在背板上製造發光二極體陣列的方法與流程

2023-12-02 10:50:31 2

優先權主張本申請案主張來自以下臨時申請案的優先權的權益：2014年12月19日申請的第62/094,525號美國臨時申請案；2014年12月19日申請的第62/094,539號美國臨時申請案；2015年1月26日申請的第62/107,606號美國臨時申請案；2015年4月27日申請的第62/153,291號美國臨時申請案；2015年4月27日申請的第62/153,298號美國臨時申請案；及2015年5月13日申請的第62/161,067號美國臨時申請案，全部所述申請案藉此出於所有目的以全文引用方式併入。本發明的實施例大體上涉及半導體發光裝置，且具體來說，涉及一種在背板上採用發光裝置陣列的發射顯示器面板及一種製造所述發射顯示器面板的方法。
背景技術：
：例如發光裝置的發光裝置用於電子顯示器中，例如膝上型計算機或led電視中的液晶顯示器。發光裝置包含發光二極體(led)及經配置以發射光的各種其它類型的電子裝置。技術實現要素：根據本發明的一方面，提供一種形成裝置組合件的方法。在襯底上形成多種類型的焊接材料部分。所述多種類型的焊接材料部分包括包含第一焊接材料的至少一個第一焊接材料部分及包含第二焊接材料的至少一個第二焊接材料部分。提供多種類型的裝置。所述多種類型的裝置包括包含至少一個第一接合墊的第一類型裝置及包含至少一個第二接合墊的第二類型裝置。所述第一及第二接合墊包括共用接合材料。所述第一焊接材料與所述共用接合材料形成具有第一共晶溫度的第一共晶系統。所述第二焊接材料與所述共用接合材料形成具有大於所述第一共晶溫度的第二共晶溫度的第二共晶系統。通過將每一第一接合墊安置在相應第一焊接材料部分上及將每一第一接合墊加熱到高於所述第一共晶溫度且低於所述第二共晶溫度的溫度，將所述第一類型裝置接合到所述襯底。通過將每一第二接合墊安置在相應第二焊接材料部分上及將每一第二接合墊加熱到高於所述第二共晶溫度的溫度，將所述第二類型裝置接合到所述襯底。根據本發明的一方面，提供一種形成至少一個集成發光裝置組合件的方法。將包括第一源襯底及發射第一波長的光的第一發光裝置的第一組合件安置在背板之上。將第一導電接合結構安置在所述背板與所述第一組合件之間。所述第一發光裝置的第一子集通過所述第一導電接合結構接合到所述背板。通過雷射燒蝕上覆所述第一發光裝置的所述第一子集的材料部分使所述第一發光裝置的所述第一子集從所述第一源襯底脫離。使包括所述第一源襯底及所述第一發光裝置的第二子集的組合件與所述背板分離，而所述第一發光裝置的所述第一子集仍接合到所述背板。根據本發明的另一方面，提供一種集成發光裝置組合件，其包括在頂側處具有階梯式水平面的背板。所述階梯式水平面包括定位於第一水平面平面內的所述階梯式水平面的第一子集及定位於比階梯式水平面的所述第一子集接近所述背板的背面的程度更接近所述背板的所述背面的第二水平面平面內的所述階梯式水平面的第二子集。所述集成發光裝置組合件包括定位於所述背板的所述階梯式水平面上的導電接合結構。所述導電接合結構包括上覆所述階梯式水平面的所述第一子集的第一導電接合結構及上覆所述階梯式水平面的所述第二子集的第二導電接合結構。此外，所述集成發光裝置組合件包括接合到所述導電接合結構的發光裝置。所述發光裝置包括：第一發光裝置，其發射第一波長的光且上覆所述階梯式水平面的所述第一子集；及第二發光裝置，其發射第二波長的光且上覆階梯式水平面的所述第二子集。根據本發明的又一方面，提供一種集成發光裝置組合件，其包括接合到背板的第一發光裝置及第二發光裝置。每一第一發光裝置以第一波長發射光。每一第二發光裝置以不同於所述第一波長的第二波長發射光。每一第一發光裝置通過包含第一接合墊及第一導電接合結構的第一堆疊接合到所述背板。每一第二發光裝置通過包含第二接合墊及第二導電接合結構的第二堆疊接合到所述背板。包含所述第一接合墊與所述第一導電接合結構之間的第一界面的第一平面從包含所述第二接合墊與所述第二導電接合結構之間的第二界面的第二平面垂直偏移。根據本發明的又一方面，提供一種集成發光裝置組合件，其包括接合到背板的第一發光裝置及第二發光裝置。每一第一發光裝置以第一波長發射光。每一第二發光裝置以不同於所述第一波長的第二波長發射光。每一第一發光裝置通過包含第一接合墊及第一導電接合結構的第一堆疊接合到所述背板。每一第二發光裝置通過包含第二接合墊及第二導電接合結構的第二堆疊接合到所述背板。所述第一導電接合結構與所述第二導電接合結構具有相同高度。所述第一導電接合結構中的每一者具有第一體積。所述第二導電接合結構中的每一者具有小於所述第一體積的第二體積。附圖說明圖1是根據本發明的實施例的從初始生長襯底生成生長襯底與其上的相應裝置的組合件的步驟的示意性說明。圖2是根據本發明的實施例的通過相應裝置將生長襯底接合到相應第一載體襯底的步驟的示意性說明。圖3是根據本發明的實施例的移除生長襯底的步驟的示意性說明。圖4是根據本發明的實施例的在第一載體襯底上形成第一接合材料層、提供第二載體襯底及形成釋放層及第二接合材料層的步驟的示意性說明。圖5是根據本發明的實施例的接合每一對第一載體襯底與第二載體襯底的步驟的示意性說明。圖6是根據本發明的實施例的其中從經接合結構移除每一第一載體襯底的步驟的示意性說明。圖7是根據本發明的實施例的第二載體襯底、其上的第一發光裝置陣列及填充第一發光裝置之中的間隙的任選光學保護材料層的垂直橫截面圖。圖8是根據本發明的實施例的背板襯底的垂直橫截面圖。圖9是根據本發明的實施例的通過在背板上形成各種電介質材料層而形成的背板的垂直橫截面圖。圖10是根據本發明的實施例的包含光學保護材料的任選保護層形成及圖案化之後的背板的垂直橫截面圖。圖11是根據本發明的實施例的在階梯式水平面的第一子集上形成第一導電接合結構之後的背板的垂直橫截面圖。圖12是根據本發明的實施例的將第一轉移襯底上的第一發光裝置的第一子集接合到背板的階梯式水平面的第一子集上的第一導電接合結構時的背板的垂直橫截面圖。圖13是根據本發明的實施例的採用第一轉移襯底中的釋放層的部分的雷射輻射及燒蝕附接第一發光裝置的第一子集之中的發光裝置時的背板及第一轉移襯底的垂直橫截面圖。圖14是根據本發明的實施例的分離第一轉移襯底之後的背板的垂直橫截面圖。圖15是根據本發明的實施例的使第二轉移襯底與其上的第二發光裝置對準之後的背板的垂直橫截面圖。圖16是根據本發明的實施例的採用第二轉移襯底中的釋放層的部分的雷射輻射及燒蝕分離第二發光裝置的第一子集之中的發光裝置時的背板及第二轉移襯底的垂直橫截面圖。圖17是根據本發明的實施例的分離第二轉移襯底之後的背板的垂直橫截面圖。圖18是根據本發明的實施例的採用第三轉移襯底中的釋放層的部分的雷射輻射及燒蝕分離第三發光裝置的第一子集之中的發光裝置時的背板及第三轉移襯底的垂直橫截面圖。圖19是根據本發明的實施例的分離第三轉移襯底之後的背板的垂直橫截面圖。圖20是根據本發明的實施例的採用第四轉移襯底中的釋放層的部分的雷射輻射及燒蝕分離傳感器裝置的第一子集之中的傳感器裝置時的背板及第四轉移襯底的垂直橫截面圖。圖21是根據本發明的實施例的分離第四轉移襯底之後的背板的垂直橫截面圖。圖22是根據本發明的實施例的透明囊封電介質層形成之後的第一示範性發光裝置組合件的垂直橫截面圖。圖23是根據本發明的實施例的導電互連結構形成之後的第一示範性發光裝置組合件的替代實施例的垂直橫截面圖。圖24是根據本發明的實施例的初始生長襯底上的裝置的替代實施例。圖25是根據本發明的實施例的第一示範性發光裝置組合件的另一替代實施例的垂直橫截面圖。圖26是根據本發明的實施例的第一示範性發光裝置組合件的又一替代實施例的垂直橫截面圖。圖27說明在其中虛設襯底安置在經接合發光裝置的頂表面上方的本發明的替代實施例中的處理步驟。圖28說明在其中虛設襯底擠壓經接合發光二極體而焊料球被加熱到回流溫度的本發明的替代實施例中的處理步驟。圖29說明根據本發明的實施例的第一示範性發光裝置組合件的又一替代實施例。圖30說明用於將四種不同類型的裝置從四個轉移襯底轉移到四個背板的示範性轉移模式及示範性轉移序列。圖31a到31e是根據圖30中說明的示範性轉移模式的發光二極體的示意性轉移序列。圖32a到32n是說明根據本發明的實施例的用於形成第二示範性發光裝置組合件的過程的順序垂直橫截面圖。圖33a到33n是說明根據本發明的實施例的用於形成第三示範性發光裝置組合件的過程的順序垂直橫截面圖。圖34a到34n是說明根據本發明的實施例的用於形成第四示範性發光裝置組合件的過程的順序垂直橫截面圖。圖35a到35n是說明根據本發明的實施例的用於形成第五示範性發光裝置組合件的過程的順序垂直橫截面圖。具體實施方式如上所述，本發明涉及一種集成背光單元組合件及一種製造集成背光單元組合件的方法，下文描述其各種方面。貫穿圖式，相似元件由相同元件符號描述。所述圖式並非按比例繪製。可在說明元件的單個例子的情況中複製元件的多個例子，除非明確地描述或另外清楚地指示缺少元件的副本。採用例如「第一」、「第二」及「第三」的序數詞來僅識別類似元件，且可跨說明書及本發明的權利要求書採用不同序數詞。如本文使用，「發光裝置」是指經配置以發射光的任何裝置，且其包含(但不限於)發光二極體(led)、雷射器(例如垂直腔面發射雷射器(vcsel))及經配置以在施加合適的電偏壓之後發射光的任何其它電子裝置。發光裝置可為垂直結構(例如，垂直led)(其中p側與n側接觸件定位於所述結構的相對側上)或橫向結構(其中p側與n側接觸件定位於所述結構的相同側上)。如本文使用，「發光裝置組合件」是指其中至少一個發光裝置在結構上相對於支撐結構被固定的組合件，所述支撐結構可包含例如襯底、基體或經配置以對至少一個發光裝置提供穩定的機械支撐的任何其它結構。在本發明中，提供一種用於將裝置陣列(例如發光裝置陣列或傳感器裝置陣列)從生長襯底轉移到目標襯底的方法。目標襯底可為希望以任何配置在其上形成多種類型的裝置的任何襯底。在說明性實例中，目標襯底可為背板襯底，例如用於驅動發光裝置的有源或無源基質背板襯底。如本文使用，「背板襯底」是指經配置以在其上附裝多個裝置的任何襯底。在一個實施例中，背板襯底上的相鄰發光裝置的中心到中心間隔可為生長襯底上的相鄰發光裝置的中心到中心間隔的整數倍。發光裝置可包含多個發光裝置，例如兩個發光裝置組成的群組，一者經配置以發射藍光且一者經配置以發射綠光。發光裝置可包含三個發光裝置組成的群組，一者經配置以發射藍光，一者經配置以發射綠光，且一者經配置以發射紅光。如本文使用，「相鄰發光裝置」是指比至少另一發光裝置更接近而定位的多個兩個或兩個以上發光裝置。本發明的方法可提供發光裝置的子集從生長襯底上的發光裝置陣列到背板襯底的選擇轉移。參考圖1，可採用所屬領域中已知的方法在相應初始生長襯底(101b、101g、101r、101s)上製造裝置(10b、10g、10r、10s)。如本文使用，「初始生長襯底」是指經處理以在其上或其中形成裝置的襯底。裝置(10b、10g、10r、10s)可包含發光裝置(10b、10g、10r)及/或傳感器裝置10s(例如，光電檢測器)及/或任何其它電子裝置。發光裝置(10b、10g、10r)可為任何類型的發光裝置，即，垂直發光裝置、橫向發光裝置或其任何組合。可在每一初始生長襯底(101b、101g、101r、101s)上形成相同類型的裝置。可在相應初始生長襯底(101b、101g、101r、101s)上形成裝置(10b、10g、10r、10s)作為一陣列。在一個實施例中，初始生長襯底(101b、101g、101r、101s)可包含吸收襯底，例如矽襯底。如本文使用，「吸收襯底」是指吸收包含紫外範圍、可見範圍及紅外範圍的光譜範圍內的超過50％的光能的襯底。如本文使用，「紫外範圍」是指從10nm到400nm的波長範圍；「可見範圍」是指從400nm到800nm的波長範圍；且「紅外範圍」是指從800nm到1mm的波長範圍。如果初始生長襯底(101b、101g、101r、101s)是吸收襯底，那麼每一裝置陣列(10b、10g、10r、10s)可通過整片轉移過程轉移到相應透明載體襯底或「透明襯底」，其中每一裝置陣列(10b、10g、10r、10s)完整地轉移到相應透明襯底。如本文使用，「透明襯底」是指以包含紫外範圍、可見範圍及紅外範圍的光譜範圍內的波長透射超過50％的光能的襯底。在一個實施例中，裝置(10b、10g、10r、10s)可包含發光裝置(10b、10g、10r、10s)。在一個實施例中，每一發光裝置(10b、10g、10r)可經配置以發射單個峰值波長光。應理解，發光裝置通常發射集中於單個波長(在此處，光強度最大)周圍的窄波長帶的光，且發光裝置的波長是指峰值波長。舉例來說，第一發光裝置陣列10b可形成於第一類型生長襯底100b上，第二發光裝置陣列10g可形成於第二類型生長襯底100g上，且第三發光裝置陣列10r可形成於第三類型生長襯底100r上。另外，傳感器裝置陣列10s可形成於第四類型生長襯底100s上。替代地，一或多種類型的發光裝置(10b、10g、10r)可為經配置以發射至少兩種不同波長光的集成發光裝置。在一個實施例中，發光裝置(10b、10g、10r)可包括納米線陣列或其它納米結構陣列。在每一發光裝置(10b、10g、10r)上提供例如接觸墊的接觸結構(未明確展示)。每一發光裝置(10b、10g、10r)的接觸結構可包含陽極接觸結構及陰極接觸結構。在發光裝置(10b、10g、10r)中的一或多者是經配置以發射至少兩種不同波長光的集成發光裝置的情況中，可採用共用接觸結構(例如共用陰極接觸結構)。舉例來說，體現為單個集成發光裝置的發藍光裝置、發綠光裝置及發紅光裝置的三元組可具有單個陰極接觸件。每一初始生長襯底(101b、101g、101r)上的發光裝置陣列(10b、10g、10r)經配置使得發光裝置隨後轉移到其的背板襯底上的發光裝置的中心到中心間隔是初始生長襯底(101b、101g、101r)上的發光裝置(10b、10g、10r)的中心到中心間隔的整數倍。可將每一初始生長襯底(101b、101g、101r、101s)及其上的裝置(10b、10g、10r、10s)切成合適的大小。本文將初始生長襯底(101b、101g、101r、101s)的每一切塊部分稱為生長襯底(100b、100g、100r、100s)。因此，產生生長襯底(100b、100g、100r、100s)與其上的相應裝置(10b、10g、10r、10s)的組合件。換句話來說，生長襯底(100b、100g、100r、100s)是初始生長襯底(101b、101g、101r、101s)的整體或切塊部分，且裝置陣列(10b、10g、10r、10s)存在於每一生長襯底(100b、100g、100r、100s)上。每一生長襯底(100b、100g、100r、100s)上的裝置陣列(10b、10g、10r、10s)可為相同類型的裝置陣列。在將每一初始生長襯底(101b、101g、101r、101s)切割成對應生長襯底(100b、100g、100r、100s)之前或之後，每一裝置(10b、10g、10r、10s)(例如，發光裝置、一群發光裝置、或傳感器裝置)可通過在每一對相鄰發光裝置之間形成溝槽而與彼此機械地隔離。在說明性實例中，如果發光裝置陣列或傳感器陣列安置在初始生長襯底(101b、101g、101r、101s)上，那麼溝槽可從發光裝置陣列或傳感器陣列的最終生長表面延伸到初始生長襯底(101b、101g、101r、101s)的頂表面。可採用各種方案將每一裝置陣列(10b、10g、10r、10s)轉移到相應透明襯底，本文將所述相應透明襯底稱為轉移襯底。圖2到6說明可用於將每一裝置陣列(10b、10g、10r、10s)轉移到相應透明襯底的示範性方案。參考圖2，在每一裝置(10b、10g、10r、10s)上的接觸結構在於生長襯底(101b、101g、101r、101s)上製造裝置(10b、10g、10r、10s)期間形成於每一裝置(10b、10g、10r、10s)的頂側上的情況中，可任選地採用第一載體襯底200。第一載體襯底200可為可接合到裝置(10b、10g、10r、10s)且可對所述(10b、10g、10r、10s)提供結構支撐的任何合適的襯底。每一生成裝置陣列(10b、10g、10r、10s)及相應生長襯底100接合到第一載體襯底200。因此，每一生長襯底100可通過相應裝置10接合到相應第一載體襯底200。換句話來說，在每一經接合結構(100、10、200)內，裝置10存在於生長襯底100與第一載體襯底之間。在說明性實例中，第一類型生長襯底100b可通過第一發光裝置10b接合到第一類型第一載體襯底200b，第二類型生長襯底100g可通過第二發光裝置10g接合到第二類型第一載體襯底200g，第三類型生長襯底100r可通過第三發光裝置10r接合到第三類型第一載體襯底200r，且第四類型生長襯底100s可通過傳感器裝置10s接合到第四類型第一載體襯底200s。參考圖3，可從包含生長襯底100、裝置陣列10與第一載體襯底200的堆疊的暫時經接合結構移除每一生長襯底100。舉例來說，如果生長襯底100是矽襯底，那麼可通過溼式化學蝕刻工藝、磨削、拋光、分裂(例如，在氫植入層處)、或其組合移除生長襯底100。舉例來說，可通過植入形成弱區域的原子(例如植入到半導體材料中的氫原子)且通過應用合適的處理條件(例如，在高溫及/或機械力下的退火)以致使襯底分裂成兩部分來執行襯底的分裂。參考圖4，第一接合材料層30a可形成於每一第一載體襯底200上。第一接合材料層30a包含可在合適的處置(例如施加熱及/或壓力)之後接合到另一接合材料的任何接合材料。在一個實施例中，第一接合材料層30a可包括電介質材料，例如氧化矽、硼磷矽酸玻璃(bpsg)、旋塗玻璃(sog)材料及/或粘結材料(例如su-8或苯並環丁烯(bcb))。第一接合材料層30a的厚度可在從50nm到5微米的範圍內，儘管也可採用更小及更大厚度。在一個實施例中，第一接合材料層30a可為具有約1微米厚度的氧化矽層。第一接合材料層30a可通過合適的沉積方法(例如化學氣相沉積)或旋塗形成。提供轉移襯底300。如本文使用，「轉移襯底」是指至少一個裝置從其轉移到目標襯底的襯底，所述目標襯底可包括背板襯底。在一個實施例中，每一轉移襯底300可為第二載體襯底，其可用於從相應第一載體襯底200接收裝置陣列並承載所述裝置陣列直到裝置的子集在後續過程中被轉移到目標襯底。在一些實施例中，轉移襯底300可在雷射波長下是光學透明的。雷射波長是隨後用於個別地且選擇性地將裝置從相應轉移襯底300轉移到目標襯底的雷射束的波長，且其可為紫外波長、可見波長或紅外波長。在一個實施例中，透明襯底300可包含藍寶石、玻璃(氧化矽)或所屬領域中已知的其它光學透明材料。在替代實施例中，轉移襯底300可為透明生長襯底或其切塊部分。在初始生長襯底經分裂(例如，在植入有氫氣或惰性氣體的層處)以提供發光二極體在無需使用轉移襯底的情況下從其轉移到背板的薄襯底的一些其它實施例中，初始生長襯底可以雷射波長吸收雷射。可隨後將釋放層20及第二接合材料層30b沉積在每一轉移襯底300上。釋放層20包含可提供到轉移襯底300的充分粘合且在隨後在後續選擇轉移過程期間採用的雷射束的雷射波長下具吸收性的材料。舉例來說，釋放層20可包含富含矽的氮化矽或半導體層，例如可通過雷射輻射加熱的gan層。釋放層20的厚度可在從100nm到1微米的範圍內，儘管也可採用更小及更大厚度。第二接合材料層30b可包括例如氧化矽的電介質材料。第二接合材料層30b的厚度可在從50nm到5微米的範圍內，儘管也可採用更小及更大厚度。在一個實施例中，第二接合材料層30b可為具有約1微米厚度的氧化矽層。