具有平面層結構的高頻端接電阻的製作方法

2023-12-10 14:37:02

專利名稱：具有平面層結構的高頻端接電阻的製作方法
具有平面層結構的高頻端接電阻本發明涉及一種具有平面層結構的高頻端接電阻，所述層結構在 一個基片上具有用於將高頻能量轉換成熱量的電阻層、用於饋送高頻 能量的輸入導體線路、以及用於和接地觸點電連接的接地導體線路， 其中所述輸入導體線路與所述電阻層的第一端電連接，所述接地導體 線路與所述電阻層的和所述第一端相對的第二端電連接，並且所述接 地導體線路在所述層結構的接地觸點一側的端部形成了所述層結構的最上面的一層，如權利要求1的前序部分所述。本發明還涉及一種 製造用於高頻端接電阻的平面層結構的方法，其中在一個基片上形成 用於將高頻能量轉換成熱量的電阻層、用於饋送高頻能量的輸入導體 線路、以及用於和接地觸點電連接的接地導體線路，其中所述輸入導 體線路與所述電阻層的第 一端電連接，所述接地導體線路與所述電阻層的和所述第一端相對的第二端電連接，如權利要求6的前序部分所 述。高頻端接電阻例如被應用於具有很高發射功率的移動無線電和 定向無線電領域中高頻組件的匹配，如用於合成器或天線輸出端的端 接。損耗功率較高的端接電阻具有^f艮大的電阻結構，以便把耦入的高 頻功率分配到其表面上。然而這在寬帶應用時會對反射係數造成不利 的影響，或者說這種端接電阻在相同的反射係數下只能應用在較窄的 頻帶內。在上面所提到的高頻端接電阻中，需要對基片結構採用特殊的構 造，以便通過這種結構滿足非常高的技術要求。本發明的目的在於提供一種上面所述類型的高頻端接電阻和上 面所述類型的方法，使得在接地觸點、例如外殼壁處的所述基片的電阻結構的接地端子一方面非常短，從而得到儘可能精確的波阻抗匹 配，而另一方面被構造為使得在接地導體線路與接地觸點之間能夠形 成對於接地觸點的良好的焊接點。根據本發明，該任務通過上面所述類型的、具有權利要求1所述區別特徵的高頻端接電阻以及通過上面所述類型的、具有權利要求6 所述區別特徵的方法來解決。本發明的有利實施方式在其他權利要求 中描述。在上面所述類型的高頻端接電阻中，根據本發明，建議所述接地 導體線路被至少部分地設置在所述電阻層上。在上面所述類型的方法中，根據本發明，建議首先在所述基片上 形成所述電阻層，之後使所述接地導體線路至少部分地形成在所述電 阻層上。這樣做具有以下優點即接地導體線路的上側完全開放，從而可 完全被提供用於與接地觸點相接觸。由此可以使接地導體線路被設計 成與和接地觸點充分電連接所需的那樣短，從而使接地導體線路對高 頻端接電阻的波阻抗匹配產生的負面電作用減到最小，同時可以使為 了實現電接觸所要提供的表面積最大化。在一個優選的實施方式中，所述接地導體線路在所述層結構的接 地觸點一側的端部被設置在基片上，並具有在所述電阻層的第一端的 方向上延伸的擴展部分，該擴展部分被設置在電阻層上。通過以下方式在接地導體線路與接地觸點之間實現了良好的、能 夠在功能上更為可靠地形成的電接觸即接地導體線路的背對基片的 上側不僅在所述層結構的接地觸點一側的端部上的、其中接地導體線 路位於基片上的區域內延伸，而且還在一個平面中的所述擴展部分 的、其中接地導體線路位於電阻層上的區域內延伸。為了導出在電阻層內產生的熱量，所述平面層結構被設置在一個 由導電材料製成的外殼內，其中所述接地觸點就是所述外殼。符合目的的是，所述接地觸點被設置在所述平面層結構的一個接 地觸點一側的端面內。下面藉助附圖詳細描述本發明。如圖所示

