指紋辨識裝置的製作方法

2023-10-11 03:45:19 2

本實用新型關於一種指紋辨識裝置。

背景技術：

在目前的行動裝置中，觸控面板為相當普及的輸入設備。為了提高用戶數據的保密性，許多行動裝置採用特定的認證機制來驗證使用者。典型的認證機制為要求用戶輸入密碼，若被輸入的密碼正確，則行動裝置即能允許用戶進行進一步操作。然而，這樣的密碼驗證機制需要用戶逐一輸入密碼的各個字符，故並不便於使用者的操作。因此，部分行動裝置採用了指紋、人臉或虹膜等生物特徵辨識來進行用戶的驗證。

以指紋辨識為例，行動裝置可包含指紋辨識區。在指紋辨識區中，可分布多條電極線，以藉由電容感測的方式來感測指紋。一般來說，指紋辨識區設置於非可視區，然而，由於行動裝置逐漸朝窄邊框的趨勢發展，故非可視區的尺寸越來越窄，因此，如何將指紋辨識區設置於行動裝置的可視區為相關領域的重要課題之一。

技術實現要素：

本實用新型之實施方式能夠將指紋感應電極設置於可視區中，並使得可視區中的指紋感應電極具有足夠的不可見性以及足夠的靈敏度。

於部分實施方式中，一種指紋辨識裝置包含一蓋板、複數第一指紋感應電極、複數第二指紋感應電極以及至少一電容補償結構。蓋板具有一可視區。此些第一指紋感應電極與此些第二指紋感應電極以交錯的形式排列於可視區內，且此些第一指紋感應電極與此些第二指紋感應電極相絕緣。第一電容補償結構設置於此些第一指紋感應電極之一者上，且第一電容補償結構的透光率大於第一指紋感應電極的透光率。

由於可視區內設有第一指紋感應電極與第二指紋感應電極，故可助於實現指紋辨識的功能。由於第一指紋感應電極與第二指紋感應電極位於可視區內，故若第一指紋感應電極與第二指紋感應電極的透光率不足時，容易被使用者察覺，因此，第一指紋感應電極與第二指紋感應電極不能過寬，以降低被使用者察覺的可能性。值得一提的是，若第一指紋感應電極與第二指紋感應電極寬度不足時，可能會造成指紋感應電極在感應使用者手指的指紋時所產生的感應電容變化量不足，而降低指紋辨識的準確率。因此，可通過增設第一電容補償結構來加強手指與指紋感應電極的感應電容。然而，由於第一電容補償結構的透光率大於第一指紋感應電極的透光率，故可無須顧慮第一電容補償結構的可見性，而將第一電容補償結構設計為適當的尺寸，以補償指紋感應電極之不足的電容變化量，使得指紋感應電極具有足夠的靈敏度，以提升指紋辨識的準確率。

於部分實施方式中，一種指紋辨識裝置包含一蓋板、複數第一金屬電極、複數第二金屬電極以及至少一第一透明導電結構。蓋板具有一可視區。此些第一金屬電極與此些第二金屬電極均位於可視區內。此些第一金屬電極與此些第二金屬電極在蓋板上的投影是相交的，且此些第一金屬電極與此些第二金屬電極絕緣。第一透明導電結構迭合於此些第一金屬電極之一者，且第一透明導電結構比此第一金屬電極更寬。

由於可視區內設有第一金屬電極與第二金屬電極，故能夠以低阻抗的結構實現指紋辨識的功能。為了降低第一金屬電極與第二金屬電極被使用者察覺的可能性，第一金屬電極與第二金屬電極不能過寬。值得一提的是，若第一金屬電極與第二金屬電極寬度不足時，可能會造成金屬電極在感應使用者手指的指紋時所產生的感應電容變化量不足，而降低指紋辨識的準確率。然而，由於第一金屬電極上還迭合了更寬的第一透明導電結構，故可助於在不被使用者察覺的情況下，提升金屬電極在感應使用者手指的指紋時的感應電容變化量，使得金屬電極具有足夠的靈敏度，以提升指紋辨識的準確率。

以上所述僅用以闡述本實用新型所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本實用新型之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。

附圖說明

圖1繪示依據本實用新型一實施方式之觸控裝置的上視圖；

圖2繪示第1圖之觸控裝置沿著第1圖之2-2線的剖面圖；

圖3繪示依據本實用新型一實施方式之指紋感應層的上視圖；

圖4繪示依據本實用新型一實施方式之指紋感應層與蓋板的疊構示意圖；

圖5繪示依據本實用新型另一實施方式之指紋感應層的上視圖；

圖6繪示依據本實用新型另一實施方式之指紋感應層與蓋板的疊構示意圖；

圖7繪示依據本實用新型另一實施方式之指紋感應層的上視圖；

圖8繪示依據本實用新型另一實施方式之指紋感應層與蓋板的疊構示意圖；

圖9繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的剖面圖；

圖10繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的剖面圖；

圖11繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的剖面圖；

圖12繪示第11圖所示之蓋板、指紋感應層、基材與光學黏著層的疊構示意圖；

圖13繪示依據本實用新型另一實施方式之蓋板、指紋感應層、基材與光學黏著層的疊構示意圖；以及

圖14繪示依據本實用新型另一實施方式之蓋板、指紋感應層、基材與光學黏著層的疊構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖與具體實施方式對本實用新型作進一步詳細描述。

第1圖繪示依據本實用新型一實施方式之觸控裝置的上視圖。第2圖繪示第1圖之觸控裝置沿著第1圖之2-2線的剖面圖。如第1及2圖所示，觸控裝置可包含蓋板100、指紋感應層200以及遮光層300。蓋板100具有相對的內表面101以及外表面102。外表面102可為使用者觸控操作面。於部分實施方式中，可在外表面102上設置防髒汙、防指紋、抗刮或抗眩等功能層。於部分實施方式中，蓋板100的材料可為透光材料，例如玻璃，但本實用新型並不以此為限。外表面102與內表面101可為經過化學或物理強化的表面，以提升對蓋板100下方的遮光層300以及指紋感應層200的保護效果。內表面101具有相鄰接的第一部分1011以及第二部分1012。於部分實施方式中，第二部分1012為內表面101之靠近蓋板100側邊的邊緣區域，而第一部分1011為內表面101的中間區域，且第二部分1012可圍繞第一部分1011。

遮光層300覆蓋蓋板100之內表面101的第二部分1012，而露出第一部分1011，故內表面101之第二部分1012下方的組件會被遮光層300所遮蔽，而內表面101之第一部分1011下方的組件則不會被遮光層300所遮蔽。因此，遮光層300所露出的區域可定義為蓋板100的可視區110，而遮光層300所覆蓋的區域可定義為蓋板100的非可視區120。於部分實施方式中，遮光層300可包含不透光材料，例如：不透光的光阻材料或油墨，但本實用新型並不以此為限。可視區110可包含指紋辨識區112以及非指紋辨識區114。非指紋辨識區114與指紋辨識區112相鄰。於部分實施方式中，非指紋辨識區114圍繞指紋辨識區112。