第二接合材料層30b可通過合適的沉積方法(例如化學氣相沉積)或旋塗形成。可為每一第一載體襯底200提供轉移襯底300。舉例來說，可為第一類型第一載體襯底200b提供第一轉移襯底300b；可為第二類型第一載體襯底200g提供第二轉移襯底300g；可為第三類型第一載體襯底300r提供第三轉移襯底300r；且可為額外類型第一載體襯底300s提供額外轉移襯底300s。可形成多個堆疊式結構，其包含：第一堆疊式結構(300b、20、30b)，其包含第一轉移襯底300b、釋放層20與第二接合材料層30b的堆疊；第二堆疊式結構(300g、20、30b)，其包含第二轉移襯底300g、釋放層20與第二接合材料層30b的堆疊；第三堆疊式結構(300r、20、30b)，其包含第三轉移襯底300r、釋放層20與第二接合材料層30b的堆疊；及額外堆疊式結構(300s、20、30b)，其包含額外轉移襯底300s、釋放層20與第二接合材料層30b的堆疊。本文將第一發光裝置陣列10b與第一轉移襯底300b的組合稱為第一轉移組合件(300b、10b)，本文將第二發光裝置10g與第二轉移襯底300g的組合稱為第二轉移組合件(300g、10g)，且本文將第三發光裝置10r與第三轉移襯底300r的組合稱為第三轉移組合件(300r、10r)。另外，本文將傳感器裝置10s與第四轉移襯底300s的組合稱為第四轉移組合件(300s、10s)。參考圖5，可接合每一對第一載體襯底200與轉移襯底300(其可為第二載體襯底)。舉例來說，第二接合材料層30b可與對應第一載體襯底200上的相應第一接合材料層30a接合以形成接合材料層30。每一經接合組合件包括第一轉移襯底300、釋放層20、接合材料層30及裝置陣列10。參考圖6，舉例來說，通過拋光、磨削、分裂及/或化學蝕刻從每一經接合組合件(300、20、30、200)移除第一載體襯底200。每一裝置陣列20可安置在轉移襯底300上，襯底300是在其上具有釋放層20(即，在透明載體襯底與裝置陣列20之間)的透明載體襯底。參考圖7，相應轉移襯底300上的每一裝置陣列10可經布置使得每一裝置10由溝槽與相鄰裝置10橫向間隔開。舉例來說，第一轉移襯底300b上的第一發光裝置陣列10b可由溝槽與彼此橫向間隔開。任選地，可施加第一光學保護材料層17b以填充第一發光裝置10b之中的間隙。類似地，可施加光學保護材料層以填充其它轉移襯底(300g、300r、300s)上的每一裝置陣列10之中的間隙。每一光學保護材料層包括以隨後採用的雷射束的雷射波長吸收或散射光的材料。每一光學保護材料層可包含(例如)富含矽的氮化矽、有機或無機抗反射塗層(arc)材料或光致抗蝕劑材料。可形成每一光學保護材料層使得裝置10的外表面不被光學保護材料層覆蓋。可例如通過旋塗或沉積與凹槽蝕刻的組合形成光學保護材料層。包括轉移襯底300及裝置陣列10的每一組合件(300、20、30、10)可進一步包括：釋放層20，其接觸相應轉移襯底300且包括以從紫外範圍、可見範圍及紅外範圍選擇的波長吸收光的材料；及接合材料層30，其接觸釋放層20及相應裝置陣列10。參考圖8，提供背板襯底400。背板襯底400是各種裝置隨後可轉移到其上的襯底。在一個實施例中，背板襯底400可為矽、玻璃、塑料及/或可對隨後在其上轉移的裝置提供結構支撐的至少另一材料的襯底。在一個實施例中，背板襯底400可為無源背板襯底，其中(例如，在十字柵格中)存在包括金屬化線的金屬互連結構440且不存在有源裝置電路。在另一實施例中，背板襯底400可為有源背板襯底，其包含金屬互連結構440作為導電線的十字柵格且在導電線的十字柵格的一或多個相交點處進一步包含裝置電路。所述裝置電路可包括一或多個電晶體。參考圖9，形成包含階梯式水平面的背板401。如本文使用，「階梯式水平面」是指由階梯垂直間隔開且連接的一組水平面。在一個實施例中，可通過將各種電介質材料層410及嵌入於額外電介質材料層410中的額外金屬互連結構添加到背板襯底400形成階梯式水平面。在一個實施例中，各種電介質材料層410可包括上覆電介質材料基質的上部電介質材料層413的多個部分、插入於上部電介質材料層413與電介質材料基質之間的中間電介質材料層412的多個部分、及插入於中間電介質材料層412與電介質基質之間的下部電介質材料層411的多個部分。替代地，如在圖8的處理步驟處提供的背板襯底401的表面部分可凹進到不同深度以形成包含階梯式水平面的背板401。可在背板401的頂側處提供階梯式水平面。階梯式水平面的第一子集可定位於第一水平面平面hsp1內，平面hsp1是含有背板401的最頂層水平面的水平平面。階梯式水平面的第二子集可定位於第二水平面平面hsp2內，平面hsp2可比階梯式水平面的第一子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409。階梯式水平面的第三子集可定位於第三水平面平面hsp3內，平面hsp3可比階梯式水平面的第二子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409。階梯式水平面的額外子集可定位於額外水平面平面hsp4內，平面hsp4可比階梯式水平面的第三子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409。階梯式水平面的第一子集可形成於第一區域r1中，階梯式水平面的第二子集可形成於第二區域r2中，階梯式水平面的第三子集可形成於第三區域r3中，且階梯式水平面的額外子集可形成於第四區域r4中。第一區域r1包含隨後附接第一類型裝置(例如第一發光裝置10b)的位置。第二區域r2包含隨後附接第二類型裝置(例如第二發光裝置10g)的位置。第三區域r3包含隨後附接第三類型裝置(例如第三發光裝置10r)的位置。第四區域r4包含隨後附接第四類型裝置(例如傳感器裝置10s)的位置。在一個實施例中，上部電介質材料層413的水平頂表面可構成階梯式水平面的第一子集，中間電介質材料層412的水平頂表面可構成階梯式水平面的第二子集，下部電介質材料層411的水平頂表面可構成階梯式水平面的第三子集，且以物理方式暴露的背板襯底400的表面可構成階梯式水平面的第四子集。可在隨後在其處接合裝置的每一位置處提供接合墊420。舉例來說，接合墊420可形成於背板401的金屬互連結構440的十字線的每一相交點處。接合墊420可包括包含金屬材料(例如sn、ausn、sac或其它可焊接金屬)的金屬墊。另外或替代地，接合墊420可包括cu或au或可通過熱壓工藝形成與另一金屬的接觸件的其它金屬。接合墊420可嵌入於背板401內作為金屬互連結構440的組件，或可形成於背板401的電介質表面的頂部上。在一個實施例中，背板401上的接合墊420的中心到中心間隔可為相應生長襯底100、相應第一載體襯底200或相應轉移襯底300上的裝置10的中心到中心間隔的整數倍。在一個實施例中，背板401可包括嵌入於電介質材料基質內的金屬互連結構440。接合墊420電連接到背板440內的相應金屬互連結構440。如本文使用，如果第一元件電短接到第二元件，那麼第一元件「電連接到」第二元件。在一個實施例中，背板401上的接合墊420可經配置以與裝置10(例如發光裝置)上的接觸墊對準。可以群組提供一或多個接合墊401。舉例來說，如果將轉移到背板401的裝置10包括多個發紅光二極體(led)、發綠光二極體及發藍光二極體，那麼可存在經布置與led上的接觸墊對準的四個接合墊420組成的群組。舉例來說，接合墊410的群組可包含紅色led的陽極接觸件、藍色led的陽極接觸件、綠色led的陽極接觸件及陰極接觸件。舉例來說，如果將轉移到背板401的裝置10包括單個led，那麼可存在經布置與led上的接觸墊對準的兩個接合墊420組成的群組。參考圖10，任選地，可在背板401的側上形成包含光學保護材料的保護層422。保護層422包含以隨後採用的雷射束的雷射波長吸收或散射光的材料。在一個實施例中，保護層422可包含電介質材料(例如富含矽的氮化矽)或抗反射塗層材料。保護層422的厚度可在從200nm到2微米的範圍內，儘管也可採用更小及更大厚度。可形成保護層422使得隨後形成的導電接合結構(即，接觸結構)可接觸接合墊420。可在保護層422中形成合適的開口。在一個實施例中，可在相同的圖案化步驟中形成保護層422中的所有開口。在另一實施例中，可循序地形成保護層422中的開口，例如，在形成每一組導電接合結構之前不久。參考圖11，可在定位於背板401的頂側上的階梯式水平面上形成導電接合結構(430b、430g、430r、430s)。導電接合結構430可包含形成於第一區域r1中的階梯式水平面的第一子集上的第一導電接合結構430b、形成於第二區域r2中的階梯式水平面的第二子集上的第二導電接合結構430g、形成於第三區域r3中的階梯式水平面的第三子集上的第三導電接合結構430r、及形成於第四區域r1中的階梯式水平面的第四子集上的額外導電接合結構430s。第一導電接合結構430b形成於希望在其處轉移第一發光裝置10b的位置處。第二導電接合結構430g形成於希望在其處轉移第二發光裝置10g的位置處。第三導電接合結構430r存在於希望在其處轉移第三發光裝置10r的位置處。額外導電接合結構430s存在於希望在其處轉移傳感器裝置10s的位置處。在一個實施例中，導電接合結構430中的每一者可包括可與背板401上提供的接合墊420接合的金屬堆疊。在一個實施例中，導電接合結構430可包括銅及/或金，且接合墊可由sn形成。在一個實施例中，導電接合結構430可包括au層，且接合墊420可由ausn或sn-ag-cu合金形成。在另一實施例中，導電接合結構430可由銅形成，且接合墊可由銅形成。導電接合結構430電連接到背板401內的相應金屬互連結構440。一般來說，出於本發明的目的可採用的各種導電接合結構可包含：(1)低導電材料(例如電附接到背板的電路的銅或鋁)；(2)一或多個薄粘合層，其覆蓋所述低導電材料並提供擴散屏障(例如tipt層)；及(3)可焊接材料(例如純錫或銦或合金(例如ausn或sac))。在一個實施例中，導電接合結構430可用於以電及機械方式接合待轉移到背板401的各種裝置。所述各種裝置可包含發光二極體(led)子像素、傳感器像素及其它電子元件。可在此步驟處在一組階梯式水平面的其它水平面上形成額外接觸件，或可在後續處理步驟處形成額外接觸件。可在垂直偏移的多個水平平面上形成各種導電接合結構(其包含導電接合結構430)。舉例來說，對於包括傳感器的三色rgb顯示器面板，可將各種導電接合結構布置於四個不同水平平面中。在說明性實例中，顯示器面板中的藍色子像素的導電接合結構可定位於第一平面上，例如含有階梯式水平面的第一子集的第一水平面平面hsp1。全部綠色子像素的各種導電接合結構可定位於第二平面上，例如含有階梯式水平面的第二子集的第二水平面平面hsp2。第二平面可低於第一平面某一距離，例如2微米。全部紅色子像素的各種導電接合結構可定位於第三平面上，例如含有階梯式水平面的第三子集的第三水平面平面hsp3。第三平面可低於第一接觸平面例如4微米。全部傳感器子像素的導電接合結構可形成於第四平面上，例如含有階梯式水平面的額外子集的額外水平面平面hsp1。第四平面可低於第一接觸平面例如6微米。可以相同方式形成顏色數目多於三種的顯示器面板，例如四色顯示器面板或五色顯示器面板。具有三種以上顏色的顯示器面板的優點中的一者是：此顯示器面板可對不均勻或死像素更不敏感。第二導電接合結構430g中的每一者可具有與第一導電接合結構430b的任何實施例相同的材料堆疊(或相同的材料組成)。第二導電接合結構430g電連接到背板401內的相應金屬互連結構440。在一個實施例中，第二導電接合結構430g可用於以電及機械方式接合待轉移到背板401的各種裝置。在一個實施例中，第二導電接合結構430g可具有比第一導電接合結構430b更大的高度。換句話來說，第一導電接合結構430b可具有比第二導電接合結構430g更小的高度。第三導電接合結構430r中的每一者可具有與第一導電接合結構430b或第二導電接合結構430g的任何實施例相同的材料堆疊(或相同的材料組成)。第三導電接合結構430r電連接到背板401內的相應金屬互連結構440。在一個實施例中，第三導電接合結構430r可用於以電及機械方式接合待轉移到背板401的各種裝置。在一個實施例中，第三導電接合結構430r可具有比第二導電接合結構430g更大的高度。換句話來說，第二導電接合結構430g可具有比第三導電接合結構430r更小的高度。額外導電接合結構430s中的每一者可具有與第一導電接合結構430b或第二導電接合結構430g或第三導電接合結構430r的任何實施例相同的材料堆疊(或相同的材料組成)。額外導電接合結構430s電連接到背板401內的相應金屬互連結構440。在一個實施例中，額外導電接合結構430s可用於以電及機械方式接合轉移到背板401的各種裝置。在一個實施例中，額外導電接合結構430s可具有比第三導電接合結構430r更大的高度。換句話來說，第三導電接合結構430r可具有比額外導電接合結構430s更小的高度。參考圖12，包括第一轉移襯底301b及發射第一波長的光的第一發光裝置10b的組合件安置在背板401上，使得第一發光裝置10b的第一子集11b接觸第一導電接合結構430b且第一發光裝置10b的第二子集12b不接觸任何導電接合結構。包括第一轉移襯底301b及第一發光裝置10b的組合件經對準到背板401，使得第一發光裝置10b的第一子集11b的接觸墊(未展示)接觸相應第一導電接合結構430b。具體來說，第一發光裝置陣列10b可在背板401之上對準，使得每一接合墊420及上覆第一發光裝置10b的對應接觸墊接觸定位於其間的第一導電接合結構430b。第一轉移襯底301b上的第一發光裝置10b的第一子集11b接合到定位於背板401的階梯式水平面的第一子集上的第一導電接合結構430b。在一個實施例中，接合墊420可為可焊接接合墊，且可對背板401及第一轉移襯底301b應用熱循環使得焊接材料回流且接合墊420附接到第一導電接合結構430b。在一個實施例中，接合墊420可為冷接合接合墊，且第一導電接合結構430b可為金屬凸塊，例如cu凸塊。在此情況中，施加機械力使得每一接合墊420及對應第一導電接合結構430b彼此緊密配合。任選地，可使第一轉移襯底301b在與背板401對準之前薄化到小於100微米的厚度。參考圖13，接合到第一導電接合結構430b的每一第一發光裝置10b可個別地與第一轉移襯底301b分離，而未接合到第一導電接合結構430b的第一發光裝置10b仍原封不動，即，不脫離。接合到第一導電接合結構430b的一組第一發光裝置10b是第一發光裝置10b的第一子集11b，且未接合到第一導電接合結構430b的一組第一發光裝置10b是第一發光裝置10b的第二子集12b。可採用由雷射器477發射的定向雷射輻射使第一發光裝置10b的第一子集11b之中的每一第一發光裝置10b脫離。選擇釋放層20的材料使得雷射束由釋放層20吸收。可選擇雷射束的大小或(如果雷射束被光柵化)雷射束的光柵區域的大小以基本上匹配單個第一發光裝置10b的面積。第一光學保護材料層17b(如果存在)可吸收或反射雷射束中並行照射於其上的部分。在一個實施例中，可燒蝕釋放層20的經輻射部分。此外，可並行燒蝕接合材料層30中下伏釋放層20的經燒蝕部分的部分，或所述部分在雷射輻射期間在結構上受損。釋放層20中上覆第一發光裝置10b的第一子集11b的每一部分循序地由雷射束輻射，即，一次一個。釋放層20中由雷射束輻射的部分統稱為釋放層20的第一部分，而釋放層20中未由雷射束輻射的部分統稱為釋放層20的第二部分。選擇性地且循序地移除釋放層20中上覆第一發光裝置10b的第一子集11b的第一部分，而不移除釋放層20中上覆第一發光裝置10b的第二子集12b的部分。第一轉移襯底301b包括在雷射波長下光學透明的材料。在一個實施例中，釋放層20可包括氮化矽，雷射波長可為紫外波長(例如248nm或193nm)，且使用雷射束輻射釋放層20的第一部分會燒蝕釋放層20的第一部分。本文將選擇性地移除釋放層20的第一部分而不移除釋放層20的第二部分的工藝稱為區域選擇性雷射剝離工藝或裸片選擇性雷射剝離工藝。可選擇雷射束的雷射輻射的區域的大小(即，光點大小)使得雷射輻射的面積稍微大於每一第一發光裝置10b的面積(或在同時轉移多個第一發光裝置10b的情況中，稍微大於多個第一發光裝置的面積)。通過選擇性雷射剝離工藝僅處理第一發光裝置10b的第一子集11b，即，第一發光裝置10b中使其相應導電接觸結構430b接合到下伏接合墊420的子集(或第一發光裝置10b的群組)。操縱雷射束使其遠離第一發光裝置10b中未接合到背板401的第二子集12b。參考圖14，在移除釋放層20中上覆第一發光裝置10b的第一子集11b的所有第一部分之後，可通過將第一轉移襯底301b及/或背板401拉離彼此而使第一轉移襯底301b與背板401分離。在一個實施例中，接合材料層30的剩餘部分30f可在使用雷射束輻射釋放層20的第一部分之後形成於第一發光裝置10b的第一子集11b中的至少一者上。在另一實施例中，接合材料層30中在釋放層20的經輻射部分下方的部分可被燒蝕或液化，且例如沿著下伏第一發光裝置10b的側壁流出。如果接合材料層30的任何部分仍在釋放層20的經輻射部分下方，那麼此部分的外圍可斷裂，同時包括第一轉移襯底301b及第一發光裝置10b的第二子集12b的組合件與背板401分離。可執行包括第一轉移襯底301b及第一發光裝置10b的第二子集12b的組合件與背板401的分離，同時第一發光裝置10b的第一子集11b仍接合到第一導電接合結構430b。第一發光裝置10b的第二子集12b可隨後用於將第一發光裝置10b的另一子集轉移到另一背板(未展示)。第二轉移襯底300g上的第二發光裝置10g(參見圖6)可類似地用於將第二發光裝置10g的子集轉移到又一背板(未展示)。第三轉移襯底300r上的第三發光裝置10r(參見圖6)可類似地用於將第三發光裝置10r的子集轉移到又一背板(未展示)。額外轉移襯底300s上的傳感器裝置10s(參見圖6)可類似地將傳感器裝置10s的子集轉移到甚至另一背板(未展示)。任選地，可執行溼式化學清潔工藝以從背板401及其上的第一發光裝置10b的第一子集11b移除殘留材料。舉例來說，可採用稀釋氫氟酸從背板401及第一發光裝置10b的第一子集11b的表面移除殘留材料。參考圖15，提供包括第二轉移襯底301g及發射第二波長的光的第二發光裝置10g的組合件。第二波長不同於第一波長。舉例來說，第一波長可為藍光的波長，且第二波長可為綠光的波長。在第二發光裝置10g面向背板401的頂側的配置中，在對應於背板401之上的在其處存在第一發光裝置10b的第一子集的位置的位置中不存在第二發光裝置10g。換句話來說，在第二發光裝置10g面朝下且背板401上的第一發光裝置10b的第一子集面朝上的配置中，在與第一發光裝置10b的第一子集的區域重疊的區域中不存在第二發光裝置10g。在一個實施例中，可在第二轉移襯底301g與背板401對準以轉移第二發光裝置10g的子集之前，從第二轉移襯底301g移除定位於將與背板401上預先存在的第一裝置10b重疊的位置中的任何第二發光裝置10g。任選地，可在從重疊位置移除第二發光裝置10g的子集之前，施加第二光學保護材料層17g以填充第二發光裝置10g之中的間隙。第二光學保護材料層17g可具有與第一光學保護材料層17b相同的組成。