判定輝光放電裝置中電弧的方法及高頻電弧放電抑制裝置的製作方法
2023-06-15 06:38:21
專利名稱：判定輝光放電裝置中電弧的方法及高頻電弧放電抑制裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種電弧檢測方法以及控制高頻電弧放電的裝置，可在不中斷高頻濺射裝置或高頻刻蝕裝置中的輝光放電的情況下控制電弧放電。
背景技術：
例如，在濺射裝置中，要在預定空間內獲得輝光放電。尤其為了在絕緣體上實施濺射，就要由高頻電源為裝置供應電功率。在高頻濺射過程中，輝光放電會突然變成電弧放電，於是會不可避免地損壞樣品。一般而言，電功率越大，就越可能發生電弧放電。即，隨著增大功率以提高濺射速度，即使在很少發生電弧的區域，一旦產生了電弧，該電弧也不會迅速消失。隨著功率進一步增加，電弧就留在該區域內，並且不會消失。
控制電弧放電的裝置是公知的，該裝置被設計成在檢測到輝光放電已變成電弧放電時，能中斷電力供應200μs。
但是，當這種類型的裝置中斷電力供應200μs時，不僅電弧放電中止，而且輝光放電也會中止，這就是個問題。
電弧放電控制裝置是已知的，僅在檢測到輝光放電已變成電弧放電時中斷電力供應5μs。該裝置示於圖5中，並在日本專利申請KOKAI公開2000-133412中公開。
下面參照圖5對該裝置進行描述。如圖5所描繪的，設置了一個高頻電源PS，能輸出13.56MHz的高頻電壓。高頻電源PS通過同軸電纜、功率表CM、同軸電纜、以及阻抗匹配電路IM和DC-切斷Cc與靶T和腔室CH相連。於是，由高頻電源PS供應電力，並將電壓施加在靶T和腔室CH之間。圖5中的「GD」是輝光-放電裝置。
與從功率表CM採集行波電壓Vf和反射波電壓Vr不同的是，反射波電壓Vr和行波電壓Vf分別輸入放大器1和2。此外，們還分別通過差分電路3和4輸入比較器5。當值dVr/dt-dVf/dt達到由電平設定單元6設定的第一電平(例如它是0.2或更高)時，比較器5向單-多電路M/M輸出H-電平信號。單-多電路M/M一接到H-電平信號，就向高頻電源PS輸出電弧-切斷脈衝。要指出的是，電弧切斷脈衝有預定長度T1，例如它是5μs。
更準確地說，當反射波電壓Vr增大到圖4A點a處所示的峰值時，單-多電路(mono-multi circuit)M/M向高頻電源PS提供圖4B所示的電弧切斷脈衝。高頻電源PS不可避免地要中斷施加在靶T和腔室CH之間的電壓。結果，即使反射波電壓Vr象圖4B中點b處所示的那樣變化，也檢不到電弧放電。這是因為值dVr/dt-dVf/dt未超過第一電平。由於電弧持續存在，雖然電壓Vr維持在一定電平，也檢不到電弧放電。也就是說，只要反射波電壓Vr和行波電壓Vf都處在某一電平，比較器5的輸出就是值0。該情況下，dVr/dt-dVf/dt升不到第一電平以上，也就不可能檢測到電弧放電。
發明公開本發明的目的是提供一種電弧的檢測方法和用於控制高頻電弧的裝置，可在不終止輝光放電的情況下控制電弧放電。
依照本發明的一個方面，提供了一種檢測具有高頻電源的輝光放電裝置中的電弧放電的方法。
在該方法中，當dVr/dt-dVf/dt增加到第一電平以上時，向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1，以切斷輝光放電裝置的電力供應，其中Vf和Vr分別是施加給輝光放電裝置的行波電壓和反射波電壓。當在終止輝光放電裝置的電力供應之後的預定時間內Vr/Vf增加到第二電平或者更高的電平時，就確定輝光放電裝置內已產生了電弧放電。
於是，本發明的一個方面能提供一種檢測電弧放電的方法，該方法能在不用終止輝光放電的情況下控制電弧放電。
圖1是表示依照本發明第一實施例的高頻電弧放電控制裝置的圖解；圖2是表示依照本發明第二實施例的高頻電弧放電控制裝置的圖解；圖3是表示依照本發明第三實施例的高頻電弧放電控制裝置的圖解；圖4A和4B是說明傳統裝置的操作和本發明裝置的操作的時序圖；及圖5是表示用於控制高頻電弧放電的傳統裝置的圖解。
