低聚物探針陣列晶片、用於製造其的掩模以及使用其的雜交分析方法

2023-11-04 16:43:47 1

專利名稱：低聚物探針陣列晶片、用於製造其的掩模以及使用其的雜交分析方法
技術領域：
示例實施方式涉及低聚物探針陣列、用於製造低聚物探針陣列芯 片的掩模以及包括低聚物探針陣列晶片的雜交分析方法。
背景技術：
低聚物探針陣列晶片可以用於進行基因分型，分析蛋白質和/或縮
氨酸，篩選藥品，以及利用基因表達譜和/或例如包括SNP的突變和多 態性檢測來研發製造新藥品。
可以使用像素掃描型光電倍增管(PMT)掃描儀和區域掃描型電 荷耦合器件(CCD)掃描儀分析低聚物探針陣列晶片的雜交結果。
在PMT掃描儀中，當光學系統或晶片移動時，在像素單元中可以 進行激發和發射，並且PMT可以將基於像素的類型而獲得的發射值進 行放大，從而通過A/D轉換器形成最終的圖形。在PMT掃描儀中，可 以控制PMT增益以放大具有較低強度的光，並且靈敏度可以較高。PMT
掃描儀可以用於探測具有較低強度的低聚物探針陣列晶片的螢光性。 因為PMT掃描儀是像素掃描型，所以可以使用具有對激發波長相對應 的較高強度的雷射器，使對每個像素的駐留時間最小化，由此可以減 少掃描時間。如果使用低聚物探針陣列晶片必須改變螢光顏料的類型 來進行各種類型的測試，那麼需要額外的雷射器並且需要對PMT和光 學系統進行重新配置。難以使用簡單的工藝進行重新配置，並且成本 更高。因為PMT掃描儀是像素掃描類型，所以需要一個或多個光學系 統(例如透鏡和/或雷射器)和晶片根據像素單元進行精確移動。因為 這些潛在的需求，PMT掃描儀具有較低的元件適應性。如果對高密度 低聚物探針陣列晶片進行分析，則設計複雜性會更高。CCD掃描儀的像素解析度取決於CCD晶片的面積、像素尺寸和/ 或照明系統的放大倍率，與PMT掃描儀相比更容易提高像素解析度。
因為CCD掃描儀是區域掃描型，因此相比於像素掃描型掃描儀使 用的單個像素單元，可以在具有幾十萬或百萬像素的區域單元中控制 掃描尺寸。因而，可以增大掃描間距，這導致相鄰掃描圖像之間的間 斷。間斷會隨著像素解析度的增大而增大。

發明內容
示例實施方式可以提供一種低聚物探針陣列晶片，包括基底、位 於基底上的具有多個以行的形式的子陣列的主陣列、和/或在每個子陣 列行外部的多個子陣列排列點陣列。每個子陣列包括以矩陣形式的多 個點，不同序列的低聚物探針固定於所述點。
示例實施方式提供一種低聚物探針陣列晶片，包括基底、位於基 底上的主陣列，所述主陣列具有被以矩陣形式的十字形空間分隔開的 以面板形式的多個子陣列。面板型子陣列均可以包括多個以矩陣形式 的點，具有不同序列的低聚物探針固定於所述點。
示例實施方式提供一種具有用於形成低聚物探針陣列晶片的主陣 列圖形的掩模，該掩模包括排列成行的多個子陣列圖形，和/或位於 每個子陣列行圖形外部的多個子陣列圖形排列點陣列圖形。該子陣列 圖形均可以包括多個排列成矩陣的點圖形。
示例實施方式提供一種具有用於形成低聚物探針陣列晶片的主陣 列圖形的掩模，該掩模包括彼此被十字形空間分隔開的多個面板型子 陣列圖形。
示例方法提供一種低聚物探針陣列晶片的雜交分析方法。示例方法包括雜交目標樣品和/或具有多個排列成行的子陣列的低聚物探針 陣列晶片；通過子陣列排列點陣列重複地確定所述子陣列的位置，來 形成探針上的所有子陣列的圖像；通過例如TDI型CCD掃描儀來形成 每個子陣列的圖像；以及排列所得到的子陣列圖像，以形成一個雜交圖像。
