光記錄方法、光記錄裝置及光記錄介質的製作方法

2023-10-22 20:27:02

專利名稱：光記錄方法、光記錄裝置及光記錄介質的製作方法
技術領域：
本發明涉及光記錄介質、向其記錄數據的方法及向其記錄數據的裝置，特別涉及相變化型的光記錄介質、向其記錄數據的方法及向其記錄數據的裝置。
背景技術：
近年來，能夠進行高密度記錄，並且能夠消去記錄信息並改寫的光記錄介質非常引人注目。能夠改寫型光記錄介質中的相變化型介質是通過照射雷射束使記錄層的結晶狀態發生變化而進行記錄，通過檢測出伴隨這樣的狀態變化而產生的記錄層的發射率變化，進行重放。相變化型光記錄介質通過調製單一的雷射束的強度可以被重寫，另外，驅動裝置的光學系統與光磁記錄介質的驅動裝置相比比較簡單，所以引人注目。
在能夠通過重寫進行改寫的相變化型介質中，通過向結晶質記錄層照射記錄功率電平的雷射使之熔化，並從熔化狀態急冷，來形成非結晶質記錄標記。在進行消去時，通過照射消去功率電平的雷射，使之升溫到記錄層的結晶化溫度以上而未到熔點的溫度，再漸漸冷卻，來使非結晶質記錄標記結晶化。
作為能夠重寫的相變化介質中的被實際使用了的介質，例如可以列舉出CD-RW、DVD-RW、DVD-RAM。CD-RW具有與CD-DA(光碟)相等的640MB的記錄容量。在CD-RW中，在CD-DA的4～10倍的線速度範圍內進行記錄的種類被實際使用了。另一方面，在具有與DVD-ROM相同的4.7GB的記錄容量的DVD-RW及DVD-RAM中，以一倍速(原始線速度)為基準，超過其2倍的線速度下的記錄並沒有被實際使用。這是因為DVD-RW和DVD-RAM的記錄密度比CD-RW顯著提高，因而能夠在廣線速度範圍內減小失真而實現重寫的技術是難以實現的。另外，在比成為現在主流的DVD(數字通用光碟)系列介質更高的密度下進行記錄的情況下，在廣線速度範圍內減小失真實現重寫更加困難。

發明內容
所以，本發明的目的是提供一種在向光記錄介質記錄數據的光記錄方法中，在進行廣線速度範圍下的記錄時能夠減小重放信號的失真的光記錄方法。
另外，本發明的另一目的是提供一種在向光記錄介質記錄數據的光記錄裝置中，相對地在進行廣線速度範圍下的記錄時能夠減小重放信號的失真的光記錄裝置。
另外，本發明的又一目的是提供一種在進行廣線速度範圍下的記錄時能夠減小重放信號的失真的光記錄介質。
通過下述(1)～(24)的本發明達成這樣的目的。
(1)在針對具有包含相變化材料的記錄層的光記錄介質，使用根據記錄波形進行了強度調製的記錄光，在多個線速度或連續變化的線速度下進行記錄的方法中，上述記錄波形是具有直流部分、用來形成記錄標記的記錄脈衝部分的波形，直流部分的強度用Pbi表示，在至少有3個上升沿脈衝的記錄脈衝部分中，被先頭的上升沿脈衝和最後的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝的強度用Pw表示，設上述多個線速度或上述連續變化的線速度中的一個為VL，設在以線速度VL進行記錄時的Pw及Pbi各自為PwL及PbiL，設上述多個線速度或上述連續變化的線速度中比VL快，並且滿足下式1.1≤VH/VL的線速度中的一個為VH，設在以線速度VH進行記錄時的Pw及Pbi各自為PwH及PbiH的情況下，在滿足下式的條件下進行記錄的記錄方法。
PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1(2)在針對具有包含相變化材料的記錄層的光記錄介質，使用根據記錄波形進行了強度調製的記錄光，以從多個線速度中選擇的一個線速度進行記錄的方法中，上述記錄波形是具有直流部分、用來形成記錄標記的記錄脈衝部分的波形，直流部分的強度用Pbi表示，在至少有3個上升沿脈衝的記錄脈衝部分中，被先頭的上升沿脈衝和最後的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝的強度用Pw表示，設上述多個線速度中的一個為VL，設在以線速度VL進行記錄時的Pw及Pbi各自為PwL及PbiL，設上述多個線速度中比VL快，並且滿足下式1.1≤VH/VL的線速度中的一個為VH，設在以線速度VH進行記錄時的Pw及Pbi各自為PwH及PbiH的情況下，在滿足下式的條件下進行記錄的記錄方法。
PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1(3)上述(1)或(2)的記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，在最後的上升沿脈衝後面存在下降沿脈衝，該下降沿脈衝的寬度用Tcl表示，設以線速度VL進行記錄時的Tcl為TclL，設以線速度VH進行記錄時的Tcl為TclH的情況下，滿足下式地進行記錄TclH/TclL＜1。
(4)上述(1)～(3)中的任意一個的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，被先頭的上升沿脈衝和最後的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝的寬度用Tmp表示，設以線速度VL進行記錄時的Tmp為TmpL，設以線速度VH進行記錄時的Tmp為TmpH的情況下，滿足下式地進行記錄TmpH/TmpL≤1。
(5)上述(1)～(4)中的任意一個的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，先頭的上升沿脈衝的寬度用Ttop表示，設以線速度VL進行記錄時的Ttop為TtopL，設以線速度VH進行記錄時的Ttop為TtopH的情況下，滿足下式地進行記錄TtopH/TtopL≤1。
(6)上述(1)～(5)中的任意一個的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，最後的上升沿脈衝的寬度用Tlp表示，設以線速度VL進行記錄時的Tlp為TlpL，設以線速度VH進行記錄時的Tlp為TlpH的情況下，滿足下式地進行記錄1≤TlpH/TlpL。
(7)上述(1)～(6)中的任意一個的光記錄方法，其特徵在於通過向光記錄介質的試寫來決定在線速度VL及線速度VH下各自所使用的脈衝強度及脈衝寬度。
(8)上述(1)～(7)中的任意一個的光記錄方法，其特徵在於設檢測窗寬度為Tw，設與最短的記錄標記對應的信號長度為n·Tw的情況下，記錄所使用的最快線速度滿足下式n·Tw≤20ns。
(9)在針對具有包含相變化材料的記錄層的光記錄介質，使用根據記錄波形進行了強度調製的記錄光進行記錄的方法中，上述記錄波形是具有直流部分、用來形成記錄標記的記錄脈衝部分的波形，直流部分的強度用Pbi表示，在至少有3個上升沿脈衝的記錄脈衝部分中，被先頭的上升沿脈衝和最後的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝的強度用Pw表示，賦予成為基準的線速度、該線速度的Pw及Pbi的推薦值，在通過在以與該成為基準的線速度不同的線速度下進行試寫，決定在該試寫時的線速度或包含該線速度的線速度區域下的實際記錄信息時實際使用的Pw及Pbi時，設線速度VL和滿足下式1.1≤VH/VL的線速度VH中的一個為上述成為基準的線速度，而設另一個為上述試寫時的線速度，設在以線速度VL進行記錄時的Pw及Pbi各自為PwL及PbiL，設以線速度VH進行記錄時的Pw及Pbi各自為PwH及PbiH的情況下，滿足下式PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1那樣地設置試寫時的Pw及Pbi的光記錄方法。
(10)上述(9)的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，在最後的上升沿脈衝後面存在下降沿脈衝，該下降沿脈衝的寬度用Tcl表示，賦予上述成為基準的線速度的Tcl的推薦值，設以線速度VL進行記錄時的Tcl為TclL，設以線速度VH進行記錄時的Tcl為TclH的情況下，通過滿足下式TclH/TclL＜1那樣地設置試寫時的Tcl，來求出在該試寫時的線速度或包含該線速度的線速度區域下的實際記錄信息時所使用的Tcl。
(11)上述(9)或(10)的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，被先頭的上升沿脈衝和最後的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝的寬度用Tmp表示，賦予上述成為基準的線速度的Tmp的推薦值，設以線速度VL進行記錄時的Tmp為TmpL，設以線速度VH進行記錄時的Tmp為TmpH的情況下，通過滿足下式TmpH/TmpL≤1那樣地設置試寫時的Tmp，來求出在該試寫時的線速度或包含該線速度的線速度區域下的實際記錄信息時所使用的Tmp。
(12)上述(9)～(11)中的任意一個的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，先頭的上升沿脈衝的寬度用Ttop表示，賦予上述成為基準的線速度的Ttop的推薦值，設以線速度VL進行記錄時的Ttop為TtopL，設以線速度VH進行記錄時的Ttop為TtopH的情況下，通過滿足下式TtopH/TtopL≤1那樣地設置試寫時的Ttop，來求出在該試寫時的線速度或包含該線速度的線速度區域下的實際記錄信息時所使用的Ttop。