最佳實施方式參照圖1描述本發明的第一實施例。圖1中，與圖5所示部件相同的部件用相同的參考數字來表示。
在第一實施例中，高頻電源PS通過同軸電纜、功率表CM、同軸電纜、阻抗匹配電路IM和DC-切斷電容Cc與靶T和腔室CH相連。由此由高頻電源PS供應電力，並在靶T和腔室CH之間施加電壓。要指出的是，圖5中的「GD」是輝光-放電裝置。
只要輝光-放電裝置GD中輝光放電持續進行，高頻電源PS就向輝光放電裝置供應電力，從而使得反射波和行波功率分別為最小和最大。這樣，反射波功率和行波功率都不會劇烈變化。當輝光放電裝置GD中產生電弧放電時，反射波功率會突然增加。根據反射波功率的急劇增加，就能檢測到輝光放電裝置GD中產生了電弧放電。
當裝置GD中產生了電弧放電時，行波功率降低，而反射波功率急劇增加。根據反射波功率的急劇增加，就能檢測出裝置GD中的放電已由輝光放電變為電弧放電。
功率表GM分別向放大器1和2提供反射波電壓Vr和行波電壓Vf，而不是提供反射波功率和行波功率。反射波電壓Vr通過差動電路3提供給比較器5。類似地，行波電壓Vf通過差動電路4提供給比較器5。這是因為，當輝光放電裝置GD中發生電弧放電時，反射波電壓Vr會以與反射波功率相同的方式增加，行波電壓Vf以與行波功率相同的方式減小。比較器5以及與比較器5相連的電路構成第一切斷-脈衝輸出單元。
設置一個電平-設定單元6，設定一個0.2的值、即第一電平。當值dVr/dt-dVf/dt增大到0.2(第一電平)以上時，比較器5就通過0R電路11向單-多電路M/M輸出H-電平信號。電平-設定單元6響應該H-電平信號，向高頻電源PS輸出電弧-切斷脈衝(切斷脈衝)ACP。電弧-切斷脈衝ACP持續預定時間T1，例如5μs。
從放大器1輸出的反射波電壓Vr施加給比較器12的正(+)輸入端子。從放大器2輸出的行波電壓Vf施加給分壓電阻r1，該電阻輸出的電壓是輸入電壓的一半，即Vf/2。電壓Vf/2施加到比較器12的負(-)輸入端子上。
當反射波電壓Vr升高到Vf/2以上、即行波電壓Vf的一半以上時，比較器12就測出輝光放電裝置GD中發生了電弧放電。當Vr/Vf變得大於0.5，或者超過了第二電平(Vr/Vf＞0.5)時，比較器12輸出高-電平信號。
比較器12的這個輸出藉助計時電路13輸入施密特觸發器電路14中。計時電路13包括電阻r2和電容c1，一測到時間T2，該計時電路就會重置。例如，計時電路13中預設的時間T2為1μs。
施密特觸發器電路14的輸出輸入到AND電路15的一個輸入端子中。
從放大器2輸出的行波電壓Vf施加到比較器16的正(+)輸入端子上。施加到比較器16的負(-)輸入端子上的是0.5v的電壓，該電壓是行波電壓Vf能擁有的最大值Vfmax(＝10v)的0.05倍。
當Vf高於0.5v(Vf＞0.5)時，比較器16向AND電路15的一個輸入端子輸出H-電平信號。「Vf＞0.5V」意味著高頻電源PS正在供應電力。
單-多電路M/M的輸出與計時電路17相連，該計時電路又順次接地。如圖1所示，計時電路17包括電容c2和電阻r3。電容c2的一端接地。電容器c2的另一端與施密特觸發器電路18相連，該施密特觸發器電路又與AND電路15的一個輸入端子相連。自電弧切斷脈衝ACP的前沿開始，一旦經過時間To(例如20μs)，計時電路17就打開AND電路15的門電路。AND電路15的輸出輸入到OR電路11的一個輸入端子上。在圖1中，那個虛線方框內示出的部件構成了電弧檢測電路A。要指出的是，AND電路15和連接AND電路15的輸入端子的部件構成了第二切斷-脈衝輸出單元。
下面描述本發明的第一實施例是如何工作的。
當輝光放電裝置GD中的輝光放電變為電弧放電時，如圖4A中的a點處所示，行波電壓Vf降低，而反射波電壓Vr升高。於是，自比較器5輸出H-電平信號時的時間t1開始，單-多電路M/M向高頻單元PS輸出電弧-切斷脈衝ACP時間T1。結果，高頻單元PS停止電力供應時間T1。
