具有電極保護的場致發光元件的製作方法

2023-05-17 21:07:26 2

專利名稱：具有電極保護的場致發光元件的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種有機場致發光(EL)裝置。
有機場致發光元件由一種材料製成，當在設置在這種材料兩側之一上的電極間施加適當的電壓時，這種材料會發光。一類這樣的材料是共軛聚合物，這在我們早些的第5,247,190號美國專利中有描述，其內容在這裡通過引用而加以結合。例如，聚(p-亞苯基-亞乙烯基)[PPV]，當通過在兩個合適的電極之間施加電壓使正的和負的載流子通過材料時，將發光。這些裝置的場致發光效率一方面依賴於電子和空穴的平衡，所述電子和空穴被注入到裝置中，並相遇而形成電子/空穴對，另一方面也依賴於這些電子/空穴對結合起來發生光的效率，即，光致發光(例如見N.C.Greenham和R.H.Friend，固體物理，49,1,1995)。因此，對一個有效率的裝置來說，具有足夠高的光致發光效率是非常重要的。
有好幾種處理共軛聚合物的方法。一種方法使用初始聚合物，它是可溶的，因而可易於通過標準溶解基的處理技術進行塗敷(例如，旋塗和刮塗)。然後初始聚合物應當地通過適當的熱處理轉換，以給出共軛的和不能溶解的聚合物。另一種方法使用直接可溶解的共軛聚合物，這不需要後面的轉換階段。根據特定的應用，一種或另一種方法是是合適的。初始聚合物在後面的處理可導致聚合物薄膜的破壞(如果它直接可溶)的情況下尤其重要，這種處理有，例如塗敷下一層的聚合物薄膜(例如不同顏色的傳送層或發射層)，或頂部電極的印刷。轉換的初始薄膜還具有更好的熱穩定性，這在裝置的製造、庫存以及高溫下操作都是非常重要的。
當初始聚合物由溶解組的消除或改變而轉換為其最終形式時，這些轉換過程的副產品從薄膜上除去是重要的。在這個處理中它們不和基片相互影響也是重要的，例如如果這引起有害的雜質從基片進入薄膜中，因此影響場致發光元件的性能(包含發光效率和使用壽命)。我們已經發現，例如，當初始PPV聚合物在諸如氧化銦錫之類的導電氧化物基片上轉換時，場致發光的淬熄。我們相信，這可能是由銦化合物由於轉換副產品中的一種(例如滷化氫)和氧化銦錫的反應而釋放到PPV中引起。
除了發現由於來自副產品和氧化銦錫在轉換中反應引起雜質的出現而淬熄外，我們還發現由某種PPV共聚合物的增強轉換引起的有害的效果。這些共聚合物和均聚合物相比，常常具有有限的共軛長度。這一般將導致遊子約束，於是有高光致發光效率和場致發光效率。在這種情況下，我們相信，某些PPV共聚合物薄膜中的銦化合物，當在氧化銦場上轉換時，會催化一些組的消失，這些組是我們為了完成轉換過程而設計的。
本發明提供了一種克服了這種問題的場致發光元件的結構和生產的方法。
根據本發明的一個方面，提供了一種生產場致發光元件的方法，這種方法包含以下步驟形成正載流子注入材料的陽極；在所述陽極上形成陽極保護層，其中所述陽極保護層由從聚吡咯和其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚乙烯咔唑(PVK)、聚苯乙烯、聚(乙烯吡啶)、介質材料、碳、無定形矽、不含銦導電氧化物，包含氧化錫、氧化鋅、氧化礬、氧化鉬和氧化鎳、以及升華有機半導體的組合中選出的材料製成；通過將初始物轉換為半導體共軛聚合物的聚合物而形成光發射層；及形成負載流子注入材料的陰極。
已經發現當光發射層從初始聚合物轉換到共軛聚合物過程中，釋放酸性副產品(例如滷化氫)時，陽極保護層特別有價值。
本發明的另一個方面提供了一種場致發光元件，它包含由正載流子注入材料製成的陽極；在所述陽極上形成陽極保護層，其中所述陽極保護層由從聚吡咯和其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚乙烯咔唑(PVK)、聚苯乙烯、聚(乙烯吡啶)、介質材料、碳、無定形矽、不含銦導電氧化物，包含氧化錫、氧化鋅、氧化礬、氧化鉬和氧化鎳、以及升華有機半導體的組合中選出的材料製成；由半導體共軛聚合物製成的光發射層；及由負載流子注入材料製成的陰極。
