實施粗糙化處理的箔，優選電解銅箔、壓延銅箔、銅合金箔等。對負極集電體的厚度沒有特別限制，優選為5um100um，更優選為8um35um。負極集電體的厚度低於5um時，負極集電體的機械強度有可能變得不充分，電極製造時的處理性下降。此外，電池充電時容易發生電極的斷裂等。另一方面，負極集電體的厚度超過lOOixm時，儘管能確保機械強度，但負極集電體在電極整體中所佔的體積增大，有可能不能充分實現電池的高容量化。負極活性物質層形成於負極集電體的厚度方向的一個表面或兩個表面上，含有負極活性物質，根據需要還含有導電材、粘結材和增稠劑等。作為負極活性物質，可以使用例如各種天然石墨、人造石墨等石墨材料、矽化物等矽系複合材料、合金系負極活性物質等。作為導電材，可以使用與在正極活性物質層中添加的導電材同樣的導電材。作為粘結材，可以使用與在正極活性物質層中添加的粘結材同樣的粘結材。進而，從提高鋰離子接受性的觀點出發，可以將苯乙烯-丁二烯共聚物橡膠粒子(SBR)及其改性體等作為粘結材使用。作為增稠劑，可以使用該領域中常用的增稠劑。其中，優選具有水溶性且在水溶液的形態下具有粘性的增粘劑，可以列舉出例如羧甲基纖維素(CMC)等纖維素系樹脂及其改性體、聚氧化乙烯(PEO)、聚乙烯醇(PVA)等。其中，從後述的負極合劑漿料的分散性、增稠性等的觀點出發，特別優31選為纖維素系樹脂及其改性體。負極51的製造中，除了將負極活性物質以及根據需要添加的導電材、粘結材、增稠劑等混合併分散於分散介質中以調製負極合劑漿料以外，可以與正極50同樣地製造。作為隔膜52，可以使用在非水電解質二次電池領域中常用的隔膜，例如一般將聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴的微多孔薄膜單獨或複合地使用，而且作為形態是優選的。更具體地，作為隔膜52，可以列舉出由合成樹脂構成的多孔質膜。作為合成樹脂，可以列舉出例如聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴、芳族聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺、聚苯硫醚、聚醯亞胺等。多孔質膜有例如微多孔膜、無紡布等。另外，隔膜52還可以在其內部或表面含有氧化鋁、氧化鎂、氧化矽、氧化鈦等耐熱性填料。此外，在隔膜52的厚度方向的兩面或單面上還可以設置耐熱層。耐熱層含有例如上述耐熱性填料和粘結材。粘結材可以使用與正極活性物質層中使用的粘結材相同的粘結材。另外，對隔膜17的厚度沒有特別限定，但優選為優選為lOum30um，更優選為10um25um。作為非水電解質，可以使用在有機溶劑中溶解有溶質的電解質溶液；含有溶質和有機溶劑、且用高分子化合物進行了非流動化的聚合物電解質或固體電解質等。當使用電解質溶液時，優選使電解質溶液浸漬於隔膜17中。另外，非水電解質中除了含有溶質、有機溶劑和高分子化合物以外，還可以含有添加劑。溶質根據活性物質的氧化還原電位等來選擇。具體而言，作為溶質，可以使用鋰電池領域中常用的溶質，可以列舉出例如LiPF6、LiBF4、LiC104、LiAlCU、LiSbF6、LiSCN、LiCF3S03、LiN(CF3C02)、LiN(CF3S02)2、LiAsF6、LiB10Cl10、低級脂肪族羧酸鋰、LiF、LiCl、LiBr、Lil、氯硼烷鋰、雙(1,2-苯二酚根合(2-)-0，0')硼酸鋰、雙(2，3-萘二酚根合(2-)-0，O')硼酸鋰、雙(2，2'-聯苯二酚根合(2-)-O，O')硼酸鋰、雙(5-氟-2-酚根合-l-苯磺酸-O，O')硼酸鋰等硼酸鹽類、(CF3S02)2NLi、LiN(CF3S02)(C4F9S02)、(C2F5S02)2NLi、四苯基硼酸鋰等。溶質可以單獨使用1種，也可以根據需要並用2種以上。作為有機溶劑，可以使用鋰電池領域中常用的有機溶劑，可以列舉出例如碳酸亞乙酯(EC)、碳酸亞丙酯、碳酸亞丁酯、碳酸亞乙烯酯、碳酸二甲酯(DMC)、碳酸二乙酯、碳酸甲乙酯(EMC)、碳酸二丙酯、甲酸甲酯、乙酸甲酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、二甲氧基甲烷、Y-丁內酯、Y-戊內酯、1，2-二乙氧基乙垸、1，2-二甲氧基乙垸、乙氧基甲氧基乙垸、三甲氧基甲垸、四氫呋喃、2-甲基四氫呋喃等四氫呋喃衍生物、二甲基亞碸、1，3-二氧雜戊環、4-甲基-l，3-二氧雜戊環等二氧雜戊環衍生物、甲醯胺、乙醯胺、二甲基甲醯胺、乙腈、丙腈、硝基甲烷、單甘醇二乙醚(ethylmonoglyme)、磷酸三酯、乙酸酯、丙酸酯、環丁碸、3-甲基環丁碸、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、3-甲基-2-噁唑啉酮、碳酸亞丙酯衍生物、乙基醚、二乙基醚、1，3-丙磺酸內酯、苯甲醚、氟代苯等。有機溶劑可以單獨使用l種，也可以根據需要並用2種以上。作為添加劑，還可以含有例如碳酸亞乙烯酯、環己基苯、聯苯、二苯基醚、碳酸乙烯基亞乙酯、碳酸二乙烯基亞乙酯、碳酸苯基亞乙酯、碳酸二烯丙酯、碳酸氟代亞乙酯、碳酸兒茶酚酯、乙酸乙烯酯、亞硫酸亞乙酯、丙磺酸內酯、碳酸三氟亞丙酯、二苯並呋喃、2，4-二氟苯甲醚、鄰三聯苯、間三聯苯等添加劑。添加劑可以單獨使用1種，也可以根據需要並用2種以上。另外，有關非水電解質，還可以在1種或2種以上的如下的高分子材料的混合物等中混合上述溶質，從而作為固體電解質來使用，所述高分子材料是聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、聚磷腈、聚氮丙啶、聚硫化乙烯、聚乙烯醇、聚偏氟乙烯、聚六氟丙烯等。另外，也可以與上述有機溶劑混合後以凝膠狀使用。進而，也可以將鋰氮化物、鋰滷化物、鋰含氧酸鹽、Li4Si04、Li4Si04-LiI-LiOH、Li3P04-Li4Si04、Li2SiS3、Li3P04-Li2S-SiS2、硫化磷化合物等無機材料作為固體電解質使用。當使用固體電解質或凝膠狀電解質時，還可以代替上述的隔膜17而配置於正極50和負極51之間。或者，也可以將凝膠狀電解質鄰接於隔膜52而配置。有關正極引線42、負極引線、絕緣板44、封口板45、墊圈46和電池盒47，可以使用非水電解質二次電池領域中常用的任何一種。另外，在封口板45的中央部設置正極端子53。本發明的非水電解質二次電池40例如如下地製造。將正極引線42和負極引線的各自的一端分別與正極50的正極集電體和負極51的負極集電體電連接。電極組41與絕緣板44一起被收納於有底圓筒形的電池盒47的內部。將從電極組41的下部導出的負極引線的另一端與電池盒47的底部連接，然後將從電極組41的上部導出的正極引線42與封口板45連接，向電池盒47中注入規定量的未圖示的非水電解質。接著，在電池盒47的開口部中插入周邊安裝有墊圈46的封口板45，將電池盒47的開口部朝著內側彎折而進行斂縫封口，從而得到非水電解質二次電池40。圖13是示意表示本發明的實施形態之一的層疊型電池55的構成的截面圖。