帶通濾波器和製造帶通濾波器的方法

2024-04-07 22:13:05 4

專利名稱：帶通濾波器和製造帶通濾波器的方法
技術領域：
本發明涉及特別是用於具有良好的帶外拒波效果的超寬帶(UWB ) 應用的帶通濾波器和製造所述帶通濾波器的方法。
背景技術：
近來，越來越需要開發UWB技術來實現在3.1 GHz到10.6 GHz的 允許頻率範圍內的每秒幾百兆比特的高速數據傳輸。為了符合關於UWB 通信的規定，帶通範圍被限制為500MHz或者中心頻率的25。/。，並且與 在指定給GPS (全球定位系統)的1.6GHz左右的特定帶通不同。因此， UWB應用需要具有良好的近帶拒波效果的帶通濾波器。
曰本專利/>報(JP 2005-295316 A)提出了 一種可用於UWB應用的 帶通濾波器。所提出的帶通濾波器包括多個環形諧振器。所述環形諧振器 被設置為具有不同的衰減頻率範圍，並且被耦接以獲得期望的寬通帶。但 是，由於每個環形諧振器固有地具有較窄的拒波帶，因此環形諧振器的組 合有可能4吏不期望有的頻率通過，或者不能將不期望有的頻率衰減到實際 容許的水平。而且，由於要求每個環形諧振器具有達l釐米的直徑以用於 UWB應用，因此環形諧振器的組合佔用了較大的空間，因此不適合於結 合到微型化的器件中。

發明內容
鑑於上述問題，已實現了本發明以提供一種帶通濾波器，所述帶通濾 波器緊湊並且有效地用於濾除帶外頻率。根據本發明的帶通濾波器包括 體聲波(BAW)濾波器，該體聲波濾波器由多個壓電諧振器組成，以提 供特定的頻率通帶；以及圖案化平面濾波器，其被配置為衰減在通帶附近 和外側的頻率。所述壓電諧振器以梯狀配置連接在第一信號傳輸路徑與地 之間，以提供通帶，其中每個諧振器包括在下電極和上電極之間布置的壓 電元件。所述平面濾波器包括帶狀線結構，所述帶狀線結構由接地導體、在所述接地導體上的電介質層以及在所述電介質層上形成的帶狀線組成， 用於限定第二信號傳輸路徑。所述帶狀線被加有至少一個短截線，所述短 截線由栽荷分段和抽頭分段組成，所述載荷分段在空間關係上從所述帶狀 線延伸，所述抽頭分段從所述帶狀線延伸，並且在所述載荷分段的相對縱
向端之間的中間部分合併。所述BAW濾波器和所述平面濾波器形成在公 共襯底上，所述第一和笫二傳輸5^彼此連接。如此與加有短截線的圖案 化平面濾波器組合的BAW濾波器可以改善BAW濾波器固有的深的近帶 拒波效果，呈現出在通帶之外的特定相鄰頻率範圍內的良好帶外拒波效 果，因此，給出了銳和寬的通帶。而且，通過使用與BAW濾波器共用的 襯底，來實現平面濾波器，並且平面濾波器僅僅對於BAW濾波器固有的 緊湊結構增加了小的空間要求，由此保持組合帶通濾波器足夠緊湊。特別 是，將短截線加到帶狀線上可以縮短平面濾波器的長度，並且改善衰減帶 外頻率的效果。
優選的是，所述帶狀線結構的電介質層由相對介電常數為8或者更大 的電介質材料製成.
