蝕刻作業管理系統及方法及使用此方法所製作的電子裝置的製作方法
2023-11-04 14:08:57 5
專利名稱：蝕刻作業管理系統及方法及使用此方法所製作的電子裝置的製作方法
技術領域：
此發明是一種半導體元件製造，特別是一種蝕刻作業管理系統及方法。
背景技術：
一般而言，一組製程步驟會實施於一群的半導體晶圓上(通常稱為一個批次)。例如，可在晶圓上形成以各式各樣原料組成的製程層(process layer)。之後，可使用現有的光微影(photolithography)技術於製程層上形成光致抗蝕劑(photoresist)的圖案化層(patterned layer)。通常，蝕刻作業(etching process)會以光致抗蝕劑的圖案化層作為遮罩來製作製程層，進而在製程層上形成各式各樣的電性元件，例如可作為電晶體(transistor)的柵極電極結構(gate electrodestructure)。半導體晶圓的基底上亦可以形成許多溝槽絕緣結構(trench isolation structure s)，用以於半導體晶圓上隔離電性區域。絕緣結構的一個例子為淺溝槽隔離(shallow trenchisolation，STI)結構。關鍵尺寸(critical dimensions，CDs)為用以監督圖案尺寸的幾何圖案和距離空間，使保證其可被限制在客戶所需的規格內，特別是在製程中維護尺寸大小。關鍵尺寸誤差(CD bias)用以描述設計與實際值的差異程度。於最理想的情況下，關鍵尺寸誤差趨近於0，但在現實中，都會有可被量測出來的差異，其會影響半導體元件的效能與動作。
蝕刻作業的關鍵尺寸控制管理有著相當大的改變。先進位程控制(advanced process control，APC)的前饋(feed-forward)或反饋(feedback)控制系統已大量運用在蝕刻後檢查(after-etch inspection，AEI)以及顯影后檢查(after-developmentinspection，ADI)中。先進位程控制的前饋或反饋控制系統會啟動控制腳本指令(scripts)，為用以自動存取蝕刻作業所需資料庫的軟體程序。例如，會執行大量的分析以及/或運算來調整晶圓上的蝕刻持續時間。
在傳統的系統中，蝕刻時間只能以固定的增量，例如一、二或三秒鐘，來調整，而無法增加其調整的精確度。圖1是表示現有的蝕刻持續時間調整示意圖。例如，當偵測到的關鍵尺寸誤差為24.9納米時，在最理想的情況下，其蝕刻持續時間必須調整到接近33秒鐘，然而使用傳統的方法的情況下，只能調整到32秒鐘。
發明內容
為解決現有技術的上述問題，本發明提供一種蝕刻作業管理系統。該蝕刻作業管理系統包括量測機臺、蝕刻機臺與製程控制器。製程控制器連結於蝕刻機臺與量測機臺。製程控制器透過量測機臺的量測以取得已處理晶圓的線寬(line width)，從一目標線寬減掉量測的線寬以取得第一關鍵尺寸誤差，決定第一蝕刻持續時間，決定第二蝕刻持續時間，根據第一與第二蝕刻持續時間決定調整後的目標線寬，決定相應於調整後目標線寬的第二關鍵尺寸誤差，決定相應於第二關鍵尺寸誤差的第三蝕刻持續時間，以及驅動蝕刻機臺於另一晶圓上執行蝕刻作業並且歷經第三蝕刻持續時間。
本發明所述的蝕刻作業管理系統，上述製程控制器透過至少一映射法則決定上述第一蝕刻持續時間與上述第三蝕刻持續時間，上述映射法則使用既定的時間增量來決定相應於上述第一關鍵尺寸誤差的上述第一蝕刻持續時間，與相應於上述第二關鍵尺寸誤差的上述第三蝕刻持續時間。
