體連結不對稱p型場效應電晶體的製作方法

2023-05-06 07:03:21

專利名稱：體連結不對稱p型場效應電晶體的製作方法
技術領域：
本發明的示例實施例大體上涉及場效應電晶體(FET)並且更具體地涉及體連結(body-tied)FET。
背景技術：
半導體晶片和集成電路晶片已經由於它們持續減少的成本和尺寸而變得在許多產品中無處不在。在微電子產業中以及在涉及到微觀結構(例如微機械、磁阻頭等)構造的其它產業中一直希望減少結構特徵和微電子器件的尺寸和/或針對給定的晶片尺寸提供更大數量的電路。小型化一般允許以更低功率電平更低和更低成本増加性能(每時鐘周期更多處理和生成更少的熱)。當前技術處於或者接近某些微器件(例如，諸如邏輯門、FET和電容器)的原子級縮放比例。具有數以億計這樣的器件的電路晶片並非罕見。進ー步尺 寸減少似乎接近在其半導體襯底上和內嵌入的跡線和微器件的物理限制。本發明涉及這樣的微型尺寸的器件。基本上，FET是具有源極、柵極和漏極的電晶體。FET的動作依賴於多數載流子沿著在源極與漏極之間穿過柵極伸展的溝道的流動。經過在源極與漏極之間的溝道的電流由在柵極之下的橫向電場控制。如本領域技術人員所知，P型FET(PFET)在柵極端子相對於源極處於低或者負電勢時接通以允許電流從源極流向漏扱。當柵極電勢為正或者與源極相同吋，P型FET關斷並且不導通電流。另ー方面，N型FET(NFET)在柵極端子相對於源極為高或者正時允許電流從 源極流向漏扱。當柵極端子為負或者與源極相同吋，N型FET關斷並且不導通電流。注意，在這些情況中的每種情況下，存在用於觸發FET的致動的閾值電壓(例如在柵極端子處)。多於ー個的柵極(多柵極)可以用來更有效地控制溝道。柵極的長度確定FET多麼快地切換，並且可以大約與溝道的長度(即在源極與漏極之間的距離)相同。多柵極FET被視為用於使互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術按比例縮減至亞22nm域(regime)的有希望的候選。然而這樣的小尺度需要對性能問題(比如短溝道效應、穿通、金屬氧化物半導體(MOS)洩漏電流並且這裡具體相關的是存在於多柵極FET中的寄生電阻)的更大控制。已經通過使用一個或者多個鰭形溝道來成功減少FET的尺寸。運用這樣的溝道結構的FET可以稱為FinFET。CMOS器件以前沿著半導體襯底的表面基本上平坦而在溝道的頂部之上設置的FET柵極例外。鰭通過使用橫向溝道結構以便最大化向柵極暴露的溝道的表面積來脫離這ー範式。柵極更強地控制溝道，因為它在溝道的多於ー側(表面)之上延イ申。例如，柵極可以包圍三維溝道的三個表面而不是僅越過傳統平面溝道的頂表面來設置。—種用於影響閾值電壓(例如増加閾值電壓從而有利於在不同柵極長度內的更恆定閾值電壓)的技術是在柵極邊緣之下使用局部注入的摻雜物。這稱為「暈圈(halo)」注入。作為非限制例子，暈圈注入可以包括神、磷、硼和/或銦。絕緣體上矽(SOI)晶片已經用來開發由此在體矽「操縱(handling) 」襯底之上的絕緣體上形成的有源層中提供的單晶矽的提高質量。可以在其它半導體材料及其合金的相似結構中開發相似屬性。有源層的半導體材料的提高質量允許電晶體和其它器件縮放至極小尺寸而電特性的均勻性良好。遺憾的是，絕緣體層(該絕緣體層支持開發質量提高的半導體材料)的存在也帶來電晶體結構中的在現有技術中稱為浮體效應的問題。浮體效應是在具有絕緣體層的襯底上形成的電晶體特有的。中性浮體由在電晶體導通溝道和浮體的端部形成相反極ニ極管結的源扱/漏極和暈圈擴展區域電隔離，而柵極電極通過電介質與導通溝道絕緣。襯底中的絕緣體層完成導通溝道的絕緣並且因此防止可能在浮體中形成的任何電荷的放電。在電晶體未導通時向中性體中的電荷注入根據源極和漏極ニ極管特性而在導通溝道中形成電壓。由於溝道中的電荷收集而形成的電壓具有變更電晶體的切換閾值的效果。這ー效果又變更信號時序和信號傳播速度，因為任何電晶體將具有有限迴旋速率並且信號的上升
