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電力控制電容補償三相三線有序投切技術的製作方法

2023-04-28 18:06:16

電力控制電容補償三相三線有序投切技術的製作方法
【專利摘要】本發明公開一種電力控制電容補償三相三線有序投切技術,其特徵在於,電網電壓在三相平衡的條件下,根據矢量圖可以推測出,A、C在投入前A相可控矽上下端電壓相位與AB相位同相,C相可控矽上下端電壓相位與BC間電壓相位同相或反向;在A相投入C相未投入條件下,C相可控矽上下端電壓相位與AB間電壓相位相差90度。基於以上原理,可以通過檢測AB和BC間電壓相位,通過計算可以得到A相和C相可控矽電壓過零點。同時控制兩相的投切次序,按照先投後切的邏輯。本發明成本低廉,系統接線簡單,實用性強,並具有較高經濟價值。
【專利說明】電力控制電容補償三相三線有序投切技術

【技術領域】
[0001]本發明涉及成本低廉,系統接線簡單,實用性強,並具有較高經濟價值的一種電力控制電容補償三相三線有序投切技術。

【背景技術】
[0002]投切電容器可控矽部件目前在動態無功補償系統中廣泛使用,目前可控矽投切角外接電容存在以下兩種方式:其一,全控三相兩控角外接,通過尋找可控矽兩端電壓的過零點,同步可控矽觸發信號,參考如圖1所示的系統接線圖。優點:系統接線簡單,成本低缺點:在控制過程中,若電容沒有放完電,A和C相投切次序無序則會產生湧流,在電容上還存在較高的電壓時,會找不到過零點,因此需要一定的放電時間,投入時電流不自然過零,控制投切過程複雜,重複投入間隔大於1S。其二,半控三相兩控角外接,通過尋找可控矽兩端電壓的過零點,同步可控矽觸發信號,參考如圖2所示的系統接線圖。優點:系統接線簡單,成本低,投入電流自然過零,缺點:在控制過程中,若電容沒有放完電,A和C相投切次序無序則會產生湧流,在電容上還存在較高的電壓時,會找不到過零點,因此需要一定的放電時間,投入時電流不自然過零,控制投切過程複雜,重複投入間隔大於IS需要一定的放電時間,控制投切過程複雜,重複投入間隔大於1S,需要預充電電路。


【發明內容】

[0003]本發明要解決的技術問題在於提供一種電力控制電容補償三相三線有序投切技術,能實現三相兩控接線簡單、成本低的優點,同時可以滿足重複投切時間短的優點,具有很高的經濟價值和實用價值。
[0004]本發明的技術問題是按如下技術方案實現的:一種電力控制電容補償三相三線有序投切技術,其特徵在於,電網電壓在三相平衡的條件下,根據矢量圖可以推測出,A、C在投入前A相可控矽上下端電壓相位與AB相位同相,C相可控矽上下端電壓相位與BC間電壓相位同相或反向;在A相投入C相未投入條件下,C相可控矽上下端電壓相位與AB間電壓相位相差90度。
[0005]按照本發明提供的電力控制電容補償三相三線有序投切技術,其特徵在於,基於以上原理,可以通過檢測AB和BC間電壓相位,通過計算可以得到A相和C相可控矽電壓過零點。同時控制兩相的投切次序,按照先投後切的邏輯。
[0006]實現本發明的一種電力控制電容補償三相三線有序投切技術,具有如下優點:系統接線簡單,成本低廉,不須額外設計預充電電,不須放電時間,穩定性好,可靠性強。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為【背景技術】中採用全控三相兩控角外接的系統接線圖;
[0008]圖2為【背景技術】中採用半控三相兩控角外接的系統接線圖;
[0009]圖3為本發明電容補償三相三線有序投切技術的測試波形圖。

【具體實施方式】
[0010]一種電力控制電容補償三相三線有序投切技術,電網電壓在三相平衡的條件下,根據矢量圖可以推測出,A、C在投入前A相可控矽上下端電壓相位與AB相位同相,C相可控矽上下端電壓相位與BC間電壓相位同相或反向;在A相投入C相未投入條件下,C相可控矽上下端電壓相位與AB間電壓相位相差90度,參考如圖1所示的全控三相兩控角外接電容。參考如圖3所示的測試波形圖。基於以上原理,可以通過檢測AB和BC間電壓相位,通過計算可以得到A相和C相可控矽電壓過零點。同時控制兩相的投切次序,按照先投後切的邏輯。
[0011]本發明的一種電力控制電容補償三相三線有序投切技術,不用角內接方法中電容間互接,同時可以使用三相組合電容,三相兩控相比三相三控少一條可控矽模塊,可以降低可控矽使用成本,不須額外設計預充電電,不須放電時間,切除後不需要放電即可再次投入。
【權利要求】
1.一種電力控制電容補償三相三線有序投切技術,其特徵在於,電網電壓在三相平衡的條件下,根據矢量圖可以推測出,A、C在投入前A相可控矽上下端電壓相位與AB相位同相,C相可控矽上下端電壓相位與BC間電壓相位同相或反向;在A相投入C相未投入條件下,C相可控矽上下端電壓相位與AB間電壓相位相差90度。
2.根據權利要求1所述的的電力控制電容補償三相三線有序投切技術,其特徵在於,可以通過檢測AB和BC間電壓相位,通過計算可以得到A相和C相可控矽電壓過零點。
3.根據權利要求1所述的的電力控制電容補償三相三線有序投切技術,其特徵在於,同時控制兩相的投切次序,按照先投後切的邏輯。
【文檔編號】H02J3/18GK104426154SQ201310412047
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月5日 優先權日:2013年9月5日
【發明者】林川 申請人:深圳市力高電能技術有限公司

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