靜電執行機構、液滴噴出頭、製造方法、液滴噴出裝置的製作方法

2023-10-09 06:37:49

專利名稱：：靜電執行機構、液滴噴出頭、製造方法、液滴噴出裝置的製作方法
技術領域：
：本發明涉及一種用於靜電驅動方式的噴墨頭等的靜電糹丸行才幾構、液滴噴出頭、它們的製造方法、以及液滴噴出裝置。
背景技術：
：作為用於噴出液滴的液滴噴出頭，7>知的有例如，安裝於噴墨記錄裝置的靜電驅動方式的噴墨頭。靜電驅動方式的噴墨頭一般包括靜電執行機構部，其中，該靜電執行機構部包括單個電極(固定電極)，形成於玻璃基板上；以及矽制的振動板(可動電極)，隔著夫見定的間隔與該單個電極相對配置。而且，靜電驅動方式的噴墨頭還包括噴嘴基板，形成有用於噴出墨水滴的多個噴嘴孔；以及腔基板，與該噴嘴基板接合，並在與噴嘴基板之間形成有連通於上述噴嘴孔的噴出室、貯液器等墨水流道，通過使上述靜電執行機構部產生靜電力，而向噴出室施加壓力，並從所選擇的噴嘴孔噴出墨水滴。在現有的靜電執行機構中，為了防止執行機構的絕緣膜的絕緣擊穿及短3各以確保驅動的穩定性和驅動耐久性，所以在糹展動板或單個電極的對置面上形成有絕緣膜。一般，將熱氧化矽膜用作絕緣膜。其理由在於熱氧化矽膜的製造過程簡單，且其具有極佳的絕緣膜特性。而且，公開有一種使用氧化矽膜和氮化矽膜的靜電執行機構(例如，參照專利文獻l)。此夕卜，還/〉開有一種靜電才丸4亍才幾構(例如，參照專利文獻2、3):由於僅在振動板側的單側形成有絕緣膜，從而在電介質的絕緣膜內會產生殘留電荷，並導致執行機構的驅動的穩定性和驅動耐久性下降，因此，在振動板側和單個電才及側兩側上形成有絕緣膜。而且，也7>開有一種靜電4丸行才幾構(例如，參照專利文獻4):為了減少上述殘留電荷的產生，僅在單個電極側的表面上形成由體積電阻率高的膜和體積電阻率低的膜構成的雙層電極保護膜。甚至，還7>開有一種靜電#丸行才幾構(例如，參照專利文獻5):通過將介電常數高於氧化矽的電介質材料、即High-k材料(高介電常數柵極絕緣膜)用於執行機構的絕緣膜來提高執行機構產生壓力。專利文獻1:日本特開2000-318155號公才艮專利文獻2:日本特開平8-118626號公才艮專利文獻3:日本特開2003-80708號7>才艮專利文獻4:日本特開2002-46282號^>才艮專利文獻5:日本特開2006-271183號公報在上述現有t支術中，在將熱氧化石圭膜用作靜電才丸行機構的電擬_的絕緣膜的情況下，存在適用僅限於在矽基板上的適用這樣的問題。因此，只能在作為可動電極的振動板側形成有熱氧化矽膜。另一方面，如專利文獻2所示，在使用Si02膜的情況下，由於CVD法這樣的制膜方法，所以導致混入大量的碳類雜質，作為驅動耐久性試驗的結果，可知由于振動板和單個電極的反覆接觸，從而導致大多存在Si02膜磨損等的對膜穩定性方面產生的問題。專利文獻2中，在糹展動才反側形成熱氧化力莫，在單個電才及側通過賊射法形成氧化矽膜(在此稱作"濺射膜")，由於濺射膜的絕緣耐壓低，因此，為了防止靜電執行機構的絕緣擊穿，需要增加膜的厚度，或者在振動板側另外形成熱氧化膜這樣的絕緣耐壓卓越的膜。而且，在專利文獻3中構成為4展動糹反和單個電才及這兩個電招_都由石圭基才反構成，不〗又在4展動^反側而且在單個電4及側形成由熱氧化膜構成的絕緣膜，進而在矽基板的接合面不設置絕緣膜。但是，矽基板比玻璃基板價格高，從而存在成本變高的問題。在專利文獻4中，-f又在單個電才及側形成由體積電阻高的膜和體積電阻低的膜構成的雙層電極保護膜，且振動板由鉬、鴒、鎳等金屬構成。但是，存在以下問題在這種絕緣結構中，靜電執行機構的結構更得複雜，製造過程繁瑣，且成本變高。在專利文獻5中，如後述的式(2)所示，通過將介電常數高於氧化矽的電介質材料用於執行機構的絕緣膜，從而提高執行機構的產生壓力。但是，為了驅動執行機構，需要在電極間施加電壓，且若i殳置在電才及上的絕鄉彖膜的絕全彖耐壓低，則從絕》彖耐壓的角度出發，可施加在執行機構上的電壓就被限制得低，即使是將所謂的High-k材料用作絕緣膜的執行機構，當High-k材料的絕緣耐壓低於氧化矽時，也難以提高執行機構的產生壓力(因為根據後述的式(2)必須減小施加電壓V)。而且，在上述專利文獻1至5中的任何一個中，都沒有採用原子層;冗,只法(ALD(AtomicLayerDeposition))來形成才丸4亍才幾構的絕緣膜。另一方面，對於包括靜電執行機構的靜電驅動方式的噴墨頭而言，近年來，隨高解析度的高密度化和高速度驅動的要求進一步提高，據此，靜電執行機構也具有逐漸微型的傾向。為了順應這種要求，需要提出一種可以通過儘可能低的成本來提高靜電執行機構的產生壓力，同時，可實現進一步提高驅動的穩定性和驅動耐久性的請爭電^l^於4幾構的絕糹彖結構。
發明內容本發明鑑於上述問題，目的在於^是供一種解決上述問題的靜電才丸行才幾構，本發明的另一個目的在於^是供一種可以對應隨高解析度的高密度化、高速驅動的液滴噴出頭及它們製造方法、以及液滴噴出裝置。為了解決上述問題，本發明涉及的靜電執行機構包括固定電極，形成在基板上；可動電極，隔著規定間隔與上述固定電極對置配置；以及驅動單元，使上述固定電極與上述可動電極之間產生靜電力，並使上述可動電極發生位移，在上述靜電執行機構中，在上述固定電才及和上述可動電才及中至少一個的乂於置面上形成有由HfxAlyOz膜構成的絕緣膜。在本發明中，通過原子層沉積法(所謂的ALD法)在固定電才及和可動電才及中至少一個的對置面上形成有由HfxAlyOz力莫構成的絕緣膜。當使用Hf;AlyOz膜時，可以同時獲得高於氧化矽的介電常數、和作為靜電執行機構所需的絕緣耐壓，因此，不但可以提高靜電執行機構的產生壓力，而且還能實現靜電執行機構的微型化和高密度化。在本發明的靜電執行機構中，在由HfxAlyOz膜構成的絕緣膜中，x和y滿足下式x》y…式l。例如，通過除一尋x比y的比率i殳定為1:1之外，還一誇x比y的比率"i殳定為2:l、5:1，乂人而可才艮據目的來改變HfxAlyOz膜的介電常數。在本發明的靜電執行機構中，優選在固定電極和可動電極中的至少一個上形成有Si02絕緣膜。通過該結構，可實現絕緣耐壓的進一步提高。此外，在本發明的靜電才丸行才幾構中，優選在上述絕緣膜上形成膜，其表面光滑性高，且具有低摩擦性，所以可以提高靜電執行機構的驅動的穩定性和驅動耐久性。並且，在本發明的靜電執行機構中，優選上述表面保護膜的下面的上述絕糹彖膜是Si02膜。由金剛石或類金剛石等的碳類材料構成的表面保護膜與Si02膜間的貼緊性好，且膜不易剝落，因而，可以提高靜電執行機構的驅動的穩定性和驅動耐久性。