指紋感應層200至少設置於蓋板100的可視區110內。於指紋辨識區112內的部分指紋感應層200能夠提供指紋辨識的功能。舉例來說，可參閱第3及4圖，其中第3圖繪示指紋感應層200的上視圖，第4圖繪示指紋感應層200與蓋板100的疊構示意圖。如第3及4圖所示，指紋感應層200可包含依序設置於蓋板100上的第一電容補償層210、第一電極層220、絕緣層230以及第二電極層240。也就是說，絕緣層230位於第一電極層220與第二電極層240之間，而可隔開第一電極層220與第二電極層240，使得第一電極層220與第二電極層240相絕緣。第一電極層220包含複數第一指紋感應電極222，第二電極層240包含複數第二指紋感應電極242。第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242以交錯的形式排列於可視區110內。換句話說，第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242在可視區110上的投影是相交的。絕緣層230可隔開第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242，而使第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242相絕緣。於部分實施方式中，第一指紋感應電極222可為驅動電極(Tx electrode)，第二指紋感應電極242可為接收電極(Rx electrode)，兩者之間可產生電容。當使用者的手指觸摸蓋板100的外表面102(可參閱第2圖)，此電容會變化，從而幫助感測使用者指紋的波峰與波谷。於其他實施方式中，第一指紋感應電極222可為接收電極，第二指紋感應電極242可為驅動電極。

於部分實施方式中，一第一指紋感應電極222與另一鄰近的第一指紋感應電極222相隔間距G1。一第二指紋感應電極242與另一鄰近的第二指紋感應電極242相隔間距G2。此間距G1與G2可對應正常成年人的指紋的波谷間距(pitch)所設計。舉例來說，正常成年人的指紋的波谷間距約為75微米，而第一指紋感應電極222之間的間距G1可小於75微米(例如：約為50至70微米)，第二指紋感應電極242之間的間距G2亦可小於75微米(例如：約為50至70微米)，以利感測使用者指紋的波峰與波谷，使得第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242的感應精度能夠達到指紋辨識等級。

於部分實施方式中，第一指紋感應電極222是由低方阻的材料所形成的，而提高第一指紋感應電極222的導電率以利指紋辨識。由於低方阻材料的透光率通常是不足的，故可能造成可視區110內的第一指紋感應電極222容易被使用者察覺。因此，為了降低第一指紋感應電極222被察覺的可能性，第一指紋感應電極222能夠越窄越好。然而，當第一指紋感應電極222窄到一定程度時，指紋感應層200在感應使用者手指的指紋時所產生的感應電容變化量不足，使得指紋感應層200對觸碰感應靈敏度不足，而降低指紋辨識的準確率。因此，本實用新型之實施方式可藉由第一電容補償層210來補償指紋感應層200之不足的電容變化量。

進一步來說，第一電容補償層210可包含複數個第一電容補償結構212。第一電容補償結構212可設置於第一指紋感應電極222上，而電性連接第一指紋感應電極222。舉例來說，第一電容補償結構212可迭合於第一指紋感應電極222上，且於部分實施方式中，第一電容補償結構212與第一指紋感應電極222接觸，而可起到電性連接的效果。第一電容補償結構212之透光率大於第一指紋感應電極222之透光率。換句話說，第一電容補償結構212相較於第一指紋感應電極222較為不可見的。如此一來，可在無須顧慮第一電容補償結構212的可見性之情況下，將第一電容補償結構212設計為適當的尺寸，以利補償指紋感應層200之不足的電容變化量，使得指紋感應層200具有足夠的感應靈敏度，以提升指紋辨識的準確率。

於部分實施方式中，第一指紋感應電極222的材料為金屬，而可稱為第一金屬電極。舉例來說，第一指紋感應電極222的材料可為鉬鋁鉬合金、銅、銀、鈦、鈮、釹或上述材料之任意組合，但本實用新型並不此為限。第一電容補償結構212之材料為透明導電材料，而可稱為第一透明導電結構。舉例來說，第一電容補償結構212之材料可為金屬氧化物或石墨烯，以金屬氧化物為例，第一電容補償結構212的材料可為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋁銦(AIO)、氧化銦(InO)、氧化鎵(GaO)或任意組合，但本實用新型並不以此為限。由於金屬的方阻小於金屬氧化物的方阻，亦即，金屬的導電率高於金屬氧化物的導電率，故由金屬所形成的第一指紋感應電極222可提供足夠的導電率以助於指紋辨識。於部分實施方式中，金屬所形成的第一指紋感應電極222要足夠窄，以降低不透明的金屬之可見性。雖然這樣的窄化設計會降低金屬對觸碰的電容變化量，但由於上述金屬氧化物為透明的，故可在無須顧慮第一電容補償結構212的可見性之情況下，將第一電容補償結構212設計為能夠提升金屬之電容變化量的形狀。舉例來說，第一電容補償結構212可比第一指紋感應電極222更寬，而可提升指紋感應層200對觸碰所產生之電容變化量。

進一步來說，於部分實施方式中，複數第一指紋感應電極222沿著第一方向D1排列的。第一電容補償結構212在第一方向D1上的尺寸W1大於第一指紋感應電極222之在第一方向D1上的尺寸W2。如此一來，第一電容補償結構212可比第一指紋感應電極222更寬。

於部分實施方式中，複數第一指紋感應電極222沿著第一方向D1間隔性排列的。也就是說，相鄰兩第一指紋感應電極222之間的間距G1為沿著第一方向D1所量測的。第一電容補償結構212在第一方向D1上的尺寸W1小於相鄰兩第一指紋感應電極222之間的間距G1。這樣的尺寸設計可幫助防止第一電容補償結構212接觸相鄰兩第一指紋感應電極222，而避免相鄰兩第一指紋感應電極222發生短路的狀況。此外，這樣的尺寸設計也可幫助避免相鄰的第一電容補償結構212發生短路的狀況。

於部分實施方式中，複數第二指紋感應電極242沿著第二方向D2排列的。第一方向D1與第二方向D2相交。於部分實施方式中，第一方向D1與第二方向D2實質上垂直。第一電容補償結構212在第二方向D2上的尺寸W3大於第二指紋感應電極242在第二方向D2上的尺寸W4。藉由第一電容補償結構212的上述尺寸W1與W3之設計，可增加第一電容補償結構212之表面積，以較佳地提升指紋感應層200對觸碰所產生的電容變化量。

於部分實施方式中，複數第二指紋感應電極242沿著第二方向D2間隔性排列的。也就是說，相鄰兩第二指紋感應電極242之間的間距G2為沿著第二方向D2所量測的。第一電容補償結構212在第二方向D2上的尺寸W3小於相鄰兩第二指紋感應電極242之間的間距G2。這樣的尺寸設計可防止第一電容補償結構212與第二指紋感應電極242在可視區110上的投影重迭，以避免第一電容補償結構212過大而影響指紋辨識的功能。