一旦經過了時間T1，電源PS又開始供電。當比較器16的輸出信號升高到H電平時，檢測供電的起點。
自時間T1結束(即電弧切斷-脈衝ACP的後沿)開始，計時電路17維持AND電路15的打開狀態達時間To。
當反射波電壓Vr升高到0.5V以上(參見圖4A中的c點處)，比較器12的輸出升到H電平。在經過了時間T2或者當計時電路13(自比較器12的輸出升高開始一直在測量時間)重置時，施密特觸發器電路14輸出H-電平信號。基於此，AND電路15產生這些輸入的邏輯乘積。換句話說，AND電路15輸出H-電平信號。該H-電平信號通過OR電路11提供給單-多電路M/M。再次向高頻電源PS輸出電弧切斷脈衝ACP。於是，讓電力供應中斷時間T1。
這樣，再次輸出電弧-切斷脈衝ACP。在經過時間To之前檢測有效放電，所述時間To始自電弧-切斷脈衝ACP的後沿。該情況下，AND門電路15產生這三個輸入的邏輯乘積，藉此單-多電路M/M輸出電弧-切斷脈衝ACP。
該電弧-切斷脈衝ACP提供給電源PS，直到輝光-放電裝置GD中的電弧放電終止。
在本發明的第一實施例中，監測比較器5的輸出。於是，即使在檢測到輝光放電裝置GD內已發出了電弧放電之後，也要確定AND電路15是否產生邏輯乘積。這樣，單-多電路M/M持續輸出電弧切斷-脈衝ACP，直到電弧放電停止。也就是說，這能可靠地消除電弧放電。
參照圖2描述本發明的第二實施例。在圖2中，與圖1所示部件相同的部件用相同的參考數字表示，因此就不再對它作詳細描述了。
圖2是依照第二實施例提供的電弧檢測電路的電路圖，與圖1所示的電弧檢測電路A不同。要指出的是，比較器12和16的輸入與圖1電弧檢測電路A的完全相同。
圖2所示的電路具有能檢測已實現匹配的比較器21。
比較器21的正(+)輸入端子通過分壓電阻r4接收從放大器2輸出的行波電壓Vf的十分之一(1/10)。也就是說，當Vr/Vf變得小於0.1(第三電平)(Vr/Vf＜0.1，由此判定已實現了匹配)時，比較器21輸出H-電平信號。
比較器16和21的輸出輸入AND電路22。AND電路22的輸出輸入S-R觸發器23的S端子。於是，在AND電路22產生比較器16和21的輸出電平的邏輯乘積時，設定S-R觸發器23。
S-R觸發器23的輸出輸入到AND電路24的一個輸入端子上。要指出的是，比較器16的輸出和施密特觸發器電路14的輸出輸入到AND電路14的一個輸入端子中。
AND電路24的輸出輸入單-多電路M/M。單-多電路M/M向高頻電源PS輸出電弧-切斷脈衝ACP。
下面描述上面描述的第二實施例如何操作。
在第二實施例中，S-R觸發器23存儲表示已實現匹配的數據。於是就不再需要圖1中方框D內所示的那種差分電路了。
第二實施例的其它操作(即，在產生比較器16和21的輸出電平的邏輯乘積時輸出電弧切斷脈衝ACP)與上述第一實施例的相同。
參照圖3描述本發明的第三實施例。圖3中與圖2所示部件相同的部件用相同的參考數字表示，在此就不對它們作詳細描述了。圖3的電路具有計時電路25和施密特電路26，串連接在與圖2所示相同的AND電路22和24之間。計時電路25包括電阻r5和電容c3。
在第三實施例中，當匹配緩慢偏移、從而使Vr/Vf大於0.5(Vr/Vf＞0.5)時，沒有電弧-切斷脈衝ACP輸出。這是因為，包括電阻r5和電容c3的計時電路25以及施密特電路26串連接在AND電路22和24之間。
雖然第一和第二實施例中不能免除一測到時間T2就會重置的計時電路13，但在第三實施例中卻可以不用。
上面提到的預置時間To是5到100μs。時間T1是2到10μs，時間T2是0.5到5μs。第一電平範圍從Vmax*0.05到Vmax*0.2。第二電平範圍從0.5到0.95。第三電平範圍從0.05到0.5。優選的是，第一電平、第二電平以及第三電平分別是Vmax*0.2、0.5和0.1。
此外，可將Vf＞Vmax*0.05作為產生代表電弧放電的邏輯乘積的附加條件。
工業應用性因而，本發明能夠提供一種檢測電弧的方法和用於控制高頻電弧的裝置，可在不終止輝光放電的情況下控制電弧放電。