在本發明涉及的靜電執行機構的第一製造方法中，上述靜電執4亍才幾構包4舌固定電才及，形成在基才反上；可動電才及，隔著失見定間隔與上述固定電扭j寸置配置；以及驅動單元，-使上述固定電才及與上述可動電極之間產生靜電力，並使上述可動電極發生位移，上述靜電執行機構的製造方法包括在玻璃基板上形成上述固定電極的步驟；釆用原子層沉積法，在石圭基糹反的、與上述3皮璃基糹反相4妾合側的整個表面上形成由HfxAlyCU莫構成的絕緣膜的步驟；陽極接合上述玻璃基板和上述矽基板的步驟；將接合完畢的基板上的上述石圭基4反加工成薄板的步驟；以及從與上述接合完畢的基板上的上述矽基板的4妄合面相反的表面進4於蝕刻加工，/人而形成上述可動電一及的步驟。在該第一製造方法中，通過ALD法，在矽基板的接合側的整個表面上形成有HfxAlyOz膜，根據該ALD法，能以原子層能級來形成膜，所以膜質的緻密性和穩定性極高，且可以高精度地實現薄膜的膜厚。由此，既能提高執行機構的產生壓力，又能確保絕緣耐壓，/人而可以製造可樣i型化、高密度化的靜電扭J亍才幾構。在本發明涉及的靜電執行機構的第二製造方法中，上述靜電執4亍才幾構包4舌固定電才及，形成在基斧反上；可動電才及，隔著^見定間隔與上述固定電極對置配置；以及驅動單元，使上述固定電極與上述可動電極之間產生靜電力，並使上述可動電極發生位移，上述靜電執行機構的製造方法的特徵在於，包括在玻璃基板上形成上述固定電才及的步艱《；採用原子層沉積法，在上述固定電才及上形成由HfxAlyOz膜構成的絕緣膜的步驟；陽極接合上述玻璃基板和矽基板的步驟；將接合完畢的基板上的上述矽基板加工成薄板的步驟；以及從與上述接合完畢的基板上的上述矽基板的接合面相反的表面進4亍蝕刻加工，/人而形成上述可動電4及的步-驟。在該第二製造方法中，通過ALD法，在玻璃基板上的固定電極上形成有HfxAlyCU莫，由此，與上述同樣，既能提高執行機構的產生壓力，又能確保絕緣耐壓，從而可以製造可孩i型化、高密度化的I爭電扭J於才幾構。在本發明涉及的靜電執行機構的第三製造方法中，上述靜電執4亍才幾構包4舌固定電4及，形成在基板上；可動電4及，隔著失見定間隔與上述固定電才及相對配置；以及驅動單元，-使上述固定電才及與上述可動電極之間產生靜電力，並使上述可動電極發生位移，上述靜電執行機構的製造方法的特徵在於，包括在玻璃基板上形成上述固定電極的步驟；在上述固定電極上形成Si02絕緣膜的步驟；採用原子層沉積法，在矽基板的、與上述玻璃基板相接合側的整個表面上形成由Hf;AlyOJ莫構成的絕緣膜的步驟；陽極接合上述玻璃基板和上述矽基板的步驟；將接合完畢的基板上的上述矽基板加工成薄板的步驟；以及從與上述接合完畢的基板上的上述矽基板的接合面相反的表面進4於蝕刻加工，乂人而形成上述可動電一及的步駛《。在該第三製造方法中，在玻璃基板上的固定電極上形成有Si02膜，同時，在矽基板的接合側的整個表面上，通過ALD法，形成有HfxAlyOz膜，由此，可以製造絕緣耐壓及接合強度好、執行機構的產生壓力高、微型化且高密度化的靜電執行機構。在本發明涉及的靜電執行機構的第四製造方法中，上述靜電執4亍才幾構包4舌固定電才及，形成在基4反上；可動電才及，隔著力見定間隔與上述固定電才及對置配置；以及驅動單元，-使上述固定電才及與上述可動電才及之間產生靜電力，並4吏上述可動電才及發生位移，上述4爭電執行機構的製造方法的特徵在於，包括在玻璃基板上形成上述固定電才及的步艱《；採用原子層沉積法，在上述固定電才及上形成由Hf;AlyOJ莫構成的絕緣膜的步驟；在矽基板的、與上述玻璃基板相接合側的整個表面上形成Si02絕緣膜的步驟；陽極接合上述玻璃基板和上述矽基板的步驟；將接合完畢的基板上的上述矽基板加工成薄板的步驟；以及從與上述接合完畢的基板上的上述矽基板的接合面相反的表面進4於蝕刻加工，乂人而形成上述可動電4及的步驟。在該第四製造方法中，在矽基板的接合側的整個表面上形成有Si02膜，同時，在玻璃基板上的固定電才及上，通過ALD法，形成有Hf;AlyOz膜，由此，與上述同樣，可以製造絕緣耐壓及接合強度好、執行機構的產生壓力高、微型化且高密度化的靜電執行機構。此夕卜，在上述第一製造方法~第四製造方法中，還包4舌在由HfxAlyCU莫構成的絕緣膜上，進一步形成Si02絕緣膜的步驟。由此，可實現絕緣耐壓的進一步提高。並且，在上述第一製造方法第四製造方法中，還包括在上述絕糹彖膜上，優選在上述Si02絕糹彖膜上，進一步形成由金剛石或類金剛石這樣的碳類材料構成的表面保護膜的步驟。由此，可獲得執行機構的驅動的穩定性以及驅動耐久性得到提高的靜電執行機構。在將類金剛石用作表面保護膜的情況下，由於與下面的絕緣膜的貼緊性好，表面光滑性高，且具有低摩擦性，所以優選。而且，一般用作表面保護膜的化合物相對於下面的絕緣膜，膜應力非常大，所以為了防止從下面的絕緣膜與表面保護膜之間的界面剝落，優選將表面保護膜的膜厚形成得極薄。此夕卜，由於表面保護膜難以充分陽極接合，所以優選在接合之前，將玻璃基板或矽基板的接合部上的表面保護膜去除。本發明涉及的液滴噴出頭包括噴嘴基4反，具有用於噴出液滴的單個或多個噴嘴孔；腔基板，在與上述噴嘴基板之間，形成有作為連通每個上述噴嘴孔的噴出室的凹部；以及電極基板，形成有作為固定電極的單個電極，上述單個電極隔著規定間隔與構成在上述噴出室的底部的作為可動電才及的l展動才反對置配置，上述'液滴噴出頭包括上述任一種的靜電執行機構。本發明的液滴噴出頭具有如上所述卓越的驅動的穩定性和驅動耐久性，並且，包括執行機構的產生壓力高的靜電執行機構，所以可以獲得可靠性高、且液滴噴出特性卓越的高密度的液滴噴出頭。在本發明涉及的液滴噴出頭的製造方法中，上述液滴噴出頭包括噴嘴基板，具有用於噴出液滴的單個或多個噴嘴孔；腔基板，在與上述噴嘴基板之間，形成有作為連通每個上述噴嘴孔的噴出室的凹部；以及電才及基才反，形成有作為固定電才及的單個電極，上述單個電才及隔著失見定間隔與構成在上述噴出室的底部的作為可動電相^的振動才反對置配置，在上述液滴噴出頭的製造方法中，適用上述任一種的靜電4丸4於4幾構的製造方法。由此，可製造可靠性高、且液滴噴出特性卓越的高密度的液滴噴出頭。此外，本發明涉及的液滴噴出裝置包括上述的液滴噴出頭，因而可以實現高解析度、高密度、高速度的噴墨列印才幾等。