於部分實施方式中，第一指紋感應電極222在第一方向D1上的尺寸W2之範圍約介於1微米至20微米。較佳來說，尺寸W2約介於2微米至12微米。更佳來說，尺寸W2之範圍約介於2微米至8微米。於部分實施方式中，第二指紋感應電極242在第二方向D2上的尺寸W4之範圍約介於1微米至20微米。較佳來說，尺寸W2之範圍約介於2微米至12微米。更佳來說，尺寸W2之範圍約介於2微米至8微米。於部分實施方式中，相鄰兩第一指紋感應電極222之最外側的距離S1之範圍約介於50微米至80微米，而相鄰兩第二指紋感應電極242之最外側的距離S2之範圍亦約介於50微米至80微米。藉由上述尺寸設計，可助於指紋感應層200中的電極解析度足夠高，而利於指紋辨識。

於部分實施方式中，第一電容補償層210之厚度範圍約介於0.01微米至1微米。較佳來說，第一電容補償層210之厚度範圍約介於0.01微米至0.5微米。於部分實施方式中，第一電極層220之厚度範圍約介於0.01微米至2微米。較佳來說，第一電極層220之厚度範圍約介於0.1微米至1微米。於部分實施方式中，絕緣層230的厚度範圍約介於1微米至10微米。較佳而言，絕緣層230的厚度範圍約介於3微米至10微米。於部分實施方式中，第二電極層240之厚度範圍約介於0.01微米至2微米。較佳來說，第二電極層240之厚度範圍約介於0.1微米至1微米。於部分實施方式中，蓋板100厚度範圍約介於0.01毫米至2毫米。較佳來說，蓋板100的厚度範圍約介於0.01毫米至0.55毫米。藉由上述厚度設計，第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242至蓋板100之外表面102的距離不致於過遠，從而利於指紋辨識。

於部分實施方式中，第一電極層220比第二電極層240更靠近蓋板100。換句話說，第一指紋感應電極222比第二指紋感應電極242更靠近蓋板100。故相較於第二指紋感應電極242而言，第一指紋感應電極222較容易被使用者察覺的。因此，第一指紋感應電極222可選擇性地具有抗反射特徵、霧化特徵或黑化特徵，以降低第一指紋感應電極222的可見性。舉例來說，第一指紋感應電極222的材料可包含鉬氧化物(MoOx)，例如，第一指紋感應電極222可為鉬氧化物/鋁/鉬的層迭結構，其中鉬氧化物比鋁及鉬更靠近蓋板100。由於氧化處理而形成的鉬氧化物可降低第一指紋感應電極222的反射率，故可降低第一指紋感應電極222的可見性。

於部分實施方式中，由於第二指紋感應電極242比第一指紋感應電極222更遠離蓋板100，故第二指紋感應電極242較難被使用者察覺。因此，第二指紋感應電極242可不具有抗反射特徵、霧化特徵及黑化特徵。也就是說，第二指紋感應電極242的材料可不包含鉬氧化物。因此，在第一指紋感應電極222的材料包含鉬氧化物之實施方式中，第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242的材料可不同。

於部分實施方式中，第一電極層220還可包含複數第一虛設電極224。此些第一虛設電極224間隔性地排列於非指紋辨識區114內。此些第一虛設電極224分別與此些第一指紋感應電極222對齊並絕緣，此些第一虛設電極224與此些第一指紋感應電極222包含相同材料。換句話說，第一虛設電極224與第一指紋感應電極222的排列方式相與材料相同，藉此可降低指紋辨識區112與非指紋辨識區114之間的外觀差異(例如色差)。

於部分實施方式中，複數第一虛設電極224沿著第一方向D1間隔性地排列，且相鄰兩第一虛設電極224之間的間距實質上等於相鄰兩第一指紋感應電極222之間的間距G1，以利第一虛設電極224與第一指紋感應電極222的排列方式相同。於部分實施方式中，第一虛設電極224在第一方向D1上的尺寸W5實質上等於第一指紋感應電極222在第一方向D1上的尺寸W2，以降低第一虛設電極224與第一指紋感應電極222之間的外觀差異。第一指紋感應電極222與第一虛設電極224沿著第二方向D2間隔性地排列的。也就是說，第一指紋感應電極222與第一虛設電極224均對齊於第二方向D2，且彼此分隔。於部分實施方式中，當指紋辨識區112被非指紋辨識區114所圍繞時，一第一指紋感應電極222位於兩第一虛設電極224之間，並與此兩第一虛設電極224均絕緣。舉例來說，一第一虛設電極224、一第一指紋感應電極222與另一第一虛設電極224沿著第二方向D2間隔性地排列的，使得指紋感應電極222與此兩第一虛設電極224絕緣。如此一來，可降低指紋辨識區112與其周遭的非指紋辨識區114之間的外觀差異。

於部分實施方式中，由於第一虛設電極224位於第一電極層220中，且第一電極層220比第二電極層240更靠近蓋板100，故第一虛設電極224比第二指紋感應電極242更靠近蓋板100，而比第二指紋感應電極242更容易被使用者察覺。因此，第一虛設電極224可選擇性地具有抗反射特徵、霧化特徵或黑化特徵，以降低第一虛設電極224的可見性。舉例來說，第一虛設電極224的材料可包含鉬氧化物(MoOx)，例如，第一虛設電極224可為鉬/鋁/鉬氧化物的層迭結構，其中鉬氧化物比鋁及鉬更靠近蓋板100。由於氧化處理所形成的鉬氧化物可降低第一虛設電極224的反射率，故可降低第一虛設電極224的可見性。於部分實施方式中，第一指紋感應電極222與第一虛設電極224的材料均包含鉬氧化物，以降低兩者之間的外觀差異。

於部分實施方式中，第二電極層240還可包含複數第二虛設電極244。此些第二虛設電極244間隔性地排列於非指紋辨識區114內。此些第二虛設電極244分別與此些第二指紋感應電極242對齊並絕緣，此些第二虛設電極244與此些第二指紋感應電極242包含相同材料。換句話說，第二虛設電極244與第二指紋感應電極242的排列方式與材料相同，藉此可降低指紋辨識區112與非指紋辨識區114之間的外觀差異(例如色差)。

於部分實施方式中，複數第二虛設電極244沿著第二方向D2間隔性地排列，且相鄰兩第二虛設電極244之間的間距實質上等於相鄰兩第二指紋感應電極242之間的間距G2，以利第二虛設電極244與第二指紋感應電極242的排列方式相同。於部分實施方式中，第二虛設電極244在第二方向D2上的尺寸W6實質上等於第二指紋感應電極242在第二方向D2上的尺寸W4，以降低第二虛設電極244與第二指紋感應電極242之間的外觀差異。第二指紋感應電極242與第二虛設電極244沿著第一方向D1間隔性地排列的。也就是說，第二指紋感應電極242與第二虛設電極244均對齊於第一方向D1，且彼此分隔。於部分實施方式中，當指紋辨識區112被非指紋辨識區114所圍繞時，一第二指紋感應電極242位於兩第二虛設電極244之間，並與此兩第二虛設電極244均絕緣。舉例來說，一第二虛設電極244、一第二指紋感應電極242與另一第二虛設電極244均沿著第一方向D1間隔性地排列的，使得指紋感應電極242與此兩第二虛設電極244絕緣。如此一來，可降低指紋辨識區112與其周遭的非指紋辨識區114之間的外觀差異。

