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回掃變壓器及其分壓電阻和用於連接分壓電阻的器件的製作方法

2024-01-24 01:32:15

專利名稱:回掃變壓器及其分壓電阻和用於連接分壓電阻的器件的製作方法
技術領域:
本發明涉及一FBT(回掃變壓器),及其分壓電阻(安裝在FBT的頂部),和用於連接分壓電阻的器件,FBT用於產在電視、監視器或類似電器中陰極射線管中產生高壓。更具體地說,本發明涉及一FBT(回掃變壓器),及其分壓電阻,和用於連接分壓電阻的器件,其中,兩個或多個開口彼此相鄰地形成基底上的電阻圖案,第一和第二開口彼此面對面交替形成。另外,第一和第二開口的總長大於第一和第二開口之間的平均距離。因此,當製造非塗層分壓電阻時,不需要進行玻璃塗層,烘烤、浸漬環氧樹脂,然後固化。儘管耐壓特性得到提高,製造工藝卻得以簡化。因此,分壓電阻製造起來更為方便,成本更低。
一般地,現有的分壓電阻通過下列方法製造。也就是,如

圖1所示,準備一由包含約96%雜質的Al2O3製成的陶瓷基底10,其面積為400-1500mm2。在陶瓷基底10上印有PbAg,P5Ag、Ag或它們的組合。然後在800℃的溫度下烘烤基底,因此,形成印刷電路板,然後,焊引線。接著在上面印上RuO2,在約850℃的溫度下烘烤。因此,得到一定厚度的電阻。
同時,只有在電阻每單元長度的阻值小於空氣接觸電阻率時電流才能通過該電阻中。當空氣的電壓擊穿阻耐為0.5KV/mm時,如果為電阻12提供一20KV的電壓時,需要保持20KV÷0.5KV/mm=40mm的距離。另外,如果考慮熱梯度和環境因素,那麼安全距離必須是上述距離的1.8倍,也就是40mm×1.8=72mm。同時,當電阻12是用直線形式印在陶瓷基底上時,陶瓷基底的長度要長,結果陶瓷基底的總體積變大。
所以,陶瓷基底10的電阻12不得不製成彎的,以減小陶瓷電基底10的體積。然而,此時,彎曲圖案的單位長度上的電勢差超過了直線電壓擊穿阻耐距離0.5KV/mm。如果考慮環境因素和熱梯度,單位長度上的電勢差遠遠超過空氣電壓擊穿阻耐距離,結果,在彎曲的圖案之間會發生焊光放電。因此,一般地,形成彎曲電阻之後,用玻璃塗層使電阻圖案絕緣,然後,進行封閉式烘烤,從而防止發生焊光放電。
同時,儘管玻璃塗層可以為電阻圖案絕緣,在固化晶線環氧樹脂時溼氣和熱影響消弱了絕緣效果,或損壞分壓電阻。因此,在玻璃塗層之後浸漬到環氧樹脂之中。
然而,用上述方法製成的分壓電阻具有下列缺陷。
第一,電阻12印在陶瓷基底10上,接著進行玻璃塗層,接著進行烘烤,再塗上環氧樹脂,然後進行固化。所以,由於製造工藝複雜,生產率下降,成本升高。
第二,電阻12印在陶瓷基底10上,接著塗上玻璃塗層來為電阻圖案絕緣,然後,進行烘烤,接著塗上環氧樹脂,再進行固化。因此,印刷電阻的特性降低,提高了阻耐誤差波動率。
第三,由於連續地烘烤,電阻的組織未進行不斷地重新排列,所以容易損壞。因此,電阻表面變得粗糙不平,結果,耐電壓擊穿能力急劇下降。
第四,如上所述,阻耐誤差變高,所以,為了滿足消費者,不合格產品被扔掉。結果,就得提高價格。
第五,由於使用玻璃和軟環氧樹脂,材料費增加,最終,產品價格進一步提高。
圖2A-2E示出了現有分壓電阻的各種實例。印有電阻的陶瓷基底10的所有面積卻浸入熔融的環氧樹脂中,從而為基底塗層。圖2A示出了有三個引線14的分壓電阻,引線是通過焊接來連接的。因此,這種電阻具有上述缺陷。如2B示出了電阻圖案形成得很密的分壓電阻,陶瓷基底僅有一個面進行了塗層。