通過確保在對應於背板401之上的在其處存在第一發光裝置10b的第一子集的位置的位置中不存在第二發光裝置10g，可隨後在將第二轉移襯底301g安置在背板401上以接合第二發光裝置10g的子集時避免第二發光裝置10g與第一發光裝置10b的第一子集之間的潛在碰撞。在將第二轉移襯底301g與第二發光裝置10g的組合件對準到背板401之後，將第二轉移襯底301g與第二發光裝置10g的組合件安置在背板401上，使得第二發光裝置10g的第一子集接觸第二導電接合結構430g且第二發光裝置10g的第二子集不接觸任何導電接合結構。第二發光裝置10g的第一子集的接觸墊(未展示)接觸相應第二導電接合結構430g。具體來說，第二發光裝置陣列10g可在背板401之上對準，使得每一接合墊420及上覆第二發光裝置10g的對應接觸墊接觸定位於其間的第二導電接合結構430g。在希望在其處轉移第二發光裝置10g的位置處存在第二導電接合結構430g。第二轉移襯底301g上的第二發光裝置10g的第一子集接合到定位於背板401的階梯式水平面的第二子集上的第二導電接合結構430g。可採用上文描述的接合方法中的任何者(即，可用於通過相應第一導電接合結構430b接合接合墊420與第一發光裝置10b的第一子集上的上覆接觸墊的對的接合方法)通過相應第二導電接合結構430g接合接合墊420與第二發光裝置10g的第一子集上的上覆接觸墊的每一對。隨後，可使接合到第二導電接合結構430g的每一第二發光裝置10g個別地與第二轉移襯底301g分離，而未接合到第二導電接合結構430g的第二發光裝置10g仍原封不動，即，不脫離。接合到第二導電接合結構430g的一組第二發光裝置10g是第二發光裝置10g的第一子集，且未接合到第二導電接合結構430g的一組第二發光裝置10g是第二發光裝置10g的第二子集。可以與在先前處理步驟中用於使第一發光裝置10b的第一子集脫離相同的方式，採用由雷射器477發射的定向雷射輻射使第二發光裝置10g的第一子集之中的每一第二發光裝置10g脫離。因此，選擇性地且循序地移除釋放層20中上覆第二發光裝置10g的第一子集的第一部分，而不移除釋放層20中上覆第二發光裝置10g的第二子集的第二部分。第二轉移襯底301g包括在雷射波長下光學透明的材料。在一個實施例中，釋放層20可包括氮化矽，雷射波長可為紫外波長(例如248nm或193nm)，且使用雷射束輻射釋放層20的第一部分會燒蝕釋放層20的第一部分。參考圖17，在移除釋放層20中上覆第二發光裝置10g的第一子集的所有第一部分之後，可通過將第二轉移襯底301g及/或背板401拉離彼此而使第二轉移襯底301g與背板401分離。在一個實施例中，接合材料層30的剩餘部分30f可在使用雷射束輻射釋放層20的第一部分之後形成於第二發光裝置10g的第一子集中的至少一者上。在另一實施例中，接合材料層30中在釋放層20的經輻射部分下方的部分可被燒蝕或液化，且例如沿著下伏第二發光裝置10g的側壁流出。如果接合材料層30的任何部分仍在釋放層20的經輻射部分下方，那麼此部分的外圍可斷裂，同時包括第二轉移襯底301g及第二發光裝置10g的第二子集的組合件與背板401分離。可執行包括第二轉移襯底301g及第二發光裝置10g的第二子集的組合件與背板401的分離，同時第二發光裝置10g的第一子集仍接合到第二導電接合結構430g。第一發光裝置10g的第二子集可隨後用於將第二發光裝置10g的另一子集轉移到另一背板(未展示)。任選地，可執行溼式化學清潔過程以從背板401及第一發光裝置10b的第一子集及第二發光裝置10g的第一子集移除殘留材料。舉例來說，可採用稀釋氫氟酸從背板401、第一發光裝置10b的第一子集及第二發光裝置10g的第一子集的表面移除殘留材料。參考圖18，提供包括第三轉移襯底301r及發射第三波長的光的第三發光裝置10r的組合件。第三波長不同於第一波長及第二波長。舉例來說，第一波長可為藍光的波長，第二波長可為綠光的波長，且第三波長可為紅光的波長。在第三發光裝置10r面向背板401的頂側的配置中，在對應於背板401之上的在其處存在第一發光裝置10b的第一子集或第二發光裝置10g的第一子集的位置的位置中不存在第三發光裝置10r。換句話來說，在第三發光裝置10r面朝下且背板401上的第一發光裝置10b的第一子集及第二發光裝置10g的第一子集面朝上的配置中，在與第一發光裝置10b的第一子集或第二發光裝置10g的第一子集的區域重疊的區域中不存在第三發光裝置10r。在一個實施例中，可在第三轉移襯底301r與背板401對準以轉移第三發光裝置10r的子集之前，從第三轉移襯底301r移除定位於將與背板401上預先存在的裝置(10b、10g)重疊的位置中的任何第三發光裝置10r。任選地，可在從重疊位置移除第三發光裝置10r的子集之前，施加第三光學保護材料層17r以填充第三發光裝置10r之中的間隙。第三光學保護材料層17r可具有與第一光學保護材料層17b相同的組成。通過確保在對應於背板401之上的在其處存在第一發光裝置10b的第一子集及第二發光裝置10g的第一子集的位置的位置中不存在第三發光裝置10r，可隨後在將第三轉移襯底301r安置在背板401上以接合第三發光裝置10r的子集時避免第三發光裝置10r與第一發光裝置10b的第一子集之間或第三發光裝置10r與第二發光裝置10g的第一子集之間的潛在碰撞。在將第三轉移襯底301r與第三發光裝置10r的組合件對準到背板401之後，將第三轉移襯底301r與第三發光裝置10r的組合件安置在背板401上，使得第三發光裝置10r的第一子集接觸第三導電接合結構430r且第三發光裝置10r的第二子集不接觸任何導電接合結構。第三發光裝置10r的第一子集的接觸墊(未展示)接觸相應第三導電接合結構430r。具體來說，第三發光裝置陣列10r可在背板401之上對準，使得每一接合墊420及上覆第三發光裝置10r的對應接觸墊接觸定位於其間的第三導電接合結構430r。僅在希望在其處轉移第三發光裝置10r的位置處存在第三導電接合結構430r。第三轉移襯底301r上的第三發光裝置10r的第一子集接合到定位於背板401的階梯式水平面的第三子集上的第三導電接合結構430r。可採用上文描述的接合方法中的任何者，(即，可用於通過相應第一導電接合結構430b接合第一發光裝置10b的第一子集上的接合墊420與上覆接觸墊對的接合方法)通過相應第三導電接合結構430r接合接合墊420與第一發光裝置10r的第一子集上的上覆接觸墊的對。隨後，可使接合到第三導電接合結構430r的每一第三發光裝置10r個別地與第三轉移襯底301r分離，而未接合到第三導電接合結構430r的第三發光裝置10r仍原封不動，即，不脫離。接合到第三導電接合結構430r的一組第三發光裝置10r是第三發光裝置10r的第一子集，且未接合到第二導電接合結構430r的一組第三發光裝置10r是第三發光裝置10r的第二子集。可以與在先前處理步驟中用於使第一發光裝置10b的第一子集脫離相同的方式，採用由雷射器477發射的定向雷射輻射使第三發光裝置10r的第一子集之中的每一第三發光裝置10r脫離。因此，選擇性地且循序地移除釋放層20中上覆第三發光裝置10r的第一子集的第一部分，而不移除釋放層20中上覆第三發光裝置10r的第二子集的第二部分。第三轉移襯底301r包括在雷射波長下光學透明的材料。在一個實施例中，釋放層20可包括氮化矽，雷射波長可為紫外波長(例如248nm或193nm)，且使用雷射束輻射釋放層20的第一部分會燒蝕釋放層20的第一部分。參考圖19，在移除釋放層20中上覆第三發光裝置10r的第一子集的所有第一部分之後，可通過將第三轉移襯底301r及/或背板401拉離彼此而使第三轉移襯底301r與背板401分離。在一個實施例中，接合材料層30的剩餘部分30f可在使用雷射束輻射釋放層20的第一部分之後形成於第三發光裝置10r的第一子集中的至少一者上。在另一實施例中，接合材料層30中在釋放層20的經輻射部分下方的部分可被燒蝕或液化，且例如沿著下伏第三發光裝置10r的側壁流出。如果接合材料層30的任何部分仍在釋放層20的經輻射部分下方，那麼此部分的外圍可斷裂，同時包括第三轉移襯底301r及第三發光裝置10r的第二子集的組合件與背板401分離。可執行包括第三轉移襯底301r及第三發光裝置10r的第二子集的組合件與背板401的分離，同時第三發光裝置10r的第一子集仍接合到第三導電接合結構430r。第三發光裝置10r的第二子集可隨後用於將第三發光裝置10r的另一子集轉移到另一背板(未展示)。任選地，可執行溼式化學清潔過程以從背板401、第一發光裝置10b的第一子集、第二發光裝置10g的第一子集及第三發光裝置10r的第一子集移除殘留材料。舉例來說，可採用稀釋氫氟酸從背板401、第一發光裝置10b的第一子集、第二發光裝置10g的第一子集及第三發光裝置10r的第一子集的表面移除殘留材料。應理解，可改變接合各種裝置的順序以實現接合具有不同高度及相同水平間距(即，沿著兩個水平方向具有相同周期性)的多種類型的裝置。一般來說，可選擇接合不同裝置10的序列及相應導電接合結構的高度以避免背板401上預先存在的經接合裝置與待接合的新裝置之間的碰撞。包含裝置與安置在背板410之上的轉移襯底的接合材料之間的界面的水平平面定位於背板401上預先存在的裝置的最頂層表面的上方。參考圖20，提供包括額外轉移襯底301s及感測至少一個參數的傳感器裝置的組合件。所述至少一個參數可為亮度、壓力、溫度及/或另一物理參數。在傳感器裝置10s面向背板401的頂側的配置中，在對應於背板401之上的在其處存在第一發光裝置10b的第一子集、第二發光裝置10g的第一子集或第三發光裝置10r的第一子集的位置的位置中不存在傳感器裝置10s。換句話來說，在傳感器裝置10s面朝下且背板401上的第一發光裝置10b的第一子集、第二發光裝置10g的第一子集及第三發光裝置10r的第一子集面朝上的配置中，在與第一發光裝置10b的第一子集、第二發光裝置10g的第一子集或第三發光裝置10r的第一子集的區域重疊的區域中不存在傳感器裝置10s。在一個實施例中，可在額外轉移襯底301s與背板401對準以轉移傳感器裝置10s的子集之前，從額外轉移301s襯底移除定位於將與背板401上預先存在的裝置(10b、10g、10r)重疊的位置中的任何傳感器裝置10s。任選地，可在從重疊位置移除傳感器裝置10s的子集之前，施加第四光學保護材料層17s以填充傳感器裝置10s之中的間隙。第四光學保護材料層17s可具有與第一光學保護材料層17b相同的組成。通過確保在對應於背板401之上的在其處存在第一發光裝置10b的第一子集、第二發光裝置10g的第一子集、及第三發光裝置10r的第一子集的位置的位置中不存在傳感器裝置10s，可隨後在將額外轉移襯底301s安置在背板401上以接合傳感器裝置10s的子集時避免傳感器裝置10s與發光裝置(10b、10g、10r)之間的潛在碰撞。在將額外轉移襯底301r與傳感器裝置10s的組合件對準到背板401之後，將額外轉移襯底301s與傳感器裝置10s的組合件安置在背板401上，使得傳感器裝置10s的第一子集接觸額外導電接合結構430s且傳感器裝置10s的第二子集不接觸任何導電接合結構。傳感器裝置10s的第一子集的接觸墊(未展示)接觸相應額外導電接合結構430s。具體來說，傳感器裝置陣列10s可在背板401之上對準，使得每一接合墊420及上覆傳感器裝置10s的對應接觸墊接觸定位於其間的額外導電接合結構430s。僅在希望在其處轉移傳感器裝置10s的位置處存在額外導電接合結構430s。額外轉移襯底301s上的傳感器裝置10s的第一子集接合到定位於背板401的階梯式水平面的第四子集上的額外導電接合結構430s。可採用上文描述的接合方法中的任何者(即，可用於通過相應第一導電接合結構430b接合接合墊420與第一發光裝置10b的第一子集上的上覆接觸墊對的接合方法)通過相應額外導電接合結構430s接合每一對接合墊420與傳感器裝置10s的第一子集上的上覆接觸墊。隨後，可使接合到額外導電接合結構430s的每一傳感器裝置10s個別地與額外轉移襯底301g分離，而未接合到額外導電接合結構430s的傳感器裝置10s仍原封不動，即，不脫離。接合到額外導電接合結構430g的一組傳感器裝置10s是傳感器裝置10s的第一子集，且未接合到第二導電接合結構430g的一組傳感器裝置10s是傳感器裝置10s的第二子集。可以與在先前處理步驟中用於使第一發光裝置10b的第一子集脫離相同的方式，採用由雷射器477發射的定向雷射輻射使傳感器裝置10s的第一子集之中的每一傳感器裝置10s脫離。因此，選擇性地且循序地移除釋放層20中上覆傳感器裝置10s的第一子集的第一部分，而不移除釋放層20中上覆傳感器裝置10s的第二子集的第二部分。額外轉移襯底301s包括在雷射波長下光學透明的材料。在一個實施例中，釋放層20可包括氮化矽，雷射波長可為紫外波長(例如248nm或193nm)，且使用雷射束輻射釋放層20的第一部分會燒蝕釋放層20的第一部分。參考圖21，在移除釋放層20中上覆傳感器裝置10s的第一子集的所有第一部分之後，可通過將額外轉移襯底301s及/或背板401拉離彼此而使額外轉移襯底301s與背板401分離。在一個實施例中，接合材料層30的剩餘部分30f可在使用雷射束輻射釋放層20的第一部分之後形成於傳感器裝置10s的第一子集中的至少一者上。在另一實施例中，接合材料層30中在釋放層20的經輻射部分下方的部分可被燒蝕或液化，且例如沿著下伏傳感器裝置10s的側壁流出。如果接合材料層30的任何部分仍在釋放層20的經輻射部分下方，那麼此部分的外圍可斷裂，同時包括額外轉移襯底301s及傳感器裝置10s的第二子集的組合件與背板401分離。可執行包括額外轉移襯底301s及傳感器裝置10s的第二子集的組合件與背板401的分離，同時傳感器裝置10s的第一子集仍接合到額外導電接合結構430s。傳感器裝置10s的第二子集可隨後用於將傳感器裝置10s的另一子集轉移到另一背板(未展示)。任選地，可執行溼式化學清潔過程以從背板401、第一發光裝置10b的第一子集、第二發光裝置10g的第一子集、第三發光裝置10r的第一子集及傳感器裝置10s的第一子集移除殘留材料。舉例來說，可採用稀釋氫氟酸從背板401、第一發光裝置10b的第一子集、第二發光裝置10g的第一子集、第三發光裝置10r的第一子集及傳感器裝置10s的第一子集的表面移除殘留材料。參考圖22，電子組件(發光裝置子像素、傳感器或其它組件)可由透明囊封材料囊封。所述透明囊封材料增加光從發光裝置子像素的提取，藉此增加由顯示器面板發射的光量。所述透明囊封材料可提供具有較小峰谷高度變化的顯示器面板的頂表面。可將透明材料安置在背板401上以形成透明囊封電介質層470。囊封劑可為一系列材料中的任何者，例如電介質樹脂(例如苯並環丁烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯並惡唑或聚醯亞胺)、矽酮、電介質(例如tio2或sio2)或低熔點玻璃或旋塗玻璃。導電接合結構的厚度及/或電子組件(發光裝置、傳感器或其它電子元件)的厚度可針對組件的分組中的每一者而不同。在包括傳感器的三色rgb顯示器面板的說明性實例中，第一發光裝置10b可為發藍光裝置，第二發光裝置可為發綠光裝置，且第三發光裝置可為發紅光裝置。發藍光裝置可具有6微米的厚度，且背板襯底與發藍光裝置之間的第一導電接合結構430b可為約2微米厚。發綠光裝置可具有7微米的厚度，且背板襯底與發綠光裝置之間的第二導電接合結構430g可為4微米厚。發紅光裝置可具有8微米的厚度，且背板襯底與發紅光裝置之間的第三導電接合結構430r可為5微米厚。傳感器裝置10s可具有8微米的厚度，且背板襯底與傳感器之間的額外導電接合結構430s可為7微米厚。在此實例中，對於發藍光裝置、發綠光裝置、發紅光裝置及傳感器，背板襯底的面上方的電子組件的遠端面(距背板430最遠的發光裝置或傳感器的面)的高度分別可為8微米、11微米、13微米及15微米。在顯示器面板中，電子組件(發光裝置、傳感器等等)的導電接合結構的厚度可不同，或電子組件(發光裝置、傳感器等等)的厚度可不同，或其組合，如上文實例中所描述。導電接合結構(430b、430g、430r、430s)可經配置以與附裝到背板401的每一元件進行一或多個電接觸。在一個實施例中，可通過兩個導電接合結構將發綠光裝置子像素附裝到背板襯底。第一導電接合結構將發綠光裝置的陰極連接到背板430中的電子電路，且第二導電接合結構將發光裝置的陽極連接到背板401中的電子電路。在一個實施例中，第一及第二導電接合結構可定位於不同水平平面上。舉例來說，陽極接觸平面可比陰極接觸平面高0.5微米。在一個實施例中，第一及第二導電接合結構可為不同厚度。舉例來說，陽極接合結構厚度可比陰極接合結構厚0.5um。在另一實施例中，可通過一個導電接合結構(其可為陽極接合結構或陰極接合結構)將發藍光裝置子像素附裝到背板430。在另一實施例中，可通過兩個導電接合結構將矽光電檢測器裝置附裝到背板401。在另一實施例中，可通過六個導電接合結構將三個矽光電檢測器的陣列附裝到背板401。在另一實施例中，可通過一個導電接合結構(其可為陽極或陰極接合結構或陰極接合結構)將矽光電檢測器裝置附裝到背板430。在一個實施例中，可鄰近經配置以發射綠光的發光裝置及鄰近經配置以發射紅光的發光裝置形成經配置以發射藍光的發光裝置。在一個實施例中，可在背板401與電子組件之間提供到附裝到背板401的電子裝置的所有接觸件，且透明囊封電介質層470可具有單個頂表面(即，被平面化)。在另一實施例中，透明囊封電介質層470可形成為微透鏡陣列，例如在每一電子組件之上具有半球形表面。電組件(發光裝置子像素、傳感器或其它組件)與背板401之間的導電接合結構可包括ag、al、au、in、sn、cu、ni、bi、sb。導電接合結構可包括包含多種金屬或金屬合金的多個層。不同裝置分組的導電接合結構可包括不同金屬或金屬合金。舉例來說，將發藍光裝置附裝到背板401的導電接合結構可包括ausn，將發綠光裝置附裝到背板401的導電接合結構可包括nisn，且將發紅光裝置附裝到背板襯底的導電接合結構可包括insn。圖22的示範性結構是包括在頂側處具有階梯式水平面的背板401的第一示範性發光裝置組合件。階梯式水平面包括定位於第一水平面平面hsp1內的階梯式水平面的第一子集、定位於比階梯式水平面的第一子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409的第二水平面平面hsp2內的階梯式水平面的第二子集、定位於比階梯式水平面的第二子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409的第三水平面平面hsp3內的階梯式水平面的第三子集、及定位於比階梯式水平面的第三子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409的第四水平面平面hsp4內的階梯式水平面的第四子集。每一連續平面之間的每一階梯的高度可在從0微米到3微米的範圍內(例如，在從0.2微米到2微米的範圍內)。有限階梯高度的存在或缺少取決於用於選擇性地附接發光裝置(或傳感器裝置)的方法，其取決於用於實施本發明的方法的實施例。換句話來說，在一些實施例中可能不存在階梯，且在此類情況中全部水平面平面(hsp1、hsp2、hsp3、hsp4)都可定位於相同的水平平面內。階梯的存在促進各種電子組件(例如發光裝置(10b、10g、10r)及傳感器裝置10s)的最頂層表面的形成形成有比使用其它方式更小的高度差。