(13)上述(9)～(12)中的任意一個的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，最後的上升沿脈衝的寬度用Tlp表示，賦予上述成為基準的線速度的Tlp的推薦值，設以線速度VL進行記錄時的Tlp為TlpL，設以線速度VH進行記錄時的Tlp為TlpH的情況下，通過滿足下式1≤TlpH/TlpL那樣地設置試寫時的TlpH，來求出在該試寫時的線速度或包含該線速度的線速度區域下的實際記錄信息時所使用的Tlp。
(14)上述(9)～(13)中的任意一個的光記錄方法，其特徵在於設檢測窗寬度為Tw，設與最短的記錄標記對應的信號長度為n·Tw的情況下，記錄所使用的最快線速度滿足下式n·Tw≤20ns。
(15)能夠使用上述(1)～(8)的任意一個的光記錄方法的光記錄裝置，其特徵在於保存在線速度VL及線速度VH下各自使用的脈衝強度及脈衝寬度。
(16)能夠使用上述(1)～(8)的任意一個的光記錄方法的光記錄裝置，其特徵在於針對各線速度保存多個在線速度VL及線速度VH下各自使用的脈衝強度及脈衝寬度，在從這些多個脈衝強度及脈衝寬度中選擇實際使用的脈衝強度及脈衝寬度的時候，利用向光記錄介質的試寫。
(17)能夠使用上述(1)～(8)的任意一個的光記錄方法的光記錄裝置，其特徵在於將在線速度VL及線速度VH下各自使用的脈衝強度及脈衝寬度定義為各個線速度的函數，並保存該函數。
(18)能夠使用上述(1)～(8)的任意一個的光記錄方法的光記錄裝置，其特徵在於將在線速度VL及線速度VH下各自使用的脈衝強度及脈衝寬度定義為各個線速度的函數，並針對各線速度保存多個該函數，在從這些多個函數中選擇實際使用的函數的時候，利用向光記錄介質的試寫。
(19)能夠使用上述(9)～(14)的任意一個的光記錄方法的光記錄裝置，其特徵在於保存上述成為基準的線速度的脈衝強度及脈衝寬度的推薦值。
(20)能夠適用上述(1)～(8)的任意一個的光記錄方法的光記錄介質，其特徵在於記錄了在線速度VL及線速度VH下各自使用的脈衝強度及脈衝寬度。
(21)能夠適用上述(1)～(8)的任意一個的光記錄方法的光記錄介質，其特徵在於針對各線速度記錄多個在線速度VL及線速度VH下各自使用的脈衝強度及脈衝寬度，在從這些多個脈衝強度及脈衝寬度中選擇實際使用的脈衝強度及脈衝寬度的時候，利用向光記錄介質的試寫。
(22)能夠適用上述(1)～(8)的任意一個的光記錄方法的光記錄介質，其特徵在於將在線速度VL及線速度VH下各自使用的脈衝強度及脈衝寬度定義為各個線速度的函數，並記錄該函數。
(23)能夠適用上述(1)～(8)的任意一個的光記錄方法的光記錄介質，其特徵在於將在線速度VL及線速度VH下各自使用的脈衝強度及脈衝寬度定義為各個線速度的函數，並針對各線速度保存多個該函數，在從這些多個函數中選擇實際使用的函數的時候，利用向光記錄介質的試寫。
(24)能夠適用上述(9)～(14)的任意一個的光記錄方法的光記錄介質，其特徵在於記錄上述成為基準的線速度的脈衝強度及脈衝寬度的推薦值。
本發明的上述目的還通過具有以下特徵的光記錄方法來實現是針對具有包含相變化材料的記錄層的光記錄介質，通過照射被調製為至少包含記錄功率及偏置功率的多個功率的記錄光，來記錄數據的光記錄方法，將以第1線速度記錄數據時的上述記錄功率及上述偏置功率各自設為PwL及PbiL，將以比上述第1線速度高的第2線速度記錄數據時的上述記錄功率及上述偏置功率各自設為PwH及PbiH的情況下，在滿足下式PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1的條件下進行記錄。
通過本發明，在廣線速度範圍下進行記錄時能夠減少重放信號的失真。


圖1是展示5T信號及其記錄波形的圖。
圖2是展示4T信號的記錄波形的圖。
圖3是展示3T信號的記錄波形的圖。
圖4是展示使用(1，7)RLL的調製方式記錄數據的情況下的記錄策略的圖，(a)是形成2T信號的情況下的記錄策略，(b)是形成3T信號的情況下的記錄策略，(c)是形成4T信號的情況下的記錄策略，(d)是形成5T信號～8T信號的情況下的記錄策略。
圖5是展示光記錄介質的結構例子的截面圖。
圖6是展示光記錄介質的結構例子的截面圖。
圖7是概要展示用來向圖5及圖6所示的光記錄介質記錄數據的光記錄裝置50的主要部分的框圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖，詳細說明本發明的理想的實施例。
向光記錄介質記錄數據是通過照射記錄光而形成許多的記錄標記來進行的，記錄標記的開始點到終點的長度及從終點到下一個記錄標記的開始點的長度被作為數據。在採用EFM升級版(8-16)調製方式(也稱為「8-16」調製)的情況下，各記錄標記的長度及記錄標記間的長度(邊緣間)被設定為與3T～11T及14T(T是時鐘周期)對應的長度中的任意一個，在採用(1，7)RLL的調製方式(也稱為「1-7調製」)的情況下，被設定為與2T～8T對應的長度中的任意一個。
一般，在向相變化型光記錄介質進行記錄的時候，並不對應於記錄標記的長度照射直流的記錄光，一般如例如特開平10-106008號公報、特開平11-232652號公報、特開平2000-155945號公報所記載的那樣進行記錄。
圖1展示了多脈衝記錄的記錄波形的例子。另外，在本說明書中，記錄波形是指用來對記錄光進行強度調製的驅動信號模式。在圖1中，展示了採用EFM升級版(8-16)調製方式的情況下的NRZI信號的5T信號和與該5T信號對應的記錄波形。
在圖1中，Pw表示記錄功率，Pbi表示偏置功率，Pbo表示基礎功率。在可重寫的記錄系統中，Pbi通常被稱為消去功率。該記錄波形具有用來形成記錄標記的記錄脈衝部分、用來消去記錄標記的直流部分。記錄脈衝部分的結構是循環將上升沿脈衝(強度Pw)和其後面的下降沿脈衝(強度Pbo)進行組合，作為整體是從Pbi開始上升，再返回到Pbi。即相鄰的記錄脈衝部分通過直流部分被連結起來。
在圖1中，Ttop是先頭的上升沿脈衝的寬度，Tmp是被先頭的上升沿脈衝和最後的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝(多脈衝)的寬度，Tlp是最後的上升沿脈衝的寬度，Tcl是在最後的上升沿脈衝後面附加的下降沿脈衝(也稱為冷卻脈衝)的寬度。這些脈衝的寬度用以基準脈衝時鐘寬度(1T)規格化了的值來表示。在圖示的記錄波形中，包含冷卻脈衝的所有的下降沿脈衝的功率(基礎功率Pbo)被設置得比偏置功率Pbi低。
在圖2中，展示了採用EFM升級版(8-16)調製方式的情況下的4T信號的記錄波形。該記錄波形的記錄脈衝部分由2個上升沿脈衝、各個上升沿脈衝後面的下降沿脈衝構成。在該記錄脈衝部分中，上升沿脈衝的寬度用Ttop表示，從先頭數第2個上升沿脈衝的寬度用Tlp表示。
另外，在圖3中展示了作為EFM升級版(8-16)調製的最簡訊號的3T信號的記錄波形。該記錄波形的記錄脈衝部分只由1個上升沿脈衝和1個下降沿脈衝構成。在該記錄脈衝部分中，上升沿脈衝的寬度用Ttop表示。
這樣，在採用EFM升級版(8-16)調製方式的情況下，上升沿脈衝的個數被設置為k-2個(k為T的倍數，取3～11及14的任意一個的值)。所以，未圖示，在形成6T信號～11T信號及14T信號的情況下，上升沿的個數分別是4～9及12個。另外，被開頭的上升沿脈衝和最後的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝全部是多脈衝，所以在形成6T信號～11T信號及14T信號的情況下，多脈衝的個數分別是2～7及10個。
本說明書中的脈衝寬度是用基準脈衝時鐘寬度規格化了的脈衝寬度。在變更線速度而不變更調製方式的情況下，由於與線速度成反比地變更基準脈衝時鐘的寬度，所以如果是同一信號的記錄標記，則介質上的標記長度與線速度無關地保持一定。即線記錄密度(比特密度)保持一定。例如，線速度為1/2時，基準脈衝時鐘寬度為2倍。這樣，即使是同一光記錄介質，也可以使用多個線速度。能夠在多個線速度下記錄的光記錄介質被稱為「多速度型光記錄介質」，向這樣的光記錄介質進行的記錄被稱為「多速度記錄」。
另外，在旋轉數保持一定的CAV(恆定角速度)格式下進行記錄的情況下，線速度在外緣部分比較高。即，以連續變化的線速度進行記錄。
在本發明中，在以多個線速度或連續變化的線速度向相變化型介質進行記錄的情況(進行多速度記錄的情況或進行CAV格式的記錄的情況)下，為了在所有的存在這些多個線速度或連續變化的線速度的線速度區域中減小失真，而對應於記錄時的線速度，控制記錄波形中的脈衝強度(功率電平)及脈衝寬度。具體如下所示。
首先，設上述多個線速度或上述連續變化的線速度的一個為線速度VL，設上述多個線速度或上述連續變化的線速度中比VL快的線速度的一個為VH。VL與VH的關係理想的是1.1≤VH/VL。
