一種多層介質雙銀層低輻射膜及其生產工藝的製作方法

2023-11-30 02:44:16

專利名稱：一種多層介質雙銀層低輻射膜及其生產工藝的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種雙銀低輻射膜。
背景技術：
目前，市場上的低輻射鍍膜產品大體可分為兩大類 一類是高可見光透過 率，高遮陽係數；另一類是低可見光透過率，較低的遮陽係數。市場還缺乏一 種產品，具有高的可見光透過率，同時滿足低的遮陽係數，即達到較高的選擇 係數。
傳統的低輻射鍍膜產品的膜結構一般為 玻璃/底層介質膜/阻擋層/Ag層/阻擋層/頂層介質層；
或玻璃/底層介質膜/Ag層/阻擋層/中間層介質膜/Ag層/阻擋層/頂層介 質層。
上述兩種結構中，有一個共同的特點，介質膜均採用單層。產品不能同時 兼顧透過率和遮陽係數兩個指標，選擇係數只能達到1.4。

發明內容
本發明的目的是提供一種具有較高的透過率，同時具有較低遮陽係數的多 層介質雙銀層低輻射膜。
本發明解決其技術問題所採用的技術方案是採用下述膜結構製成的膜層: 基片/多層介質膜層VAg層/阻擋層/多層介質膜層2/Ag層/阻擋層/多層介質膜 層3/Si:凡。所述多層介質膜層l、 2或3的組成模式包括Ti0x/Sn0y/Zn0:Al、 Sn0y/Si3N4/Sn0y、 Zn0x/Sn0y/Zn0x、 Ti0x/Sn0y/Ti0x、或Nb0y/Si3N4/Nb0y。所 述多層介質膜層1、 2和3採用相同的膜結構，即均採用相同的任意一種膜結構。 所述多層介質膜層1、 2禾卩3採用不同的膜結構，即所述多層介質膜層1、 2和3 分別採用包括Ti0x/Sn0y/Zn0:Al 、 Sn0y/Si3N4/Sn0y 、 Zn0x/Sn0y/Zn0x 、 Ti0x/Sn0y/Ti0x、或NbOy/Si:凡/NbOy中的任意2種或3種膜結構。所述阻擋層1、或2的膜層材質包括NiCr、 Nb、 Ti、 NiCr0x、或NbOx。所述阻擋層1、或 2的膜層材質採用相同的膜結構，即均採用相同的任意一種膜結構。所述阻擋層 1、或2的膜層材質採用不同的膜結構，即所述阻擋層1、或2的膜層材質分別 採用包括NiCr、 Nb、 Ti、 NiCrOx、或NbOx中的任意2種膜結構。所述基片的材 質包括玻璃、或塑料。
本發明的另一個目的是提供一種用於所述多層介質雙銀層低輻射膜的生產 工藝，其特徵在於運用真空磁控濺射鍍膜方法生產出雙銀低輻射鍍膜產品，具 體工藝步驟如下
(1) 基片清洗；
(2) 進入真空濺射區；
(3) 雙旋轉陰極，TiOx陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積TiOx膜層，膜厚 10-15nm;
(4) 雙旋轉陰極，Sn金屬靶材，中頻反應磁控濺射沉積SnOy膜層，膜厚 10-15nm;
(5) 雙旋轉陰極，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt。/。)，中頻反應磁控濺射沉積 ZnO:Al膜層，膜厚10-15nm;
(6) 單靶桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積Ag層，膜厚ll-13nm;
(7) 單靶桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積NiCrOx層，膜厚3-8nm;
(8) 雙旋轉陰極，TiOx陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積TiOx膜層，膜厚 10-15nm;
(9) 雙旋轉陰極，Sn金屬靶材，中頻反應磁控濺射沉積SnOy膜層，膜厚 10-15nm;
(10) 雙旋轉陰極，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt。/cO，中頻反應磁控濺射沉積 ZnO:Al膜層，膜厚10-15nm;
(11) 單靶桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積Ag層，膜厚ll-13nm; (②單耙桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積MCrOx層，膜厚3-8皿；(13) 雙旋轉陰極，Ti0x陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積Ti0x膜層，膜厚 10-15nm;
(14) 雙旋轉陰極，Sn金屬靶材，中頻反應磁控濺射沉積SnOy膜層，膜厚 10-15nm;
(⑤雙旋轉陰極，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wty。)，中頻反應磁控濺射沉積 ZnO:Al膜層，膜厚10-15nm;
(16)雙旋轉陰極，SiAl陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積Si晶膜層，膜厚 20-25nm。
從而使製成的產品膜結構為基片/複合介質膜層/Ag層/阻擋層/多層介質 膜層/Ag層/阻擋層/多層介質膜層/S:UN4。
