一種低功耗高速電源鉗位電路的製作方法
2023-05-22 16:49:26
一種低功耗高速電源鉗位電路的製作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種低功耗高速電源鉗位電路，它包括運算放大器、第一場效應管電晶體和第一～四電阻，所述第一場效應電晶體漏極接經第一電阻接入電源電壓，柵極與所述運算放大器輸出端和所述第二電阻一端連接，源極接地，所述運算放大器反向輸入端與所述第三電阻一端和第四電阻一端連接，所述第四電阻另一端和所述第二電阻另一端接地，所述第三電阻另一端與所述第一場效應電晶體漏極連接，並作為電路輸出端。本實用新型不僅結構簡單，成本低，易於實施，而且響應速度快，功率損耗低，具有可靠的穩定性。
【專利說明】一種低功耗高速電源鉗位電路
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種電源鉗位電路，特別涉及一種低功耗高速電源鉗位電路，屬於集成電路領域。
【背景技術】
[0002]在許多集成電路和電路單元中，都需要電源發生器提供穩定的電壓供系統使用。為防止電源發生器輸出的電壓超出預先設定的電壓值，或是需要將電壓發生器輸出的電壓進行降壓，許多電壓發生器的輸出端通常連接有鉗位電路。現有技術中常用的鉗位電路不僅結構複雜，成本較高，而且其工作狀態下所產生的功率損耗較大。
實用新型內容
[0003]針對現有技術的缺點，本實用新型的目的在於提供一種低功耗高速電源鉗位電路，其結構簡單，易於實施。
[0004]為實現上述實用新型目的，本實用新型採用了如下技術方案:
[0005]一種低功耗高速電源鉗位電路，它包括運算放大器、第一場效應管電晶體和第一?四電阻，所述第一場效應電晶體漏極接經第一電阻接入電源電壓，柵極與所述運算放大器輸出端和所述第二電阻一端連接，源極接地，所述運算放大器反向輸入端與所述第三電阻一端和第四電阻一端連接，所述第四電阻另一端和所述第二電阻另一端接地，所述第三電阻另一端與所述第一場效應電晶體漏極連接，並作為電路輸出端。
[0006]進一步的，所述運放採用單級運算放大器。
[0007]更進一步的，所述單級運算放大器包括第二?七場效應電晶體，所述第二場效應電晶體漏極與所述第四場效應電晶體漏極連接，並作為所述單級運算放大器輸出端，所述第二場效應電晶體柵極與所述第三場效應電晶體柵極、漏極以及所述第五場效應電晶體漏極連接，所述第五場效應電晶體柵極與所述第四場效應電晶體柵極連接，並接入偏置電流，所述第五場效應電晶體源極與所述第七場效應電晶體漏極連接，所述第四場效應電晶體源極與所述第六場效應電晶體漏極連接，所述第七場效應電晶體柵極作為所述單級運算放大器正向輸入端，所述第六場效應電晶體柵極作為所述單級運算放大器反向輸入端，所述第六場效應電晶體源極和所述第七場效應電晶體源極接地，所述第二場效應電晶體源極和所述第三場效應電晶體源極接基準電壓。
[0008]作為較為優選的實施方案之一，所述第一、四、五、六、七場效應電晶體採用N型MOS管，所述第二、三場效應電晶體採用P型MOS管。
[0009]其中，所述第二電阻作為所述第一場效應電晶體柵極的下拉電阻，有效保證了電路的穩定性；單級運算放大器快速有效的供壓，並且單級運算放大器功耗較低。
[0010]與現有技術相比，本實用新型的有益效果包括:不僅結構簡單，成本低，易於實施，而且響應速度快,功率損耗低,具有可靠的穩定性。【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]圖1是本實用新型實施例1中低功耗高速電源鉗位電路的電路圖；
[0012]圖2是圖1實施例中單級運算方法器的內部電路圖。
【具體實施方式】
[0013]鑑於現有技術之缺陷，本實用新型旨在提供一種低功耗高速電源鉗位電路，其結構簡單，易於實施。
[0014]作為本實用新型的可行實施方案之一，該低功耗高速電源鉗位電路包括運算放大器、第一場效應管電晶體和第一?四電阻，所述第一場效應電晶體漏極接經第一電阻接入電源電壓，柵極與所述運算放大器輸出端和所述第二電阻一端連接，源極接地，所述運算放大器反向輸入端與所述第三電阻一端和第四電阻一端連接，所述第四電阻另一端和所述第二電阻另一端接地，所述第三電阻另一端與所述第一場效應電晶體漏極連接，並作為電路輸出端。
[0015]進一步的，所述運放採用單級運算放大器。