示例方法提供一種雜交分析方法，包括雜交目標樣品和/或具有 被多個以矩陣形式的十字形空間分隔開的以面板形式的多個子陣列的 低聚物探針陣列晶片；通過該空間重複地確定每個子陣列的位置，來 形成所有子陣列的圖像；通過例如CCD掃描儀來形成每個子陣列的圖 像；以及排列得到的子陣列圖像，以形成一個雜交圖像。


通過描述附圖，示例實施方式的上述和其他特徵以及優點將變得 顯而易見，其中
圖1是用於製造低聚物探針陣列晶片的示例實施方式掩模的布局
圖2是說明時間延遲積分法型掃描儀的CCD寬度和成行的子陣列 之間的關係的布局圖3是可以使用圖1中示出的掩模製造的示例實施方式低聚物探 針陣列晶片的截面視圖4是說明低聚物探針陣列晶片的實施例雜交分析的流程圖5是可以用於製造低聚物探針陣列晶片的可替換示例實施方式 掩模的布局圖6是可以用於製造低聚物探針陣列晶片的可替換示例實施方式 掩模的布局圖7是說明步驟反覆型掃描儀的CCD寬度和面板型子陣列之間的 關係的布局圖8是可以使用圖6中示出的掩模製造的示例實施方式低聚物探 針陣列晶片的截面視圖9是說明低聚物探針陣列晶片的示例雜交分析的流程圖。
具體實施例方式
現在參考其中示出一些示例實施方式的附圖對各種示例實施方式 進行更全面的描述。在圖中，為了清楚，放大了層和區域的厚度。
這裡公開了本發明中詳細說明的實施方式。然而，這裡公開的具 體結構和功能性部件僅僅是代表性的，是出於描述示例實施方式的目 的。然而，本發明可以以許多替換的形式實施並且不是要構成為僅僅 局限於這裡提出的實施方式。
因此，本發明的示例實施方式能夠進行各種改動並且具有各種替 換形式，其實施方式通過圖中的實施例示出並且在這裡對其進行詳細 描述。然而應當理解，不是要將本發明的示例實施方式局限於所公開 的特定形式，而是相反，本發明的示例實施方式是為了覆蓋落入在本 發明範圍內的所有變動、等價物和替換方案。在整個圖的描述中相同 的附圖標記表示相同的部件。
應當理解，雖然這裡使用術語第一、第二等描述各個部件，這些 部件不應當受這些術語的限制。這些術語僅僅用於將一個部件與另一 個部件區分開。例如，第一部件可以稱為第二部件，並且同樣地第二 部件可以稱為第一部件，而不脫離本發明的示例實施方式的範圍。用 在此處時，術語"和/或"包括一個或多個列出的相關術語的任意和所 有組合。
應當理解當一個部件稱作為與另一個部件"連接"或"耦合"時， 它可以是與其他部件直接地連接或耦合或者之間可以存在間隔部件。
反之，當一個部件稱作為與另一個部件"直接連接"或"直接耦合" 時，就不存在間隔部件。應當以類似的方式解釋用於描述部件之間的 關係的其他詞語(例如，"之間"相對於"直接之間"，"相鄰"相
對於"直接相鄰"等)。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施方式的目的並且不是要 限制本發明的示例實施方式。用在這裡時，單數"一"和"該"還是 要包括複數形式，除非文本明確表示並非如此。還應當理解術語"包 含"、"包含有"、"包括"和/或"包括有"用在此處時以說明所闡 述的特徵、整體、步驟、操作、部件和/或組件的存在，但並不排除一 個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、部件、組件和/或其組合的存 在或添加。
還應當理解在某些替換實施中，提到的功能/作用可以以不同於圖 中提到的順序出現。例如，接連示出的兩個圖實際上基本可以同時完 成或者有時可以以相反的順序完成，取決於設計的功能/作用。