於部分實施方式中，由於第二虛設電極244比第一虛設電極224更遠離蓋板100，故第二虛設電極244較難被使用者察覺。因此，第二虛設電極244可不具有抗反射特徵、霧化特徵及黑化特徵。也就是說，第二虛設電極244的材料可不包含鉬氧化物。因此，在第一虛設電極224的材料包含鉬氧化物之實施方式中，第一虛設電極224與第二虛設電極244的材料可不同，且在第一指紋感應電極222的材料包含鉬氧化物之實施方式中，第一指紋感應電極222與第二虛設電極244的材料可不同。

於部分實施方式中，由於非指紋辨識區114可不提供指紋辨識功能，故不會遭遇到指紋感應層200之電容變化量不足的問題，因此，非指紋辨識區114內可無須設有如指紋辨識區112內所設的第一電容補償結構212，從而降低製造成本。也就是說，非指紋辨識區114內可不具有透明導電結構。當然，於其他實施方式中，非指紋辨識區114內亦可根據其他需求而設有透明導電結構，而由於此透明導電結構並非為了提升非指紋辨識區114內的感應靈敏度，故其尺寸條件與指紋辨識區112內的第一電容補償結構212的尺寸條件可不相同。於其他實施方式中，非指紋辨識區114內所設的透明導電結構之尺寸條件可與指紋辨識區112內的第一電容補償結構212之尺寸條件實質上相同，以更進一步地降低指紋辨識區112與非指紋辨識區114之間的外觀差異。

於部分實施方式中，絕緣層230可整面性地位於可視區110內。也就是說，隔開每一第一指紋感應電極222與每一第二指紋感應電極242為一連續無中斷的絕緣層體，而不是多個分散的絕緣塊。這樣的整面性設計可防止使用者察覺絕緣層230。於第4圖所示實施方式中，第一電容補償層210位於蓋板100與第一電極層220之間。也就是說，第一電容補償層210比第一電極層220更靠近蓋板100。於其他實施方式中，第一電極層220可位於第一電容補償層210與蓋板100之間。也就是說，在這樣的實施方式中，第一電極層220可比第一電容補償層210更靠近蓋板100。

於部分實施方式中，如第2圖所示，觸控裝置還包含導電黏著結構400與指紋辨識晶片500。指紋辨識晶片500通過導電黏著結構400黏著於指紋感應層200上，而可電性連接第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242。如此一來，指紋辨識晶片500藉由各個第一指紋感應電極222與各個第二指紋感應電極242(可參閱第3圖)所產生的電容變化來辨識使用者的指紋。於部分實施方式中，導電黏著結構400可為異方性導電膠(Anisotropic Conductive Film；ACF)，以兼顧導電與黏著的功能，但本實用新型並不以此材料為限。於部分實施方式中，觸控裝置還包含光學黏著層600以及觸控顯示設備700。觸控顯示設備700通過光學黏著層600黏著於指紋感應層200上。觸控顯示設備700可為內嵌式(in-cell)或外掛式(on-cell)的觸控顯示面板，但本實用新型並不以此為限。也就是說，觸控顯示設備700可包含顯示面板與觸控面板(未繪示於圖中)於其中，故觸控顯示設備700外的指紋感應層200可無須提供觸控功能，而獨立地提供指紋辨識功能。

於部分實施方式中，如第4圖所示，指紋感應層200還包含保護層250。第二電極層240位於保護層250與絕緣層230之間，如此一來，保護層250可保護第二電極層240。於部分實施方式中，光學黏著層600(可參閱第2圖)可黏著於保護層250上，而不會直接黏著到第二電極層240中的第二指紋感應電極242(可參閱第3圖)。

於部分實施方式中，如第1圖所示，非可視區120具有按鍵圖案H。指紋辨識區112至按鍵圖案H的最短距離小於5毫米。進一步來說，指紋辨識區112中的第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242(可參閱第3圖)至按鍵圖案H的最短距離小於5毫米。由於指紋辨識晶片500位於非可視區120，故這樣的設計可助於縮短第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242至指紋辨識晶片500的距離，以降低第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242的信號傳遞至指紋辨識晶片500所產生的損耗。於部分實施方式中，按鍵圖案H可為非可視區120中的一開口，以露出按鍵(例如：Home鍵)。於其他實施方式中，按鍵圖案112可為非可視區120中的油墨圖案，此油墨圖案可覆蓋按鍵(例如：Home鍵)，且此油墨圖案與非可視區120中的其他區域之顏色不同，以助於用戶辨識按鍵的所在位置。

第5圖繪示依據本實用新型另一實施方式之指紋感應層200a的上視圖，第6圖繪示指紋感應層200a與蓋板100的疊構示意圖。如第5及6圖所示，本實施方式與第3及4圖所示實施方式之間的主要差異在於：指紋感應層200a包含第二電容補償層260。第一電極層220、絕緣層230、第二電容補償層260與第二電極層240依序設置於蓋板100上。於部分實施方式中，第二電極層240之第二指紋感應電極242是由低方阻的材料所形成的，以利指紋辨識。由於低方阻材料的透光率通常是不足的，故為了降低第二指紋感應電極242被察覺的可能性，第二指紋感應電極242能夠越窄越好。然而，當第二指紋感應電極242窄到一定程度時，指紋感應層200a對觸碰所產生的電容變化量不足，使得指紋感應層200a對觸碰的感應靈敏度不足，而降低指紋辨識的準確率。因此，本實用新型之實施方式可藉由第二電容補償層260來補償指紋感應層200a之不足的電容變化量。

進一步來說，第二電容補償層260可包含第二電容補償結構262。第二電容補償結構262可設置於第二指紋感應電極242上，而電性連接第二指紋感應電極242。舉例來說，第二電容補償結構262可迭合於第二指紋感應電極242上，且於部分實施方式中，第二電容補償結構262與第二指紋感應電極242接觸，而可起到電性連接的效果。第二電容補償結構262之透光率大於第二指紋感應電極242之透光率。換句話說，第二電容補償結構262相較於第二指紋感應電極242是較為不可見的。如此一來，可在無須顧慮第二電容補償結構262的可見性之情況下，將第二電容補償結構262設計為適當的尺寸，以利補償指紋感應層200a之不足的電容變化量，使得指紋感應層200a具有足夠的感應靈敏度，以提升指紋辨識的準確率。