層疊型電池55含有正極56、負極57、隔膜58、電池盒59、正極引線60、負極引線61和密封樹脂62。正極56含有正極集電體56a和在正極集電體56a的厚度方向的一個表面形成的正極活性物質層56b。負極57含有負極集電體57a和在負極集電體57a的厚度方向的一個表面形成的負極活性物質層57b。正極56和負極57被隔著隔膜58相向地設置。即，層疊型電池55中，正極56、隔膜58和負極57按照該順序重疊，形成了平板狀的電極組。正極56、負極57和隔膜58分別具有與非水電解質二次電池40中的正極50、負極51和隔膜52相同的構成。電池盒59是具有2個開口的容器狀構件，在其內部空間收納有電極組。電池盒59的2個開口分別通過密封樹脂62而被封口。正極引線60的一端與正極集電休66a電連接，另一端從電池盒59的一個開口導出至電池55的外部。負極引線61的一端與負極集電體57a電連接，另一端從電池盒59的另—個開口導出至電池55的外部。另夕卜，層疊型電池55中也可以使用與非水電解質二次電池40同樣的非水電解質。這樣，本發明的非水電解質二次電池可以採取例如具有巻繞成漩渦狀的電極組的方型電池、具有巻繞成漩渦狀的電極組的圓筒型電池、具有層疊型電極組的層疊型電池等各種形態。根據本發明的非水系二次電池用的集電體以及電極板的製造方法，可以在確保用於製作電解板的集電體的強度的同時，將電極活性物質高效地擔載於集電體上所形成的凸部上，得到可靠性高的非水系二次電池，所以隨著電子設備和通信設備的多功能化，作為希望實現高容量化的可攜式電子設備類的電源等是有用的。實施例以下列舉實施例和比較例來具體地說明本發明。(實施例1)(負極用集電體的製作)使用圖3所示的集電體製造裝置35，如下製作本發明的負極用集電體1。輥4是直徑為50mm的超硬合金制輥，在其周面上按照圖5(a)所示的排列圖案形成有凹部4a。凹部4a的開口徑為10ixm，深度為8um。通過雷射加工形成凹部4a時，在凹部4a的開口邊緣會形成隆起部分，通過研磨加工將其除去。輥5是周面平坦的直徑為50mm的鐵製輥。輥4與輥5的壓接鉗部6的壓接壓是線壓為10kN。將厚度t。為18um的集電體用銅箔巻繞在金屬箔供給輥36上，並安裝在圖3所示的集電體製造裝置35上。將該集電體用銅箔供給至加工機構7的壓接鉗部6，對銅箔實施局部非壓縮的加工，從而製作由基材部2和凸部3構成的圖1(c)所示的集電體1，巻取到巻取輥38上。t,為17um，12為21um。艮卩，t2"o〉h。另外，集電體1中與輥4周面的凹部4a相向的面隨著其它部分的壓縮加工而產生塑性變形，形成了凸部3。另一方面，與周面平坦的輥5相向的面未形成凸部，成為平坦的面。用掃描型電子顯微鏡觀察上述得到的集電體1的厚度方向的截面。圖18是集電體1的截面的電子顯微鏡照片。從圖18可知，集電體1上未產生波浪起伏、翹曲、鈹紋等不利情況。(負極的製作)在具備電子束加熱機構的真空蒸鍍裝置的內部安裝上述得到的集電體1。使用純度為99.9999%的矽作為靶，一邊導入純度為99.7%的氧一邊進行蒸鍍，從而在集電體l的凸部3的表面形成了膜厚為20lim的SiOo.5層。將該集電體切開加工成規定寬度以製成負極板。(實施例2)對於在輥4的周面上形成凹部4a時產生的隆起部分，沒有通過研磨加工除去，而是直接使用，除此以外，與實施例1同樣地製作負極用集電體l。^為17um，t2為21um。即，t^t^t"與實施例1同樣地用顯微鏡觀察所結果看不到波浪起伏、翹曲、皺紋等不利情況。與實施例1同樣地在該負極用集電體l的凸部3的表面形成了膜厚為20um的SKVs層。將該集電體切開加工成規定寬度以製成負極板。實施例1和2得到的負極集電體1中，在銅箔的一個表面通過實施本發明的壓縮加工而形成了凸部3。這樣的負極用集電體1能夠在凸部3的表面高效地蒸鍍負極活性物質。而且，對於施加於負極用集電體l的長度方向的拉伸應力具有充分的耐久性。因此，在負極用集電體1上蒸鍍負極活性物質時、以及在負極活性物質的蒸鍍後切開成規定寬度時等情況下，可以防止負極用集電體1上產生局部的變形、彎曲等。同時，可以抑制負極活性物質層的脫落。(實施例3)除了將集電體製造裝置35中的輥5變更為輥4以外，與實施例1同樣地製作了在基材部16的厚度方向的兩面形成有凸部17x、17y的圖6(c)所示的負極用集電體15。13為16um，t4為25um。艮P，t4>to>t3。與實施例1同樣地用顯微鏡觀察所得到的負極集電體15的截面，結果看不到波浪起伏、翹曲、皺紋等不利情況。與實施例1同樣地在該負極用集電體15的凸部17x、17y的表面形成了膜厚為20lim的SiO。.5層。將該集電體切開加工成規定寬度以製成負極板。(實施例4)除了將集電體製造裝置35中的輥5變更為輥4以外，與實施例2同樣地製作了在基材部16的厚度方向的兩面形成有凸部17x、17y的圖6(c)所示的負極用集電體15。13為16um，14為25um。即，t4>to>t3。與實施例1同樣地用顯微鏡觀察所得到的負極集電體15的截面，結果看不到波浪起伏、翹曲、皺紋等不利情況。與實施例1同樣地在該負極用集電體15的凸部17x、17y的表面形成了膜厚為2011111的&00.5層。將該集電體切開加工成規定寬度以製成負極板。實施例3和4所得到的負極集電體15中，在銅箔的兩面通過實施本發明的壓縮加工而產生局部的塑性變形，形成了凸部17x、17y。這樣的負極用集電體15能夠在凸部17x、17y的表面高效地蒸鍍負極活性物質。而且，對於施加於負極用集電體l的長度方向的拉伸應力具有充分的耐久性。因此，在負極用集電體1上蒸鍍負極活性物質時、以及在負極活性物質的蒸鍍後切開成規定寬度時等情況下，可以防止負極用集電體1上產生局部的變形、彎曲等。同時，可以抑制負極活性物質層的脫落。(比較例1)對周面平坦的直徑為50mm的超硬合金制輥的周面實施圖20(a)所示的表面形狀的加工。除了使用該輥來代替集電體製造裝置35中的輥4以外，與實施例1同樣地進行集電體用銅箔(厚度為18iim)的加工。用掃描電子顯微鏡觀察加工後的銅箔的切斷截面。圖19是比較例1得到的集電體90的截面的電子顯微鏡照片。從圖19可知在比較例1的集電體上產生了波浪起伏。另外，在集電體製造裝置35中，進一步將輥5替換為橡膠輥來使用，進行了集電體用銅箔的加工，但不能消除波浪起伏。從以上的結果可知，通過本發明的製造方法而得到的集電體中，通過伴隨壓縮加工產生的局部塑性變形而在其表面形成了多個凸部，並且凸部可發揮充分的耐久性。因此，在金屬箔表面形成凸部的工序、以及在將電極活性物質擔載於集電體的凸部上的工序等中，可以防止集電體的局部變形和彎曲。另外，在將電極活性物質擔載於集電體的凸部上的工序、以及切開加工成規定寬度的工序等中，也能夠抑制電極活性物質的脫落。另外，通過本發明而得到的電極由於集電體的凸部前端表面幾乎未受到壓縮加工和塑性變形的影響，所以凸部前端表面不會留下加工形變，其表面精度良好。因此，可形成均勻的薄膜。此外，由於凸部前端表面不存在因實施壓縮加工而引起的表面粗糙度的減小，維持著初期的表面粗糙度，所以認為能夠提高與薄膜狀的活性物質層的粘附力。