圖1是可以用於製造低聚物探針陣列晶片的示例實施方式掩模的
布局圖。圖2是說明時間延遲積分法型掃描儀的CCD寬度和子陣列行 之間的關係的布局圖。圖1和2示出可以用於製造與TDI型CCD掃描 儀相兼容的低聚物探針陣列晶片的掩模的布局圖。
如圖1和2中所示，用於製造示例實施方式低聚物探針陣列晶片 的示例掩模100可以包括主陣列圖形110。主陣列圖形IIO可以包括多 個排列成行的子陣列圖形120。子陣列圖形排列點陣列圖形130可以位 於每個子陣列圖形120的外側上。在子陣列圖形120中，多個排列圖 形125可以設置成MXN矩陣，其中N^M。多個排列圖形125可以以 間距Px和Py設置。X-方向間距Px和y-方向間距Py可以基本上相同 或者彼此不同。如果在縱向方向(Y方向)上子陣列圖形120形成子 陣列圖形排列點陣列圖形的側面，子陣列圖形排列點陣列圖形130對 於自動分段排列是有用的。縱向方向可以是示例低聚物探針陣列晶片 的掃描傳送方向140。通過具有用於形成子陣列圖形120的排列圖形 125的y-方向間距Py的整數倍(例如，mXPy， m^2)的間距，多個排列圖形135可以形成子陣列圖形排列陣列圖形130。圖1示出了排列 圖形135的設置，其中虛擬排列圖形135'可以在排列圖形135之間以 使該間距可以是Py的兩倍大。
如圖2中所示，子陣列圖形120的寬度Wl可以小於CCD的寬度 W2以排列子陣列圖像。CCD的寬度W2可以是CCD掃描儀的單位像 素間距和在與CCD掃描儀的掃描傳動方向140垂直的寬度Wl方向上 的CCD像素的數量的乘積。
因為子陣列120的寬度W1可以小於CCD的寬度W2，所以在CCD 掃描儀的旋轉公差範圍中相鄰的子陣列圖形120可能覆蓋區域160中 的CCD，並且可以雙重掃描和圖像排列。
整體排列點陣列圖形150可以位於主陣列圖形110的外部，來以 整體的方式排列主陣列圖形110。每個整體排列點陣列圖形150可以與 主陣列圖形110間隔距離D，該距離D比子陣列圖形120的寬度Wl 大，從而提高整體排列的精確性。每個整體排列點陣列圖形150可以 由具有與形成子陣列圖形120的點圖形125相同間距的點圖形155形 成。
圖3是可以使用圖1中示出的掩模製造的示例實施方式低聚物探 針陣列晶片的截面視圖。
如圖3中所示，主陣列可以包括在基底200上排列成行的多個子 陣列220。具有不同序列的低聚物探針(探針(PROBE) 1、探針31、 探針61)可以連接在子陣列220中的多個點225上。具有基本上與點 225上的該低聚物探針不同序列的低聚物探針可以連接在子陣列排列 點陣列230中的點235 (探針y)上。點235上連接的低聚物探針可以 具有相同的序列。具有與點225的低聚物探針不同序列的低聚物探針 可以連接在整體排列點陣列250中的點225 (探針x)。點255上連接的低聚物探針可以具有相同的序列。
正如共同擁有的韓國專利申請No. 2006-0039713和2006-0039716 中討論的那樣，通過引用將其全部內容併入於此，圖3中的點225， 235 和/或255可以是被探針單元隔離區域229隔離的探針單元活性區域， 所述探針單元隔離區域229不包含耦合於低聚物探針的官能團。
點225， 235和/或255可以是基底上的活性區域，代替探針單元 活性區域，並且除了 225, 235和255之外的區域可以是基底上的去活 性的區域。