本發明在陽極由氧化銦錫(ITO)製成時特別有用。但是，其他的材料也是適當的，諸如氧化錫。
在一個實施例中，沉積在玻璃或塑料上的透明導電材料層形成裝置的陽極。適當的陽極的例子包含氧化錫和氧化銦錫。典型的層的厚度為500-2000A，而片電阻是10-100Ohm/square，最好＜30Ohm/square。轉換的初始聚合物可以是例如聚(p-亞苯基-亞乙烯基)[PPV]或均合物或PPV衍生的共聚物。該層的厚度可以在100-3000A的範圍中，最好是500-2000A，更好的是1000-2000A。轉換前初始層的厚度對旋轉塗敷層來說可在100-6000A範圍中，對刮塗最多200μm。陽極保護層選為用作對付初始聚合物轉換副產品的障礙，但還應不成為空穴從陽極注入發射層的障礙，在那裡它們和從陰極注入的電子結合，發射光。導電聚合物是結合處理方便、能保護下面的電極和適合空穴傳送以及注入性質，而成為好的候選的一大類材料。可以使用10-2000A之間，最好是10-500A的薄層，因此薄層的透明度可以較高。這些薄層典型的片電阻為100-1000Ohm/square，但也可以高達1010Ω/squ。例子包含被摻雜的共軛聚合物，包含聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯和它們的衍生物。陰極電極設置在轉換的初始材料的另一側上，以完成該裝置的結構。另外，當在當地發生摻雜時，通過在裝置製造過程中和轉換副產品反應，還可以使用如上列出的不摻雜的共軛聚合物。
本發明還提供了在有機光發射裝置的製造方法中，電極保護層的使用，以保護有機光發射裝置不受初始聚合物轉換為光發射半導體共軛聚合物的影響，其中有機光發射裝置包含第一和第二電極，其中光發射聚合物位於它們中間。
因此，在另一個實施例中，在陰極上沉積電極保護層和初始聚合物，典型地是諸如鋁或具有較低的逸出功元素的鋁合金，或任何低逸出功元素，或合金之類的材料。在這種情況下，保護層需要傳輸電子，但可以，以可不必為透明的。導電聚合物再次是陰極保護層合適的候選者。陽極設置在轉換的初始材料的另一側，以完成裝置的結構。
在另一個實施例中，提供如上所述的陽極或陰極的保護層，但是保護層是不摻雜的共軛聚合物，對空穴或電子具有充分的注入特性和傳輸移動性，這依賴於它是否分別保護陽極或陰極。這種保護層的一個例子是可溶PPV衍生材料或可選的初始PPV或PPV衍生材料。在後一種情況下，如果保護層比場效應發光層薄得多，則轉換處理的副產品更容易被移去，並且因此減小了在轉換過程中和電極的任何反應。
在另一個實施例中，提供如上所述的陽極和陰極的保護層，但是保護層是蒸發或濺射或反應濺射薄膜，它對空穴或電子具有充分注入特性和傳輸移動性。這依賴於它是否分別保護陽極或陰極。這種保護層的例子可以是濺射或蒸發的碳薄層、無定形矽或不含銦導電氧化物(包含氧化錫、氧化鋅、氧化礬、氧化鉬和氧化鎳)的濺射層或者升華有機半導體層。
在另一個實施例中，設置用於上述陰極和陽極的保護層，但是保護層是不摻雜和不共軛的聚合物，但具有充分注入特性以及對空穴或電子的透明移動性(依賴於它是否分別保護陽極和陰極)。一個例子可以是聚乙烯咔唑，這是良好的空穴傳輸材料，但不是共軛聚合物。或者非常薄的聚合物材料薄層，它具有相對較差的空穴和電子移動性，這可以用作良好的電極保護層，而不損害電子和空穴載流子的平衡。例子可以是聚苯乙烯和聚(乙烯吡啶)。
在本發明的另一個實施例中，設置用於保護上述陰極和陽極的保護層，但是保護層是非常薄的無機介質，它提供了對初始的轉換的副產品的障礙，但是它足夠薄，從而空穴可以由隧道通過它(當它接觸並保護陽極時)，以及電極可以由隧道通過它(當它接觸並保護陰極時)。