於部分實施方式中，第二指紋感應電極242的材料為金屬，而可稱為第二金屬電極。舉例來說，第二指紋感應電極242的材料可為鉬鋁鉬合金、銅、銀、鈦、鈮、釹或上述材料之任意組合，但本實用新型並不此為限。第二電容補償結構262之材料為透明導電材料，而可稱為第二透明導電結構。舉例來說，第二電容補償結構262之材料可為金屬氧化物或石墨烯，以金屬氧化物為例，第二電容補償結構262的材料可為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋁銦(AIO)、氧化銦(InO)、氧化鎵(GaO)或任意組合，但本實用新型並不以此為限。由於金屬的方阻小於金屬氧化物的方阻，亦即，金屬的導電率高於金屬氧化物的導電率，故由金屬所形成的第二指紋感應電極242可提供足夠的導電率以助於指紋辨識。於部分實施方式中，金屬所形成的第二指紋感應電極242要足夠窄，以降低不透明的金屬之可見性。雖然這樣的窄化設計會降低金屬對觸碰的電容變化量，但由於上述金屬氧化物為透明的，故可在無須顧慮第二電容補償結構262的可見性之情況下，將第二電容補償結構262設計為能夠提升金屬之電容變化量的形狀。舉例來說，第二電容補償結構262可比第二指紋感應電極242更寬，而可提升指紋感應層200a對觸碰所產生之電容變化量。

進一步來說，第二電容補償結構262在第二方向D2上的尺寸W7大於第二指紋感應電極242之在第二方向D2上的尺寸W4。如此一來，第二電容補償結構262可比第二指紋感應電極242更寬。另外，於部分實施方式中，第二電容補償結構262在第二方向D2上的尺寸W7小於相鄰兩第二指紋感應電極242之間的間距G2。這樣的尺寸設計可幫助防止第二電容補償結構262接觸相鄰兩第二指紋感應電極242，而避免相鄰兩第二指紋感應電極242發生短路的狀況。

於部分實施方式中，第二電容補償結構262在第一方向D1上的尺寸W8大於第一指紋感應電極222在第一方向D1上的尺寸W2。藉由第二電容補償結構262的上述尺寸W7與W8之設計，可增加第二電容補償結構262之表面積，以較佳地提升指紋感應層200a對觸碰所產生的電容變化量。此外，於部分實施方式中，第二電容補償結構262在第一方向D1上的尺寸W8小於相鄰兩第一指紋感應電極222之間的間距G1。這樣的尺寸設計可幫助防止第二電容補償結構262與第一指紋感應電極222在可視區110上的投影重迭。

於第6圖所示實施方式中，第二電容補償層260位於絕緣層230與第二電極層240之間。也就是說，第二電容補償層260比第二電極層240更靠近絕緣層230。於其他實施方式中，第二電極層240可位於第二電容補償層260與絕緣層230之間。也就是說，在這樣的實施方式中，第二電極層240可比第二電容補償層260更靠近絕緣層230。

第7圖繪示依據本實用新型另一實施方式之指紋感應層200b的上視圖，第8圖繪示指紋感應層200b與蓋板100的疊構示意圖。如第7及8圖所示，本實施方式與前述指紋感應層200及200a之間的主要差異在於：指紋感應層200b包含第一電容補償層210與第二電容補償層260。第一電容補償層210、第一電極層220、絕緣層230、第二電容補償層260與第二電極層240依序設置於蓋板100上。第一電容補償層210之第一電容補償結構212之具體特徵可參酌第3及4圖所示實施方式及前文中的對應敘述，第二電容補償層260之第二電容補償結構262之具體特徵可參酌第5及6圖所示實施方式與前文中的對應敘述，而不重複敘述。於部分實施方式中，第一電容補償結構212與第二電容補償結構262可包含相同材料。舉例來說，第一電容補償結構212與第二電容補償結構262之材料可為透明導電材料，如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋁銦(AIO)、氧化銦(InO)、氧化鎵(GaO)或任意組合，但本實用新型並不以此為限。由於上述金屬氧化物為透明的，故可在無須顧慮第一電容補償結構212與第二電容補償結構262的可見性之情況下，將第一電容補償結構212與第二電容補償結構262設計為能夠提升指紋感應層200b對觸碰之電容變化量的形狀。舉例來說，第一電容補償結構212與第二電容補償結構262可分別比第一指紋感應電極222與第二指紋感應電極242更寬。

第9圖繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的剖面圖。如第9圖所示，本實施方式與第2圖所示實施方式之間的主要差異在於：本實施方式還包含基材800。指紋感應層200設置於基材800上。基材800設置於蓋板100的內表面101上。也就是說，基材800可位於蓋板100與指紋感應層200之間。換句話說，於本實施方式中，指紋感應層200中的電極並非直接形成於蓋板100的內表面101上，而是形成於蓋板100上的基材800上。於部分實施方式中，基材800可為可撓性薄膜，其材料可為聚酸甲酯(Polymethylmethacrylate；PMMA)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate；PET)，但本實用新型不以此為限。指紋感應層200中的觸碰感應電極與電容補償結構可參酌第3及4圖所示實施方式及前文中的對應敘述所載，而不重複敘述。於其他實施方式中，指紋感應層200亦可為第5及6圖所示之指紋感應層200a或第7及8圖所示之指紋感應層200b，而不重複敘述。

第10圖繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的剖面圖。如第10圖所示，本實施方式與第9圖所示實施方式之間的主要差異在於：本實施方式之基材800與指紋感應層200的設置順序與第9圖中基材800與指紋感應層200的設置順序相反。也就是說，於本實施方式中，指紋感應層200位於基材800與蓋板100之間。由於基材800位於指紋感應層200下方，故於部分實施方式中，指紋辨識晶片500是通過導電黏著結構400黏著於指紋感應層200上方。於部分實施方式中，基材800為可撓性薄膜，使得指紋辨識晶片500下方的基材800能夠適度地折彎，而免指紋辨識晶片500與其上方的遮光層300幹涉。

於部分實施方式中，觸控裝置還包含光學黏著層900。指紋感應層200通過光學黏著層900黏著於蓋板100的內表面101。當光學黏著層900的厚度大於遮光層300、導電黏著結構400與指紋辨識晶片500的厚度總和時，可免於指紋辨識晶片500與遮光層300幹涉，因此，指紋辨識晶片500下方的基材800可無須折彎，故於這樣的實施方式中，基材800亦可為不可撓的，舉例來說，基材800的材料可為玻璃或藍寶石，但本實用新型並不以此為限。

第10圖所示之指紋感應層200中的指紋感應電極與電容補償結構可參酌第3及4圖所示實施方式及前文中的對應敘述所載，而不重複敘述。於其他實施方式中，指紋感應層200亦可為第5及6圖所示之指紋感應層200a或第7及8圖所示之指紋感應層200b，而不重複敘述。

第11圖繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的剖面圖。如第11圖所示，本實施方式與第10圖所示實施方式之間的主要差異在於：本實施方式之指紋感應層200c包含上層結構E1與下層結構E2。上層結構E1與下層結構E2分別設置於基材800的相對兩側(例如：上下兩側)。第12圖繪示第11圖所示之蓋板100、指紋感應層200c、基材800與光學黏著層900的疊構示意圖。如第12圖所示，上層結構E1位於基材800與光學黏著層900之間，且上層結構E1包含第一電容補償層210、第一電極層220與保護層270。第一電容補償層210、第一電極層220與保護層270依序沿著基材800往光學黏著層900的方向設置的。於其他實施方式中，第一電容補償層210與第一電極層220的設置順序可相反，亦即，第一電極層220、第一電容補償層210與保護層270可依序沿著基材800往光學黏著層900的方向設置。下層結構E2包含依序設置於基材800下方的第二電極層240與保護層250。第一電容補償層210中的第一電容補償結構、第一電極層220中的第一指紋感應電極與第二電極層240中的第二指紋感應電極之具體特徵可參酌第3圖及前文中的對應敘述所載，而不重複敘述。