圖1是表示本發明的第一實施例涉及的噴墨頭的和克略結構的分解立體圖；圖2是表示安裝狀態下的圖1中的大致右半部分的概略結構的噴墨頭的剖面圖；圖3是圖2中的A部的放大剖面圖；圖4是圖2中的a-a放大剖面圖；圖5是圖2中的噴墨頭的俯—見圖；圖6是本發明第二實施例涉及的噴墨頭的概略剖面圖；圖7是圖6中的B部的》文大剖面圖；圖8是圖6中的b-bi文大剖面圖；圖9是本發明第三實施例涉及的噴墨頭的概略剖面圖；圖10是圖9中的C部的》文大剖面圖；圖11是圖9中的c-c放大剖面圖；圖12是本發明第四實施例涉及的噴墨頭的概略剖面圖；圖13是圖12中的D部的方欠大剖面圖；圖14是圖12中的d-d》丈大剖面圖；圖15是本發明第五實施例涉及的噴墨頭的概略剖面圖；圖16是圖15中的E部的》文大剖面圖；圖17是圖15中的e-e力欠大剖面圖；圖18是本發明第六實施例涉及的噴墨頭的概略剖面圖；圖19是圖18中的F部的力欠大剖面圖；圖20是圖18中的f-f》文大剖面圖；圖21是本發明第七實施例涉及的噴墨頭的概略剖面圖;圖22是圖21中的H部的》文大剖面圖；圖23是圖21中的h-h力欠大剖面圖；圖24是本發明第八實施例涉及的噴墨頭的概略剖面圖;圖25是圖24中的I部的方欠大剖面圖；圖26是圖24中的i-i;故大剖面圖；圖27是本發明第九實施例涉及的噴墨頭的概略剖面圖；圖28是圖27中的J部的》文大剖面圖；圖29是圖27中的j-j放大剖面圖；圖30是本發明第十實施例涉及的噴墨頭的概略剖面圖；圖31是圖30中的K部的ii大剖面圖；圖32是圖30中的k-k》丈大剖面圖；圖33是本發明第十一實施例涉及的噴墨頭的概略剖面圖；圖34是圖33中的M部的放大剖面圖；圖35是圖33中的m-m》文大剖面圖；圖36是本發明第十二實施例涉及的噴墨頭的概略剖面圖；圖37是圖36中的N部的放大剖面圖；圖38是圖36中的n-n放大剖面圖；圖39是表示噴墨頭的製造步驟的概要流程的流程圖；圖40是表示電極基板的製造步驟的扭克要的剖面圖；圖41是表示噴墨頭的製造步驟的概要的剖面圖；圖42是後續圖41的製造步驟的概略剖面圖；以及圖43是表示適用本發明噴墨頭的噴墨列印才幾的一例的概略立體圖。具體實施方式下面，根據附圖，對包括適用了本發明的靜電執4亍機構的液滴噴出頭的實施例進行說明。在此，參照圖1至圖5，將從i殳置於噴嘴基才反表面的噴嘴孔噴出墨水滴的面噴出型(facedischargingtype)的靜電驅動方式的噴墨頭作為液滴噴出頭的一例進^S兌明。此外，本發明並不^f叉限於以下圖示的結構和形狀，本發明可以適用於將噴出室和貯存部設置於各自基板的四片基板進行層疊的四層結構，也同樣可以適用於從:沒置於基板端部的噴嘴孔噴出墨水滴的邊緣噴出型(edgedischargingtype)的液滴噴出頭。第一實施例如圖1至圖5所示，第一實施例的噴墨頭IO是通過粘合具有下述結構的3片基才反1、2、3而構成的層疊結構體。此外，雖然噴墨頭10構成為一個噴墨頭lO形成有兩列噴嘴孔ll，且在左右方向，每列噴嘴孔11都各具有一個頭部分，但也可以構成為具有單個的頭部分。並且，噴嘴孔ll的數量沒有限制。中間的第——基才反1也4皮稱、作月空基4反(cavitysubstrate),侈'B口，第一基板1由平面取向是(110)的單結晶的矽基板構成，在腔基4反的表面上，通過蝕刻形成有作為多條流道的槽或凹部。在各流道中形成有一尋底部作為才展動4反6的、4乍為噴出室12的凹部13。4展動板6構成可動電極，且振動板6通過所希望厚度的硼擴散層加以形成。並且，還形成有共通連通各;危道的、4乍為貯存吾P(reservoir)14的凹部15。ot匕外，當為上述四層結構時，構成為將貯存部作為第四基板設置在其他石圭基板(也稱作貯液基板)上。接合於第一基板1的下表面的第二基板2被稱作電極基板或電極玻璃基板，其使用玻璃基板而形成。由於第二基板2通過陽極接合與第一基板接合，所以為確保不出現分離的接合強度，第二基板2—般都採用熱膨脹係數接近於矽的熱膨脹係數的硼矽酸鹽玻璃。在第二基+反2的表面上，作為固定電才及，形成有一^t殳由ITO(IndiumTinOxide,氧化銦錫)構成的單個電4及(individualelectrode)5。各單個電才及5在與上述4展動4反6對置的位置上，形成在通過蝕刻而形成的凹部21內。4展動4反6和單個電才及5隔著失見定的間隔(稱為間隙長度)G對置配置。而且，為了防止絕全彖4皮石皮壞或短3各，如後所述，在^展動4反6和單個電極5之間介裝有絕緣膜7,所以實際上，有效的間隔長度G就是絕緣膜7和單個電極5之間的距離。例如，將該間隔長度G設計為U0nm。通過包含絕緣膜7的振動板6和單個電極5構成靜電#^亍才幾構部4。在本發明的靜電執行機構中，作為絕緣膜7，利用原子層沉積法(4爾為ALD(AtomicLayerDeposition)法)，在單個電才及5和才展動板6的至少一個的對置面上形成Hf;AlyOz膜。其中，x與y滿足x>y。ALD法由於可通過原子層能級(atomiclevel)成膜，所以膜質十分緻密。並且，具有可高精度形成極度均一且極薄的膜厚的特點。jt匕夕卜，x與y的比率除了可以是1:1之夕卜，還可以變為例4口，2:1或5:1等，且可以通過改變該比率來改變Hf^AlyOz膜的介電常^L在第一實施例中，通過改變作為Hf的原料氣體的TEMAH(四(乙基曱胺基)鉿)、03氣體、作為Al的原料氣體的TMA(三曱基鋁)的供給時間比，從而改變x比y的比率。而且，HfxAlyOz膜的介電常數是11~15，遠高於Si02(介電常數大約3.9)和A1203(介電常數大約7.8)。雖然HfxAlyOz膜的膜厚沒有特別限制，但在第一實施例及以下實施例中設定為60nm,也可考慮所希望的HfxAlyOz膜的絕緣耐壓(dielectricbreakdown)和l爭電執^f亍才幾構的產生壓力而適當加以確定。而且，^尋單個電才及5的ITO膜的膜厚設定為100nm。在第二基板2上形成有一個或多個墨水供給孔22。如圖1中的表面糹皮塗黑的部分所示，墨水供給孔22^皮設置在第二基一反2的島狀4妄合部23處，且為以與上述貯存部14連通的方式貫通底部。墨水供給孔22與未圖示的墨水容器連接。形成於才展動一反6和單個電才及5之間的間隔的打開端部通過由環氧樹脂等構成的密封件18^皮氣密密封。由此，可以防止溼氣及塵埃等侵入電極間的間隔，並可高度保持噴墨頭10的可靠性。接合於第一基板l的上表面的第三基板3被稱作噴嘴基板，其由單結晶的矽基板構成，第三基板3構成為包括噴嘴孔ll,形成為通過蝕刻，與上述的噴出室12連通，並垂直貫通第三基々反3;供給口31，在下表面形成為細槽狀，以便使噴出室12和貯存部14連通；以及隔膜部32，用於補償貯存部14的壓力變動。噴嘴孔ll通過由直^聖小的噴射口部和比其直徑大的導入口部兩革殳構成，乂人而能提高墨水滴的直線性。