另外，在記錄脈衝部件中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，設以線速度VL進行記錄時的Pw及Pbi分別為PwL及PbiL，設以線速度VH進行記錄時的Pw及Pbi分別為PwH及PbiH。這時，在本發明中，在滿足下式PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1的條件下進行記錄。由此，在進行高密度記錄的情況下，不管在哪個線速度下進行記錄都能夠減小失真。即，在進行多速度記錄時，或在進行CAV格式的記錄時，不管在以哪個線速度進行記錄的情況下，都能夠減少失真。這樣的效果特別在VH與VL的比大的情況下比較顯著。另外，理想的是，設定為VH/VL的值越大，則PbiH/PbiL的值越小，而設定(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)的值越小。
上述的(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1與PbiL/PwL＞PbiH/PwH同義，所以也與PwH/PwL＞PbiH/PbiL同義。即，在本發明中，隨著線速度的加快而減少Pbi，但隨著線速度的加快增大Pw也可以，減小也可以，保持一定也可以。但是，在減小的情況下，Pw的減小率要比Pbi的減小率大。由此，在廣線速度範圍內能夠容易地使失真處於容許的範圍內。
通過這樣設定脈衝強度來減小失真是為了抑制再結晶化現象。通過設定上述脈衝強度來抑制再結晶化現象是為了減小熱幹涉的影響。記錄線速度越高則熱幹涉的影響越顯著，如果如上述那樣地設定脈衝強度，則在以線速度VH進行記錄的情況下，由於能夠抑制施加到記錄層的熱量，所以能夠減小熱幹涉，由此能夠抑制再結晶現象。
另外，設在以上述線速度VL進行記錄時的Tcl為TclL，設在以上述線速度VH進行記錄時的Tcl為TclH的情況下，在本發明中，理想的是以下式TclH/TclL＜1進行記錄。由此，能夠更加抑制伴隨著線速度在廣線速度範圍內的變化而帶來的失真增大。
另外，設在以上述線速度VL進行記錄時的Tmp為TmpL，設在以上述線速度VH進行記錄時的Tmp為TmpH的情況下，在本發明中，理想的是以下式TmpH/TmpL≤1進行記錄。由此，能夠更加抑制伴隨著線速度在廣線速度範圍內的變化而帶來的失真增大。
另外，設在以上述線速度VL進行記錄時的Ttop為TtopL，設在以上述線速度VH進行記錄時的Ttop為TtopH的情況下，在本發明中，理想的是以下式TtopH/TtopL≤1進行記錄。由此，能夠更加抑制伴隨著線速度在廣線速度範圍內的變化而帶來的失真增大。
另外，設在以上述線速度VL進行記錄時的Tlp為TlpL，設在以上述線速度VH進行記錄時的Tlp為TlpH的情況下，在本發明中，理想的是以下式1≤TlpH/TlpL
更理想的是以下式1＜TlpH/TlpL進行記錄。由此，能夠更加抑制伴隨著線速度在廣線速度範圍內的變化而帶來的失真增大。
在此，通過設定脈衝寬度為TmpH/TmpL≤1及/或TtopH/TtopL≤1，能夠抑制失真的增大的理由與通過設定脈衝強度為PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1，來減小失真的理由一樣，是由於通過減小熱幹涉來抑制再結晶現象。
另一方面，通過設定脈衝寬度為TclH/TclL＜1及/或1≤TlpH/TlpL能夠抑制失真的增大的理由是由於能夠提高已經形成了的記錄標記的消去率。即，Tcl和Tlp的設定由於依存於該當記錄標記的後緣以後的區域(記錄標記間)的結晶化的作用，所以在該區域中已經形成了記錄標記的情況(是非結晶質狀態的情況)下，如果Tcl過長或Tlp過短，都會因加熱不足而使已經形成了的記錄標記不能被充分消去(結晶化)。線速度越高則該問題越顯著，因而通過設定脈衝寬度為TclH/TclL＜1及/或1≤TlpH/TlpL能夠提高已經形成了的記錄標記的消去率，能夠更加抑制失真的增大。
在本發明所限定的範圍內，決定在上述VL及上述VH下分別使用的脈衝強度及脈衝寬度的PbiH/PbiL、(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)、TmpH/TmpL、TclH/TclL、TtopH/TtopL、TlpH/TlpL。有關這樣決定的各線速度的脈衝強度及脈衝寬度的設定信息可以由光記錄裝置保存起來，也可以記錄在介質中。即，將這些值作成表，可以將其存儲在光記錄裝置內的存儲裝置中，也可以預先記錄到介質中。另外，代替作成表，也可以例如將在各個線速度下使用的脈衝強度及脈衝寬度作為函數定義，將該函數存儲在上述存儲裝置中或記錄到介質中。在本說明書中，稱這樣的設定信息為「記錄條件設定信息」。
本發明在有必要對應CLV(恆定線速度)格式下的多個記錄線速度(多速度記錄)，並且上述多個線速度有較大差異的情況下特別有效。該情況下的多個線速度通常是指原始線速度(例如在DVD-RW中為3.49m/s)及其整數倍的線速度，但不一定非得是整數倍。另外，在上述多個線速度中不必須包含原始線速度，例如只對應於原始線速度的2倍以上、或4倍以上的線速度的高速記錄系統也可以適用本發明。
這樣，本發明的一個特徵是在對應於CLV格式，並且對應於多個線速度(多速度記錄)的記錄系統中，確定在各個線速度下的記錄條件之間的關係。所以，本發明也包括只使用從上述多個線速度中選擇的一個線速度，向屬於這樣的記錄系統的一個介質進行記錄。
另外，本發明的另一個特徵是在對應於CAV(恆定角速度)格式的記錄系統中，確定在連續變化的各線速度下的記錄條件之間的關係。在CAV格式下，由於以一定的旋轉數向盤狀介質進行記錄，所以是以連續變化的線速度進行記錄的，介質外周部分比內周部分的線速度快。
另外，在本說明書中，上述CLV格式包含了MCLV(改進CLV)格式，另外，上述CAV格式包含了MCAV(改進CAV)格式。有關MCLV格式及MCAV格式，在例如1989年2月10日電波技術社刊登的「光碟技術」的第223頁中有記載。
在本發明中，即使線速度連續增大或減少，也沒有必要連續地控制脈衝強度及脈衝寬度。例如在CAV格式下進行記錄時，線速度連續變化，但沒有必要連續變更與之對應的脈衝強度及脈衝寬度，可以是幾種左右的所使用的脈衝強度和脈衝寬度的組合。即，將CAV格式中的最低線速度和最高線速度之間分割為多個線速度區域，在分割的各線速度區域中，可以設定一個脈衝強度和脈衝寬度的組合。
在CAV方式下使用直徑12cm左右的盤狀介質的情況下，最內周的線速度與最外周的線速度的比一般在2～3的範圍內，通常是2.5左右。在這種情況下，設定的上述組合的個數理想的是在2以上，更理想的是在3以上。如果使用的組合的個數過少，則本發明的效果會不充分。而即使增多使用的組合的個數，也不會顯著增大減小失真的效果，因而組合的個數沒有必要超過40。但是，也可以與線速度變化對應地使脈衝強度及脈衝寬度連續變化。
另一方面，在CLV格式下進行記錄時，通常線速度以2倍速、4倍速、6倍速、8倍速等整數倍被變更，VH/VL比較大，因而理想的是使各線速度的脈衝強度及脈衝寬度變化。
理想的是上述VH是使下式1.1≤VH/VL，更理想的是1.2≤VH/VL成立那樣地選擇的線速度。在VH/VL小的情況下，沒有必要使兩線速度的脈衝強度及脈衝寬度為不同的值。而在VH/VL過大的情況下，由於即使適用本發明也難以得到充分的效果，所以理想的是設定為VH/VL≤8更理想的是VH/VL≤4。
下面，利用附圖更詳細地說明能夠適用本發明的記錄策略。
圖4是展示使用(1，7)RLL的調製方式向光記錄介質記錄數據的情況下的記錄策略的圖，(a)是形成2T信號的情況下的記錄策略，(b)是形成3T信號的情況下的記錄策略，(c)是形成4T信號的情況下的記錄策略，(d)是形成5T信號～8T信號的情況下的記錄策略。
如圖4(a)～(d)所示，在本實施例中，在向光記錄介質記錄數據時，記錄光的強度(功率電平)被調製為由記錄功率(Pw)、偏置功率(Pbi)及基礎功率(Pbo)構成的3個強度(值)。作為記錄功率(Pw)的強度，被設定為通過照射使包含在記錄膜中的相變化材料熔化那樣的高電平，在以線速度VH進行記錄的情況下，設定為PwH，在以線速度VL進行記錄的情況下，設定為PwL。另外，作為偏置功率(Pbi)的強度，被設定為通過照射使包含在記錄膜中的相變化材料達到結晶化溫度以上的溫度那樣的電平，在以線速度VH進行記錄的情況下，設定為PbiH，在以線速度VL進行記錄的情況下，設定為PbiL。另外，作為基礎功率(Pbo)的強度，被設定為即使照射，熔化了的相變化材料也會冷卻那樣的低電平，在以線速度VH進行記錄的情況下，設定為PboH，在以線速度VL進行記錄的情況下，設定為PboL。
有關這些記錄功率(PwH、PwL)及偏置功率(PbiH、PbiL)的值，如上所述，被設定為滿足下式PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1。
另外，在圖4及與其相關的說明中，簡單地說記錄功率(Pw)、偏置功率(Pbi)及基礎功率(Pbo)時，在線速度VH下進行記錄的情況下是指各個記錄功率(PwH)、偏置功率(PbiH)及基礎功率(PboH)，在線速度VL下進行記錄的情況下是指各個記錄功率(PwL)、偏置功率(PbiL)及基礎功率(PboL)。
進而，在圖4及與其相關的說明中，簡單地說Ttop、Tmp、Tlp及Tcl時，在線速度VH下進行記錄的情況下各自是指TtopH、TmpH、TlpH及TclH，在線速度VL下進行記錄的情況下各自是指各個TtopL、TmpL、TlpL及TclL。