本發明的有益效果是它通過運用真空磁控濺射鍍膜方法生產出雙銀低輻 射鍍膜產品。即採用雙旋轉陰極、中頻反應磁控濺射沉積多層介質膜層，用單 旋轉陰極、直流磁控濺射沉積Ag層和阻擋層。該膜結構可鍍膜在玻璃上，也可 鍍膜在軟基片上。該產品具有較高的透過率，同時具有較低的遮陽係數，且便 於外觀顏色和室內顏色的調整，它的透過率達到81°/。；遮陽係數達到0.4。它可 廣泛應用於建築領域和車船窗戶風擋玻璃等領域；也可以鍍制在軟基片上，作 為貼膜之用。


圖l是本發明的結構示意圖。
圖2是實施例1的結構示意圖。
具體實施例方式
下面結合實施例對本發明作進一步說明如下
本發明為滿足市場對高選擇係數雙銀低輻射產品的需求，本發明提供了 一
種多層介質膜的雙銀低輻射產品。該產品的膜結構為玻璃或軟基片/多層介質
膜層1/Ag層1/阻擋層1/多層介質膜層2/Ag層2/阻擋層2/多層介質膜層 3/Si3N4。所述多層介質膜層1、 2或3的組成可以是TiOx/SnOy/ZnO:Al、Sn0y/Si3N4/Sn0y、 Zn0x/Sn0y/Zn0x、 Ti0x/Sn0y/Ti0x、或NbOy/Si:凡/NbOy等。 所述阻擋層的膜層可以採用NiCr、 Nb、 Ti、 NiCrOx、或NbOx等。 實施例l，本發明的多層介質膜層採用TiOx/SnOy/ZnO:Al，阻擋層的膜層
採用NiCrOx，構成本發明的膜結構為玻璃/TiOx/SnOy/ZnO:Al/Ag/NiCrOx/
TiOx/SnOy/ZnO:Al/Ag/NiCrOx/TiOx/SnOy/ZnO:Al/Si:凡。本應用實例的生產工
藝為
(1) 基片清洗；
(2) 進入真空濺射區；
(3) 雙旋轉陰極，TiOx陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積TiOx膜層，膜厚 10-15nm;
(4) 雙旋轉陰極，Sn金屬靶材，中頻反應磁控濺射沉積SnOy膜層，膜厚 10-15nm;
(5) 雙旋轉陰極，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt。/。)，中頻反應磁控濺射沉積 ZnO:Al膜層，膜厚10-15nm;
(6) 單靶桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積Ag層，膜厚ll-13nm;
(7) 單靶桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積NiCr0x層，膜厚3-8nm;
(8) 雙旋轉陰極，Ti0x陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積TiOx膜層，膜厚 10-15nm;
(9) 雙旋轉陰極，Sn金屬靶材，中頻反應磁控濺射沉積Sn0y膜層，膜厚 10-15nm;
(10) 雙旋轉陰極，Zn0:Al陶瓷靶材(Al含量2wt。/。)，中頻反應磁控濺射沉積 ZnO:Al膜層，膜厚10-15nm;
m)單靶桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積Ag層，膜厚ll-13mn;
(12) 單靶桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積NiCr0x層，膜厚3-8nm;
(13) 雙旋轉陰極，Ti0x陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積Ti0x膜層，膜厚 10-15nm;(14) 雙旋轉陰極，Sn金屬靶材，中頻反應磁控濺射沉積Sn0y膜層，膜厚 10-15nm;
(15) 雙旋轉陰極，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt90，中頻反應磁控濺射沉積 ZnO:Al膜層，膜厚10-15nm;
(16) 雙旋轉陰極，SiAl陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積Si美膜層，膜厚 20-25nm;
按上述膜結構和生產工藝，在6mm厚度的玻璃上鍍膜出的雙銀低輻射產品 的基本參數是透過率81%;遮陽係數0.4。參閱圖1和圖2。
實施例2，本發明所述多層介質膜層1、 2或3的組成也可以是 Sn0y/Si:,N4/Sn0y、 Zn0x/Sn0y/Zn0x、 Ti0x/Sn0y/Ti0x、或Nb0y/Si3NVNb0y等， 所述多層介質膜層l、 2和3既可以是相同的上述任意一種膜結構，也可以是不 同的上述任意2種或3種膜結構。所述阻擋層1、或2的膜層可以採用NiCr、 Nb、 Ti、 NiCr0x、或Nb0x等。所述阻擋層1、或2的膜層既可以是相同的上述 任意一種膜結構，也可以是不同的上述任意2種膜結構。所述基片採用的材質 可包括玻璃、塑料及其它軟基片等可供成膜的材料。參閱圖1和圖2，其餘同實 施例1。
權利要求
1、一種多層介質雙銀層低輻射膜，其特徵在於其膜結構為基片/多層介質膜層1/Ag層/阻擋層/多層介質膜層2/Ag層/阻擋層/多層介質膜層3/Si3N4。