低聚物可以包括具有共價結合在一起的兩個或多個單體的聚合 物。單體可以具有大約1000或更小的分子量，聚合物可以具有任何分 子量。低聚物可以包含大約2到大約500個分子，例如，大約5到大 約30個分子。根據探針的類型，示例分子可以包括核苷、核苷酸、氨 基酸和/或縮氨酸。可以使用預先合成的低聚物探針，或者可以使用原 位光刻法或其他適當的方法在點225， 235， 255上合成低聚物探針。
核苷和/或核苷酸可以包含嘌呤和嘧啶鹼基，甲基化嘌呤或嘧啶， 和/或醯化嘌呤或嘧啶。核苷和/或核苷酸可以包含核糖和去氧核醣、或 者變性的糖，其中一個和多個羥基被滷素原子或者包含官能團例如醚 或胺的脂族化合物取代。
在基底200中，在雜交過程中可以最小化或避免非指定的結合， 並且基底200對可見光線和/或UV是透光性的。基底200可以是柔性 或剛性的基底。例如，柔性襯底可以包括尼龍和/或硝化纖維製成的膜 和/或塑料膜，剛性襯底可以包括矽基底和/或透明玻璃基底例如鈉鈣玻 璃。如果使用矽基底或透明玻璃基底，在雜交過程中不會出現或很少 出現非指定的耦合。如果使用透明玻璃基底，因為玻璃基底對可見光 線和/或UV射線是透光性的，所以更適宜檢測螢光物質。矽基底和/或透明玻璃基底可以與用於製造薄膜的方法和/或用於製造半導體器件或
者LCD面板的已知光刻法相兼容，而不用改變。
在雜交分析中，例如，如果點與pH為大約6到9的磷酸和/或TRIS 緩衝劑接觸，點225， 235和255不會被水解，而基本上是穩定的。點 可以由氧化矽膜製成，例如PE-TEOS膜、HDP氧化膜、P-SiH4氧化膜、 熱氧化膜和/或其他適合的矽氧化膜。點可以由矽酸鹽製成，例如矽酸 鉿、矽酸鋯和/或其他適合的矽酸鹽。點可以由金屬氮氧化合物膜製成， 例如氮氧化矽膜、氮氧化鉿膜、氮氧化鋯膜和/或其他適合的金屬氮氧 化膜。點可以由金屬氧化物製成，例如氧化鈦膜、氧化鉭膜、氧化鋁 膜、氧化鉿膜、氧化鋯膜、ITO和/或其他適合的金屬膜。點可以由聚 胺製成。點可以由金屬製成，例如金、銀、銅、鈀和/或其他適合的金 屬。點可以由聚合物製成，例如聚苯乙烯、聚丙烯酸、聚乙烯和/或其 他適合的聚合物。點可以由上面列出的材料的任何組合製成。
圖4是說明低聚物探針陣列晶片的實施例雜交分析的流程圖。參 考圖3中的示例實施方式低聚物探針陣列晶片200對示例方法進行描 述。
可以在低聚物探針陣列晶片200上進行目標樣品的雜交(S11)。 在雜交之後，低聚物探針陣列晶片200可以安裝在TDI型CCD掃描儀 上，然後進行整體排列(S12)。可以使用整體排列來測量該整體排列 點陣列250的位置，然後可以將測量的值和已知參考值彼此進行比較， 從而確定主陣列210的位置。可以測量子陣列排列點陣列230的位置， 將該測量值與已知參考值彼此進行比較，從而確定第一子陣列220的 位置(S13)。可以進行涉及Y-方向上的晶片傳送以及負Y-方向上的 電荷傳送的TDI型掃描，以形成子陣列圖像(S14)。可以重複子陣列 位置的確定(S13)以及掃描圖像的形成(S14)直到形成最後一個子 陣列220。因為子陣列220的寬度W1比CCD的寬度W2小，所以在 掃描過程(S14)中一個或多個點列會與相鄰子陣列220重疊。 一旦最
後一個子陣列220形成，就進行子陣列圖像的排列和分析(S15)。可 以排列通過利用雙重掃描點獲得的子陣列圖像，以形成一個圖像。根 據掃描過的點可以獲得探針和目標樣品之間的雜交結果。