首先，如圖4(a)所示，在向光記錄介質形成2T信號的情況下，將記錄光的上升沿脈衝數設定為「1」，然後，插入冷卻脈衝。上升沿脈衝數由記錄光的強度被提高到記錄功率(Pw)的次數決定的。在本說明書中，將記錄光的上升沿脈衝中的，開頭的脈衝稱為開始脈衝，最後的脈衝稱為結尾脈衝，存在於開始脈衝與結尾脈衝之間的脈衝稱為多脈衝。如圖4所示，在上升沿脈衝數是「1」的情況下，該當脈衝是開始脈衝。
所以，在形成2T信號的情況下，記錄光的強度在定時t11以前被設定為偏置功率(Pbi)，在從定時t11到定時t12的期間(Ttop)內被設定為記錄功率(Pw)，在從定時t12到定時t13的期間(Tcl)內被設定為基礎功率(Pbo)，在定時t13以後被設定為偏置功率(Pbi)。
另外，如圖4(b)所示，在向光記錄介質形成3T信號的情況下，將記錄光的上升沿脈衝數設定為「2」，然後，插入冷卻脈衝。如圖4(b)所示，在上升沿脈衝數是「2」的情況下，這些脈衝是開始脈衝和結尾脈衝。
所以，在形成3T信號的情況下，記錄光的強度在定時t21以前被設定為偏置功率(Pbi)，在從定時t21到定時t22的期間(Ttop)及從定時t23到定時t24的期間(Tlp)內被設定為記錄功率(Pw)，在從定時t22到定時t23的期間(Toff)及從定時t24到定時t25的期間(Tcl)內被設定為基礎功率(Pbo)，在定時t25以後被設定為偏置功率(Pbi)。
進而，如圖4(c)所示，在向光記錄介質形成4T信號的情況下，將記錄光的上升沿脈衝數設定為「3」，然後，插入冷卻脈衝。所以，在形成4T信號的情況下，記錄光的強度在定時t31以前被設定為偏置功率(Pbi)，在從定時t31到定時t32的期間(Ttop)、從定時t33到定時t34的期間(Tmp)以及從定時t35到定時t36的期間(Tlp)內被設定為記錄功率(Pw)，在從定時t32到定時t33的期間(Toff)、從定時t34到定時t35的期間(Toff)以及從定時t36到定時t37的期間(Tcl)內被設定為基礎功率(Pbo)，在定時t37以後被設定為偏置功率(Pbi)。
然後，如圖4(d)所示，在向光記錄介質形成5T～8T信號的情況下，將記錄光的上升沿脈衝數設定為「4」～「7」，然後，插入冷卻脈衝。所以，在形成5T～8T信號的情況下，分別將多脈衝的個數設定為「2」～「5」。在這種情況下，也是在Ttop(從定時t41到定時t42的期間)、Tmp(從定時t43到定時t44的期間、從定時t45到定時t46的期間等)以及Tlp的期間(從定時t47到定時t48的期間)內被設定為記錄功率(Pw)，在關閉期間Toff(從定時t42到定時t43的期間、從定時t46到定時t47的期間等)以及冷卻期間Tcl(從定時t48到定時t49的期間)內被設定為基礎功率(Pbo)，在其他期間內被設定為偏置功率(Pbi)。
通過以上處理，在應該形成記錄信號(2T信號～8T信號)的區域中，由於照射具有記錄功率(Pw)的記錄光而熔化了的相變化材料通過冷卻脈衝被急速冷卻，成為非結晶狀態。另一方面，在其他區域中，由於照射具有偏置功率(Pbi)的記錄光，相變化材料被加熱到結晶化溫度以上的溫度，然後通過遠離記錄光而被逐漸冷卻，成為結晶狀態。
在本發明中，在這樣的記錄策略中，在VH＞VL理想的是1.1≤VH/VL的情況下，滿足PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1那樣地設定脈衝強度(功率電平)，理想的是TclH/TclL＜1TmpH/TmpL≤1TtopH/TtopL≤11≤TlpH/TlpL那樣地設定脈衝寬度，由此在廣線速度範圍內的記錄中，就能夠減小重放信號的失真了。
本發明能夠適用於在以CLV格式在特定的線速度下實際進行記錄前，通過在該線速度下進行試寫，來決定所使用的脈衝強度及脈衝寬度的記錄方法。另外，還能夠適用於在以CLV格式實際進行記錄前，通過至少在一個線速度下進行試寫，來決定實際記錄所使用的脈衝強度及脈衝寬度的記錄方法。
在試寫時，從有關脈衝強度的各參數及有關脈衝寬度的各參數中選擇至少一個參數並變更其值，向介質進行試寫。接著，重放試寫的信號，通過測量錯誤及/或失真，判斷重放信號的質量。然後，如果質量低，則再次變更該參數，及/或變更其他參數，再次進行試寫。通過循環執行該步驟，求出實際使用的記錄條件的最佳值。在盤狀介質中，通常從內周側開始記錄，因而至少在內周側進行試寫，理想的是在內周側及外周側進行試寫。特別在CAV格式中，由於內周側與外周側的線速度不同，所以理想的是在內周側及外周側兩方面進行試寫。另外，試寫通常在設置在數據記錄區域以外的試寫區域中進行。
以下，說明將本發明適用於通過試寫決定最佳記錄條件的記錄方法中的情況。
在利用試寫的第1方法中，針對各線速度賦予多個在線速度VH及線速度VL下各自使用的脈衝強度及脈衝寬度。然後，在特定線速度下進行記錄的時候，為了從為了在該線速度下進行記錄而準備的多個脈衝強度及脈衝寬度的組合中選擇實際使用的脈衝強度及脈衝寬度，而利用試寫。另外，在第1方法中，將在各個線速度下使用的脈衝強度及脈衝寬度定義為該線速度的函數，也可以針對各線速度準備多個該函數。在這種情況下，通過試寫決定在各線速度下實際使用的函數。另外，針對各個線速度準備的多個脈衝強度及脈衝寬度的組合或函數可以保存在光記錄裝置中，也可以記錄到介質中。在本說明書中，將這樣準備的多個脈衝強度及脈衝寬度的組合或函數稱為「記錄條件設定信息」。
下面說明利用試寫的第2方法。在第2方法中，賦予成為基準的線速度，並且有必要賦予該線速度下的脈衝強度及脈衝寬度的推薦值。首先，將成為基準的線速度作為VL，而將試寫所使用的線速度作為VH。線速度VH是在CLV格式下用於實際記錄的線速度。而在CAV格式下，如上述那樣將最低線速度和最高線速度之間分割為多個線速度區域，將各線速度區域的中央附近的線速度作為試寫線速度VH。試寫線速度VH與上述的VH與VL的關係一樣，滿足VH＞VL更理想的是1.1≤VH/VL。
設線速度VL的Pw及Pbi的推薦值各自為PwL及PbiL，設在線速度VH下進行試寫時的Pw及Pbi各自為PwH及PbiH，則可以滿足PbiH/PbiI＜1，
(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1那樣地設定PwH及PbiH，來進行試寫。由此，能夠以短步驟達到比基準線速度VL快的線速度VH及其附近的最佳記錄條件。
另外，有關Tcl、Tmp、Ttop及Tlp，可以同樣地考慮。即，作為成為基準的線速度VL的Tcl的推薦值賦予TclL，設在線速度VH下進行試寫時的Tcl為TclH的情況下，通過滿足TclH/TclL＜1那樣地設定TclH進行試寫，能夠以短步驟求出線速度VH及其附近的Tcl的最佳值。另外，作為成為基準的線速度VL的Tmp的推薦值賦予TmpL，設在線速度VH下進行試寫時的Tmp為TmpH的情況下，通過滿足TmpH/TmpL≤1那樣地設定TmpH進行試寫，能夠以短步驟求出線速度VH及其附近的Tmp的最佳值。另外，作為成為基準的線速度VL的Ttop的推薦值賦予TtopL，設在線速度VH下進行試寫時的Ttop為TtopH的情況下，通過滿足TtopH/TtopL≤1那樣地設定TtopH進行試寫，能夠以短步驟求出線速度VH及其附近的Ttop的最佳值。另外，作為成為基準的線速度VL的Tlp的推薦值賦予TlpL，設在線速度VH下進行試寫時的Tlp為TlpH的情況下，通過滿足1≤TlpH/TlpL那樣地設定TlpH進行試寫，能夠以短步驟求出線速度VH及其附近的Tlp的最佳值。
另外，在比成為基準的線速度慢的線速度下進行記錄的情況下進行試寫時，同樣能夠適用本發明。在這種情況下，首先，設成為基準的線速度為VH，設試寫所使用的線速度為VL。試寫線速度VL與上述的VL與VH的關係一樣，理想的是滿足1.1≤VH/VL。
另外，設線速度VH的Pw及Pbi的推薦值各自為PwH及PbiH，設在線速度VL下進行試寫時的Pw及Pbi各自為PwL及PbiL，則可以滿足PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1那樣地設定PwL及PbiL，來進行試寫。由此，能夠以短步驟達到比基準線速度VH慢的線速度VL及其附近的最佳記錄條件。另外，有關Tcl、Tmp、Ttop及Tlp，可以與上述一樣地考慮。
另外，成為基準的線速度及其線速度的脈衝強度及脈衝寬度的推薦值可以是在試寫時能夠由光記錄裝置讀出的狀態，例如可以由光記錄裝置保存，也可以記錄在介質中。另外，在本說明書中，脈衝強度及脈衝寬度的推薦值是指介質生產廠商所推薦的值或在該記錄系統的規格中規定的最佳值或推薦值。在本說明書中，也將這樣的推薦值稱為「記錄條件設定信息」。
在上述方法中使用的成為基準的線速度不必須是適用本發明的記錄系統的原始線速度，也可以是任意的值。例如，在原始線速度為3.5m/s的情況下，成為基準的線速度也可以是2倍速的7m/s。另外，在適用該記錄方法的情況下，記錄線速度不必須是多個，也可以只在成為基準的線速度的例如4倍的線速度下進行記錄。
以上是利用試寫的第2方法。
本發明特別能夠發揮效果的線速度區域是VH/VL在上述範圍內，並且上述多個線速度或上述連續變化的線速度的最低值理想的是在2m/s以上，更理想的是在2.5m/s以上，進一步理想的是在3m/s以上的區域。