第13圖繪示依據本實用新型另一實施方式之蓋板100、指紋感應層200d、基材800與光學黏著層900的疊構示意圖。如第13圖所示，本實施方式與第12圖所示實施方式之間的主要差異在於：本實施方式之指紋感應層200d包含分別位於基材800相對兩側的上層結構E3與下層結構E4，其中上層結構E3包含第一電極層220與保護層270，而不包含第一電容補償層210(可參閱第12圖)，而下層結構E4包含依序設置於基材800下方的第二電容補償層260、第二電極層240與保護層250。於其他實施方式中，第二電容補償層260與第二電極層240的設置順序可相反，亦即，第二電極層240、第二電容補償層260與保護層250可依序設置於基材800下方。第二電容補償層260中的第二電容補償結構之具體特徵可參酌第5圖及前文中的對應敘述所載，而不重複敘述。

第14圖繪示依據本實用新型另一實施方式之蓋板100、指紋感應層200e、基材800與光學黏著層900的疊構示意圖。如第14圖所示，本實施方式與第12及第13圖所示實施方式之間的主要差異在於：本實施方式之指紋感應層200e包含分別位於基材800相對兩側的上層結構E1與下層結構E4，其中上層結構E1包含依序設置於基材800上方的第一電容補償層210、第一電極層220與保護層270，而下層結構E4包含依序設置於基材800下方的第二電容補償層260、第二電極層240與保護層250。第一電容補償層210中的第一電容補償結構之具體特徵可參酌第3圖及前文中的對應敘述所載，而不重複敘述。第二電容補償層260中的第二電容補償結構之具體特徵可參酌第5圖及前文中的對應敘述所載，而不重複敘述。

雖然本實用新型已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本實用新型，任何熟習此技藝者，在不脫離本實用新型之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本實用新型之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

圖1繪示依據本實用新型一實施方式之觸控裝置的下視圖。圖2繪示圖1所示之觸控裝置沿著線2-2的剖面圖。如第1及2圖所示，觸控裝置包含蓋板100、觸控感應層200、複數導線400以及複數第一連接墊510。蓋板100包含透光區110以及不透光區120。透光區110與不透光區120是相鄰的而形成交界130於兩者之間。觸控感應層200至少設置於蓋板100的透光區110，以偵測用戶的觸摸位置。第一連接墊510設置於不透光區120而被不透光區120所遮擋。此些導線400分別電性連接此些第一連接墊510與觸控感應層200。此些第一連接墊510之排列路徑P1為弧形的。相較傳統矩形接合區中直線排列的連接墊而言，沿著弧形排列路徑P1所排列的第一連接墊510至少可具有以下優勢：在局部不透光區120之相同橫向長度下(如：沿著圖1的所示之方向X的長度)，本實施方式之所能配置的第一連接墊510數量會比傳統矩形接合區所能配置的連接墊數量更多。換句話說，若欲配置相同數量的連接墊，則本實施方式之第一連接墊510所佔據的不透光區120之橫向長度可小於傳統矩形接合區所佔據的不透光區120之橫向長度。因此，本實施方式之沿著弧形排列路徑P1所排列的第一連接墊510可有效縮小不透光區120(亦即，觸控裝置之非可視區)的範圍，而擴大透光區110(亦即，觸控裝置之可視區)的範圍。

可了解到，於圖1中，為了方便讀者理解本案，第一連接墊510的寬度繪示為與導線400的寬度不同，但於實際應用上，第一連接墊510的寬度可與導線400的寬度相同。也就是說，第一連接墊510可視為導線400的末端部。本文所述之多個組件之「排列路徑」可為此些組件之中心點的連線。圖1中的2-2線與排列路徑P1是繪示為重合的。

如圖1所示，透光區110與不透光區120之弧形交界130具有曲率中心C1。交界130的曲率中心C1位於透光區110內。第一連接墊510之排列路徑P1具有曲率中心C2。排列路徑P1之曲率中心C2與排列路徑P1上任一點的連線L1至少部分地位於透光區110內。舉例來說，交界130為圍繞著透光區110的圓形線，而第一連接墊510之排列路徑P1為開口朝向透光區110的弧線。這樣的設計可助於提高排列路徑P1之每一位置至交界130的最短距離之一致性，使得第一連接墊510可儘量地靠近交界130，以進一步地縮小不透光區120的範圍並擴大透光區110的範圍。

於部分實施方式中，如圖1所示，交界130的曲率中心C1與第一連接墊510之排列路徑P1的曲率中心C2位於透光區110內，且兩者重合。排列路徑P1與交界130為曲率相同的弧形，也就是說，與排列路徑P1重合的一假想圓和交界130為同心圓。因此，排列路徑P1之每一位置至交界130的最短距離是相等的。這樣的設計可助於使交界130更進一步地靠近第一連接墊510，以更進一步地縮小不透光區120的範圍並擴大透光區110的範圍。

於部分實施方式中，如第1及2圖所示，本實用新型提供的觸控裝置還包含電路板300，電路板300設置於蓋板100的不透光區120，而可被不透光區120所遮擋，以防止用戶看到電路板300。電路板300包含複數第二連接墊330。第二連接墊330分別接合於第一連接墊510。第二連接墊330之排列路徑P2為弧形的，以利與沿著弧形排列路徑P1排列的第一連接墊510相接合。由於傳統矩形電路板中的連接墊沿著直線路徑排列，故相較之下，在局部不透光區120之相同橫向長度下(如：沿著圖1的所示之方向X的長度)，本實施方式之電路板300所能配置的第二連接墊330數量會比傳統矩形電路板所能配置的連接墊數量更多。換句話說，若欲配置相同數量的連接墊，則本實施方式之電路板300所佔據的不透光區120之橫向長度可小於傳統矩形電路板所佔據的不透光區120之橫向長度。因此，本實施方式之電路板300可有效縮小不透光區120(亦即，觸控裝置之非可視區)的範圍，而擴大透光區110(亦即，觸控裝置之可視區)的範圍。

進一步來說，第二連接墊330之排列路徑P2具有曲率中心C3。排列路徑P2之曲率中心C3與排列路徑P2上任一點的連線L2至少部分地位於透光區110內。舉例來說，交界130為圍繞著透光區110的圓形線，而第二連接墊330之排列路徑P2為開口朝向透光區110的弧線。這樣的設計可助於提高排列路徑P2之每一位置至交界130的最短距離之一致性，使得第二連接墊330可儘量地靠近交界130。