本發明還提供了場致發光元件的生產方法，包含步驟形成由負載流子注入材料製成的陽極；在所述陽極上形成犧陽極保護層；在犧牲層上將初始物沉積到半導體共軛聚合物上；將初始物轉換為半導體共軛聚合物，以形成光發射層，在所述轉換步驟過程中所述陽極保護層保護所述陽極不受轉換的影響，並且自消耗；及形成由負載流子注入材料製成的陰極。
因此，在另一個實施例中，提供用於如上所述的陽極或陰極保護層，但是保護層是犧牲層。在轉換處理過程中，犧牲層由轉換副產品腐蝕掉，相互作用的後續產物選擇得使它們不影響轉換的初始共軛聚合物的光致發光或場致發光效率。這種保護層的例子可以包含非化學計量氧化物薄膜，諸如氧化矽和氧化鋁，層厚由在轉換處理中的相互作用程度確定。
本發明還提供了一種有機光發射裝置，包含電極；由轉換的有機初始聚合物製成的有機光發射層；及形成在所述電極和所述光發射層之間的電極保護層，從而在有機初始聚合物轉換過程中保護電極。
本發明還提供了一種有機光發射裝置的生產方法，其特徵在於包含步驟
沉積電極；在所述電極上沉積電極保護層；為發射材料沉積有機初始聚合物層；及將有機初始聚合物轉換為光發射材料；其中，電極保護層在有機初始聚合物的轉換過程中保護電極。


圖1A到1C是結合了陽極保護層的場致發光元件的示意圖；圖2描述了初始聚合物到PPV的兩種轉換途徑；圖3A和3B是描述UV-PPV均合物光譜的圖表，分別是在石英、氧化銦錫和陽極保護層上轉換的。
圖4是描述UV-PPV共聚物的圖表，它們在分別在石英、氧化銦錫和陽極保護層上轉換；及圖5是描述醋酸鹽基共聚物的IR光譜的示圖，它在矽、具有銦層的矽、具有銦層和保護層的矽上轉換。
為了更好地理解本發明，並顯示怎樣實現相同的情況，現在將通過例子對上述附圖進行解釋。
較佳實施例的描述圖1A描述了場致發光元件的結構。由透明玻璃或塑料材料製成的基片2用構成裝置的陽極4的材料覆蓋。陽極保護層6位於陽極4和光發射層8之間。陰極條10設置得和裝置的陽極光發射區域一致。裝置發射光的工作(沒有陽極保護層)在我們前面參照的第5,247,190號美國專利中討論，這裡除了受到本發明的影響的範圍，不在進一步描述。
實施例Ⅰ現在描述第一實施例。用DC或RF濺射技術將構成陽極4的氧化銦錫沉積到拋光的玻璃基片2上。這種基片可以買到。可以使用納鈣玻璃，它具有薄的矽阻擋層和氧化銦錫層(電阻率為30Ohm/square，透明度為大約85％，厚度1500)。將聚噻吩基的導電聚合物系統用作陽極保護層6。聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(PEDT/PSS@1∶1.2摩爾濃度)，它可以從Bayer AG,Leverkusen,Germany作為試驗品A14071買到。導電聚合物的100薄膜旋塗在基片上。EL層8由旋塗初始聚合物(諸如均聚體PPV)形成。由這種初始聚合物，溶解組(它在150℃下在氮中轉換4小時的過程中被去掉)為四氫噻吩，而到噻吩鹽的逆流離子是溴化物。另一個副產品於是為溴化氫，它易於攻擊ITO，並可以引起有害產品釋放到薄膜中，使場致發光淬滅。PPV基初始物的轉換副產品在圖2中指出，其中a=0,a』=0。
沒有陽極保護層，在熱轉換處理之後，PPV材料的PL效率的初始測量從大約13％降低到最好是大約0.7％。進一步的測量確定PL效率可以在10％下到大約2-3％的範圍內。有陽極保護層的初始量測指出PL效率為大約3％。以後的工作顯示這可以增加到大約5％。在轉換之後，一種適合的陰極材料(比如鈣)沉積在共軛聚合體8上，並進行印刷以形成帶10。此後，在手套式操作箱中馬上進行接線，並用環氧基樹脂/玻璃進行封裝。典型地，和沒有保護層6的裝置相比，有保護層製成的裝置具有顯著改善的場致發光效應。