在VH/VL在上述範圍內時，理想的是0.2≤PbiH/PbiL＜1，0.5≤(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1，0≤TclH/TclL＜1，0.2≤TmpH/TmpL≤1，0.2≤TtopH/TtopL≤1，
1≤TlpH/TlpL≤3，更理想的是0.3≤PbiH/PbiL≤0.99，0.5≤(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)≤0.99，0.05≤TclH/TclL≤0.99，0.3≤TmpH/TmpL≤0.99，0.3≤TtopH/TtopL≤0.99，1.01≤TlpH/TlpL≤3。
如果脈衝強度的比或脈衝寬度的比在上述範圍以外，則在VH/VL在上述範圍內的線速度區域中，難以減小失真。例如，如果設定PbiH/PbiL＜0.2，則線速度VH下的消去率低下而不能進行直接重寫。
在本發明中，如圖2及圖4(b)所示，在記錄脈衝部分中存在2個上升沿脈衝的記錄波形中，還有在如圖3及圖4(a)所示，在記錄脈衝部分中只存在1個上升沿脈衝的記錄波形中，理想的是PbiH/PbiL、(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)、Tcl及TtopH/TtopL在上述的限定範圍內，在圖2及圖4(b)所示的記錄波形中，理想的是TlpH/TlpL也在上述限定範圍內。
開始上升沿脈衝是從偏置功率Pbi開始上升的脈衝，因而如果使開始上升沿脈衝的寬度Ttop比其他上升沿脈衝的寬度Tmp小，則記錄層的溫度上升變得不充分，難以得到規定長度的記錄標記。因此，理想的是1≤Ttop/Tmp。
但是，如果Ttop/Tmp過大，則有損多脈衝記錄的效果，所以，理想的是Ttop/Tmp≤3。
另外，通過控制結尾上升沿脈衝的寬度Tlp，能夠調整記錄標記的長度。但是，不管Tlp/Tmp過大還是過小都有損多脈衝記錄的效果，所以通常理想的是0.5≤Tlp/Tmp≤2
那樣地設定Tlp。
在本發明中，在用Pbo表示在記錄脈衝部分中在上升沿脈衝後面的下降沿脈衝的強度的情況下，理想的是Pbo≤Pbi那樣地進行記錄。這是因為不會有損設置下降沿脈衝的效果。但是，為了施加導引伺服，下降沿脈衝的功率電平必須大於0。如果設Pbo＝Pbi，則能夠減小光記錄裝置具有的控制裝置的負擔。另外，在所有的下降沿脈衝中設Pbo都一樣，並且Pbo＝Pbi的時候，冷卻脈衝就不存在了。但是，也可以與其他的下降沿脈衝獨立地控制冷卻脈衝。在本發明中，通過如上述那樣地對應於線速度地控制冷卻脈衝，能夠減小失真，所以理想的是設置冷卻脈衝。
另外，開始上升沿脈衝的強度及結尾上升沿脈衝的強度可以與被它們夾著的上升沿脈衝的強度(Pw)不同。用Ptop表示開始上升沿脈衝的強度，用Plp表示結尾上升沿脈衝的強度，可以代替使Ttop比Tmp大而使Ptop比Pw大，代替使Tlp比Tmp大或者小而使Plp比Pw大或者小。另外，也可以同時控制Ttop及Ptop，或同時控制Tlp及Plp。但是，為了減小光記錄裝置具有的控制裝置的負擔，理想的是使Ptop＝Pw，Plp＝Pw。
本發明適用於改寫型系統。所以，由於Pbi成為消去功率，所以可以能夠使記錄標記結晶化那樣地對應於記錄層的組成或重寫線速度等來決定Pbi的下限。另一方面，可以不使記錄層非結晶化那樣地，另外通過反覆照射也不給記錄層造成損害地決定Pbi的上限。
另外，在本發明中，在信號長度相同的所有的記錄標記中，不必須使Ttop及Tlp各自相同，例如也可以是對應於之前的記錄標記的長度，針對每個記錄標記適宜地控制Ttop，或對應於之前的記錄標記的長度，針對每個記錄標記適宜地控制Tlp的適應型控制。
但是，在上述的特開平10-106008號公報、特開平11-232652號公報及特開2000-155945號公報中，記載了在多脈衝記錄中對應於線速度控制脈衝寬度及脈衝強度。但是，在特開平10-106008號公報及特開平11-232652號公報中，沒有記載對應於線速度控制Pbi及Pbi與Pw的比。另外，在特開2000-155945號公報中，與本發明相反，記載了PbiL/PwL＜PbiH/PwH。
該特開2000-155945號公報中所記載的發明考慮的是適用於記錄磁軌間距比DVD寬的CD-RW，在該公報中對CD-RW進行了實驗。相對於此，本發明如後所述，是以與CD-RW相比顯著提高了記錄密度的介質為對象的。另外，本發明是以具有與記錄磁軌間距為0.74μm的DVD-RW同等的記錄磁軌間距或比它小的磁軌間距的介質為對象的。因此，可以考慮PbiL/PwL與PbiH/PwH之間的關係是與特開2000-155945號公報完全相反的。另外，本發明對記錄磁軌間距在0.8μm以下的介質特別有效。但是，對於記錄磁軌間距過窄的介質，由於適用本發明也難以得到充分的效果，所以理想的是將本發明適用於記錄磁軌間距在0.1μm以上的介質。
在本發明中，設檢測窗寬度為Tw，設與最短記錄標記對應的信號長度為n·Tw的情況下，在記錄所用的最快的線速度下，在n·Tw≤20ns，特別是n·Tw≤18ns那樣地進行記錄的情況下，本發明特別有效。即，在與最短記錄標記對應的信號長度(以下也有簡稱為最簡訊號長度的情況)n·Tw保持在一定值以上的情況下，本發明特別有效。
最簡訊號長度n·Tw與數據傳送速率有關，n·Tw越短則數據傳送速率越大。為了使n·Tw變短，有必要減小記錄及重放所使用的雷射束的點直徑進行高密度記錄，或加快記錄線速度。在記錄時的雷射輸出保持一定的情況下，記錄線速度越快則越難以在記錄層上積存熱。另一方面，為了減小光束點直徑，而縮短雷射波長，或增大雷射光束照射光學系統的物鏡的數值孔徑，但在該情況下，與雷射束點的單位面積對應的能量提高，因而在記錄時變得容易在記錄層上積存熱。所以，是否容易在記錄層上積存熱，依存於光束點直徑和記錄線速度。一旦容易在記錄層上積存熱，則在記錄時，由於向記錄層的面內方向的熱傳導，容易使形成的記錄標記的一部分再結晶化，發生自擦除。如果發生自擦除，則失真變大。通過本發明者們的實驗，已知在最簡訊號長度n·Tw超過20ns的條件下，由於記錄線速度的影響相對變大，所以難以發生上述自擦除，在n·Tw在20ns以下的條件下，由於減小雷射束點直徑的影響相對變大，所以容易發生上述自擦除。因此，在n·Tw在20ns以下的情況下，依據本發明，如果PbiH/PbiL＜1，即線速度越快則越減小Pbi，則能夠顯著降低因自擦除的影響所帶來的失真增大。
在相變化型介質中為了能夠改寫，通過加熱消去記錄標記(結晶化)那樣地決定記錄層的組成及介質的線速度。因此，在可改寫的相變化型介質中，難以因記錄層中積存熱而發生自擦除。所以，本發明在使用可改寫型的相變化型介質的情況下特別有效。
在本發明中，理想的是線速度越慢則越增大Tcl的理由也是為了防止自擦除。另外，理想的是線速度越快則越減小Tmp及Ttop的理由也是為了防止由於記錄層中積存熱而發生自擦除。
另外，對雷射二極體的響應性，即上升及下降有限制，如果n·Tw過短，則形成最短記錄標記時雷射二極體就不能正常發光了。因此，理想的是2ns≤n·Tw，更理想的是4ns≤n·Tw。
最簡訊號長度n·Tw在例如1-7調製中對應於2T信號時n＝2。另外，在8-16調製中對應於3T信號時n＝3。
另外，所謂數據傳送速率與n·Tw相關，但也與格式效率有關，即使n·Tw相同，但格式效率越低則數據傳送速率越低。所以，通過n·Tw，能夠更直接地表現出寫入速度。現有的光記錄盤中的具有4.7GB/面的記錄容量的DVD-RAM4.7是線速度8.2m/s，傳送速率22Mbps，n·Tw51.41ns。
另外，同樣具有4.7GB/面的記錄容量的DVD-RW是線速度3.5m/s，傳送速率11Mbps，n·Tw78.48ns。
這樣，本發明中的n·Tw≤20ns與現有的光記錄盤的n·Tw相比顯著地短。
在本發明中，設用於記錄的雷射的波長為λ，設照射光學系統的物鏡的數值孔徑為NA的情況下，λ/NA≤680nm理想的是λ/NA≤630nm。
如果λ/NA過大，則由於變得有必要增大記錄磁軌的排列間距，所以難以提高記錄密度。另外，如果λ/NA過大，則由於雷射的光束點內的能量密度變得不充分高，所以難以在記錄時在記錄層中積存熱，因而適用本發明的效果變小。但是，對能夠利用的雷射波長及數值孔徑有限制，難以設置明顯短的波長及明顯大的數值孔徑，因而通常理想的是350nm≤λ/NA。
在記錄波形中，在上升沿脈衝和他後面的下降沿脈衝的組中，上升沿脈衝佔有的寬度的比例，即負荷比理想的是0.3～0.9。如果該負荷比過小，則由於需要高功率的雷射，所以不理想。而如果該負荷比過大，則記錄標記的寬度、長度、形狀容易產生偏差，其結果是失真容易變大。
另外，例如如上述特開2000-155945號公報中所記載的那樣，在開始上升沿脈衝之前，可以設置比消去功率低的功率電平的下降沿脈衝(餘熱調節脈衝)，另外，也可以構成為在開始上升沿脈衝之前，通過設置比它強度低的上升沿脈衝，輔助使記錄層的溫度上升。
