用於形成矽基絕緣層的組合物及其製造方法、矽基絕緣層及其製造方法
2023-05-06 08:15:31 1
專利名稱：用於形成矽基絕緣層的組合物及其製造方法、矽基絕緣層及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種用於形成矽基絕緣層的組合物、該組合物的製造方法，以及使用該組合物而形成的矽基絕緣層。
背景技術：
隨著半導體技術的日益發展，對於形成高度集成、更加快速且具改善性能和更小集成半導體晶片的半導體存儲單元正在進行不斷的研究。在這些半導體存儲單元中，例如，可使用DRAM (動態隨機存取存儲器)。DRAM能夠自由輸入和輸出信息，並可實現大容量。DRAM例如可包括多個含有一個MOS電晶體(金屬氧化物半導體電晶體)和一個電容器的單元(unit cells)。電容器可包括兩個電極和設置在兩個電極之前的介電層。電容器可以具有不同的電容，這取決於例如介電常數、介電層的厚度、電極面積等。隨著半導體晶片的尺寸縮小，其中的電容器的尺寸也應縮小。然而，較小電容器仍然需要足夠的存儲容量。電容器可通過例如增大垂直面積(而不是減少水平面積)來增大總有效面積 (overall active area),從而實現更大的容量。當以這種方式形成電容器時，可使用一種用於形成矽基絕緣層的組合物來填充模具和其上的間隙(gap)，並有效地形成相比於小的水平面積相對較高的電極。
發明內容
本發明的一種實施方式提供一種用於形成矽基絕緣層的組合物，該組合物包括具有殘餘氯含量的氫化聚娃氧娃氮燒(氫化聚娃氧氮燒，hydrogenated polysiloxazane)。本發明的另一種實施方式提供一種用於形成矽基絕緣層的組合物的製造方法，該組合物包括具有殘餘氯含量的氫化聚矽氧矽氮烷。本發明的又一種實施方式提供一種具有少量缺陷的矽基絕緣層。本發明的再一種實施方式提供一種具有少量缺陷的矽基絕緣層的製造方法。根據本發明的另一種實施方式，提供用於形成矽基絕緣層的組合物，其包括氫化聚矽氧矽氮烷，該氫化聚矽氧矽氮烷包括以下化學式I表示的部分和以下化學式2表示的部分，並且氯濃度為Ippm或更低。[化學式I]
權利要求
1.一種用於形成矽基絕緣層的組合物，包括氫化聚矽氧矽氮烷，其包括以下化學式I表示的部分和以下化學式2表示的部分，並且具有Ippm或更低的氯濃度
2.根據權利要求I所述的用於形成矽基絕緣層的組合物，其中，所述氫化聚矽氧矽氮烷在其末端包括以下化學式3表示的部分，並且具有O. 2 3wt%的氧含量，並且基於Si-H 鍵的總量以下化學式3表示的部分的量為15 35wt% *-SiH3。
3.根據權利要求I所述的用於形成矽基絕緣層的組合物，其中，所述氫化聚矽氧矽氮烷的重均分子量為約1000 5000。
4.根據權利要求I所述的用於形成矽基絕緣層的組合物，其中，所述氫化聚矽氧矽氮烷的含量為O. I 50wt%。
5.一種用於形成矽基絕緣層且包括氫化聚矽氧矽氮烷的組合物的製造方法，包括 混合齒代矽烷化合物和溶劑以進行共氨解，從而合成氫化聚矽氧矽氮烷並製備氫化聚矽氧矽氮烷溶液；將所述氫化聚矽氧矽氮烷溶液的溶劑換為非極性溶劑；使溶劑換為所述非極性溶劑的所述氫化聚矽氧矽氮烷溶液在-20 5°C陳化；以及對經陳化的氫化聚矽氧矽氮烷溶液進行過濾，以除去氯化銨。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，在通過過濾而除去氯化銨後，所述氫化聚矽氧矽氮烷溶液具有Ippm或更低的氯濃度。
7.根據權利要求5所述的方法，其中，所述非極性溶劑為二甲苯。
8.根據權利要求5所述的方法，其中，所述陳化進行I 48小時。
9.根據權利要求5所述的方法，其中，在通過過濾除去氯化銨期間，使用孔徑為約O. 01 20 μ m的過濾器。
10.一種矽基絕緣層，其應用根據權利要求I所述的用於形成矽基絕緣層且包括所述氫化聚矽氧矽氮烷的組合物製成，並且具有缺陷數量為1000或更少/8英寸晶片，其中，所述缺陷尺寸為5μπι或更小。
11.一種製造具有低缺陷的矽基絕緣層的方法，包括將根據權利要求I所述的用於形成矽基絕緣層的組合物施加於基板上；乾燥其上施加有用於形成矽基絕緣層的所述組合物的所述基板；以及在包括200°C以上的蒸氣氣氛中對其進行固化。
全文摘要
本發明提供用於形成矽基絕緣層的組合物及其製造方法、矽基絕緣層及其製造方法。該組合物包括氫化聚矽氧矽氮烷，該氫化聚矽氧矽氮烷包括化學式1的部分和化學式2的部分，且氯濃度為1ppm或更低。在化學式1和2中，R1至R7各自獨立為氫、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30環烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30雜烷基、取代或未取代C2至C30雜環烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羥基或它們的組合，條件是R1至R7中至少一個為氫。利用本發明組合物可形成有少量缺陷的矽基絕緣層。、如下所示。
文檔編號C08G77/54GK102585516SQ20111042539
公開日2012年7月18日 申請日期2011年12月16日 優先權日2011年1月7日
發明者吳正堈, 尹熙燦, 李真旭, 林相學, 裵鎮希, 郭澤秀, 金奉煥, 金相均, 韓東一 申請人:第一毛織株式會社