此外，當為上述的四層結構時，在貯液基板(未圖示)上，除i殳置有貯存部之外，還i殳置有連通噴嘴孔11和噴出室12的連通孔、以及連通貯存部和噴出室的孔。並且，也存在將貯存部的底部作為隔膜部的情況。如圖1、圖5所示，上述第一基板1和第三基板3的後端部構成通過蝕刻而開口的電才及耳又出部17，俯一見時，電才及耳又出部17的形狀具有大致為形狀的開口部。而且，在第二基才反2上形成的單個電才及5包4舌導線部(leadportion)5a和端子部5b，端子部5b形成為露出於電極取出部17。而且，在第一基板1的上表面的後端部的一側或者兩側上形成有由金屬膜構成的共通電才及16。而且，將用於向4展動4反6和單個電才及5間施加3永沖電壓的驅動IC等的驅動控制電路40安裝於FPC(未圖示)，該驅動控制電路40作為靜電執行機構部的驅動單元，FPC利用例如導電性粘結劑連接於各單個電才及5的端子部5b和共通電才及16。下面，對如上述這樣構成的噴墨頭10的動作進4於說明。當通過驅動控制電3各40向單個電4及5和第一基一反1的共通電才及16之間施加3永沖電壓時，4展動4反6祐^立近單個電4及5側並發生撓曲，使噴出室12內產生負壓，吸引貯存部14內的墨水，使墨水產生淨展動(彎月面才展動(meniscusoscillation))。在該墨7K的^展動大概變為最大的時刻，若解除電壓，則振動板6脫離，並通過該還原力，將墨水乂人噴嘴孔11壓出，vMv而向記錄紙(未圖示)噴出墨水滴。在此，對靜電執行機構的產生壓力進行說明。當驅動時，吸引振動板6的靜電壓力(產生壓力)P是假設將振動板6相對於單個電極5的任意位置設定為x，對靜電能量E進行孩i分，並除以振動板6的面積S而得到的值，當將施加電壓設定為V,將絕緣膜7的厚度設定為t，將真空中的介電常數設定為e。，絕緣膜7的介電常數設定為s"則靜電壓力P通過下式表示。formulaseeoriginaldocumentpage21此外，振動板6的動作長度、即間隔長度上的平均壓力Pe是通過間隔長度d對式(1)進行積分並通過式(2)所示的壓力。(式2)formulaseeoriginaldocumentpage22式2由上述式(2)可知絕緣膜的介電常數越大，平均壓力Pe越高。由此可知當將介電常數高於氧化矽的High-k材料適用於絕緣膜時，可以提高靜電執行機構中的產生壓力。當將High-k材料用作絕緣膜的噴墨頭10時，即使縮小振動板6的面積也能獲得噴出墨水滴所需的電力(power)。因此，在噴墨頭10中，通過縮小振動板6的寬度並縮小噴出室21的間距、即噴嘴11的間距，乂人而可以^是高解析度，並可獲得可高速進4亍更高4青度印刷的噴墨頭10。此夕卜，通過縮短振動板6的長度，從而可以提高墨水流道的應答性，可以提高驅動頻率，並可進一步進行高速印刷。而且，可知若使絕緣膜7的介電常數整體變為兩倍，則即使在將絕緣膜7的厚度增加到兩倍的情況下，也能獲得相同的產生壓力，此夕卜，還可知在靜電#丸4亍才幾構中，可以寸吏耐絕糹彖擊穿(dielectricbreakdown)虧雖度,侈寸^口TDDB(TimeDependDielectricBreakdown,經時絕糹彖擊穿強度)、TZDB(TimeZeroDielectricBreakdown,瞬時絕緣擊穿強度)大致變為兩倍。如上所述，第一實施例的^爭電4丸^f亍4幾構在4展動^反6相對於單個電極5的對置面上，通過ALD法，形成有由HfxAlyOz膜構成的絕緣膜7，所以可獲得下述的效果。(1)既能提高噴出能力，又能確保絕緣耐壓。HfxAlyOz膜與由Si02構成的絕緣膜相比，介電常數得到提高，因而可以提高靜電執行機構的產生壓力。下面，將對層疊Hf02與八1203的情況以及形成Hf^AlyOz膜的情況的實驗結果進行表示。當將Hf02與八1203分別以30nm的膜厚(總膜厚為60nm)逐個層疊的情況、和形成膜厚為60nm的HfxAlyOz膜的情況進行比較時，雖然介電常數的值表示大致同等的值，但相對於Hf02與八1203分別以30nm的膜厚逐個層疊情況下的絕緣耐壓為6MV/cm，HfxAlyOz膜的絕糹彖耐壓可以確{呆在8MV/cm以上。因此，可以不受施加電壓的<氐電壓化的制約，在提高介電常數的同時，確保絕緣耐壓。其結果是，當將該靜電執行機構適用於噴墨頭時，可提高噴墨頭的噴出能力。(2)可以確保接合強度。HfxAlyOz膜的接合強度較高，所以可以確保與現有的靜電執行機構同樣的接合強度。(3)製造過程簡單。因為只是在矽基板側的整個表面上形成HfxAlyOz膜，所以製造步驟簡單。與在單個電極5側形成HfxAlyOz膜的情況相比，由於無需去除HfxAlyOz膜的步驟，所以製造過程得以簡化。第二實施例圖6是本發明第二實施例涉及的噴墨頭10的概略剖面圖，圖7是圖6中的B部的放大剖面圖，圖8是圖6中的b-b放大剖面圖。此外，在下面的第二實施例中，只要沒有特別的說明，則僅對與上述第一實施例相對應的部分標註了相同的符號，並省略對其i兌明。第二實施例的靜電執行機構4與第一實施例相反，在第二實施例的靜電執行機構4中，在單個電極5相對于振動板6的對置面上，通過ALD法，形成HfxAlyOz膜的絕緣膜7。在第二實施例中，由於在作為可動電極的振動板6上未形成有絕緣膜，因而可以降低隨膜應力(filmstress)的振動板6的撓曲，並可以減少間隔的不均，進而可減少靜電執行機構性能的不穩定。第三實施例圖9是本發明第三實施例涉及的噴墨頭10的概略剖面圖，圖10是圖9中的C部的》文大剖面圖，圖11是圖9中的c-c方欠大剖面圖。第三實施例的靜電執行機構4在振動板6相對於單個電極5的對置面上，通過ALD法，形成有由Hf^AlyOJ莫構成的絕緣膜7，並在單個電才及5相對于振動才反6的對置面上，通過例如等離子體CVD(ChemicalVaporDeposition,4匕學氣相;冗積)法，形成有月莫厚為20nm的Si02膜7b,從而構成絕緣膜7。在此，Si02膜的膜厚可根據想要的絕緣耐壓和靜電執行機構的產生壓力來適當加以確定。相對於上述第一實施例或上述第二實施例，第三實施例由於具有對於絕緣耐壓卓越的Si02膜，所以具有絕緣耐壓得以^是高這樣的效果。第四實施例圖12是本發明第四實施例涉及的噴墨頭10的概略剖面圖，圖13是圖12的D部的方丈大剖面圖，圖14是圖12中的d-d的方文大剖面圖。第四實施例的靜電執行機構4構成為具有與第三實施例相反的絕血彖膜的結構。