實施例Ⅱ現在描述另一個具體實施例。前面的步驟和實施例Ⅰ相同，直到EL層的形成。在這個實施例中，沉積醋酸鹽基PPV共聚物的初始為。這種材料具有非常高的場致發光(PL)效率，其中溶解組(它在轉換中被去掉)是四氫噻吩，到噻吩鹽的逆流離子是溴化物。另一個副產品是溴化氫，它易於攻擊ITO，並可以使有害的產品釋放到薄膜中，這使場致發光淬滅，並引起更強的轉換。沒有陽極保護層6，則在熱轉換處理(如上所述，在150℃下，在氮中處理4小時)後，PPV材料的PL效率令人注目地從大約50-60％降低到最好大約7％。但是，有保護層，在轉換後得到為大約22％的PL效率。圖2示出轉換體系，其中a≠0,a』≠0。在轉換後，一種適當的陰極材料(比如鈣)沉積在共軛聚合物上。
表1的最後一欄描述了實施例Ⅰ和Ⅱ的場致發光效率。表1的第一和第二欄描述在初始層被分別旋塗在石英和銦錫氧化物上，不使用陽極保護層情況下場致發光效率的值。表1A為我們認為從更好的統計基礎和更精確的測量而得的相當數字。
在這種情況下指的共聚物最初測量為含大約20mol％的醋酸鹽功能。後來的測量(被認為更加精確)指出醋酸鹽含量為大約40摩爾.％。共聚物醋酸鹽值的改變導致當由PEDT/PSS保護層在ITO上轉換時，場致發光效率為大約30％。
圖3到5示出PPV共聚物的保護也使有ITO保護層的增強的轉換最小化。圖3A描述了取自具有不同層厚的結構的測量。圖3B示出使用共同層厚的情況。圖3B表示了論使用的基層如何，均勻聚合物中的UV對光譜變化都很小。但是，圖4示出當在ITO上轉換醋酸鹽基共聚物時有增強的紅移。另外，在IR光譜中在1737cm-1處有一吸收波峰，它屬於醋酸鹽羰基的吸收。其相對的強度可和光譜中的其他峰值比較，諸如在1517cm-1處的吸收，它起源於聚合物的芳香族成份。由此得到的兩個峰值的強度比給出醋酸鹽功能的相對量的測量。表2示出了當在具有銦層的矽上進行轉換時，該比例(醋酸鹽∶芳香族)被顯著減小。我們將這些結果解釋為醋酸鹽基共聚物通過來自有銦層的矽基片的銦化合物所增強的轉換，這一過程由保護層的出現而減小。相對場致發光效率在表1A和B中詳細描述。包含保護層的系統的裝置性能可以概括為100cd/m2起始亮度，效率為0.2-0.61m/W到21m/W，亮度的半衰期(在恆流或恆壓驅動)為10-100小時，至2000小時。
實施例Ⅲ現在描述另一個具體實施例。在這個實施例中，生產步驟和實施例2系統，除了聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(用作陽極保護層)被優化，以通過最佳PSS含量，給出有益的壽命性能。因此，現在材料具有1∶5摩爾比PRDT/PSS。這些系統的裝置的性能可以概括為100cd/m2起始亮度；效率為0.3-1.21m/W，直到21m/W，半衰期為大約500小時，到2000小時。
實施例Ⅳ在實施例Ⅲ的情況下，我們已經發現在PEDT/PSS保護層(@1∶5摩爾比)與PPV初始溶體之間有有害的相互作用。我們相信，這是因為在PPV初始溶體中PEDT/PSS層的溶解作用，並且這可導致最後裝置中的不均勻發射。例如，如果在裝置的過程中將PPV旋塗在PEDT/PSS薄膜上，則在轉換後，在PEDT/PSS-PPV處發現環狀的不均勻。我們已經通過在施加PPV初始溶體之前，在PEDT/PSS層上旋塗薄的poly(vinyl pyridine)(PVP)薄膜(圖1B-參數7)克服這個問題。如已經知道的，可買到的PVP包含聚苯乙烯成分(典型地為10％)以致使其可溶。因此，如上所述沉積100薄膜，接著自0.1％w/v的甲醇溶體中旋塗薄的PVP薄膜。剩下的裝置以常規的方法製造，並得到上面指出的特點(即，100cd/m2初始亮度、0.3-1.21m/W效率，半衰期為大約500小時)。但是，發射均勻性大大改善。由於PVP作為PEDT/PSS系統和PPV之間的障礙，該方法也可以用於印刷這個ITO保護層。
實施例Ⅴ