在本發明中，用來形成信號長度kT(k為1以上的整數，T為基準脈衝時鐘寬度)的記錄標記的記錄脈衝部分的寬度不必須是kT。在設置雷射照射時間為kT的情況下，由於通過向記錄磁軌長度方向的熱傳導有記錄標記長度變得過長的情況，所以一般使記錄脈衝部分的寬度比實際的信號長度短。在圖1～圖3中，將kT信號記錄用的記錄脈衝部分的上升沿脈衝的個數設為k-2，但並不限於此，也可以如例如圖4所示那樣地為k-1。另外，在本發明中，調製方式沒有限定。
本發明在適用於邊緣標記記錄方式的情況下特別有效。
在光記錄介質的驅動裝置中，一般向對記錄、重放、消去用的雷射進行強度調製的驅動信號疊加與記錄頻率相比高出一個級別的高頻率，例如數百兆赫茲程度的高頻率。
本說明書中的直流雷射包含由疊加了這樣的高頻率的直流信號驅動的雷射。
下面，說明適用本發明的光記錄介質的結構例子。
圖5所示的構造圖5展示了本發明的光記錄介質的結構例子。該光記錄介質在透光性基體2上順序具有第1電介質層31、記錄層4、第2電介質層32、反射層5及保護層6，記錄或者重放用的雷射通過透光性基體2入射。
透光性基體2透光性基體2具有對記錄或重放用的雷射的透光性。透光性基體2的厚度通常為0.2～1.2mm，理想的是0.4～1.2mm。透光性基體2可以由樹脂構成，也可以由玻璃構成。在光記錄介質中通常設置的凹槽(導引溝)2G是從雷射入射側看存在於前面的區域，存在於相鄰的凹槽之間的凸條是凸緣2L。
在本發明中，能夠將凸緣及/或凹槽作為記錄磁軌利用。
第1電介質層31及第2電介質層32這些電介質層通過防止記錄層的氧化、變質，和在記錄時截斷從記錄層傳導的熱向面內方向傳導，來保護支持基體20和透光性基體2。另外，通過設置這些電介質層，能夠提高調製度。各電介質層可以由組成不同的2層以上的電介質層疊而成。
作為用於這些電介質層的電介質，理想的是例如從Si、Ge、Zn、Al、稀土類元素等中選擇的至少一種的包含金屬成分的各種化合物。作為化合物理想的是氧化物、氮化物或硫化物，也可以使用含有2種以上的這些化合物的混合物。
在希望介質是急冷構造的情況下，理想的是電介質層，特別是第2電介質層32由熱傳導率高的電介質構成。作為熱傳導率高的電介質理想的是例如硫化鋅與氧化矽的混合物(ZnS-SiO2)、氮化鋁、氧化鋁、氮化矽、氧化鉭等，特別理想的是鋁的氧化物及/或氮化物、矽的氧化物及/或氮化物。作為ZnS-SiO2理想的是含有30～60摩爾％的SiO2。如果SiO2的含量過低，則熱傳導率變得過低。另一方面，如果SiO2的含量過高，則由於與其他層的粘合性不充分，所以在長期保存時容易產生層間剝離。
在急冷構造的情況下，第2電介質層的熱傳導率理想的是在1W/mK以上，更理想的是在1.5W/mK以上。第2電介質層的熱傳導率沒有特別的上限，但可以作為電介質層使用的材料通常其熱傳導率都在20W/mK左右以下。本說明書的第2電介質層的熱傳導率不是在薄膜狀態下的測量值，而是鬆散材料下的值。
第1電介質及第2電介質的厚度可以是得到充分的保護效果和調製度提高效果那樣地適當地決定，但通常，第1電介質層31的厚度理想的是30～300nm，更理想的是50～250nm，第2電介質層32的厚度理想的是10～50nm。但是，在追加記錄型介質中，理想的是使非結晶記錄標記難以結晶化那樣的急冷構造，因此，第2電介質層的厚度理想的是在30nm以下，更理想的是在25nm以下。
理想的是通過噴鍍法形成各電介質。
記錄層4記錄層的組成並沒有特別的限定，可以從各種相變化材料中適當地選擇，但理想的是至少包含Sb及Te。只由Sb及Te構成的記錄層由於其結晶化溫度低至130℃左右，保存可靠性不充分，所以為了提高結晶化溫度，理想的是添加其他元素。作為這種情況下的添加元素，理想的是至少從In、Ag、Au、Bi、Se、Al、P、Ge、H、Si、C、V、W、Ta、Zn、Ti、Sn、Pb、Pd及稀土元素(Sc、Y及鑭系元素)中選擇一種。在這些當中，由於提高保存可靠性的效果特別高，所以理想的是至少從稀土元素、Ag、In及Ge中選擇一種。
作為包含Sb及Te的組成，理想的是以下的組成。用M表示除了Sb及Te以外的元素，用下式式I (SbxTe1-x)1-yMy表示記錄層構成元素的原子比，則理想的是0.2≤x≤0.90≤y≤0.4，更理想的是0.5≤x≤0.850.01≤y≤0.2。
具體地說，可以對應於記錄線速度和介質的熱設計，適當地設定x。
在上述式I中，如果表示Sb的含有量的x過小，則結晶化速度變慢，因而在比較快的線速度下消去記錄標記會變得困難。另外，由於在記錄層結晶質區域中的反射率變低，所以重放信號輸出變低。另外如果顯著減小x，則記錄也會變得困難。另一方面，如果x過大，則結晶狀態和非結晶狀態之間的反射率差變小，因而重放信號輸出變低。
元素M並沒有特別的限定，但理想的是從表現出提高保存可靠性效果的上述元素中至少選擇一種。如果表示元素M的含有量的y過大，則結晶化速度會過快，或重放輸出變低。
記錄層的厚度理想的是超過4nm並低於50nm，更理想的是5～30nm。如果記錄層過薄，則結晶相的成長變得困難，結晶化變得困難。另一方面，如果記錄層過厚，則記錄層的熱容量變大，記錄變得困難，另外重放信號輸出還會降低。
理想的是通過噴鍍法形成記錄層。
另外，本發明中的記錄層的結構並沒有特別的限定。例如，特開平8-221814號公報或特開平10-226173號公報中所記載的具有多層結構的記錄層的介質也可以適用本發明。
反射層5反射層構成材料並沒有特別的限定，通常可以由Al、Au、Ag、Pt、Cu、Ni、Cr、Ti、Si等金屬或半金屬的單體或包含它們的一種以上的合金等構成。
在希望介質是急冷結構的情況下，理想的是由熱傳導率高的材料構成反射層。作為熱傳導率高的材料理想的是Ag或Al。但是，Ag或Al的單體無法得到耐腐蝕性，理想的是添加用來提高耐腐蝕性的元素。
但是，由於添加其他元素會降低熱傳導率，所以在這種情況下，理想的是將熱傳導率較高的Ag作為主成分使用。作為向Ag添加的理想的副成分元素，例如可以列舉出從Mg、Pd、Ce、Cu、Ge、La、S、Sb、Si、Te及zr中至少選擇出一種。這些副成分元素至少使用一種，理想的是使用2種以上。反射層中的副成分元素的含有量，對於各金屬理想的是0.05～2.0原子％，更理想的是0.2～1.0原子％，作為副成分全體理想的是0.2～5原子％，更理想的是0.5～3原子％。如果副成分元素的含有量過少，則包含它們所產生的效果並不充分。另一方面，如果副成分元素的含有量過多，則熱傳導率會減小。
在急冷結構的情況下，反射層的熱傳導率理想的是在100W/mK以上，更理想的是在150W/mK以上。例如可以根據用4探針法求出的反射層的電阻值，利用Widemann-Franz法則計算出熱傳導率。反射層的熱傳導率並沒有特別的上限。即，可以使用在能夠作為反射層構成材料使用的材料中的具有最高熱傳導率的純銀(熱傳導率250W/mK)。
反射層的厚度通常理想的是10～300nm。如果厚度沒有達到上述範圍，則難以得到充分的反射率。另外，超過上述範圍，也會使反射率的提高變小，對成本也不利。理想的是通過噴鍍法或蒸鍍法等氣相生長法形成反射層。
保護層6保護層6是為了提高耐擦傷性和耐腐蝕性而設置的。理想的是由各種有機系的物質構成保護層，特別理想的是由通過電子射線、紫外線等放射線使放射線硬化型化合物或它的組成物硬化而成的物質構成。保護層的厚度通常是0.1～100μm左右，可以通過自旋鍍層、照相凹版塗抹、噴射鍍層、浸漬塗層等通常的方法形成。
圖6所示的結構圖6展示了本發明的光記錄介質的結構例子。該光記錄介質是在支持基體20上，以由金屬或半金屬構成的反射層5、第2電介質層32、記錄層4、第1電介質層31及透光性基體2的順序進行層堆積而形成的。用來記錄或重放的雷射通過透光性基體2入射。另外，在支持基體20和反射層5之間，可以設置由電介質材料構成的中間層。
該構成例子中的透光性基體2可以使用與圖5的透光性基體2同等程度厚度的樹脂板或玻璃板。但是，為了通過記錄重放光學系統的高NA化達到高記錄密度，理想的是使透光性基體2薄化。這種情況下的透光性基體的厚度理想的是從30～300μm的範圍中選擇。如果透光性基體過薄，則因附著在透光性基體表面的塵埃造成的光學影響會變大。而如果透光性基體過厚，則難以通過高NA化達到高記錄密度。
在使透光性基體2薄化的時候，例如可以通過各種粘接劑或粘合劑將由透光性樹脂構成的透光性膜粘貼到第1電介質層31上而作為透光性基體，也可以利用塗抹法直接在電介質層31上形成透光性樹脂層而作為透光性基體。
支持基體20是為了維持介質的剛性而設置的。支持基體20的厚度及構成材料可以與圖5所示的結構例子中的透光性基體2一樣，也可以是透明的或不透明的。凹槽2G如圖所示，可以通過將設置在支持基體20上的溝轉寫到在其上形成的各層上來形成。
該其他的各層與圖5所示的結構例子一樣。
下面，說明能夠適用本發明的光記錄裝置的結構。
圖7是概要展示用來向圖5及圖6所示的光記錄介質記錄數據的光記錄裝置50的主要部分的框圖。
光記錄裝置50具備如圖7所示那樣地使光記錄介質10旋轉的主軸電動機52、向光記錄介質10照射記錄光，同時接收其反射光的頭53、控制主軸電動機52及頭53的動作的控制器54、向頭53提供雷射驅動信號的雷射驅動電路55、向頭53提供透鏡驅動信號的透鏡驅動電路56。