圖2C示出了另一現有的分壓電阻,其中,陶瓷電阻的一個面的一部分塗有矽。圖2D示出了一分壓電阻,它與聚焦電位器基底形成一體,電阻12塗有環氧樹脂,基底的一部分上形成一開口。圖2E示出了一個實例,它與聚焦電位器基底(不是分壓電阻)形成一體,開口(用於絕緣電阻圖案)之間直線距離小於陶瓷基底的寬度(W)。
在上述現有的技術中,由於採用玻璃塗層和軟環氧塗層,具有上述缺點。此外,即使有開口,當電壓達到額定值時,在圖案之間仍會發生輝光放電。另外,如上所述,複雜的工藝使勞動量增大,生產率降低。
本發明旨在解決傳統技術的上述缺陷。
所以,本發明的一個目標是提供一FBT及其分壓電阻,其中,免去了玻璃塗層,烘烤、浸環氧樹脂,及其固化,但改進了電壓擊穿阻耐特性,由於製造工藝的簡化,產品更易製造。
本發明的另一目標是提供一分壓電阻和用於分壓電阻的連接器件,其中,開口形成于波形電阻圖案,圖案之間,以防止高壓時發生輝光放電,分壓電阻插在一座中,從而更好地為電阻圖案絕緣,因此,改進了分壓電阻的電特性。
為了實現上述目標,本發明的FBT分壓電阻包括一基底;和一形成於上述基底上的波形電阻圖案,FBT分壓電阻還包括一對或多對開口,形成於上述基底內,每對上述開口包括一第一和一第二開口;上述第一開口開在上述基底的一邊上;上述第二開口開在上述基底的相對的一邊上;上述第一和第二開口沿上述基底縱向延伸;和上述第一和第二開口的總長大於上述第一和第二開口之間的上述基底的平均寬度。
根據本發明的另一方面,本發明的FBT分壓電阻連接器件包括一分壓電阻;一電阻座,用於接受帶有相互面對面交替布置的開口的分壓電阻;絕緣片,形成於上述電阻座內,用以插到上述分壓電阻的上述開口中,並伸到上述分壓電阻之上;和一蓋,用以在上述分壓電阻插入上述座中之後覆蓋上述電阻座的頂。
根據本發明的另一方面,本發明的FBT包括高壓和低壓線圈架,其上繞有線圈,用以產生一高電壓;一FBT座,用以容納上述高壓和低壓線圈架,並填充有絕緣樹脂;一分壓電阻,它包括一電阻圖案;一分壓電阻基底,它包括一對或多對彼此相鄰布置的第一和第二開口,上述第一開口開在上述基底的一邊上,上述第二開口開在上述基底相對的一邊上,上述第一和第二開口的總長大於上述第一和第二開口之間上述基底的平均寬度;上述電阻圖案在上述第一和第二開口之間波形延伸;一電阻座,用以容納上述分壓電阻,它包括絕緣片,用以插在上述分壓電阻的上述開口內,並伸到上述分壓電阻之上;和一蓋,用以在上述分壓電阻插入上述座中以後覆蓋上述電阻座的頂。
參考附圖,通過本發明優選實施例的詳細介紹,本發明的上述目標和其它優點就會更加明顯,其中圖1示出了一般FBT分壓電阻的製造工藝;圖2A-2E示出了現有FBT中所用分壓電阻的各種實例;圖3是一分解透視圖,示出了本發明的FBT、分壓電阻和蓋;圖4是一透視圖,示出了本發明的分壓電阻;圖5是一透視圖,示出了本發明分壓電阻的另一實施例;和圖6是一透視圖,示出了電阻箱的蓋。
圖3是一分解透視圖,示出了本發明的FBT、分壓電阻和蓋。圖4是一透視圖,示出了本發明的分壓電阻。
在本發明的FBT內,有高壓和低壓線圈架,上面繞有線圈。一FBT座110容納高壓和低壓線圈架,裡面還包括一絕緣樹脂,用於讓高壓和低壓線圈架絕緣。在FBT座110的上部,安裝有一電阻箱180。電阻箱180包含一分壓電阻100,後者包括一基底130和一形成於基底130上的電阻圖案140。電阻箱180上蓋有一蓋210。
如圖4和5所示,分壓電阻100是這樣形成的,一電阻圖案140印製在基底130上,第一和第二開口150和150』彼此交替地面對面地形成於電阻圖案140的波形部分內。
也就是,一對或多對第一和第二開口150和150』彼此相鄰地形成於基底130上。第一開口150開在基底130的一邊上。
第二開口150』開在基底130的相對的一邊上,第一和第二開口150和150』沿基底130縱向形成。第一和第二開口150和150』的總長度(L1+L2)大於第一和第二開口150和150』之間的平均基底寬度Ws。