現在描述另一個具體實施例，並聯繫列這種裝置的製造。取ITO敷層玻璃的板，並進行清潔。ITO敷層玻璃的尺寸可以從12*12mm到比80*80mm還大許多。PEDT/PSS ITO保護層然後旋塗在基片上，厚度為大約100。在這個PPV初始溶體刮塗到PEDT/PSS溼薄膜層上，該層厚度為100μm，初始溶體濃度為0.4-0.5％固體含量。在這種情況下，裝置的均勻性優於PPV初始層由施塗得到的裝置。或者，可以如此刮塗雙層PPV裝置，從而每一層都是大約500-700厚，並且在第二層沉積之前進行短時間轉換(在150℃下大約20秒)(參看圖1C的1)。在轉換了最後的轉換後，所得到的PPV薄膜為大約1000-1400厚。在這種情況下，對於裝置效率和總體的均勻性，發現有益的效果。然後沉積適當的陰極，裝置被連接起來。
實施例Ⅵ在另一個實施例中，玻璃基片以上述的方式敷有氧化銦錫。然後，PVP溶化在甲醇中，濃度為0.1％，預過濾為1微米孔隙尺寸，並塗敷在氧化銦錫中，厚度大約100。然後，參照實施例Ⅰ，上述的PPV初始層旋塗在上面，並在150℃下在氮中轉換4小時，以使PPV層厚度為大約1000。然後，在由鋁/鋰合金製成的陰極濺射在上面之前，裝置被儲存在乾燥器中48小時。
實施例Ⅶ以和實施例Ⅵ相同的方式形成此實施例，除了陽極保護層由聚乙烯咔唑(PVK)(在THF中溶化)形成，濃度為0.1％。
實施例Ⅷ這一實施例以和實施例Ⅵ相同的方式形成，除了陽極保護層由在THF中溶解的聚苯乙烯製成，濃度為0.1％。
實施例Ⅸ這個實施例以和實施例Ⅵ,Ⅶ和Ⅷ相同的方式形成，除了陽極保護層由在甲醇溶解的poly(乙烯基吡啶)製成，濃度為0.1％。
實施例Ⅹ在另一個實施例中，裝置根據實施例Ⅱ製造，但是陰極由鋰/鋁合金代替鈣製成。例如，鋰/鋁合金(最多含有10％重量百分比的鋰)濺射在共軛聚合物的上面，厚度為10-1μm，最好是大約1200。Li/Al合金靶是可買到的，並且典型地可包含大約2.5％重量百分比的Li。也可以有諸如Zr、Mg、Cu之類的其他穩定元素。和沒有保護層，並使用鈣電極的裝置相比，有保護層和鋰基陰極的裝置大大改善了場致發光效率。
因此，本發明的上述各種實施例都提供了一種多層場致發光元件，它結合了轉換的初始聚合物，作為發射層，以及放置在轉換的初始聚合物和下面的電極之間的電極保護層，它用作在初始轉換處理中保護電極。至少還有一層，其中之一是第二電極。
上述的實施例是一種場致發光元件製造方法的說明，其中共軛聚合物材料的初始層被沉積在基片上，其上具有預先沉積的電極層和之後沉積的電極保護層。然後在之後的層或至少其中一層是第二電極的層沉積之前，初始層轉換為最後共軛聚合物形式。
表1典型的場致發光效率(％)測量
表1A改進的場致發光(％)測量
表2來自IR光譜的1737/1517em-1比(醋酸基∶羰基)
權利要求
1．一種場致發光元件的生產方法，其特徵在於包含步驟形成由正載流子注入材料製成的陽極；在所述陽極上形成陽極保護層，其中所述陽極保護層由從聚吡咯和其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚乙烯咔唑(PVK)、聚苯乙烯、聚(乙烯吡啶)、介質材料、碳、無定形矽、不含銦導電氧化物，包含氧化錫、氧化鋅、氧化礬、氧化鉬和氧化鎳、以及升華有機半導體的組合中選出的材料製成；通過將初始層轉換為聚合物形成光發射層，其中所述聚合物是半導體共軛聚合物；及形成由負載流子注入材料製成的陰極。
2．以權利要求1所述的方法，其特徵在於所述半導體共軛聚合物是從一類聚合物中選出的，所述一類聚合物在從初始聚合物轉換為共軛聚合物過程中由釋放酸性副產品。
3．如權利要求1或2所述的方法，其特徵在於所述陽極包含沉積在玻璃或塑料材料基片上的透明導電層。
4．如權利要求1或2所述的方法，其特徵在於所述光發射層由聚(p-亞苯基-亞乙烯基)(PPV)的均聚合物形成。
5．如權利要求1或2所述的方法，其特徵在於所述光發射層由PPV的醋酸纖維基共聚物形成。
