四象限三端雙向可控矽開關的製作方法

2023-05-02 07:47:36 1

專利名稱：四象限三端雙向可控矽開關的製作方法
技術領域：
本發明涉及三端雙向可控矽開關(triac)，並且更具體地涉及在四觸發象限中具有類似的靈敏度的三端雙向可控矽開關。
背景技術：
這裡考慮豎直的三端雙向可控矽開關，即包括在所謂的後表面上的第一主電極 (A2)以及在相反或前表面上的第二主電極(Al)以及柵極電極(G)的三端雙向可控矽開關。 通常，三端雙向可控矽開關包括形成兩個頭尾晶閘管的並排的PNPN結構和NPNP結構。前表面的一部分專用於觸發或柵極結構並且當在柵極電極和主前表面電極之間施加電壓時允許觸發該晶閘管，該晶閘管對於所施加的電壓適當地偏置。當前，三端雙向可控矽開關形成於基本上為正方形的輪廓內，PNPN晶閘管和NPNP 晶閘管基本上佔用一半的有用表面積，並且該表面積的一小部分專用於觸髮結構，該觸髮結構通常布置於該正方形的角處。根據存在於主電極和柵極電極上的電壓一般地區域分四個觸發象限。將A2稱為主後表面電極，而將Al稱為主前表面電極，並且考慮到用作柵極的參考的主電極Al處於零電壓，四個象限Ql、Q2、Q3和Q4如下來限定
權利要求
1.一種豎直四象限三端雙向可控矽開關，其中布置在前表面側上的柵極區域包括第一導電類型的U形區域(XT)，所述U形的底部抵靠該結構的一邊，第二導電類型的主前表面區域0 在所述柵極區域的前面延伸並且被第一導電類型的主前表面區域的部分(21，22) 包圍。
2.根據權利要求1所述的三端雙向可控矽開關，其中所述第一導電類型的兩個主前表面區域(21、2幻在第一導電類型的區域中相接，該第一導電類型的區域將第二導電類型的柵極區域與第二導電類型的主區域05)隔開。
3.根據權利要求1所述的三端雙向可控矽開關，其中第一導電類型的主後表面區域 (30)在第二導電類型的主前表面區域0 之下以及在第二導電類型的柵極區域09)的一部分之下延伸。
4.根據權利要求2所述的三端雙向可控矽開關，其中第二導電類型的輕摻雜區域08) 保持在第一導電類型的所述區域在柵極側上的鄰近區域中。
5.根據權利要求1所述的三端雙向可控矽開關，其中所述第一導電類型是N型，而所述第二導電類型是P型。
全文摘要
本發明涉及四象限三端雙向可控矽開關。提供一種豎直四象限三端雙向可控矽開關，其中布置在前表面側上的柵極區域包括第一導電類型的U形區域，該U形的底部抵靠該結構的一邊，第二導電類型的主前表面區域在所述柵極區域的前面延伸並且被第一導電類型的所述主前表面區域的部分包圍。
文檔編號H01L29/747GK102569375SQ20111041543
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月8日 優先權日2010年12月9日
發明者D·阿利, S·梅納德 申請人:意法半導體(圖爾)公司