從該觀點出發，為了進一步提高凸部平面與活性物質的粘附力，預先使加工前的集電體的表面成為更粗糙的狀態是非常有效的。(實施例5)安裝形成有多個開口形狀是大致圓形、深度為10um、開口徑為10um的凹部4a的陶瓷輥作為圖3所示的集電體製造裝置35中的輥4、5。使作為集電體用金屬箔10的厚度為15ym的帶狀鋁箔在線壓為10kN的加壓下通過集電體製造裝置35的壓接鉗部6以進行局部非壓縮的加工，從而製成圖14所示的正極用集電體70。圖14是示意表示本發明的實施形態之一的集電體70的構成的圖。圖14(a)是集電體70的立體圖。圖14(b)是集電體70的縱截面圖，即厚度方向的截面圖。得到的集電體70含有由鋁構成的基材部71、和在基材部71的厚度方向的兩面規則地形成的高度為4um的大致圓形的凸部72x、72y(以下記為"凸部72")，並且是其基材部71的厚度t3為12um、最大厚度t4為20um的帶狀集電體。在寬度方向(長度方向)X上，凸部72形成了以間距P,排列成一列的行單元73。在橫向Y上，行單元73以間距P2平行排列。進而，行單元73和與之相鄰的行單元73按照使各個凸部72在寬度方向X上錯開0.5Pi的距離的方式配置。這樣的凸部72的排列圖案是最密填充排列。接著，使用長度為1000mm、厚度為15lim的鋁箔，並且調整壓接鉗部6的加壓力使得凸部72的體積比率按照表1所示那樣改變，除此以外，與上述同樣地形成相對於凹部4a的內部空間體積的體積比率不同的凸部72，從而製成集電體70，評價其表面狀態。評價是對1000個集電體70通過目視調查皺紋、翹曲、斷裂的發生個數，並求出發生率。結果示於表l中。另夕卜，表1中，凸部的體積比率是指凸部72的體積相對於凹部4a的內部空間體積的百分率。以下同樣。表1tableseeoriginaldocumentpage38製作集電體70時，集電體70的長度方向X上被施加拉伸應力。如果集電體70沒有對拉伸應力的耐久性，則在集電體70上會發生皺紋、翹曲、斷裂等不利情況。然而，從表1可知，當凸部72的體積比率為85%以下時，加之大致圓形的凸部72以最密填充排列來形成，所以集電體70對施加於長度方向x上的拉伸應力具有充分的耐久性，可以抑制上述的不利情況的發生。此外，本實施例中，僅僅記載了凸部72的體積比率大於等於55%的實施例，但在體積比率為55%以下的情況下，由於加壓力進一步減小，所以不會發生上述的不利情況，能夠製作集電體70。另一方面，當凸部72的體積比率大於85°/。時，基材部71的表面71a的強度不足，因而局部發生了皺紋、翹曲、斷裂等不良情況。另外，用表面粗糙度計測定了凸部72的體積比率為85%以下的正極用集電體70的表面粗糙度，結果基材部71的表面71a的表面粗糙度變得比加工前的鋁箔的表面粗糙度小。基材部71的表面71a的表面粗糙度與陶瓷輥周面的表面粗糙度大致相同。另一方面，凸部72的前端表面的表面粗糙度與加工前的鋁箔的表面粗糙度大致相同。此外，用掃描型電子顯微鏡觀察了凸部72的前端表面，結果發現了與加工前在鋁箔表面觀察到的同樣的細的劃傷。進而，對集電體70進行了電子背散射衍射(EBSP)法的晶體方位分析，結果觀察到，基材部71的表面71a和凸部72的內部與加工前的鋁箔相比，晶粒變細。另外，測定了集電體70的拉伸強度，結果是儘管基材部71的厚度變得比加工前的鋁箔的厚度薄，但並沒有看到拉伸強度的下降。推測這是因為基材部71受到了壓縮加工，所以壓縮加工的加工硬化使得拉伸強度提咼。從以上的分析結果可以認為，通過對鋁箔實施上述的加工，使得壓縮加工不會施加於凸部72的部分，而施加於基材部71的表面71a，從而得到集電體70。(實施例6)安裝形成有多個開口形狀是大致菱形、深度為10um、開口徑為20um(菱形的較長的對角線的長度)的凹部4a的陶瓷輥作為圖3所示的集電體製造裝置35中的輥4、5。使作為集電體用金屬箔10的厚度為12um的帶狀銅箔在線壓為10kN的加壓下通過集電體製造裝置35的壓接鉗部6以進行局部非壓縮的加工，從而製成圖15所示的正極用集電體75。圖15是示意表示本發明的實施形態之一的集電體75的構成的圖。圖15(a)是集電體75的立體圖。圖15(b)是集電體75的縱截面圖。得到的集電體75含有由銅構成的基材部76、和在基材部76的厚度方向的兩面規則地形成的高度為4nm的大致菱形的凸部77x、77y(以下記為"凸部77")，並且是其基材部71的厚度13為10um、最大厚度U為18um的帶狀集電體。在寬度方向(長度方向)X上，凸部77形成了以間距P3排列成一列的行單元78。在橫向Y上，行單元78以間距P4平行排列。進而，行單元78和與之相鄰的行單元78按照使各個凸部77在寬度方向X上錯開0.5P3的距離的方式配置。這樣的凸部77的排列圖案是最密填充排列。接著，使用長度為1000mm、厚度為12um的銅箔，並且調整壓接鉗部6的加壓力使得凸部77的體積比率按照表2所示那樣改變，除此以外，與上述同樣地形成相對於凹部4a的內部空間體積的體積比率不同的凸部77，從而製成集電體75，評價其表面狀態。評價是對1000個集電體75通過目視調査鈹紋、翹曲、斷裂的發生個數，並求出各自的發生率。結果示於表2中。另外，表2中，凸部的體積比率是指凸部77的體積相對於凹部4a的內部空間體積的百分率。以下同樣。表2凸部的體積比率皺紋不良翹曲不良斷裂不良(%)發生率(％)發生率(％)發生率(％)550006500075000810008300085000871.430.489591.7製作集電體75時，集電體75的長度方向X上被施加拉伸應力。如果集電體75沒有對拉伸應力的耐久性，則在集電體75上會發生皺紋、翹曲、斷裂等不利情況。然而，從表1可知，當凸部77的體積比率為85%以下時，加之大致圓形的凸部77以最密填充排列來形成，所以集電體75對施加於長度方向X上的拉伸應力具有充分的耐久性，可以抑制上述的不利情況的發生。此外，本實施例中，僅僅記載了凸部77的體積比率大於等於55%的實施例，但在體積比率為55%以下的情況下，由於加壓力進一步減小，所以不會發生上述的不利情況，能夠製作集電體75。另一方面，當凸部77的體積比率大於85%時，基材部76的表面76a的強度不足，因而局部發生了皺紋、翹曲、斷裂等不良情況。另外，用表面粗糙度計測定了凸部77的體積比率為85%以下的正極用集電體75的表面粗糙度，結果基材部76的表面76a的表面粗糙度變得比加工前的鋁箔的表面粗糙度小。基材部76的表面76a的表面粗糙度與陶瓷輥周面的表面粗糙度大致相同。另一方面，凸部77的前端表面的表面粗糙度與加工前的鋁箔的表面粗糙度大致相同。此外，用掃描型電子顯微鏡觀察了凸部77的前端表面，結果發現了與加工前在鋁箔表面觀察到的同樣的細的劃傷。進而，對集電體75進行了電子背散射衍射(EBSP)法的晶體方位分析，結果觀察到，基材部76的表面76a和凸部77的內部與加工前的鋁箔相比，晶粒變細。另外，測定了集電體75的拉伸強度，結果是儘管基材部76的厚度變得比加工前的鋁箔的厚度薄，但並沒有看到拉伸強度的下降。推測這是因為基材部76受到了壓縮加工，所以壓縮加工的加工硬化使得拉伸強度提高。