權利要求
1.一種檢測輝光放電裝置中的電弧放電的方法，所述輝光放電裝置具有高頻電源，其中，當dVr/dt-dVf/dt增加到第一電平以上時，向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1，以終止輝光放電裝置的電力供應，其中Vf和Vr分別是施加給輝光放電裝置的行波電壓和反射波電壓；當在輝光放電裝置的電力供應停止之後的預定時間To內Vr/Vf增加到第二電平或更高電平時，就判定在輝光放電裝置內已經產生了電弧放電。
2.一種檢測輝光放電裝置中的電弧放電的方法，所述輝光放電裝置具有高頻電源，其中，當dVr/dt-dVf/dt增加到第一電平以上時，向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1，以終止輝光放電裝置的電力供應，其中Vf和Vr分別是施加給輝光放電裝置的行波電壓和反射波電壓；當在輝光放電裝置的電力供應停止之後的預定時間To內Vr/Vf增加到第二電平或更高電平時，判定在輝光放電裝置內已經發生了電弧放電；以及在檢測到電弧放電後，進一步終止輝光放電裝置的電力供應時間T1。
3.一種檢測輝光放電裝置中的電弧放電的方法，所述輝光放電裝置具有高頻電源，其中，當dVr/dt-dVf/dt增加到第一電平以上時，向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1，以終止輝光放電裝置的電力供應，其中Vf和Vr分別是施加給輝光放電裝置的行波電壓和反射波電壓；當在輝光放電裝置的電力供應停止之後的預定時間To內Vr/Vf增加到第二電平或更高電平、而Vf變得大於Vfmax×0.05時，就判定在輝光放電裝置內已經發生了電弧放電。
4.一種檢測輝光放電裝置中的電弧放電的方法，所述輝光放電裝置具有高頻電源，其中，當dVr/dt-dVf/dt增加到第一電平以上時，向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1，以中斷輝光放電裝置的電力供應，其中Vf和Vr分別是施加給輝光放電裝置的行波電壓和反射波電壓；當在輝光放電裝置的電力供應停止之後的預定時間To內Vr/Vf增加到第二電平或更高電平、而Vf變得大於Vfmax×0.05時，就判定在輝光放電裝置內已發生了電弧放電；以及，在檢測到電弧放電後，進一步終止輝光放電裝置的電力供應時間T1。
5.根據權利要求1到4中任一項所述的電弧放電檢測方法，其中第一電平範圍為Vmax*0.05到Vmax*0.2，第二電平範圍為0.5到0.95。
6.根據權利要求1到4中任一項所述的電弧放電檢測方法，其中當Vr/Vf保持第二電平或更高電平達時間T2或更長時間時，就判定已經發生了電弧放電。
7.根據權利要求6所述的電弧放電檢測方法，其中第一電平範圍為Vmax*0.05到Vmax*0.2，第二電平範圍為0.5到0.95。
8.根據權利要求1到4中任一項所述的電弧放電檢測方法，其中預定時間To是從切斷脈衝的後沿處開始測量。
9.根據權利要求6所述的電弧放電檢測方法，其中預定時間To是從切斷脈衝的後沿處開始測量。
10.一種檢測輝光放電裝置中的電弧放電的方法，所述輝光放電裝置具有高頻電源，其中，當Vr/Vf處在第三電平或更低電平時，為輝光放電裝置確定經歷阻抗匹配的負載，其中Vf和Vr分別是施加給輝光放電裝置的行波電壓和反射波電壓；以及此後當Vr/Vf增加到第二電平或更高電平時，判定在輝光放電裝置中已經發生了電弧放電。
11.一種檢測輝光放電裝置中的電弧放電的方法，所述輝光放電裝置具有高頻電源，其中，當Vr/Vf處在第三電平或更低的電平時，為輝光放電裝置確定經歷阻抗匹配的負載，其中Vf和Vr分別是施加給輝光放電裝置的行波電壓和反射波電壓；以及此後當Vr/Vf增加到第二電平或更高電平時，判定在輝光放電裝置中已經發生了電弧放電；在檢測到電弧放電之後，終止高頻電壓的電力供應時間T1。