集成發光裝置組合件進一步包括定位於背板401的階梯式水平面上的導電接合結構(430b、430g、430r、430s)。導電接合結構(430b、430g、430r、430s)可包括接觸階梯式水平面的第一子集的第一導電接合結構430b、接觸階梯式水平面的第二子集的第二導電接合結構430g、接觸階梯式水平面的第三子集的第三導電接合結構430r、及接觸階梯式水平面的第四子集的額外導電接合結構430s。集成發光裝置組合件可進一步包括接合到相應導電接合結構(430b、430g、430r、430s)的發光裝置(10b、10g、10r)。發光裝置(10b、10g、10r)包括發射第一波長的光且上覆階梯式水平面的第一子集的第一發光裝置10b、發射第二波長的光且上覆階梯式水平面的第二子集的第二發光裝置10g、及發射第三波長的光且上覆階梯式水平面的第三子集的第三發光裝置10r。集成發光裝置組合件可進一步包括通過第四導電接合結構430s接合到背板410的傳感器裝置10s。傳感器裝置10s可上覆階梯式水平面的第四子集。各種經接合組件(10b、10g、10r、10s)的位置、各種導電接合結構(430b、430g、430r、430s)的高度與各種階梯式水平面的高度可經組合使得如接合到背板401的經接合組件(10b、10g、10r、10s)的最頂層表面之中的高度差可小於各種經接合組件(10b、10g、10r、10s)之中的高度差。在一個實施例中，包含第一發光裝置10b與第一導電接合結構403b之間的界面的第一水平界面平面hip1可能比第二發光裝置10g與第二導電接合結構430g之間的第二水平界面平面hip2距第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))距第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))更遠。在一個實施例中，各種導電接合結構(430b、430g、430r、430s)可具有不同的高度以減小經接合組件(10b、10g、10r、10s)的最頂層表面之中的高度差。在一個實施例中，第二導電接合結構430g可具有比第一導電接合結構430b更大的高度。第三導電接合結構430r可具有比第二導電接合結構430g更大的高度。額外導電接合結構430s可具有比第三導電接合結構430r更大的高度。各種導電接合結構(430b、430g、430r、430s)之中的高度差可為任選的，條件是各種經接合組件(10b、10g、10r、10s)之中的固有高度差、背板401的階梯式水平面之中的階梯高度差與各種經接合組件(10b、10g、10r、10s)的位置可經組合以防止各種轉移襯底(300b、300g、300r、300s)的循序接合之中的碰撞。在一個實施例中，包含第一發光裝置10b的頂表面的第一水平頂平面htp1可比包含第二發光裝置10g的頂表面的第二水平頂平面htp2接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))更接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))。包含第二發光裝置10g的頂表面的第二水平頂平面htp2可比包含第三發光裝置10r的頂表面的第三水平頂平面htp3接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))更接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))。包含第三發光裝置10r的頂表面的第三水平頂平面htp3可比包含傳感器裝置10s的頂表面的第四水平頂平面htp4接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))更接近第二水平面平面hsp2(或距任何其它水平參考平面(例如第四水平面平面hsp4或背面409))。在一個實施例中，第二發光裝置10g可具有比第一發光裝置10b更大的高度，第三發光裝置10r可具有比第二發光裝置10g更大的高度，且傳感器裝置10s可具有比第三發光裝置10r更大的高度。在一個實施例中，背板401包括嵌入於電介質材料基質內的金屬互連結構440。導電接合結構(430b、430g、430r、430s)電連接到背板401內的相應金屬互連結構440。金屬互連結構440可包括定位於背板410上或嵌入於背板410內的接合墊420。接合墊420接觸導電接合結構(430b、430g、430r、430s)的相應底表面。在一個實施例中，導電接合結構(430b、430g、430r、430s)可包括接合到相應接合墊420及相應發光裝置(10b、10g、10r)或相應傳感器裝置10s的焊料球。在一個實施例中，在經接合組件(10b、10g、10r、10s)中的一或多者之上可存在接合材料層的剩餘部分30f。舉例來說，氧化矽材料部分可接觸發光裝置(10b、10g、10s)的相應頂表面，且可與彼此橫向間隔開。在一個實施例中，透明囊封電介質層470可上覆背板401且可嵌入發光裝置(10b、10g、10r)及傳感器裝置10s。任選地，保護材料層422可定位於背板401的階梯式水平面及側壁上。保護材料層422可包括吸收在包含紫外光、可見光及紅外光的波長範圍內的光的材料。在一個實施例中，發光裝置(10b、10g、10r)及/或傳感器裝置10s可經布置於周期陣列中，其中相鄰發光裝置(10b、10g、10r)沿著水平方向的中心到中心距離是單元距離的整數倍。在一個實施例中，周期陣列可為矩形陣列，其中發光裝置(10b、10g、10r)及/或傳感器裝置10s被布置於矩形晶格的晶格格位處。參考圖23，展示集成發光裝置組合件的替代實施例。舉例來說，可通過藉助光刻圖案化與至少一種蝕刻工藝的組合形成線腔及通孔腔及通過使用至少一種導電材料填充所述線腔及通孔腔，在透明囊封電介質層470內形成導電互連結構480。替代地或另外，舉例來說，可通過藉助光刻圖案化與至少一種蝕刻工藝的組合沉積導電金屬層及使所述導電金屬層圖案化，在透明囊封電介質層470之上形成導電互連結構480。導電互連結構480可電接觸經接合組件(10b、10g、10r、10s)中的一或多者。舉例來說，導電互連結構480可嵌入於透明囊封電介質層470中，且可電接觸相應發光裝置(10b、10g、10r)及/或相應傳感器裝置10s。在一個實施例中，導電互連結構480中的至少一者可電連接到嵌入於背板401內的金屬互連結構440。在一個實施例中，可由形成於組件(10b、10g、10r、10s)與背板401之間的導電接合結構(430b、430g、430r、430s)僅提供與電子組件(10b、10g、10r、10s)的電接觸件的第一部分。可由如由導電互連結構480體現的頂部接觸層提供與電組件(10b、10g、10r、10s)的電接觸件的第二部分。導電互連結構480形成於電子組件(10b、10g、10r、10s)之上，且可嵌入於透明囊封電介質層470內，及/或可形成於透明囊封電介質層470之上。在一個實施例中，透明囊封電介質層470可使併入本發明的集成發光裝置組合件的顯示器面板的頂表面部分平面化。可在每一電子組件(10b、10g、10s)的頂表面正上方的透明囊封電介質層470中提供通孔腔，且可在囊封劑及電子組件之上提供透明導電氧化物(例如ito或azo)、銀納米線網、銀網狀電極或其它透明或半透明接觸結構，從而形成如體現為導電互連結構480的頂部接觸結構。舉例來說，通過線接合或延伸穿過透明囊封電介質層470的接觸通孔結構，頂部接觸結構可在背板401的某一特定位點處電接合到背板401。頂部接觸結構可為覆蓋背板401上的每個電子組件(10b、10g、10r、10s)的完整片狀接觸件，或所述頂部接觸結構可經圖案化以將多個頂部接觸結構提供到特定組件或組件的群組，在此情況中，頂部接觸結構可例如通過線接合形成於背板401上的金屬電極或與所述金屬電極接觸而在若干特定位點處電接合到背板401。參考圖24，說明生長襯底500上的裝置(10b、10g、10r、10s)的替代實施例。在此情況中，可採用所屬領域中已知的裝置製造技術從生長襯底500生長或製造裝置(10b、10g、10r、10s)。舉例來說，生長襯底500可為包含半導體材料的半導體襯底，其可為iii-v族化合物半導體襯底(例如，gaas或gan襯底)或絕緣襯底(例如藍寶石)。每一生長襯底500可具備內部釋放層520，其可為例如經植入材料層，例如經植入氫層、經植入氧層、經植入氮層或通過植入促進在由雷射輻射或通過其它方法局部加熱之後分裂的任何其它原子物種形成的層。內部釋放層520執行上文論述的釋放層20的功能。每一生長襯底500可具備源襯底530，其可為生長襯底500的薄材料層，且其薄到足以在雷射輻射內部釋放層520的鄰接部分之後被斷裂、燒蝕或以其它方式移除。源襯底530的厚度可在從50nm到3微米的範圍內，儘管也可採用更小及更大厚度。在一個實施例中，可在第一生長襯底500b之上製造第一發光裝置10b，可在第二生長襯底500g之上製造第二發光裝置10g、可在第三生長襯底500r之上製造第三發光裝置10r，且可在第四生長襯底500s之上製造傳感器裝置10s。參考圖25，可採用上文描述的相同處理序列形成集成發光裝置組合件。源襯底530的部分在每一雷射輻射過程期間被燒蝕。因為在每一生長襯底500上都存在源襯底530，所以經接合組件(10b、10g、10r、10s)之上及透明囊封電介質層470內可存在源襯底530的剩餘部分530f。可採用本發明的方法形成發射顯示器面板。發射顯示器面板是直視顯示器，其中觀看者可直接觀看由來自不同顏色的發光子像素的不同顏色的光發射形成的圖像。子像素可為有機發光裝置，例如發光二極體。因此，直視顯示器不同於液晶顯示器(lcd)的背光，其中來自背光的不同顏色的光經組合以形成用於照明lcd的液晶材料及彩色濾光器的光，且觀看者觀看透射通過彩色濾光器及液晶材料的不同顏色的光。背板401上的元件及發光裝置可促成顯示器面板的組裝。發射顯示器面板可包含以類似方法組裝到顯示器面板上的傳感器或其它電子元件。傳感器的元件及/或電子元件促成顯示器面板的組裝。為了製造具有作為發射元件的無機發光二極體(led)的發射顯示器面板，必須將數百萬計的led附裝到背板襯底。背板401含有驅動電流通過個別led子像素使得光被發射且在顯示器上形成圖像的電子器件。在一個實施例中，顯示器是三色顯示器面板，其中在顯示器的每一像素內存在發射紅光、綠光及藍光的三個子像素。每一子像素可為無機led。藍色及綠色子像素可由inganled組成。紅色子像素可由ingan或alingap或algaasled組成。顯示器面板可具有更多顏色。舉例來說，四色顯示器每像素可包含四個子像素。子像素可以約470nm波長發射藍光、以約505nm波長發射翠綠色光、以約570nm波長發射黃綠色光，且以約610nm波長發射紅光。在一個實施例中，子像素可能全都由ingan組成。形成子像素的發光裝置可包括納米線陣列，使得每一納米線都是發光裝置。納米線發光二極體(led)由於若干原因而對形成子像素是有利的。首先，納米線led的橫向尺寸可小到1微米。這使必須使用以形成每一子像素的led材料量最小化。這還允許子像素按小間距放置，從而形成高解析度顯示器。其次，在使用小功率驅動納米線led時，其具有優異的功效(每瓦特電輸入功率的流明)。參考圖26，展示本發明的結構的另一替代實施例。除了具有含階梯式水平面的階梯式背板401之外，可採用階梯式發光裝置表面形成發光裝置組合件。在一個實施例中，可通過在接合到背板401的每一發光裝置(10b、10g、10r)或每一傳感器結構10s的側上使用不同厚度的可焊接金屬化結構或在所述側上部分缺乏可焊接金屬化結構來提供階梯式發光裝置表面。在一個實施例中，可焊接金屬化結構可為一組差值厚度接觸墊(15、16)，其包含具有第一厚度的至少一第一接觸墊15及具有不同於第一厚度的第二厚度的第二接觸墊16。可選擇第一厚度與第二厚度的每一組合以實現針對每一類型的經接合組件(10b、10g、10r、10s)使用相同厚度的導電接合結構(430b、430g、430r、430s)。可例如通過在將初始生長襯底(100b、100g、100r、100s)切塊之前進行電鍍形成可焊接金屬化結構，例如一組差值厚度接觸墊(15、16)。一種或一種以上類型的經接合組件(10b、10g、10r、10s)可具有差值厚度接觸墊(15、16)。替代地，一種或一種以上類型的經接合組件(10b、10g、10r、10s)可具有均勻厚度接觸墊(15、16)，其具有相同的厚度。可將各種類型的裝置接合到背板401。舉例來說，除了接合一組傳感器裝置10s之外或代替接合一組傳感器裝置10s，可將探針或其它電子處理器集成晶片(ic)接合到背板401。探針的非限制性說明性實例是高電力紅外發光二極體(irled)或組合檢測器使用以提供手勢辨識的功能性的垂直腔面發射雷射器(vcsel)。電子ic的非限制性說明性實例是低密度高成本處理器晶片，對於所述處理器晶片，直接製造於有源背板上是不經濟的，且從生長襯底轉移到背板更經濟。可採用多個接合步驟將多個傳感器、探針及/或電子ic集成到背板401上。在一個實施例中，可採用多個垂直腔面發射雷射器(vcsel)形成投影式顯示器。可在形成透明囊封電介質層470之前根據需要在本發明的組裝過程的任何階段處執行測試及重新加工過程。重新加工過程可包括高速拾取和放置操作，其中可(例如，採用相應導電接合結構的局部加熱)選擇性地拾取接合到背板401的已知有缺陷電子組件(10g、10g、10r、10s)，且放置功能取代電子組件(10g、10g、10r、10s)來替代它。可在接合功能取代電子組件之前執行對一組新的導電接合結構的適當清潔及放置。如果在稍後階段處執行重新加工過程，那麼取代電子組件可具有比背板401上現存的電子組件更大的高度(例如，通過添加更厚接合材料層或製造具有更大高度的電子組件)，或可採用不幹涉相鄰電子組件的放置方法。在一個實施例中，本發明的導電接合結構(430b、430g、430r、430s)可為焊接材料部分，即，焊料「球」。應理解，焊料「球」可具有或可不具有球形形狀，且也可採用其它形狀(例如圓柱形形狀)作為焊料「球」。參考圖27，可修改本發明的處理序列以增強經接合裝置的頂表面與背板401的共面性。在將裝置(10b、10g、10r或10s)接合到背板401及移除轉移組合件的剩餘部分的每一回合之後，例如，在圖14的處理步驟之後，在圖17的處理步驟之後，在圖19的處理步驟之後及/或在圖21的處理步驟之後，可將具有共面底表面的虛設襯底700安置在新的經接合裝置(10b、10g、10r或10s)的頂表面上及背板401之上。圖27說明在使包括第一轉移襯底301b及第一發光裝置10b的第二子集的組合件與背板401分離之後，在將具有平面底表面的虛設襯底701安置在第一發光裝置10b的頂表面上之後的示範性結構。可在分離轉移襯底(301b、301g、301r、301s)的任何者之後應用相同方法。可重複地使用虛設襯底701，或可針對每一使用以新的襯底取代虛設襯底701。假設701的底表面包含平坦剛性表面，即，基本上與水平歐幾裡德二維平面重合的表面，虛設襯底701可包括絕緣體材料、導電材料、半導體材料或其組合，條件是虛設襯底701的底表面包含平坦剛性表面，即，基本上與水平歐幾裡德二維平面重合的表面。參考圖28，可將向下壓力施加到虛設襯底700，同時將導電接合結構(430b、430g、430r、430s)，即，焊料球，加熱到回流溫度。在此處理步驟期間，虛設襯底700朝向背板401擠壓新經接合裝置(10b、10g、10r或10s)。在一些實施例中，可在最後的回流步驟期間使用虛設襯底700向下擠壓經轉移裝置(10b、10g、10r及10s)的頂表面以確保所有經轉移裸片的頂表面都定位於相同水平平面中。在一些其它實施例中，先前經接合裝置可通過仔細選擇先前經接合裝置的頂表面的高度(例如，通過針對多個背板401選擇接合墊420的階梯式表面的高度及導電接合結構430的高度，使得稍後經接合裝置的頂表面比先前經接合裝置距每一背板401更遠)而不影響後續轉移。圖28說明在虛設襯底700朝向背板410擠壓經轉移第一發光裝置10b的同時使第一導電接合結構430b回流的步驟。參考圖29，可採用上文描述的實施例中的任何者執行後續處理步驟以囊封經接合裝置(10b、10g、10r、10s)。導電接合結構(430b、430g、430r、430s)可包含作為經回流焊接材料部分的特性的特徵，例如凸面經回流表面。可採用多個轉移組合件及多個背板將不同類型的裝置轉移到每一背板，及在每一背板上形成裝置集合的周期陣列。每一轉移組合件中的裝置可在一系列裝置轉移之前具有相同的二維周期性。裝置集合的周期陣列可跨越背板相同，且可具有二維周期性，其是轉移組合件上的裝置的二維周期性的倍數。參考圖30，說明用於將四種不同類型的裝置(10b、10g、10r、10s)(例如，分別是發藍光led、發綠光led及發紅光led及傳感器)轉移到四個背板(bp1、bp2、bp3、bp4)的示範性轉移模式及示範性轉移序列。可將四種不同類型的裝置(10b、10g、10r、10s)提供於可包括四個轉移襯底(301b、301g、301r、301s)的四個源襯底(b、g、r、s)或四個生長襯底(100/500a、100/500b、100/500c、100/500d)或其組合上。可將第一發光二極體10b提供於第一源襯底b上，可將第二發光二極體10g提供於第二源襯底g上，可將第三發光二極體10r提供於第三源襯底r上，且可將傳感器裝置10s提供於第四源襯底s上。可將標記為「1」的第一裝置10b的子集從第一源襯底b轉移到第一背板bp1上用「1」標記的位置。隨後，可將標記為「2」的第二裝置10g的子集從第二源襯底g轉移到第二襯底bp2到第二背板bp2上用「2」標記的位置。循序轉移針對使用逐漸增加的數值索引標記的每一組裝置繼續進行一直到使用數值索引「16」標記的一組裝置為止。在圖31a到31e中說明在轉移序列的每一步驟處在源襯底(b、g、r、s)及背板(bp1、bp2、bp3、bp4)上存在或缺少各種裝置(10b、10g、10r、10s)的變化。圖31a對應於裝置(10b、10g、10r、10s)的任何轉移之前的配置，圖31b對應於在執行轉移步驟1到4之後的配置，圖31c對應於在執行步驟5到8之後的配置，圖31d對應於在執行步驟9到12之後的配置，且圖31e對應於在執行步驟13到16之後的配置。應注意，因為步驟1到4獨立於彼此，所以可以任何順序置亂如圖31b中說明的步驟1到4，因為步驟5到8獨立於彼此，所以可以任何順序置亂如圖31c中說明的步驟5到8，因為步驟9到12獨立於彼此，所以可以任何順序置如亂圖31d中說明的步驟9到12，且因為步驟13到16獨立於彼此，所以可以任何順序置亂如圖31e中說明的步驟13到16。雖然針對採用四個源襯底(b、g、r、s)及四個背板(bp1、bp2、bp3、bp4)的情況說明示範性轉移模式及示範性轉移序列，但可將本發明的方法應用到採用m個轉移組合件及n個背板的任何情況，其中m是大於1的整數，n是大於1的整數，且n不小於m。n個背板與來自m個轉移組合件的裝置接合，以形成n個集成發光裝置組合件。在一個實施例中，n可與m相同或大於m。提供多個轉移組合件，例如，m個轉移組合件。m個轉移組合件中的每一者包括具有相同二維周期性的二維陣列內的相應源襯底(b、g、r、s)及相應裝置(10b、10g、10r、10s)。