一種疊層表面貼裝用高分子ptc熱敏電阻器的製作方法
2023-05-13 13:58:46
專利名稱：一種疊層表面貼裝用高分子ptc熱敏電阻器的製作方法
技術領域：
本實用新型一種疊層表面貼裝用高分子PTC熱敏電阻器涉及高分子PTC熱敏電阻器。
本實用新型的目的可以通過以下技術方案來實現一種疊層表面貼裝用高分子熱敏電阻器，有高分子晶片及電極片，特點是有二層或二層以上的複合片、位於複合片之間和上下兩面的絕緣片、鍍銅層、鍍錫層以及阻焊膜，其中，所述的複合片由高分子正溫度係數聚合物複合材料壓制而成的晶片和複合在晶片上下兩面的電極片構成，所述的鍍銅層鍍於複合片的左右兩端，所述的鍍錫層包覆於鍍銅層的外面，所述的阻焊膜印刷在疊層複合片上下兩面絕緣片上。其中所述的高分子正溫度係數聚合物複合材料為由高分子聚合物、碳黑、碳黑分散劑以及加工助劑複合而成的材料。
所述的電極片為導電金屬材料，包括選自銅、鎳、金、銀中的一種或幾種合金。
所述的複合在晶片上下兩面的電極片的兩對角端各蝕刻一條可供填充絕緣片的無電極蝕刻區。
所述的絕緣片的橫截面為L形，該L形絕緣片的短邊正好嵌設在無電極片蝕刻區內。
在上述技術方案基礎上，電極片的蝕刻區位於絕緣片下面。
本實用新型的優越性在於結構緊湊、安裝方便、過流效果好，可廣泛地應用於貼片焊接生產工藝。本實用新型由於通過絕緣片來連接不同的複合片，等同於不同的PTC熱敏電阻器並聯的結構，有效的降低了電阻，適合於大工作電流的PTC熱敏電阻器；電極片的蝕刻區位於絕緣片下面，而非露於元件的表面，可防止焊接時的短路現象；由於整個端面為錫或錫鉛焊接層，可焊性明顯提高。
本實用新型還可以從以下角度進行描述，晶片1、2採用高分子PTC材料製作而成，在晶片1、2上、下兩面各複合上電極片，電極片材料為銅、鎳、金、銀或其它導電金屬材料。將晶片1的上電極片蝕刻去一邊而形成無電極片區10，將下電極片蝕刻去一邊而形成無電極片區8；將晶片2的上電極片蝕刻去一邊而形成無電極片區12，將下電極片蝕刻去一邊而形成無電極片區11。將晶片1的上電極片3、無電極片區10和晶片2的下電極片6、無電極片區11之間壓合上一層絕緣片9而連接晶片1、2。在晶片1的下電極片4、無電極片區8面上壓合一層絕緣片7，從而使元件的整個下面結合上一層絕緣片；在晶片2的上電極片5和無電極片區12面上壓合上一層絕緣片13，從而使元件的整個上面結合上一層絕緣片，絕緣片的材料為環氧或聚酯玻璃布。在元件的兩個端面電鍍上一層銅16、17，再在銅層上電鍍上一層錫或錫鉛18、19以形成焊接區。在上下兩面的非焊接區印刷上阻焊膜15、14，阻焊膜的材料為感光性能的環氧樹脂或丙烯酸樹脂，以起到阻焊和絕緣的作用。
本實用新型通過絕緣片9連接晶片1、2形成疊層結構，等同於兩個PTC熱敏電阻器並聯，從而降低電阻，提高了工作電流；由於整個端面18、19為錫或錫鉛焊接層，可焊性明顯提高；電極片的蝕刻區12、8位於絕緣片13、7下面，而非露於元件的表面，可防止焊接時的短路現象。
類似本結構兩層以上的疊層表面貼裝PTC熱敏電阻器亦在本專利範圍之內。
權利要求1，一種疊層表面貼裝用高分子PTC熱敏電阻器，有高分子晶片及電極片，其特徵在於，有二層或二層以上的複合片、位於複合片之間和上下兩面的絕緣片、鍍銅層、鍍錫層以及阻焊膜，其中，所述的複合片由高分子正溫度係數聚合物複合材料壓制而成的晶片和複合在晶片上下兩面的電極片構成，所述的鍍銅層鍍於複合片的左右兩端，所述的鍍錫層包覆於鍍銅層的外面，所述的阻焊膜印刷在疊層複合片上下兩面絕緣片上。
2，根據權利要求1所述的一種疊層表面貼裝用高分子PTC熱敏電阻器，其特徵在於電極片為導電金屬材料，包括選自銅、鎳、金、銀中的一種或幾種合金。
3，根據權利要求1所述的一種疊層表面貼裝用高分子PTC熱敏電阻器，其特徵在於所述的複合在晶片上下兩面的電極片的兩對角端各蝕刻供填充絕緣片的無電極蝕刻區。
4，根據權利要求3所述的一種疊層表面貼裝用高分子PTC熱敏電阻器，其特徵在於所述的絕緣片的橫截面為L形，該L形絕緣片的短邊正好嵌設在無電極片區內。
5，根據權利要求4所述的一種疊層表面貼裝用高分子PTC熱敏電阻器，其特徵在於電極片的蝕刻區位於絕緣片下面。
專利摘要本實用新型一種疊層表面貼裝用高分子PTC熱敏電阻器涉及高分子PTC熱敏電阻器。一種疊層表面貼裝用高分子熱敏電阻器，有高分子晶片及電極片，特點是有二層或二層以上的複合片、位於複合片之間和上下兩面的絕緣片、鍍銅層、鍍錫層以及阻焊膜，其中，所述的複合片由高分子正溫度係數聚合物複合材料壓制而成的晶片和複合在晶片上下兩面的電極片構成，所述的鍍銅層鍍於複合片的左右兩端，所述的鍍錫層包覆於鍍銅層的外面，所述的阻焊膜印刷在疊層複合片上下兩面絕緣片上。本實用新型結構緊湊、安裝方便、過流效果好，有效的降低了電阻，可防止焊接時的短路現象，適合於大工作電流的PTC熱敏電阻器。
文檔編號H01C7/02GK2591719SQ0226168
公開日2003年12月10日 申請日期2002年11月19日 優先權日2002年11月19日
發明者王軍, 侯李明, 楊兆國, 潘昂, 李從武 申請人:上海維安熱電材料股份有限公司