如圖3所示,在FBT座110的上部,安裝有一電阻座180,電阻座180在其內部170內包括多個絕緣片160,因此,絕緣160可以插在開口150和150』內。如圖6所示,一蓋210連接到電阻座180上,且包括多個插槽200,因此,蓋可以連接到電阻座180上。插槽200由圍牆190形成。
下面將介紹如上構造的本發明的作用和效應。
如圖3至圖6所示,電阻座180安裝在FBT座110的上部,分壓電阻100安裝在電阻座180內。在分壓電阻100的基片130上,列印有一波形(曲折)電阻圖案140。在電阻圖案140的相鄰波形部分內,形成一定深度的開口150和150』,這些開口用於絕緣。
如圖4所示,在分壓電阻100的基底130上列印的電阻圖案140的波形部分內,形成至少一對或多對第一和第二開口150和150』。另外,第一開口150開在基底130的一邊上,在基底130的相對的另一邊上開有第二開口150』。
第一和第二開口150和150』沿基底130縱向形成,第一和第二開口150和150』的總長(L1+L2)大於第一和第二開口150和150』之間的平均基底寬度Ws。因此,通過相對開設的第一和第二開口150和150』這間,可以列印波形電阻圖案。所以,可以保證足夠的絕緣距離,由於有了開口150和150』,更能保證絕緣要求。
圖5是一透視圖,示出了本發明分壓電阻的另一實施例。此時,基底130的寬度不是不變的,但是多對第一和第二開口150和150』適當地橫向形成於基底130上。另外,第一和第二開口150和150』的總長(L1+L2)大於第一和第二開口150和150』之間的平均基底寬度Ws。
如圖3所示,如果分壓電阻100便於安裝在FBT基底110的頂部,包含絕緣片160的電阻座180就得安裝在FBT座110的上面。電阻座180不僅緊固分壓電阻100,還提高了分壓電阻100的絕緣特性。
也就是,在電阻座180內形成多個絕緣片160,所以,絕緣片160可以準確地與開口150和150』配合。因此,不僅分壓電阻100可以牢緊固,印製的電阻圖案140的波形部分也可以確實彼此絕緣。這裡,絕緣片160的高度必須大於基底130的厚度。
同時,如圖6所示,蓋210用於覆蓋電阻座180,蓋210有多個圍牆190,以形成多個插槽200。分壓電阻100安裝到電阻座180中以後,蓋210配裝到電阻座180中,絕緣片160緊密配合蓋210的插槽200中。
所以,如果一高壓提供到印在陶瓷基底130上的電阻圖案140的輸入端,電壓經過電阻圖案140下降。在這種條件下,由於電阻圖案140的波形部分之間的絕緣片160的存在,不會發生輝光放電。
例如,如果-20KV(dl)的電壓提供到電阻圖案的輸入端子120上,如果陶瓷基底130的寬度為10mm,長度為30mm,那麼電阻圖案140的總長度為80mm。如果氣體電壓擊穿抵耐極限為0.5KV/mm同時考慮環境因素和熱梯度,需要考慮1.8的係數。也就是,需要保持0.5KV/mm÷1.8KV/mm=0.28KV/mm,因此,需要20KV(dc)÷0.28KV/mm=71.4mm。同時,電阻圖案140的長度為80mm,因此,可以保持足夠的電阻。另外,電阻圖案140的波形部分由絕緣片160絕緣,因此,可以防止出現輝光放電。
因此,可以獲得完善的絕緣,所以,不需要現有的玻璃塗層。因此,在空氣中可以使用分壓電阻,所以,不需要執行現有的會產生裂紋的樹脂塗覆工作。
為了防上溼氣入侵,在安裝分壓電阻和將蓋210配裝到電阻座180中以後,要執行最終密封。最終密封是將FBT成品浸到環氧樹脂中來實現的,因此,可以使FBT完全與外界隔離。所以,分壓電阻不受環氧樹脂塗層的收縮現象的影響。另外,最終塗層(如玻璃塗層和環氧樹脂浸漬)需要均勻地塗在焊接引線上。另外,電阻圖案140的輸入端子120和輸出端子120』可以由接觸彈簧或絕緣橡膠製成。