本發明所述的蝕刻作業管理系統，上述調整後的目標線寬由一方程式計算Wat＝Wt-R×(Ti-To)，其中Wat代表上述調整後的目標線寬、Wt代表上述目標線寬、R代表一蝕刻率、Ti代表上述第二蝕刻持續時間、To代表上述第一蝕刻持續時間。
本發明所述的蝕刻作業管理系統，上述蝕刻率代表每一納米的關鍵尺寸誤差所相應的蝕刻持續時間的改變率。
本發明所述的蝕刻作業管理系統，上述第二關鍵尺寸誤差由一方程式計算CDb＝Wp+Wc+Wm-Wat，其中CDb代表上述第二關鍵尺寸誤差、Wp代表上述已處理晶圓的相應半導體產品的補償線寬、Wc代表製作上述已處理晶圓的相應反應室的補償線寬、Wm代表上述量測的線寬、以及Wat代表上述調整後的目標線寬。
本發明亦提供一種蝕刻作業管理方法。該方法為取得已處理晶圓的線寬，從一目標線寬減掉量測的線寬以取得第一關鍵尺寸誤差，根據至少一個映射法則決定相應於第一關鍵尺寸誤差的第一蝕刻持續時間，根據一蝕刻方程式決定相應於第一關鍵尺寸誤差的第二蝕刻持續時間，根據第一與第二蝕刻持續時間決定一調整後的目標線寬，決定相應於調整後目標線寬的第二關鍵尺寸誤差以及根據映射法則決定相應於第二關鍵尺寸誤差的第三蝕刻持續時間。
本發明所述的蝕刻作業管理方法，更包括一步驟為於另一個晶圓上執行一蝕刻作業並且歷經上述第三蝕刻持續時間。
本發明所述的蝕刻作業管理方法，映射法則使用既定的時間增量來決定相應於第一關鍵尺寸誤差的第一蝕刻持續時間，與相應於第二關鍵尺寸誤差的第三蝕刻持續時間。相應於第一關鍵尺寸誤差的第二蝕刻持續時間可為一最佳蝕刻持續時間。調整後的目標線寬可由一方程式計算Wat＝Wt-R×(Ti-To)，其中Wat代表調整後的目標線寬、Wt代表目標線寬、R代表一蝕刻率、Ti代表第二蝕刻持續時間、To代表第一蝕刻持續時間。蝕刻率代表每一納米的關鍵尺寸誤差所相應的蝕刻持續時間的改變率。
本發明所述的蝕刻作業管理方法，上述蝕刻率代表每一納米的關鍵尺寸誤差所相應的蝕刻持續時間的改變率。
本發明所述的蝕刻作業管理方法，第二關鍵尺寸誤差可由一方程式計算CDb＝Wp+Wc+Wm-Wat，其中CDb代表第二關鍵尺寸誤差、Wp代表已處理晶圓的相應半導體產品的補償線寬、Wc代表製作已處理晶圓的相應反應室的補償線寬、Wm代表量測的線寬、以及Wat代表調整後的目標線寬。
本發明還提供一種電子裝置，該電子裝置用以於晶圓上可執行一持續時間下的一蝕刻作業，上述持續時間可由一方法決定，其方法包括取得一已處理晶圓的一線寬；從一目標線寬減掉上述量測的線寬以取得一第一關鍵尺寸誤差；根據至少一映射法則決定一相應於上述第一關鍵尺寸誤差的第一蝕刻持續時間；根據一蝕刻方程式決定一相應於上述第一關鍵尺寸誤差的第二蝕刻持續時間；根據上述第一與第二蝕刻持續時間決定一調整後的目標線寬；決定相應於上述調整後目標線寬的一第二關鍵尺寸誤差；以及根據上述第二關鍵尺寸誤差與上述映射法則決定上述既定的蝕刻持續時間。
本發明所述的電子裝置，上述映射法則使用既定的時間增量來決定相應於上述第一關鍵尺寸誤差的上述第一蝕刻持續時間，與相應於上述第二關鍵尺寸誤差的上述既定蝕刻持續時間。
本發明所述的電子裝置，上述調整後的目標線寬由一方程式計算Wat＝Wt-R×(Ti-To)，其中Wat代表上述調整後的目標線寬、Wt代表上述目標線寬、R代表一蝕刻率、Ti代表上述第二蝕刻持續時間、To代表上述第一蝕刻持續時間。