從以上的分析結果可以認為，通過對鋁箔實施上述的加工，使得壓縮加工不會施加於凸部77的部分，而施加於基材部76的表面76a，從而得到集電體75。(實施例7)使用厚度為18lim的銅箔來代替厚度為12lim的銅箔，調整壓接鉗部6的加壓力使得凸部77的體積比率達到80%，除此以外，與實施例6同樣地製作帶狀集電體75。集電體75中，大致菱形的凸部77以最密填充形狀排列，所以對施加於長度方向X上的拉伸應力具有充分的耐久性。因此，對集電體75實施加工時，可以防止集電體75上發生局部的變形或彎曲，進而能夠抑制活性物質從集電體75上的剝落。集電體75的加工是指活性物質在集電體75表面上的擔載、以及通過在集電體75表面擔載活性物質而得到的電極的切開加工等。在具備電子束加熱機構的真空蒸鍍裝置的內部安裝上述得到的集電體75。使用純度為99.9999%的矽作為靶，一邊導入純度為99.7%的氧一邊進行蒸鍍，從而在集電體75的凸部77的表面形成了膜厚為25um的柱狀SiO0.5層。將該集電體切開加工成圓筒型非水電解質二次電池的規定寬度以製成負極板。另外，集電體75中，由於大致菱形的凸部77以最密填充形狀排列，所以在朝著橫向Y蒸鍍負極活性物質時，能夠使其高效地附著於凸部77的表面。根據實施例57的本發明的製造方法，通過使用周面形成多個凹部的陶瓷輥，可以使集電體用金屬箔表面產生局部的塑性變形，從而形成凸部。另外，通過將凸部的體積設定為小於等於凹部的內部空間體積，可以消除凸部的形狀、大小等的偏差。結果是可以提高所得到的集電體的機械強度甚至耐久性。進而，通過選擇凸部的排列圖案，可以進一步提高集電體的耐久性。因此，在集電體用金屬箔表面形成凸部以製作集電體的工序、以及使活性物質擔載於集電體表面以製作電極的工序等中，可以顯著防止集電體上局部發生變形、彎曲等。另外，在使活性物質擔載於集電體表面以製作電極的工序、以及將電極切開加工成規定寬度的工序等中，也能夠防止活性物質從集電體上剝離。另外，根據本發明的製造方法，集電體的凸部是通過伴隨壓縮加工的塑性變形而形成的，凸部的前端表面也幾乎未受到塑性變形的影響，所以凸部的前端表面幾乎未發生加工形變。因此，凸部的前端表面的表面精度良好，在該前端表面能夠形成均勻的薄膜狀的活性物質層。此外，由於凸部的前端表面未受到壓縮加工，所以表面粗糙度不會變小，而是維持著集電體用金屬箔的表面粗糙度。因此認為能夠進一步提高與活性物質層的粘附力。從該觀點出發，為了進一步提高凸部平面與活性物質的粘附力，預先使加工前的集電體的表面成為粗糙狀態是非常有效的。(實施例8)如下製作圖9所示的輥28。利用YAG雷射對直徑為50mm的超硬合金制凹部形成輥的周面進行雷射加工，從而形成開口形狀是直徑約為10um的大致圓形、深度約為8um的凹部。雷射加工的雷射頻率為lKHz。在上述形成的凹部的開口邊緣上形成了由毛刺或突起構成的隆起，輥的表面粗糙度局部地變大。因此，使用平均粒徑為8um的金剛石粒子作為研磨粒，一邊供給水一邊用具備研磨墊的研磨機進行研磨。研磨進行到輥周面的平均表面粗糙度變為0.4a為止。由此除去隆起，形成其開口邊緣29a由曲面構成的凹部29，製成輥28。輥28的表面粗糙度與作為原材料的金屬箔的表面粗糙度大致相同。因此，在壓縮加工後得到的集電體中，凸部的前端表面維持原先的金屬箔的表面粗糙度，而基材部的表面受到了輥28的壓縮加工，具有與輥28的表面粗糙度大致相同的表面粗糙度。即，集電體的整個表面具有大致相同的表面粗糙度。使用這樣的集電體，則能夠進一步提高集電體與活性物質層的粘附性。另外，使用未實施研磨加工的輥對金屬箔進行壓縮加工時，應力集中於凹部的開口邊緣的隆起部分，有可能成為輥周面的龜裂的起點，使輥壽命下降。(實施例9)除了使用平均粒徑為30tim的金剛石粒子代替平均粒徑為8ixm的金剛石粒子以外，與實施例8同樣地製作輥28。(實施例10)除了使用平均粒徑為53ym的金剛石粒子代替平均粒徑為8um的金剛石粒子以外，與實施例8同樣地製作輥28。(實施例11)除了使用平均粒徑為74um的金剛石粒子代替平均粒徑為8um的金剛石粒子以外，與實施例8同樣地製作輥28。另外，此時，不能將輥28的平均表面粗糙度減小到小於0.8a。對於實施例811中得到的輥28，判定了金剛石研磨後的輥28周面的研磨粒子(金剛石粒子)的殘留狀態、輥28周面的平均表面粗糙度以及集電體製作後的輥28周面的破損狀態。另外，殘留狀態和破損狀態通過電子顯微鏡觀察來判定。結果示於表3中。表3tableseeoriginaldocumentpage44從表3可知，當使用平均粒徑為8ym的金剛石粒子進行研磨時，儘管凹部29的幵口邊緣29a的隆起被除去，開口邊緣29a被曲面化，但在凹部29中殘留有金剛石粒子。凹部29內部殘留的金剛石粒子即使進行超聲波洗滌也不能完全除去。另外，如果在凹部29中殘留著金剛石粒子的狀態下製作集電體，則凸部的形成有可能變得不充分。另外，當使用平均粒徑為74nm的金剛石粒子時，輥28周面的平均表面粗糙度最多達到0.8um，可以看到隆起未被除去的部分。進而，當使用平均粒徑為30Pm和53um的金剛石粒子時，凹部29的開口邊緣29a被曲面化，同時沒有金剛石粒子的殘留，得到了周面的平均表面粗糙度為0.4a或其以下的輥28。進而，對於實施例9和實施例10的輥28，使用平均粒徑為5iim的金剛石粒子作為研磨材，向凹部29的開口邊緣29a—邊供給水一邊用具備研磨墊的研磨機進行研磨，形成了寬度約為lym、深度約為lum的凹槽29x。平均粒徑為5nm的金剛石粒子是粒度分布的偏差可控的市售品中的最小粒子。通過形成上述的凹槽29x,可以將凸部形成時殘留於凹部內的空氣等順利地排出到凹部的外部。由此，可以防止殘留於凹部內部的空氣被壓縮，並且因其壓力而阻礙凸部的順利的塑性變形，從而使凸部的形狀、高度等變得不均勻。另外，集電體中，凸部的距離基材部表面的高度除了要考慮最終想獲得的電極的特性之外，還要考慮輥28的壽命等來決定。為了提高輥28的耐用壽命，優選減小壓接鉗部的加壓力。因此，優選按照減小加壓力以形成必要高度的凸部的方式來進行調整。使用形成有凹槽29y的輥28，將厚度為26um的銅箔的與搬送方向垂直的方向的長度設定為80mm、將壓接鉗部的加壓力設定為80kN進行壓縮加工，使其產生局部的塑性變形，從而形成距離基材部表面的平均高度為5.1um的凸部。另一方面，除了使用未形成有凹槽29x的實施例9和10的輥28以夕卜，與上述同樣地進行了銅箔的壓縮加工，結果形成了距離基材部表面的高度平均為3.4um的凸部。在考慮到脫模性、磨損、潤滑的因素而使用固體潤滑材或液體潤滑材時，凸部的高度進一步增大，形狀變得均勻。(實施例12)在直徑為25mm的陶瓷製凹部形成輥的周面上，與實施例9同樣地形成凹部29,從而製成輥28。安裝該輥28作為圖3所示的集電體製造裝置35中的輥4，形成了壓接鉗部34。將厚度為18um、與搬送方向垂直的方向的寬度為80mm、長度為100m的銅箔供給至壓接鉗部34，在80kN的加壓下實施壓縮加工，使其產生局部的塑性變形，從而製作圖8所示的集電體20。(實施例13)除了將凹部形成用輥的輥徑變為50mm以外，與實施例12同樣地製作集電體20。