圖5是可以用於製造低聚物探針陣列晶片的可替換示例實施方式 掩模的布局圖5的示例實施方式可以與圖1中的示例實施方式不同，因為空 間127可以在子陣列120之間，而在圖1和5的掩模之間的其他構成 部件可以基本上相同，省略多餘部件的描述。
可以使用圖5中示出的掩模製造具有整合間隙的低聚物陣列晶片， 空間127和子陣列圖形排列點陣列130可以用作排列關鍵。
圖6是可以用於製造低聚物探針陣列晶片的可替換示例實施方式 掩模的布局圖。圖7是圖6的A部分的放大圖，說明CCD寬度和子陣 列的面板型之間的關係。圖6和7是用於製造與步進重複型CCD掃描 儀相兼容的低聚物探針陣列晶片的示例實施方式掩模的布局圖。
如圖6和7中所示，用於製造示例實施方式低聚物探針陣列晶片 的掩模300可以包括主陣列圖形310。主陣列圖形310由多個彼此由十 字形的空間327所間隔開的面板型子陣列圖形320形成。多個點圖形 325可以在子陣列圖形320中排列成矩陣。多個點圖形325可以隔開間 距Px和Py。 x-方向間距Px以及y-方向間距Py可以基本上類似，並且 x-方向點圖形325的數量和y-方向點圖形325的數量可以基本上相等。 如果空間327比點圖形325的間距大，則空間327可以用作排列標準。 圖6和7示出了兩個虛擬的點圖形325'的布置。
如圖7中所示，為了進行圖像排列，面板型子陣列圖形320在^ 軸方向的寬度Wlx和y-軸方向的寬度Wly可以比CCD在x-軸方向的
寬度W2x和y-軸方向的寬度W2y小。x-軸方向上CCD的寬度W2x可 以是在x-軸方向上CCD掃描儀的單位像素間距和x-軸方向上像素的數 量的乘積。y-軸方向上CCD的寬度W2y可以是y-軸方向上CCD掃描 儀的單位像素間距和y-軸方向上像素的數量的乘積。如上所述，因為 子陣列圖形320的寬度Wlx和Wly可以各自小於CCD的寬度W2x 和W2y，在CCD掃描儀的旋轉公差範圍內，可以對相鄰子陣列圖形 320掃描兩次，從而易於圖像排列。
整體排列點陣列圖形350可以位於主陣列圖形310的外部，從而 進行主陣列圖形310的整體排列。每個整體排列點陣列圖形350可以 與主陣列圖形310間隔一距離，該距離比子陣列圖形320的寬度Wlx 大，從而改迸整體排列的精度。每個整體排列點陣列圖形350可以由 點圖形(未示出)形成，其中該點圖形設置有與形成子陣列圖形320 的點圖形325相類似的間距。
圖8是可以使用圖6中示出的示例性實施方式掩模而製造的示例 實施方式低聚物探針陣列晶片的截面視圖。
如圖8中所示，具有多個面板型子陣列420的主陣列可以在基底 400上。具有不同序列的低聚物探針(探針l，探針ll，探針21等) 可以連接在形成主陣列的多個點425上。具有與點425上連接的低聚 物探針不相同的類似序列的低聚物探針(探針x)可以連接在形成整體 排列點陣列450的點455上。點455上固定的低聚物探針可以具有相 同的序列。
正如共同擁有的韓國專利申請No.2006-0039713和2006-0039716 中討論的那樣，其全部內容通過引用被併入於此，圖8的點425和/或 455可以是被探針單元隔離區域429隔離的探針單元活性區域，所述探 針單元隔離區域429不包含耦合於低聚物探針的官能團。點425和/或455可以是基底上的活性區域，代替探針單元活性區 域，並且除了 425和455之外的區域可以是基底上的去活性的區域。
圖9是說明低聚物探針陣列晶片的示例雜交分析方法的流程圖。 參考圖8中的示例實施方式低聚物探針陣列晶片400對示例方法進行
描述o