例如，所述電介質層由與所述壓電諧振器的壓電元件的材料相同的材 料製成，用於減少構成組合帶通濾波器的材料的數目，以便容易製造組合 帶通濾波器。
另夕卜，所述電介質層優選地具有與每個諧振器的壓電元件的厚度相同 的厚度，以便容易製造組合帶通濾波器。
最優選的是，形成壓電分段和電介質層的電介質材料是鋯鈦酸鉛 (PZT )，其具有100-3000的非常高的相對介電常數。
所述BAW濾波器可以具有多個壓電諧振器，它們以二維排列被布置 在襯底上，同時共用單個壓電元件.為此，所述BAW濾波器包括多個 上電極，每個上電極位於所述壓電元件之上；以及多個下電極，每個下電 極位於所述壓電元件之下並且與其接觸。至少 一個所述上電極^M^史計為具 有分別與兩個或者更多個不同的所述下電極交迭的部分，所述壓電元件的 對應部分插入在所迷上電極的所述部分與所述下電極之間，並且至少一個 所述下電極被設計為具有分別與兩個或者更多個不同的所述上電極交迭 的部分，並且所述壓電元件的對應部分插入在所述下電極的所述部分與所 述上電極之間，以限定以梯狀配置彼此電連接的多個所迷壓電元件。因此， 多個所迷壓電諧振器可以被緊密地封裝在有限的空間中，以使得所述 BAW濾波器和結果產生的帶通濾波器緊湊.本發明還提出了一種製造上述帶通濾波器的方法。在所述方法中，在 公共襯底上形成第一層導電材料，所述第一層導電材料l^被蝕刻掉以留
下每個壓電諧振器的下電極和接地導體。然後，對應於所述BAW濾波器， 在所述第一層的一個部分上沉積特定結晶取向的種子層。隨後，壓電層沉 積在所述種子層上，並JLii對應於所述圖案化平面濾波器而沉積在所述第 一層的另一個部分上。所述壓電層l^被蝕刻掉，以留下所述BAW濾波 器的每個諧振器的壓電元件和所述圖案化平面濾波器的電介質層。此後，
在所述壓電層上形成第二層導電材料，以給出層壓結構，所述第二層l^ 被蝕刻掉以留下每個諧振器的上電極和帶狀線。最後，結果產生的層壓與 所述第 一和第二層一起被蝕刻掉，以在公共襯底上顯現出壓電掩b振器和帶 狀線結構。因此，所述BAW濾波器和所述圖案化平面濾波器被實現在所 述公共襯底上，並且共用壓電層，以形成所述BAW濾波器的壓電元件和 所述圖案化平面濾波器的電介質層。而且，該方法使得容易具有所述BAW 濾波器的頂表面，即與所述圖案化平面濾波器的帶狀線齊平的上電極，由 此實現光滑的平面結構。
種子層優選地選自與壓電層的材料不同的材料，並且控制壓電層的外 延生長，以^t通過抑制橫向振蕩而向BAW濾波器提供期望的衰減效果。
在一種替代的方法中，接地導體形成在襯底的一個部分上，並且電介 質層形成在接地導體上和襯底的另一個部分上。然後，第一層導電材料沉 積在所述電^h質層上，！^進行下述步驟蝕刻所述第一層，以留下帶狀 線和每個壓電諧振器的下電極。在下電極上沉積特定結晶取向的種 子層，並且在種子層上沉積壓電材料，並且使得所述沉積壓電材料顯現為 具有與種子層相同的結晶取向的壓電元件。此後，在每個壓電元件上形成 上電極。對於這種方法，通常使用所述第一層來形成BAW濾波器的下電 極和圖案化平面濾波器的帶狀線結構。
根據以下結合附圖對優選實施例的詳細說明，本發明的這些和其它有 益特徵將變得更明顯。


圖l根據本發明的第一實施例的帶通濾波器的透視圖； 圖2是上述帶通濾波器的截面圖； 圖3是上述帶通濾波器的電路圖；圖4A-4D是圖解與單個BAW濾波器和單個圖案化濾波器有關的本發 明的在通帶外側的衰減效果的曲線圖5A-5G是圖解製造上述帶通濾波器的步驟的截面圖6是圖解上述帶通濾波器的變型的截面圖7是根據本發明的第二實施例的帶通濾波器的截面圖8A-8E是圖解製造上述帶通濾波器的步驟的截面圖9是根據本發明的第三實施例的帶通濾波器的透視圖IO是上述帶通濾波器的平面圖；以及
圖11是圖解上述帶通濾波器中的BAW濾波器的梯狀連接的電路圖； 圖12是沿著圖10的線X-X所取的橫截面。