(實施例14)除了將凹部形成用輥的輥徑變為100mm以外，與實施例12同樣地製作集電體20。(實施例15)除了將凹部形成用輥的輥徑變為150mm以外，與實施例12同樣地製作集電體20。對於實施例1215中得到的集電體20，通過電子顯微鏡觀察求出凸部22的平均高度和凸部22的最大值與最小值之差。凸部平均高度是100個凸部22的平均值。進而，對於集電體20製作後的輥28，通過目視觀察凹部29的損傷狀態。另外，凸部20的高度在圖7所示的截面圖中，是與基材部21的表面21a垂直的方向的、從表面21a至凸部20的前端表面為止的長度。結果示於表4中。表4tableseeoriginaldocumentpage46從表2可知，輥徑為25mm時，凸部22的平均高度為8Um。但是，輥28自身也產生了較大的彎曲，凸部22的高度的偏差較大。此外，輥28的旋轉有些不規則，推測將難以實現連續的加工。輥徑為50mm時，凸部22的平均高度為7.4um，但可看到輥28有少許的彎曲，凸部22的高度的偏差為土lixm左右。另外，在製作集電體20後觀察了輥28的凹部29，結果是產生了大量的龜裂。由此推測，輥徑會對輥28的壽命產生較大影響。輥徑為100mm時，凸部22的平均高度為4.1ym，凸部22的高度的偏差為土lum以下。另外，在製作集電體20後觀察了輥28的凹部29，結果未看到龜裂。進一步製作500m和1000m的集電體20，在凹部29上仍然未看到龜裂。輥徑為150mm時，凸部22的平均高度為2.1um，凸部22的高度的偏差為土lum以下。另夕卜，在製作集電體20後觀察了輥28的凹部29,結果未看到龜裂。進一步製作1000m的集電體20，在凹部29上仍然未看到龜裂。不過可以知道，為了得到具有充分的高度的凸部22，必須將加壓力設定得非常大，因此必須使設備尺寸大型化。根據表3和表4所示的結果可知，實施例14中製作的輥28可以很好地使用。在輥28的製作中，研磨工序中使用平均粒徑為30nm的金剛石粒子，在凹部29的開口邊緣29a上形成凹槽29x，將輥周面的平均表面粗糙度設定為0.4a，將輥徑設定為100mm。另外，在實施例1114製作的集電體20中，基材部21與凸部22的邊界部分22a由曲面構成，並且圖7所示的凸部22的截面具有錐形狀。由此，壓縮加工時的加工性和集電體20從輥28上脫模的脫模性得以提高，可以防止凸部22與輥28的凹部29緊緊嵌合而從集電體20上剝離下來。如果使用在具有大量的易剝離的凸部22的集電體20上擔載有正極活性物質的正極板來構成電極組，則在反覆充放電的過程中上述集電體20會成為正極板產生皺紋的起點，使得正極活性物質剝離。這可以認為是由於集電體20的機械強度的偏差所引起的。如上所述，通過使用一對輥來進行加工，可以實現非常少的接觸面積下的加壓，從而能夠增大加壓力。由此，可實現集電體製造裝置35的小型化。(實施例16)除了凹部29的開口形狀為大致菱形以外，如下製作具有與圖9所示的輥28相同的構成的輥28A。利用YAG雷射對直徑為50mm的超硬合金制凹部形成輥的周面進行雷射加工，從而形成開口形狀是大致菱形、菱形的較長的對角線的長度為20iim、深度約為10um的凹部。雷射加工是將雷射頻率設為lkHz來進行。在上述形成的凹部的開口邊緣上形成了由毛刺或突起構成的隆起，輥的表面粗糙度局部地變大。特別是當凹部的開口形狀是菱形時，毛刺或突起會產生方向性，表面形狀整體惡化。因此，使用平均粒徑為8um的金剛石粒子作為研磨粒，一邊供給水一邊用具備研磨墊的研磨機進行研磨。研磨迸行到輥周面的平均表面粗糙度變為0.4a為止。由此除去隆起，形成其開口邊緣29a由曲面構成的凹部29，製成輥28A。輥28A的表面粗糙度與作為原材料的金屬箔的表面粗糙度大致相同。因此，在壓縮加工後得到的集電體中，凸部的前端表面維持原先的金屬箔的表面粗糙度，而基材部的表面受到了輥28A的壓縮加工，具有與輥28A的表面粗糙度大致相同的表面粗糙度。即，集電體的整個表面具有大致相同的表面粗糙度。使用這樣的集電體，則能夠進一步提高集電體與活性物質層的粘附性。另外，使用未實施研磨加工的輥對金屬箔進行本發明的壓縮加工時，應力集中於凹部的開口邊緣的隆起部分，有可能成為輥周面的龜裂的起點，使輥壽命下降。特別是當開口形狀是大致菱形時，2個銳角部由於其形狀的緣故而容易受到應力集中，成為輥28A周面的龜裂的起點，還會成為相鄰的凹部29之間的龜裂的傳播路徑，所以使輥壽命大幅下降。(實施例17)除了使用平均粒徑為30nm的金剛石粒子來代替平均粒徑為8iim的金剛石粒子以外，與實施例16同樣地製作輥28A。(實施例18)除了使用平均粒徑為53Pm的金剛石粒子來代替平均粒徑為8iim的金剛石粒子以外，與實施例16同樣地製作輥28A。(實施例19)除了使用平均粒徑為74Um的金剛石粒子來代替平均粒徑為8lim的金剛石粒子以外，與實施例16同樣地製作輥28A。另外，此時，不能將輥28A的平均表面粗糙度減小到小於0.8a。對於實施例1619中得到的輥28A，判定了金剛石研磨後的輥28A周面的研磨粒子(金剛石粒子)的殘留狀態、輥28A周面的平均表面粗糙度以及集電體製作後的輥28A周面的破損狀態。另外，殘留狀態和破損狀態通過電子顯微鏡觀察來判定。結果示於表5中。表5tableseeoriginaldocumentpage48從表5可知，當使用平均粒徑為8um的金剛石粒子進行研磨時，儘管凹部29的開口邊緣29a的隆起被除去、開口邊緣29a被曲面化，但在凹部29中殘留有金剛石粒子。凹部29內部殘留的金剛石粒子即使進行超聲波洗滌也不能完全除去。另外，如果在凹部29中殘留著金剛石粒子的狀態下製作集電體，則凸部的形成有可能變得不充分。另外，當使用平均粒徑為74um的金剛石粒子時，輥28A周面的平均表面粗糙度最多達到0.8ym，可以看到隆起未被除去的部分。進而，當使用平均粒徑為30um和53lim的金剛石粒子時，凹部29的開口邊緣29a被曲面化，同時沒有金剛石粒子的殘留，得到了周面的平均表面粗糙度為0.4a或其以下的輥28A。進而，對於實施例17和實施例18的輥28A，使用平均粒徑為5um的金剛石粒子作為研磨材，向凹部29的開口邊緣29a—邊供給水一邊用具備研磨墊的研磨機進行研磨，形成了寬度約為1um、深度約為1um的凹槽29x。平均粒徑為5nm的金剛石粒子是粒度分布的偏差可控的市售品中的最小粒子。通過形成上述的凹槽29x，可以將凸部形成時殘留於凹部內的空氣等順利地排出到凹部的外部。由此，可以防止殘留於凹部內部的空氣被壓縮，並且因其壓力而阻礙凸部的順利的塑性變形，從而使凸部的形狀、高度等變得不均勻。另外，集電體中，凸部的距離基材部表面的高度除了要考慮最終想獲得的電極的特性之外，還要考慮輥28A的壽命等來決定。為了提高輥28A的耐用壽命，優選減小壓接鉗部的加壓力。因此，優選按照減小加壓力以形成必要高度的凸部的方式來進行調整。特別是當開口形狀是大致菱形時，為了得到充分的高度，需要比開口形狀是大致圓形的情況更高的加壓力。另外知道，即使在與具有相同的平面投影面積的大致圓形的情況相同的條件下加壓，高度也會下降約15%23%。推測這是由於從菱形的長軸截面的厚度變化受到由截面形狀的狹窄而產生的阻力的影響。