如本文使用，多個結構的相同二維周期性是指一種配置，其中多個結構中的每一者具有相應單元結構且相應單元結構的例子沿著周期性的兩個獨立方向(例如，第一周期性方向及第二周期性方向)重複，且所述單元結構針對全部多個結構沿著相應第一周期性方向以第一間距重複且沿著相應第二周期性方向以相同第二間距重複，且所述第一周期性方向與所述第二周期性方向之間的角度針對全部多個結構相同。n個背板中的每一者具有經配置以安裝m種類型的裝置的相應單元導電接合結構模式的周期重複。m個類型的裝置中的每一者可為m個轉移組合件之中的相應轉移組合件內的裝置中的一者。每一單元導電接合結構模式沿著n個背板中的每一者內的兩個獨立方向的間距可為m個轉移組合件中的每一者內的裝置的二維周期性的相應間距的倍數。在說明性實例中，裝置(10b、10g、10r、10s)中的每一者可在相應轉移組合件內是周期的，其中沿著第一方向具有第一周期性a且沿著第二方向(其可垂直於第一方向)具有第二周期性b。背板中的每一者內的單元導電接合墊圖案可沿著第一方向具有第一周期性2a(其是a的整數倍)且沿著第二方向(其可垂直於第一方向)具有第二周期性2b(其可為b的整數倍)。可通過將每一相應轉移組合件安置在n個背板之中的相應背板(bp1、bp2、bp3、bp4)之上防止相應轉移組合件上現存的裝置與先前接合到相應背板(bp1、bp2、bp3、bp4)的任何裝置(10b、10g、10r、10s)(如果存在)碰撞的位置處，循序地將來自m個轉移組合件中的每一者的裝置(10b、10g、10r、10s)的子集轉移到相應背板(bp1、bp2、bp3、bp4)。參考圖32a，說明處理中結構，其可用於根據在其中使用不同高度接合墊的本發明的實施例形成第二示範性發光裝置組合件。如本文使用，「原型」結構或「處理中」結構是指隨後其中的至少一個組件的形狀或組成物被修改的瞬態結構。第二示範性發光裝置組合件的處理中結構可包含在其中包括金屬互連結構440的背板襯底400。可經由燒蝕材料層130(其可為上文描述的釋放層20或上文描述的源襯底530的部分)將第一發光二極體10b附接到源襯底301b。在此實施例中，背板襯底400可具有基本上平面(即，非階梯式)上表面或如圖9中說明的階梯式上表面。可在隨後在其處接合各種裝置的位置處形成接合墊(421、422、423)。各種裝置可包含上文描述的第一發光裝置10b、第二發光裝置10g、第三發光裝置10r及/或傳感器裝置10s。可在源襯底(b、g、r、s，參考圖30)(其可為轉移襯底(301b、301g、301r、301s)、生長襯底(100/500b、100/500g、100/500r、100/500s)或其組合)上提供各種裝置(10b、10g、10r、10s)。背板401包含背板襯底400及接合墊(421、422、423)。接合墊(421、422、423)可具有與上文描述的接合墊420相同的組成。接合墊(421、422、423)可包含具有不同厚度的多個類型。舉例來說，接合墊(421、422、423)可包含具有第一厚度的第一接合墊421、具有第二厚度的第二接合墊422及具有第三厚度的第三接合墊423。也可採用具有不同厚度的額外接合墊(未展示)。在一個實施例中，第一厚度可大於第二厚度，且第二厚度可大於第三厚度。第一厚度與第二厚度之間的差值可在從0.3微米到10微米(例如，從1微米到5微米)的範圍內，且第二厚度與第三厚度之間的差值可在從0.3微米到10微米(例如，從1微米到5微米)的範圍內。最薄接合墊的厚度可在從1微米到20微米(例如，從2微米到10微米)的範圍內，儘管也可採用更小及更大厚度。在一個實施例中，可在待轉移到背板401的裝置上形成導電接合結構(431、432、433)。舉例來說，第一發光二極體10b可為待轉移到背板襯底400的第一裝置。第一發光二極體10b可定位於第一源襯底301b(其可為第一轉移襯底300b或第一類型生長襯底100b或500b)上。導電接合結構(431、432、433)可為上文論述的導電接合結構430中的任何者。導電接合結構(431、432、432)可包含形成於隨後轉移到背板襯底400的第一發光二極體10b的第一子集上的第一導電接合結構431、形成於隨後轉移到另一背板襯底(未展示)的第一發光二極體10b的第二子集上的第二導電接合結構432、形成於隨後轉移到另一背板襯底的第一發光二極體10b的第三子集上的第三導電接合結構433及形成於隨後轉移到又一背板襯底的第一發光二極體10b的另一子集上的任選額外導電接合結構。可在第一發光二極體10b上同時形成導電接合結構(431、432、433)。替代地，可在背板401的接合墊(421、422、423)上形成導電接合結構(431、432、433)。在此情況中，可同時在所有接合墊(421、422、423)上形成導電接合結構(431、432、433)。又替代地，可形成每一導電接合結構(431、432、433)作為兩個物理分離部分，使得每一導電接合結構(431、432或433)中的一個部分形成於第一發光二極體10b上，且對應導電接合結構(431、432或433)中的另一部分形成於匹配接合墊(421、422或423)的表面上。在一個實施例中，可形成每一導電接合結構(431、432、433)作為近似均勻地劃分於第一發光二極體10b上形成的上部與接合墊(421、422或423)上形成的下部之間的兩個分離部分。在一個實施例中，導電接合結構(431、432、432)中的每一者可具有相同的高度(或總高度，如果形成為兩個部分)。在一個實施例中，導電接合結構(431、432、432)中的每一者可具有相同的高度及相同的體積(或總體積，如果形成為兩個部分)。在一個實施例中，導電接合結構(431、432、432)中的每一者可具有相同的高度、相同的體積及相同的形狀(或兩種形狀的相同集合，如果形成為兩個部分)。導電接合結構(431、432、432)的高度可在從15微米到100微米(例如從20微米到60微米)的範圍內，儘管也可採用更小及更大高度。在一個實施例中，導電接合結構(431、432、432)可為基本上球形、基本上橢圓形或基本上圓柱形。每一導電接合結構(431、432、433)的最大水平尺寸(例如球形形狀或圓柱形形狀的直徑)可在從15微米到100微米(例如從20微米到60微米)的範圍內，儘管也可採用更小及更大最大水平尺寸。參考圖32b，背板401及包含第一發光二極體10b的組合件經定位使得每一第一導電接合結構431附接到第一發光裝置10b及第一接合墊421中的一者，且接觸第一發光裝置10b及第一接合墊421中的另一者。歸因於各種類型的接合墊(421、422、423)的厚度的差異，第二導電接合結構432及第三導電接合結構433不接觸任何下伏接合墊(422、423)(假如第二導電接合結構432及第三導電接合結構433附接到第一發光裝置10b)或不接觸上覆第一發光裝置10b(假如第二導電接合結構432及第三導電接合結構433附接到第二接合墊422或第三接合墊423)。隨後執行回流過程。可將環境溫度升高到導電接合結構(431、432、432)的材料的回流溫度。僅第一導電接合結構431形成與下伏第一接合墊421(如果第一導電接合結構431已經接合到第一發光裝置10b)或與上覆第一發光裝置10b(如果第一導電接合結構431已經接合到第一接合墊421)的額外接合。因此，每一第一導電接合結構431變成接合到上覆第一發光裝置10b及下伏第一接合墊421，同時在回流過程期間不針對第二及第三連續接合結構(432、433)形成額外接合。雖然採用使背板401及包含第一發光二極體10b的組合件在回流過程之前接觸彼此的實施例描述本發明，但本文明確預期例如在回流過程的溫度斜變步驟期間與回流過程同時執行背板401及包含第一發光二極體10b的組合件的機械移動的實施例。雖然為了方便說明，上文將第一接合墊421描述為「下伏」而將第一發光裝置描述為「上覆」，但應理解，可在過程期間，顛倒地布置組件(即，其中第一接合墊421是「下伏」，且第一發光裝置是「下伏」)或將其布置於任何其它位置中。參考圖32c，執行雷射輻射過程以使每一經接合第一發光裝置10b與第一源襯底分離。可如上文描述那樣採用相同雷射輻射過程。由雷射束輻射材料層130中上覆第一發光二極體10b(其接合到背板401)的第一子集的部分，且燒蝕所述部分。可針對第一子集內的每一第一發光二極體10b循序地執行雷射燒蝕。參考圖32d，第一源襯底301b與經附接第一發光二極體10b(即，第一發光二極體10b的第一子集的補集)的組合件與背板401及第一發光二極體10b的第一子集分離。通過第一導電接合結構431將第一發光二極體10b的第一子集附接到背板401以形成處理中第二示範性發光裝置組合件。參考圖32e，採用任何合適的壓力板(例如虛設襯底700)朝向背板401推動第一導電接合結構431上的第一發光二極體10b。將處理中第二發光裝置組合件的溫度升高到第一導電接合結構431的回流溫度以在虛設襯底700朝向背板401推動第一發光二極體10b時誘發第一導電接合結構431的回流。選擇推動距離使得第一接合墊421的底表面與第一發光二極體10b的頂表面之間的垂直距離小於最薄接合墊(例如，第三接合墊421)的厚度、導電接合結構(431、432、433)的高度(其在導電接合結構之中相同)與隨後附接的裝置(10g、10r)的最小高度(如果高度不同)或隨後附接的裝置(10g、10r)的共同高度(如果高度相同)的和。圖32a到32e的處理步驟可對應於圖31b中說明的步驟1，其中背板401對應於圖31b中的背板bp1。可執行等效處理步驟(其對應於圖31b中說明的步驟2)以採用圖31b中展示的轉移模式(或任何其它模式)將第二發光裝置10g的第一子集從第二源襯底g(其可為第二轉移襯底300g或第二類型生長襯底100/500g)轉移到第二背板bp2的第一接合墊421。此類處理步驟可提供第二源襯底g，以全等於背板401上的第一發光二極體10b的模式的模式從第二源襯底g移除第二發光裝置10g的第一子集。參考圖32f，從其移除第二發光裝置10g的第一子集的第二源襯底(例如第二轉移襯底301g)定位於處理中第二示範性發光裝置組合件之上，且經對準使得第二發光二極體10g的第二子集上覆第二接合墊422。參考圖32g，背板401及包含第二發光二極體10g的組合件經定位使得每一第二導電接合結構432附接到第二發光裝置10g及第二接合墊422中的一者，且接觸第二發光裝置10g及第二接合墊422中的另一者。歸因於第二及第三接合墊(422、423)的厚度的差值，第三導電接合結構433不接觸任何下伏接合墊423(假如第二導電接合結構432及第三導電接合結構433附接到第二發光裝置10g)或不接觸上覆第二發光裝置10g(假如第二導電接合結構432及第三導電接合結構433附接到第二接合墊422或第三接合墊423)。隨後執行回流過程。可將環境溫度升高到導電接合結構(431、432、432)的材料的回流溫度。第二導電接合結構432形成與上覆第二接合墊422(如果第二導電接合結構432已經接合到第二發光裝置10g)或與上覆第二發光裝置10g(如果第二導電接合結構432已經接合到第二接合墊422)的額外接合。因此，每一第二導電接合結構432變成接合到上覆第二發光裝置10g及下伏第二接合墊422，同時在回流過程期間不針對第三導電接合結構433形成額外接合。參考圖32h，執行雷射輻射過程以使每一經接合第二發光裝置10g與第二源襯底分離。由雷射束輻射燒蝕材料層130中上覆第二發光二極體10g(其接合到背板401)的經接合子集(即，第二子集)的部分，且燒蝕所述部分。可針對接合到背板401的第二發光二極體10g的子集內的每一第二發光二極體10g循序地執行雷射燒蝕。參考圖32i，第二源襯底301g與經附接第二發光二極體10g(即，第二源襯底上仍存在的第二發光二極體10g的第三子集)的組合件與背板401及現附接到背板401的第二發光二極體10g的第二子集分離。通過第二導電接合結構432將第二發光二極體10g的第二子集附接到背板401以形成處理中第二示範性發光裝置組合件。參考圖32j，採用虛設襯底700朝向背板401推動第二導電接合結構432上的第二發光二極體10g。將處理中第二發光裝置組合件的溫度升高到第二導電接合結構432的回流溫度，以在虛設襯底700朝向背板401推動第二發光二極體10g時誘發第二導電接合結構432的回流。選擇推動距離使得第二接合墊422的底表面與第二發光二極體10g的頂表面之間的垂直距離小於最薄接合墊(例如，第三接合墊423)的厚度、如最初提供的導電接合結構(431、432、433)的高度(其在導電接合結構之中相同)與隨後附接的裝置(10r及任選地10s)的最小高度(如果高度不同)或隨後附接的裝置(10r及任選地10s)的共用高度(如果高度相同)的和。圖32f到32j的處理步驟可對應於圖31c中說明的步驟6，其中背板401對應於圖31c中的背板bp1。可執行對應於圖31b中的步驟3及圖31c中的步驟7的處理步驟以採用圖31b及31c中展示的轉移模式(或任何其它模式)將第三發光裝置10r的第一子集及第二子集從第三源襯底r(其可為第三轉移襯底300r或第三類型生長襯底100/500r)轉移到額外背板(例如，圖31b中的bp3及圖31c中的bp4)的接合墊。此類處理步驟可提供第三源襯底r，以全等於背板401上的第一發光二極體10b與第二發光二極體10g的組合模式的模式從第三源襯底r移除第三發光裝置10r的第一子集及第二子集。參考圖32k，在先前處理步驟中已從其移除第三發光裝置10r的第一子集及第二子集的第三源襯底(例如第三轉移襯底301r)定位於處理中第二示範性發光裝置組合件之上，且經對準使得第三發光二極體10r的第三子集上覆第三接合墊423。參考圖32l，背板401及包含第三發光二極體10r的組合件經定位使得每一第三導電接合結構433附接到第三發光裝置10r及第三接合墊423中的一者，且接觸第三發光裝置10r及第三接合墊423中的另一者。如果存在具有更小厚度的任何額外接合墊(未展示)，那麼上覆此類額外接合墊的額外導電接合結構(未展示)不接觸任何下伏額外接合墊(假如額外導電接合結構附接到第三源襯底)或不接觸上覆第三發光裝置10r(假如額外導電接合結構附接到額外接合墊)。隨後執行回流過程。可將環境溫度升高到導電接合結構(431、432、432)的材料的回流溫度。第三導電接合結構433形成與下伏第三接合墊423(如果第三導電接合結構433已經接合到第三發光裝置10r)或與上覆第三發光裝置10r(如果第三導電接合結構433已經接合到第三接合墊423)的額外接合。因此，每一第三導電接合結構433變成接合到上覆第三發光裝置10r及下伏第三接合墊423，同時在回流過程期間不針對額外連續接合結構(如果存在)形成額外接合。參考圖32m，執行雷射輻射過程以使每一經接合第三發光裝置10r與第三源襯底分離。由雷射束輻射燒蝕材料層130中上覆第三發光二極體10r(其接合到背板401)的經接合子集(即，第三子集)的部分，且燒蝕所述部分。可針對接合到背板401的第三發光二極體10r的子集內的每一第三發光二極體10r循序地執行雷射燒蝕。參考圖32n，第三源襯底301r與任何剩餘第三發光二極體10r(如果存在)的組合件與背板401及現附接到背板401的第三發光二極體10r的第三子集分離。通過第三導電接合結構433將第三發光二極體10r的第三子集附接到背板401以形成第二示範性發光裝置組合件。任選地，可採用虛設襯底700朝向背板401推動第三導電接合結構433上的第三發光二極體10r。將第二發光裝置組合件的溫度升高到第三導電接合結構433的回流溫度以在虛設襯底700朝向背板401推動第三發光二極體10r時誘發第三導電接合結構433的回流。如果隨後將把任何額外裝置(例如傳感器裝置10s)附接到背板401，那麼可選擇推動距離使得第三接合墊423的底表面與第三發光二極體10r的頂表面之間的垂直距離小於額外接合墊的厚度、額外導電接合結構的高度(其可與如最初提供的其它導電接合墊(431、432、433)的高度相同)與隨後的裝置(例如傳感器裝置10s)的最小高度的和。參考圖33a，說明處理中結構，其可用於根據本發明的實施例形成第三示範性發光裝置組合件。可通過採用相同厚度的接合墊(421、422、423)及不同高度的導電接合結構(431、432、433)從圖32a的處理中第二示範性發光裝置組合件得到處理中第三示範性發光裝置組合件。接合墊(421、422、423)可具有與上文描述的接合墊420相同的組成。在此實施例中，背板襯底400可具有基本上平面(即，非階梯式)上表面或如圖9中說明的階梯式上表面，且接合墊(421、422、423)可具有與圖32a中展示相同的高度或不同的高度。導電接合結構(431、432、433)可包含具有不同高度的多個類型。舉例來說，導電接合結構(431、432、433)可包含具有第一高度的第一導電接合結構431、具有第二高度的第二導電接合結構432及具有第三高度的第三導電接合結構433。也可採用具有不同高度的額外導電接合結構(未展示)。在一個實施例中，第一高度可大於第二高度，且第二高度可大於第三高度。第一高度與第二高度之間的差值可在從0.3微米到10微米(例如，從1微米到5微米)的範圍內，且第二高度與第三高度之間的差值可在從0.3微米到10微米(例如，從1微米到5微米)的範圍內。最短導電接合結構(例如，433)的高度可在從10微米到80微米(例如，從15微米到50微米)的範圍內，儘管也可採用更小及更大高度。在一個實施例中，可在待轉移到背板401的裝置上形成導電接合結構(431、432、433)。舉例來說，第一發光二極體10b可為待轉移到背板襯底400的第一裝置。第一發光二極體10b可定位於第一源襯底b(其可為第一轉移襯底30b或第一類型生長襯底100b)上。導電接合結構(431、432、433)可為上文論述的導電接合結構430中的任何者。導電接合結構431形成於隨後轉移到背板襯底400的第一發光二極體10b的第一子集上。第二導電接合結構432形成於隨後轉移到另一背板襯底(未展示)的第一發光二極體10b的第二子集上。第三導電接合結構433形成於隨後轉移到又一背板襯底的第一發光二極體10b的第三子集上。任選地，額外導電接合結構可形成於隨後轉移到又一背板襯底的第一發光二極體10b的另一子集上。替代地，可在背板401的接合墊(421、422、423)上形成導電接合結構(431、432、433)。在此情況中，可同時在所有接合墊(421、422、423)上形成導電接合結構(431、432、433)。又替代地，可形成每一導電接合結構(431、432、433)作為兩個物理分離部分，使得每一導電接合結構(431、432或433)中的一個部分形成於第一發光二極體10b上，且對應導電接合結構(431、432或433)中的另一部分形成於匹配接合墊(421、422或423)的表面上。在一個實施例中，可形成每一導電接合結構(431、432、433)作為近似均勻地劃分於第一發光二極體10b上形成的上部與接合墊(421、422或423)上形成的下部之間的兩個分離部分。可循序地在第一發光二極體10b上形成不同類型的導電接合結構(431、432、433)。第一導電接合結構431可具有比第二導電接合結構432大的體積，且第二導電接合結構432可具有比第三導電接合結構433大的體積。在一個實施例中，不同類型的導電接合結構(431、432、433)可具有基本上相同的最大橫向尺寸(例如，球形形狀或圓柱形形狀的直徑)。在一個實施例中，導電接合結構(431、432、432)可為基本上橢圓形或基本上圓柱形。