可以在低聚物探針陣列晶片400上進行目標樣品的雜交(S21)。 低聚物探針陣列晶片可以安裝在步進重複型CCD掃描儀上，然後進行 整體排列(S22)。可以使用整體排列來測量整體排列點陣列450的位 置，然後可以將測量的值和已知參考值彼此進行比較，從而確定主陣 列的位置。可以測量十字形空間427的位置，然後將測量值與參考值 進行對比，從而確定第一子陣列420的位置(S23)。可以對子陣列420 調焦並且改變第一子陣列420的曝光時間，以形成一個面板型子陣列 圖像(S4)。可以利用步進重複型工藝來重複子陣列位置的確定(S3) 以及掃描圖像的形成(S4)，直到形成最後一個子陣列420。因為子陣 列圖形320的寬度Wlx和Wly比CCD的寬度W2x和W2y小，所以 在掃描過程(S14)中一個或多個點列或點行會與相鄰子陣列220重疊。 在最後一個子陣列形成之後，可以進行子陣列圖像的排列和分析 (S25)。可以將利用兩次掃描的點所獲得的子陣列圖像排列，以形成 一個圖像。根據該點可以獲得探針和目標樣品之間的雜交結果。
因為考慮到低聚物探針陣列晶片的布局而設定掃描平臺以及掃描 尺寸的轉移，所以通過利用像素解析度好於PMT掃描儀的CCD掃描 儀，更容易分析高度集成的數據。
雖然結合本發明的示例性實施方式對本發明進行了描述，但是對 於本領域技術人員來說，對其進行各種改動均不脫離該公開的範圍和 精神。因此，應當理解上述實施方式不是限制性的，而是在所有方面 是說明性的。
權利要求
1.一種低聚物探針陣列晶片，包括基底；位於基底上的主陣列，該主陣列包括多個排列成行的子陣列，並且每個所述子陣列都包括多個成矩陣形式的點；以及多個低聚物探針，每個低聚物探針具有唯一序列並且連接於所述多個點中的一相應點。
2. 根據權利要求l所述的低聚物探針陣列晶片，還包括 在每個所述子陣列外部的所述基底上的多個子陣列排列點陣列。
3. 根據權利要求2所述的低聚物探針陣列晶片，其中， 每個所述子陣列的寬度小於用於掃描所述低聚物探針陣列晶片的電荷耦合器件(CCD)掃描儀的單位像素間距和寬度方向上CCD像素 的數量的乘積。
4. 根據權利要求3所述的低聚物探針陣列晶片，其中 CCD掃描儀是時間延遲積分(TDI)型掃描儀。
5. 根據權利要求2所述的低聚物探針陣列晶片，還包括 與所述多個子陣列排列點陣列分隔開的多個整體排列點陣列。
6. 根據權利要求2所述的低聚物探針陣列晶片，其中 所述子陣列彼此通過空間被間隔開。
7. 根據權利要求l所述的低聚物探針陣列晶片，其中 每個所述子陣列通過十字形空間被彼此間隔開，以形成多個子陣列面板。
8. 根據權利要求7所述的低聚物探針陣列晶片，其中在x-軸方向上每個所述子陣列面板的第一寬度小於用於在該x-軸 方向上掃描該低聚物探針陣列晶片的電荷耦合器件(CCD)的單位像 素間距與該x-軸方向上的CCD像素的數量的乘積，並且在y-軸方向上 的每個所述子陣列面板的第二寬度小於在該y-軸方向上的所述CCD的 單位像素間距與該y-軸方向上的CCD像素的數量的乘積。
9. 根據權利要求8所述的低聚物探針陣列晶片，其中 所述CCD掃描儀是步進重複型掃描儀。
10. 根據權利要求7所述的低聚物探針陣列晶片，還包括 位於所述主陣列外部的多個整體排列點陣列。
11. 一種用於形成低聚物探針陣列晶片的掩模，該掩模包括 包括有排列成行的多個子陣列圖形的主陣列圖形，每個所述子陣列圖形包括以矩陣形式的多個點圖形；以及在每個所述子陣列圖形外部的基底上的多個子陣列圖形排列點陣 列圖形。