即，在單個電4及5相對于振動板6的對置面上，通過ALD法，形成有HfxAlyOz膜7a,並在振動板6相對於單個電極5的對置面上，通過例如等離子體CVD法，形成有膜厚為20nm的Si02膜7b，乂人而構成絕糹彖月莫7。第四實施例具有與上述第三實施例同樣的效果。第五實施例圖15是本發明第五實施例涉及的噴墨頭IO的概略剖面圖，圖16是圖15的E部的放大剖面圖，圖17是圖15中的e-e的放大剖面圖。第五實施例的靜電執行機構4在振動板6相對於單個電極5的對置面上，通過ALD法，形成有HfxAlyOz膜7a，並進一步在HfxAlyOz膜7a上，通過等離子體CVD法，層疊膜厚為20nm的Si02膜7b,A人而構成絕糹彖"莫7。第五實施例的歲文果如下所述。(1)提高噴出能力與絕緣膜僅為一層Si02膜相比，通過進一步形成Hf;AlyCU莫，介電常數提高，從而靜電執行機構的產生壓力增大，其結果是，進一步提高了噴墨頭的噴出能力。(2)提高絕緣耐壓由於具有乂于于絕糹彖耐壓卓越的SiOJ莫，所以絕糹彖耐壓才是高。(3)確保接合強度對於接合強度，可以確保與現有的靜電執行機構同樣的接合強度。(4)簡化製造過程由於^f又在石圭基板側的整個表面上形成有HfxAlyOz膜和Si02膜，所以簡化了製造過程。第六實施例圖18是本發明第六實施例涉及的噴墨頭10的概略剖面圖，圖19是圖18的F部的放大剖面圖，圖20是圖18中的f-f的放大剖面圖。第六實施例的靜電執行機構4在單個電極5上形成與第五實施例相同的絕緣膜結構。即，在單個電極5的相對于振動板6的對置面上，通過ALD法，形成有HfxAlyCU莫7a,並進一步在HfxAlyOz膜7a上，通過等離子體CVD法，層疊形成膜厚為20nm的Si02膜7b,從而作為絕緣膜7。在第六實施例中，在作為可動電4及的糹展動4反6上未形成有絕續^膜，所以可以降低由膜應力引起的振動板6的撓曲，並可減少間隔的不均，進而可減少4丸4於4幾構性能的不穩、定。第七實施例圖21是本發明第七實施例涉及的噴墨頭10的一既略剖面圖，圖22是圖21的H部的》文大剖面圖，圖23是圖21中的h-h的放大剖面圖。在第七實施例的靜電執行機構4中，與第三實施例同樣，在振動板6側，通過層疊HfxAlyOz膜7a及在Hf^AlyOz膜7a上的Si02膜7b來構成絕糹彖力莫7,並在單個電4及5上形成有Si02膜7b，進而在兩個Si02膜7b上分別形成作為表面保護膜8的DLC膜。表1中示出了各膜厚及介電常數。此外，對於其它的實施例也是同樣，各膜厚並不僅限於該值，也可以根據想要的絕緣耐壓及靜電執行機構的產生壓力來適當加以確定。(表l)tableseeoriginaldocumentpage27作為表面^f呆護力莫8,可4吏用陶瓷類硬質力莫(ceramichardenedfilm)的TiN、TiC、TiCN、TiAIN等、石友系硬質膜的金剛石或DLC(類金剛石)等。其中，優選使用與作為下面絕緣膜的Si02膜具有良好的貼緊性的DLC。DLC膜的表面極為平滑，且具有低摩擦性。在第七實施例及後述的第八實施例~第十二實施例中都採用DLC。作為基於第七實施例的上述構成的執行機構的特性結果，將HfxAlyOz膜的膜厚換算為與Si02膜等價的電膜厚(electricalthickness)的值、即等效氧化層厚度(EOT)為76nm,從而可進行耐壓56V這才羊的高電壓馬區動。並且，漏電;克密度(leakcurrentdensity)為100nA/cm2以下(30V時)。第七實施例具有下述的歲文果。(1)既能才是高噴出能力，又能確保絕》彖耐壓。HfxAlyOz膜與由Si02構成的絕緣膜相比，由於介電常^t提高，所以可以提高靜電執行機構的產生壓力。並且，與第一實施例的效果同樣，通過採用HfxAlyOz膜，從而與層疊了Hf02與Al2。3的情況相比，由於絕》彖耐壓提高，因此，不受施加電壓的^[氐電壓化的制約，其結果是，可以在介電常數提高的同時，確保絕緣耐壓。(2)提高執行機構耐久性由於在兩側的絕緣膜上形成有作為表面保護膜的DLC膜，因而大幅度地提高了執行機構的驅動耐久性。(3)DLC膜的貼緊性良好由於在DLC膜下面形成有Si02膜，所以DLC膜的貼緊性得到提高。其結果是，可以抑制隨著執行機構驅動的振動板的反覆接觸及分離所導致的DLC膜的剝落或磨損等損壞，從而提高了執行機構的驅動耐久性。(4)抑制接觸帶電量由於兩側的DLC月莫4皮此4妻觸，,人而可抑制4妻觸帶電量。因此，可以獲得波動少的穩定的執行機構特性。第/v實施例圖24是本發明第八實施例涉及的噴墨頭10的概略剖面圖，圖25是圖24的I部的放大剖面圖，圖26是圖24中的i-i的放大剖面圖。第八實施例的靜電執行機構4構成為與第七實施例相反，在第/V實施例的I爭電^M亍才幾構4中，在單個電才及5側形成有HfxAlyOz膜7a。表面^f呆護力莫8的DLC力莫與第七實施例同才羊，分別形成在兩側的Si02膜7b上。在第八實施例中，由於可以縮小形成在振動板上的絕緣膜的膜厚，因而可以降低隨膜應力的振動板的撓曲，並能減少間隔的不均，進而可減少執行機構性能的不穩定。其它效果與第七實施例相同。第九實施例圖27是本發明第九實施例涉及的噴墨頭10的概略剖面圖，圖28是圖27的J部的放大剖面圖，圖29是圖27中的j-j的放大剖面圖。在第九實施例的靜電執行機構4中，在單個電極5側沒有設置絕緣膜和表面保護膜，而是僅在振動板6側上與第七實施例同樣地通過層疊HfxAlyOz膜7a以及HfxAlyOz膜7a上的Si02膜7b，從而構成絕緣膜7,並且，進一步在Si02膜7b上形成作為表面保護膜8的、膜厚為10nm的DLC膜。第九實施例的效果如下(1)既能^:高噴出能力，又能確^f呆絕鄉彖耐壓。HfxAlyOz膜與由Si02構成的絕緣膜相比，由於介電常數提高，所以可以提高靜電執行機構的產生壓力。並且，與第一實施例的效果同樣，通過採用HfxAlyOz膜，從而與層疊了Hf02與Alz03的情況相比，由於絕緣耐壓得到提高，因此，不受施加電壓的低電壓化的制約，其結果是，可以提高介電常數，同時，確保絕緣耐壓。(2)提高執行機構耐久性由於在振動板側形成有作為表面保護膜的DLC膜，因而執行機構的耐久性得到提高。(3)簡化製造過程因為在矽基板側的整個表面上形成有HfxAlyOJ莫與Si02月莫，所以與在單個電糹及5側形成這些絕糹彖膜的情況相比，無需去除Hf;AlyOz膜與Si02膜的步驟，所以可以簡化製造過程。第十實施例圖30是本發明第十實施例涉及的噴墨頭10的概略剖面圖，圖31是圖30的K部的放大剖面圖，圖32是圖30中的k-k的放大剖面圖。