每一導電接合結構(431、432、433)的最大水平尺寸(例如球形形狀或圓柱形形狀的直徑)可在從15微米到100微米(例如從20微米到60微米)的範圍內，儘管也可採用更小及更大最大水平尺寸。參考圖33b，背板401及包含第一發光二極體10b的組合件經定位使得每一第一導電接合結構431附接到第一發光裝置10b及第一接合墊421中的一者，且接觸第一發光裝置10b及第一接合墊421中的另一者。歸因於各種類型的導電接合結構(431、432、432)的高度的差異，第二導電接合結構432及第三導電接合結構433不接觸任何下伏接合墊(422、423)(假如第二導電接合結構432及第三導電接合結構433附接到第一發光裝置10b)或不接觸上覆第一發光裝置10b(假如第二導電接合結構432及第三導電接合結構433附接到第二接合墊422或第三接合墊423)。隨後，以與圖32b的處理步驟相同的方式執行回流過程。參考圖33c，以與圖32c的處理步驟相同的方式執行雷射輻射過程以使每一經接合第一發光裝置10b與第一源襯底分離。參考圖33d，第一源襯底301b與經附接第一發光二極體10b(即，第一發光二極體10b的第一子集的補集)的組合件與背板401及第一發光二極體10b的第一子集分離。參考圖33e，採用虛設襯底700朝向背板401推動第一導電接合結構431上的第一發光二極體10b同時使第一導電接合結構431以與圖32e的處理步驟相同的方式回流。圖33a到33e的處理步驟可對應於圖31b中說明的步驟1，其中背板401對應於圖31b中的背板bp1。可執行等效處理步驟(其對應於圖31b中說明的步驟2)以採用圖31中展示的轉移模式(或任何其它模式)將第二發光裝置10g的第一子集從第二源襯底g(其可為第二轉移襯底300g或第二類型生長襯底100/500g)轉移到第二背板bp2的第一接合墊421。此類處理步驟可提供第二源襯底g，以全等於背板401上的第一發光二極體10b的模式的模式從第二源襯底g移除第二發光裝置10g的第一子集。參考圖33f，從其移除第二發光裝置10g的第一子集的第二源襯底(例如第二轉移襯底301g)定位於處理中第四示範性發光裝置組合件之上，且經對準使得第二發光二極體10g的第二子集上覆第二接合墊422。參考圖33g，背板401及包含第二發光二極體10g的組合件經定位使得每一第二導電接合結構432附接到第二發光裝置10g及第二接合墊422中的一者，且接觸第二發光裝置10g及第二接合墊422中的另一者。歸因於第二及第三導電接合結構(432、433)的高度的差異，第三導電接合結構433不接觸任何下伏接合墊423(假如第二導電接合結構432及第三導電接合結構433附接到第二發光裝置10g)或不接觸上覆第二發光裝置10g(假如第二導電接合結構432及第三導電接合結構433附接到第二接合墊422或第三接合墊423)。隨後以與圖32g的處理步驟相同的方式執行回流過程。每一第二導電接合結構432變成接合到上覆第二發光裝置10g及下伏第二接合墊422，同時在回流過程期間不針對第三導電接合結構433形成額外接合。參考圖33h，執行雷射輻射過程以使每一經接合第二發光裝置10g與第二源襯底分離。可如在圖32h的處理步驟中那樣執行相同的雷射輻射過程。參考圖33i，第二源襯底301g與經附接第二發光二極體10g(第二源襯底上仍存在的第二發光二極體10g的第三子集)的組合件與背板401及現附接到背板401的第二發光二極體10g的第二子集分離。參考圖33j，以與圖32j的處理步驟中相同的方式採用虛設襯底700朝向背板401推動第二導電接合結構432上的第二發光二極體10g。圖33f到33j的處理步驟可對應於圖31c中說明的步驟6，其中背板401對應於圖31c中的背板bp1。可執行對應於圖31b中的步驟3及圖31c中的步驟7的處理步驟以採用圖31b及31c中展示的轉移模式(或任何其它模式)將第三發光裝置10r的第一子集及第二子集從第三源襯底r(其可為第三轉移襯底300r或第三類型生長襯底100/500r)轉移到額外背板(例如，圖31b中的bp3及圖31c中的bp4)的接合墊。此類處理步驟可提供第三源襯底r，以全等於背板401上的第一發光二極體10b與第二發光二極體10g的組合模式的模式從第三源襯底r移除第三發光裝置10r的第一子集及第二子集。參考圖33k，在先前處理步驟中已從其移除第三發光裝置10r的第一子集及第二子集的第三源襯底(例如第三轉移襯底301r)定位於處理中第二示範性發光裝置組合件之上，且經對準使得第三發光二極體10r的第三子集上覆第三接合墊423。參考圖33l，背板401及包含第三發光二極體10r的組合件經定位使得每一第三導電接合結構433附接到第三發光裝置10r及第三接合墊423中的一者，且接觸第三發光裝置10r及第三接合墊423中的另一者。如果存在具有更小高度的任何額外導電接合結構(未展示)，那麼上覆此類額外接合墊的額外導電接合結構(未展示)不接觸任何下伏額外接合墊(假如額外導電接合結構附接到第三源襯底)或不接觸上覆第三發光裝置10r(假如額外導電接合結構附接到額外接合墊)。隨後，以與圖32l的處理步驟中相同的方式執行回流過程。參考圖33m，以與圖32m的處理步驟中相同的方式執行雷射輻射過程以使每一經接合第三發光裝置10r與第三源襯底分離。參考圖33n，以與圖32n的處理步驟中相同的方式使第三源襯底301r與任何剩餘第三發光二極體10r(如果存在)的組合件與背板401及現附接到背板401的第三發光二極體10r的第三子集分離。任選地，可以與圖32n的處理步驟中相同的方式採用虛設襯底700朝向背板401推動第三導電接合結構433上的第三發光二極體10r。參考圖34a，說明處理中結構，其可用於根據使用選擇雷射焊接將裝置接合到背板的本發明的實施例形成第四示範性發光裝置組合件。可通過採用相同厚度的接合墊(421、422、423)及相同高度的導電接合結構(431、432、433)從圖32a的處理中第二示範性發光裝置組合件或圖33a的處理中第三示範性發光裝置組合件得到處理中第四示範性發光裝置組合件。接合墊(421、422、423)可具有與上文描述的接合墊420相同的組成。導電接合結構(431、432、433)可具有與上文描述的導電接合結構430相同的組成。在此實施例中，背板襯底400可具有基本上平面(即，非階梯式)上表面或如圖9中說明的階梯式上表面。接合墊(421、422、423)可具有與圖32a中展示相同的高度或不同的高度。導電接合結構(431、432、433)可具有與圖33a中展示相同的高度或不同的高度。在一個實施例中，可在待轉移到背板401的裝置上形成導電接合結構(431、432、433)。舉例來說，第一發光二極體10b可為轉移到背板襯底400的第一裝置。第一發光二極體10b可定位於第一源襯底301b(其可為第一轉移襯底300b或第一類型生長襯底100/500b)上。導電接合結構(431、432、433)可為上文論述的導電接合結構430中的任何者。導電接合結構431形成於隨後轉移到背板襯底400的第一發光二極體10b的第一子集上。第二導電接合結構432形成於隨後轉移到另一背板襯底(未展示)的第一發光二極體10b的第二子集上。第三導電接合結構433形成於隨後轉移到又一背板襯底的第一發光二極體10b的第三子集上。任選地，額外導電接合結構可形成於隨後轉移到又一背板襯底的第一發光二極體10b的另一子集上。替代地，可在背板401的接合墊(421、422、423)上形成導電接合結構(431、432、433)。在此情況中，可同時在所有接合墊(421、422、423)上形成導電接合結構(431、432、433)。又替代地，可形成每一導電接合結構(431、432、433)作為兩個物理分離部分，使得每一導電接合結構(431、432或433)中的一個部分形成於第一發光二極體10b上，且對應導電接合結構(431、432或433)中的另一部分形成於匹配接合墊(421、422或423)的表面上。在一個實施例中，可形成每一導電接合結構(431、432、433)作為近似均勻地劃分於第一發光二極體10b上形成的上部與接合墊(421、422或423)上形成的下部之間的兩個分離部分。在一個實施例中，導電接合結構(431、432、432)可為基本上球形、基本上橢圓形或基本上圓柱形。每一導電接合結構(431、432、433)的最大水平尺寸(例如球形形狀或圓柱形形狀的直徑)可在從15微米到100微米(例如從20微米到60微米)的範圍內，儘管也可採用更小及更大最大水平尺寸。參考圖34b，背板401及包含第一發光二極體10b的組合件經定位使得每一導電接合結構(431、432、433)附接到第一發光裝置10b及接合墊(421、422或423)中的一者，且接觸第一發光裝置10b及接合墊(421、422或423)中的另一者。在一個實施例中，每一第一導電接合結構431可附接到上覆第一發光裝置10b及第一接合墊421中的一者，且接觸上覆第一發光裝置10b及第一接合墊421中的另一者；每一第二導電接合結構432可附接到上覆第一發光裝置10b及第二接合墊422中的一者，且接觸上覆第一發光裝置10b及第二接合墊422中的另一者；且每一第三導電接合結構433可附接到上覆第一發光裝置10b及第三接合墊423中的一者，且接觸上覆第一發光裝置10b及第三接合墊423中的另一者。可採用加熱雷射器467使第一導電接合結構431回流。加熱雷射器467可具有在導電接合結構(431、432、433)的材料內誘發比在源襯底301b的材料內或在待轉移的裝置(例如，第一發光裝置10b)的材料內更大的能量吸收的波長。舉例來說，加熱雷射器467可具有在從0.8微米到20微米(例如1到2微米)的範圍內的波長，以在待回流的導電接合結構431的材料與不回流的導電接合結構432、433的材料之間提供差溫加熱。也在導電接合結構431及源襯底301b的材料與待轉移的裝置之間提供差溫加熱。可由來自加熱層467的雷射束的循序輻射選擇性地加熱第一導電接合結構431以使每一第一導電接合結構431回流，並將每一第一導電接合結構431接合到上覆第一發光裝置10b及下伏第一接合墊421。優選地，通過源襯底301b提供雷射束。雷射束可透射通過源襯底301b及裝置到導電接合結構431以供選擇加熱。替代地，雷射束可由源襯底或鄰近導電接合結構431的裝置吸收以選擇性地加熱導電接合結構431及使導電接合結構431回流，而無需使剩餘導電接合結構(432、433)回流。參考圖34c，以與圖32c的處理步驟相同的方式執行雷射輻射過程以使每一經接合第一發光裝置10b與第一源襯底分離。雷射器477(本文稱之為「燒蝕雷射器」)的波長可與加熱雷射器467的波長不同(例如，更短)，例如，在0.1與0.75微米之間，例如0.25到0.5微米。雷射器將比提供到源襯底301b的材料及經轉移裝置(例如，第一發光二極體10b)的加熱更多的加熱到燒蝕材料層130的材料。可循序地由來自雷射器477的雷射束輻射燒蝕材料層130中上覆第一導電接合結構431的每一部分以使每一下伏第一發光裝置10b分離。參考圖34d，第一源襯底301b與經附接第一發光二極體10b(即，第一發光二極體10b的第一子集的補集)的組合件與背板401及第一發光二極體10b的第一子集分離。參考圖34e，採用虛設襯底700朝向背板401推動第一導電接合結構431上的第一發光二極體10b同時使第一導電接合結構431以與圖32e的處理步驟相同的方式回流。圖34a到34e的處理步驟可對應於圖31b中說明的步驟1，其中背板401對應於圖31b中的背板bp1。可執行等效處理步驟(其對應於圖31b中說明的步驟2)以採用圖31b中展示的轉移模式(或任何其它模式)將第二發光裝置10g的第一子集從第二源襯底g(其可為第二轉移襯底300g或第二類型生長襯底100/500g)轉移到第二背板bp2的第一接合墊421。此類處理步驟可提供第二源襯底g，以全等於背板401上的第一發光二極體10b的模式的模式從第二源襯底g移除第二發光裝置10g的第一子集。參考圖34f，從其移除第二發光裝置10g的第一子集的第二源襯底(例如第二轉移襯底301g)定位於處理中第四示範性發光裝置組合件之上，且經對準使得第二發光二極體10g的第二子集上覆第二接合墊422。參考圖34g，背板401及包含第二發光二極體10g的組合件經定位使得每一第二導電接合結構432附接到第二發光裝置10g及第二接合墊422中的一者，且接觸第二發光裝置10g及第二接合墊422中的另一者。在一個實施例中，每一第二導電接合結構432可附接到上覆第二發光裝置10g及第二接合墊422中的一者，且接觸上覆第二發光裝置10g及第二接合墊422中的另一者；且每一第三導電接合結構433可附接到上覆第二發光裝置10g及第三接合墊423中的一者，且接觸上覆第二發光裝置10g及第三接合墊423中的另一者。採用加熱雷射器467使第二導電接合結構432回流而無需使剩餘導電接合結構(431、433)回流。加熱雷射器467可具有在導電接合結構(431、432、433)的材料內誘發比在源襯底301b的材料內或在待轉移的裝置(例如，第二發光裝置10g)的材料內更大的能量吸收的波長。可採用與圖34b的處理步驟中相同的加熱雷射器。可由來自加熱層467的雷射束的循序輻射第二導電接合結構432以使每一第二導電接合結構432回流，並將每一第二導電接合結構432接合到上覆第二發光裝置10g及下伏第二接合墊422。參考圖34h，以與圖32h的處理步驟相同的方式執行雷射輻射過程以使每一經接合第二發光裝置10g與第二源襯底分離。雷射器477的波長可與加熱雷射器467的波長不同，且將比提供到源襯底301g的材料及經轉移裝置(例如，第二發光二極體10g)更多的加熱提供到燒蝕材料層130的材料。可循序地由來自層477的雷射束輻射燒蝕材料層130中上覆第二導電接合結構432的每一部分以使每一第二下伏發光裝置10g分離。參考圖34i，第二源襯底301g與經附接第二發光二極體10g(第二源襯底上仍存在的第二發光二極體10g的第三子集)的組合件與背板401及現附接到背板401的第二發光二極體10g的第二子集分離。參考圖34j，以與圖32j的處理步驟中相同的方式採用虛設襯底700朝向背板401推動第二導電接合結構432上的第二發光二極體10g。圖34f到34j的處理步驟可對應於圖31c中說明的步驟6，其中背板401對應於圖31c中的背板bp1。可執行對應於圖31b中的步驟3及圖31c中的步驟7的處理步驟以採用圖31b及31c中展示的轉移模式(或任何其它模式)將第三發光裝置10r的第一子集及第二子集從第三源襯底r(其可為第三轉移襯底300r或第三類型生長襯底100/500r)轉移到額外背板(例如，圖31b中的bp3及圖31c中的bp4)的接合墊。此類處理步驟可提供第三源襯底r，以全等於背板401上的第一發光二極體10b與第二發光二極體10g的組合模式的模式從第三源襯底r移除第三發光裝置10r的第一子集及第二子集。參考圖34k，在先前處理步驟中已從其移除第三發光裝置10r的第一子集及第二子集的第三源襯底(例如第三轉移襯底301r)定位於處理中第四示範性發光裝置組合件之上，且經對準使得第三發光二極體10r的第三子集上覆第三接合墊423。參考圖34l，背板401及包含第三發光二極體10r的組合件經定位使得每一第三導電接合結構433附接到第三發光裝置10r及第三接合墊423中的一者，且接觸第三發光裝置10r及第三接合墊423中的另一者。如果存在任何額外導電接合結構(未展示)，那麼上覆此類額外接合墊的額外導電接合結構(未展示)可接觸下伏額外接合墊及上覆第三發光裝置10r，且可附接到下伏額外接合墊或上覆第三發光裝置10r。採用加熱雷射器467使第三導電接合結構433回流。加熱雷射器467可具有在第三導電接合結構433的材料內誘發比在源襯底301r的材料內或在待轉移的裝置(例如，第三發光裝置10r)的材料內更大的能量吸收的波長。可採用與圖34b或圖34g的處理步驟中相同的加熱雷射器。可由來自加熱層467的雷射束循序輻射第三導電接合結構433以使每一第三導電接合結構433回流，並將每一第三導電接合結構433接合到上覆第三發光裝置10r及下伏第三接合墊423。參考圖34m，以與圖32m的處理步驟中相同的方式執行雷射輻射過程以使每一經接合第三發光裝置10r與第三源襯底分離。參考圖34n，以與圖32n的處理步驟中相同的方式使第三源襯底301r與任何剩餘第三發光二極體10r(如果存在)的組合件與背板401及現附接到背板401的第三發光二極體10r的第三子集分離。任選地，可以與圖32n的處理步驟中相同的方式採用虛設襯底700朝向背板401推動第三導電接合結構433上的第三發光二極體10r。參考圖35a，說明處理中結構，其可用於根據同時通過非選擇加熱而非通過選擇雷射加熱接合組件的本發明的實施例形成第五示範性發光裝置組合件。處理中第五示範性發光裝置組合件可與圖34a的處理中第四示範性發光裝置組合件相同。在此實施例中，背板襯底400可具有基本上平面(即，非階梯式)上表面或如圖9中說明的階梯式上表面。接合墊(421、422、423)可具有與圖32a中展示相同的高度或不同的高度。導電接合結構(431、432、433)可具有與圖33a中展示相同的高度或不同的高度。在一個實施例中，可在待轉移到背板401的裝置上形成導電接合結構(431、432、433)。舉例來說，第一發光二極體10b可為待轉移到背板襯底400的第一裝置。第一發光二極體10b可定位於第一源襯底b(其可為第一轉移襯底300b或第一類型生長襯底100/500b)上。導電接合結構(431、432、433)可為上文論述的導電接合結構430中的任何者。替代地，可在背板401的接合墊(421、422、423)上形成導電接合結構(431、432、433)。在此情況中，可同時在所有接合墊(421、422、423)上形成導電接合結構(431、432、433)。又替代地，可形成每一導電接合結構(431、432、433)作為兩個物理分離部分，使得每一導電接合結構(431、432或433)中的一個部分形成於第一發光二極體10b上，且對應導電接合結構(431、432或433)中的另一部分形成於匹配接合墊(421、422或423)的表面上。在一個實施例中，可形成每一導電接合結構(431、432、433)作為近似均勻地劃分於第一發光二極體10b上形成的上部與接合墊(421、422或423)上形成的下部之間的兩個分離部分。在一個實施例中，導電接合結構(431、432、432)可為基本上球形、基本上橢圓形或基本上圓柱形。每一導電接合結構(431、432、433)的最大水平尺寸(例如球形形狀或圓柱形形狀的直徑)可在從15微米到100微米(例如從20微米到60微米)的範圍內，儘管也可採用更小及更大最大水平尺寸。參考圖35b，背板401及包含第一發光二極體10b的組合件經定位使得每一導電接合結構(431、432、433)附接到第一發光裝置10b及接合墊(421、422或423)中的一者，且接觸第一發光裝置10b及接合墊(421、422或423)中的另一者。在一個實施例中，每一第一導電接合結構431可附接到上覆第一發光裝置10b及第一接合墊421中的一者，且接觸上覆第一發光裝置10b及第一接合墊421中的另一者；每一第二導電接合結構432可附接到上覆第一發光裝置10b及第二接合墊422中的一者，且接觸上覆第一發光裝置10b及第二接合墊422中的另一者；且每一第三導電接合結構433可附接到上覆第一發光裝置10b及第三接合墊423中的一者，且接觸上覆第一發光裝置10b及第三接合墊423中的另一者。執行回流過程以使導電接合結構(431、432、433)回流。