一種提高晶片亮度的方法

2023-05-13 16:40:31

專利名稱：一種提高晶片亮度的方法
技術領域：
本發明涉及GaN基半導體發光器件的製造方法，尤其是一種提高晶片亮度的方法。
背景技術：
隨著氮化鎵基化合物發光二極體(LED)在顯示和照明領域的廣泛應用，客觀上對LED需求數量呈現幾何級數增加，這樣對LED的亮度提出了更高的要求。
眾所周知，在雷射切割晶片之後，在劃痕兩邊出現很多灰塵。灰塵降低了晶片背面的光潔度，也降低了晶片背面對於光的反射程度。通過去除灰塵，可以提高晶片背面對光的反射和降低晶片背面對光的吸收，提高正面的發光效率。同時，通過去除劃片背面的灰塵，可以降低晶片在倒膜過程中掉晶的風險，提高晶片在封裝時的固晶力。

發明內容
本發明的目的在於提供一種提高晶片亮度的方法，該方法利用清洗技術，去除雷射劃片後晶片背面的灰塵。本發明的技術方案為一種提高晶片亮度的方法，該方法使用清洗溶液去除雷射劃片後產生的灰塵。所述的清洗溶液組成成分為強鹼、醇和蒸餾水，強鹼醇蒸餾水質量比為1-4:1-4:20。清洗溶液組成成分典型配比為強鹼醇蒸餾水質量比為1:1:10。其中強鹼可以為氫氧化鉀，醇可以為乙醇。清洗溶液中的成分比例可以根據實際需要的效果進行改變，例如，在對晶片背面潔淨度要求比較高的場合，可以提高溶液中鹼的比例。提高晶片亮度的方法的具體步驟為首先使用無塵布蘸取清洗溶液，擦拭晶片背面後，使用純水對晶片進行進一步的潔淨，去除多餘的離子。本專利所對應溶液的方法主要應用於紫外雷射劃片後灰塵的去除。本發明的優點在於對於晶片的去除效果相對於直接利用無塵布擦拭的工藝好。成本低廉，本專利所對應的方法中，主要使用的溶液和無塵布價格較低，而且無塵布可以簡單回收再次利用。本專利對應的方法還可以降低晶片倒膜過程中掉晶的風險和提高晶片封裝後固晶的強度。


圖I為本發明一種提高晶片亮度的方法流程圖。
具體實施例方式一種提高晶片亮度的方法包括以下步驟
步驟101 :配製KOH溶液，將片狀KOH與水以一定質量比混合成鹼性溶液(通常採用KOH質量分數為5%-20%)。步驟102 :對步驟101中所配的溶液中加入與氫氧化鉀同等質量的乙醇。
步驟103 :利用步驟102所形成的溶液擦拭雷射劃片之後的晶片，之後利用蒸餾水再次擦拭並吹乾。需要說明的是步驟101中的KOH溶液可以替換為任何比例或任何種類的鹼性溶液，步驟102中的こ醇可以替換為任何比例或任何種類的醇，可根據實際情況調整添加比例，步驟103中的擦拭可根據實際情況進行調節，可以選擇不同次數和不同擦拭時間。本領域技術人員應當理解，本發明中所述的K0H、こ醇及蒸餾水可選用現有市售的
任意ー款。本發明利用鹼性溶液與こ醇形成的混合溶液對經雷射劃片後的晶圓上的灰塵進行了有效的去除，並且操作方便 ，成本低廉，適用於任何耐鹼性溶液的襯底。以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並非用於限定本發明的保護範圍。
權利要求
1.一種提高晶片亮度的方法，其特徵在於該方法使用清洗溶液去除雷射劃片後產生的灰塵。
2.根據權利要求I所述提高晶片亮度的方法，其特徵在於所述的清洗溶液組成成分為強鹼、醇和蒸餾水，強鹼醇蒸餾水質量比為1-4:1-4:20。
3.根據權利要求2所述提高晶片亮度的方法，其特徵在於清洗溶液組成成分典型配比為強鹼醇蒸懼水質量比為1:1:10。
4.根據權利要求I或2所述提高晶片亮度的方法，其特徵在於其中強鹼可以為氫氧化鉀，醇可以為乙醇。
5.根據權利要求I或2所述提高晶片亮度的方法，其特徵在於清洗溶液中的成分比例可以根據實際需要的效果進行改變。
6.根據權利要求I或2所述提高晶片亮度的方法，其具體步驟為首先使用無塵布蘸 取清洗溶液，擦拭晶片背面後，使用純水對晶片進行進一步的潔淨，去除多餘的離子。
7.根據權利要求I所述提高晶片亮度的方法，其特徵在於本方法所對應溶液的方法主要應用於紫外雷射劃片後灰塵的去除。
全文摘要
本發明公開一種提高晶片亮度的方法，該方法使用清洗溶液去除雷射劃片後產生的灰塵。清洗溶液組成成分為強鹼、醇和蒸餾水。其中強鹼可以為氫氧化鉀，醇可以為乙醇。清洗溶液中的成分比例可以根據實際需要的效果進行改變。提高晶片亮度的方法的具體步驟為首先使用無塵布蘸取清洗溶液，擦拭晶片背面後，使用純水對晶片進行進一步的潔淨，去除多餘的離子。本發明所對應溶液的方法主要應用於紫外雷射劃片後灰塵的去除。本發明的優點在於對於晶片的去除效果相對於直接利用無塵布擦拭的工藝好。成本低廉，本發明對應的方法還可以降低晶片倒膜過程中掉晶的風險和提高晶片封裝後固晶的強度。
文檔編號B08B3/08GK102626699SQ201210122450
公開日2012年8月8日 申請日期2012年4月25日 優先權日2012年4月25日
發明者劉榕, 宋超, 張建寶 申請人:華燦光電股份有限公司