時間和下降時間即使在柵極電容很小時仍然並非瞬吋。因此可以定製源極和漏極的ニ極管特性以限制浮體中的電荷堆積。為了這樣做，可以使ニ極管結有些洩漏以允許電晶體的浮體在可接受的程度上放電。遺憾的是，由於FET經常對稱地形成有相似或者相同源極和漏極雜質結構，所以開發這樣的特性減少電晶體的「通」和「斷」狀態的電阻比(常稱為通/斷比)。一般希望大的通/斷比以支持最大電路扇出(電晶體用可接受的切換速度可以驅動的電晶體柵極數目)並且提供與電源電壓接近的最大信號電壓擺幅。因此在限制浮體效應與維持適當通/斷比之間存在折衷。一種減少浮體效應的方式是使用體接觸以形成從浮體/導通溝道經過雜質阱到源極電極的連接。在一些情況下，體接觸有效地將FET的體連結到接地。這ー方式僅為部分解決方案，因為阱可能高阻並且連接可能無效。另外，連接需要附加晶片空間並且因此可能影響或者排除實現原本可能的潛在集成密度。這ー類器件可以稱為「體連結"FET並且可以是P型或者N型。儘管用於FET的許多設計是對稱的，但是使用不對稱器件(例如不對稱FET或者M0SFET)已經例如在SOI CMOS技術中變得盛行。在這樣的不對稱器件中，存在用於多數電荷載流子流動的優選方向。作為例子，這ー優選性可以歸因於源極或者漏極區域的或者與源極或者漏極區域有關(即相對於源極或者漏極區域)的不同摻雜(比如相對於柵極溝道導體的不同注入劑量或者不對稱注入(例如不對稱源極和/或漏極擴展注入、不對稱暈圈注入))。不對稱器件可以提供増加的驅動電流和減少的奇偶性的優點。作為非限制例子，可以通過使用成角度注入並且通過使用(可能虛的)柵極以掩蔽源極或者漏極區域(例如由於柵極結構的遮蔽)來製作不對稱擴展和暈圈器件。然而在使這些不對稱器件縮放至與45nm技術及其以上關聯的基本規則時出現問題。由於這些器件通常賦予來自浮體控制和米勒電容減少二者的顯著性能増加(例如約7% -15% )，所以針對未來CMOS技術潛在失去這ー性能給將來的開發帶來明顯阻礙。

發明內容
在本發明的一個示例實施例中，一種不對稱P型場效應電晶體包括源極區域，經由溝道耦合到漏極區域；柵極結構，在溝道的至少部分上方；暈圈注入，至少部分設置於溝道中，其中暈圈注入被設置成比漏極區域更接近源極區域；以及體連結，耦合到溝道。在本發明的另ー不例實施例中，一種半導體器件包括多個不對稱P型場效應電晶體，其中多個不對稱P型場效應電晶體中的每個電晶體包括源極區域，經由溝道耦合到漏極區域；柵極結構，在溝道的至少部分上方；暈圈注入，至少部分設置於溝道中；以及體連結，耦合到溝道，其中暈圈注入被設置成比漏極區域更接近源極區域。在本發明的又一示例實施例中，一種不對稱P型場效應電晶體，包括源極區域；漏極區域；N型溝道；暈圈注入，至少部分設置於溝道中；柵極結構；以及體連結，其中暈圈注入被設置成比漏極區域更接近源極區域，並且不對稱P型場效應電晶體由於體連結和不對稱暈圈注入而可操作用於充當對稱P型場效應電晶體。
在本發明的另ー示例實施例中，一種用於形成不對稱P型場效應電晶體的方法包括形成源極區域和經由溝道耦合到源極區域的漏極區域；形成在溝道的至少部分上方的柵極結構；執行成角度注入以形成至少部分設置在溝道中的暈圈注入，其中暈圈注入被設置成比漏極區域更接近源極區域；以及形成耦合到溝道的體連結。


本發明實施例的前述和其它方面在結合以下附圖閱讀時的下文具體描述中變得更清楚，其中圖I示出了根據本發明的示例實施例的示例體連結不對稱P型FET的俯視平面圖；圖2示出了越過圖I中所示的示例體連結不對稱P型FET的線A-A』的橫截面圖；圖3示出了越過圖I中所示的示例體連結不對稱P型FET的線B-B 』的橫截面圖；圖4描繪了示例體連結不對稱P型FET的另ー示例實施例，該FET具有暈圈注入的不同設置和不對稱擴展注入；以及圖5描繪了用於實現本發明的示例實施例的方法的一個非限制例子的流程圖。