可通過將均勻加熱提供到導電接合結構(431、432、433)(例如，通過將背板401與在其上具有經附接結構的第一源襯底301b的組合件放置到加熱爐或任何其它溫度受控環境中)執行回流過程。可將每一導電接合結構(431、432、433)接合到上覆第一發光裝置10b及下伏接合墊(421、422、423)。導電接合結構(431、432、433)的接合可同時發生。參考圖35c，以與圖32c的處理步驟相同的方式執行雷射輻射過程以使每一經接合第一發光裝置10b與第一源襯底分離。雷射器477的波長將比提供到源襯底301b及經轉移裝置(例如，第一發光二極體10b)的材料更多的加熱提供到燒蝕材料層130的材料。可循序地由來自層477的雷射束輻射燒蝕材料層130中上覆第一導電接合結構431的每一部分以使每一下伏第一發光裝置10b分離。在一個實施例中，可在採用雷射輻射的分離過程期間，將導電接合結構(431、432、433)的溫度維持在低於回流溫度。替代地，可在採用雷射輻射的分離過程期間，將導電接合結構(431、432、433)的溫度維持在接近回流溫度。參考圖35d，可通過非選擇加熱(例如加熱爐加熱)將導電接合結構(431、432、433)的溫度改變成預設溫度，本文稱之為「分離溫度」。分離溫度是第二及第三導電接合結構(432、433)中的每一者可在其下分裂成兩部分而不會引起第二及第三接合結構(432、433)中的額外斷裂的溫度。分離溫度可與回流溫度相同，可低於回流溫度(例如，達小於攝氏10度)，或可高於回流溫度(例如，達小於攝氏20度)。在一個實施例中，導電接合結構(431、432、433)的溫度可為圖35b的處理步驟處的回流溫度，可降低到低於在圖35c的處理步驟處的回流溫度的處理溫度，且可升高到圖35d的處理步驟處的分離溫度。在圖35c的雷射燒蝕過程之後，第一導電接合結構431不附接到第一源襯底301b。隨著在分離溫度下遠離背板401及第一發光二極體10b的第一子集拉動第一源襯底301b與經附接第一發光二極體10b(即，第一發光二極體10b的第一子集的補集)的組合件，第二及第三導電接合結構(432、433)中的每一者可劃分成兩部分。舉例來說，每一第二導電接合結構432可劃分成附接到第一發光裝置10b的第二上導電接合材料部分432u及附接到背板401的第二下導電接合材料部分432l，且每一第三導電接合結構433可劃分成附接到第一發光裝置10b的第三上導電接合材料部分433u及附接到背板401的第三下導電接合材料部分433l。上導電接合材料部分(432u或433u)中的導電接合材料的量與下伏下導電接合材料部分(432l或433l)中的導電接合材料的量的比可取決於分離溫度的選擇而為約1或小於1。參考圖35e，採用虛設襯底700朝向背板401推動第一導電接合結構431上的第一發光二極體10b同時使第一導電接合結構431以與圖32e的處理步驟相同的方式回流。圖35a到35e的處理步驟可對應於圖31b中說明的步驟1，其中背板401對應於圖31b中的背板bp1。可執行等效處理步驟(其對應於圖31b中說明的步驟2)以採用圖31b中展示的轉移模式(或任何其它模式)將第二發光裝置10g的第一子集從第二源襯底g(其可為第二轉移襯底300g或第二類型生長襯底100/500g)轉移到第二背板bp2的第一接合墊421。此類處理步驟可提供第二源襯底g，以全等於背板401上的第一發光二極體10b的模式的模式從第二源襯底g移除第二發光裝置10g的第一子集。參考圖35f，從其移除第二發光裝置10g的第一子集的第二源襯底(例如第二轉移襯底301g)定位於處理中第五示範性發光裝置組合件之上，且經對準使得第二發光二極體10g的第二子集上覆第二接合墊422。每一上導電接合材料部分(432u或433u)可在對準過程之後對準到下伏下導電接合材料部分(432l或433l)。參考圖35g，使背板401及包含第二發光二極體10g的組合件接觸彼此，同時將溫度升高到上導電接合材料部分(432u、433u)及下導電接合材料部分(432l、433l)的材料的回流溫度。同時使溫度斜升並減小上導電接合材料部分(432u、433u)與下導電接合材料部分(432l、433l)之間的分離距離可避免上導電接合材料部分(432u、433u)及下導電接合材料部分(432l、433l)破裂及/或避免上導電接合材料部分(432u、433u)與下導電接合材料部分(432l、433l)之間歸因於其不規則形狀而未對準。每一對垂直鄰接的第二上導電接合材料部分432u與第二下導電接合材料部分432l合併以形成第二導電接合結構432。每一對垂直鄰接的第三上導電接合材料部分433u與第三下導電接合材料部分433l合併以形成第二導電接合結構433。將每一第二導電接合結構432接合到上覆第二發光裝置10g及下伏第二接合墊422。將每一第三導電接合結構433接合到上覆第二發光裝置10g及下伏第三接合墊423。參考圖35h，以與圖32h的處理步驟相同的方式執行雷射輻射過程以使每一經接合第二發光裝置10g與第二源襯底分離。雷射器477的波長可將比提供到源襯底301g及經轉移裝置(例如，第二發光二極體10g)的材料更多的加熱提供到燒蝕材料層130的材料。可循序地由來自層477的雷射束輻射燒蝕材料層130中上覆第二導電接合結構432的每一部分以使每一下伏第二發光裝置10g分離。參考圖35i，在圖35c的雷射燒蝕過程之後，第二導電接合結構432不附接到第二源襯底301b。可將導電接合結構(431、432、433)的溫度改變成分離溫度，且在分離溫度下遠離背板401及第一發光二極體10b的第一子集拉動第二源襯底301g與經附接第二發光二極體10g的組合件。可將第三導電接合結構433中的每一者劃分成兩部分。具體來說，可將每一第三導電接合結構433劃分成附接到第一發光裝置10b的第三上導電接合材料部分433u及附接到背板401的第三下導電接合材料部分433l。第三上導電接合材料部分433u中的導電接合材料的量與下伏第三下導電接合材料部分433l中的導電接合材料的量的比可取決於分離溫度的選擇而為約1或小於1。參考圖35j，以與圖32j的處理步驟中相同的方式採用虛設襯底700朝向背板401推動第二導電接合結構432上的第二發光二極體10g。圖35f到35j的處理步驟可對應於圖31c中說明的步驟6，其中背板401對應於圖31c中的背板bp1。可執行對應於圖31b中的步驟3及圖31c中的步驟7的處理步驟以採用圖31b及31c中展示的轉移模式(或任何其它模式)將第三發光裝置10r的第一子集及第二子集從第三源襯底r(其可為第三轉移襯底300r或第三類型生長襯底100/500r)轉移到額外背板(例如，圖31b中的bp3及圖31c中的bp4)的接合墊。此類處理步驟可提供第三源襯底r，以全等於背板401上的第一發光二極體10b與第二發光二極體10g的組合模式的模式從第三源襯底r移除第三發光裝置10r的第一子集及第二子集。參考圖35k，在先前處理步驟中已從其移除第三發光裝置10r的第一子集及第二子集的第三源襯底(例如第三轉移襯底301r)定位於處理中第五示範性發光裝置組合件之上，且經對準使得第三發光二極體10r的第三子集上覆第三接合墊423。在對準過程之後，每一第三上導電接合材料部分433u可對準到下伏第三下導電接合材料部分433l。參考圖35l，使背板401及包含第二發光二極體10g的組合件接觸彼此，同時將溫度升高到第三上導電接合材料部分433u及第三下導電接合材料部分433l的材料的回流溫度。同時使溫度斜升並減小第三上導電接合材料部分433u與第三下導電接合材料部分433l之間的分離距離可避免第三上導電接合材料部分433u及第三下導電接合材料部分433l破裂及/或避免第三上導電接合材料部分433u與第三下導電接合材料部分433l之間歸因於其不規則形狀而未對準。每一對垂直鄰接的第三上導電接合材料部分433u與第三下導電接合材料部分433l合併以形成第二導電接合結構433。將每一第三導電接合結構433接合到上覆第二發光裝置10g及下伏第三接合墊423。參考圖35m，以與圖32m的處理步驟中相同的方式執行雷射輻射過程以使每一經接合第三發光裝置10r與第三源襯底分離。參考圖35n，以與圖32n的處理步驟中相同的方式使第三源襯底301r與任何剩餘第三發光二極體10r(如果存在)的組合件與背板401及現附接到背板401的第三發光二極體10r的第三子集分離。任選地，可以與圖32n的處理步驟中相同的方式採用虛設襯底700朝向背板401推動第三導電接合結構433上的第三發光二極體10r。根據本發明的各種實施例，提供一種形成至少一個集成發光裝置組合件的方法。將包括第一源襯底301b及發射第一波長的光的第一發光裝置10b的第一組合件安置在背板401之上。將第一導電接合結構(430b或431)安置在背板401與所述第一組合件之間。通過第一導電接合結構(430b或431)將第一發光裝置10b的第一子集接合到背板401。通過雷射燒蝕上覆第一發光裝置10b的第一子集的材料部分130，使第一發光裝置10b的第一子集從第一源襯底301b脫離。使包括第一源襯底301b與第一發光裝置10b的第二子集的組合件與背板401分離，而第一發光裝置10b的第一子集仍接合到背板401，如圖14、32d、33d、34d及35d中說明。在一個實施例中，提供包括第二源襯底301g及第二發光裝置10g的第二組合件。第二發光裝置10g發射不同於第一波長的第二波長的光。在形成第一圖案(例如圖31b中的第二源襯底g中的圖案或空缺)的空缺位置中不存在第二發光裝置10g。將包括第二源襯底301g及第二發光裝置10g的第二組合件安置在背板401之上。將第二導電接合結構432安置在背板401與第二組合件之間。當將第二組合件安置在背板401之上時，第一圖案的空缺位置上覆第一發光裝置10b中接合到背板402的所有區域，如圖15、16、32f、32g、33f、33g、34f、34g、35f及35g中說明。在一個實施例中，通過第二導電接合結構(430g或432)將第二發光裝置10g的第一子集接合到背板401。通過雷射燒蝕上覆第二發光裝置10g的第一子集的材料部分130使第二發光裝置10g的第一子集從第二源襯底301g脫離。使包括第二源襯底301g及第二發光裝置10g的第二子集的組合件與背板401分離，而第二發光裝置10g的第一子集仍接合到背板401，如圖17、32i、33i、34i及35i中說明。在一個實施例中，提供包括第三源襯底301r及第三發光裝置10r的第三組合件。第三發光裝置10r發射不同於第一波長及第二波長的第三波長的光。在形成第二圖案(例如圖31c中的第三源襯底r之上的空缺位置的圖案)的空缺位置中不存在第三發光裝置10r。將包括第三源襯底301r及第三發光裝置10r的第三組合件安置在背板401之上。將第三導電接合結構(430r或433)安置在背板401與第三組合件之間。在將第三組合件安置在背板401之上時，第二圖案中的空缺位置上覆第一及第二發光裝置(10b、10g)中接合到背板401的所有區域，如圖18、32k、32l、33k、33l、34k、34l、35k及35l中說明。在一個實施例中，通過第三導電接合結構(430r或433)將第三發光裝置10r的第一子集接合到背板401。通過雷射燒蝕上覆第三發光裝置10r的第一子集的材料部分130使第三發光裝置10r的第一子集從第三源襯底301r脫離。使包括第三源襯底301r及第三發光裝置10r的第二子集的組合件與背板401分離，而第三發光裝置10r的第一子集仍接合到背板401，如圖19中或圖32m、33m、34m或35m的處理步驟不久之後的處理步驟中說明。在背板401上提供第一接合墊(420或421)及第二接合墊(420或421)。當將第一組合件安置在背板401之上時，第一導電接合結構(430b或431)上覆第一接合墊(420或421)，且第二導電接合結構(430g或432)上覆第二接合墊(420或422)。在將第一發光裝置10b的第一子集接合到背板401時，將第一導電接合結構(430b或431)接合到第一發光裝置10b的第一子集及第一接合墊(420或421)，如圖12、32b、33b、34b及35b中說明。在一些實施例中，在將第一發光裝置10b的第一子集接合到背板401時，從第二接合墊(420或422)及第一發光裝置10b的第二子集選出的一組結構{(420或422)或10b}不以物理方式接觸第二導電接合結構(430g或432)，如圖13、32b及33b中說明。在一些實施例中，在將第一發光裝置10b的第一子集接合到背板401之前及在將第一發光裝置10b的第一子集接合到背板401時，將第一導電接合結構(430b或431)接合到第一接合墊(420或421)，且將第二導電接合結構(430g或432)接合到第二接合墊(420或422)，如圖11及12中說明且如上文針對第二到第五示範性集成發光裝置組合件解釋。在一些實施例中，在將第一發光裝置10b的第一子集接合到背板401之前及在將第一發光裝置10b的第一子集接合到背板401時，將第一及導電接合結構(430b或431)中的每一者接合到相應第一發光裝置10b，如上文針對第一示範性集成發光裝置組合件解釋且如圖32a、32b、33a、33b、34a、34b、35a及35b中說明。在一些實施例中，當將第一組合件安置在背板之上時，第一發光二極體10b的近面(即，最接近背板401的表面，例如第一發光二極體10b的底表面)在水平平面內，如圖12、32a、32b、33a、33b、34a、34b、35a及35b中說明。在將第一組合件安置在背板401之上時，第一接合墊(420或421)比第二接合墊(420或422)接近水平平面的程度更接近水平平面，如圖12、32a及32b中說明。在一些實施例中，第一接合墊421具有比第二接合墊422更大的厚度，如圖32a到32n中說明。在一些實施例中，當將第一組合件安置在背板401之上時，第一接合墊420的背面與水平平面垂直間隔開比第二接合墊420的背面距水平平面更小的分離距離，如圖12中說明。在一些實施例中，背板401具有階梯式表面，其具有距背板401的平面背面409具有不同分離距離的階梯式表面，且第一接合墊420定位於與第二接合墊420不同的階梯式表面上，如圖9到12中說明。在一些實施例中，第一接合墊421與第二接合墊422具有相同厚度，且第一導電接合結構431具有比形成於其上的第二導電接合結構432更大的高度，如圖33a中說明。在一些實施例中，在將第一發光裝置10b的第一子集接合到背板401時，第二接合墊422及第一發光裝置10b的第二子集以物理方式接觸第二導電接合結構432，如圖34b及35b中說明。在一些實施例中，通過由選擇性地加熱如圖34b中說明的每一第一導電接合結構10b的雷射束進行輻射，將第一導電接合結構431接合到下伏第一接合墊421及上覆第一發光裝置10b。在一些實施例中，當第一發光裝置10b的第一子集接合到背板401時，從第二接合墊422及第一發光裝置10b的第二子集選出的一組結構(422或10b)不接合到第二導電接合結構432。在一些實施例中，通過均勻地加熱第一導電接合結構(430b或431)將第一導電接合結構(430b或431)接合到下伏第一接合墊(420或421)及上覆第一發光裝置10b，如圖12、32b、33b及35b中說明。在一些實施例中，當第一發光裝置10b的第一子集接合到背板401時，第二導電接合結構432接合到第二接合墊422及第一發光裝置10b的第二子集，如圖35b中說明。在此情況中，可將第二導電接合結構432中的每一者分離成兩部分(432u、432l)同時使包括第一源襯底301b及第一發光裝置10b的第二子集的組合件與背板401分離，如圖35d中說明。兩個部分(432u、432l)可包括接合到第二組內的相應第一發光裝置10b的上部432u及結合到相應第二接合墊421的下部432l。在一些實施例中，在圖35b的處理步驟處的回流溫度下，將第一發光裝置10b的第一子集接合到第一接合墊421，且同時將第一發光裝置10b的第二子集接合到第二接合墊422。可在比圖35c的處理步驟處的回流溫度低的溫度下執行雷射燒蝕。在圖35d的處理步驟處，包括第一源襯底301b及第一發光裝置10b的第二子集的組合件在分離溫度下與背板401分離，所述分離溫度可經選擇以在一些情況中不小於回流溫度。在一些實施例中，在包括第一源襯底301b及第一發光裝置10b的第二子集的組合件與背板401分離之後，推動第一發光裝置10b的第一子集使其更接近背板同時使第一導電接合結構回流，如圖27、28、32e、33e、34e及35e中說明。在一些實施例中，在推動第一發光裝置10b的第一子集期間的垂直推動距離可大於第二導電接合結構(430g或432)與從上覆第一發光二極體10b及下伏第二接合墊(420或422)選出的結構之間的間隙之中的最大高度。在第二導電接合結構(430g或432)與上覆第一發光二極體10b之間可存在間隙，如圖12及13中說明，或在第二導電接合結構(430g或432)與下伏第二接合墊(420或422)之間可存在間隙，如圖32b及33b中說明。在一些實施例中，可提供包括另一源襯底(401s或101s)及傳感器裝置10s的額外組合件。在形成另一圖案的空缺位置中不存在傳感器裝置10s，所述圖案可為例如圖31d中的第四源襯底s中的空缺位置的圖案。可將包括額外源襯底(401s或101s)及傳感器裝置10s的額外組合件安置在背板401之上。可將額外導電接合結構420安置在背板401與額外組合件之間，且當額外組合件安置在背板401之上時，額外圖案中的空缺位置上覆第一發光裝置10b(及第二及第三發光裝置(10g、10r)，如果存在)中接合到背板401的所有區域，如圖19中說明。雖然未針對第二到第五集成發光裝置組合件明確描述傳感器裝置10s到背板401的轉移，但應理解，在具有與背板401上的經轉移離散裝置相同的間距的陣列配置中，可反覆地採用相同的裝置轉移方法以轉移任何數目個不同類型的離散裝置。在一個實施例中，可通過額外導電接合結構420將傳感器裝置10s的第一子集接合到背板401。可通過雷射燒蝕上覆傳感器裝置10s的第一子集的材料部分20，使傳感器裝置20s的第一子集從額外源襯底(401s或101s)脫離，如圖20中說明。可使包括額外源襯底(401s或101s)及傳感器裝置10s的第二子集的組合件與背板401分離，而傳感器裝置10的第一子集仍接合到背板401，如圖21中說明。在一些實施例中，通過使雷射束循序地輻射第一子集中的每一第一發光裝置10b，使第一發光裝置10b的第一子集一次一個地從第一源襯底(401b或101b)脫離，如圖13、32c、33c、34c及35c中說明。在背板401上提供第一接合墊(420、421)，且當第一發光裝置10b的第一子集接合到背板401時，第一導電接合結構(430b或431)中的每一者接合到相應第一接合墊(420、421)及第一子集中的相應第一發光裝置10b。在一些實施例中，在將第一發光二極體的第一子集接合到背板401時，第二導電接合結構(430g或432)安置在第一發光裝置10b的第二子集與定位於背板401上的第二接合墊(420、422)之間，且每一第二導電接合結構(430g或432)接合到第二子集內的上覆第一發光裝置10b及下伏第二接合墊(420、422)中的一者，且不以物理方式接觸第二子集內的上覆第一發光裝置10b及下伏第二接合墊(420、422)中的另一者，如圖13、32b及33b中說明。在一些實施例中，背板401在頂側處具備階梯式水平面，如圖9到23及25到29中說明。