第十實施例的靜電執行機構4與第九實施例相反，在單個電極5側，通過層疊HfxAlyOz膜7a以及HfxAlyOJ莫7a上的Si02膜7b，從而構成絕緣膜7,並且，進一步在Si02膜7b上形成作為表面保護膜8的DLC膜。在第十實施例中，由於在才展動4反側未形成有絕縛』莫，所以可以降低隨膜應力的振動板的撓曲，可減少間隔的不均，並可減少執行機構性能的不穩定。第十一實施例圖33是本發明第十一實施例涉及的噴墨頭10的概略剖面圖，圖34是圖33的M部的放大剖面圖，圖35是圖33中的m-m的放大剖面圖。第十一實施例的靜電執行機構4構成為在振動斧反6側與第九實施例同樣，通過層疊HfxAlyOz膜7a以及HfxAlyOz膜7a上的Si02膜7b,從而構成絕緣膜7，並且，進一步在Si02膜7b上形成作為表面保護膜8的DLC膜，並在單個電極5側僅形成膜厚為20nm的SiCM莫7b。第十一實施例的歲丈果如下。(1)既能l是高噴出能力，又能確保絕鄉彖耐壓。Hf^AlyOz膜與由Si02構成的絕緣膜相比，由於介電常數提高，因而可以提高靜電^丸行4幾構的產生壓力。並且，與第一實施例的效果同樣，通過採用HfxAlyOz膜，從而與層疊了Hf02與八1203的情況相比，絕緣耐壓得到提高，因此，不受施加電壓的低電壓化的制約，其結果是，可以4是高介電常悽丈，同時，確4呆絕緣耐壓。(2)提高4丸行才幾構耐久性由於作為表面保護膜，形成有DLC膜，因而執行機構的耐久性得到提高。(3)簡化製造過程相對於上述第七實施例，無需去除DLC力莫的步-驟，所以可以簡化製造過程。(4)抑制接觸帶電量與DLC膜和ITO膜直接接觸的情況相比，DLC膜與Si02膜的情況更能抑制衝妄觸帶電量(contactdischargeamounts)。因it匕，可以獲得波動少的穩定的l丸行才幾構特性。第十二實施例圖36是本發明第十二實施例涉及的噴墨頭10的扭X略剖面圖，圖37是圖36的N部的放大剖面圖，圖38是圖36中的n-n的放大剖面圖。第十二實施例的靜電4丸4於4幾構4構成為與第十一實施例的結構相反，在第十二實施例的靜電才丸4亍才幾構4中，在單個電極5側，通過層疊HfxAlyOz膜7a以及HfxAlyOz膜7a上的Si02膜7b,從而構成絕緣膜7，並且，進一步在Si02膜7b上形成作為表面保護"莫8的DLC膜，乂人而在4展動4反6側4又形成Si02膜7b。在第十二實施例中，由於可以縮小形成于振動^反上的絕緣力莫的膜厚，所以可以降低隨膜應力的振動板的撓曲，並可減少間隔的不均，進而可減少執行機構性能的不穩定。並且，與DLC膜和ITO膜直接接觸的情況相比，DLC膜與Si02膜的情況更能抑制接觸帶電量。因此，可以獲得波動少的穩定的執4亍才幾構特性。該噴墨頭10由於包括如上述地構成的靜電執行才幾構4，所以即使在使該靜電執行機構部4變得微型的情況下，也能具有卓越的驅動耐久性和驅動的穩定性，並可實現高速驅動及高密度化。此外，雖然在上述的各實施例中，通過ALD法，將由HfxAlyOz膜構成的絕緣膜7形成在單個電極5或4展動板6的任意一個上，4旦是也可以形成在單個電才及5和振動才反6兩者上。接下來，參照圖39至圖42,對該噴墨頭10的製造方法的一例進行概要說明。圖39是表示噴墨頭10的製造步驟的概略流程的流程圖，圖40是表示電極玻璃基板的製造步驟的概要的剖面圖，圖41及圖42是表示噴墨頭10的製造步驟的概要的剖面圖。在圖39中，步驟SI~S4表示的是電極玻璃基板的製造步驟，步驟S5~S9表示的是作為腔基板材料的矽基板的製造步驟。在此，雖然以如第七實施例中描述的噴墨頭10為中心對其製造方法進行說明，但是根據需要也會提到其它第一實施例~第六實施例及第實施例~第十二實施例。通過如下方法來製造晶片(wafer)狀的電極玻璃基板2A。首先，在由硼石圭酸鹽玻璃等構成的厚度約lmm的3皮璃基板200上，通過例如，使用金/鉻的蝕刻掩膜，並通過蝕刻，使用氟化酸(fluorinatedacid)來形成想要的深度的凹部21。此外，該凹部21是比單個電極5的形狀稍大的槽狀，且相對於每個單個電極5形成有多個。而且，例如通過濺射法，以100nm的厚度來形成ITO(IndiumTinOxide，氧化銦錫)膜，通過光刻才支術來形成圖案，並在單個電極5的部分以外的區域上，蝕刻去除該ITO膜，在凹部21的內部形成單個電才及5(圖39的Sl,圖40(a))。4妄下來，通過採用將TEOS(Tetraethoxysilane,正石圭酯乙西旨)用作原泮牛氣體的RF-CVD(ChemicalVaporDeposition,化學氣相沉積)法，在玻璃基板200的接合面側的整個表面上，形成20nm厚度的Si02膜7b,並將其作為單個電極5側的絕緣膜(圖39的S2)。然後，通過將曱苯氣體用作原料氣體的平行平板型RF-CVD法，在該Si02膜7b的整個表面上，形成作為表面保護膜8的、厚度為10nm的DLC月莫(圖39的S3,圖40(b))。4妻下來，對3皮璃基^L200上的單個電4及5相對於才展動寺反6的對置面以外的部分形成圖案，並通過02灰化(ashing)來去除該部分的DLC膜。在去除DLC膜後，進一步利用基於CHF3的R1E(ReactiveIonEtching,反應性離子蝕刻)幹法蝕刻來去除該部分的Si02月莫7b(圖39的S4，圖40(c))。然後，通過火暴炸處理(blastprocesses)等形成構成墨水供糹合孔22的^L部22a。綜上所述，可製造第七實施例的電極玻璃基板2A。此外，對於其它實施例，以上述製造方法為基準，增加或刪減步艱《來加以實施。例如，在第一實施例、第五實施例、第九實施例的情況下，只需實施圖39的Sl即可，在第一實施例的情況下，也可以省略上述的DLC膜的形成步驟(圖39的S3)。在第三實施例的情況下，只需實施圖39的Sl和S2即可。並且，雖然在第二實施例、第四實施例、第六實施例、第/\實施例、第十實施例、第十二實施例的情況下，將Hf;AlyOz膜7a形成在ITO膜上，但由於其與在矽基板上形成膜相同，所以將在後面進行詳述。此外，對於在ITO膜上形成HfxAlyCU莫7a後，去除單個電極5相對于振動板6的對置面以外的部分與上述同樣，也是通過基於CHF3的RIE千法蝕刻進4於去除。根據將矽基板100陽極接合於如上述這樣製造的晶片狀的電極玻璃基板2A，從而製作晶片狀的腔基板1A。首先，製作矽基板100,在例如，厚度為280|am的矽基板100的單側的整個表面上形成有例如，厚度為0.8(im的硼擴散層101(圖39的S5)。接著，在該矽基板100的硼擴散層101的整個表面(下面)上，首先通過4吏用了熱CVD裝置的ALD法，形成作為絕糹彖膜7的、厚度為60nm的HfxAlyCM莫7a(圖39的S6)。