具體實施例方式本發明的示例實施例通過利用體連結不對稱(SOI)PFET來解決密度問題。已經確定體連結不對稱器件不再不對稱地工作而代之以充當正常對稱器件。雖然體連結將消耗一些面積，但是可以例如通過交替堆疊定向來緊縮布局。例如在密集電路中，在基本規則間距原本不允許正常對稱器件(例如在相同矽島狀物中)的情況下，可以使用體連結不對稱PFET器件來創建對稱器件。在一些示例實施例中，源極重疊多而漏極重疊少(即漏極欠重疊(underlap))。作為非限制例子，這可以通過使用成角度擴展注入(例如使用柵極結構至少部分掩蔽漏扱)來實現。漏極欠重疊將使有效器件米勒電容下降而無明顯電阻代價(如果源極側欠重疊則將出現明顯電阻代價)。根據注入優化，重疊的源極可以使總器件電阻下降。在一些示例實施例中，在1° -89°的角度(相對於豎軸、相對於與半導體器件的總體主要表面垂直的軸)、優選為約(例如近似、基本上)10° -30°的角度並且甚至更優選為約(例如近似、基本上)20°的角度執行成角度注入。在更多示例實施例中，注入包括零度注入和成角度添加(adder)(注入)。
對於本發明的示例實施例，可以利用任何適當的體連結結構。作為非限制例子，體連結可以具有以下結構中的至少ー個結構H柵極、T柵極、肖特基和/或體-源極連結。類似地，可以使用任何適當的不對稱注入或者摻雜(作為非限制例子，比如包括神、磷、硼和/或銦的暈圈注入)圖I示出了根據本發明的示例實施例的示例體連結不對稱P型FET 100的俯視平面圖。FET 100具有位於FET 100的有源區域110內的源極區域(SR) 102(該區域具有源極接觸104)和漏極區域(DR) 106 (該區域具有漏極接觸108)。SR 102和DR 106經由溝道112相互耦合。由於這是P型FET，所以溝道112為N型溝道。柵極結構(柵極)114在溝道112的至少部分上方。與常規FET—祥，經過溝道112的電流由在柵極114之下的橫向電場控制。FET 100也包括用於體連結的體接觸116。體接觸116耦合到溝道112。暈圈注入(見圖3中的暈圈124)設置於溝道112中比DR 106更接近SR 102。可以經由如下成角度注入(例如成角度暈圈注入)實現這ー不對稱摻雜，該注入使用柵極114至少部分掩蔽DR 106。體連結(例如經由體接觸116)可以用來施加任何所需偏置以便控制體電勢 (例如在溝道/浮體中堆積的電荷積累和/或放電)。作為非限制例子，體連結可以連接到接地。FET 100可選地可以包括源極和/或漏極擴展注入。下文將參照圖3更具體描述這些。圖2示出了越過圖I中所示的示例體連結不對稱P型FET 100的線A_A』的橫截面圖。FET 100也包括淺溝槽隔離(STI)118。另外，FET 100在掩埋氧化物層120上方(例如設置於掩埋氧化物層120上)。掩埋氧化物層120在襯底122 (例如矽襯底)上方。圖3示出了越過圖I中所示的示例體連結不對稱P型FET 100的線B_B』的橫截面圖。在這ー視圖中，暈圈注入(暈圈)124清晰可見。暈圈124可以至少部分位於(設置幹)溝道112內。作為非限制例子，可以使用成角度暈圈注入126來形成暈圈124。作為又一非限制例子，成角度暈圈注入126可以成1° -89°的角度(相對於豎軸、相對於與FET100的總體主要表面垂直的軸)、優選為約(例如近似、基本上)10° -30°的角度並且甚至更優選為約(例如近似、基本上)20°的角度。如圖3中可見，成角度暈圈注入126可以利用柵極114以便向成角度暈圈注入126至少部分掩蔽DR 106。這造成FET 100為不對稱，因為暈圈124被設置成比DR 106更接近SR 102。如圖3中所示，FET 100可選地可以包括源極和/或漏極擴展注入(分別為SE 128和DE 130)。可以使用成角度注入(例如成1° -89°的角度(相對於豎軸、相對於與FET100的總體主要表面垂直的軸))來形成這些擴展注入。