進而，如圖7所示，控制器54包含聚焦伺服跟蹤電路57、導引伺服跟蹤電路58及雷射控制電路59。一旦聚焦伺服跟蹤電路57開始活動，則成為在正在旋轉的光記錄介質10的記錄面上聚焦的狀態，如果導引伺服跟蹤電路58開始活動，則成為雷射束的點自動跟蹤光記錄介質10的偏離中心的信號磁軌的狀態。聚焦伺服跟蹤電路57及導引伺服跟蹤電路58分別具備自動調整聚焦增益的自動增益控制功能及自動調整導引增益的自動增益控制功能。另外，雷射控制電路59是生成由雷射驅動電路55供給的雷射驅動信號的電路，它根據保存在光記錄介質10等中的記錄條件設定信息，生成適當的雷射驅動信號。
另外，這些聚焦伺服跟蹤電路57、導引伺服跟蹤電路58及雷射控制電路59不必須一定是安裝在控制器54內的電路，也可以是與控制器54分離的部件。進而，這些並不必須一定是物理的電路，也可以是在控制器54內執行的軟體。
在使用由這樣的結構構成的光記錄裝置50，向本實施例的光記錄介質10記錄數據的情況下，如上所述，讀出記錄在光記錄介質10等中的記錄條件設定信息，根據它決定記錄策略。
因此，例如，在光記錄裝置50以2倍速(VL)向光記錄介質10記錄數據的情況下，將記錄功率及偏置功率分別設定為PwL及PbiL，同時將開始脈衝的脈衝寬度、多脈衝的脈衝寬度、結尾脈衝的脈衝寬度及冷卻脈衝的脈衝寬度分別設定為TtopL、TmpL、TlpL及TclL，而在以例如4倍速(VH)記錄數據的情況下，將記錄功率及偏置功率分別設定為PwH及PbiH，同時將開始脈衝的脈衝寬度、多脈衝的脈衝寬度、結尾脈衝的脈衝寬度及冷卻脈衝的脈衝寬度分別設定為TtopH、TmpH、TlpH及TclH。通過滿足PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1，那樣地進行設定，理想的是滿足TclH/TclL＜1，
TmpH/TmpL≤1，TtopH/TtopL≤1，1≤TlpH/TlpL那樣地設定脈衝寬度，則在通過2倍速及4倍速的任意一個進行記錄的情況下，都能夠減小重放信號的失真。
實施例實施例1通過以下步驟製作具有圖6所示的結構的光記錄盤樣盤。
支持基體20使用直徑120mm、厚度1.1mm的盤狀聚碳酸脂。在該支持基體的表面設置在向透光性基體2轉寫後成為凹槽及凸緣的凹凸圖形。
在Ar氣體氛圍中通過噴鍍法形成反射層5。目標靶使用Ag98Pd1Cu1。反射層的厚度為100nm。
第2電介質層32使用Al2O3目標靶，在Ar氣體氛圍中通過噴鍍法形成。第2電介質層的厚度為20nm。
記錄層4使用合金目標靶，在Ar氣體氛圍中通過噴鍍法形成。記錄層的組成(原子比)為{(Sb0.82Te0.18)0.93(In0.14Ge0.86)0.07}0.98Tb0.02。
記錄層的厚度為12nm。
第1電介質層31使用ZnS(85摩爾％)-SiO2(15摩爾％)的目標靶，在Ar氣體氛圍中通過噴鍍法形成。第1電介質層的厚度為130nm。
通過在第1電介質層31的表面，經由由溶劑型的紫外線硬化型丙烯基樹脂構成的厚度3μm的粘接層，粘接聚碳酸脂膜(厚度100μm)來形成透光性基體2。
在通過置零電路初始化(結晶化)這樣製作的樣盤後，使用光記錄介質評價裝置(帕爾斯泰克公司制的DDU-1000)，在雷射波長405nm數值孔徑0.85記錄信號(1，7)RLL調製信號的條件下，向凹槽記錄信號，接著，重放記錄信號。表1表示記錄時的線速度V、Pw、Pbi、Pbi/Pw、Tlp、Tmp、Ttop及Tlp和重放信號的失真。表1所示的N是以線速度5.7m/s為基準的倍率表示，N＝V/5.7。另外，Pbo被固定為0.1mw。在多脈衝中，上升沿脈衝的寬度和下降沿脈衝的寬度的合計為1T。因此，負荷比與Tmp相等。另外，在圖2及圖3分別展示的波形中，除Tmp以外的參數都與圖1所示的記錄波形相同。另外，該記錄時的最簡訊號長度n·Tw在線速度V為5.7m/s的時候是30.3ns，在V為14.6m/s的時候是11.8ns。
表1所示的失真是通過時間間隔檢測器(橫河電機株式會社制)測量重放信號，設檢測窗寬度為Tw，根據σ/Tw(％)計算得出的時鐘失真。該時鐘失真相對於與基準時鐘寬度(1T)對應的頻率的重放信號隨時處於搖擺中。即使考慮到傾斜區域，即考慮盤傾斜造成的失真增大，如果無傾斜時的時鐘失真在10％以下，理想的是在9％以下，則對信號質量不構成問題。
表1

在表1的所有分支中的各線速度的Pw及Pbi和其他所有線速度的這些參數間，PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1都成立。因此，在所有的線速度下的失真都在10％以下。
進而，在表1的分支No.101～103中的各線速度的Tcl及Tmp和其他所有線速度的這些參數間，TclH/TclL＜1，TmpH/TmpL≤1都成立。因此，在所有線速度下的失真都在9％以下。
另外，表1所示的失真是在進行了10次重寫後測量的值。即，上述樣盤能夠在表1所示的所有線速度下被重寫。
比較例子1針對在實施例1中製作的樣盤，進行除了記錄條件為表2所示那樣以外，其他都與實施例1一樣的測量。結果如表2所示。另外，表2的分支No.201是與表1的分支No.101相同的條件。
表2

在表2中，如果將處於失真容許範圍內的分支No.201(1倍速)考慮為基準分支，則在基準分支與分支No.202的關係中，PbiH/PbiL＜1不成立。另外，在基準分支與分支No.202及分支No.203的關係中，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1不成立。其結果是，分支No.202、分支No.203超過了失真容許範圍。
在本發明中，由於在多脈衝記錄中對應於線速度控制記錄波形，所以在廣線速度範圍內能夠減小失真。
權利要求
1.一種光記錄方法，是針對具有包含相變化材料的記錄層的光記錄介質，使用通過記錄波形進行了強度調製的記錄光，以多個線速度或連續變化的線速度進行記錄的方法，其特徵在於上述記錄波形具有直流部分、用來形成記錄標記的記錄脈衝部分，用Pbi表示直流部分的強度，在至少具有3個上升沿脈衝的記錄脈衝部分中，用Pw表示被開頭的上升沿脈衝和最末尾的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝的強度，設上述多個線速度或上述連續變化的線速度中的一個為VL，設在以線速度VL進行記錄時的Pw及Pbi分別為PwL及PbiL，設上述多個線速度或上述連續變化的線速度中比VL快，並且滿足1.1≤VH/VL的線速度的一個為VH，設在以線速度VH進行記錄時的Pw及Pbi分別為PwH及PbiH時，在滿足PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1的條件下，進行記錄。
2.一種光記錄方法，是針對具有包含相變化材料的記錄層的光記錄介質，使用通過記錄波形進行了強度調製的記錄光，以從多個線速度中選擇的一個線速度進行記錄的方法，其特徵在於上述記錄波形具有直流部分、用來形成記錄標記的記錄脈衝部分，用Pbi表示直流部分的強度，在至少具有3個上升沿脈衝的記錄脈衝部分中，用Pw表示被開頭的上升沿脈衝和最末尾的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝的強度，設上述多個線速度的一個為VL，設在以線速度VL進行記錄時的Pw及Pbi分別為PwL及PbiL，設上述多個線速度中比VL快，並且滿足1.1≤VH/VL的線速度的一個為VH，設在以線速度VH進行記錄時的Pw及Pbi分別為PwH及PbiH時，在滿足PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1的條件下，進行記錄。
3.根據權利要求1或2所述的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，在最末尾的上升沿脈衝後面存在下降沿脈衝，用Tcl表示該下降沿脈衝的寬度，設在以線速度VL進行記錄時的Tcl為TclL，設在以線速度VH進行記錄時的Tcl為TclH時，TclH/TclL＜1那樣地進行記錄。
4.根據權利要求1～3中的任意一個所述的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，用Tmp表示被開頭的上升沿脈衝和最末尾的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝的寬度，設在以線速度VL進行記錄時的Tmp為TmpL，設在以線速度VH進行記錄時的Tmp為TmpH時，TmpH/TmpL≤1那樣地進行記錄。
5.根據權利要求1～4中的任意一個所述的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，用Ttop表示開頭的上升沿脈衝的寬度，設在以線速度VL進行記錄時的Ttop為TtopL，設在以線速度VH進行記錄時的Ttop為TtopH時，TtopH/TtopL≤1那樣地進行記錄。
6.根據權利要求1～5中的任意一個所述的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，用Tlp表示最末尾的上升沿脈衝的寬度，設在以線速度VL進行記錄時的Tlp為TlpL，設在以線速度VH進行記錄時的Tlp為TlpH時，1≤TlpH/TlpL那樣地進行記錄。
7.根據權利要求1～6中的任意一個所述的光記錄方法，其特徵在於通過向光記錄介質的試寫，來決定分別在線速度VL及線速度VH下使用的脈衝強度及脈衝寬度。