具體實施例方式
現在參見圖1和2,其中示出了根據本發明的第一實施例的帶通濾波 器。所述帶通濾波器被設計用於超寬帶(UWB )應用，以具有例如3.5 GHz 到3.9 GHz的頻率範圍的通帶。所述帶通濾波器^1體聲波(BAW)濾波 器2和平面圖案化濾波器4的組合，體聲波(BAW)濾波器2和平面圖 案化濾波器4形成在公共襯底100上，所述公共襯底100由例如矽半導體 材料製成。
BAW濾波器2包括多個薄膜體聲壓電諧振器21，每個薄膜體聲壓電 諧振器21由位於下電極12和上電極32之間的壓電元件22組成。如圖3 中所示，諧振器21以梯狀配置連接在第一信號傳輸路徑Pl和地之間，以 提供頻率的通帶。襯底100的頂表面中形成有多個空腔102，所述空腔102 與壓電元件22緊密相鄰，以便允許每個元件在其厚度方向上振蕩，以使 通帶頻率通過。通過深蝕刻技術，比如各向異性蝕刻或者深反應各向異性 蝕刻，來形成所述空腔102。壓電元件22由相對介電常數為100-3000的 鋯鈦酸鉛(PZT)製成。PZT被選擇為具有四角形結構，其結晶取向[OOl
在元件22的厚度方向上對齊，以減少90。域，並且因此抑制橫向振蕩模 式，以便改善在通帶外側的截止特性，即，提供深的近帶拒波效果，如圖 4A中所示。在該圖中，在緊挨著通帶外側的頻率處出現深衰減。如下所 述，通過4吏用其上顯現壓電元件的種子層來形成具有上述特定結晶取向的 PZT。在諧振器21的梯狀耦合中，每個諧振器21的上電極32通過電橋33與相鄰諧振器的上電極或者下電極連接，而兩個諧振器的下電極12都 連接到地線13。雖然具有上述特定結晶結構的PZT是優選的，但是壓電 材料可以是AIN、 ZnO或者相對介電常數為8或更大的類似材料。
如圖l和2所示，平面圖案化濾波器4具有帶狀線結構，所述帶狀線 結構由帶狀線34、接地導體14以及介於帶狀線34和接地導體14之間的 電介質層24組成。接地導體14通過地線13而連接到兩個諧振器的下電 極12。電介質層24由形成壓電元件22的相同材料製成，以具有與所述 壓電元件相同的厚度。帶狀線34形成在電介質層24上，以限定第二信號 傳輸路徑P2，所述第二信號傳輸路徑P2連接到BAW濾波器2的第一信 號傳輸路徑Pl的上電極32，即通過電橋35連接到相鄰諧振器21的上電 極32。帶狀線34在其與BAW濾波器2相對的一端限定了輸出端，而遠 離帶狀線34的諧振器的上電極32限定了用於接收信號的輸入端。在電介 質層24上形成的帶狀線34具有由以下等式確定的阻抗Z0。
60
8
『/
4
其中，￡。是電介質層的有效相對介電常數，W是帶狀線的長度，而d
是電介質層的厚度。
帶狀線34被加有多個總體上為T形的短截線，每個短截線由與帶狀
間部分合併的抽頭分段38。抽頭分段38可以被配置為在載荷分段36的 中心、在偏離載荷分段36的中心的點或者甚至在載荷分段的一個縱向端 合併。栽荷分段36與接地導體14間隔開，以向帶狀線增加開放的短截線 電路。每個如此形成的短截線電路用作反饋電路RC，如圖3中所示，所 述反饋電路RC形成對諧振頻率附近的頻率進行衰減的諧振電路。當電介 質層24的介電常數增大時，以減小的抽頭分段38的長度獲得衰減諧振頻 率附近的頻率的效果。利用該結果，具有8或者更大的高相對介電常數的 電介質層24的使用能夠使得平面圖案化濾波器緊湊，因此使得整個帶通 濾波器緊湊。具體而言，由相對介電常數為100-3000的PZT製成的電介 質層可導致最小化圖案化濾波器。短截線電路被設計用於給出諧振頻率彼 此不同的對應諧振電路，以對寬範圍內的頻率進行衰減，使得圖案化濾波 器40單獨呈現出寬截止特性，如圖4B中所示，寬截止特性是指將較寬範圍內的頻率衰減到與由BAW濾波器2所獲得的範圍相比較小的程度。