本發明所述蝕刻作業管理系統及方法及使用此方法所製作的電子裝置，可調整擁有相同半導體產品以及將傳送至與已處理晶圓相同的反應室的晶圓的蝕刻持續時間，從而提高製程效率。
圖1是表示現有的蝕刻持續時間調整示意圖；圖2是表示依據本發明實施例的蝕刻作業管理系統20的示意圖；圖3是表示依據本發明實施例的蝕刻作業管理系統中應用於製程控制器的硬體架構圖；圖4與圖5是表示依據本發明實施例的蝕刻作業結果的剖面示意圖；圖6是表示依據本發明實施例的蝕刻作業管理的方法流程圖；圖7是表示依據本發明實施例的蝕刻方程式示意圖；圖8是表示依據本發明實施例的蝕刻作業管理的計算機可讀取儲存介質示意圖。
具體實施例方式
為使本發明的上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖示，進行詳細說明如下本發明提供一種蝕刻作業管理系統及方法。範例的蝕刻作業管理用以調整擁有相同半導體產品以及將傳送至與已處理晶圓相同的反應室的晶圓的蝕刻持續時間。對下一個晶圓的調整可增加或減少蝕刻持續時間。使用電子束(e-beam)來量測已處理晶圓的線寬，該電子束量測亦可為關鍵尺寸掃描式電子顯微鏡量測(CD scanning electron microscope，CD-SEM)。
圖2是表示依據本發明實施例的蝕刻作業管理系統20的示意圖，該系統包括製程控制器210、蝕刻機臺220、量測機臺230與資料庫單元240，使用各樣的邏輯連接方式連結在一個網絡環境下運作。本領域技術人員皆知道，製程控制器210、蝕刻機臺220及量測機臺230與資料庫單元240可在不同的網絡環境下彼此連接，並且通過各式各樣的中繼裝置在不同的網絡環境下進行通訊，像是路由器(routers)、網關(gateways)、無線接取點(accesspoints)、基地臺系統(base station systems)等等。本領域技術人員亦知道資料庫單元240可整合至量測機臺230中。
圖3是表示依據本發明實施例的蝕刻作業管理系統中應用於製程控制器210的硬體架構圖。圖3的硬體環境包括處理單元11、存儲器12、儲存裝置13、輸入裝置14、輸出裝置15以及通訊裝置16。根據範紐曼(Von Neumann)架構，使用總線17將處理單元11、存儲器12、儲存裝置13、輸入裝置14、輸出裝置15以及通訊裝置16連接在一起。處理單元11可包含一個或多個處理器，使得計算機的處理單元可包含一個中央處理單元(CPU)、一個微處理單元(micro processing unit，MPU)或關聯於一個並行運算環境的多處理單元。存儲器12於較佳的情況下為一動態存取存儲器(RAM)，但亦可為一隻讀存儲器(ROM)或一快閃只讀存儲器(flashROM)。於較佳的情況下，存儲器12儲存由處理單元11所執行的程序模塊，用以實現蝕刻作業管理功能。一般而言，程序模塊包括常序(routines)、程序(programs)、對象(objects)、元件(components)、腳本指令(scripts)、網頁(Web pages)等，用以執行特定功能或實作特定抽象資料庫型態(abstract datatype)。除此之外，本領域技術人員也可將本發明實施於其他計算機系統樣態(configuration)上，包括手持式設備(hand-helddevices)、多處理器系統、以微處理器為基礎或可程序化的消費性電子產品(microprocessor-based or programmable consumerelectronics)、網絡計算機、迷你計算機、大型主機以及類似的設備。