[0016]更進一步的，所述單級運算放大器包括第二?七場效應電晶體，所述第二場效應電晶體漏極與所述第四場效應電晶體漏極連接，並作為所述單級運算放大器輸出端，所述第二場效應電晶體柵極與所述第三場效應電晶體柵極、漏極以及所述第五場效應電晶體漏極連接，所述第五場效應電晶體柵極與所述第四場效應電晶體柵極連接，並接入偏置電流，所述第五場效應電晶體源極與所述第七場效應電晶體漏極連接，所述第四場效應電晶體源極與所述第六場效應電晶體漏極連接，所述第七場效應電晶體柵極作為所述單級運算放大器正向輸入端，所述第六場效應電晶體柵極作為所述單級運算放大器反向輸入端，所述第六場效應電晶體源極和所述第七場效應電晶體源極接地，所述第二場效應電晶體源極和所述第三場效應電晶體源極接基準電壓。
[0017]作為較為優選的實施方案之一，所述第一、四、五、六、七場效應電晶體採用N型MOS管，所述第二、三場效應電晶體採用P型MOS管。
[0018]以下結合附圖及一實施例對本實用新型的技術方案作更為具體的說明。
[0019]實施例1參閱圖1-2該低功耗高速電源鉗位電路包括單級運算放大器U、第一MOS管Ql和第一?四電阻，第一 MOS管Ql漏極接經第一電阻Rl接入電源電壓V，柵極與單級運算放大器U輸出端out和第二電阻R2 —端連接，源極接地GND，單級運算放大器U反向輸入端與第三電阻R3 —端和第四電阻R4 —端連接，第四電阻R4另一端和第二電阻R2另一端接地，第三電阻R3另一端與第一 MOS管Ql漏極連接，並作為電路輸出端。
[0020]其中，單級運算放大器U包括第二?七MOS管，所述第二 MOS管Q2漏極與第四MOS管Q4漏極連接，並作為單級運算放大器U輸出端out，第二 MOS管Q2柵極與第三MOS管Q3柵極、漏極以及第五MOS管Q5漏極連接，第五MOS管Q5柵極與第四MOS管Q4柵極連接，並接入偏置電流Ibias第五MOS管Q5源極與第七MOS管Q7漏極連接，第四MOS管Q4源極與第六MOS管Q6漏極連接，第七MOS管Q7柵極作為單級運算放大器U正向輸入端，第六MOS管Q2柵極作為單級運算放大器U反向輸入端，第六MOS管Q6源極和第七MOS管Q7源極接地，第二 MOS管Q2源極和第三MOS管Q3源極接基準電壓Vcc。
[0021]優選的，第一、四、五、六、七MOS管採用N型MOS管，第二、三MOS管採用P型MOS管。
[0022]除上述實施例外，本實用新型還可以有其他實施方式。凡採用等同替換或等效變換形成的技術方案，均落在本實用新型要求的保護範圍。
【權利要求】
1.一種低功耗高速電源鉗位電路，其特徵在於，它包括運算放大器、第一場效應管電晶體和第一?四電阻，所述第一場效應電晶體漏極接經第一電阻接入電源電壓，柵極與所述運算放大器輸出端和所述第二電阻一端連接，源極接地，所述運算放大器反向輸入端與所述第三電阻一端和第四電阻一端連接，所述第四電阻另一端和所述第二電阻另一端接地，所述第三電阻另一端與所述第一場效應電晶體漏極連接，並作為電路輸出端。
2.根據權利要求1所述的低功耗高速電源鉗位電路，其特徵在於，所述運放採用單級運算放大器。
3.根據權利要求2所述的低功耗高速電源鉗位電路，其特徵在於，所述單級運算放大器包括第二?七場效應電晶體，所述第二場效應電晶體漏極與所述第四場效應電晶體漏極連接，並作為所述單級運算放大器輸出端，所述第二場效應電晶體柵極與所述第三場效應電晶體柵極、漏極以及所述第五場效應電晶體漏極連接，所述第五場效應電晶體柵極與所述第四場效應電晶體柵極連接，並接入偏置電流，所述第五場效應電晶體源極與所述第七場效應電晶體漏極連接，所述第四場效應電晶體源極與所述第六場效應電晶體漏極連接，所述第七場效應電晶體柵極作為所述單級運算放大器正向輸入端，所述第六場效應電晶體柵極作為所述單級運算放大器反向輸入端，所述第六場效應電晶體源極和所述第七場效應電晶體源極接地，所述第二場效應電晶體源極和所述第三場效應電晶體源極接基準電壓。
4.根據權利要求1或3所述的低功耗高速電源鉗位電路，其特徵在於，所述第一、四、五、六、七場效應電晶體採用N型MOS管，所述第二、三場效應電晶體採用P型MOS管。
【文檔編號】G05F1/56GK203799292SQ201420203850
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年4月24日 優先權日:2014年4月24日
【發明者】黃君山, 餘麗雲, 石萬文, 江石根 申請人:蘇州華芯微電子股份有限公司