階梯式水平面可包括定位於第一水平面平面hsp1內的階梯式水平面的第一子集及定位於比階梯式水平面的第一子集接近背板401的平面背面409的程度更接近背板401的平面背面409的第二水平面平面hsp2內的階梯式水平面的第二子集，如圖9中說明。在此情況中，可在階梯式水平面的第一子集處形成第一導電接合結構420，且可在階梯式水平面的第二子集處形成第二導電接合結構420。階梯式水平面可包括定位於比階梯式水平面的第二子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409的第三水平面平面hsp3內的階梯式水平面的第三子集，且可在階梯式水平面的第三子集處形成第三導電接合結構420。在一個實施例中，包括第一源襯底(401b、101b)及第一發光裝置10b的第一組合件可進一步包括釋放層20，其接觸第一源襯底且包括以從紫外範圍、可見範圍及紅外範圍選出的波長吸收光的材料。接合材料層30可接觸釋放層20及第一發光裝置10b。可選擇性地移除釋放層20(其是燒蝕材料層130)中上覆第一發光裝置10b的第一子集的第一部分，而不移除釋放層20中上覆第一發光裝置10b的第二子集的第二部分。在一些實施例中，釋放層20包括氮化矽，雷射波長是紫外波長，且使用雷射束輻射釋放層20的第一部分會燒蝕釋放層20的第一部分。在一些實施例中，第一源襯底可為在其上製造第一發光裝置10b的生長襯底500b的上部530。可通過使生長襯底500b的上部530與生長襯底500b的下部分離來提供第一源襯底101b。在一個實施例中，生長襯底500b可包括iii-v族化合物半導體材料，且可為iii-v族化合物半導體襯底。根據本發明的一些實施例，提供集成發光裝置組合件，其包括在頂側處具有階梯式水平面的背板401。階梯式水平面包括定位於第一水平面平面hsp1內的階梯式水平面的第一子集及及定位於比階梯式水平面的第一子集接近背板401的背面409的程度更接近背板401的背面409的第二水平面平面hsp2內的階梯式水平面的第二子集，如圖9中說明。集成發光裝置組合件可包括上覆背板401的階梯式水平面的導電接合結構430。導電接合結構430包括上覆階梯式水平面的第一子集的第一導電接合結構430b及上覆階梯式水平面的第二子集的第二導電接合結構430g。集成發光裝置組合件可包括接合到導電接合結構430的發光裝置(10b、10g、10r)。發光裝置(10b、10g、10r)可包括發射第一波長的光且上覆階梯式水平面的第一子集的第一發光裝置10b及發射第二波長的光且上覆階梯式水平面的第二子集的第二發光裝置10g。在一些實施例中，包含第一發光裝置10b與第一導電接合結構430b之間的界面的第一水平界面平面比第二發光裝置10g與第二導電接合結構430g之間的第二水平界面平面距第二水平面平面更遠，如圖22、23、24、25及29中說明。在一些實施例中，階梯式水平面進一步包括定位於比階梯式水平面的第二子集更接近背板401的背面409的第三水平面平面hsp3內的階梯式水平面的第三子集，如圖9中說明。導電接合結構430可進一步包括上覆階梯式水平面的第三子集的第三導電接合結構430r。在一些實施例中，發光裝置(10b、10g、10r)進一步包括發射第三波長的光且上覆階梯式水平面的第三子集的第三發光裝置10r。包含第三發光裝置10r與第三導電接合結構430r之間的界面的第三水平界面平面可比第二水平界面平面接近第二水平面平面hsp2的程度更接近第二水平面平面hsp2，如圖22、23、24、25及29中說明。在一些實施例中，第二導電接合結構430g具有比第一導電接合結構430b更大的高度，如圖22、23、24、25及29中說明。在一些實施例中，第三導電接合結構430r具有比第二導電接合結構430g更大的高度，如22、23、24、25及29中說明。在一些實施例中，集成發光裝置組合件可包括通過第四導電接合結構430s接合到背板401的傳感器裝置10s。在一些實施例中，包含第一發光裝置10b的頂表面的第一水平頂平面可比包含第二發光裝置10g的頂表面的第二水平頂平面接近第二水平面平面hsp2的程度更接近第二水平面平面hsp2，如圖22、23、24、25及29中說明。在一些實施例中，發光裝置(10b、10g、10r)進一步包括發射第三波長的光且上覆階梯式水平面的第三子集的第三發光裝置10r。包含第三發光裝置10r的頂表面的第三水平頂平面可比第二水平頂平面距第二水平面平面距第二水平面平面更遠，如圖22、23、24、25及29中說明。在一些實施例中，第二發光裝置10g可具有比第一發光裝置10g更大的高度，如圖22、23、24、25及29中說明。在一些實施例中，第三發光裝置10r可具有比第二發光裝置10g更大的高度。在一些實施例中，可將發光裝置(10b、10g、10r)布置於周期陣列中，其中相鄰發光裝置沿著水平方向的中心到中心距離是單位距離的整數倍。根據本發明的一些實施例，提供包括接合到背板401的第一發光裝置10b及第二發光裝置10g的集成發光裝置組合件。每一第一發光裝置10b以第一波長發射光，且每一第二發光裝置10g以不同於第一波長的第二波長發射光。每一第一發光裝置10b通過包含第一接合墊(420或421)及第一導電接合結構(430b或431)的第一堆疊接合到背板401。每一第二發光裝置10g通過包含第二接合墊(420或422)及第二導電接合結構(430g或432)的第二堆疊接合到背板401。包含第一接合墊(420或421)與第一導電接合結構(430b或431)之間的第一界面的第一平面從包含第二接合墊(420或422)與第二導電接合結構(430g或432)之間的第二界面的第二平面垂直偏移，如圖22、23、24、25、29及32中說明。在一些實施例中，第一發光裝置10b及第二發光裝置10g的遠端面(即，頂表面)可在與圖32n中說明的第一及第二平面間隔開且平行於第一及第二平面的相同平面內。在一些實施例中，第一接合墊421可具有第一厚度，且第二接合墊422可具有小於第一厚度的第二厚度，如圖32n中說明。在一些實施例中，第一接合墊420及第二接合墊420可具有相同厚度且可定位於階梯式表面上。第一接合墊420的底表面定位於階梯式表面的第一子集上，且第二接合墊420的底表面定位於從階梯式表面的第一子集垂直偏移的階梯式表面的第二子集上，如圖22、23、24、25及29中說明。在一些實施例中，第一導電接合結構432具有第一高度，且第二導電接合結構432具有小於第一高度的第二高度，如圖32n中說明。導電接合結構(431、432、433)中的每一者可在形成之後(例如，在圖32a的處理步驟處)形成有相同體積，且第一導電接合結構431及第二導電接合結構432中的每一者可具有相同體積。第一導電接合結構431及第二導電接合結構432可具有相同材料組成。在一些實施例中，第一接合墊421可具有第一厚度，第二接合墊422可具有第二厚度，且第一導電接合結構431的第一厚度與第一高度的和可與第二接合結構432的第二厚度與第二高度的和相同，如圖32n中說明。在一些實施例中，第三發光裝置10r可接合到背板401。每一第三發光裝置10r以不同於第一波長及第二波長的第三波長發射光。每一第三發光裝置10r可通過包含第三接合墊423及第三導電接合結構433的第三堆疊接合到背板401。包含第三接合墊423與第三導電接合結構433之間的第三界面的第三平面可從第一平面及第二平面垂直偏移。根據本發明的一些實施例，提供包括接合到背板401的第一發光裝置10b及第二發光裝置10g的集成發光裝置組合件。每一第一發光裝置10b以第一波長發射光，且每一第二發光裝置10g以不同於第一波長的第二波長發射光。每一第一發光裝置10b可通過包含第一接合墊421及第一導電接合結構431的第一堆疊接合到背板401，且每一第二發光裝置10g可通過包含第二接合墊422及第二導電接合結構432的第二堆疊接合到背板401。第一導電接合結構431與第二導電接合結構432可具有相同高度。第一導電接合結構431中的每一者可具有第一體積，且第二導電接合結構432中的每一者可具有小於第一體積的第二體積，如圖33n中說明。第一導電接合結構431、第二導電接合結構432與第三導電接合結構433可具有與圖33a的處理步驟處形成的體積不同的體積。舉例來說，第一導電接合結構431的體積可大於第二導電接合結構432的體積，且第二導電接合結構432的體積可大於第三導電接合結構433的體積。導電接合結構(431、432、433)可具有與圖33a的處理步驟處所形成的近似相同的橫向範圍及不同的垂直範圍。在一些實施例中，第一發光裝置10b及第二發光裝置10g的遠端面(即，頂表面)可在相同水平平面內，所述平面與背板401的頂表面及背板401的背面409間隔開且平行於背板401的頂表面及背板401的背面409。在一些實施例中，第一接合墊421與第二接合墊422可具有與圖33n中所說明的相同的厚度。在一些實施例中，第一接合墊421及第二接合墊422的底表面可定位於包含背板401的頂表面的相同平面內。在一些實施例中，第一導電接合結構421與第二導電接合結構422可具有相同的材料組成。在一些實施例中，可將第三發光裝置10r接合到背板401。每一第三發光裝置10r以不同於第一波長及第二波長的第三波長發射光。每一第三發光裝置10r可通過包含第三接合墊423及第三導電接合結構433的第三堆疊接合到背板401。第一導電接合結構431、第二導電接合結構432與第三導電接合結構433可具有相同的高度，且第三導電接合結構433中的每一者可具有小於第二體積的第三體積。根據本發明的一方面，可圍繞低熔點金屬、共晶體及快速擴散反應設計用於熱敏工藝的超低溫度接合。組合分離接合墊組合物導致稱為選擇性裸片接合的過程。雖然描述了採用包含銦(in)、錫(sn)及碲(te)三種材料的組合物的本發明，但可結合對應接合墊冶金術採用從下文表1選出的且具有不同熔融溫度的任何多種材料的組合物作為一組焊接材料以實現在多個階段中循序地接合裸片(裝置)。此外，可採用多種類型的接合材料實施本發明的特徵。三個實施例包含：完全可逆的純金屬鍵；部分可逆共晶反應；及幾乎不可逆低溫擴散反應。將具有in(熔點156℃)、sn(熔點232℃)及te(熔點449℃)的完全可逆的純金屬鍵沉積在待接合的裝置的一個側或兩個側上。可多次重新熔融且重新加工接合界面。必須將每一金屬沉積於適當擴散屏障及與下伏裝置或襯底一致的粘合層的頂部上。舉例來說，可在pt/ti/cr上採用sn。層的厚度可從10nm到數微米變化。熔融焊料的橫向流動由接合條件、接合墊幾何形狀、潤溼層設計及熱壓縮接合參數控制。部分可逆的共晶反應是鍵，其中合金系統包含相位圖(例如，cu-sn)系統中的一系列級聯共晶反應或具有經延長兩相液體加鄰接共晶點的固相區域。這些鍵在接合界面的組成經設計使得兩種合金組分的混合(擴散)增加合金的溫度但仍含有純組分及具有低熔點的固溶體時是部分可逆的。反應是部分可逆的，這是因為經反應合金將形成在低溫下不會重新熔融的金屬間化合物。此類型的裸片接合方法還可在金屬層的厚度經設計以導致將低熔點材料完全消耗成更高穩定性的金屬間化合物時導致永久接合。這些系統通常將允許至少一個重新熔融及重新接合序列及多達四個或四個以上的序列(au-sn)。將在稍微高於最低熔點組分的熔點下完成第一接合。重新加工溫度將比第一接合溫度高大約10℃到15℃。隨著在合金形成中消耗掉越來越多的更高溫組分，重新接合/重新加工溫度將升提高。必須將每一金屬沉積在適當擴散屏障及與下伏裝置或襯底一致的粘合層的頂部上。舉例來說，可在pt/ti/cr上採用sn。層的厚度可從10nm到數微米變化。熔融焊料的橫向流動由接合條件、接合墊幾何形狀、溼潤層設計及熱壓縮接合參數控制。幾乎不可逆的低溫擴散反應是系統，其中有可能因為快速擴散過程及穩定的高溫化合物的形成而僅可重新加工接合接點僅僅一次。反應較快，但可結合快速熱過程使用以抑制化合物形成，且允許剩餘低溫固溶體的熔融。必須將每一金屬沉積於適當擴散屏障及與下伏裝置或襯底一致的粘合層的頂部上。舉例來說，可在pt/ti/cr上採用sn。層的厚度可從10nm到數微米變化。熔融焊料的橫向流動由接合條件、接合墊幾何形狀、溼潤層設計及熱壓縮接合參數控制。示範性系統包含(但不限於)具有低於450℃的反應溫度、已展示為部分或完全可逆的系統。純金屬完全可逆系統是in-in、sn-sn及te-te。完全及部分可逆的鍵包含in、sn或te中的一或多者。對於基於錫的接點，最著名的實例是in-sn、cu-sn、au-sn、ag-sn、al-sn、pd-sn、ge-sn、ni-sn。對於基於銦的接點，最顯著的系統是in-sn、ag-in、au-in、cu-in、in-pt、in-pd。所關注碲系統是in-te、sn-te、ag、te、cu-te及ge-te。在經接合系統的選擇區域中，組合這些基礎低溫反應允許選擇性地轉移經混合技術或裸片類型。襯底可具備不同類型的焊接材料。在一個實施例中，可將焊接材料體現為上文描述的導電接合結構(430、431、432、433)。替代地，如果接合方案採用直接接合墊到接合墊接合，那麼上文描述的接合墊(420、421、422、423)可包含焊接材料。舉例來說，如果支撐襯底由in、sn及te的接合墊組成且配合部件具有銅接合墊，那麼可使用以下序列僅在in、sn或te位置處選擇性地接合部件。首先，以與cu具有第一共晶點(其是三種共晶點之中的最低共晶點)的第一材料(例如，in)開始，可將襯底加熱到剛好超過第一共晶點(例如，針對in-cu系統的情況為156℃)，且所述襯底由第一含cu墊裸片(即，包含銅接合墊的第一裝置10b)接觸。此將形成共晶合金，且取決於第一含cu墊裸片保持接觸的時間長度及溫度，接點將形成穩定的金屬間化合物，其在後續重新加熱過程期間將不會重新熔融直到超過310℃。具有sn或te的其它位置將不會在此低溫下與cu材料顯著反應。其次，可通過放置第二含cu墊裸片及將經接觸部件的溫度升高到剛好超過第二材料(例如，sn)與cu的第二共晶點，將第二含cu墊裸片，即，包含銅接合墊的第二裝置10g，接合到襯底。第二共晶點高於第一共晶點，且低於第三材料與cu的第三共晶點。假如sn是第二材料，那麼第二共晶溫度是186℃。可將襯底加熱到剛好超過第二共晶點，且所述襯底可由第二含cu墊裸片(即，第二裝置10g的銅接合墊)接觸。此將形成共晶合金，且取決於第二含cu墊裸片保持接觸的時間長度及溫度，接點將形成將在後續重新加熱過程期間不會重新熔融直到超過340℃的穩定的金屬間化合物。金屬間化合物使接點穩定。最後，可通過放置第三含cu墊裸片及將經接觸部件的溫度升高到剛好超過第三材料(例如，te)與cu的第三共晶點，將第三含cu墊裸片，即，包含銅接合墊的第三裝置10r，接合到襯底。如果第三材料是te，那麼第三共晶溫度是約340℃。提供額外接合方案，其中襯底(例如背板401)及裸片(其可為裝置中的任何者)具有交錯反應溫度的多種經組合冶金術。舉例來說，襯底可含有具有in、sn及te接合墊的位點。可在144℃下將具有至少一個au接合墊的第一裸片(例如第一發光裝置10b)接合到in位點，可在186℃到227℃下將具有至少一個cu接合墊的第二裸片(例如第二發光裝置10g)接合到sn位點，且可在295℃到353℃下將具有至少一個ag接合墊的第三裸片(例如第三發光裝置10r)接合到te位點。許多組合物是可能的，且各種類型的接合墊的層的厚度可經調整，使得在每一選擇性裸片附接階段處，存在足夠的剩餘in、sn或te以實現個別鍵的重新熔融及重新加工。可結合上文描述的裸片(裝置)轉移方法中的任何者採用採用具有與常用接合墊材料(例如cu、au、ag、sn或in)不同的共晶溫度的多種類型的焊接材料的各種方法。表1列舉了所關注冶金系統及初始選擇性裸片附接的最低接合溫度。表1：可採用以提供具有針對本發明的各種接合方案的不同共晶溫度的一組共晶系統的示範性共晶系統及相應共晶溫度。二元合金系統最低接合溫度(℃)au-pd100in-sn120ag-in144au-in153cu-in153in-pt154in-pd156in-te156cu-sn186sn-zn199au-sn217ag-sn221al-sn228sn-te228pd-sn230ge-sn231ni-sn231sn-ti231cr-sn232nb-sn232sn-sn232au-cu240cu-ni250ag-te295cu-te340al-cr350au-ge360au-si363ge-te365cu-pd400cu-pt418根據本發明的一方面，提供任選地具有階梯式水平面及任選地嵌入金屬互連結構的背板。第一導電接合結構形成於第一階梯式水平面上。第一轉移襯底上的第一發光裝置安置在第一導電接合結構上，且第一發光裝置的第一子集接合到第一導電接合結構。可採用雷射輻射以選擇性地使第一發光裝置的第一子集從第一轉移襯底斷開，而第一發光裝置的第二子集仍附接到第一轉移襯底。可採用相同方法將每一額外轉移襯底上的額外裝置接合到背板上的額外導電接合結構，條件是在將與接合位置處的背板上預先存在的第一發光裝置或裝置重疊的位置中不存在所述額外裝置。根據本發明的另一方面，可直接或通過轉移襯底將不同類型的離散裝置從多個生長襯底轉移到多個背板。可採用多步轉移序列防止離散裝置碰撞。可在每一轉移步驟處，將裝置的子集從所選擇的源襯底轉移到所選擇的背板。可採用接合過程與雷射燒蝕過程的組合以轉移離散裝置。可通過採用在先前經附接裝置與待轉移的裝置之間提供差值高度的方案避免源襯底與背板上先前經附接裝置之間的碰撞。可採用背板上的階梯式水平面、具有不同厚度的接合墊及/或具有不同高度的導電接合結構以提供差值高度。也可採用虛設襯底以將先前經接合裝置推動到更接近背板。根據本發明的又一方面，提供任選地具有階梯式水平面且任選地嵌入金屬互連結構的背板。第一導電接合結構形成於第一階梯式水平面上。第一轉移襯底上的第一發光裝置安置在第一導電接合結構上，且第一發光裝置的第一子集接合到第一導電接合結構。可採用雷射輻射以選擇性地使第一發光裝置的第一子集從第一轉移襯底斷開，而第一發光裝置的第二子集仍接合到第一轉移襯底。可採用相同方法將每一額外轉移襯底上的額外裝置接合到背板上的額外導電接合結構，條件是在將與接合位置處的背板上預先存在的第一發光裝置或裝置的位置中不存在所述額外裝置。根據本發明的又一方面，可直接或通過轉移襯底將不同類型的離散裝置從多個生長襯底轉移到多個背板。可採用多步轉移序列防止離散裝置的碰撞。可在每一轉移步驟處將裝置的子集從所選擇的源襯底轉移到所選擇的背板。可採用接合過程與雷射燒蝕過程的組合以轉移離散裝置。可通過採用在先前經附接裝置與待轉移的裝置之間提供差值高度的方案避免源襯底與背板上的先前經附接裝置之間的碰撞。可採用背板上的階梯式水平面、具有不同厚度的接合墊及/或具有不同高度的導電接合結構以提供差值高度。也可採用虛設襯底以將先前經接合裝置推動到更接近背板。根據本發明的再一方面，可直接或通過轉移襯底將不同類型的離散裝置從多個生長襯底轉移到多個背板。可採用多步轉移序列防止離散裝置的碰撞。可在每一轉移步驟處將裝置的子集從所選擇的源襯底轉移到所選擇的背板。可採用接合過程與雷射燒蝕過程的組合以轉移離散裝置。可採用具有不同共晶溫度的多種類型的焊接材料以實現不同類型的離散裝置的循序接合，而不會誘發先前經接合裝置的塌陷。儘管前述內容參考特定優選實施例，但應理解，本發明並非如此受限。所屬領域的一般技術人員應想到，可對所揭示的實施例做出各種修改，且此類修改希望是在本發明的範圍內。在本發明中說明採用特定結構及/或配置的實施例的情況中，應理解，可使用任何其它兼容結構及/或功能等效的配置實踐本發明，條件是未明確禁止此類替代或所屬領域的一般技術人員另外知曉此類替代並非不可能。當前第1頁12