作為非限制例子，這樣的成角度注入可以利用柵極114以便向成角度注入(例如126)至少部分掩蔽DR 106。注意，圖3中所示SE 127和DE 130對稱(例如在尺寸和/或摻雜上)。另外注意到，暈圈124完全設置於溝道112內。在源扱/漏極擴展注入對稱(例如SE 128和DE 130)時，如與成角度注入相反，可以使用豎直注入來形成它們。圖4描繪了根據本發明的示例實施例的另ー示例體連結不對稱P型FET 200。FET200具有暈圈注入的不同設置和不對稱擴展注入。在FET 200中，源極擴展注入(SE)228大於漏極擴展注入(DE) 130。SE 228可以視為與柵極114重疊而DE 130與柵極114欠重疊。另外，暈圈注入(暈圈)224部分設置於SR 102中。一般而言並且作為非限制例子，可能和/或優選的是多數示例實施例將與圖3的FET100相反而類似於圖4中所示FET 200。
本發明的其它示例實施例可以包括不對稱源扱/漏極擴展注入而暈圈注入完全設置於溝道內。類似地，本發明的更多示例實施例可以包括對稱源扱/漏極擴展注入而暈圈注入部分設置於源極區域內。可以與本發明的示例實施例結合利用特徵和位置及其布置的任何適當組合。作為非限制例子，暈圈注入可以包括(例如摻雜有)As和P中的一種或者多種。作為非限制例子，源極/漏極區域可以包括(例如摻雜有)B和BF2中的一種或者多種。作為非限制例子，源極/漏極擴展注入可以包括(例如摻雜有)B和BF2中的一種或者多種。上文關於圖I至圖4描述的示例體連結不對稱P型FET 100的ー個特徵在於雖然FET 100是不對稱的(由於摻雜所致)，但是FET 100充當對稱FET。這歸因於體連結和不對稱摻雜(即暈圈注入124)。不對稱FET 100的對稱操作提供多個優點。例如在基本規則間距原本不允許正常對稱器件(例如在相同矽島狀物中)的情況下可以使用不對稱FET100來創建對稱器件。另外並且作為另一例子，半導體器件可以包括多個不對稱FET 100而無需也包括對稱FET。因此，可以簡化半導體器件的圖案化和形成(例如，更少掩模、更少操作)，例如因為不再需要在對不對稱FET執行操作時掩蔽對稱FET (並且反之亦然)。這可·以帶來成本節省和增加效率(例如至少關於生產和生產成本)。下文是本發明的各種非限制示例實施例的進ー步描述。下文描述的示例實施例為了清楚起見而單獨編號。這ー編號不應理解為完全分離各種示例實施例，因為ー個或者多個示例實施例的方面可以與ー個或者多個其它方面或者示例實施例結合實現。(I)在一個示例實施例中，一種不對稱P型場效應電晶體(FET)，包括源極區域，經由溝道耦合到漏極區域；柵極結構，在所述溝道的至少部分上方；暈圈注入，至少部分設置於所述溝道中，其中所述暈圈注入被設置成比所述漏極區域更接近所述源極區域；以及體連結，耦合到所述溝道。如上述FET，其中所述不對稱N型場效應電晶體可操作用於充當對稱P型場效應電晶體。如任一上述FET，其中所述暈圈注入部分設置於所述源極區域中。如任一上述FET，還包括在至少所述源極區域、所述漏極區域和所述溝道下方的絕緣體層。如任一上述FET，還包括在至少所述絕緣體層下方的襯底。如任一上述FET，其中所述絕緣體層包括掩埋氧化物層。如任一上述FET，其中所述襯底包括矽。如任一上述FET，其中通過成角度注入過程形成所述暈圈注入(在所述不對稱P型場效應電晶體中)。如任一上述FET，其中所述成角度注入過程使用所述柵極結構掩蔽所述漏極區域的至少部分。如任一上述FET，其中所述成角度注入包括以相對於豎軸(與所述不對稱N型場效應電晶體的水平表面垂直的軸)的基本上(近似)20度的角度執行成角度注入。如任一上述FET，其中所述溝道包括N型溝道。如任一上述FET，其中所述體連結包括H柵極、T柵極、肖特基結構和體-源極連結中的至少ー個。如任一上述FET，其中所述暈圈注入包括砷和磷中的至少ー種。