本發明亦可以實施於分散式運算環境，其運算工作由一連結於通訊網絡的遠端處理設備執行。在分散式環境中，程序模塊可同時存在於本地以及遠端儲存裝置中，而遠端存取架構包含分散式元件對象模型(DCOM)、通用對象請求中介架構(CORBA)、網頁元件(Web objects)、網絡服務(Web Services)或其他類似架構。儲存裝置13可為一硬碟裝置、磁性裝置、光碟裝置、可攜式儲存裝置或非易失存儲器裝置(nonvolatile memory drive)。這些裝置以及其相關的計算機可讀取介質(computer-readablemedium)提供計算機可讀取指令、資料庫結構、程序模塊的非易失儲存空間(nonvolatile storage)。處理單元11從存儲器12或經由一操作人員透過輸入裝置接收程序模塊，用以執行蝕刻作業管理的功能。
蝕刻機臺220根據已定義程序(預先定義的一系列步驟或製程配方)於晶圓上執行幹(例如等離子)或溼蝕刻作業。例如，在一個等離子反應室，將基底暴露於真空下的離子化化合物，可達成基底蝕刻(substrate etching)，而蝕刻作業始於氣體注入等離子反應室時。其使用無線射頻(Radio Frequency，RF)來離子化氣體，並透過一特定製程配方控制其方向與離子注入晶圓的能量大小。於進行蝕刻作業期間，等離子與晶圓表面起化學反應，除去沒有覆蓋感光光罩(photoresist mask)的原料。蝕刻機臺220於較佳的情況下提供相容於半導體設備與原料國際標準(thesemiconductor equipment and material international，SEMI)的軟體服務，該標準明定傳輸協定、信息格式與功能作用。當一晶圓開始製作時，帶有必要的SEMI標準信息的事件被傳送到製程控制器210。
傳送由蝕刻機臺220處理的一或多個晶圓至量測機臺230以取得量測資料庫。量測資料庫相應於形成於晶圓上的元件的各式各樣物理或電子特性。例如，量測資料庫包括線寬(line widths)、溝槽深度(depth of trenches)、側壁角度(sidewall angles)、厚度、電阻等。量測資料庫可儲存於資料庫單元240中並用以更進一步決定目前晶圓上的關鍵尺寸誤差。圖4與圖5是為依據本發明實施例的蝕刻作業結果的剖面示意圖。參考圖4，半導體基底41上的金屬線42擁有相應於一關鍵尺寸的目標線寬420。然而，在數次的蝕刻作業後，量測機臺230所量測出的金屬層線寬410可能超過目標線寬420。此類的關鍵尺寸誤差430可透過增加蝕刻持續時間來調整下一個晶圓的蝕刻作業。參考圖5，半導體基底51上的金屬線52擁有相應於一關鍵尺寸的目標線寬510。然而，在數次的蝕刻作業後，量測機臺230所量測出的金屬層線寬520可能短於目標線寬510。此類的關鍵尺寸誤差530可透過減少蝕刻持續時間來調整下一個晶圓的蝕刻作業。
範例的蝕刻作業管理方法為透過製程控制器210驅動蝕刻機臺220，於擁有相同半導體產品以及將傳送到與已處理晶圓相同的反應室的晶圓上執行蝕刻作業，並調整蝕刻持續時間。圖6是為依據本發明實施例的蝕刻作業管理的方法流程圖。此方法始於步驟S611，於較佳的情況下，從資料庫單元240取得一或多個已處理晶圓的線寬，該線寬於較佳的情況下由量測機臺230量測而得。如步驟S621，從量測的線寬減掉預先決定的目標線寬(即關鍵尺寸)，以決定出已處理晶圓的關鍵尺寸誤差。