12.一種檢測輝光放電裝置中的電弧放電的方法，所述輝光放電裝置具有高頻電源，其中，當Vr/Vf處在第三電平或更低的電平時，為輝光放電裝置確定經歷阻抗匹配的負載，其中Vf和Vr分別是施加給輝光放電裝置的行波電壓和反射波電壓；以及此後當Vr/Vf增加到第二電平或更高電平、而Vf大於Vfmax×0.05時，判定在輝光放電裝置中已經發生了電弧放電。
13.一種檢測輝光放電裝置中的電弧放電的方法，所述輝光放電裝置具有高頻電源，其中，當Vr/Vf處在第三電平或更低的電平時，為輝光放電裝置確定經歷阻抗匹配的負載，其中Vf和Vr分別是施加給輝光放電裝置的行波電壓和反射波電壓；以及此後當Vr/Vf增加到第二電平或更高電平、而Vf大於Vfmax×0.05時，就判定在輝光放電裝置中已經發生了電弧放電；以及，在檢測到電弧放電之後，終止高頻電壓的電力供應時間T1。
14.根據權利要求10到13中任一項所述的電弧放電檢測方法，其中第二電平範圍從0.5到0.95，第三電平範圍從0.05到0.5。
15.一種高頻電弧放電控制裝置，包括輝光-放電裝置，通過功率表和阻抗匹配電路從高頻電源接收電力；第一切斷-脈衝輸出單元，當dVr/dt-dVf/dt增加到第一電平以上時，向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1，其中Vf和Vr分別是由功率表施加的行波電壓和反射波電壓；以及第二切斷-脈衝輸出單元，當在第一切斷-脈衝輸出單元輸出切斷脈衝之後的預定時間To內Vr/Vf增加到第二電平以上時，再次向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1。
16.一種高頻電弧放電控制裝置，包括輝光-放電裝置，通過功率表和阻抗匹配電路從高頻電源接收電力；第一切斷-脈衝輸出單元，當dVr/dt-dVf/dt增加到第一電平以上時，向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1，其中Vf和Vr分別是由功率表施加的行波電壓和反射波電壓；以及第二切斷-脈衝輸出單元，當在第一切斷-脈衝輸出單元輸出切斷脈衝之後的預定時間To內Vr/Vf增加到第二電平以上時，再次向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1，並當在向高頻電源輸出切斷脈衝之後的預定時間To內Vr/Vf增加到第二電平以上時，再次向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1。
17.一種高頻電弧放電控制裝置，包括輝光-放電裝置，通過功率表和阻抗匹配電路從高頻電源接收電力；第一切斷-脈衝輸出單元，當dVr/dt-dVf/dt增加到第一電平以上時，向高頻電源輸出切斷脈衝，其中Vf和Vr分別是由功率表施加的行波電壓和反射波電壓；以及第二切斷-脈衝輸出單元，當在第一切斷-脈衝輸出單元輸出切斷脈衝之後的預定時間To內Vr/Vf增加到第二電平以上、而Vf變得大於Vfmax×0.05時，再次向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1。
18.一種高頻電弧放電控制裝置，包括輝光-放電裝置，通過功率表和阻抗匹配電路從高頻電源接收電力；第一切斷-脈衝輸出單元，當dVr/dt-dVf/dt增加到第一電平以上時，向高頻電源輸出切斷脈衝，其中Vf和Vr分別是由功率表施加的行波電壓和反射波電壓；以及第二切斷-脈衝輸出單元，當在第一切斷-脈衝輸出單元輸出切斷脈衝之後的預定時間To內Vr/Vf增加到第二電平以上、而Vf變得大於Vfmax×0.05時，再次向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1，以及，當在向高頻電源輸出切斷脈衝之後的預定時間To內Vr/Vf增加到第二電平以上、並且Vf變得大於Vfmax×0.05時，再次向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1。