8.根據權利要求1～7中的任意一個所述的光記錄方法，其特徵在於設檢測窗寬度為Tw，設與最短記錄標記對應的信號長度為n·Tw時，在被用於記錄的最快的線速度下，n·Tw≤20ns。
9.一種光記錄方法，是針對具有包含相變化材料的記錄層的光記錄介質，使用通過記錄波形進行了強度調製的記錄光，進行記錄的方法，其特徵在於上述記錄波形具有直流部分、用來形成記錄標記的記錄脈衝部分，用Pbi表示直流部分的強度，在至少具有3個上升沿脈衝的記錄脈衝部分中，用Pw表示被開頭的上升沿脈衝和最末尾的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝的強度，設置成為基準的線速度和該線速度下的Pw及Pbi的推薦值，通過在與該成為基準的線速度不同的線速度下進行試寫，決定在進行該試寫時的線速度或包含該線速度的線速度區域下的在實際記錄信息時實際使用的Pw及Pbi的時候，將線速度VL及滿足1.1≤VH/VL的線速度VH中的一個作為上述成為基準的線速度，將另一個作為進行上述試寫時的線速度，設在以線速度VL進行記錄時的Pw及Pbi分別為PwL及PbiL，設在以線速度VH進行記錄時的Pw及Pbi分別為PwH及PbiH時，滿足PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1那樣地，設定試寫時的Pw及Pbi。
10.根據權利要求9所述的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，在最末尾的上升沿脈衝後面存在下降沿脈衝，用Tcl表示該下降沿脈衝的寬度，設置上述成為基準的線速度下的Tcl的推薦值，設在以線速度VL進行記錄時的Tcl為TclL，設在以線速度VH進行記錄時的Tcl為TclH時，通過滿足TclH/TclL＜1那樣地設定試寫時的Tcl，來求出在該試寫時的線速度或包含該線速度的線速度區域下的在實際記錄信息時使用的Tcl。
11.根據權利要求9或10所述的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，用Tmp表示被開頭的上升沿脈衝和最末尾的上升沿脈衝夾著的上升沿脈衝的寬度，設置上述成為基準的線速度下的Tmp的推薦值，設在以線速度VL進行記錄時的Tmp為TmpL，設在以線速度VH進行記錄時的Tmp為TmpH時，通過滿足TmpH/TmpL≤1那樣地設定試寫時的Tmp，來求出在該試寫時的線速度或包含該線速度的線速度區域下的在實際記錄信息時使用的Tmp。
12.根據權利要求9～11中的任意一個所述的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，用Ttop表示開頭的上升沿脈衝的寬度，設置上述成為基準的線速度下的Ttop的推薦值，設在以線速度VL進行記錄時的Ttop為TtopL，設在以線速度VH進行記錄時的Ttop為TtopH時，通過滿足TtopH/TtopL≤1那樣地設定試寫時的Ttop，來求出在該試寫時的線速度或包含該線速度的線速度區域下的在實際記錄信息時使用的Ttop。
13.根據權利要求9～12中的任意一個所述的光記錄方法，其特徵在於在記錄脈衝部分中至少具有3個上升沿脈衝的波形中，用Tlp表示最末尾的上升沿脈衝的寬度，設置上述成為基準的線速度下的Tlp的推薦值，設在以線速度VL進行記錄時的Tlp為TlpL，設在以線速度VH進行記錄時的Tlp為TlpH時，通過滿足1≤TlpH/TlpL那樣地設定試寫時的TlpH，來求出在該試寫時的線速度或包含該線速度的線速度區域下的在實際記錄信息時使用的Tlp。
14.根據權利要求9～13中的任意一個所述的光記錄方法，其特徵在於設檢測窗寬度為Tw，設與最短記錄標記對應的信號長度為n·Tw時，在被用於記錄的最快的線速度下，n·Tw≤20ns。
15.一種光記錄裝置，是能夠使用權利要求1～8中的任意一個的光記錄方法的光記錄裝置，其特徵在於保存分別在線速度VL及線速度VH下使用的脈衝強度及脈衝寬度。
16.一種光記錄裝置，是能夠使用權利要求1～8中的任意一個的光記錄方法的光記錄裝置，其特徵在於針對各線速度，保存多個分別在線速度VL及線速度VH下使用的脈衝強度及脈衝寬度，在從這些多個脈衝強度及脈衝寬度中，選擇實際使用的脈衝強度及脈衝寬度時，利用向光記錄介質的試寫。
17.一種光記錄裝置，是能夠使用權利要求1～8中的任意一個的光記錄方法的光記錄裝置，其特徵在於將分別在線速度VL及線速度VH下使用的脈衝強度及脈衝寬度作為各自的線速度的函數進行定義，並保存該函數。
18.一種光記錄裝置，是能夠使用權利要求1～8中的任意一個的光記錄方法的光記錄裝置，其特徵在於將分別在線速度VL及線速度VH下使用的脈衝強度及脈衝寬度作為各自的線速度的函數進行定義，並針對各線速度保存多個該函數，在從這些多個函數中，選擇實際使用的函數時，利用向光記錄介質的試寫。
19.一種光記錄裝置，是能夠使用權利要求9～14中的任意一個的光記錄方法的光記錄裝置，其特徵在於保存上述成為基準的線速度下的脈衝強度及脈衝寬度的推薦值。
20.一種光記錄介質，是能夠適用權利要求1～8中的任意一個的光記錄方法的光記錄介質，其特徵在於記錄分別在線速度VL及線速度VH下使用的脈衝強度及脈衝寬度。
21.一種光記錄介質，是能夠適用權利要求1～8中的任意一個的光記錄方法的光記錄介質，其特徵在於針對各線速度，保存多個分別在線速度VL及線速度VH下使用的脈衝強度及脈衝寬度，在從這些多個脈衝強度及脈衝寬度中，選擇實際使用的脈衝強度及脈衝寬度時，利用向光記錄介質的試寫。
22.一種光記錄介質，是能夠適用權利要求1～8中的任意一個的光記錄方法的光記錄介質，其特徵在於將分別在線速度VL及線速度VH下使用的脈衝強度及脈衝寬度作為各自的線速度的函數進行定義，並記錄該函數。
23.一種光記錄介質，是能夠適用權利要求1～8中的任意一個的光記錄方法的光記錄介質，其特徵在於將分別在線速度VL及線速度VH下使用的脈衝強度及脈衝寬度作為各自的線速度的函數進行定義，並針對各線速度保存多個該函數，在從這些多個函數中，選擇實際使用的函數時，利用向光記錄介質的試寫。
24.一種光記錄介質，是能夠適用權利要求9～14中的任意一個的先記錄方法的光記錄介質，其特徵在於記錄上述成為基準的線速度下的脈衝強度及脈衝寬度的推薦值。
25.一種光記錄方法，是針對具有包含相變化材料的記錄層的光記錄介質，通過照射被調製為至少包含記錄功率及偏置功率的多個功率的記錄光，來記錄數據的光記錄方法，其特徵在於設以第1線速度進行數據記錄的情況下的上述記錄功率及上述偏置功率分別為PwL及PbiL，設以比上述第1線速度高的第2線速度進行數據記錄的情況下的上述記錄功率及上述偏置功率分別為PwH及PbiH的情況下，在滿足PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1的條件下，進行記錄。
26.根據權利要求25所述的光記錄方法，其特徵在於設上述第1線速度為VL，設上述第2線速度為VH的情況下，在滿足1.1≤VH/VL≤8的條件下，進行記錄。
27.根據權利要求26所述的光記錄方法，其特徵在於在滿足1.2≤VH/VL≤4的條件下，進行記錄。
28.根據權利要求25～27中的任意一個所述的光記錄方法，其特徵在於設上述記錄光的波長為λ，設照射光學系統的物鏡的數值孔徑為NA時，在滿足λ/NA≤680nm的條件下，進行記錄。
29.根據權利要求28所述的光記錄方法，其特徵在於在滿足350nm≤λ/NA≤630nm的條件下，進行記錄。
30.一種光記錄裝置，是針對具有包含相變化材料的記錄層的光記錄介質，能夠通過照射被調製為至少包含記錄功率及偏置功率的多個功率的記錄光，來記錄數據的光記錄裝置，其特徵在於設以第1線速度進行數據記錄的情況下的上述記錄功率及上述偏置功率分別為PwL及PbiL，設以比上述第1線速度高的第2線速度進行數據記錄的情況下的上述記錄功率及上述偏置功率分別為PwH及PbiH的情況下，在滿足PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1的條件下，進行記錄。
31.一種光記錄介質，是具有包含相變化材料的記錄層，能夠通過照射被調製為至少包含記錄功率及偏置功率的多個功率的記錄光，而記錄數據的光記錄介質，其特徵在於設以第1線速度進行數據記錄的情況下的上述記錄功率及上述偏置功率分別為PwL及PbiL，設以比上述第1線速度高的第2線速度進行數據記錄的情況下的上述記錄功率及上述偏置功率分別為PwH及PbiH的情況下，為了在滿足PbiH/PbiL＜1，(PbiH/PwH)/(PbiL/PwL)＜1的條件下進行記錄，而存儲必要的設定信息。
全文摘要
本發明的目的是減小在向能夠進行高密度記錄的光記錄介質以多個線速度進行記錄時的重放信號的失真。本發明的光記錄方法是在多個線速度或連續變化的線速度下進行記錄的方法，調製記錄光的記錄波形具有直流部分和記錄脈衝部分，設直流部分的強度為Pbi，設上升沿脈衝的強度為Pw，設在以線速度V
文檔編號G11B7/24GK1496561SQ02806470
公開日2004年5月12日 申請日期2002年2月14日 優先權日2001年2月14日
發明者加藤達也, 新開浩 申請人:Tdk株式會社