如任一上述FET,其中所述不對稱P型場效應電晶體包括不對稱絕緣體上矽P型場效應電晶體。如任一上述FET，還包括源極擴展注入(例如從所述源極區域向所述溝道中擴展)。如任一上述FET，還包括漏極擴展注入(例如從所述漏極區域向所述溝道中擴展)。如任一上述FET，其中所述源極擴展注入和漏極擴展注入是對稱的(例如具有相似尺寸和/或相似摻雜)。如任一上述FET，其中所述源極擴展注入和漏極擴展注入是不對稱的(例如具有不同尺寸和/或不同摻雜)。如任一上述FET，其中所述源極擴展注入與所述柵極結構重疊並且所述漏極擴展注入與所述柵極結構欠重疊。如任一上述FET，其中所述源極擴展注入和所述漏極擴展注入中的至少ー個擴展注入摻雜有In、B和BF2中的至少ー種。如任一上述FET，其中所述源極區域和所述漏極區域中的至少ー個區域摻雜有B和BF2中的至少ー種。如任一上述FET，其中所述暈圈注入摻雜有As和P中的至少ー種。如任一上述FET,還包括如這裡進ー步具體描述的本發明示例的實施例的ー個或者多個方面。(2)在另ー不例實施例中，一種半導體器件,包括多個不對稱P型場效應電晶體，其中所述多個不對稱P型場效應電晶體中的每個電晶體包括源極區域，經由溝道耦合到漏極區域；柵極結構，在所述溝道的至少部分上方；暈圈注入，至少部分設置於所述溝道中；以及體連結，耦合到所述溝道，其中所述暈圈注入被設置成比所述漏極區域更接近所述源極區域。
如上述半導體器件，其中所述半導體器件不包括對稱場效應電晶體。如任一上述半導體器件，其中所述多個不對稱P型場效應電晶體中的至少ー個電晶體可操作用於充當對稱P型場效應電晶體。如任一上述半導體器件，還包括如這裡進一歩具體描述的本發明示例的實施例的ー個或者多個方面。(3)在又一示例實施例中，一種不對稱P型場效應電晶體(FET)，包括源極區域；漏極區域；N型溝道；暈圈注入，至少部分設置於所述溝道中；柵極結構；以及體連結，其中所述暈圈注入被設置成比所述漏極區域更接近所述源極區域，其中所述不對稱P型場效應電晶體由於所述體連結和不對稱暈圈注入而可操作用於充當對稱P型場效應電晶體。如任一上述半導體器件，還包括如這裡進一歩具體描述的本發明示例的實施例的ー個或者多個方面。(4)在另ー不例實施例中並且如圖5中所不,一種用於形成不對稱P型場效應電晶體的方法，包括形成源極區域和經由溝道耦合到所述源極區域的漏極區域(501);形成在所述溝道的至少部分上方的柵極結構(502);執行成角度注入以形成至少部分設置在所述溝道中的暈圈注入，其中所述暈圈注入被設置成比所述漏極區域更接近所述源極區域(503);以及形成耦合到所述溝道的體連結(503)。如上述方法，其中所述源極區域、漏極區域和溝道在掩埋氧化物層上方，其中所述掩埋氧化物層在矽襯底上方。如任一上述方法，還包括如這裡進ー步具體描述的本發明的示例實施例的ー個或者多個方面。如任一上述方法，還包括執行至少ー個其它成角度注入以形成源極擴展注入和漏極擴展注入中的至少ー個。如任一上述方法，還包括執行豎直注入以摻雜所述源極區域和所述漏極區域中的至少ー個。如任一上述方法，其中所述成角度注入使用所述柵極結構的至少部分以至少部分掩蔽所述漏極區域。圖5中所示塊還可以視為對應於由一個或者多個部件、電路、晶片、裝置、處理器、電腦程式和/或功能塊執行的一個或者多個功能和/或操作。可以在實現根據如這裡描述的本發明的示例實施例的操作的任何可實現解決方案或者布置中實施上述方案中的任何和/或所有方案。此外，圖5中所示塊的布置應當僅視為示例和非限制的。應當理解，圖5中所示塊可以對應於為了實施本發明的示例實施例中的ー個或者多個示例實施例而可以按任何順序(例如任何適當、可實現和可行順序)和/或並行(例如如適當、可實現和/或可行的那樣)執行的一個或者多個功能和/或操作。此外，一個或者多個附加功能、操作和/或步驟可以與圖5中所示布置結合利用以便實施本發明的一個或者多個更多示例實施例。也就是說，圖5中所示本發明的示例實施例可以在任何組合(例如，任何適當、可實施和/或可行的組合)中與一個或者多個更多方面結合利用、實施或者實現並且並不僅僅限於圖5中所示步驟、塊、操作和/或功能。