然而，如圖4C中所示，當如此形成的平面圖案化濾波器4被加到 BAW濾波器2上時，在近帶頻率外側的頻率可以被衰減到比預期單獨由 BAW濾波器所衰減到程度的更深的程度。利用該結果，上述BAW濾波 器2和平面圖案化濾波器4的組合可以將通帶外側的頻率衰減到^艮深的程 度，由此實現足以用於UWB通信的在寬範圍上的優良帶外拒波效果。
當在BAW濾波器2和圖案化濾波器4之間插入衰減器50時，進一 步改善了上述的帶外拒波效果，如圖4D中所示，上述的帶外拒波效果被 改善為在3 GHz的特定頻率4吏曲線平坦。所述衰減器可以被配置為例如 提供-3 dB衰減的；r型衰減器，並且被實現為以耦接線的形式結合在帶狀 線34與相鄰的壓電元件21的上電極之間的電阻器。
現在參照圖5A-5B來說明製造帶通濾波器的方法。襯底100由單晶 矽製成，所述單晶矽的頂表面由晶體結構的[100面來限定。首先，襯底 IOO被熱氧化，以在其頂表面中形成氧化矽(Si02)層，所述氧化珪層由 適當的薄膜掩蔽，並且被蝕刻以在襯底100的頂部中形成空腔102，隨後， 氧化珪層與^^模一起被去除，如圖5A中所示。然後，通過CVD (化學 氣相沉積)方法來在包括空腔102的襯底100的整個頂表面上沉積犧牲層 110，如圖5B中所示，並且，通過CMP (化學M拋光)來將犧牲層110 從襯底的頂表面上拋去，以使犧牲層110僅保留在空腔102中，如圖5C 中所示。隨後，在襯底100的頂表面上沉積由諸如Pt或者lr的導電材料 組成的笫一層10，如圖5D中所示。然後蝕刻掉第一層10，以形成如上 所述的圖案化濾波器4的接地導體14、 BAW濾波器2的下電極12以及 地線13。第一層可以是兩個或者更多個金屬塗層的組合。接著，由壓電 材料組成的種子層60部分地沉積在第一層10的一個部分上，如圖5E中 所示，該部分隨後形成為BAW濾波器2。種子層60是從除了組成壓電元 件22的壓電材料(PZT)之外的壓電材料例如PbTK)3或者PbLaTi03中 選擇的，並且通過濺射、溶膠-凝膠塗敷或者MOCVD (金屬有機化學 氣相沉積)來沉積，以提供[001結晶取向。然後，PZT的壓電層20通過 濺射、溶膠—皿塗敷或者MOCVD而被沉積為在種子層60和暴露的第 一層10上延伸，如圖5F中所示，並且以大約700°C的溫度被燒結，以 顯現為對應的結晶元件，所述結晶元件隨後形成為具有與種子層的結晶取 向相同的結晶取向的壓電元件22和平面濾波器4的電介質層24。此後， 由與笫一層相同的導電金屬組成的第二層30沉積在壓電層20上，以得到層壓結構，如圖5G中所示。最後，所述堆疊被處理以蝕刻掉電^h質層20 和第二層30,以便形成獨立的壓電元件22和電介質層24，並且同時在壓 電元件22上形成諧振器21的上電極32、在電介質層24上形成具有短截 線的帶狀線34、以及形成電橋33和35,由此提供具有在公共襯底100上 形成的BAW濾波器2和圖案化濾波器4的組合的帶通濾波器。
圖6示出了上述實施例的變型，除了使用聲學鏡52來取^C空腔12， 以提供獨立諧振器21以作為SMR (固態安裝的諧振器)之外，該變型與 上述實施例相同。為了容易識別，相同的部分由相同的附圖標號來標記， 並且在此不進行重複說明。聲學鏡52由鎢製成，並且被嵌入在由多個氧 化矽層在襯底100上形成的另外的電介質部分150中。