於部分實施方式中，如圖1所示，交界130的曲率中心C1與第二連接墊330之排列路徑P2的曲率中心C3重合。排列路徑P2與交界130為曲率相同的弧形，也就是說，與排列路徑P2重合的一假想圓和交界130為同心圓。因此，排列路徑P2之每一位置至交界130的最短距離是相等的。這樣的設計可助於使交界130更進一步地靠近第二連接墊330，以更進一步地縮小不透光區120的範圍並擴大透光區110的範圍。

於部分實施方式中，如圖1所示，電路板300還可包含內端部310。內端部310為電路板300上最靠近交界130的端部，且內端部310為弧形的，可利於第二連接墊330沿著弧形的排列路徑P2所排列。

於部分實施方式中，如圖1所示，電路板300之內端部310具有曲率中心C4。內端部310之曲率中心C4與內端部310上任一點的連線L3至少部分地位於透光區110內。舉例來說，交界130為圍繞著透光區110的圓形線，而內端部310為開口朝向透光區110的弧形曲面。這樣的設計可助於匹配內端部310與交界130的形狀，從而提高內端部310之每一位置至交界130的最短距離之一致性，使得交界130可儘量地靠近內端部310，以進一步地縮小不透光區120的範圍並擴大透光區110的範圍。

於部分實施方式中，交界130的曲率中心C1與內端部310的曲率中心C4重合。內端部310與交界130為曲率相同的弧形，也就是說，與內端部310重合的一假想圓和交界130為同心圓。因此，內端部310之每一位置至交界130的最短距離是相等的。這樣的設計可助於使交界130更進一步地靠近內端部310，以更進一步地縮小不透光區120的範圍並擴大透光區110的範圍。

於部分實施方式中，電路板300還可包含外端部320。外端部320為電路板300上遠離交界130並與內端部310相對設置的端部，且此外端部320為弧形的。此外，蓋板100之不透光區120包含最遠離透光區110之外邊界122，且此外邊界122為弧形的。由於外端部320與外邊界122均為弧形的，故可助於匹配兩者的形狀，而可使外邊界122儘量靠近外端部320，以縮小不透光區120的範圍。另外還可以使得外端部320位於不透光區120之內，便於電路板300及後續其它組件的組裝。

進一步來說，於部分實施方式中，外邊界122具有曲率中心C5。外邊界122的曲率中心C5位於透光區110內。電路板300之外端部320具有曲率中心C6。外端部320之曲率中心C6與外端部320上任一點的連線L4至少部分地位於透光區110內。舉例來說，外邊界122為圍繞著透光區110的圓形線，而外端部320為開口朝向透光區110的弧形曲面。這樣的設計可助於匹配外端部320與外邊界122的形狀，從而提高外端部320之每一位置至外邊界122的最短距離之一致性，使得外邊界122可儘量地靠近外端部320，以進一步地縮小不透光區120的範圍。

於部分實施方式中，外邊界122的曲率中心C5與外端部320的曲率中心C6重合。外端部320與外邊界122為曲率相同的弧形，也就是說，與外端部320重合的一假想圓和外邊界122為同心圓。因此，外端部320之每一位置至外邊界122的最短距離是相等的。這樣的設計可助於使外邊界122更進一步地靠近外端部320，以更進一步地縮小不透光區120的範圍。

於部分實施方式中，內端部310的曲率中心C4與外端部320的曲率中心C6重合。換句話說，內端部310與外端部320為曲率相同的弧形，使得電路板300包含寬度固定的環扇形(annular sector)板體。進一步來說，電路板300可包含導線搭接面340。第二連接墊330設置於導線搭接面340上。導線搭接面340位於內端部310與外端部320之間。導線搭接面340可為寬度固定的環扇形表面。由於第二連接墊330位於電路板300朝向蓋板100之一側，故導線搭接面340亦位於電路板300朝向蓋板100之一側(如圖2所示)，但為了便於讀者清楚理解環扇形表面的形狀，圖1中是將組件符號340標示於電路板300之背向蓋板100之表面。於部分實施方式中，交界130的曲率中心C1與外邊界122的曲率中心C5重合，使得不透光區120為寬度固定的環形區域。

於部分實施方式中，觸控裝置還包含複數第三連接墊530。此些第三連接墊530設置於不透光區120並電性連接觸控感應層200。一導線400連接於一第一連接墊510與一第三連接墊530之間。換句話說，第一連接墊510與第三連接墊530分別位於導線400的相對兩端，以分別接合電路板300的第二連接墊330與觸控感應層200。此些第三連接墊530沿著交界130排列的。由於交界130是弧形的，故第三連接墊530可沿著弧形路徑排列，減小第三連接墊530佔用不透光區120的面積，有助於縮小不透光區120。

於部分實施方式中，第三連接墊530可包含近端部532。近端部532為第三連接墊530上最靠近交界130的端部。近端部532可為平直面或其他形狀。第三連接墊530還可包含遠程部534。遠程部534為第三連接墊530上最遠離交界130之端部。遠程部534可為平直面或其他形狀。

於部分實施方式中，電路板300可為撓性電路板(Flexible Printed Circuit；FPC)，但本實用新型不以此為限。由於電路板300是可撓的，故即使電路板300除去第二連接墊330之外的區域如外端部320是部分地突出於不透光區120之外邊界122外，此突出部分亦可被折彎而藏至不透光區120內。

於部分實施方式中，觸控感應層200包含複數透光導電圖案(未示於圖中)。部分透光導電圖案分布於蓋板100之透光區110內，部分透光導電圖案延伸至不透光區120而連接第三連接墊530。如此一來，觸控感應層200可將其所感應到的觸碰訊號傳遞至第三連接墊530，而第三連接墊530可藉由導線400將觸碰訊號傳遞至電路板300的第二連接墊330上，以傳遞至訊號處理單元(未示於圖中)。於部分實施方式中，透光導電圖案可包含氧化銦錫(Indium Tin Oxide；ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide；IZO)、奈米銀或金屬網狀結構(metal mesh)，但本實用新型不以此為限。

於部分實施方式中，如圖1及圖2所示，觸控裝置還包含承載膜600。觸控感應層200設置於承載膜600上。蓋板100包含內表面102以及外表面104。內表面102與外表面104是相對的。承載膜600固設或貼合於內表面102，使得觸控感應層200可固設於內表面102上的透光區110，具體的，觸控感應層200可位於承載膜600遠離蓋板100的表面。在其它實施方式中，觸控感應層200可位於承載膜600遠離蓋板100的表面。外表面104可做為使用者的觸控操作面。於部分實施方式中，外表面104上可設置防髒汙、防指紋、防刮或抗眩等功能層。於部分實施方式中，內表面102及外表面104可為經過化學或物理強化的表面，以提升對蓋板100下方的電路板300、導線400、第一連接墊510、第三連接墊530及承載膜600的保護效果。

圖3繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的下視圖。如圖3所示，本實施方式與圖1所示實施方式之間的主要差異在於：電路板300a與前述電路板300的形狀不同。具體來說，電路板300a的外端部320a不為弧形的。舉例來說，外端部320a可為平直面。