6．如以上任一權利要求所述方法，所述陽極保護層由聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽形成。
7．如權利要求6所述的方法，其特徵在於陽極保護層的摩爾比是1∶1.2PEDT/PSS。
8．如權利要求6所述的方法，其特徵在於陽極保護層的摩爾比是1∶5PEDT/PSS。
9．如以上任一權利要求所述的方法，其特徵在於所述陽極保護層和所述光發射層之間沉積另一層，以改善光發射層的覆蓋均勻性。
10．如權利要求9所述的方法，其特徵在於所述另一層包含聚(乙烯吡啶)PVP。
11．如以上任一權利要求所述的方法，其特徵在於所述第二光發射層設置在所述陽極保護層和所述陰極之間。
12．如權利要求1到5的任一項所述的方法，其特徵在於所述陽極保護層由碳、氧化錫或矽通過濺射或蒸發製成。
13．如以上任一權利要求所述的方法，其特徵在於所述陽極保護層的厚度在10到500。
14．如以上任一權利要求所述的方法，其特徵在於每一個所述陽極和所述光發射層的厚度在500到2000之間。
15．如以上任一權利要求所述的方法，其特徵在於所述陽極是由ITO製成的。
16．如以上任一權利要求所述的方法，其特徵在於所述陰極由鋁或鋁合金製成。
17．一種場致發光元件，其特徵在於包含由正載流子注入材料製成的陽極；在所述陽極上的陽極保護層，所述陽極保護層由由從聚吡咯和其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚乙烯咔唑(PVK)、聚苯乙烯、聚(乙烯吡啶)、介質材料、碳、無定形矽、不含銦導電氧化物，包含氧化錫、氧化鋅、氧化礬、氧化鉬和氧化鎳的組合中選出的保護材料製成；由半導體共軛聚合物製成的光發射層；及由負載流子注入材料製成的陰極。
18．如權利要求17所述的裝置，其特徵在於陽極保護層的厚度在10到500之間。
19．如權利要求17或18所述的裝置，其特徵在於所述陰極和所述光發射層的厚度都在500到2000之間。
20．如權利要求17到19任一項所述的裝置，其特徵在於所述陽極由ITO製成。
21．如權利要求17或20任一項所述的裝置，其特徵在於所述陰極由鋁或鋁合金製成。
22．一種場致發光元件的製造方法，其特徵在於包含步驟形成由正載流子注入材料製成的陽極；在所述陽極上形成犧牲陽極保護層；在犧牲層上沉積半導體共軛聚合物的初始層；將初始層轉換為半導體共軛聚合物，以形成光發射層，在所述轉換步驟過程中所述陽極保護層保護所述陽極不受轉換的影響，並且自消耗；及形成由負載流子注入材料製成的陰極。
23．在有機光發射裝置的生產中使用電極保護層，以保護有機光發射裝置的電極不受初始層轉換為光發射半導體共軛聚合物時的影響，其特徵在於所述有機光發射裝置包含具有光發射聚合物的第一和第二電極，其中所述光發射聚合物位於所述第一和第二電極之間。
24．一種有機光發射裝置，其特徵在於包含電極；由轉換的有機初始的聚合物製成的有機光發射層；及形成在所述電極和所述光發射層之間的電極保護層，從而在有機初始聚合物轉換過程中保護電極。
25．一種有機光發射裝置的生產方法，其特徵在於包含沉積電極；在所述電極上沉積電極保護層；為發射材料沉積有機初始聚合物層；及將有機初始聚合物轉換為光發射材料；其中，電極保護層在有機初始聚合物的轉換過程中保護電極。
全文摘要
一種具有陽極(4)和陰極(10),並在陽極(4)和陰極(10)之間安排光發射層(8)的場致發光元件的生產方法,還包含陽極保護層(6),它保護陽極(10)不受初始聚合物轉換為半導體共軛聚合物的影響,其中該轉換構成了光發射層(8)。已經發現這樣增加了裝置的亮度和半衰期。
文檔編號H01L51/52GK1227040SQ9719686
公開日1999年8月25日 申請日期1997年7月29日 優先權日1996年7月29日
發明者卡爾·皮希勒, 卡爾·湯 申請人:劍橋顯示技術有限公司