圖7示出了祁4t本發明的第二實施例的帶通濾波器，除了 BAW濾波 器2的下電極12和圖案化濾波器4的帶狀線34彼此在同 一水平並且由共 同的金屬層形成之外，第二實施例類似於第一實施例的上述變型。相同的 部分由相同的附圖標號來標記，並且為了簡明，在此不進行重複i兌明。現 在參照圖8A-8E來說明製造此帶通濾波器的步驟。首先，將多個薄氧化 珪層連續地疊加在矽村底100上，以產生電介質部分150，其中聲學鏡52 和接地導體分別被嵌入在電介質部分150中，如圖8A中所示。然後，在 電介質部分150上沉積金屬層10,如圖8B中所示，並且隨後蝕刻所述金 屬層10以形成各個諧振器的下電極12以及帶狀線34，如圖8C中所示。 在該步驟中，在電介質部分150的上端將其部分地蝕刻掉，以在隨後顯現 出諧振器的相鄰區域之間和在I^顯現出諧振器的區域與形成帶狀線34 的區域之間形成凹陷54。然後，在延伸於下電極12之上的區域上形成種 子層，隨後用壓電材料來塗敷種子層。在將壓電材料燒結為具有與種子層 相同的結晶取向並且在壓電材料中包含燒結層後，壓電材料被掩蔽並且被 蝕刻，以分別在下電極12上顯現出壓電元件22,如圖8D中所示。此後， 將另 一個金屬層沉積為在壓電元件之上延伸，並且蝕刻該另 一個金屬層以 得到獨立的上電極32以及電橋33和35，如圖8E中所示。電橋33被形 成為將上電極32與相鄰的上電極32或者下電極21互連，而電橋35被形 成為將帶狀線34與相鄰的上電極32互連。
圖9-12示出了^l據本發明的第三實施例的帶通濾波器，除了空間排 列之外，第三實施例基本上與笫一實施例相同。相同的部分由相同的附圖 標號標記，並且為了簡明，在此不進行重複說明。所述帶通濾波器包括其 上構造了圖案化濾波器和BAW濾波器的珪襯底100。在下面的i兌明中為容易理解本實施例的具體結構，與前述實施例不同地標記壓電諧振器、
BAW濾波器的上和下電極。襯底100被形成為具有三個獨立的接地層， 第一接地層10A包括接地導體14和兩個下電極10B和IOC，第二接地層 限定下電極10D，最後一個接地層限定下電極10E。接地導體14^JL蓋 有由PZT組成的電介質層24，在電介質層24上沉積有具有多個短截線 36、 38的帶狀線34，以實現圖案化濾波器。
BAW濾波器被i殳計為包括8個壓電諧振器Rl-R8，它們以二維的布 置排列，單個壓電元件22為所述諧振器所共用，並且壓電諧振器R1-R8 以梯狀配置電連接，如圖11中所示。壓電元件22由PZT製成，並且被 形成為具有與電^h質層24相同的電^h質層。為了實現"^振器的二維布置， 形成四個獨立的上電極30A、 30B、 30C和30D,以與下電極10A-10E交 迭M蓋壓電元件22的對應部分，如下所述。以兩個相隔的但是電連接 的接頭30B1和30B2來形成上電極30B。上電極30B堆疊在與接地導體 14一體的接地層10A的對應部分10F上，以限定地線。上電極30A的一 端通過以多晶珪電阻器形式的衰減器50而連接到帶狀線34，並且上電極 30A的另一端與下電極10D交迭，電介質元件23的一部分插入在上電極 30A與下電極10D之間，以實現諧振器R1。上電極30B的接頭30B1與 下電極10D交迭，以實現諧振器R2。上電極30C具有三個部分，它們分 別與不同的下電極10D、 IOB和IOC交迭，以實現不同的諧振器R3、 R4 和R5。接頭30B2與下電極10E交迭，以實現諧振器R6。上電極30D具 有兩個不同部分，它們分別與下電極10E和10C交迭，以實現不同的諧 振器R7和R8。上電極30D的一端降低在襯底100上，以在該端上限定 信號端子T1。同樣，帶狀線34的一端降低在在襯底100上，以在該端上 限定另一個信號端子T2。
本發明不應當被解釋為上述實施例，而是應涵蓋 述實施例的各個特 徵的任何組合。 1權利要求
1.一種帶通濾波器，包括體聲波(BAW)濾波器，該體聲波濾波器由多個壓電諧振器組成，所述多個壓電諧振器以梯狀配置連接在第一信號傳輸路徑與地之間，以提供特定的頻率通帶，每個壓電諧振器包括在下電極和上電極之間布置的壓電元件；以及圖案化平面濾波器，其被配置為衰減在通帶附近和外側的頻率，所述平面濾波器包括帶狀線結構，所述帶狀線結構由接地導體、在所述接地導體上的電介質層以及在所述電介質層上形成的帶狀線組成，用於限定第二信號傳輸路徑，其中，所述帶狀線被加有至少一個短截線，所述短截線由載荷分段和抽頭分段組成，所述載荷分段在空間關係上從所述帶狀線延伸，所述抽頭分段從所述帶狀線延伸，並且在所述載荷分段的相對縱向端之間的中間部分合併，並且所述BAW濾波器和所述平面濾波器形成在公共襯底上，所述第一和第二傳輸路徑彼此連接。
