一種可精確控制硼摻雜區的半導體器件的製作方法
2023-05-17 03:23:21
專利名稱:一種可精確控制硼摻雜區的半導體器件的製作方法
技術領域:
本實用新型涉及微電子技術領域,尤其是涉及ー種可精確控制硼摻雜區的半導體器件。
背景技術:
現有的功率器件的硼區雜質的精確分布エ藝過程是決定一個器件的參數的關鍵技木。對於硼區摻雜時基本使用ニ種方法硼離子注入方法和利用乳膠源在高溫擴散的方法。對於硼離子注入方法需要離子注入機,該設備較為昂貴,加工的成本很高,很多製作低檔半導體產品的廠家難以承受。對於直接用乳膠源在高溫擴散的方法來摻入硼雜質在需要高的硼方塊電阻吋,由於雜質源的濃度很高,沒有稀釋從而控制精度很差,一般對於200歐姆/方塊的方塊電阻左右其誤差達到10%,在500以上歐姆/方塊的方塊電阻就很難製造。因此,對於低成本的半導體產品特別是半導體功率器件產品市場迫切需要ー種即能夠精確控制硼摻雜的摻入濃度的技術同時製造成本又不會增加太多。
發明內容本實用新型目的是提供一種可精確控制硼摻雜區的半導體器件。以解決現有技術所存在的摻雜精度差,成本較高等技術問題。為解決上述技術問題,本實用新型所採用的技術方案是該可精確控制硼摻雜區的半導體器件,包括摻硼乳膠、光刻膠、矽片,其中矽片上設有無須擴散摻硼乳膠的區域,所述摻硼乳膠、光刻膠通過塗覆機塗覆在矽片上。所述將塗覆好的矽片放在擴散爐內進行擴散,並去除無需擴散硼源的區域,其中光刻膠在高溫時碳化,井隨著擴散過程中所攜帯的氣體去除,從而實現硼區雜質精確的濃度分布。本實用新型主要通過在矽片上塗覆由硼乳膠源和光刻膠混合而成硼雜質混合液,從而形成塗覆層,並通過光刻去除無需擴散硼源的區域的硼雜質混合液,達到精確控制擴散雜質的濃度,簡化工藝流程,降低生產成本。
圖I是本實用新型的內部結構示意圖。
具體實施方式
下面通過實施例,並結合附圖,對本實用新型的技術方案作進ー步具體說明。圖I是本實用新型的內部結構示意圖。由圖I可知,該可精確控制硼摻雜區的半導體器件,主要由摻硼乳膠、光刻膠、矽片等組成,其中矽片上設有無須擴散摻硼乳膠的區域,所述摻硼乳膠、光刻膠混合為硼乳膠混合液1,並通過塗覆機塗覆在矽片上。該硼乳膠混合液I是由硼乳膠源和光刻膠按照需要摻入的濃度需求混合,並將硼乳膠源和光刻膠混合後進行充分的攪拌,混合時間一般為2— 5小時,混合時注意所用的器皿不能引入其它雜質源及汙染物質。將該硼乳膠混合液I通過塗覆機按照需要的厚度在矽片2上塗覆,將塗覆好的矽片2放入擴散爐內進行擴散,並去除不需要擴散硼源的塗覆區域3。由於光刻膠在高溫 時會碳化,井隨著擴散過程中所攜帯的氣體去除,從而實現硼區雜質精確的濃度分布。該過程中比較傳統的方法只増加了光刻膠,所以成本増加很少。
權利要求1.一種可精確控制硼摻雜區的半導體器件,包括摻硼乳膠、光刻膠、矽片,其特徵是,所述矽片上設有無須擴散摻硼乳膠的區域,所述摻硼乳膠、光刻膠通過塗覆機塗覆在矽片上。
專利摘要一種可精確控制硼摻雜區的半導體器件,包括摻硼乳膠、光刻膠、矽片,其中矽片上設有無須擴散摻硼乳膠的區域,所述摻硼乳膠、光刻膠通過塗覆機塗覆在矽片上。所述將塗覆好的矽片放在擴散爐內進行擴散,並去除無需擴散硼源的區域,其中光刻膠在高溫時碳化,並隨著擴散過程中所攜帶的氣體去除,從而實現硼區雜質精確的濃度分布。本實用新型主要通過在矽片上塗覆由硼乳膠源和光刻膠混合而成硼乳膠混合液,從而形成塗覆層,並通過光刻去除無需擴散硼源的區域的硼乳膠混合液,達到精確控制擴散雜質的濃度,簡化工藝流程,降低生產成本。
文檔編號H01L29/06GK202384341SQ20112028401
公開日2012年8月15日 申請日期2011年8月6日 優先權日2011年8月6日
發明者王新 申請人:深圳市穩先微電子有限公司