如步驟S622，於較佳的情況下，根據預先決定的映射法則(mapping rules)決定相應於關鍵尺寸誤差的原始蝕刻持續時間(original etching duration)。該預先決定的映射法則，如圖1所示，使用既定的時間增量來決定關鍵尺寸誤差的蝕刻持續時間。此映射法則可以法則範本(ruletemplates)、發生於法則的前項(antecedent)或後項(consequent)的最大或最小數量條件(predicates)、蝕刻持續時間與關鍵尺寸誤差值的關係、關鍵尺寸誤差屬性值的運算方程式以及/或以上的組合來表示。如步驟S623，於較佳的情況下，根據一蝕刻方程式，決定相應於已決定的關鍵尺寸誤差的理想蝕刻持續時間(ideal etching duration)。此蝕刻方程式用以計算相應於關鍵尺寸誤差的最佳蝕刻持續時間(optimum etchingduration)。圖7是為依據本發明實施例的蝕刻方程式示意圖。圖7的方程式計算式如方程式(1)所示，方程式(1)Y＝24+0.4×X，其中，Y代表蝕刻持續時間、X代表關鍵尺寸誤差、24代表截距(當關鍵尺寸誤差為0時Y的秒數)，以及0.4代表斜率(X變動一納米單位所相應的Y變動程度)。斜率亦為蝕刻作業的蝕刻率。如步驟S624，根據目標線寬、蝕刻率(即蝕刻方程式的斜率)、原始蝕刻持續時間與理想蝕刻持續時間決定出調整後的目標線寬。方程式(2)是為顯示計算調整後的目標線寬的計算式。
方程式(2)Wat＝Wt-R×(Ti-To)，其中，Wat代表調整後的目標線寬、Wt代表預先決定的目標線寬、R代表蝕刻率、Ti代表理想蝕刻持續時間、以及To代表原始蝕刻持續時間。
如步驟S631，決定調整後關鍵尺寸誤差，該調整後關鍵尺寸誤差依據已處理晶圓的線寬(於較佳的情況下由量測機臺230量測而得)、已處理晶圓上的半導體產品的補償線寬、製作已處理晶圓的反應室的補償線寬，以及調整後的目標線寬。方程式(3)是為顯示計算調整後的關鍵尺寸誤差的計算式，方程式(3)CDb＝Wp+Wc+Wm-Wat，其中，CDb代表調整後關鍵尺寸誤差、Wp代表已處理晶圓的相應半導體產品的補償線寬、Wc代表製作已處理晶圓的相應反應室的補償線寬、Wm代表量測的線寬，以及Wat代表調整後的目標線寬。Wp與Wc可使用現有的方程式、演算法或模型來計算，在此僅簡單介紹。如步驟S632，根據預先決定的映射法則以及調整後的關鍵尺寸誤差，決定與已處理晶圓有相同半導體產品與傳送至相同反應室的下一個晶圓的調整後的蝕刻持續時間。
如步驟S641，蝕刻機臺220發出一事件，該事件指出與已處理晶圓擁有相同半導體產品的晶圓將傳送至相同反應室。如步驟S642，驅動蝕刻機臺220於準備好的晶圓上執行調整後蝕刻持續時間的蝕刻作業。此外，可使用上述所揭露的方法，於晶圓批次上製造至少一個半導體元件。
本發明亦提出一種計算機可讀取儲存介質，用以儲存一電腦程式820，上述電腦程式用以實現蝕刻作業管理的方法，此方法會執行如上所述的步驟。圖8是表示依據本發明實施例的蝕刻作業管理的計算機可讀取儲存介質示意圖。此電腦程式產品包含一個內含程序邏輯的計算機可讀取儲存裝置80，用以使用於計算機系統中，此電腦程式可包含透過量測機臺取得已處理晶圓的線寬邏輯821，決定已處理晶圓的關鍵尺寸誤差邏輯822，決定原始蝕刻持續時間、理想蝕刻持續時間、調整後的目標線寬、調整後關鍵尺寸誤差與調整後蝕刻持續時間邏輯823，接收由蝕刻機臺所發出用以指出與已處理晶圓擁有相同半導體產品的晶圓將傳送至相同反應室的事件邏輯824，驅動蝕刻機臺於準備好的晶圓上執行調整後蝕刻持續時間的蝕刻作業邏輯825。