使用形成有凹槽29y的輥28A，將厚度為18lim的銅箔的與搬送方向垂直的方向的長度設定為80mm、將壓接鉗部的加壓力設定為80kN進行壓縮加工，使其產生局部的塑性變形，從而形成距離基材部表面的高度平均為7.1um的凸部。另一方面，除了使用未形成有凹槽29x的輥28A以外，與上述同樣地進行了壓縮加工，結果形成了距離基材部表面的高度平均為5.5um的凸部。在考慮到脫模性、磨損、潤滑的因素而使用固體潤滑材或液體潤滑材時，凸部的高度進一步增大，形狀變得均勻。(實施例20)在直徑為25mm的陶瓷製凹部形成用輥的周面上，與實施例17同樣地形成凹部29，從而製成輥28A。安裝該輥28A作為圖3所示的集電體製造裝置35中的輥4、5，形成了壓接鉗部34a。將厚度為26nm、與搬送方向垂直的方向的寬度為80mm、長度為100m的銅箔供給至壓接鉗部34a，在80kN的加壓下實施壓縮加工，使其產生局部的塑性變形，從而製作圖IO所示的集電體23。(實施例21)除了將凹部形成用輥的輥徑變為50mm以外，與實施例20同樣地製作集電體23。(實施例22)除了將凹部形成用輥的輥徑變為100mm以外，與實施例20同樣地製作集電體23。(實施例23)除了將凹部形成用輥的輥徑變為150mm以外，與實施例20同樣地製作集電體23。對於實施例2023中得到的集電體23，通過電子顯微鏡觀察求出凸部25x、25y(以下記為"凸部25")的平均高度和凸部25的最大值與最小值之差。凸部平均高度是100個凸部25的平均值。進而，對於集電體23製作後的輥28A，通過目視觀察凹部29的損傷狀態。另外，凸部25的高度在圖8所示的截面圖中，是與基材部24的表面24a垂直的方向的、從表面24a至凸部25的前端表面為止的長度。結果示於表6中。tableseeoriginaldocumentpage50從表6可知，輥徑為25mm時，凸部25的平均高度為10um。但是，輥28A自身也產生了較大的彎曲，凸部25的高度的偏差較大。此外，輥28A的旋轉有些不規則，推測將難以實現連續的加工。輥徑為50mm時，凸部25的平均高度為8.2ym，但可看到輥28有少許的彎曲，凸部25的高度的偏差為士lPm左右。另外，在製作集電體23後觀察了輥28A的凹部29，結果發現產生了大量的龜裂。由此推測，輥徑會對輥28的壽命產生較大影響。輥徑為100mm時，凸部25的平均高度為7.1um，凸部25的高度的偏差為土lym以下。另外，在製作集電體23後觀察了輥28A的凹部29，結果未看到龜裂。進一步製作500m和1000m的集電體23，在凹部29上仍然未看到龜裂。輥徑為150mm時，凸部25的平均高度為4.3um，凸部25的高度的偏差為土lum以下。另外，在製作集電體23後觀察了輥28A的凹部29，結果未看到龜裂。進一步製作1000m的集電體23,在凹部29上仍然未看到龜裂。不過可以知道，為了得到具有充分的高度的凸部25，必須將加壓力設定得非常大，因此必須使設備尺寸大型化。根據表5和表6所示的結果可知，實施例22中製作的輥28A可以很好地使用。在輥28A的製作中，研磨工序中使用平均粒徑為30lim的金剛石粒子，在凹部29的開口邊緣29a上形成凹槽29x，將輥周面的平均表面粗糙度設定為0.4a，將輥徑設定為100mm。另夕卜，在實施例2023製作的集電體23中，基材部24與凸部25的邊界部分25a由曲面構成，並且圖10所示的凸部25的截面具有錐形狀。由此，壓縮加工時的加工性和集電體23從輥28A上脫模的脫模性得以提高，可以防止凸部25與輥28A的凹部29緊緊嵌合而從集電體23上剝離下來。如果使用在具有大量的易剝離的凸部25的集電體23上擔載有負極活性物質的負極板來構成電極組，則在反覆充放電的過程中上述集電體23會成為負極板產生皺紋的起點，使得負極活性物質剝離。這可以認為是由於集電體23的機械強度的偏差所引起的。如上所述，通過使用一對輥來進行加工，可以實現非常少的接觸面積下的加壓，從而能夠增大加壓力。由此，可實現集電體製造裝置35的小型化。(實施例24)安裝形成有多個開口形狀是大致圓形、深度為8Pm、開口徑為10um的凹部29的圖9所示的陶瓷輥28作為圖3所示的集電體製造裝置35中的輥4、5。使作為集電體用金屬箔10的厚度為15ym的帶狀鋁箔在線壓為10kN的加壓下通過集電體製造裝置35的壓接鉗部34a(圖11)以進行局部非壓縮的加工，從而製成圖16所示的正極用集電體80。圖16是示意表示本發明的實施形態之一的集電體80的構成的圖。圖16(a)是集電體80的立體圖。圖16(b)是集電體80的縱截面圖。得到的集電體80含有由鋁構成的基材部81、和在基材部81的厚度方向的兩面規則地形成的高度為5um的大致圓形的凸部82x、82y(以下記為"凸部82")，並且是其基材部81的厚度17為12nm、最大厚度t8為20um的帶狀集電體。在寬度方向(長度方向)X上，凸部82形成了以間距Ps排列成一列的行單元83。在橫向Y上，行單元83以間距P6平行排列。進而，行單元83和與之相鄰的行單元83按照使各個凸部82在寬度方向X上錯開0.5P5的距離的方式配置。這樣的凸部82的排列圖案是最密填充排列。集電體80中，基材部81與凸部82的邊界部分82a由曲面構成。由此，壓縮加工時的加工性和集電體80從輥28上脫模的脫模性得以提高。同時，由於大致圓形的凸部82以最密填充形狀排列，所以集電體80對施加於長度方向X上的拉伸應力具有充分的耐久性。因此，在集電體80的製造時、集電體80的加工時等情況下，可以防止集電體80上局部發生變形或彎曲。另外，用表面粗糙度計測定了集電體80的表面粗糙度，結果是基材部81的表面81a的表面粗糙度變得比加工前的鋁箔的表面粗糙度小。基材部81的表面81a的表面粗糙度與陶瓷輥28的表面粗糙度大致相同。另一方面，凸部82的前端表面的表面粗糙度與加工前的鋁箔大致相同。此外，用掃描型電子顯微鏡觀察了凸部82的前端表面，結果發現了與加工前在鋁箔表面觀察到的同樣的細的劃傷。進而，對集電體80進行了電子背散射衍射(EBSP)法的晶體方位分析，結果判定，基材部81的表面81a和凸部82的內部與加工前的鋁箔相比，晶粒變細。另外，測定了集電體80的拉伸強度，結果是儘管基材部81的厚度變得比加工前的鋁箔的厚度薄，但並沒有看到拉伸強度的下降，推測這是因為壓縮加工的加工硬化使得拉伸強度得以提高。從以上的分析結果可以認為，通過對鋁箔實施上述的加工，則壓縮加工不會施加於凸部82的部分，而施加於基材部81的表面81a，從而得到集電體80。在上述得到的集電體80的兩面塗布正極合劑漿料，並使其乾燥，進行加壓使得總厚度變為126Hm，從而製成單面的正極活性物質層的厚度為58lim的正極。將該集電體切開加工成規定寬度，從而製成正極板。正極合劑漿料是通過在雙臂式捏合機中攪拌並混煉如下成分而調製的一部分鈷被鎳和錳置換了的鈷酸鋰100重量份、乙炔黑(導電材)2重量份、聚偏氟乙烯(粘結材)2重量份以及適量的N-甲基-2-吡咯烷酮。集電體80如圖16所示，由於大致圓形的凸部82以最密填充形狀排列，並且基板部81與凸部82的邊界部分82a由曲面構成，對施加於長度方向X上的拉伸應力具有充分的耐久性。