一種製備用於離子注入的對準標記的方法
2023-10-10 07:22:04 2
專利名稱：一種製備用於離子注入的對準標記的方法
技術領域：
本發明涉及微電子技術領域，尤其涉及一種製備用於離子注入的 對準標記的方法，該方法可以有效解決離子注入作為首步工藝時，無 法為後道工序提供光刻對準標記的問題，同時，無須增加新的光刻掩 膜版，操作簡單易行。
背景技術：
光刻是微電子工藝中的關鍵步驟，每一層圖形都必須經過光刻， 而對準標記是光刻套準所必需的，沒有對準標記光刻就毫無標準。因
而，集成電路的每一層圖形都會有一個相應的對準標記，以保證圖層 之間的套準。
如圖1所示，圖l是對準標記圖形的示意圖，其中，圖la為十字 形對準標記圖形，圖lb為方塊對準標記圖形。十字形對準標記圖形保 證圖形的上下、左右不偏離，方塊對準標記圖形保證上下不顛倒。
離子注入工藝的圖形層也需要對準標記。 一般工藝過程中，離子 注入之前有蒸發金屬形成的對準標記，因此離子注入的對準標記套刻 之前的金屬對準標記就可以了，而離子注入之後的工藝套刻注入之前 的金屬對準標記也可以了。
但是對於特殊的工藝過程，例如離子注入是整個工藝過程的第一 步時，離子注入必須要給下一步工藝留下對準標記。由於離子注入後 半導體材料的顏色不會有肉眼能夠觀察到的變化，所以此時(即當離 子注入作為整個工藝過程第一步時)，離子注入無法給下一步工藝留下 對準標記。
發明內容
(一)要解決的技術問題有鑑於此，本發明的主要目的在於提供一種製備用於離子注入的 對準標記的方法，以解決離子注入工藝作為第一步工藝時，無法給下 一步工藝留下對準標記的問題。
(二) 技術方案
為達到上述目的，本發明提供了一種製備用於離子注入的對準標 記的方法，該方法包括在進行離子注入之前進行刻蝕，在待注入區 形成用於離子注入的對準標記。
上述方案中，所述刻蝕的圖形與離子注入的圖形相同。 上述方案中，所述刻蝕採用的光刻掩膜版與離子注入採用的光刻 掩膜版相同。
上述方案中，所述刻蝕包括在進行離子注入之前，先勻光刻膠 並前烘，然後採用離子注入的光刻掩膜版光刻，顯影，在待注入區露 出待離子注入的圖形。
上述方案中，所述在光刻顯影，露出待離子注入的圖形時，其他 部分被光刻膠保護著。
上述方案中，對於半導體材料矽，所述刻蝕採用SF6幹法刻蝕，
功率30W，流量為60sccm，刻蝕時間3分鐘，刻蝕深度為0.6pm。 上述方案中，該方法針對離子注入作為整個工藝過程第一步的情況。
(三) 有益效果 從上述技術方案可以看出，本發明具有以下有益效果 本發明提供的這種製備用於離子注入的對準標記的方法，可以有
效解決離子注入過程不能為下一步工藝提供對準標記圖形的問題，而 且無須另外製備光刻掩膜版，簡單易行，實現成本低。
下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明
圖1是對準標記圖形的示意圖；其中，圖la為十字形對準標記圖形，圖lb為方塊對準標記圖形；
圖2是本發明提供的製備用於離子注入的對準標記的方法流程圖。
具體實施例方式
為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具 體實施例，並參照附圖，對本發明進一步詳細說明。
本發明提供的這種製備用於離子注入的對準標記的方法，採用離 子注入的光刻掩膜版光刻，在待注入區先用刻蝕法刻去一定深度的半 導體材料，形成用於離子注入的對準標記，使肉眼可以觀察到明顯的 對準標記圖形。
如圖2所示，圖2是本發明提供的製備用於離子注入的對準標記
的方法流程圖，該方法包括
步驟201:採用離子注入的光刻掩膜版光刻，在待注入區先用刻蝕 法刻去一定深度的半導體材料；
步驟202:形成用於離子注入的對準標記，使肉眼可以觀察到明顯
的對準標記圖形。
所述刻蝕的圖形與離子注入的圖形相同，所述刻蝕釆用的光刻掩 膜版與離子注入採用的光刻掩膜版相同。
在整個工藝流程中，離子注入是第一步，但為了增加對準標記， 保證離子注入後序步驟有對準標記，在離子注入之前增加一步刻蝕， 形成離子注入這一步的對準標記。刻蝕的圖形與離子注入完全相同，
所用的光刻掩膜版也完全相同。具體過程如下
在離子注入之前，先勻光刻膠，前烘，用離子注入的光刻掩膜版 光刻，然後顯影，在待注入區露出待離子注入的圖形，其他部分被光
刻膠保護著。對於最常用的半導體材料矽，用SF6幹法刻蝕矽，功率 30W，流量為60sccm，刻蝕時間3分鐘，刻蝕深度為0.6(im，該深度 的圖形肉眼看起來已經很明顯，足夠做對準標記了。接著做離子注入， 然後去膠，後面的工序不變。
以上所述的具體實施例，對本發明的目的、技術方案和有益效果 進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發明的具體
5實施例而已，並不用於限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內， 所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍 之內。
權利要求
1、一種製備用於離子注入的對準標記的方法，其特徵在於，該方法包括在進行離子注入之前進行刻蝕，在待注入區形成用於離子注入的對準標記。
2、 根據權利要求1所述的製備用於離子注入的對準標記的方法， 其特徵在於，所述刻蝕的圖形與離子注入的圖形相同。
3、 根據權利要求1所述的製備用於離子注入的對準標記的方法， 其特徵在於，所述刻蝕採用的光刻掩膜版與離子注入採用的光刻掩膜 版相同。
4、 根據權利要求1、 2或3所述的製備用於離子注入的對準標記 的方法，其特徵在於，所述刻蝕包括在進行離子注入之前，先勻光刻膠並前烘，然後採用離子注入的 光刻掩膜版光刻，顯影，在待注入區露出待離子注入的圖形。
5、 根據權利要求4所述的製備用於離子注入的對準標記的方法， 其特徵在於，所述在光刻顯影，露出待離子注入的圖形時，其他部分 被光刻膠保護著。
6、 根據權利要求4所述的製備用於離子注入的對準標記的方法， 其特徵在於，對於半導體材料矽，所述刻蝕採用SF6幹法刻蝕，功率 30W，流量為60sccm，刻蝕時間3分鐘，刻蝕深度為0.6pm。
7、 根據權利要求4所述的製備用於離子注入的對準標記的方法， 其特徵在於，該方法針對離子注入作為整個工藝過程第一步的情況。
全文摘要
本發明公開了一種製備用於離子注入的對準標記的方法，該方法包括在進行離子注入之前進行刻蝕，在待注入區形成用於離子注入的對準標記。所述刻蝕的圖形與離子注入的圖形相同。所述刻蝕採用的光刻掩膜版與離子注入採用的光刻掩膜版相同。利用本發明，解決了離子注入過程不能為下一步工藝提供對準標記圖形的問題，而且無需另外製備光刻掩膜版，簡單易行，實現成本低。
文檔編號H01L21/00GK101452819SQ20071017877
公開日2009年6月10日 申請日期2007年12月5日 優先權日2007年12月5日
發明者吳茹菲, 尹軍艦, 張海英 申請人:中國科學院微電子研究所