雖然本發明已通過較佳實施例說明如上，但該較佳實施例並非用以限定本發明。本領域的技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，應有能力對該較佳實施例做出各種更改和補充，因此本發明的保護範圍以權利要求書的範圍為準。
附圖中符號的簡單說明如下11處理單元12存儲器13儲存裝置14輸入裝置15輸出裝置16通訊裝置17總線210製程控制器220蝕刻機臺230量測機臺240資料庫單元41半導體基底42金屬線410金屬層線寬420目標線寬430關鍵尺寸誤差
51半導體基底52金屬線510金屬層線寬520目標線寬530關鍵尺寸誤差S611、S621、…、S642操作步驟80儲存介質820蝕刻作業管理電腦程式821透過量測機臺取得已處理晶圓的線寬邏輯822決定已處理晶圓的關鍵尺寸誤差邏輯823決定原始蝕刻持續時間、理想蝕刻持續時間、調整後的目標線寬、調整後關鍵尺寸誤差與調整後蝕刻持續時間邏輯824接收由蝕刻機臺所發出用以指出與已處理晶圓擁有相同半導體產品的晶圓將傳送至相同反應室的事件邏輯825驅動蝕刻機臺於準備好的晶圓上執行調整後蝕刻持續時間的蝕刻作業邏輯。
權利要求
1.一種蝕刻作業管理系統，其特徵在於，該蝕刻作業管理系統包括一量測機臺；一蝕刻機臺；以及一製程控制器連結於上述蝕刻機臺與上述量測機臺，透過上述量測機臺的量測以取得一已處理晶圓的一線寬，從一目標線寬減掉上述量測的線寬以取得一第一關鍵尺寸誤差，決定一第一蝕刻持續時間，決定一第二蝕刻持續時間，根據上述第一與第二蝕刻持續時間決定一調整後的目標線寬，決定相應於上述調整後目標線寬的一第二關鍵尺寸誤差，決定相應於上述第二關鍵尺寸誤差的一第三蝕刻持續時間，以及驅動上述蝕刻機臺於另一晶圓上執行一蝕刻作業並且歷經上述第三蝕刻持續時間。
2.根據權利要求1所述的蝕刻作業管理系統，其特徵在於，上述製程控制器透過至少一映射法則決定上述第一蝕刻持續時間與上述第三蝕刻持續時間，上述映射法則使用既定的時間增量來決定相應於上述第一關鍵尺寸誤差的上述第一蝕刻持續時間，與相應於上述第二關鍵尺寸誤差的上述第三蝕刻持續時間。
3.根據權利要求1所述的蝕刻作業管理系統，其特徵在於，上述調整後的目標線寬由一方程式計算Wat＝Wt-R×(Ti-To)，其中Wat代表上述調整後的目標線寬、Wt代表上述目標線寬、R代表一蝕刻率、Ti代表上述第二蝕刻持續時間、To代表上述第一蝕刻持續時間。
4.根據權利要求3所述的蝕刻作業管理系統，其特徵在於，上述蝕刻率代表每一納米的關鍵尺寸誤差所相應的蝕刻持續時間的改變率。
5.根據權利要求3所述的蝕刻作業管理系統，其特徵在於，上述第二關鍵尺寸誤差由一方程式計算CDb＝Wp+Wc+Wm-Wat，其中CDb代表上述第二關鍵尺寸誤差、Wp代表上述已處理晶圓的相應半導體產品的補償線寬、Wc代表製作上述已處理晶圓的相應反應室的補償線寬、Wm代表上述量測的線寬、以及Wat代表上述調整後的目標線寬。
6.一種蝕刻作業管理方法，其特徵在於，該蝕刻作業管理方法包括下列步驟取得一已處理晶圓的一線寬；從一目標線寬減掉上述量測的線寬以取得一第一關鍵尺寸誤差；根據至少一個映射法則決定一相應於上述第一關鍵尺寸誤差的第一蝕刻持續時間；根據一蝕刻方程式決定一相應於上述第一關鍵尺寸誤差的第二蝕刻持續時間；根據上述第一與第二蝕刻持續時間決定一調整後的目標線寬；決定相應於上述調整後目標線寬的一第二關鍵尺寸誤差；以及根據上述映射法則決定相應於上述第二關鍵尺寸誤差的一第三蝕刻持續時間。