因此，在集電體80上塗布正極合劑漿料並使其乾燥和加壓以製作正極的工序、以及將正極切開加工成規定寬度的工序等中，可以防止集電體80上產生局部的變形或彎曲，同時可以抑制正極活性物質層的脫落。(實施例25)安裝形成有多個開口形狀是大致菱形、深度為10um、菱形的較長的對角線為20um的凹部29的圖9所示的陶瓷輥28A作為圖3所示的集電體製造裝置35中的輥4、5。使作為集電體用金屬箔IO的厚度為12um的帶狀銅箔在線壓為10kN的加壓下通過集電體製造裝置35的壓接鉗部34a(圖11)以進行壓縮加工，使其發生局部的塑性變形，從而製成圖17所示的負極用集電體85。圖17是示意表示本發明的實施形態之一的集電體85的構成的圖。圖17(a)是集電體85的立體圖。圖17(b)是集電體85的縱截面圖。得到的集電體85含有由銅構成的基材部86、和在基材部86的厚度方向的兩面規則地形成的高度為6um的大致菱形的凸部87x、87y(以下記為"凸部87")，並且是其基材部86的厚度t9為6um、最大厚度11為18um的帶狀集電體。在寬度方向(長度方向)X上，凸部86形成了以間距P7排列成一列的行單元88。在橫向Y上，行單元88以間距Ps平行排列。進而，行單元88和與之相鄰的行單元88按照使各個凸部87在寬度方向X上錯開0.5P7的距離的方式配置。這樣的凸部87的排列圖案是最密填充排列。集電體85中，基材部86與凸部87的邊界部分86a由曲面構成。由此，壓縮加工時的加工性和集電體85從輥28上脫模的脫模性得以提高。同時，由於大致菱形的凸部87以最密填充形狀排列，所以集電體85對施加於長度方向X上的拉伸應力具有充分的耐久性。因此，在集電體85的製造時、集電體85的加工時等情況下，可以防止集電體85上局部發生變形或彎曲。另外，用表面粗糙度計測定了集電體85的表面粗糙度，結果基材部86的表面86a的表面粗糙度變得比加工前的銅箔的表面粗糙度小。基材部86的表面86a的表面粗糙度與陶瓷輥28的表面粗糙度大致相同。另一方面，凸部87的前端表面的表面粗糙度與加工前的銅箔大致相同。此外，用掃描型電子顯微鏡觀察了凸部87的前端表面，結果發現了與加工前在銅箔表面觀察到的同樣的細的劃傷。進而，對集電體85進行了電子背散射衍射(EBSP)法的晶體方位分析，結果判定，基材部86的表面86a和凸部87的內部與加工前的銅箔相比，晶粒變細。另外，測定了集電體85的拉伸強度，結果儘管基材部86的厚度變得比加工前的銅箔的厚度薄，但並沒有看到拉伸強度的下降，推測這是因為壓縮加工的加工硬化使得拉伸強度提高。從以上的分析結果可以認為，通過對銅箔實施上述的加工，則凸部87的部分發生伴隨壓縮加工的塑性變形，在基材部86的表面86a上施加壓縮加工，從而得到集電體85。在具備電子束加熱機構的真空蒸鍍裝置的內部安裝上述得到的集電體85。使用純度為99.9999%的矽作為靶，一邊導入純度為99.7%的氧一邊進行蒸鍍，從而在集電體85的兩面的凸部87的表面形成了柱狀的膜厚為20ixm的SiOo.s層。將該集電體切開加工成規定寬度以製成負極板。集電體85如圖17(a)所示，大致菱形的凸部87以最密填充排列形成於其兩面，並且基材部86與凸部87的邊界部分87a由曲面構成。因此，在朝著集電體85的長度方向X蒸鍍負極活性物質時，可以使其高效地附著於凸部87的表面。另外，對施加於集電體85的長度方向X上的拉伸應力具有充分的耐久性。因此，在製作帶狀的集電體85的工序、在集電體85的表面蒸鍍負極活性物質以製作負極板的工序、以及將負極板切開加工成規定寬度的工序等中，可以防止集電體85上產生局部的變形或彎曲。同時，可以抑制負極活性物質層的脫落。(實施例26)安裝形成有多個開口形狀是大致圓形、深度為10um、開口徑為10um的凹部29的圖9所示的陶瓷輥28作為圖3所示的集電體製造裝置35中的輥4、5。使作為集電體用金屬箔10的厚度為18um的帶狀銅箔在線壓為10kN的加壓下通過集電體製造裝置35的壓接鉗部34a(圖ll)以進行壓縮加工，使其發生局部的塑性變形，從而製成圖16所示的負極用集電體80。得到的集電體80含有由銅構成的基材部81、和在基材部81的厚度方向的兩面規則地形成的高度為8um的大致圓形的凸部82x、82y(以下記為"凸部82")，並且是其基材部81的厚度t7為lOum、最大厚度t8為26Pm的帶狀集電體。在寬度方向(長度方向)X上，凸部82形成了以間距Ps排列成一列的行單元83。在橫向Y上，行單元83以間距P6平行排列。進而，行單元83和與之相鄰的行單元83按照使各個凸部82在寬度方向X上錯開0.5P5的距離的方式配置。這樣的凸部82的排列圖案是最密填充排列。集電體80中，基材部81與凸部82的邊界部分82a由曲面構成。由此，壓縮加工時的加工性和集電體80從輥28上脫模的脫模性得以提高。同時，由於大致圓形的凸部82以最密填充形狀排列，所以集電體80對施加於長度方向X上的拉伸應力具有充分的耐久性。因此，在集電體80的製造時、集電體80的加工時等情況下，可以防止集電體80上局部發生變形或彎曲。另外，用表面粗糙度計測定了集電體80的表面粗糙度，結果基材部81的表面81a的表面粗糙度變得比加工前的銅箔的表面粗糙度小。基材部81的表面81a的表面粗糙度與陶瓷輥28的表面粗糙度大致相同。另一方面，凸部82的前端表面的表面粗糙度與加工前的銅箔大致相同。此外，用掃描型電子顯微鏡觀察了凸部82的前端表面，結果發現了與加工前在鋁箔表面觀察到的同樣的細的劃傷。進而，對集電體80進行了電子背散射衍射(EBSP)法的晶體方位分析，結果判定，基材部81的表面81a和凸部82的內部與加工前的銅箔相比，晶粒變細。另外，測定了集電體80的拉伸強度，結果儘管基材部81的厚度變得比加工前的銅箔的厚度薄，但並沒有看到拉伸強度的下降，推測這是因為壓縮加工的加工硬化使得拉伸強度提高。從以上的分析結果可以認為，通過對銅箔實施上述的加工，則凸部82的部分發生伴隨壓縮加工的塑性變形，在基材部81的表面81a上施加壓縮加工，從而得到集電體80。在具備電子束加熱機構的真空蒸鍍裝置的內部安裝上述得到的集電體85。使用純度為99.9999%的矽作為靶，一邊導入純度為99.7%的氧一邊進行蒸鍍，從而在集電體85的兩面的凸部87的表面形成了柱狀的膜厚為25ym的SiO。,s層。將該集電體切開加工成規定寬度以製成負極板。集電體80如圖16(a)所示，大致圓形的凸部82以最密填充排列形成於其兩面，並且基材部81與凸部82的邊界部分82a由曲面構成。因此，在朝著集電體80的長度方向X蒸鍍負極活性物質時，可以使其高效地附著於凸部82的表面。另外，對施加於集電體80的長度方向X上的拉伸應力具有充分的耐久性。因此，在製作帶狀的集電體80的工序、在集電體80的表面蒸鍍負極活性物質以製作負極板的工序、以及將負極板切開加工成規定寬度的工序等中，可以防止集電體85上產生局部的變形或彎曲。同時，可以抑制負極活性物質層的脫落。'使用實施例24中的得到的正極板和上述得到的負極板製作圖12所示的圓筒型非水電解質二次電池40。