即，將矽基板100方文入到熱CVD裝置中，力。熱到250~400。C的程度，並進ff真空吸塵(vacuumed)。4姿著，在導入一定時間的作為原衝牛氣體的TEMAH(四(乙基曱胺基)鉿)後，通過淨化(purge)去除剩餘氣體，接著，在一定時間內導入03。接著，在導入一定時間的TMA(三曱基鋁)後，通過淨化去除剩餘氣體，然後，再導入一定時間的03。將該循環重複必要的次數後形成HfxAlyOz膜7a。在實施例中，在下述的條件下形成膜。力口工條件溫度300°C、TEMAH供給量0.1(g/min)、03供給量200(g/Nm3)、TMA供給量100(cc/min)成月莫循環供糹會200sec的TEMAH,並進4亍淨4匕後，供糹合400sec的03,重複5次。接著，供給10sec的TMA,並進行淨化後，供給30sec的03，重複5次。若將上述的成膜作為一次循環的話，那麼重複30次該循環，形成的總力莫厚為60nm。接著，在該Hf;AlyOz膜7a的整個表面上，通過RF-CVD法形成厚度為20nm的Si02膜7b，其中，RF-CVD法將TEOS用作原料氣體(圖39的S7)。而且，進一步通過平行平板型RF-CVD法在該Si02膜7b的整個表面上，形成作為表面保護膜8的、厚度為10nm的DLC月莫(圖39的S8，圖41(a))。然後，通過02灰化，去除^皮璃基^反100的振動玲反6相對於單個電4及5的對置面以外的DLC月莫(圖39的S9,圖41(b))。綜上所述，可以製作第七實施例的接合前的矽基板100。並且，第九實施例與第十一實施例的情況也與此完全相同。對於其它實施例，以上述作為基準加以實施。例如，在第一實施例和第三實施例的情況下，只需實施圖39的S5S6即可，在第二實施例、第六實施例、第十實施例的情況下，只需實施圖39的S5即可。在第四實施例的情況下，在實施圖39的S5之後，通過等離子體CVD法在該硼擴散層的整個表面上形成Si02膜。在第五實施例的情況下，可以在實施圖39的S5-S7之後，省略DLC月莫的成膜步驟，在第八實施例的情況下，在實施圖39的S5之後，省略了Hf;AlyOz膜的成膜步驟，而直接實施S8S9。在第十二實施例的情況下，可以在實施圖39的S5之後，省略HfxAlyOz膜的成膜步-驟而^f又直4妾實施S7。綜上所述，可以製作其它第一實施例、第六實施例、第/\實施例、第十實施例、第十二實施例的接合前的矽基板100。下面，將如上述這才羊製作完成的石圭基壽反100^皮定位(alignment)在上述的電極玻璃基板2A上，並進行陽極接合(圖39的SIO，圖41(c))。然後，對該接合完畢的矽基板100的整個表面進行研磨加工，將其厚度縮減到例如50|_im的程度(圖39的Sll,圖41(d)),並進一步地利用溼法蝕刻對該矽基板100的整個表面進行光蝕刻以清除加工痕跡(圖39的S12)。接著，通過光刻法，在加工成薄板的接合完畢的矽基板100的表面上形成光致抗蝕圖(Resistpatterning)(圖39的S13),並通過溼法蝕刻或幹法蝕刻形成墨水流道槽(圖39的S14)。由此，形成作為噴出室12的凹部13、作為貯存部14的凹部15、和作為電相_取出部17的凹部19(圖42(e))。這時，由於在硼擴散層101的表面上停止蝕刻，所以可以高精度形成振動板6的厚度，同時，可以防止表面粗j隨。4妄下來，通過ICP(InductivelyCoupledPlasma,電感津禺合等離子體)幹法蝕刻技術來去除凹部19的底部並使電4及去除部17開口(圖42(f))，然後，去除附著在靜電^U亍^L構內部的水分(圖39的S15)。對於水分的去除，是將該矽基板放入到例如真空室內並進行真空吸塵，然後導入氮氣，在氮氣環境下將水分去除。接著，經過規定的時間後，在氮氣環境下將環氧樹脂等密封材料18塗敷在間隔(gap)開》文端部，乂人而進4亍氣密密去;)"。(圖39的S16,圖42(g))。在像這樣地去除靜電執行機構內部(間隔內)附著的水分後，通過氣密密封便能提高靜電執行機構的驅動耐久性。通過夂暴炸處理-使貯存部的底部貫通，^人而形成墨水供糹會孔22。進而，為了防止墨水流道槽的腐蝕，在該矽基板的表面通過等離子體CVD法形成由TEOS-Si02膜構成的墨水保護膜(未圖示)。並在石圭基淨反上形成由金屬構成的共通電才及16(圖39的S16,圖42(g))。通過上述步驟，根據接合於電極玻璃基板2A的矽基板100來製作腔基板1A。然後，將預先形成有噴嘴孔11的噴嘴基板3A通過粘結而接合到該腔基板1A的表面上(圖39的S17，圖42(h))。最後，通過切斷(dicing)將其切成各個頭部晶片(headchip)，乂人而上述的噴墨頭10的主體部完成(圖39的S18)。根據該噴墨頭10的製造方法，如上所述，執行機構的產生壓力提高，從而可以製造具備絕緣耐壓、驅動耐久性及噴出性能卓越的靜電執行機構的噴墨頭。並且，因為是根據與預先製作的電極玻璃基板2A接合狀態下的矽基板100來製作腔基板1A,所以腔基板1A處於被電極玻璃基板2A支撐的狀態，由此，即使將腔基板1A加工成薄板，也不會出現裂紋或缺口，從而《更於進行處理。因此，與單獨製造腔基^反的情況相比，提高了產量。雖然在上述的實施例中，對靜電執行才幾構、噴墨頭及其它們的製造方法進行了描述，但本發明並不限於上述的實施例，在本發明的思想範圍之內可進行各種變更。例如，本發明的靜電執行機構也可以運用於光開關、反射鏡裝置、微型泵、以及雷射印表機的雷射操作鏡的驅動部等。並且，通過改變乂人噴嘴孔噴出出的液體材泮牛，除可用作噴墨列印4幾之外，還可以作為用於液晶顯示器的濾色器的製造、有機EL顯示裝置的發光部分的形成、基因檢查等中使用的生物分子溶液的樣O車列(microarray)的製造等各種用途的液滴噴出裝置進行使用。例如，圖43是表示包括本發明的噴墨頭的噴墨印表機的概要的圖。該噴墨列印才幾500包括壓紙滾筒(platen)502，向副掃描方向Y輸送記錄紙501;噴墨頭10，墨水噴嘴面與該壓紙滾筒502相只於置；4乇架503，用於^f吏噴墨頭10向主掃描方向X^主返移動；以及墨水容器504，向噴墨頭10的各墨水噴嘴提供墨水。因此，可實現高解析度、高速驅動的噴墨印表機。附圖才示i己1第一基板1A腔基板2第二基板2A電極玻璃基板3第三基板3A噴嘴基板4靜電^Vf亍才幾構部6l展動^反(可動電才及)7aHfxAlyOz膜8表面保護膜(DLC膜)11噴嘴孔14貯存部17電杉L耳又出41521凹部23接合部32隔力莫部100矽基板500噴墨列印枳j5單個電4及(固定電才及)7絕緣膜7bSiCM莫10噴墨頭12噴出室16共通電極18密封材料22墨水供給孔31供給口40馬區動4空制電^各200玻璃基板權利要求1.