7.根據權利要求6所述的蝕刻作業管理方法，其特徵在於，更包括一步驟為於另一個晶圓上執行一蝕刻作業並且歷經上述第三蝕刻持續時間。
8.根據權利要求6所述的蝕刻作業管理方法，其特徵在於，上述映射法則使用既定的時間增量來決定相應於上述第一關鍵尺寸誤差的上述第一蝕刻持續時間，與相應於上述第二關鍵尺寸誤差的上述第三蝕刻持續時間，並且相應於上述第一關鍵尺寸誤差的上述第二蝕刻持續時間為一最佳蝕刻持續時間。
9.根據權利要求6所述的蝕刻作業管理方法，其特徵在於，上述調整後的目標線寬由一方程式計算Wat＝Wt-R×(Ti-To)，其中Wat代表上述調整後的目標線寬、Wt代表上述目標線寬、R代表一蝕刻率、Ti代表上述第二蝕刻持續時間、To代表上述第一蝕刻持續時間。
10.根據權利要求9所述的蝕刻作業管理方法，其特徵在於，上述蝕刻率代表每一納米的關鍵尺寸誤差所相應的蝕刻持續時間的改變率。
11.根據權利要求9所述的蝕刻作業管理方法，其特徵在於，上述第二關鍵尺寸誤差由一方程式計算CDb＝Wp+Wc+Wm-Wat，其中CDb代表上述第二關鍵尺寸誤差、Wp代表上述已處理晶圓的相應半導體產品的補償線寬、Wc代表製作上述已處理晶圓的相應反應室的補償線寬、Wm代表上述量測的線寬、以及Wat代表上述調整後的目標線寬。
12.一種電子裝置，其特徵在於，該電子裝置用以於晶圓上可執行一持續時間下的一蝕刻作業，上述持續時間可由一方法決定，其方法包括取得一已處理晶圓的一線寬；從一目標線寬減掉上述量測的線寬以取得一第一關鍵尺寸誤差；根據至少一映射法則決定一相應於上述第一關鍵尺寸誤差的第一蝕刻持續時間；根據一蝕刻方程式決定一相應於上述第一關鍵尺寸誤差的第二蝕刻持續時間；根據上述第一與第二蝕刻持續時間決定一調整後的目標線寬；決定相應於上述調整後目標線寬的一第二關鍵尺寸誤差；以及根據上述第二關鍵尺寸誤差與上述映射法則決定上述既定的蝕刻持續時間。
13.根據權利要求12所述的電子裝置，其特徵在於，上述映射法則使用既定的時間增量來決定相應於上述第一關鍵尺寸誤差的上述第一蝕刻持續時間，與相應於上述第二關鍵尺寸誤差的上述既定蝕刻持續時間。
14.根據權利要求12所述的電子裝置，其特徵在於，上述調整後的目標線寬由一方程式計算Wat＝Wt-R×(Ti-To)，其中Wat代表上述調整後的目標線寬、Wt代表上述目標線寬、R代表一蝕刻率、Ti代表上述第二蝕刻持續時間、To代表上述第一蝕刻持續時間。
全文摘要
本發明提供一種蝕刻作業管理系統及方法及使用此方法所製作的電子裝置。一製程控制器用以取得已處理晶圓的線寬，從目標線寬減掉量測的線寬以取得第一關鍵尺寸誤差，通過相應的第一與第二蝕刻持續時間決定調整後的目標線寬，決定相應於調整後目標線寬的第二關鍵尺寸誤差，決定相應於第二關鍵尺寸誤差的第三蝕刻持續時間，接著，從量測機臺接收事件，以及驅動蝕刻機臺於另一晶圓上執行蝕刻作業並且歷經第三蝕刻持續時間。本發明可調整擁有相同半導體產品以及將傳送至與已處理晶圓相同的反應室的晶圓的蝕刻持續時間，從而提高製程效率。
文檔編號H01L21/67GK1837997SQ20061005684
公開日2006年9月27日 申請日期2006年3月7日 優先權日2005年3月7日
發明者徐彥溥, 魏誠賢 申請人:臺灣積體電路製造股份有限公司