本領域普通技術人員將理解用於形成這裡標識的部件的各種方法和技木。作為非限制例子，這樣的形成可以涉及到沉積和/或蝕刻各種材料和層。作為又ー非限制例子，這樣的形成可以利用光刻材料和/或技術(比如一個或者多個掩模(例如硬掩模、軟掩模)、光敏材料(例如光致抗蝕劑)、防反射塗層和平坦化層)。沉積材料可以包括適合於待沉積材料的任何現在已知或者以後開發的技術(包括但不限於化學氣相沉積(CVD)、低壓CVD(LPCVD)、等離子體增強CVD(PECVD)、半大氣CVD(SACVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、快速熱 CVD(RTCVD)、超高真空 CVD(UHVCVD)、有限反應處理 CVD(LRPCVD)、金屬有機CVD(MOCVD)、濺射沉積、離子束沉積、電子束沉積、雷射輔助沉積、熱氧化、熱氮化、旋塗法、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)、化學氧化、分子束外延(MBE)、鍍覆或者蒸發)。本領域普通技術人員還將理解，在上文描述的示例半導體的區、區域、區段、元件、部分和/或部件之間的鮮明界限經常不存在。圖(例如圖I至圖4)中描繪的分隔區域和元件是出於圖示的目的而示出的，並且並不限制本發明的示例實施例。術語「連接」、「耦合」或者其變體的任何使用應當解釋為指示在標識的元件之間的任何這樣的直接或者間接的連接或者耦合。作為非限制例子，一個或者多個中間元件可以存在於「耦合的」元件之間。作為非限制例子，在標識的元件之間的連接或者耦合根據描述的示例實施例可以是物理的、電的、磁的、邏輯的或者其任何適當組合。作為非限制例子，連接或者耦合可以包括ー個或者多個印刷電連接、接線、線纜、介質或者其任何適當組合。一般而言，可以在不同介質(比如軟體、硬體、邏輯、專用電路或者其任何組合)中實施本發明的各種示例實施例。作為非限制例子，ー些方面可以實施於可以在計算設備上運行的軟體中，而其它方面可以實施於硬體中。前文描述已經通過示例和非限制例子提供對發明人為了實現本發明而當前設想的最佳方法和裝置的完全而有啟發的描述。然而各種修改和調整鑑於在與附圖和所附權利要求結合閱讀前文描述時可以變得為本領域技術人員所清楚。本領域普通技術人員還將理解其各種材料、層、部件和布置僅為舉例，並且可以利用其它或者不同材料、層、部件和布置而不脫離本發明的示例實施例的教導。然而所有這樣和相似的修改仍然將落入本發明的示例實施例的教導範圍內。另外，本發明優選實施例的一些特徵即使在沒有對應使用其它特徵的情況下也可以有利地加以使用。這樣，前文描述應當僅視為用於說明本發明的原理而並非對其進行限制。
權利要求
1.一種不對稱P型場效應電晶體，包括 源極區域，經由溝道耦合到漏極區域； 柵極結構，在所述溝道的至少部分上方； 暈圈注入，至少部分設置於所述溝道中，其中所述暈圈注入被設置成比所述漏極區域更接近所述源極區域；以及 體連結，耦合到所述溝道。
2.如權利要求I所述的不對稱P型場效應電晶體，其中所述不對稱N型場效應電晶體可操作用於充當對稱N型場效應電晶體。
3.如權利要求I所述的不對稱P型場效應電晶體，其中所述暈圈注入部分地設置於所述源極區域中。
4.如權利要求I所述的不對稱P型場效應電晶體，其中通過成角度注入過程形成所述暈圈注入。
5.如權利要求4所述的不對稱P型場效應電晶體，其中所述成角度注入過程使用所述柵極結構掩蔽所述漏極區域的至少部分。
6.如權利要求I所述的不對稱P型場效應電晶體，其中所述體連結包括H柵極、T柵極、肖特基結構和體-源極連結中的至少一個。
