改善晶圓缺陷的方法

2023-04-27 01:47:21

專利名稱：改善晶圓缺陷的方法
技術領域：
本發明涉及半導體製造工藝方法，尤其涉及一種通過減少灰塵改善晶 圓缺陷的方法。
技術背景晶圓的生產是在無塵室內進行，對灰塵的要求很高， 一旦灰塵含量超 過一定標準，就會使晶圓產生致命的缺陷。晶圓在蝕刻過程中會產生很多稱為聚合物(polymer)的副產物，當 聚合物積聚到一定程度，掉在晶圓上時，就有可能使晶圓產生缺陷，如果 嚴重就會使整片晶圓報廢。聚合物的產生不可避免，關鍵是如何才能使聚 合物不掉到晶圓上。圖l所示為目前晶圓在蝕刻過程中傳送的路線，預載室(Load Lock, LL)是晶圓在蝕刻前放的位置；CH (Chamber)是晶圓蝕刻時的腔體；TM (transfer chamber)是晶圓在預載室和蝕刻腔體之間傳送時的中轉站。 通常這3個空間有門關著，互相獨立。只有當晶圓在LL和CH之間需要傳 送時門才會開，而這3個地方的壓力設定通常為LL〉TM〉CH。當晶圓從CH 傳回到LL時，先使傳送晶圓的機械手臂與LL的門垂直，即將晶圓停在 LL的門邊上，再把門打開，然後把晶圓傳回LL。由於壓力的差異(LL〉TM)， 在開門的瞬間，很容易使原來在LL的聚合物全都掉在晶圓上，使晶圓缺陷隨機出現，且晶圓朝向預載室的一邊缺陷較多，清洗蝕刻腔體或預載室都 未能改善晶圓缺陷狀況。 發明內容本發明要解決的技術問題是提供一種改善晶圓缺陷的方法，能有效減 少預載室的聚合物掉到晶圓上的機率，明顯改善晶圓表面缺陷。為了解決上述技術問題，本發明改善晶圓缺陷的方法，包括在晶圓 從蝕刻腔體傳回至預載室時，先改變傳送晶圓的機械手臂在預載室門邊 的停靠位置，使該手臂停靠在與預載室門平行的位置，或停靠在背向預載 室門並與該門成一角度的位置，再打開預載室門，把晶圓傳回預載室。本發明改善晶圓缺陷的方法，能有效避免預載室的聚合物被開門時的 壓力差吹落到晶圓表面的情況，顯著改善晶圓表面缺陷。


圖1是現有晶圓從蝕刻腔體傳回至預載室時，機械手臂在預載室門邊 停靠的位置示意圖；圖2是本發明一實施例中，晶圓從蝕刻腔體傳回至預載室時，機械手 臂停靠位置的示意圖；圖3是現有方法製作的晶圓的檢測結果圖；圖4是本發明方法製作的晶圓的檢測結果圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式
對本發明作進一步詳細說明。 本發明的改善晶圓缺陷的方法，包括步驟在晶圓從蝕刻腔體傳回至 預載室時，先改變傳送晶圓的機械手臂在預載室門邊的停靠位置，使該手臂停靠在與預載室門平行的位置，或停靠在背向預載室門並與該門成一角 度的位置，再打開預載室門，把晶圓傳回預載室。所述角度的範圍為0° <角度<180° 。在本發明的一個製作電容工序的實施例中，當晶圓由機械手臂從蝕刻 腔體傳回到預載室時，改變傳統的把晶圓停在預載室門邊的做法，將機械手臂轉動到與預載室門平行的位置進行停靠(見圖2)，使晶圓遠離預載 室門，再打開預載室的門，此時由於晶圓和預載室門相隔一定距離，開門 時，壓力差(LL〉TM)吹落的預載室內的聚合物等灰塵物質掉到晶圓表面的機率大大減少，然後，機械手臂把晶圓傳回預載室，完成晶圓的傳送。在本發明的另一個製作電容工序的實施例中，當晶圓由機械手臂從蝕 刻腔體傳回到預載室時，轉動機械手臂，使其在背向預載室門(裝載晶圓 的一端)並與該門成一角度的位置進行停靠，所述角度的範圍為0° < 角度<180° ，再打開預載室門，把晶圓傳回預載室。本發明方法製作的晶圓經檢測機臺驗證，能有效改善晶圓缺陷的狀 況，圖3為現有方法製作的晶圓的檢測結果圖，圖4為本發明方法製作的 晶圓的檢測結果圖。在圖3、 4中，"+"表示在晶圓表面檢測到的由灰塵 產生的缺陷，圖3的晶圓有97個缺陷，圖4的晶圓有23個缺陷。比較圖 3和圖4，顯然可得出經過本發明方法調整機械手臂的停靠位置後，晶 圓的缺陷狀況得到明顯改善。本發明方法通常能使晶圓減少20% 30%的 缺陷。
權利要求
1. 一種改善晶圓缺陷的方法，其特徵在於，包括在晶圓從蝕刻腔體傳回至預載室時，先改變傳送晶圓的機械手臂在預載室門邊的停靠位置，使該手臂停靠在與預載室門平行的位置，或停靠在背向預載室門並與該門成一角度的位置，再打開預載室門，把晶圓傳回預載室。
2. 如權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述角度的範圍為0° <角度<180° 。
全文摘要
本發明涉及半導體製造工藝方法，公開了一種改善晶圓缺陷的方法，包括在晶圓從蝕刻腔體傳回至預載室時，先改變傳送晶圓的機械手臂在預載室門邊的停靠位置，使該手臂停靠在與預載室門平行的位置，或停靠在背向預載室門並與該門成一角度的位置，再打開預載室門，把晶圓傳回預載室。本發明改善晶圓缺陷的方法，能有效避免預載室的聚合物被吹落到晶圓表面的情況，可顯著改善晶圓表面缺陷。
文檔編號C30B33/08GK101225550SQ20071003646
公開日2008年7月23日 申請日期2007年1月15日 優先權日2007年1月15日
發明者君 張, 牛建禮, 王剛寧, 陳應傑 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司