Mim電容失配模型及其建立方法
2023-05-22 05:16:16
專利名稱：Mim電容失配模型及其建立方法
技術領域：
本發明涉及一種金屬-絕緣體-金屬(Metal-Insulator-Metal，MIM)電容失配 (Mismatch)模型及其建立方法。
背景技術：
隨著超大規模集成電路的發展，為了按照摩爾定律的縮放比例創建單元面積增大的器件，與此同時確保各種應用所需的高水平性能，MIM器件成為一種重要的元件，尤其是 MIM電容更是一種關鍵的元件。MIM電容通常是一種三明治結構，其上層金屬電極和下層金屬電極之間被一層薄絕緣層隔離。由於MIM電容得到廣泛應用，因此MIM電容的失配也顯得額外重要。現有技術的MIM電容失配率通過如下公式(1)、(2)獲得Delta C = 2*(C1_C2)/(C1+C2)*100(單位％ ) (1)Mismatch = STDEV(DeltaC)(單位％ ) (2)現有技術建立的MIM電容的失配模型所採用的數據如表1所示。採用表1所述的數據建立的MIM電容的失配模型中，通過數據擬合，獲得的MIM電容的失配率與 1/λ/^(1/、/^也可以表述為l/sqrt(area))之間的函數關係為線性關係，其中area表
示MIM電容的面積，獲得的線性擬合函數為y = 5. 6798x-0. 0515R2 = 0. 963(3)其中，χ =。請參閱
圖1，圖1是利用式子(3)建立的現有技術的MIM電容的失配模型。採用現有技術的MIM電容的失配模型計算得出的MIM電容失配率與採用上述 (1)、(2)公式計算得出的實際MIM電容失配率的對比曲線如圖2所示，現有技術的MIM電
容的失配模型並不準確。
權利要求
1.一種MIM電容失配模型的建立方法，其特徵在於，包括如下步驟選取多個不同面積的MIM電容；生成所述MIM電容的失配率隨I/λ/^變化的指數擬合函數，其中area表示所述MIM 電容的面積的取值；根據所述指數擬合函數，建立所述MIM電容的失配模型。
2.如權利要求1所述的MIM電容失配模型的建立方法，其特徵在於，用於建立所述MIM 電容失配模型的MIM電容的面積的取值範圍是625 μ m2到12500 μ m2。
3.如權利要求2所述的MIM電容失配模型的建立方法，其特徵在於，用於建立所述 MIM電容失配模型的MIM電容的面積的取值為625、1250、2500、3750、5000、7500、10000、 U5_m2。
4.如權利要求1所述的MIM電容失配模型的建立方法，其特徵在於，所述MIM電容的失配率與1 / λ/^之間的指數擬合函數為y = 74. 6438X1·8693，其中，X = 1 / V^。
5.一種MIM電容失配模型，其特徵在於，所述MIM電容失配模型中，所述MIM電容的失配率與I/λ/^之間為指數函數關係，其中area表示所述MIM電容的面積的取值。
6.如權利要求5所述的MIM電容失配模型，其特徵在於，所述MIM電容的失配率與 1 / λ/^之間的指數擬合函數為y = 74. 6438X1·8693，其中，X = 1 / V^。
7.如權利要求5所述的MM電容失配模型，其特徵在於，用於建立所述MIM電容失配模型的MIM電容的面積的取值範圍是625 μ m2到12500 μ m2。
8.如權利要求6所述的MIM電容失配模型，其特徵在於，用於建立所述MIM電容失配模型的 MIM 電容的面積的取值為 625、1250、2500、3750、5000、7500、10000、12500μπι2。
全文摘要
本發明涉及一種MIM電容失配模型及其建立方法。所述MIM電容失配模型的建立方法，包括如下步驟選取多個不同面積的MIM電容；生成所述MIM電容的失配率隨變化的指數擬合函數，其中area表示所述MIM電容的面積的取值；根據所述指數擬合函數，建立所述MIM電容的失配模型。採用本發明的方法建立的MIM電容失配模型更加準確。
文檔編號G06F17/50GK102184281SQ20111010828
公開日2011年9月14日 申請日期2011年4月28日 優先權日2011年4月28日
發明者朱正鵬 申請人:上海宏力半導體製造有限公司