7.如權利要求I所述的不對稱P型場效應電晶體，其中所述不對稱N型場效應電晶體包括不對稱絕緣體上矽N型場效應電晶體。
8.一種半導體器件，包括多個不對稱P型場效應電晶體，其中所述多個不對稱P型場效應電晶體中的每個電晶體包括源極區域，經由溝道耦合到漏極區域；柵極結構，在所述溝道的至少部分上方；暈圈注入，至少部分設置於所述溝道中；以及體連結，耦合到所述溝道，其中所述暈圈注入被設置成比所述漏極區域更接近所述源極區域。
9.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述多個不對稱P型場效應電晶體中的至少一個電晶體可操作用於充當對稱P型場效應電晶體。
10.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述半導體器件不包括對稱場效應電晶體。
11.如權利要求8所述的半導體器件，其中通過成角度注入過程形成所述暈圈注入，所述成角度注入過程使用所述柵極結構掩蔽所述漏極區域的至少部分。
12.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述體連結包括H柵極、T柵極、肖特基結構和體-源極連結中的至少一個。
13.如權利要求8所述的半導體器件，其中所述多個不對稱P型場效應電晶體包括多個不對稱絕緣體上矽P型場效應電晶體。
14.一種不對稱P型場效應電晶體，包括源極區域；漏極區域；N型溝道；暈圈注入，至少部分設置於所述溝道中；柵極結構；以及體連結，其中所述暈圈注入被設置成比所述漏極區域更接近所述源極區域，並且所述不對稱P型場效應電晶體由於所述體連結和不對稱暈圈注入而可操作用於充當對稱P型場效應電晶體。
15.如權利要求14所述的不對稱P型場效應電晶體，其中所述暈圈注入部分地設置於所述源極區域中。
16.如權利要求14所述的不對稱P型場效應電晶體，其中所述體連結包括H柵極、T柵極、肖特基結構和體-源極連結中的至少一個。
17.如權利要求14所述的不對稱P型場效應電晶體，其中所述不對稱N型場效應電晶體包括不對稱絕緣體上娃N型場效應電晶體。
18.如權利要求14所述的不對稱P型場效應電晶體，還包括源極擴展注入和漏極擴展注入。
19.如權利要求14所述的不對稱P型場效應電晶體，其中所述成角度暈圈注入包括砷和磷中的至少一種。
20.一種用於形成不對稱P型場效應電晶體的方法，包括 形成源極區域和經由溝道耦合到所述源極區域的漏極區域； 形成在所述溝道的至少部分上方的柵極結構； 執行成角度注入以形成至少部分在所述溝道中的暈圈注入，其中所述暈圈注入被設置成比所述漏極區域更接近所述源極區域；以及形成耦合到所述溝道的體連結。
21.如權利要求20所述的方法，其中所述不對稱P型場效應電晶體可操作用於充當對稱P型場效應電晶體。
22.如權利要求20所述的方法，其中所述暈圈注入部分地設置於所述源極區域中。
23.如權利要求20所述的方法，其中所述體連結包括H柵極、T柵極、肖特基結構和體-源極連結中的至少一個。
24.如權利要求20所述的方法，其中所述源極區域、漏極區域和溝道在掩埋氧化物層上方，其中所述掩埋氧化物層在矽襯底上方。
25.如權利要求20所述的方法，其中所述不對稱P型場效應電晶體包括不對稱絕緣體上矽P型場效應電晶體。
全文摘要
在本發明的一個示例實施例中，一種不對稱P型場效應電晶體包括源極區域，經由溝道耦合到漏極區域；柵極結構，在溝道的至少部分上方；暈圈注入，至少部分設置於溝道中，其中暈圈注入被設置成比漏極區域更接近源極區域；以及體連結，耦合到溝道。在又一示例實施例中，不對稱P型場效應電晶體可操作用於充當對稱P型場效應電晶體。
文檔編號H01L21/336GK102714161SQ201180005601
公開日2012年10月3日 申請日期2011年1月5日 優先權日2010年1月7日
發明者C·H·林, J·B·常, J·W·斯萊特, L·常 申請人:國際商業機器公司