圖4繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的下視圖。如圖4所示，本實施方式與圖1所示實施方式之間的主要差異在於：第一連接墊510b的排列路徑P3的曲率比交界130的曲率大。換句話說，第一連接墊510b的排列路徑P3的曲率半徑小於交界130的曲率半徑。也就是說，第一連接墊510b之排列路徑P3的曲率中心C7與交界130的曲率中心C1不重合，且第一連接墊510b之排列路徑P3的曲率中心C7比交界130的曲率中心C1更靠近內端部310b。

對應的，電路板300b之內端部310b的曲率大於交界130的曲率，外端部320b的曲率比不透光區120之外邊界122的曲率大。也就是說，內端部310b、外端部320b的曲率中心C8與外邊界122的曲率中心C5不重合，且內端部310b、外端部320b的曲率中心C8比外邊界122的曲率中心C5更靠近外端部320b。

對應的，電路板300b上的第二連接墊330b之排列路徑平行於第一連接墊510b之排列路徑P3，以利兩者的接合，故第二連接墊330b的曲率半徑亦小於交界130及外邊界122的曲率半徑。

圖5繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的下視圖。如圖5所示，本實施方式與圖1所示實施方式之間的主要差異在於：第一連接墊510c的排列路徑P4的曲率比交界130的曲率小。換句話說，第一連接墊510c的排列路徑P4的曲率半徑大於交界130的曲率半徑。也就是說，第一連接墊510c的排列路徑P4的曲率中心C9與交界130的曲率中心C1不重合，且第一連接墊510c的排列路徑P4的曲率中心C9比交界130的曲率中心C1更遠離內端部310c。藉由這樣的設計，可降低內端部310c的彎曲幅度，從而利於電路板300c的製作。

對應的，如圖5所示，電路板300c之內端部310c的曲率小於交界130的曲率，外端部320c的曲率比不透光區120之外邊界122的曲率小。換句話說，內端部310c、外端部320c的曲率半徑大於外邊界122的曲率半徑。也就是說，內端部310c、外端部320c的曲率中心C10與外邊界122的曲率中心C5不重合，且內端部310c、外端部320c的曲率中心C10比外邊界122的曲率中心C5更遠離外端部320c。藉由這樣的設計，可降低外端部320c的彎曲幅度，從而利於電路板300c的製作。

相應的，電路板300c上的第二連接墊330c之排列路徑平行於第一連接墊510c之排列路徑P4，以利兩者的接合，故第二連接墊330c的曲率半徑亦大於交界130及外邊界122的曲率半徑。

圖6繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的下視圖。如圖6所示，本實施方式與圖1所示實施方式之間的主要差異在於：第三連接墊530a與前述第三連接墊530的形狀不同。具體來說，第三連接墊530a的近端部532a為弧形的。進一步來說，近端部532a具有曲率中心C11。近端部532a之曲率中心C11與近端部532a上任一點的連線L5至少部分地位於透光區110內。舉例來說，交界130為圍繞著透光區110的圓形線，而近端部532a為開口朝向透光區110的弧形曲面。這樣的設計可助於匹配近端部532a與交界130的形狀，從而提高近端部532a之每一位置至交界130的最短距離之一致性，使得交界130可儘量地靠近近端部532a，以進一步地縮小不透光區120的範圍並擴大透光區110的範圍。

於部分實施方式中，如圖6所示，交界130的曲率中心C1與近端部532a的曲率中心C11位於透光區110內，且兩者重合。換句話說，近端部532a與交界130為曲率相同的弧形，也就是說，與近端部532a重合的一假想圓和交界130為同心圓。因此，近端部532a之每一位置至交界130的最短距離相等。這樣的設計可助於使交界130更進一步地靠近近端部532a，以更進一步地縮小不透光區120的範圍並擴大透光區110的範圍。

於部分實施方式中，如圖6所示，第三連接墊530a的遠程部534a為弧形的。此外，導線400之至少一部分為弧形的。進一步來說，導線400具有弧形區段410。遠程部534a位於導線400之弧形區段410與交界130之間。藉由這樣的弧形設計，可助於匹配遠程部534a與部分導線400的形狀，而可使弧形區段410儘量靠近遠程部534a，以縮小不透光區120的範圍。

進一步來說，於部分實施方式中，導線400的弧形區段410具有曲率中心C12。遠程部534a具有曲率中心C13。弧形區段410的曲率中心C12位於透光區110內。遠程部534a之曲率中心C13與遠程部534a上任一點的連線L6至少部分地位於透光區110內。舉例來說，弧形區段410為開口朝向透光區110的弧線，而遠程部534a為開口朝向透光區110的弧形曲面。這樣的設計可助於匹配遠程部534a與弧形區段410的形狀，從而提高遠程部534a之每一位置至弧形區段410的最短距離之一致性，使得弧形區段410可儘量地靠近遠程部534a，以進一步地縮小不透光區120的範圍。

於部分實施方式中，弧形區段410的曲率中心C12與遠程部534a的曲率中心C13位於透光區110內，且兩者重合。換句話說，遠程部534a與弧形區段410為曲率相同的弧形。因此，遠程部534a之每一位置至弧形區段410的最短距離相等。這樣的設計可助於使弧形區段410更進一步地靠近遠程部534a，以更進一步地縮小不透光區120的範圍。

圖7繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的下視圖。如圖7所示，本實施方式與圖6所示實施方式之間的主要差異在於：第三連接墊530b與前述第三連接墊530a的形狀不同。具體來說，第三連接墊530b的近端部532b的曲率比交界130的曲率大。換句話說，近端部532b的曲率半徑小於交界130的曲率半徑。也就是說，近端部532b的曲率中心C14與交界130的曲率中心C1不重合，且近端部532b的曲率中心C14比交界130的曲率中心C1更靠近近端部532b。

於部分實施方式中，如圖7所示，第三連接墊530b之遠程部534b的曲率比導線400的弧形區段410的曲率大。換句話說，遠程部534b的曲率半徑小於弧形區段410的曲率半徑。也就是說，遠程部534b的曲率中心C15與弧形區段410的曲率中心C12不重合，且遠程部534b的曲率中心C15比弧形區段410的曲率中心C12更靠近遠程部534b。

圖8繪示依據本實用新型另一實施方式之觸控裝置的下視圖。如圖8所示，本實施方式與圖6所示實施方式之間的主要差異在於：第三連接墊530c與前述第三連接墊530a的形狀不同。具體來說，第三連接墊530c的近端部532c的曲率比交界130的曲率小。換句話說，近端部532c的曲率半徑大於交界130的曲率半徑。也就是說，近端部532c的曲率中心C16與交界130的曲率中心C1不重合，且近端部532c的曲率中心C16比交界130的曲率中心C1更遠離近端部532c。

於部分實施方式中，如圖8所示，第三連接墊530c之遠程部534c的曲率比導線400的弧形區段410的曲率小。換句話說，遠程部534c的曲率半徑大於弧形區段410的曲率半徑。也就是說，遠程部534c的曲率中心C17與弧形區段410的曲率中心C12不重合，且遠程部534c的曲率中心C17比弧形區段410的曲率中心C12更遠離遠程部534c。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，並不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型保護的範圍之內。