一種手持雷射器的製作方法
2023-05-12 03:06:26
本實用新型涉及雷射領域，具體為一種運用於美容的手持雷射器。
背景技術：
雷射，二十世紀人類最偉大的發明之一。雷射擁有方向性好，單色性好，相干性好以及能量集中的優點，被廣泛地應用於科技及生產領域。雷射器是利用受激輻射原理使光在某些受激發的物質中放大或振蕩發射的器件，而固體雷射器則是利用固體增益介質受激發的雷射器，目前固體雷射器在雷射應用中佔有極其重要的地位，可用於材料加工、雷射測距、雷射光譜學、雷射醫療。雷射化工、雷射分離同位素及雷射核聚變等。固體雷射器的原理是利用固體晶體受到泵浦光照射吸收泵浦光輻射後，激活了固體晶體的離子，離子從基態2F7/2躍遷到激發態2F5/2的E2能級，由於E0能級與E2能級之間的距離D2，所以這一過程稱為D2躍遷。隨後，由於處於E2能級上的離子壽命極短，所以迅速地無輻射的躍遷到激發態2F5/2的E1能級，並從激發態2F5/2的E1能級發出能量躍遷至基態2F7/2的E0能級，E1能級與E0能級之間的距離為D1，故稱為D1躍遷，通過這樣的躍遷過程使得離子釋放能量。
而現在雷射在美容界的用途越來越廣泛，雷射是通過產生高能量，聚焦精確，具有一定穿透力的單色光，作用於人體組織而在局部產生高熱量，從而達到去除或破壞目標組織的目的，各種不同波長的脈衝雷射可治療各種血管性皮膚病及色素沉著，如太田痣，鮮紅斑痣，雀斑，老年斑，毛細血管擴張等，以及去紋身，洗眼線，洗眉，治療瘢痕等。
傳統美容雷射器(Cr4+調Q雷射器)功率輸出呈現靜態輸出與動態輸出兩種形式，而靜態輸出功率存在灼傷皮膚，留下疤痕，黑色素沉著等隱患。
技術實現要素：
為了解決以上的技術問題，本實用新型提供了一種可以運用到美容行業上的雷射器，具有除靜態輸出功率的產生從而達到消除靜態輸出帶來的隱患的效果。以下是具體技術方案：一種手持雷射器，包括殼體和雷射輸出端，雷射輸出端設置在殼體的一端與殼體相連接，其中殼體內為中空結構，設置有顯示段與雷射發生段和反射段，其中顯示段、雷射發生段和反射段依次從設置有輸出端的一側進行排布且相互連接，所述的雷射輸出端包括半導體雷射器，其中半導體雷射器的埠處設置有倍頻元件，雷射發生段包括依次排布的泵浦腔調Q控制模塊，顯示段包括紅光顯示器，反射段包括反射鏡。
進一步的，半導體雷射器可激發雷射晶體，為倍頻元件提供泵浦源，包括但不限於單模半導體雷射器、多模半導體雷射器、鎖波長半導體雷射器等，波長包括但不限於808nm、940nm等。
進一步的，半導體雷射器可激發雷射晶體，為倍頻雷射器提供泵浦源，包括但不限於單模半導體雷射器、多模半導體雷射器、鎖波長半導體雷射器等，波長包括但不限於808nm、940nm等。
進一步的，雷射晶體包括並不限於Nd：YAG、Nd：YVO4等雷射工作物質，倍頻元件為KTP、BBO、PPMgOLN或其他具有倍頻特性的非線性頻率變換晶體。
進一步的，倍頻元件靠近雷射晶體的一端面鍍有基頻光增透和倍頻光高反或者基頻光增透的膜系，遠離雷射晶體的一端面鍍有基頻光高反和倍頻光高透的膜系，其中倍頻元件的基頻光高反膜系和雷射晶體靠近半導體雷射器一端的雷射高反和泵浦光高透膜系形成諧振腔。
有益效果：本實用新型提供的一種雷射器通過採取電光調Q的技術方案，解決了靜態輸出的情況，解決了因靜態輸出功率存在灼傷皮膚，留下疤痕，黑色素沉著等隱患，適合用於美容行業。
附圖說明
圖1為本實用新型結構示意圖。
其中：1、倍頻元件2、輸出端3、紅光顯示器4、泵浦腔5、調Q控制模塊6、反射鏡。
具體實施方式
下面結合說明書附圖對本實用新型作進一步的描述。
一種手持雷射器，包括殼體和雷射輸出端，雷射輸出端設置在殼體的一端與殼體相連接，其中殼體內為中空結構，設置有顯示段與雷射發生段和反射段，其中顯示段、雷射發生段和反射段依次從設置有輸出端的一側進行排布且相互連接，所述的雷射輸出端2包括半導體雷射器，其中半導體雷射器的埠處設置有倍頻元件1，雷射發生段包括依次排布的泵浦腔4調Q控制模塊，顯示段包括紅光顯示器3，反射段包括反射鏡6。
進一步的，半導體雷射器可激發雷射晶體，為倍頻元件1提供泵浦源，包括但不限於單模半導體雷射器、多模半導體雷射器、鎖波長半導體雷射器等，波長包括但不限於808nm、940nm等。
進一步的，半導體雷射器可激發雷射晶體，為倍頻元件提供泵浦源，包括但不限於單模半導體雷射器、多模半導體雷射器、鎖波長半導體雷射器等，波長包括但不限於808nm、940nm等。
進一步的，雷射晶體包括並不限於Nd：YAG、Nd：YVO4等雷射工作物質，倍頻元件為KTP、BBO、PPMgOLN或其他具有倍頻特性的非線性頻率變換晶體。
進一步的，倍頻元件靠近雷射晶體的一端面鍍有基頻光增透和倍頻光高反或者基頻光增透的膜系，遠離雷射晶體的一端面鍍有基頻光高反和倍頻光高透的膜系，其中倍頻元件的基頻光高反膜系和雷射晶體靠近半導體雷射器一端的雷射高反和泵浦光高透膜系形成諧振腔。
儘管結合優選實施方案具體展示和介紹了本發明，但所屬領域的技術人員應該明白，在不脫離所附權利要求書所限定的本發明的精神和範圍內，在形式上和細節上對本發明做出各種變化，均為本發明的保護範圍。