一種靜電執行機構，包括固定電極，形成在基板上；可動電極，隔著規定間隔與所述固定電極對置配置；以及驅動單元，使所述固定電極與所述可動電極之間產生靜電力，並使所述可動電極發生位移，所述靜電執行機構的特徵在於，在所述固定電極和所述可動電極中至少一個的對置面上形成有由HfxAlyOz膜構成的絕緣膜。2.根據權利要求l所述的靜電執行機構，其特徵在於，在由HfxAlyOz膜構成的絕緣膜中，x和y滿足下式x>y。3.根據權利要求1或2所述的靜電執行機構，其特徵在於，在所述固定電相^和所述可動電才及中的至少一個上形成有Si02絕緣膜。4.根據權利要求1至3中任一項所述的靜電執行機構，其特徵在於，在所述絕糹彖膜上形成有由金剛石或類金剛石這樣的石友類材料構成的表面保護膜。5.根據權利要求4所述的靜電執行機構，其特徵在於，所述表面保護膜的下面的所述絕緣膜是Si02絕緣膜。6.—種^爭電4丸4亍才幾構的製造方法，所述靜電4丸4亍才幾構包括固定電極，形成在基板上；可動電極，隔著規定間隔與所述固定電極對置配置；以及驅動單元，使所述固定電極與所述可動電極之間產生靜電力，並使所述可動電極發生位移，所述靜電執行才幾構的製造方法的特4正在於，包4舌在玻璃基板上形成所述固定電極的步驟；採用原子層沉積法，在石圭基—反的、與所述3皮璃基4反相才姿合側的整個表面上形成由Hf;AlyOz膜構成的絕糹彖膜的步驟；陽極接合所述玻璃基板和所述矽基板的步驟；將接合完畢的基板上的所述石圭基^反加工成薄4反的步驟；以及從與所述接合完畢的基板上的所述矽基板的接合面相反的表面進行蝕刻加工，從而形成所述可動電極的步驟。7.—種靜電執行機構的製造方法，所述靜電執行機構包括固定電極，形成在基板上；可動電極，隔著規定間隔與所述固定電極對置配置；以及驅動單元，使所述固定電極與所述可動電極之間產生4爭電力，並4吏所述可動電才及發生4立移，所述靜電導丸4亍機構的製造方法的特徵在於，包括在玻璃基板上形成所述固定電才及的步驟；採用原子層;冗積法，在所述固定電4及上形成由HfxAlyOz膜構成的絕緣膜的步驟；陽極接合所述玻璃基板和矽基板的步驟；將接合完畢的基板上的所述矽基板加工成薄板的步驟；以及從與所述接合完畢的基板上的所述矽基板的接合面相反的表面進行蝕刻加工，從而形成所述可動電極的步驟。8.—種靜電4丸4於才幾構的製造方法，所述,爭電4丸^f亍才幾構包^":固定電極，形成在基板上；可動電極，隔著規定間隔與所述固定電極相對配置；以及驅動單元，使所述固定電極與所述可動電極之間產生靜電力，並使所述可動電極發生位移，所述靜電執行才幾構的製造方法的特;f正在於，包4舌在玻璃基板上形成所述固定電極的步驟；在所述固定電極上形成Si02絕緣膜的步驟；採用原子層沉積法，在矽基板的、與所述玻璃基板相4妄合側的整個表面上形成由Hf;AlyOz膜構成的絕緣膜的步驟；陽極接合所述玻璃基板和所述矽基板的步驟；將接合完畢的基板上的所述矽基板加工成薄板的步驟；以及從與所述接合完畢的基板上的所述矽基板的接合面相反的表面進行蝕刻加工，從而形成所述可動電極的步驟。9.一種靜電執行機構的製造方法，所述靜電執行機構包括固定電極，形成在基板上；可動電極，隔著規定間隔與所述固定電極對置配置；以及驅動單元，使所述固定電極與所述可動電極之間產生靜電力，並使所述可動電4及發生位移，所述靜電才丸行才幾構的製造方法的特徵在於，包括在玻璃基板上形成所述固定電極的步驟；採用原子層沉積法，在所述固定電4及上形成由HfxAlyOz膜構成的絕緣膜的步驟；在矽基板的、與所述玻璃基板相接合側的整個表面上形成Si02絕緣膜的步驟；陽極接合所述玻璃基板和所述矽基板的步驟；將接合完畢的基板上的所述矽基板加工成薄板的步驟；以及從與所述接合完畢的基板上的所述矽基板的接合面相反的表面進4亍蝕刻加工，乂人而形成所述可動電4及的步艱《。10.根據權利要求6至9中任一項所述的靜電執行機構的製造方法，其特徵在於，所述靜電執行機構的製造方法還包括在由所述HfxAlyCy莫構成的絕緣膜上，進一步形成Si02絕緣膜的步驟。11.根據權利要求6至10中任一項所述的靜電執行機構的製造方法，其特徵在於，所述靜電4丸行才幾構的製造方法還包括在所述HfxAlyOz膜上、或在所述Si02絕緣膜上，進一步形步驟。12.根據權利要求ll所述的靜電執行機構的製造方法，其特徵在於，在才妄合前，去除所述固定電才及相對於所述可動電才及的對置面、或所述可動電極相對於所述固定電極的對置面之外的所述表面保護膜。13.—種液滴噴出頭，包括噴嘴基4反，具有用於噴出液滴的單個或多個噴嘴孔；腔基板，在與所述噴嘴基板之間，形成有作為連通每個所述噴嘴孔的噴出室的凹部；以及電極基板，形成有作為固定電才及的單個電極，所述單個電極隔著規定間隔與構成在所述噴出室的底部的作為可動電才及的才展動才反對置配置，所述液滴噴出頭的特徵在於，包括權利要求1至5中任一項所述的靜電執行機構。14.一種液滴噴出頭的製造方法，所述液滴噴出頭包括噴嘴基板，具有用於噴出液滴的單個或多個噴嘴孔；腔基板，在與所述噴嘴基板之間，形成有作為連通每個所述噴嘴孔的噴出室的凹部；以及電極基板，形成有作為固定電極的單個電極，所述單個電才及隔著失見定間隔與構成在所述噴出室的底部的作為可動電才及的糹展動4反對置配置，所述液滴噴出頭的製造方法的特徵在於，適用權利要求6至12中任一項所述的靜電執行機構的製造方法。15.—種液滴噴出裝置，其特徵在於，包括16.又利要求13所述的液滴噴出頭。全文摘要本發明提供了一種用於靜電驅動方式的噴墨頭等的靜電執行機構、液滴噴出頭、它們的製造方法、以及液滴噴出裝置。在靜電執行機構的絕緣結構中，可使靜電執行機構的產生壓力得到提高，並可實現提供驅動的穩定性及驅動耐久性。本發明的靜電執行機構包括固定電極(5)，形成在基板上；可動電極(6)，隔著規定間隔與該固定電極(5)對置配置；以及驅動單元，使固定電極(5)與可動電極(6)之間產生靜電力，並使可動電極(6)發生位移，在靜電執行機構中，在固定電極(5)和可動電極(6)中至少一個的對置面上形成有由HfxAlyOz膜構成的絕緣膜(7)。文檔編號B41J2/14GK101219599SQ200810002公開日2008年7月16日申請日期2008年1月8日優先權日2007年1月9日發明者北原浩司,杷野祥史,糸田基樹,藤井正寬申請人:精工愛普生株式會社