首先，將正極板50、隔膜52、負極板51和隔膜52按照該順序重疊並巻繞成漩渦狀，從而製成電極組41。進而如圖9所示那樣，將正極板15和負極板17隔著隔膜19巻繞成漩渦狀，從而製成電極組14。將該電極組41與絕緣板44一起收納於有底圓筒形的電池盒47的內部。將從電極組41的下部導出的未圖示的負極引線與電池盒47的底部連接，然後將從電極組41的上部導出的正極引線42與封口板45連接，向電池盒47中注入規定量的包含非水溶劑的電解液(未圖示)。然後，在電池盒47的開口部中插入周邊安裝有墊圈46的封口板45，將電池盒47的開口部朝著內側彎折而進行斂縫封口，從而製作了本發明的非水電解質二次電池40。上述非水系二次電池40中，製作了巻繞成漩渦狀的電極組41之後，將該電極組41分解後進行了觀察，結果在正極板50、負極板51上均未看到電極板斷裂或活性物質層的脫落等不利情況。進而，使該非水系二次電池40進行300個循環充放電，但並沒有循環劣化，300個循環後將非水系二次電池40和電極組41分解，結果未看到鋰析出、活性物質層的脫落等不利情況。其原因可以認為是，由於在未實施壓縮加工的凸部表面形成柱狀的活性物質層的薄膜，所以由鋰嵌入時的活性物質層薄膜的膨脹和鋰脫嵌時的活性物質層薄膜的收縮所引起的體積變化被緩和，利用該效果，可以維持良好的電池特性。如以上的實施例中所說明的那樣，本發明的非水系二次電池用電極板中，由於集電體的基材部與凸部之間的邊界部分由曲面構成，所以壓縮加工時的加工性和集電體的脫模性良好。另外，集電體的凸部的前端表面由於未實施壓縮加工，所以不會殘留因實施加工而導致的加工形變，凸部前端表面的表面精度良好，因此能夠形成均勻的薄膜狀活性物質層。另外，由於凸部是通過伴隨壓縮加工產生的塑性變形而形成的，所以凸部前端表面的表面粗糙度不會變小，而是維持著初期的表面粗糙度。因此，與薄膜狀的活性物質層的粘附力高。從該觀點出發，為了進一步提高凸部平面與電極活性物質合劑層的粘附力，預先使加工前的集電體的表面成為更粗糙的狀態是非常有效的。另外，本發明的非水系二次電池中的活性物質層優選以柱狀形成於凸部前端表面。由此，可以緩和伴隨非水系二次電池的充放電產生的鋰嵌入時的活性物質層的膨脹和鋰脫嵌時的活性物質層的收縮所引起的體積變化。其結果是，由充放電導致的電極板斷裂或活性物質層的脫落等不利情況更加不易發生，能夠得到高容量且可靠性高的非水系二次電池。根據本發明的非水系二次電池用的集電體以及電極板的製造方法，可以在確保用於製作電解板的集電體的強度的同時，將電極活性物質高效地擔載於集電體上所形成的凸部上，得到可靠性高的非水系二次電池，所以隨著電子設備和通信設備的多功能化，作為希望實現高容量化的可攜式電子設備類的電源等是有用的。權利要求1、一種非水電解質二次電池用集電體的製造方法，其中使用如下的一對加工機構該一對加工機構被設置成表面相互壓接而形成可使片材狀物通過的壓接鉗部，並且在至少一個加工機構的表面形成有多個凹部；在所述製造方法中，使集電體用金屬箔通過加工機構的壓接鉗部以進行壓縮加工，從而在集電體用金屬箔的至少一個表面形成多個凸部。2、根據權利要求1所述的製造方法，其中，凸部的前端表面的表面粗糙度與壓縮加工前的集電體用金屬箔的表面粗糙度大致相同。3、根據權利要求1或2所述的製造方法，其中，凹部的與加工機構表面垂直的方向的截面具有如下形狀該截面的與加工機構表面平行的方向的寬度從加工機構表面朝著凹部底面逐漸變小的錐形狀。4、根據權利要求13中任一項所述的製造方法，其中，以使得凸部的體積小於等於凹部的內部空間的體積的方式進行壓縮加工。5、根據權利要求14中任一項所述的製造方法，其中，以使得凸部的體積為凹部的內部空間的體積的85%以下的方式進行壓縮加工。6、根據權利要求15中任一項所述的製造方法，其中，在表面形成有多個凹部的加工機構中，凹部與加工機構表面的邊界是曲面。7、根據權利要求6所述的製造方法，其中，凹部與加工機構表面的邊界的曲面形狀是如下形成的利用雷射加工形成凹部，並除去因雷射加工而產生的凹部與加工機構表面的邊界的隆起。8、根據權利要求7所述的製造方法，其中，通過用平均粒徑為30um以上但低於53Um的金剛石粒子進行研磨來除去隆起。9、根據權利要求68中任一項所述的製造方法，其中，在凹部與加工機構表面的邊界處形成有多個寬度為1nm以下、深度為1Pm以下的凹槽。10、根據權利要求9所述的製造方法，其中，通過用平均粒徑為5um以下的金剛石粒子進行研磨來形成凹槽。11、根據權利要求110中任一項所述的製造方法，其中，一對加工機構是一對輥，在至少一個輥的表面形成有凹部。12、根據權利要求11所述的製造方法，其中，在形成有凹部的輥的表面以及凹部的面對內部空間的表面形成有表面覆蓋層，所述表面覆蓋層含有超硬合金、合金工具鋼或氧化鉻。13、根據權利要求12所述的製造方法，其中，在表面覆蓋層的表面形成有保護層，所述保護層含有無定形碳材料。14、根據權利要求12或13所述的製造方法，其中，表面覆蓋層和保護層是通過選自下述氣相沉積法中的至少一種而形成的，所述氣相沉積法是利用濺射的物理氣相沉積法、利用離子注入的物理氣相沉積法、利用熱蒸鍍的化學氣相沉積法和利用等離子體蒸鍍的化學氣相沉積法。15、根據權利要求110中任一項所述的製造方法，其中，至少一個輥是表面設置有陶瓷層的輥，在陶瓷層的表面形成有凹部。16、根據權利要求110中任一項所述的製造方法，其中，在輥或集電體用金屬箔的表面塗布潤滑劑，並使其乾燥。17、根據權利要求16所述的製造方法，其中，潤滑劑含有脂肪酸。18、一種非水電解質二次電池用集電體，其含有由集電體用金屬箔構成的基材部、和從基材部的至少一個表面向基材部的外側延伸而形成的多個凸部，基材部表面與凸部的邊界是曲面。19、一種非水電解質二次電池用電極的製造方法，其中，在通過權利要求117中任一項所述的非水電解質二次電池用集電體的製造方法而製造的非水電解質二次電池用集電體或權利要求18的非水電解質二次電池用集電體的表面擔載正極活性物質或負極活性物質。20、根據權利要求19所述的非水電解質二次電池用電極的製造方法，其中，在非水電解質二次電池用集電體的凸部表面擔載正極活性物質或負極活性物質。21、一種非水電解質二次電池，其含有正極、負極、隔膜和非水電解質，正極和負極中的至少一個是通過權利要求19或權利要求20的非水電解質二次電池用電極的製造方法而製造的電極。全文摘要本發明的目的是提高非水電解質二次電池用集電體的機械強度和耐久性，使活性物質層高效地且以高的粘附力擔載於集電體表面。為了實現該目的，使用如下的一對加工機構該一對加工機構被設置成表面相互壓接而形成可使片材狀物通過的壓接鉗部，並且在至少一個加工機構的表面形成有多個凹部；使集電體用金屬箔通過加工機構的壓接鉗部以進行壓縮加工，從而通過伴隨壓縮加工而發生的局部塑性變形在集電體用金屬箔的至少一個表面形成多個凸部。文檔編號H01M4/70GK101536223SQ20078004194公開日2009年9月16日申請日期2007年11月15日優先權日2006年11月15日發明者住原正則,加藤誠一,片山仁,西村卓寬,野野下孝申請人:松下電器產業株式會社