圖1 以俯視圖顯示的本發明所述高頻端接電阻的一個優選實 施方式，圖2 以示意性的截面圖顯示的圖1所示高頻端接電阻，圖3在L = 0.6 mm的接地導體線路長度上關於頻率的波阻抗匹配示意圖，以及圖4在L = 1.1 mm的接地導體線路長度上關於頻率的波阻抗匹配示意圖。由圖1所示的根據本發明的高頻端接電阻的優選實施方式包括 電阻層IO、輸入導體線路12和接地導體線路14。電阻層IO、輸入導 體線路12和接地導體線路14分別作為相應的層在基片16上形成， 並構成了一個平面狀的層結構。所述輸入導體線路12與所述電阻層 10的第一端18電連接，而所述接地導體線路14與所述電阻層10的 和所述第一端18相對的第二端20電連接。電阻層IO用於將高頻能 量轉換成熱量，輸入導體線路12用於饋送所述高頻能量，而接地導 體線路14用於和接地觸點22 (圖2 )電連接。由輸入導體線路12 (在圖2中未示出)、電阻層10和接地導體 線路14所構成的平面層結構在圖2中更詳細地描述。接地觸點22在 端側被設置在所述層結構的接地觸點一側的端部，例如構成外殼的一 部分。這個外殼由導電材料製成，並且由於在電阻層10內產生的熱 能通過所述外殼被導出到一個冷卻體，從而具有良好的熱傳導特性。接地導體線路14在電阻層10和外殼22之間形成了電接觸。根 據本發明，所述接地導體線路14被至少部分地設置在電阻層10上。 所述接地導體線路14在所述層結構的接地觸點一側的端部被設置在 基片16上。設置在電阻層10上的接地導體線路14的擴展部分24在 電阻層10的第一端18的方向上延伸，也就是說，電阻層10被設置 在基片16和接地導體線路14之間的擴展部分14的區域內。接地導體線路14的背對基片16的上側26不僅在所述層結構的 接地觸點一側的端部上的、其中接地導體線路14位於基片16上的區 域內延伸，而且還在一個平面中的所述擴展部分24的、其中接地導 體線路14位於電阻層10上的區域內延伸。接地導體線路14的這個 平面狀的上側26用於形成與外殼22的電接觸，其中最好形成焊接連 接。為此，接地導體線路14的長度28，即接地導體線路14在高頻波 的傳播方向上的延伸，必須具有一定的最小長度，因為否則的話將不 能形成足夠的焊接切口。另一方面，長度28的值越大，則對阻抗匹 配的負面影響就越大。由於接地導體線路14在所述層結構接地觸點 一側的端部、以及在與電阻層IO重疊的區域內表現為最上面的一層， 這個長度28可以被選擇為與和外殼形成接觸所必需的那樣小。接地 導體線路14對高頻端接電阻的阻抗匹配的負面作用從而被減少到最 小。在電阻層10的第二端20與外殼壁22之間需要有一個很短的幾 何距離。同時，對焊接連接的足夠長度28以及對廉價的構造存在技 術上的需要。通過本發明所述的層結構(在電阻層10上設置接地導 體線路14)，考慮到了所有的需要。得到了簡單而廉價的構造(很小 的端接觸)、以及用於均勻而乾淨的焊接連接的足夠的焊接面(與外 殼22的接地連接，其確保了切口形成)，並且儘管電阻結構很大， 但得到了一個用於優化反射係數的插入點，因為接地導體線路14的 長度28對電氣參數起著決定性的影響。所示的用於平面結構的廉價 製造工藝對高頻特性而言是非常有利的。在製造用於高頻端接電阻的平面層結構的方法中，其中在基片上 形成用於將高頻能量轉換成熱量的電阻層、用於饋送高頻能量的輸入 導體線路、以及用於和接地觸點電連接的接地導體線路，其中所述輸 入導體線路與所述電阻層的第一端電連接，而所述接地導體線路與所 述電阻層的和所述第一端相對的第二端電連接，該方法的特徵在於， 首先在所述基片上形成所述電阻層，之後使所述接地導體線路至少部 分地形成在所述電阻層上。接地導體線路14的長度28的影響在圖3和圖4中示出。在圖3 中，給出了針對L-0.6 mm的關於頻率的波阻抗匹配，在圖4中給出 了針對L-l.l mm的關於頻率的波阻抗匹配。正如圖中直觀看到的， 在0.50 GHz至2.00 GHz的範圍內，對於L = 0.6 mm的波長28(圖3 )， 得到了大約4dB的更好的阻抗匹配。