2. 根據權利要求l的帶通濾波器，其中，所述帶狀線結構的電介質層由相對介電常數為8或者更大的電介質 材料製成。
3. 根據權利要求l的帶通濾波器，其中，所述帶狀線結構的電介質層由與所述壓電諧振器的壓電元件的材料 相同的材料製成。
4. 根據權利要求l的帶通濾波器，其中，所述帶狀線結構的電介質層具有與每個所述壓電諧振器的壓電元件 的厚度相等的厚度。
5. 根據權利要求3的帶通濾波器，其中， 所述材料是鋯鈥酸鉛(PZT )。
6. 根據權利要求l的帶通濾波器，其中，所述BAW濾波器包括單個壓電元件；多個獨立的上電極，每個上 電極位於所述壓電元件之上；以及多個獨立的下電極，每個下電極位於所 述壓電元件之下並且與所述壓電元件接觸，至少一個所述上電極具有分別與兩個或者更多個不同的所述下電極 交迭的部分，所述壓電元件的對應部分插入在所述上電極的所述部分與所 述下電極之間，並且至少一個所述下電極具有分別與兩個或者更多個不同 的所述上電極交迭的部分，並且所述壓電元件的對應部分插入在所述下電 極的所述部分與所述上電極之間，以限定以二維布置來排列的並且以梯狀 配置彼此電連接的多個所述壓電諧振器。
7. —種製造根據權利要求l的帶通濾波器的方法，所述方法包括以 下步驟在所述襯底上形成第一層導電材料，所述第一層導電材料l^被蝕刻 掉，以在所述襯底上留下每個所述壓電諧振器的下電極和所述接地導體，在所述第一層的一部分上沉積特定結晶取向的種子層；在所述種子層上和所述第一層的另一部分上形成壓電層，所述壓電層 i^被蝕刻掉，以留下所述壓電元件和所述電介質層；在所述壓電層之上形成第二層導電材料，以提供層壓結構，所述第二 導電層隨後被蝕刻掉，以留下每個所述壓電諧振器的上電極和所述帶狀 線；以及蝕刻掉所述層壓結構，以在所述襯底上顯現出所述多個壓電諧振器和 所述帶狀線結構。
8. 根據權利要求7的方法，其中，從與所述壓電層的材料不同的材料中選擇所述種子層，並且所述種子 層控制所述壓電層的外延生長。
9. 一種製造根據權利要求l的帶通濾波器的方法，所述方法包括以 下步驟在所述襯底的一部分上形成所述接地導體； 在所述接地導體上和所述襯底的另 一部分之上形成所述電介質層； 在所述電介質層上沉積第一層導電材料；蝕刻所述第一層導電材料，以留下所述帶狀線和每個所述壓電諧振器的下電極；在所述下電極上沉積特定結晶取向的種子層；在所述種子層上沉積壓電材料，並且將所述壓電材料顯現為具有與所 述種子層相同的結晶取向的所述壓電元件；以及在所述每個壓電元件上形成所述上電極。
全文摘要
一種帶通濾波器，包括BAW濾波器和具有短截線的圖案化平面濾波器的組合。BAW濾波器由多個壓電諧振器組成，用於提供特定的頻率通帶；而平面濾波器被配置為衰減在通帶附近和外側的頻率。諧振器以梯狀配置連接在第一信號傳輸路徑和地之間。所述平面濾波器包括在電介質層上形成的帶狀線，以限定第二信號傳輸路徑。所述BAW濾波器和所述平面濾波器被形成在公共襯底上，第一和第二傳輸路徑彼此連接。所述BAW濾波器與加有短截線的圖案化平面濾波器組合，可以改善BAW濾波器固有的深的近帶拒波效果，呈現出在通帶之外的特定相鄰頻率範圍上的良好帶外拒波效果，因此，給出了銳且寬的通帶。
文檔編號H01P1/203GK101617436SQ200880005919
公開日2009年12月30日 申請日期2008年2月19日 優先權日2007年2月23日
發明者吉原孝明, 屈部孝司, 山內規裕, 早崎嘉城, 松嶋朝明, 熊四輩, 白井健雄, 西村太, 諏訪敦 申請人:松下電工株式會社