2、 根據權利要求1所述的多層介質雙銀層低輻射膜，其特徵是所述多 層介質膜層l、 2或3的組成模式包括Ti0x/Sn0y/Zn0:Al、 Sn0y/Si晶/Sn0y、 Zn0x/Sn0y/Zn0x、 Ti0x/Sn0y/Ti0x、或Nb0y/Si3N4/Nb0y。
3、 根據權利要求2所述的多層介質雙銀層低輻射膜，其特徵是所述多 層介質膜層l、 2和3採用相同的膜結構，即均採用相同的任意一種膜結構。
4、 根據權利要求2所述的多層介質雙銀層低輻射膜，其特徵是所述多 層介質膜層1、 2和3採用不同的膜結構，即所述多層介質膜層1、 2和3分別 採用包括 TiOx/SnOy/ZnO:Al 、 Sn0y/Si3N4/Sn0y 、 Zn0x/Sn0y/Zn0x 、 TiOx/SnOy/TiOx、或NbOy/Si3N4/NbOy中的任意2種或3種膜結構。
5、 根據權利要求1所述的多層介質雙銀層低輻射膜，其特徵是所述阻 擋層l、或2的膜層材質包括NiCr、 Nb、 Ti、 NiCrOx、或NbOx。
6、 根據權利要求5所述的多層介質雙銀層低輻射膜，其特徵是所述阻 擋層1、或2的膜層材質採用相同的膜結構，即均採用相同的任意一種膜結構。
7、 根據權利要求5所述的多層介質雙銀層低輻射膜，其特徵是所述阻 擋層1、或2的膜層材質採用不同的膜結構，即所述阻擋層1、或2的膜層材 質分別採用包括NiCr、 Nb、 Ti、 NiCrOx、或NbOx中的任意2種膜結構。
8、 根據權利要求1所述的多層介質雙銀層低輻射膜，其特徵是所述基 片的材質包括玻璃、或塑料。
9、 一種用於權利要求1所述多層介質雙銀層低輻射膜的生產工藝，其特 徵在於運用真空磁控濺射鍍膜方法生產出雙銀低輻射鍍膜產品，具體工藝步驟 如下-(1) 基片清洗；(2) 進入真空濺射區；(3) 雙旋轉陰極，Ti0x陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積TiOx膜層，膜厚 10-15nm;(4) 雙旋轉陰極，Sn金屬靶材，中頻反應磁控濺射沉積Sn0y膜層，膜厚 10-15mn;(5) 雙旋轉陰極，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt90，中頻反應磁控濺射沉積 ZnO:Al膜層，膜厚10-15nm;(6) 單靶桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積Ag層，膜厚ll-13nm;(7) 單靶桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積NiCrOx層，膜厚3-8nm;(8) 雙旋轉陰極，Ti0x陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積TiOx膜層，膜厚 10-15nm;(9) 雙旋轉陰極，Sn金屬靶材，中頻反應磁控濺射沉積Sn0y膜層，膜厚 10-15nm;卿雙旋轉陰極，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wtQ/0，中頻反應磁控濺射沉積 Zn0:Al膜層，膜厚10-15nm;(11) 單靶桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積Ag層，膜厚ll-13nm;(12) 單靶桶旋轉陰極，直流磁控濺射沉積NiCr0x層，膜厚3-8nm;(13) 雙旋轉陰極，Ti0x陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積Ti0x膜層，膜厚 10-15nm;(14) 雙旋轉陰極，Sn金屬靶材，中頻反應磁控濺射沉積Sn0y膜層，膜厚 10-15nm;(15) 雙旋轉陰極，ZnO:Al陶瓷靶材(Al含量2wt。/。)，中頻反應磁控濺射沉積 ZnO:Al膜層，膜厚10-15nm;(16) 雙旋轉陰極，SiAl陶瓷靶材，中頻反應磁控濺射沉積Si3N4膜層，膜厚 20-25nm。
全文摘要
一種多層介質雙銀層低輻射膜及其生產工藝，它屬於一種雙銀層低輻射膜及生產工藝。它主要是解決現有雙銀層低輻射膜產品不能同時兼顧透過率和遮陽係數兩個指標等技術問題。其技術方案要點是它通過運用真空磁控濺射鍍膜方法生產出雙銀低輻射鍍膜產品基片/多層介質膜層1/Ag層/阻擋層/多層介質膜層2/Ag層/阻擋層/多層介質膜層3/Si3N4的膜產品。所述多層介質膜層1、2或3的組成模式包括TiOx/SnOy/ZnO:Al、SnOy/Si3N4/SnOy、ZnOx/SnOy/ZnOx、TiOx/SnOy/TiOx、或NbOy/Si3N4/NbOy。它具有較高的透過率，同時具有較低的遮陽係數，且便於外觀顏色和室內顏色的調整。它可廣泛應用於建築領域和車船窗戶風擋玻璃等領域；也可鍍制在軟基片上，作為貼膜之用。
文檔編號C23C14/06GK101417520SQ20081014334
公開日2009年4月29日 申請日期2008年10月17日 優先權日2008年10月17日
發明者李國強, 理 陳 申請人:湖南玉豐真空科學技術有限公司