根據上述的本發明,在製造FBT的分壓電阻時,不需要進行玻璃塗層、烘烤、軟環氧樹脂浸漬和固化。然而,改進了電壓擊穿抵耐特性。製造工藝的簡化使分壓電阻的製造更容易,製造成本明顯降低。另外,開口形成於基底上弧形電阻圖案的波形部分內,所以,可以防止輝光放電。帶有開口的分壓電阻容納在帶有絕緣片的電阻座內,讓絕緣片插在分壓電阻的開口內。因此,弧形電阻圖案的波形部分可以彼此切實絕緣,所以,還改進了分壓電阻的電特性。
權利要求
1.一FBT分壓電阻包括一基底;和一形成於上述基底上的波形電阻圖案,FBT分壓電阻還包括一對或多對開口,形成於上述基底內,每對上述開口包括一第一和一第二開口;上述第一開口開在上述基底的一邊上;上述第二開口開在上述基底的相對的一邊上;上述第一和第二開口沿上述基底縱向延伸;和上述第一和第二開口的總長大於上述第一和第二開口之間的上述基底的平均寬度。
2.如權利要求1所述的FBT分壓電阻,其中,上述陶瓷基底的上述開口有一定的形狀。
3.如權利要求1和2中的任一條所述的FBT分壓電阻,其中,形成於上述基底內的上述開口形成於上述弧形電阻圖案的波形部分。
4.一種FBT分壓電阻連接器件包括一分壓電阻;一電阻座,用於接受帶有相互面對面交替布置的開口的分壓電阻;絕緣片,形成於上述電阻座內,用以插到上述分壓電阻的上述開口中,並伸到上述分壓電阻之上;和一蓋,用以在上述分壓電阻插入上述座中之後覆蓋上述電阻座的頂。
5.如權利要求4所述的FBT分壓電阻連接器件,其中,上述蓋包括多個插槽,用以接受多個上述電阻座的上述絕緣片。
6.如權利要求4所述的FBT分壓電阻連接器件,其中,通過注模成型工藝使用以容納上述分壓電阻的上述電阻座與上述FBT座形成一體。
7.如權利要求4所述的FBT分壓電阻連接器件,其中,上述電阻座中用以容納上述分壓電阻的內容不浸到絕緣樹脂中。
8.一種FBT包括高壓和低壓線圈架,其上繞有線圈,用以產生一高電壓;一FBT座,用以容納上述高壓和低壓線圈架,並填充有絕緣樹脂;一分壓電阻,它包括一電阻圖案;一分壓電阻基底,它包括一對或多對彼此相鄰布置的第一和第二開口,上述第一開口開在上述基底的一邊上,上述第二開口開在上述基底相對的一邊上,上述第一和第二開口的總長大於上述第一和第二開口之間上述基底的平均寬度;上述電阻圖案在上述第一和第二開口之間波形延伸;一電阻座,用以容納上述分壓電阻,它包括絕緣片,用以插在上述分壓電阻的上述開口內,並伸到上述分壓電阻之上;和一蓋,用以在上述分壓電阻插入上述座中以後覆蓋上述電阻座的頂。
9.如權利要求8所述的FBT,其中,上述蓋包括多個插槽,用以容納多個上述電阻座的上述絕緣片。
全文摘要
本發明介紹了一種FBT(回掃變壓器),及其分壓電阻(安裝在FBT頂部),和用以連接分壓電阻的器件。分壓電阻100容納在電阻座180內,電阻座180安裝在FBT座110的頂部。一電阻圖案140列印在分壓電阻100的基底130上。開口150形成在電阻圖案140的波形部分上,電阻座180在其內部170內包括多個絕緣片160,所以,絕緣片可以插到開口150內。在製造分壓電阻時,不需要進行玻璃塗層、烘烤、環氧樹脂浸漬,但可以改進電壓擊穿抵耐特性。另外,由於工藝的簡化製造成本降低了。
文檔編號H01C7/00GK1270399SQ9910571
公開日2000年10月18日 申請日期1999年4月9日 優先權日1999年4月9日
發明者崔大成 申請人:三星電機株式會社

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