19.根據權利要求15到18中任一項所述的高頻電弧放電控制裝置，其中第一電平範圍從Vmax*0.05到Vmax*0.2，第二電平範圍從0.5到0.95。
20.根據權利要求15到18中任一項所述的高頻電弧放電控制裝置，其中當Vr/Vf維持第二電平或者更高電平達時間T2或更長時，第二切斷-脈衝輸出單元就判定已發生了電弧放電。
21.根據權利要求20所述的高頻電弧放電控制裝置，其中第一電平範圍為Vmax*0.05到Vmax*0.2，第二電平範圍為0.5到0.95。
22.根據權利要求15到18中任一項所述的高頻電弧放電控制裝置，其中預定時間To是從切斷脈衝的後沿處開始測量。
23.根據權利要求20所述的高頻電弧放電控制裝置，其中預定時間To是從切斷脈衝的後沿處開始測量。
24.一種高頻電弧放電控制裝置，包括輝光-放電裝置，通過功率表和阻抗匹配電路從高頻電源接收電力；匹配-存儲單元，當Vr/Vf處在第三電平或者更低的電平時，存儲代表負載經歷阻抗匹配的數據，其中Vr和Vf分別表示由功率表施加的行波電壓和反射波電壓；以及切斷-脈衝輸出單元，當Vr/Vf增加到第二電平以上、同時匹配存儲單元存儲了代表負載經歷阻抗匹配的數據時，向高頻電源輸出切斷脈衝。
25.一種高頻電弧放電控制裝置，包括輝光-放電裝置，通過功率表和阻抗匹配電路從高頻電源接收電力；匹配-存儲單元，當Vr/Vf處於第三電平或更低的電平時，存儲代表負載經歷阻抗匹配的數據，其中Vf和Vr分別是由功率表施加的行波電壓和反射波電壓；以及切斷-脈衝輸出單元，當Vr/Vf增大到第二電平或更高的電平、同時匹配-存儲單元存儲了代表負載經歷阻抗匹配的數據時，向高頻電源輸出切斷脈衝，並當在向高頻電源輸出切斷脈衝之後的預定時間To內Vr/Vf增大到第二電平或更高電平時，再次向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1。
26.一種高頻電弧放電控制裝置，包括輝光-放電裝置，通過功率表和阻抗匹配電路從高頻電源接收電力；匹配-存儲單元，當Vr/Vf處在第三電平或更低的電平時，存儲代表負載經歷阻抗匹配的數據，其中Vf和Vr分別是由功率表施加的行波電壓和反射波電壓；以及切斷-脈衝輸出單元，當Vr/Vf增大到第二電平或更高的電平、而Vf變得大於Vfmax×0.05、同時匹配-存儲單元存儲了代表負載經歷阻抗匹配的數據時，向高頻電源輸出切斷脈衝。
27.一種高頻電弧放電控制裝置，包括輝光-放電裝置，通過功率表和阻抗匹配電路從高頻電源接收電力；匹配-存儲單元，當Vr/Vf處於第三電平或更低的電平時，存儲代表負載經歷阻抗匹配的數據，其中Vf和Vr分別是由功率表施加的行波電壓和反射波電壓；以及切斷-脈衝輸出單元，當Vr/Vf增大到第二電平或更高的電平、而Vf變得大於Vfmax×0.05、同時匹配存儲了單元存儲代表負載經歷阻抗匹配的數據時，向高頻電源輸出切斷脈衝，並當Vr/Vf在向高頻電源輸出切斷脈衝之後的預定時間To內增大到第二電平或更高電平時，再次向高頻電源輸出切斷脈衝時間T1。
28.根據權利要求24到27中任一項所述的高頻電弧放電控制裝置，其中第二電平範圍從0.5到0.95，而第三電平範圍從0.05到0.5。
全文摘要
在檢測具有高頻電源PS的輝光放電裝置GD內的電弧放電的方法中，當dVr/dt－dVf/dt增加到第一電平以上時，向高頻電源PS輸出切斷脈衝時間T1，以停止輝光放電裝置GD的電力供應，其中Vf和Vr分別是施加給輝光放電裝置GD的行波電壓和反射波電壓。當在輝光放電裝置的電力供應終止之後的預定時間To內Vr/Vf增大為第二電平或更高的電平時，判定在輝光放電裝置中已經發生了電弧放電。
文檔編號H01J37/32GK1565148SQ0281990
公開日2005年1月12日 申請日期2002年9月30日 優先權日2001年10月22日
發明者慄山升 申請人:芝浦機械電子株式會社