12. 根據權利要求ll所述的掩模，其中每個所述子陣列圖形的寬度小於用於掃描所述低聚物探針陣列芯 片的電荷耦合器件(CCD)掃描儀的單位像素間距與寬度方向上的CCD像素的數量的乘積。
13. 根據權利要求12所述的掩模，其中CCD掃描儀是時間延遲 積分(TDI)型掃描儀。
14.根據權利要求ll所述的掩模，還包括與所述排列點陣列圖形分隔開的整體排列點陣列圖形。
15. 根據權利要求ll所述的掩模，其中每個所述子陣列圖形彼此通過空間被間隔開。
16. 根據權利要求15所述的掩模，其中每個所述子陣列圖形通過十字形空間被彼此間隔開，以形成多個 子陣列圖形面板。
17. 根據權利要求16所述的掩模，其中在x-軸方向上的每個所述 子陣列圖形面板的第一寬度小於在該x-軸方向上的用於掃描所述低聚 物探針陣列晶片的電荷耦合器件(CCD)掃描儀的單位像素間距與該 x-軸方向上的CCD像素的數量的乘積，並且在y-軸方向上的每個所述 子陣列面板的第二寬度小於在該y-軸方向上CCD掃描儀的單位像素間 距與y-軸方向上CCD像素的數量的乘積。
18. 根據權利要求17所述的掩模，其中所述CCD掃描儀是步進 重複型掃描儀。
19. 根據權利要求16所述的掩模，還包括 位於所述主陣列圖形外部的多個整體排列點陣列圖形。
20. —種低聚物探針陣列晶片的雜交分析方法，該雜交分析方法 包括重複地確定所述低聚物探針陣列晶片的多個子陣列中的每個子陣 列的位置；利用電荷耦合器件(CCD)掃描儀來形成每個所述子陣列的圖像；以及排列多個所述子陣列圖像，以形成一個雜交圖像。
21. 根據權利要求20所述的方法，其中重複地確定所述每個子陣 列的位置是基於所述低聚物探針陣列晶片的主陣列的外部的多個子陣列排列點陣列，並且其中所述CCD掃描儀為時間延遲積分(TDI)型 CCD掃描儀。
22. 根據權利要求21所述的方法，其中形成每個所述子陣列的圖 像包括利用相鄰子陣列的多個圖像來重疊該子陣列的至少一個點列。
23. 根據權利要求21所述的方法，還包括在重複地確定每個子陣列的位置之前，通過利用與用於確定主陣 列的位置的多個子陣列排列點陣列分隔開的多個整體排列點陣列進行 整體排列，來確定主陣列的位置。
24. 根據權利要求20所述的方法，其中基於每個所述子陣列之間 的空間來重複地確定每個子陣列的位置，並且其中所述CCD掃描儀是 步進重複型CCD掃描儀。
25. 根據權利要求24所述的雜交分析方法，其中形成每個所述子 陣列的圖像包括利用相鄰子陣列的多個圖像來重疊所述子陣列的至 少一個點列以及所述子陣列的至少一個點行。
26. 根據權利要求25所述的雜交分析方法，還包括 在重複地確定每個所述子陣列的位置之前，通過利用所述主陣列的外部的多個整體排列點陣列進行整體排列，來確定所述低聚物探針 陣列晶片的主陣列的位置。
全文摘要
示例實施方式可以包括基於易於分析的布局的低聚物探針陣列晶片。示例低聚物探針陣列晶片可以包括基底、位於基底上具有多個以行或面板的形式的子陣列的主陣列、和/或位於每個子陣列行外部的多個子陣列排列點陣列。子陣列可以包括多個以矩陣排列的點，其中具有不同序列的低聚物探針可以連接於該點。示例實施方式還提供用於製造低聚物探針陣列晶片的掩模以及低聚物探針陣列晶片的雜交分析方法。
文檔編號G01N33/48GK101206216SQ20071015994
公開日2008年6月25日 申請日期2007年12月20日 優先權日2006年12月20日
發明者夏政煥, 池聖敏, 趙漢九, 金京善, 金媛善 申請人:三星電子株式會社