權利要求
1.一種具有平面層結構的高頻端接電阻，所述層結構在一個基片上(16)具有用於將高頻能量轉換成熱量的電阻層(10)、用於饋送高頻能量的輸入導體線路(12)、以及用於和接地觸點(22)電連接的接地導體線路(14)，其中所述輸入導體線路(12)與所述電阻層(10)的第一端(18)電連接，所述接地導體線路(14)與所述電阻層(10)的和所述第一端(18)相對的第二端(20)電連接，並且所述接地導體線路(14)在所述層結構的接地觸點一側的端部形成所述層結構的最上面一層，其特徵在於，所述接地導體線路(14)被至少部分地設置在所述電阻層(10)上。
2. 根據權利要求l所述的高頻端接電阻，其特徵在於，所述接 地導體線路(14)在所述層結構的接地觸點一側的端部被設置在基片(16)上，並具有在所述電阻層的第一端(18)的方向上延伸的擴展 部分(24)，該擴展部分被設置在電阻層(10)上。
3. 根據權利要求2所述的高頻端接電阻，其特徵在於，接地導 體線路(14)的背對基片(16)的上側(26)不僅在所述層結構的接 地觸點一側的端部上的、其中接地導體線路(14)位於基片(16)上 的區域內延伸，而且還在一個平面中的所述擴展部分(24)的、其中 接地導體線路(14)位於電阻層(10)上的區域內延伸。
4. 根據以上權利要求中至少一項所述的高頻端接電阻，其特徵 在於，所述平面層結構被設置在一個由導電材料製成的外殼中，其中 所述接地觸點(22)就是該外殼。
5. 根據以上權利要求中至少一項所述的高頻端接電阻，其特徵 在於，所述接地觸點(22)被設置在所述平面層結構的接地觸點一側 的端面上。
6. —種製造用於高頻端接電阻的平面層結構的方法，其中在基 片上形成用於將高頻能量轉換成熱量的電阻層、用於饋送高頻能量的輸入導體線路、以及用於和接地觸點電連接的接地導體線路，其中所 述輸入導體線路與所述電阻層的第一端電連接，而所述接地導體線路 與所述電阻層的和所述第一端相對的第二端電連接，其特徵在於，首先在所述基片上形成所述電阻層，之後使所述接 地導體線路至少部分地形成在所述電阻層上。
全文摘要
本發明涉及一種具有平面層結構的高頻端接電阻，所述層結構在一個基片上(16)具有用於將高頻能量轉換成熱量的電阻層(10)、用於饋送高頻能量的輸入導體線路(12)、以及用於和接地觸點(22)電連接的接地導體線路(14)，其中所述輸入導體線路(12)與所述電阻層(10)的第一端(18)電連接，所述接地導體線路(14)與所述電阻層(10)的和所述第一端(18)相對的第二端(20)電連接，並且所述接地導體線路(14)在所述層結構的接地觸點一側的端部形成所述層結構的最上面一層。這裡所述接地導體線路(14)被至少部分地設置在所述電阻層(10)上。
文檔編號H03H3/007GK101253583SQ200680031289
公開日2008年8月27日 申請日期2006年8月16日 優先權日2005年8月26日
發明者D·扎恩, F·韋斯 申請人:羅森伯格高頻技術有限及兩合公司